KR100844150B1 - Plasma processing apparatus and method - Google Patents

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KR100844150B1
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chamber
plasma
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plasma processing
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정상곤
이경호
박혜정
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주식회사 래디언테크
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Abstract

A plasma processing apparatus and a plasma processing method are provided to control density and uniformity of magnetic field by equipping a magnetic field control unit in an inside of a chamber. A chamber(100) includes a predetermined space. A substrate supporter(300) is installed at a center of a lower part of the chamber. A substrate is loaded on the substrate supporter. An antenna is formed along an upper outer circumference of the chamber in order to form plasma within the chamber by supplying RF power to the chamber. A magnetic field generation unit(500) includes upper and lower coils to surround an outer circumference of the chamber corresponding to a lower part of the antenna. A magnetic field control unit(600) is formed across a substrate supporting surface of the chamber in order to cover the upper and lower coils and to control the magnetic field of the magnetic field generation unit.

Description

플라즈마 처리 장치 및 방법{PLASMA PROCESSING APPARATUS AND METHOD}Plasma processing apparatus and method {PLASMA PROCESSING APPARATUS AND METHOD}

도 1은 본 발명에 따른 플라즈마 처리 장치를 나타낸 개략 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view showing a plasma processing apparatus according to the present invention.

도 2는 본 발명에 따른 플라즈마 처리 장치를 이용한 플라즈마 처리 방법을 나타낸 순서도이다.2 is a flowchart showing a plasma processing method using the plasma processing apparatus according to the present invention.

도 3은 본 발명에 따른 플라즈마 처리 장치를 이용한 플라즈마 처리 방법의 변형예를 나타낸 순서도이다.3 is a flowchart showing a modification of the plasma processing method using the plasma processing apparatus according to the present invention.

< 도면 주요 부분에 대한 부호의 설명 >             <Description of the code | symbol about the principal part of drawings>

100: 챔버 110: 게이트100: chamber 110: gate

120: 배기부 200: 가스 분사부120: exhaust portion 200: gas injection portion

202: 소정 공간 204: 분사홀202: predetermined space 204: injection hole

210: 가스 공급부 300: 기판 지지대210: gas supply unit 300: substrate support

500: 자계 발생부 600: 자계 조절부500: magnetic field generating unit 600: magnetic field adjusting unit

본 발명은 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 균일한 플라즈마를 발생시켜 기판 처리 효율을 상승시키기 위한 플라즈마 처리 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma processing apparatus, and more particularly, to a plasma processing apparatus and a method for generating a uniform plasma to increase substrate processing efficiency.

반도체 및 디스플레이 산업이 발전함에 따라 웨이퍼, 유리 등의 기판 가공도 한정된 면적에 원하는 패턴을 극미세화하고 고집적화하는 방향으로 진행되고 있다.As the semiconductor and display industries develop, processing of substrates such as wafers and glass is also progressing toward minimizing and integrating desired patterns in a limited area.

일반적으로 반도체 소자는 웨이퍼 같은 반도체 기판의 표면에 절연막 또는 금속막 등을 형성시킨 후, 이 막에 반도체 소자의 특성에 따른 패턴을 형성시킴으로써 제조된다.Generally, a semiconductor device is manufactured by forming an insulating film or a metal film on the surface of a semiconductor substrate such as a wafer, and then forming a pattern according to the characteristics of the semiconductor device on the film.

플라즈마를 생성시키기 위한 전극 형태에 의해 플라즈마 처리 장치는 용량 결합 플라즈마(CCP)와 유도 결합 플라즈마(ICP)로 구분된다.The plasma processing apparatus is classified into a capacitively coupled plasma (CCP) and an inductively coupled plasma (ICP) by an electrode type for generating a plasma.

상기 CCP는 평행 평판형 전극에 고주파를 인가하여 전극 사이의 공간에 형성되는 자기장에 의해 고밀도 플라즈마를 발생시켜 기판을 처리하는 방식으로서, 전극 간에 균일한 전계를 형성시킬 수 있으나, 상기 고밀도 플라즈마를 생성시키기 위해서는 고전력이 전원이 필요하다. 반면, ICP는 나선형의 코일에 고주파를 인가하여 상기 코일에 흐르는 고주파 전류에 의해 유도적으로 생성되는 전기장에 의해 플라즈마를 발생시키는 방식으로서, 상기 CCP에 비해 저전력으로 고밀도 플라즈마를 생성시킬 수 있는 장점이 있다.The CCP is a method of processing a substrate by generating a high density plasma by a magnetic field formed in a space between the electrodes by applying a high frequency to the parallel plate type electrode, and can form a uniform electric field between the electrodes, but generates the high density plasma In order to do this, high power is needed. On the other hand, ICP is a method of generating a plasma by an electric field inductively generated by the high frequency current flowing through the coil by applying a high frequency to the spiral coil, and has the advantage of generating a high density plasma at a lower power than the CCP. have.

특히, 최근에는 MEMS(Micro Electro Mechanical System) 공정이 발달하면서 플라즈마 식각 공정의 비중이 갈수록 높아지고 있으며, 상기 MEMS은 3차원의 기구적인 미세 구조물을 형성하여 새로운 소자나 초소형 장치의 제작이 가능하기 때문에 미세패턴 식각에 주로 이용되며, 이를 위해 ICP가 사용되고 있다.In particular, as the MEMS (Micro Electro Mechanical System) process is recently developed, the specific gravity of the plasma etching process is increasing. The MEMS forms a three-dimensional mechanical microstructure, which enables the manufacture of new devices or micro devices. It is mainly used for pattern etching, and ICP is used for this.

또한, 대면적에 균일한 플라즈마 밀도를 얻기 위해서 다양한 형태의 안테나 가 사용되고 있으며, 자장을 이용하여 플라즈마의 밀도를 높이는 방법도 많이 사용되고 있다. In addition, various types of antennas are used to obtain a uniform plasma density in a large area, and a method of increasing the density of plasma using a magnetic field is also widely used.

즉, 상기와 같은 자계를 이용한 ICP에 대해서는 국내등록특허공보 제10-311234호에 개시되어 있다.That is, the ICP using the above magnetic field is disclosed in Korean Patent Publication No. 10-311234.

상기 국내등록특허공보 제10-311234호에서는 챔버 외부에 상기 챔버를 둘러싸도록 이중 코일 즉, 상부 코일 및 하부 코일이 형성되어 있으며, 상기 상부 및 하부 코일에는 각각 교류 및 직류가 인가된다. 또한, 상기 챔버 내에 형성된 플라즈마의 밀도를 변화시키기 위해 코일의 턴수나 코일 간의 거리를 변화시켜 챔버 내부에 형성되는 자장을 조절하도록 되어 있다.In Korean Patent Publication No. 10-311234, a double coil, that is, an upper coil and a lower coil, is formed outside the chamber to surround the chamber, and alternating current and direct current are applied to the upper and lower coils, respectively. In addition, in order to change the density of the plasma formed in the chamber, the number of turns of the coil or the distance between the coils is changed to adjust the magnetic field formed in the chamber.

하지만, 상술한 바와 같은 종래의 기술은 챔버 내부에 형성되는 자장을 조절하여 플라즈마의 밀도를 변화시킬 수 있지만, 상기 조립 장착된 코일의 턴수를 교체하기 위해서는 조립된 코일을 해체하여 재조립해야하며 이에 의해 교체하는 시간이 상당히 소요된다. 또한, 조립 장착된 이중 코일의 거리를 조절하기 위해서도 상기 코일을 재조립하거나, 상기 코일이 상하로 이동 가능한 구동부 및 구동부를 제어하는 제어부가 필요하다. 따라서, 이로 인해 교체 시간 및 추가적으로 들어가는 부품의 추가로 인해 플라즈마 처리 장치의 구조가 복잡해지고, 인력, 시간 및 비용 등이 상당히 소모되는 문제점을 야기시킨다.However, the conventional technique as described above may change the density of the plasma by adjusting the magnetic field formed in the chamber, but in order to replace the number of turns of the assembled coil, it is necessary to disassemble and reassemble the assembled coil. It takes quite a while to replace it. In addition, in order to adjust the distance of the assembled double coil, a control unit for reassembling the coil or controlling the driving unit and the driving unit to which the coil can move up and down is required. Therefore, this leads to a problem in that the structure of the plasma processing apparatus is complicated due to the replacement time and the addition of additional parts, and the manpower, time and cost are consumed considerably.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 본 발명의 플라즈마 처리 장치 및 방법은 자장을 발생시키는 이중 코일에 자장을 간단한 방법으로 제어하여 균일한 플라 즈마를 발생시켜 기판의 처리 효율을 높이기 위한 플라즈마 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.In order to solve the above problems, the plasma processing apparatus and method of the present invention control the magnetic field in a dual coil generating a magnetic field by a simple method to generate a uniform plasma to increase the processing efficiency of the substrate and the method To provide that purpose.

상술한 목적을 달성하기 위해 본 발명의 플라즈마 처리 장치는 소정 공간이 마련된 챔버; 상기 챔버 내의 하부의 중앙에 마련되고 기판이 안착되는 기판 지지대; 상기 챔버의 상부 외주면을 따라 형성되어 상기 챔버에 고주파 전력을 공급하여 상기 챔버내에 플라즈마를 생성하기 위한 안테나; 상기 안테나 하부의 상기 챔버 외주면을 둘러싸도록 상부 및 하부 코일이 상하로 이격되어 형성된 자계 발생부; 및 상기 챔버의 외부 양측에 상기 챔버의 기판 지지면과 교차하는 방향으로 상기 자계 발생부의 상부 및 하부 코일을 덮도록 형성되어 상기 자계 발생부에서 발생된 자기장을 조절하기 위한 자계 조절부를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the plasma processing apparatus of the present invention comprises a chamber having a predetermined space; A substrate support provided in the center of the lower part of the chamber and on which the substrate is mounted; An antenna formed along an upper outer circumferential surface of the chamber to supply high frequency power to the chamber to generate a plasma in the chamber; A magnetic field generating unit formed with upper and lower coils spaced up and down so as to surround the chamber outer circumferential surface of the lower antenna; And a magnetic field controller configured to cover the upper and lower coils of the magnetic field generator in the direction intersecting the substrate support surface of the chamber, on both outer sides of the chamber to adjust the magnetic field generated by the magnetic field generator. It is done.

상기 자계 발생부는 상기 챔버 외주면을 둘러싸도록 서로 이격되어 형성되어 상기 플라즈마 밀도를 증가시키는 상부 코일 및 하전 입자의 운동 방향을 조절하는 하부 코일을 포함하고, 상기 자계 조절부는 상기 자계 발생부의 상기 하부 코일 및 상부 코일을 둘러싸도록 상기 챔버의 일측 및 타측에 상기 기판 지지면과 교차하는 방향으로 설치된 일측 및 타측 코일을 포함하는 것을 특징으로 한다.The magnetic field generating unit is formed to be spaced apart from each other to surround the outer peripheral surface of the chamber includes an upper coil for increasing the plasma density and a lower coil for controlling the direction of movement of the charged particles, the magnetic field control unit the lower coil and It characterized in that it comprises one side and the other side coils installed in one direction and the other side of the chamber in the direction intersecting the substrate support surface to surround the upper coil.

상기 자계 조절부는 기판 지지면의 수평 방향으로 자기장을 형성시키는 것을 특징으로 한다.The magnetic field adjusting unit forms a magnetic field in a horizontal direction of the substrate support surface.

또한, 상술한 목적을 달성하기 위해 본 발명의 플라즈마 처리 방법은 소정 공간이 마련된 챔버와, 상기 챔버 내의 하부의 중앙에 마련되고 기판이 안착되는 기판 지지대와, 상기 챔버의 상부 외주면을 따라 형성된 안테나와, 상기 안테나 하부의 상기 챔버 외주면을 둘러싸도록 상부 및 하부 코일이 상하로 이격되어 형성된 자계 발생부와, 상기 챔버의 외부 양측에 상기 챔버의 기판 지지면과 교차하는 방향으로 상기 자계 발생부의 상부 및 하부 코일을 덮도록 형성된 자계 조절부를 포함하는 플라즈마 처리 장치를 이용한 플라즈마 처리 방법에 있어서, 상기 안테나에 상기 고주파 전력을 인가하여 상기 챔버내에 플라즈마를 발생시키는 단계; 상기 자계 발생부의 상기 상부 및 하부 코일에 전원을 인가하여 상기 기판 지지면과 수직하는 방향으로 자기장을 발생하는 단계; 및 상기 자계 조절부에 전원을 인가하여 상기 자기 발생부에 의해 발생된 상기 자기장을 제어하는 단계를 포함한다.In addition, in order to achieve the above object, the plasma processing method of the present invention comprises a chamber provided with a predetermined space, a substrate support provided in the center of the lower part of the chamber and the substrate is seated, and an antenna formed along the upper outer peripheral surface of the chamber; A magnetic field generating unit having upper and lower coils spaced up and down so as to surround the chamber outer circumferential surface of the lower part of the antenna, and upper and lower magnetic field generating units intersecting the substrate supporting surface of the chamber on both outer sides of the chamber; A plasma processing method using a plasma processing apparatus including a magnetic field control unit formed to cover a coil, the method comprising: generating a plasma in the chamber by applying the high frequency power to the antenna; Generating a magnetic field in a direction perpendicular to the substrate support surface by applying power to the upper and lower coils of the magnetic field generating unit; And controlling the magnetic field generated by the magnetic generator by applying power to the magnetic field controller.

상기 자계 조절부에는 교류 또는 직류가 인가되는 것을 특징으로 한다.The magnetic field adjusting unit is characterized in that the alternating current or direct current is applied.

상기 직류에 의해 형성되는 자기장을 기판의 내측 또는 기판의 외측을 향하도록 제어하는 것을 특징으로 한다.The magnetic field formed by the direct current is controlled so as to face the inside of the substrate or the outside of the substrate.

자계 발생부에 전원을 인가하여 기판면과 수직하는 방향으로 자기장이 발생 하는 단계는 챔버 내에 플라즈마를 발생시키는 단계 이후 또는 동시에 수행되는 것을 특징으로 한다.The generating of the magnetic field in a direction perpendicular to the substrate surface by applying power to the magnetic field generating unit may be performed after or simultaneously with generating the plasma in the chamber.

자계 조절부에 전원을 인가하여 상기 자기장을 제어하는 단계는 자계 발생부에 전원을 인가하여 기판면과 수직하는 방향으로 자기장이 발생하는 단계 이후 또는 동시에 수행되는 것을 특징으로 한다.The controlling of the magnetic field by applying power to the magnetic field adjusting unit may be performed after or simultaneously with generating the magnetic field in a direction perpendicular to the substrate surface by applying power to the magnetic field generating unit.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상의 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms, and only the embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention, and to those skilled in the art to fully understand the scope of the invention. It is provided to inform you. Like reference numerals in the drawings refer to like elements.

도 1은 본 발명에 따른 플라즈마 처리 장치를 나타낸 개략 단면도이고, 도 2는 본 발명에 따른 플라즈마 처리 장치를 이용한 플라즈마 처리 방법을 나타낸 순서도이고, 도 3은 본 발명에 따른 플라즈마 처리 장치를 이용한 플라즈마 처리 방법의 변형예를 나타낸 순서도이다.1 is a schematic cross-sectional view showing a plasma processing apparatus according to the present invention, FIG. 2 is a flowchart showing a plasma processing method using the plasma processing apparatus according to the present invention, and FIG. 3 is a plasma processing using the plasma processing apparatus according to the present invention. A flowchart showing a variation of the method.

도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 플라즈마 처리 장치는 챔버(100)와, 상기 챔버(100) 내의 상부에 마련된 가스 분사부(200)와, 상기 가스 분사부(200)와 대향하고 챔버(100) 내의 하부에 위치한 기판 지지대(300)와, 상기 챔버(100)의 외부에 마련되어 상기 챔버(100) 내에 고주파를 인가시키기 위한 안테나(400)와, 상기 챔버(100)의 측부에 마련되어 상기 챔버(100) 외부를 둘러싸도록 형성된 자계 발생 부(500)와, 상기 자계 발생부(500)의 상하부를 덮도록 형성되어 상기 자계 발생부(500)에서 발생된 자기장을 조절하는 자계 조절부(600)를 포함한다.Referring to FIG. 1, the plasma processing apparatus according to the present invention faces a chamber 100, a gas injector 200 provided in an upper portion of the chamber 100, and faces the gas injector 200. The substrate support 300 is located in the lower portion of the inside, the antenna 400 is provided outside the chamber 100 for applying a high frequency in the chamber 100, the chamber 100 is provided on the side of the chamber ( 100 is a magnetic field generating unit 500 formed to surround the outside, and the magnetic field control unit 600 is formed to cover the upper and lower portions of the magnetic field generating unit 500 to control the magnetic field generated by the magnetic field generating unit 500 Include.

상기 챔버(100)는 원통형 형상으로 형성되고, 내부에는 기판 처리 영역을 기밀하게 유지시키기 위한 소정 공간이 형성되어 있다. 이때, 상기 챔버(100)의 표면은 아노다이징(Anodizing) 처리된 알루미늄으로 형성하고, 상기 챔버(100)의 형상은 한정되지 않으며, 기판(G)의 형상과 대응하도록 형성될 수 있다.The chamber 100 is formed in a cylindrical shape, and a predetermined space is formed inside the chamber 100 to keep the substrate processing region hermetically. In this case, the surface of the chamber 100 is formed of anodized aluminum, the shape of the chamber 100 is not limited, it may be formed to correspond to the shape of the substrate (G).

상기 챔버(100)의 일측벽에는 기판(G)이 상기 챔버(100) 내로 인입 및 인출될 수 있도록 게이트(110)가 마련되고, 상기 게이트(110)는 처리되어질 기판(G)의 인입 또는 처리된 기판(G)이 인출되도록 개방 및 패쇄하는 역할을 한다. 이때, 상기 게이트(110)는 챔버(100)의 일측 외에도 타측에 형성될 수 있으며, 각각의 게이트는 기판(G)의 인입 또는 인출을 각각 담당할 수 있다.A gate 110 is provided at one side wall of the chamber 100 so that the substrate G can be drawn in and drawn out into the chamber 100, and the gate 110 is drawn out or processed of the substrate G to be processed. It serves to open and close the substrate G to be drawn out. In this case, the gate 110 may be formed at the other side in addition to one side of the chamber 100, and each gate may be in charge of drawing or withdrawing the substrate G, respectively.

또한, 상기 챔버(100)의 하부에는 배기부(120)가 마련되고, 상기 배기부(120)는 식각 시 발생되는 파티클 등의 반응 부산물과 가스들을 챔버(100) 외부로 배기하는 역할을 한다. 이때, 상기 배기구(120)는 챔버(100)의 하부는 물론 챔버(100)의 측벽 하부에 형성될 수 있다.In addition, an exhaust unit 120 is provided below the chamber 100, and the exhaust unit 120 serves to exhaust reaction by-products such as particles generated during etching and gases to the outside of the chamber 100. In this case, the exhaust port 120 may be formed at the lower side of the chamber 100 as well as the lower portion of the chamber 100.

상기 가스 분사부(200)는 상기 챔버(100) 내의 상부에 마련되고, 상기 가스 분사부(200)에는 가스 공급원(210)이 연결된다. 상기 가스 분사부(200)의 내부에는 반응 가스가 유입될 수 있도록 소정 공간(202)이 마련되고, 상기 소정 공간(202)과 연결되어 상기 가스 분사부(200)의 상부에 가스 공급원(210)이 연결된다. 또한, 상기 가스 분사부(200)의 하부에는 상기 가스 분사부(200)의 내측에 형성된 소정 공 간(202)과 연결되는 분사홀(202)이 형성된다. 따라서, 반응 가스는 상기 가스 공급원(210)으로부터 가스 분사부(200)의 내측에 형성된 소정 공간(202)에 인입되고, 상기 소정 공간(202)에 인입된 반응 가스는 상기 가스 분사부(200)의 하부에 형성된 분사홀(204)을 통해 챔버(100) 내부에 분사된다. 이때, 상기 반응 가스로는 플로로카본 가스나 하이드로플로로카본 가스와 같은 할로겐 원소를 함유하는 가스가 적절히 사용될 수 있으며, 그 밖에도 Ar, He, C4F6, N2 가스가 사용될 수 있다. 또한, 상기의 반응 가스들은 각각 가스 분사부(200)에 유입될 수 있으며, 상기 가스들이 혼합되어 상기 가스 분사부(200)에 유입될 수도 있다.The gas injector 200 is provided at an upper portion of the chamber 100, and a gas supply source 210 is connected to the gas injector 200. A predetermined space 202 is provided inside the gas injector 200 to allow a reaction gas to flow therein, and is connected to the predetermined space 202 to supply a gas supply 210 to an upper portion of the gas injector 200. Is connected. In addition, an injection hole 202 is formed at a lower portion of the gas injection unit 200 to be connected to a predetermined space 202 formed inside the gas injection unit 200. Therefore, the reaction gas is introduced into the predetermined space 202 formed inside the gas injection unit 200 from the gas supply source 210, and the reaction gas introduced into the predetermined space 202 is the gas injection unit 200. It is injected into the chamber 100 through the injection hole 204 formed in the lower portion of the. In this case, as the reaction gas, a gas containing a halogen element such as a fluorocarbon gas or a hydrofluorocarbon gas may be appropriately used, and in addition, Ar, He, C 4 F 6 , and N 2 gas may be used. In addition, the reaction gases may be introduced into the gas injection unit 200, respectively, and the gases may be mixed and introduced into the gas injection unit 200.

상기에서는 가스 공급원(210)이 상기 가스 분사부(200)의 상부에 연결된 것으로 도시하였으나, 이에 한정되지 않고, 상기 가스 분사부(200)의 측면에 연결될 수 있다. 또한, 상기 가스 분사부(200)는 챔버(100) 내의 상부 외에도 챔버(100)의 측벽에 형성될 수 있다.Although the gas supply source 210 is illustrated as being connected to the upper portion of the gas injector 200, the present invention is not limited thereto, and may be connected to the side of the gas injector 200. In addition, the gas injector 200 may be formed on the sidewall of the chamber 100 in addition to the upper portion of the chamber 100.

상기 기판 지지대(300)는 상기 챔버(100) 내의 하부의 중앙에 마련되고, 처리 되어질 기판(G)을 안착시키는 역할을 한다. 이때, 상기 기판 지지대(300)의 형상은 기판(G)과 대응되는 형상으로 형성하는 것이 바람직하다. 상기 기판 지지대(300)의 하부에는 정합기(310) 및 하부 고주파 전원(320)이 연결되며, 이는 상기 하부 고주파 전원(320)에서 발생된 전압에 의해 챔버(100) 내부에 생성된 플라즈마의 양이온을 기판(G) 쪽으로 하강시키는 역할을 한다. 또한, 상기 기판 지지대(300)에는 과열된 플라즈마에 의해 상기 기판 지지대(300)의 상부에 안착된 기 판(G)의 파손을 방지하기 위한 냉각 라인(미도시), 기판 지지대의 높낮이를 조절하기 위한 승강 부재(330)가 더 설치될 수 있다.The substrate support 300 is provided at the center of the lower part of the chamber 100 and serves to seat the substrate G to be processed. In this case, the shape of the substrate support 300 is preferably formed in a shape corresponding to the substrate (G). A matching unit 310 and a lower high frequency power source 320 are connected to a lower portion of the substrate support 300, which is a positive ion of plasma generated inside the chamber 100 by a voltage generated by the lower high frequency power source 320. Serves to lower toward the substrate (G). In addition, the substrate support 300, the cooling line (not shown) to prevent the damage of the substrate (G) seated on the upper portion of the substrate support 300 by the superheated plasma, to adjust the height of the substrate support Lifting member 330 may be further installed.

상기 안테나(400)는 상기 챔버(100)의 상부 외주면을 따라 다수개가 형성되어 있으며, 상기 안테나(400)에는 정합기(410) 및 상부 고주파 전원(420)이 연결되어 있다. 즉, 상기 상부 고주파 전원(420)에서 발생된 고주파는 상기 안테나(400)에 의해 상기 챔버(100) 내에 인가되고, 상기 챔버(100) 내로 인입된 반응 가스를 플라즈마화시키는 역할을 한다. 이때, 상기 안테나(400)로 둘러싸인 챔버(100)의 외벽은 고주파를 투과시키는 재질로 형성함이 바람직하고, 상기 재질로는 유전체인 세라믹, 석영 등이 바람직하다. 또한, 상기 안테나(400)의 외측으로 실드 케이스(미도시)가 더 구비될 수 있으며, 상기 실드 케이스는 안테나(400)에서 발생되는 고주파가 누설되지 않도록 하는 역할을 한다. 이때, 상기 실드 케이스로는 알루미늄 등의 고주파 차폐체로 형성됨이 바람직하다. 또한, 상기 안테나(400)는 챔버(100)의 상부면에 형성될 수도 있다.A plurality of antennas 400 are formed along the upper outer circumferential surface of the chamber 100, and a matcher 410 and an upper high frequency power source 420 are connected to the antenna 400. That is, the high frequency generated by the upper high frequency power source 420 is applied to the chamber 100 by the antenna 400, and serves to plasmaate the reaction gas introduced into the chamber 100. In this case, the outer wall of the chamber 100 surrounded by the antenna 400 is preferably formed of a material transmitting high frequency, and the material is preferably ceramic, quartz, or the like. In addition, a shield case (not shown) may be further provided to the outside of the antenna 400, and the shield case serves to prevent high frequency generated from the antenna 400 from leaking. In this case, the shield case is preferably formed of a high frequency shield such as aluminum. In addition, the antenna 400 may be formed on the upper surface of the chamber 100.

상기 자계 발생부(500)는 안테나(400)의 하부에 마련되고, 구체적으로는 상기 챔버(100)의 외부 좌우를 둘러싸도록 상부 및 하부 코일(510, 520)이 상하로 이격되어 설치된다. 여기서, 상부 코일(510)은 안테나(400)로부터 생성되는 플라즈마의 밀도를 증가시키는 역할을 하고, 하부 코일(520)은 하전 입자의 운동방향을 조절하여 기판(G)의 손상을 감소시킨다.The magnetic field generating unit 500 is provided below the antenna 400, and specifically, the upper and lower coils 510 and 520 are spaced up and down so as to surround the outside left and right of the chamber 100. Here, the upper coil 510 serves to increase the density of the plasma generated from the antenna 400, and the lower coil 520 adjusts the movement direction of the charged particles to reduce the damage of the substrate G.

또한, 상기 상부 및 하부 코일(510, 520)에는 챔버(100) 내에 약한 자기장을 형성하기 위한 자계 발생 전원(530, 540)이 각각 연결되어 있으며, 상기 자계 발생 전원(530, 540)은 상기 상부 및 하부 코일(510, 520)의 각각에 교류 및 직류 전원을 인가할 수 있다. In addition, magnetic field generating power sources 530 and 540 are connected to the upper and lower coils 510 and 520 to form a weak magnetic field in the chamber 100, respectively. AC and DC power may be applied to each of the lower coils 510 and 520.

상기 자계 발생부(500)로부터 발생된 자기장은 기판 지지면의 수직 방향으로 형성된다. 즉, 상부 코일(510)에 형성되는 교번 자장에 의해 플라즈마 내에 존재하는 하전 입자의 충돌 횟수가 증가하여 플라즈마의 밀도를 증가시키고, 하부 코일(520)에 의해 형성되는 자기장에 의한 반발력으로 기판(G)의 손실을 줄일 수 있다. 상기에서는 챔버(100) 외부에 2개의 코일 즉, 상부 및 하부 코일(510, 520)을 형성하였지만, 그 수는 한정되지 않고, 다수개로 형성할 수 있다.The magnetic field generated from the magnetic field generator 500 is formed in the vertical direction of the substrate support surface. That is, the number of collisions of charged particles present in the plasma is increased by the alternating magnetic field formed in the upper coil 510 to increase the density of the plasma, and the substrate G by the repulsive force by the magnetic field formed by the lower coil 520. ) Can be reduced. In the above, two coils, namely, upper and lower coils 510 and 520, are formed outside the chamber 100, but the number is not limited, and a plurality of coils may be formed.

상기 자계 조절부(600)는 챔버(100)의 외부 양측에 챔버(100) 내의 기판 지지면과 교차하는 방향으로 설치된다. 즉, 자계 조절부(600)는 좌측 코일(610) 및 우측 코일(620)로 대향 형성되고, 구체적으로는 기판 지지면과 수직하는 방향으로 형성되어 있으며, 상기 자계 조절부(600)에는 자계 조절용 전원(630, 640)이 각각 연결되어 있다.The magnetic field regulating unit 600 is installed on both outer sides of the chamber 100 in a direction intersecting the substrate support surface in the chamber 100. That is, the magnetic field adjusting unit 600 is formed to face the left coil 610 and the right coil 620, specifically, in a direction perpendicular to the substrate support surface, the magnetic field adjusting unit 600 for the magnetic field adjustment Power sources 630 and 640 are connected, respectively.

상기 자계 조절부(600)로부터 형성된 자기장은 기판 지지면의 수평 방향으로 형성되고, 구체적으로 상기 자계 조절부(600)는 자계 발생부(500)에 의해 챔버(100) 내부에 형성되는 자기장의 운동 방향과 직각 방향에 힘을 전달하고, 상기 하전 입자의 운동 방향에 영향을 주므로 상기 자계 조절부(600)에 인가되는 전원을 조절하여 플라즈마를 제어할 수 있다. 이는 종래 자계 발생부(500)의 코일의 반경과 두 코일간의 거리를 변경시켜 주는 것에 비해 간단한 방법으로 플라즈마를 제어할 수 있다. 상기에서는 상기 자계 조절부(600)를 자계 발생부(500)의 양측에 하나 씩 형성하였지만, 이에 한정되지 않고 다수개가 형성될 수 있다. The magnetic field formed from the magnetic field adjusting unit 600 is formed in the horizontal direction of the substrate support surface, and specifically, the magnetic field adjusting unit 600 is a motion of the magnetic field formed inside the chamber 100 by the magnetic field generating unit 500. Since the force is transmitted in a direction perpendicular to the direction and affects the direction of movement of the charged particles, the plasma may be controlled by adjusting the power applied to the magnetic field controller 600. This can control the plasma in a simple manner as compared to changing the radius of the coil of the magnetic field generator 500 and the distance between the two coils. In the above, the magnetic field adjusting unit 600 is formed one by one on both sides of the magnetic field generating unit 500, but the present invention is not limited thereto.

이하에서는 도 1에 도시된 플라즈마 처리 장치를 이용한 플라즈마 처리 방법을 도 2를 참조하여 설명한다.Hereinafter, a plasma processing method using the plasma processing apparatus shown in FIG. 1 will be described with reference to FIG. 2.

도 2를 참조하면, 상기 플라즈마 처리 방법은 챔버(100) 내에 플라즈마를 발생시키는 단계(S10)와, 자계 발생부에 전원을 공급하는 단계(S11)와, 자계 조절부에 교류를 인가하는 단계(S12)와, 기판을 처리하는 단계(S13)를 포함한다.Referring to FIG. 2, the plasma processing method includes generating plasma in the chamber 100 (S10), supplying power to the magnetic field generating unit (S11), and applying alternating current to the magnetic field adjusting unit ( S12) and processing the substrate (S13).

플라즈마 처리 되어질 기판(G)이 챔버(100) 내로 인입되어 기판 지지대(300)에 안착되면, 상기 챔버(100) 내의 상부에 마련된 가스 분사부(200)는 상기 가스 분사부(200)에 연결된 가스 공급부(210)로부터 반응 가스를 공급받아, 상기 공급된 반응 가스를 상기 가스 분사부(200)의 하부에 형성된 분사홀(204)을 통해 챔버(100) 내부로 분사한다. 이때, 상기 챔버(100) 외부에 마련된 상부 고주파 전원(420)으로부터 고주파 전력이 챔버(100)의 외주면 상부를 둘러싸고 있는 안테나(400)로 인가되고, 상기 안테나(400)에 인가된 고주파는 챔버(100) 내부에 인입된 반응 가스를 플라즈마화시켜, 플라즈마를 발생시키는 단계(S10)를 수행한다.When the substrate G to be plasma treated is introduced into the chamber 100 and seated on the substrate support 300, the gas injector 200 provided in the upper portion of the chamber 100 is a gas connected to the gas injector 200. The reaction gas is supplied from the supply unit 210 to inject the supplied reaction gas into the chamber 100 through the injection hole 204 formed under the gas injection unit 200. At this time, the high frequency power is applied from the upper high frequency power source 420 provided outside the chamber 100 to the antenna 400 surrounding the outer circumferential surface of the chamber 100, and the high frequency applied to the antenna 400 is a chamber ( The reaction gas introduced into the plasma is converted into plasma to generate a plasma (S10).

상기 과정에 이어서 혹은 이와 동시에, 상기 자계 발생부(500)에 연결된 자계 발생용 전원(530, 540)에 의해 상부 코일(510)에는 교류를 인가시키고, 하부 코일(520)에는 직류를 공급(AC & DC)하여 자계 발생부에 전원을 인가하는 단계(S11)를 수행한다. 즉, 상기 자계 발생부(500)에 의해 챔버(100) 내에 축 방향으로 즉, 기판 지지면에 수직하는 방향으로 약한 자기장을 생성하고, 상기 자기장은 챔버(100) 내에 발생되는 플라즈마 내부의 하전 입자의 운동에 영향을 미쳐 플라즈마 의 균일도를 증가시키고, 기판(G)의 손상을 감소시킬 수 있다. 이때, 상기에서는 상부 코일(510)에 교류를 인가하고, 하부 코일(520)에 직류를 인가(AC & DC)하였지만, 상기 상부 코일(510) 및 하부 코일(520)에 각각 교류(AC & AC)를 인가할 수 있음은 물론이고, 상기 상부 코일(510) 및 하부 코일(520)에 인가된 교류(AC & AC)는 서로 위상차가 다르도록 인가함이 바람직하다.Following or simultaneously with the above process, an alternating current is applied to the upper coil 510 by the magnetic field generating power sources 530 and 540 connected to the magnetic field generating unit 500, and a direct current is supplied to the lower coil 520. & DC) to apply power to the magnetic field generating unit (S11). That is, the magnetic field generating unit 500 generates a weak magnetic field in the chamber 100 in the axial direction, that is, the direction perpendicular to the substrate support surface, and the magnetic field is charged particles in the plasma generated in the chamber 100. It can affect the movement of the to increase the uniformity of the plasma, it can reduce the damage of the substrate (G). In this case, AC is applied to the upper coil 510 and DC is applied to the lower coil 520, but AC (AC & AC) is applied to the upper coil 510 and the lower coil 520, respectively. Of course, it is preferable that AC and AC applied to the upper coil 510 and the lower coil 520 are applied so that the phase difference is different from each other.

이어서 혹은 이와 동시에, 자계 조절부(600)에 연결된 자계 조절용 전원(630, 640)에 의해 자계 조절부(600)에 교류를 인가하는 단계(S12)를 수행한다. 이때, 상기 자계 조절부(600)에는 당업자에 의해 다양한 범위의 주파수를 갖는 교류 전원을 인가할 수 있다. 즉, 상기 자계 조절부(600)의 좌측 코일(610) 및 우측 코일(620)에 교류를 인가하여 자계 발생부(500)에 의해 기판 지지면의 수직 방향으로 형성되는 하전 입자의 운동 방향에 기판 지지면과 수평 방향인 힘을 추가적으로 전달하여 충돌 횟수를 증가시킴으로써, 플라즈마의 밀도 및 균일도를 증가시킬 수 있는 효과가 있다. 이때, 상기 좌측 코일(610) 및 우측 코일(620)에는 서로 다른 위상차를 가지는 교류 주파수를 인가할 수 있음은 물론이다. 또한, 상기 자계 조절부(600)를 다수개로 형성할 경우, 자계 발생부(500)에 의해 발생된 자기장을 더욱 미세하게 제어함으로써, 플라즈마의 균일도를 높일 수 있는 효과가 있다.Subsequently or at the same time, the step S12 of applying alternating current to the magnetic field regulating unit 600 by the magnetic field regulating power sources 630 and 640 connected to the magnetic field regulating unit 600 is performed. In this case, the magnetic field controller 600 may be applied by the person skilled in the art AC power having a wide range of frequencies. That is, the alternating current is applied to the left coil 610 and the right coil 620 of the magnetic field adjusting unit 600 so that the substrate is moved in the direction of movement of the charged particles formed in the vertical direction of the substrate support surface by the magnetic field generating unit 500. By increasing the number of collisions by additionally transmitting a force horizontal to the support surface, there is an effect that can increase the density and uniformity of the plasma. In this case, an AC frequency having a different phase difference may be applied to the left coil 610 and the right coil 620. In addition, when the magnetic field controller 600 is formed in plural, the magnetic field generated by the magnetic field generator 500 may be more finely controlled to increase the uniformity of the plasma.

상기와 같이 제어되어 상기 챔버(100) 내에 형성된 플라즈마는 기판(G)을 처리하게 된다. 즉, 기판 지지대(300)에 연결된 하부 고주파 전원(바이어스 전원, 320)에 의해 기판 지지대(300)에 고주파가 인가되고, 이에 의해 챔버(100) 내에 발생된 플라즈마는 기판(G) 방향으로 더욱 가속되어 기판을 처리하고, 소정 시간 경 과 후 기판을 처리하는 단계(S13)를 마치게 된다.As described above, the plasma formed in the chamber 100 is processed to process the substrate G. That is, high frequency is applied to the substrate support 300 by the lower high frequency power source (bias power source 320) connected to the substrate support 300, whereby the plasma generated in the chamber 100 is further accelerated toward the substrate G direction. The substrate is processed, and the process of processing the substrate after the predetermined time elapses (S13).

또한, 기판을 처리하기 위한 플라즈마 처리 방법은 도 3에 도시된 바와 같이 수행될 수 있다. In addition, a plasma processing method for processing a substrate may be performed as shown in FIG. 3.

도 3을 참조하면, 상기 플라즈마 처리 방법은 챔버(100) 내에 플라즈마를 발생시키는 단계(S20)와, 자계 발생부에 전원을 공급하는 단계(S21)와, 자계 조절부에 직류를 인가하는 단계(S22)와, 기판을 처리하는 단계(S23)를 포함한다. 이하, 상기 설명된 실시예와 중복된 설명은 생략한다.Referring to FIG. 3, the plasma processing method includes generating plasma in the chamber 100 (S20), supplying power to the magnetic field generating unit (S21), and applying direct current to the magnetic field adjusting unit ( S22) and processing the substrate (S23). Hereinafter, descriptions duplicated with the above-described embodiment will be omitted.

우선, 상기 챔버(100) 내에 인입된 반응 가스를 안테나(400)에 의해 형성된 자기장에 의해 플라즈마를 형성시켜 플라즈마를 발생시키는 단계(S20)를 마치면, 그후 또는 동시에 자계 발생부(500)의 상부 코일(510) 및 하부 코일(520)에 각각 AC & DC, DC & AC 또는 위상차가 서로 다른 AC & AC를 공급하는 단계(S21)를 수행한다.First, after the step (S20) of generating a plasma by forming a plasma by the magnetic field formed by the antenna 400 in the reaction gas introduced into the chamber 100, after or at the same time the upper coil of the magnetic field generator 500 In step S21, AC & DC, DC & AC, or AC & AC having different phase differences are supplied to the 510 and the lower coil 520, respectively.

상기와 같이 플라즈마를 발생시키는 단계(S20) 및 자계 발생부에 전원을 공급하는 단계(S21)를 마친 후 또는 동시에, 자계 조절부(600) 즉, 좌측 코일(610) 및 우측 코일(620)에 연결된 자계 조절용 전원(630, 640)에 의해 직류를 인가하여 자계 발생부(500)에 의해 기판 지지면의 수직 방향으로 형성된 하전 입자의 운동 방향을 기판 지지면의 수평 방향으로 제어할 수 있다.After the step of generating the plasma (S20) and the step of supplying power to the magnetic field generating unit (S21) as described above or at the same time, to the magnetic field control unit 600, that is, the left coil 610 and the right coil 620 Direct current may be applied by the connected magnetic field control power supplies 630 and 640 to control the movement direction of the charged particles formed in the vertical direction of the substrate support surface by the magnetic field generator 500 in the horizontal direction of the substrate support surface.

이때, 상기 좌측 코일(610) 및 우측 코일(620)에 의한 자기장의 방향을 기판의 외측 또는 내측으로 향하도록 형성하여 기판(G)의 손상 방지 및 기판 처리 효율을 높일 수 있다. 즉, 자기장의 방향이 기판(G)의 외측을 향하도록 상기 좌측 코 일(610) 및 우측 코일(620)에 직류를 가함으로써, 기판(G)을 향해 입사되는 하전 입자의 수와 운동 에너지를 감소시켜 기판(G)의 손상을 방지할 수 있다. 또한, 상기 자기장의 방향이 기판(G)의 내측을 향하도록 상기 좌측 코일(610) 및 우측 코일(620)에 직류를 가함으로써, 상기 챔버(100) 내의 하전 입자의 운동 방향이 기판(G)의 내측을 향하게 하여 기판(G)의 처리 효율을 높일 수 있다. 이때, 상기 자계 조절부(600) 즉, 좌측 코일(610) 및 우측 코일(620)에 인가되는 전류의 양을 조절하면, 자장의 강도와 이에 따른 하전 입자의 운동을 제어할 수 있고, 이에 의해 기판(G)에 입사되는 하전 입자 및 기판 주위의 플라즈마의 밀도 및 균일도 등을 조절할 수 있다. 상기에서는 좌측 코일(610) 및 우측 코일(620)에 형성되는 자기장의 방향이 기판(G)의 외측 및 내측을 향하도록 하였지만, 좌측 코일(610) 및 우측 코일(620)에 의해 형성되는 자기장의 방향을 각각 기판(G)의 외측 및 기판(G)의 내측을 향하도록 직류를 인가하여, 챔버(100) 내부의 미소 공간에 플라즈마 밀도를 높이거나 낮춤으로써, 당업자가 원하는 공정을 진행할 수 있다.In this case, the magnetic fields formed by the left coil 610 and the right coil 620 may be formed to face the outside or the inside of the substrate, thereby preventing damage to the substrate G and increasing substrate processing efficiency. That is, by applying a direct current to the left coil 610 and the right coil 620 so that the direction of the magnetic field toward the outside of the substrate (G), the number and kinetic energy of the charged particles incident toward the substrate (G) It can be reduced to prevent damage to the substrate (G). In addition, by applying a direct current to the left coil 610 and the right coil 620 so that the direction of the magnetic field toward the inside of the substrate (G), the movement direction of the charged particles in the chamber 100 is the substrate (G) The treatment efficiency of the substrate G can be increased by facing toward the inside of the substrate. At this time, by adjusting the amount of current applied to the magnetic field controller 600, that is, the left coil 610 and the right coil 620, it is possible to control the intensity of the magnetic field and the motion of the charged particles accordingly, thereby The density and uniformity of the charged particles incident on the substrate G and the plasma around the substrate may be adjusted. In the above, the directions of the magnetic fields formed on the left coil 610 and the right coil 620 are directed toward the outside and the inside of the substrate G, but the magnetic fields formed by the left coil 610 and the right coil 620 By applying a direct current so that the direction toward the outside of the substrate (G) and the inside of the substrate (G), respectively, by increasing or decreasing the plasma density in the micro-space inside the chamber 100, a person skilled in the art can proceed to the desired process.

상기와 같이 제어되어 상기 챔버(100) 내에 형성된 플라즈마는 기판(G)을 처리하게 된다. 즉, 기판 지지대(300)에 연결된 하부 고주파 전원(320)에 의해 기판 지지대(300)에 고주파가 인가되고, 이에 의해 챔버(100) 내에 발생된 플라즈마는 기판(G) 방향으로 가속되어 기판(G)을 처리하고, 소정 시간 경과 후 기판을 처리하는 단계(S23)를 마치게 된다.As described above, the plasma formed in the chamber 100 is processed to process the substrate G. That is, high frequency is applied to the substrate support 300 by the lower high frequency power source 320 connected to the substrate support 300, whereby the plasma generated in the chamber 100 is accelerated toward the substrate G and thus the substrate G is applied. ), And the step (S23) of processing the substrate after the predetermined time elapses.

이상에서는 도면 및 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상으로부터 벗어 나지 않는 범위 내에서 본 발명은 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described above with reference to the drawings and embodiments, those skilled in the art can be variously modified and changed within the scope without departing from the spirit of the invention described in the claims below You will understand.

상술한 바와 같이, 본 발명의 플라즈마 처리 장치 및 방법은 챔버 내의 자기장을 제어할 수 있는 자계 조절부를 더 마련함으로써, 플라즈마의 밀도를 조절하고 균일한 플라즈마를 발생시킬 수 있는 효과가 있다.As described above, the plasma processing apparatus and method of the present invention further provide a magnetic field controller that can control the magnetic field in the chamber, thereby controlling the density of the plasma and generating a uniform plasma.

또한, 본 발명은 자계 조절부를 더 마련함으로써, 추가적인 부품 및 구조의 변경없이 자계를 조절하여 플라즈마의 밀도 및 균일도를 조절할 수 있는 효과가 있다.In addition, the present invention further provides a magnetic field controller, thereby controlling the density and uniformity of the plasma by adjusting the magnetic field without changing additional parts and structures.

또한, 본 발명은 자계 조절부에 의해 플라즈마를 제어함으로써, 기판의 손상을 줄일 수 있는 효과가 있다.In addition, the present invention has the effect of reducing damage to the substrate by controlling the plasma by the magnetic field controller.

또한, 본 발명은 자계 조절부에 의해 플라즈마를 제어함으로써, 플라즈마 처리 효율 예를 들어, 식각 효율을 높일 수 있는 효과가 있다.In addition, the present invention has an effect of increasing the plasma processing efficiency, for example, the etching efficiency by controlling the plasma by the magnetic field controller.

Claims (9)

소정 공간이 마련된 챔버;A chamber provided with a predetermined space; 상기 챔버 내의 하부의 중앙에 마련되고 기판이 안착되는 기판 지지대;A substrate support provided in the center of the lower part of the chamber and on which the substrate is mounted; 상기 챔버의 상부 외주면을 따라 형성되어 상기 챔버에 고주파 전력을 공급하여 상기 챔버내에 플라즈마를 생성하기 위한 안테나;An antenna formed along an upper outer circumferential surface of the chamber to supply high frequency power to the chamber to generate a plasma in the chamber; 상기 안테나 하부의 상기 챔버 외주면을 둘러싸도록 상부 및 하부 코일이 상하로 이격되어 형성된 자계 발생부; 및A magnetic field generating unit formed with upper and lower coils spaced up and down so as to surround the chamber outer circumferential surface of the lower antenna; And 상기 챔버의 외부 양측에 상기 챔버의 기판 지지면과 교차하는 방향으로 상기 자계 발생부의 상부 및 하부 코일을 덮도록 형성되어 상기 자계 발생부에서 발생된 자기장을 조절하기 위한 자계 조절부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.And a magnetic field controller configured to cover the upper and lower coils of the magnetic field generator in a direction intersecting the substrate support surface of the chamber, on both outer sides of the chamber to adjust the magnetic field generated by the magnetic field generator. Plasma processing apparatus. 청구항 1에 있어서, 상기 자계 발생부는 상기 챔버 외주면을 둘러싸도록 서로 이격되어 형성되어 상기 플라즈마 밀도를 증가시키는 상부 코일 및 하전 입자의 운동 방향을 조절하는 하부 코일을 포함하고,The magnetic field generating unit of claim 1, wherein the magnetic field generating unit is spaced apart from each other so as to surround the outer circumferential surface of the chamber, and an upper coil for increasing the plasma density and a lower coil for controlling a movement direction of charged particles. 상기 자계 조절부는 상기 자계 발생부의 상기 하부 코일 및 상부 코일을 둘러싸도록 상기 챔버의 일측 및 타측에 상기 기판 지지면과 교차하는 방향으로 설치된 일측 및 타측 코일을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.The magnetic field controller includes one side and the other side coils installed in one direction and the other side of the chamber to cross the substrate support surface to surround the lower coil and the upper coil of the magnetic field generating unit. 청구항 2에 있어서, 상기 자계 조절부는 기판 지지면의 수평 방향으로 자기장을 형성시키는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.The plasma processing apparatus of claim 2, wherein the magnetic field controller forms a magnetic field in a horizontal direction of the substrate support surface. 소정 공간이 마련된 챔버와, 상기 챔버 내의 하부의 중앙에 마련되고 기판이 안착되는 기판 지지대와, 상기 챔버의 상부 외주면을 따라 형성된 안테나와, 상기 안테나 하부의 상기 챔버 외주면을 둘러싸도록 상부 및 하부 코일이 상하로 이격되어 형성된 자계 발생부와, 상기 챔버의 외부 양측에 상기 챔버의 기판 지지면과 교차하는 방향으로 상기 자계 발생부의 상부 및 하부 코일을 둘러싸도록 형성된 자계 조절부를 포함하는 플라즈마 처리 장치를 이용한 플라즈마 처리 방법에 있어서,A chamber provided with a predetermined space, a substrate support provided in the center of the lower part of the chamber, on which the substrate is seated, an antenna formed along the upper outer peripheral surface of the chamber, and upper and lower coils surrounding the chamber outer peripheral surface of the lower antenna; Plasma using a plasma processing apparatus including a magnetic field generating unit formed spaced apart up and down, and a magnetic field control unit formed to surround the upper and lower coils of the magnetic field generating unit in a direction crossing the substrate support surface of the chamber on both sides of the outside of the chamber; In the processing method, 상기 안테나에 상기 고주파 전력을 인가하여 상기 챔버내에 플라즈마를 발생시키는 단계;Applying the high frequency power to the antenna to generate a plasma in the chamber; 상기 자계 발생부의 상기 상부 및 하부 코일에 전원을 인가하여 상기 기판 지지면과 수직하는 방향으로 자기장을 발생하는 단계; 및Generating a magnetic field in a direction perpendicular to the substrate support surface by applying power to the upper and lower coils of the magnetic field generating unit; And 상기 자계 조절부에 전원을 인가하여 상기 자기 발생부에 의해 발생된 상기 자기장을 제어하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 방법.And controlling the magnetic field generated by the magnetic generator by applying power to the magnetic field controller. 청구항 4에 있어서, 상기 자계 조절부에는 교류가 인가되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 방법.The plasma processing method of claim 4, wherein alternating current is applied to the magnetic field controller. 청구항 4에 있어서, 상기 자계 조절부에는 직류가 인가되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 방법.The plasma processing method of claim 4, wherein a direct current is applied to the magnetic field controller. 청구항 6에 있어서, 상기 직류에 의해 형성되는 자기장을 기판의 내측 또는 기판의 외측을 향하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 방법.The plasma processing method according to claim 6, wherein the magnetic field formed by the direct current is controlled to face the inside of the substrate or the outside of the substrate. 청구항 4에 있어서, 상기 자계 발생부에 전원을 인가하여 상기 기판 지지면과 수직하는 방향으로 자기장이 발생하는 단계는 챔버 내에 플라즈마를 발생시키는 단계 이후 또는 동시에 수행되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 방법.The plasma processing method of claim 4, wherein the generating of the magnetic field in a direction perpendicular to the substrate support surface by applying power to the magnetic field generating unit is performed after or simultaneously with generating plasma in the chamber. 청구항 4에 있어서, 상기 자계 조절부에 전원을 인가하여 상기 자기장을 제어하는 단계는 상기 자계 발생부에 전원을 인가하여 상기 지판 지지면과 수직하는 방향으로 자기장이 발생하는 단계 이후 또는 동시에 수행되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 방법.5. The method of claim 4, wherein the controlling of the magnetic field by applying power to the magnetic field controller is performed after or simultaneously with generating the magnetic field in a direction perpendicular to the fingerboard support surface by applying power to the magnetic field generator. A plasma processing method characterized by the above-mentioned.
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