KR100843856B1 - Method for manufacturing minute patten - Google Patents

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Abstract

A fine pattern forming method is provided to normally form the fine pattern of a net die adjacent to the boundary of a non-exposure region of a wafer edge when forming the net die on the wafer. A photosensitive layer is formed on a semiconductor substrate including a first region and a second region. A fine pattern is normally formed in the first region of a net die region. A first exposure process using a reticle or a mask having image information is performed in the first and second regions with first exposure energy. A second exposure process using the reticle or the mask having the opened second region is performed with second exposure energy lower than the first exposure energy.

Description

미세 패턴 형성 방법{Method for manufacturing minute patten}Method for forming fine pattern {Method for manufacturing minute patten}

도 1a 및 도 1b는 80nm 기술이 적용된 반도체 포토 공정에서 셀 영역에 형성된 미세 패턴을 나타낸 사진도이다.1A and 1B are photographic diagrams showing fine patterns formed in a cell region in a semiconductor photo process to which an 80 nm technology is applied.

도 1b는 80nm 기술이 적용된 반도체 포토 공정에서 비노광 영역에 독립적으로 형성된 테스트 패턴을 나타낸 사진도이다.FIG. 1B is a photograph showing a test pattern formed independently in an unexposed region in a semiconductor photo process to which an 80 nm technology is applied.

도 2는 플레어 효과(Flare Effect)에 의한 정상 영역(normal field)과 격리 영역(isolated field)의 패턴 차이를 나타낸 도면이다. FIG. 2 is a diagram illustrating a pattern difference between a normal field and an isolated field due to a flare effect.

도 3은 플레어 효과의 발생 원인을 나타낸 개념도이다. 3 is a conceptual diagram illustrating a cause of occurrence of a flare effect.

도 4는 오픈(open) 영역의 크기에 따른 셀 패턴의 모양을 나타낸 사진도이다.4 is a photograph showing the shape of a cell pattern according to the size of an open area.

도 5는 로컬 플레어 효과(Local Flare Effect)의 발생 원인을 나타낸 개념도이다.5 is a conceptual diagram illustrating a cause of occurrence of a local flare effect.

도 6은 오픈(open) 영역이 많은 셀 영역과 비노광 영역에 배치된 감광제에 조사되는 빛 에너지의 크기 차이를 나타내는 그래프이다. FIG. 6 is a graph showing a difference in size of light energy irradiated to a photosensitive agent disposed in a cell region having many open regions and a non-exposed region.

도 7은 플레어 효과 및 로컬 플레어 효과가 감광제 패턴에 미치는 영향을 나타낸 개념도이다.7 is a conceptual diagram showing the effect of the flare effect and the local flare effect on the photosensitizer pattern.

도 8은 빛 에너지의 노출량(Energy)과 남아있는 감광제 두께(Tpr)의 관계를 나타낸 그래프이다.8 is a graph showing the relationship between the exposure amount of energy (Energy) and the remaining photosensitive agent thickness (Tpr).

본 발명은 반도체 소자 형성 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 미세 패턴을 형성하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of forming a semiconductor device, and more particularly, to a method of forming a fine pattern.

반도체 소자가 집적화됨에 따라 정상적인 미세 패턴을 형성하기 위해 해상 능력을 높이기 위한 아르곤 플로라이드 플라즈마 레이저 광원(ArF), 대구경 렌즈(high NA)를 사용하는 노광 장비, 이머젼 리소그라피(immersion lithography) 공정 등을 사용한다.As the semiconductor device is integrated, an argon fluoride plasma laser light source (ArF), an exposure equipment using a large-diameter lens (high NA), an immersion lithography process, and the like are used to increase resolution in order to form a normal fine pattern. do.

하지만, 최근 100nm 기술 이하의 반도체 포토 공정의 경우, 설계된 도면의 레이아웃에 따라 제작된 래티클(reticle) 또는 마스크(mask)를 사용하여 웨이퍼에 미세 패턴을 형성하는 과정에서 웨이퍼 상에 배치된 셀 영역과 같이 미세 패턴이 밀집된 영역과 소자 특성 확인을 위한 테스트 패턴이 배치된 영역과 같이 미세 패턴이 성긴 영역에서 미세 패턴들이 서로 상이하게 형성되는 문제점이 발생하고 있다.However, in the case of semiconductor photo process below 100 nm technology, the cell region disposed on the wafer in the process of forming a fine pattern on the wafer using a reticle or mask manufactured according to the layout of the designed drawing As described above, there is a problem in that the fine patterns are formed differently from each other in a region where the fine patterns are dense and a region where the fine patterns are sparse, such as a region where a test pattern for checking device characteristics is arranged.

특히 레티클 또는 마스크의 오픈(open) 영역 비율이 크게 차이가 나고 비노광 영역 비율이 큰 영역에 미세 패턴을 형성하는 공정의 경우, 도 1a에 도시된 셀 영역에 형성된 미세 패턴에 비해서 도 1b에 도시된 비노광 영역에 형성된 테스트 패턴에서 불량이 발생할 가능성이 크다.In particular, in the case of forming a fine pattern in a region where the ratio of the open area of the reticle or the mask is greatly different and the ratio of the non-exposure area is large, the fine pattern formed in the cell area shown in FIG. 1A is shown in FIG. 1B. The defect is likely to occur in the test pattern formed in the unexposed region.

즉, 동일한 레이아웃과 동일한 단차의 기판에 형성되는 셀 영역 및 비노광 영역에 형성된 미세 패턴이 서로 상이하게 형성된다. That is, the fine patterns formed in the cell region and the non-exposed region formed on the substrate having the same layout and the same step are formed differently from each other.

도 2는 플레어 효과(Flare Effect)에 의한 정상 영역(normal field)과 격리 영역(isolated field)의 패턴 차이를 나타낸 도면이다. FIG. 2 is a diagram illustrating a pattern difference between a normal field and an isolated field due to a flare effect.

여기서, 플레어 효과(Flare Effect)는 렌즈 표면 또는 내부의 이물질에 의해 산란되어 원하지 않는 영역에 떨어지는 빛에 의한 효과를 의미한다. Here, the flare effect refers to the effect of light scattered by foreign matter on the surface of the lens or inside and falling on an unwanted area.

또한, 플레어 효과가 발생하는 다른 원인으로 렌즈에 도포한 반사 방지 물질이 균일하지 못하여 회절된 빛에 의해 발생하기도 한다. In addition, as another cause of flare effect, the antireflection material applied to the lens is not uniform and may be caused by diffracted light.

도 3은 플레어 효과의 발생 원인을 나타낸 개념도이다. 3 is a conceptual diagram illustrating a cause of occurrence of a flare effect.

렌즈의 개구수(NA)가 큰 값의 노광 장비의 경우 빛의 입사각이 렌즈의 중심의 수직에서 크게 벗어나 있기 때문에, 플레어 효과에 의한 빛들이 넓은 영역에 걸쳐 백그라운드로 뿌려지게 된다.In the case of exposure equipment having a large numerical aperture NA of the lens, since the incident angle of light is largely out of the vertical of the center of the lens, the light due to the flare effect is scattered in the background over a large area.

도 4는 오픈(open) 영역의 크기에 따른 셀 패턴의 모양을 나타낸 사진도이다.4 is a photograph showing the shape of a cell pattern according to the size of an open area.

도 4를 참조하면, 오픈 영역의 크기가 작을수록 패턴이 불량이 될 확률이 커짐을 알 수 있다.Referring to FIG. 4, it can be seen that the smaller the size of the open area, the greater the probability that the pattern becomes defective.

도 5는 로컬 플레어 효과(Local Flare Effect)의 발생 원인을 나타낸 개념도이다.5 is a conceptual diagram illustrating a cause of occurrence of a local flare effect.

로컬 플레어 효과(Local Flare Effect)는 반도체 소자에 대한 미세화 및 고집적화의 요청에 따라 투영 노광 장치에서 채용하는 노광 광의 단파장화가 진행하 고 있는데, 이러한 단파장에 대응하는 렌즈 재료의 특수성 때문에, 노광 패턴에 의존한 국소적인 플레어의 발생을 의미한다. The local flare effect is shortening the exposure light employed in the projection exposure apparatus in response to the request for miniaturization and high integration of the semiconductor device, and due to the specificity of the lens material corresponding to the short wavelength, it is dependent on the exposure pattern. Refers to the occurrence of a local flare.

따라서, 로컬 플레어 효과에 의해 전사하는 패턴의 형상이나 라인 폭에 대해 예측할 수 없는 변화가 발생할 수 있다.Therefore, an unpredictable change in the shape or line width of the pattern to be transferred may occur due to the local flare effect.

다시 말해서, 로컬 플레어 효과는 웨이퍼 상의 국부적인 위치에서 주변의 미세 패턴에 의한 3, 5, 7 차 등의 높은 차수 광의 빛과 래티클 또는 마스크 상의 패턴의 모서리에서 발생하는 회절된 빛들에 의한 작은 영역의 플레어 효과라고 볼 수 있다. 따라서, 미세 패턴이 많이 존재하는 영역과 넓은 비노광 영역에 독립된 미세 패턴에서 광량의 차이가 발생할 수 있다.In other words, the local flare effect is a small area due to diffracted light generated at the corners of the pattern on the reticle or mask and high order light of 3rd, 5th, 7th order, etc. due to the surrounding micropatterns at local locations on the wafer. It can be seen as a flare effect. Therefore, a difference in light amount may occur in a region in which many fine patterns exist and a fine pattern independent of a wide non-exposed region.

결과적으로, 비노광 영역에 존재하는 독립된 미세 패턴이 포함된 작은 영역의 경우 플레어 효과(Flare Effect) 및 로컬 플레어 효과(Local Flare Effect)에 의하여 패턴이 비정상적으로 형성된다.As a result, the pattern is abnormally formed by the flare effect and the local flare effect in the case of a small region including an independent fine pattern existing in the non-exposed region.

이러한 결과는 이미지에 대한 정보가 없는 회절되어 비노광 영역에 전반적으로 노출하고 있는 소량의 광이 존재하는가 존재하지 않는가에 의한 차이이므로 빛의 양을 많이 주는 과노출(Over Exposure) 또는 빛의 양을 적게 주는 언더 노출(Under Exposure) 시에 웨이퍼 상에 구현되는 면적 이미지(Areal Image)와는 약간 다른 모습을 보이게 된다.These results are due to the presence or absence of a small amount of light that is generally exposed to the non-exposed areas without any information about the image. Therefore, the overexposure or amount of light that gives a lot of light is increased. Underexposure, which gives less, will look slightly different from the Areal Image on the wafer.

도 6은 오픈(open) 영역이 많은 셀 영역과 넓은 비노광 영역을 갖는 주변회로 영역의 감광제에 조사되는 노광 에너지의 차이를 나타내는 그래프이다. 여기서, Eop는 감광제가 정상적인 윤곽(profile)의 패턴을 형성하기 위해 필요한 빛 에너지 를 나타내고, ΔE는 플레어 효과 및 로컬 플레어 효과에 의해 백그라운드로 깔리는 소량의 노광 에너지를 나타낸다.FIG. 6 is a graph illustrating a difference in exposure energy radiated to a photosensitive agent in a cell region having many open regions and a peripheral circuit region having a wide non-exposed region. Here, Eop represents the light energy required for the photoresist to form a pattern of a normal profile, and ΔE represents a small amount of exposure energy laid down in the background by the flare effect and the local flare effect.

반도체 공정 중 포토 공정에서 사용하는 레티클 또는 마스크를 통해 프로젝션 렌즈(projection lens)를 통해 내려오는 빛들은 패턴에 대한 노광 부분과 비노광 부분에 대한 이미지 정보를 가지고 내려오게 된다.The light emitted through the projection lens through the reticle or mask used in the photo process during the semiconductor process comes down with the image information on the exposed and non-exposed portions of the pattern.

노광 영역은 주위의 미세 패턴이 존재할 경우, 플레어 효과 및 로컬 플레어 효과에 의한 백그라운드로 깔리는 소량의 빛이 존재하기 때문에, 비노광 영역에 독립적으로 존재하는 패턴들의 경우 노광 영역에 조사되는 플레어 효과 및 로컬 플레어 효과에 의해 백그라운드로 깔리는 소량의 빛에 의한 노광 에너지(ΔE)만큼이 적게 노출된다. Since the exposure area has a small amount of light spreading in the background due to the flare effect and the local flare effect when there is a surrounding fine pattern, the flare effect and the local irradiated to the exposure area in the case of patterns existing independently in the non-exposed area The flare effect exposes as little as the exposure energy ΔE caused by a small amount of light in the background.

도 7에 도시된 바와 같이, 비노광 영역의 미세 패턴들은 플레어 효과 및 로컬 플레어 효과에 의하여 백그라운드로 존재하는 이미지 정보가 없는 일정량의 빛이 존재하지 않아 노광 시에 빛의 양을 적게 노출시킨 것과는 약간 다른 양상의 노광이 덜된 듯한 패턴이 형성된다.As shown in FIG. 7, the micro-patterns of the non-exposed areas are slightly different from those of exposing a small amount of light during exposure because there is no amount of light without image information existing in the background due to the flare effect and the local flare effect. A pattern that appears to be less exposed to other aspects is formed.

이러한 플레어 효과 및 로컬 플레어 효과에 의한 문제점은 현재 사용되고 있는 노광 장비 및 감광제의 관리 항목 내에서는 미세한 차이로 나타나고 있으나 차세대의 더욱 작아진 패턴들과 높은 밀도의 패턴 분포를 감안하면 현재의 진행 방법으로는 해결할 수 없는 부분이다.Problems caused by the flare effect and the local flare effect appear as minute differences in the management items of the exposure equipment and the photosensitive agent currently used, but considering the next generation of smaller patterns and high density pattern distribution, This is something that cannot be solved.

다시 말해서, 현재의 노광 장비의 제조 조건(specification)의 경우 광량의 1% 이내의 플레어 효과는 보정하고 있으나, 반도체 소자의 미세화 및 고집적화와 ArF 감광제의 Eop 등을 감안할 때 현재의 노광 장비 및 감광제의 관리 범위 내에서는 비노광 영역의 미세 패턴 형성에 문제가 발생할 수밖에 없으며, 노광 장비 및 기타 관리 항목의 관리 범위를 낮추기는 어려운 상황이다.In other words, the flare effect within 1% of the amount of light is corrected for the specification of the current exposure equipment, but considering the miniaturization and integration of semiconductor elements and the Eop of ArF photoresist, Within the management range, problems inevitably arise in the formation of fine patterns in the non-exposed areas, and it is difficult to lower the management range of the exposure equipment and other management items.

결론적으로 반도체 소자가 집적화됨에 따라 패턴의 크기가 작아지고, 노광 장비의 투영 렌즈의 개구수(NA)가 커지게 됨에 따라 노광 장비의 렌즈에서 발생하는 플레어(Flare) 및 로컬 플레어(Local Flare)에 의하여 비노광 영역에 위치한 미세 패턴들이 비정상적으로 형성될 가능성이 커지게 된다.In conclusion, as the semiconductor device is integrated, the size of the pattern decreases, and as the numerical aperture NA of the projection lens of the exposure apparatus increases, the flare and the local flare generated in the lens of the exposure apparatus increase. As a result, the possibility of abnormally forming fine patterns located in the non-exposed areas increases.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로서, 비노광 영역에 독립된 미세 패턴을 정상적으로 형성하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made to solve the above problems, and aims to normally form a fine pattern independent of the non-exposed areas.

또한, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로서, 웨이퍼 상의 넷 다이를 형성할 때 웨이퍼 에지의 비노광 영역의 경계 영역에 인접한 넷 다이의 미세 패턴을 정상적으로 형성하는 것을 목적으로 한다.In addition, the present invention was created to solve the above problems, and aims to normally form fine patterns of net dies adjacent to the boundary regions of the non-exposed areas of the wafer edge when forming the net dies on the wafer.

또한, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로서, EPM(Electric Parameter Monitor) 테스트 시에 발생하는 전기적 특성을 향상시키는 것을 목적으로 한다.In addition, the present invention was created to solve the above problems, and an object of the present invention is to improve electrical characteristics generated during an electric parameter monitor (EPM) test.

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 미세 패턴 형성 방법은 밀집 패턴이 예정된 제 1 영역과 성긴 패턴이 예정된 제 2 영역을 포함하는 반도체 기판상에 감광막을 형성하는 단계;According to another aspect of the present invention, there is provided a method of forming a fine pattern, the method including: forming a photoresist film on a semiconductor substrate including a first region in which a dense pattern is predetermined and a second region in which a coarse pattern is predetermined;

제 1 노광 에너지로 상기 제 1 및 제 2 영역에 이미지 정보를 갖는 래티클 또는 마스크를 이용하여 노광하는 제 1 노광 단계; 및A first exposure step of exposing using a reticle or a mask having image information in the first and second areas at a first exposure energy; And

제 1 노광 에너지보다 낮은 제 2 노광 에너지로 상기 제 2 영역이 오픈된 래티클 또는 마스크를 사용하거나 블랭크 노광으로 상기 제 2 영역을 노광하는 제 2 노광 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.And a second exposure step of exposing the second area by a blank exposure or by using a reticle or mask with the second area open at a second exposure energy lower than the first exposure energy.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 본 발명의 기술적 사상이 철저하고 완전하게 개시되고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달되기 위해 제공되는 것이다. 또한, 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조 번호들은 동일한 구성요소를 나타낸다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the invention is not limited to the embodiments described herein but may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided so that the spirit of the present invention is thoroughly and completely disclosed, and the spirit of the present invention to those skilled in the art will be fully delivered. Also, like reference numerals denote like elements throughout the specification.

본 발명은 노광 장비에서 발생하는 플레어 효과(Flare Effect) 및 로컬 플레어 효과(Local Flare Effect)에 의해 발생하는 비노광 영역에 독립적으로 형성되는 미세 패턴(예를 들어, 테스트 패턴 등)의 불량 현상을 개선하기 위한 방법을 기술하고 있다.The present invention relates to a defect phenomenon of a fine pattern (for example, a test pattern, etc.) independently formed in a non-exposed area generated by a flare effect and a local flare effect generated in an exposure apparatus. It describes how to improve.

즉, 본 발명은 플레어 효과 및 로컬 플레어 효과에 의한 문제를 해결하기 위한 방법으로 넓은 비노광 영역에 독립된 미세 패턴을 형성할 경우 미세 패턴이 형성되는 영역에 노광 영역에 플레어 효과 및 로컬 플레어 효과에 의해 조사된 만큼의 노광 에너지(ΔE)로 따로 블랭크 노광(Blank Exposure; 레티클 없이 노광하는 방법) 또는 비노광 영역만 오픈된 래티클 또는 마스크를 이용하여 플레어 효 과(Flare Effect) 및 로컬 플레어 효과(Local Flare Effect)에 의하여 발생하는 노광 에너지의 차이를 보상하여 비노광 영역에 독립된 미세 패턴을 정상적인 패턴으로 형성하는 방법을 기술한다.That is, the present invention is a method for solving the problems caused by the flare effect and the local flare effect when forming an independent fine pattern in a wide non-exposed area by the flare effect and the local flare effect in the exposed area in the region where the fine pattern is formed. Flare effects and local flare effects using blank exposure (a method of exposure without a reticle) or a reticle or mask with only the non-exposed area open at the exposure energy (ΔE) as irradiated. It describes a method of compensating the difference in the exposure energy generated by the Flare Effect) to form a fine pattern independent of the non-exposed areas into a normal pattern.

따라서 본 발명에서 구현하고자 하는 방법은 플레어 효과(Flare Effect)와 로컬 플레어 효과(Local Flare Effect)에 의하여 산란되어 노출되는 이미지의 정보가 없는 노광 에너지만큼의 이미지 정보가 없는 빛으로 비노광 영역에 전반적으로 노광시킴으로써 미세 패턴이 밀집되어 있는 영역과 동등한 패턴을 형성하는 것이다.Therefore, the method to be implemented in the present invention is light that does not have image information as much as the exposure energy without information of the image that is scattered and exposed by the flare effect and the local flare effect, and thus, the overall method is applied to the non-exposed areas. Exposure is performed to form a pattern equivalent to the region where the fine pattern is dense.

한편, 도 8의 그래프를 참조하면, 감광제는 임계 에너지(Eth; Threshold Energy) 이상의 빛이 투과되어야만 노광 영역이 현상액에 녹아나가거나 비노광 영역이 녹아나가는 특징이 존재한다.On the other hand, referring to the graph of Figure 8, the photosensitive agent is characterized in that the exposure area is dissolved in the developer or the non-exposed area only when light above the threshold energy (Eth; Threshold Energy) is transmitted.

임계 에너지(Eth) 이하의 범위에서는 노광 에너지(Energy)와 남아있는 감광막 두께(Tpr)에 큰 영향이 없으므로 넓은 비노광 영역에 노광 에너지를 보정하기 위하여 Eop의 10% 이내의 빛으로 비노광 영역을 오픈한 래티클 또는 마스크를 사용하거나 블랭크 노출(Blank Exposure)하는 방법은 포토 공정에 전혀 영향을 주지 않는다.In the range below the critical energy (Eth), the exposure energy (Energy) and the remaining photoresist film thickness (Tpr) are not significantly influenced. Using an open reticle or mask or blank exposure does not affect the photo process at all.

따라서, 비노광 영역의 독립된 미세 패턴을 원하는 크기 및 모양의 패턴으로 형성할 수 있다.Thus, an independent fine pattern of the non-exposed area can be formed into a pattern of desired size and shape.

상기한 방법을 적용할 경우 레티클 또는 마스크를 바꾸어 한번 더 노광하거나 래티클 또는 마스크를 제거한 후 한번 더 노광해야 하기 때문에, 비노광 영역에 배치된 독립된 미세 패턴이 포함된 영역을 노광 영역과 인접한 영역으로 배치하는 것이 바람직하다.When the above method is applied, the reticle or mask must be changed to expose one more time, or after removing the reticle or mask, and then exposed again, the area containing the independent micropattern disposed in the non-exposed area is moved to the area adjacent to the exposed area. It is preferable to arrange.

한편, 특별한 목적으로 웨이퍼에 패턴을 형성하는 경우, 즉 넷 다이(net die)만 노광을 할 때, 웨이퍼 에지(Wafer Edge)의 비노광 영역의 경계 영역에 인접하여 배치된 넷 다이의 미세 패턴이 비정상적으로 형성되는 경우가 발생한다.On the other hand, when the pattern is formed on the wafer for a particular purpose, that is, when only the net die is exposed, the fine pattern of the net die disposed adjacent to the boundary region of the non-exposed region of the wafer edge is Abnormally formed cases occur.

이를 해결하기 위해, Eop의 5% 이내의 빛으로 웨이퍼 에지(Wafer Edge) 영역의 노광 부분과 비노광 부분이 경계를 이루는 영역에 빛을 노출시킬 경우 에지(Edge) 영역의 미세 패턴을 정상적으로 형성할 수 있다. 여기서, 넷 다이는 웨이퍼 바깥쪽으로 잘려나가는 부분이 없는 다이를 말한다.To solve this problem, when light is exposed to an area where an exposed portion and a non-exposed portion of a wafer edge region border with light within 5% of the Eop, fine patterns of the edge region may be normally formed. Can be. Here, the net die refers to a die having no part cut out of the wafer.

또한, 본 발명에서 적용된 포토 공정을 진행하는 방법을 사용할 경우 특히 DRAM 기준의 셀만 형성하는 공정(Recess Gate, Landing Plug, Bit Line Contact, Storage Node Contact, Storage Node 등)에서 생성되는 넓은 주변 회로 영역(특히 Main X, Y Decoder) 옆에 분포하는 테스트 패턴의 경우 셀과 다른 패턴이 형성되어 EPM(Electric Parameter Monitor) 테스트 시에 발생하는 전기적 특성을 잘못 감지하는 오류들을 해결할 수 있다.In addition, in the case of using the method of performing the photo process applied in the present invention, a large peripheral circuit area generated in a process of forming only cells based on DRAM (Recess Gate, Landing Plug, Bit Line Contact, Storage Node Contact, Storage Node, etc.) In particular, a test pattern distributed next to Main X, Y Decoder) may form a different pattern from a cell, thereby solving errors that incorrectly detect electrical characteristics generated during an electric parameter monitor (EPM) test.

구체적으로 본 발명은 비노광 영역이 200㎛×200㎛ 이상인 영역에 배치되어 있는 테스트 패턴 또는 이와 유사한 작은 영역(가로 또는 세로의 길이가 80㎛ 이하인 패턴 영역)에 배치된 미세 패턴을 형성하기 위하여 노광 영역에 조사되는 노광 에너지의 3% 이하(특히, 약 0.5~1.2%이 바람직하다) 크기로 원하는 부분만 오픈(Open) 시킨 래티클 또는 마스크를 사용하거나 블랭크 노광하여 미세 패턴 형성 을 개선하는 방법을 개시한다.Specifically, the present invention provides exposure to form a fine pattern disposed in a test pattern or a similar small area (pattern area having a length of 80 μm or less in a horizontal or vertical length) similar to the non-exposed area in an area of 200 μm × 200 μm or more. A method of improving fine pattern formation by using a blank or using a reticle or mask in which only a desired portion is opened to a size of 3% or less (particularly, about 0.5 to 1.2% of the exposure energy) irradiated to the area is disclosed. It starts.

또한, 본 발명은 비노광 영역이 200㎛×200㎛ 이상인 영역에 배치되어 있는 가로 또는 세로의 길이가 80㎛ 이하인 미세 패턴이 있는 영역의 레이아웃을 빛의 투과량이 많아지도록 레이아웃을 수정하는 방법을 개시한다.In addition, the present invention discloses a method of modifying the layout of a region having a micropattern having a horizontal or vertical length of 80 µm or less, in which the non-exposed region is disposed in an area of 200 µm x 200 µm or more so that the amount of light transmission increases. do.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 비노광 영역에 독립된 미세 패턴을 정상적으로 형성할 수 있는 효과를 제공한다.As described above, the present invention provides an effect that can normally form an independent fine pattern in the non-exposed areas.

또한, 본 발명은 웨이퍼 상의 넷 다이를 형성할 때 웨이퍼 에지의 비노광 영역의 경계 영역에 인접한 넷 다이의 미세 패턴을 정상적으로 형성할 수 있는 효과를 제공한다.In addition, the present invention provides an effect that can normally form a fine pattern of the net die adjacent to the boundary region of the non-exposed region of the wafer edge when forming the net die on the wafer.

게다가, 본 발명은 EPM(Electric Parameter Monitor) 테스트 시에 발생하는 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.In addition, the present invention provides an effect that can improve the electrical characteristics that occur during the electric parameter monitor (EPM) test.

아울러 본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적을 위한 것으로, 당업자라면 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상과 범위를 통해 다양한 수정, 변경, 대체 및 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정 변경 등은 이하의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다. In addition, a preferred embodiment of the present invention is for the purpose of illustration, those skilled in the art will be able to various modifications, changes, substitutions and additions through the spirit and scope of the appended claims, such modifications and changes are the following claims It should be seen as belonging to a range.

Claims (10)

밀집 패턴이 예정된 넷 다이 영역에서 미세 패턴이 정상적으로 형성되는 제 1 영역과, 상기 넷 다이 영역에서 상기 미세 패턴이 비정상적으로 형성되는 영역으로 성긴 패턴이 예정된 제 2 영역을 포함한 반도체 기판상에 감광막을 형성하는 단계;A photosensitive film is formed on a semiconductor substrate including a first region in which a fine pattern is normally formed in a net die region where a dense pattern is intended, and a second region in which a sparse pattern is defined as an region in which the fine pattern is abnormally formed in the net die region. Doing; 제 1 노광 에너지로 상기 제 1 및 제 2 영역에 이미지 정보를 갖는 래티클 또는 마스크를 이용하여 노광하는 제 1 노광 단계; 및A first exposure step of exposing using a reticle or a mask having image information in the first and second areas at a first exposure energy; And 상기 제 1 노광 에너지보다 낮은 제 2 노광 에너지로 상기 제 2 영역이 오픈된 래티클 또는 마스크를 사용하여 제 2 노광하거나 블랭크 노광 공정으로 제 2 노광하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 미세 패턴 형성 방법.And performing a second exposure by using a reticle or mask in which the second region is opened at a second exposure energy lower than the first exposure energy, or performing a second exposure by a blank exposure process. . 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 1 영역은 오픈 영역이 크고, 상기 제 2 영역은 오픈 영역이 작은 것을 특징으로 하는 미세 패턴 형성 방법.The first region has a large open area, and the second region has a small open area. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 2 노광 에너지의 크기는 상기 제 1 노광 에너지 크기의 0 초과 10% 이하인 것을 특징으로 하는 미세 패턴 형성 방법.And the magnitude of the second exposure energy is greater than 0 and less than or equal to 10% of the magnitude of the first exposure energy. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 2 영역이 200㎛×200㎛보다 크고, 상기 제 2 영역에 테스트 패턴 또 는 가로 또는 세로의 길이가 0 초과 80㎛ 이하인 패턴이 형성되는 경우, 상기 제 2 노광 에너지의 크기는 상기 제 1 노광 에너지 크기의 0 초과 5% 이하인 것을 특징으로 하는 미세 패턴 형성 방법.When the second area is larger than 200 μm × 200 μm, and a test pattern or a pattern having a length of 0 to 80 μm is formed in the second area, the size of the second exposure energy is equal to the first. A fine pattern forming method characterized by being greater than 0 and 5% or less of the exposure energy magnitude. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 2 영역이 200㎛×200㎛보다 크고, 상기 제 2 영역에 테스트 패턴 또는 가로 또는 세로의 길이가 0 초과 80㎛ 이하인 패턴이 형성되는 경우, 상기 제 2 노광 에너지는 상기 제 1 노광 에너지 크기의 0.5% 내지 1.2%의 크기로 노광하는 것을 특징으로 하는 미세 패턴 형성 방법.When the second area is larger than 200 μm × 200 μm, and a test pattern or a pattern having a length of 0 to 80 μm is formed in the second area, the second exposure energy is the first exposure energy amount. Exposing at a size of 0.5% to 1.2% of the fine pattern. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 2 영역은 테스트 패턴이 형성되는 영역인 것을 특징으로 하는 미세 패턴 형성 방법.The second region is a fine pattern forming method, characterized in that the region in which the test pattern is formed. 삭제delete 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 2 영역은 상기 웨이퍼의 에지 영역의 비노광 영역의 경계에 인접한 상기 넷 다이의 소정 영역인 것을 특징으로 하는 미세 패턴 형성 방법.And the second region is a predetermined region of the net die adjacent to a boundary of an unexposed region of an edge region of the wafer. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 1 영역은 셀 영역이고, 상기 제 2 영역은 주변 회로 영역인 것을 특징으로 하는 미세 패턴 형성 방법.And the first region is a cell region and the second region is a peripheral circuit region. 제 9 항에 있어서, The method of claim 9, 상기 제 2 영역은 상기 주변 회로 영역의 메인 로우 디코더(main row decoder) 및 메인 칼럼 디코더(main column decoder)의 인접 지역인 것을 특징으로 하는 미세 패턴 형성 방법.And the second region is adjacent to a main row decoder and a main column decoder of the peripheral circuit region.
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KR20030082911A (en) * 2002-04-18 2003-10-23 가부시키가이샤 니콘 Projecting optical system, and exposure apparatus and method therefor

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