KR100843551B1 - 광 확산층을 포함하는 유기 전계 발광 표시 소자 및 그제조방법 - Google Patents

광 확산층을 포함하는 유기 전계 발광 표시 소자 및 그제조방법 Download PDF

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양용석
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Abstract

본 발명은 유기 전계 발광 표시 소자(TEOLED: Top Emission Organic Light Emitting Diode) 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 유기 전계 발광 표시 소자는 기판상에 형성된 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 형성된 유기층; 상기 유기층 상에 형성되는 제2 전극; 및 상기 제2 전극 상에 형성되며, 굴절율 구배를 갖으며 표면에 요철 패턴이 형성되어 있는 무기 물질로 형성된 광 확산층을 포함한다. 이에 따라, 제2 전극 상에 굴절율 구배를 갖는 표면 요철 패턴이 형성된 광확산층을 형성함으로써, 광 확산성에 따른 휘도 및 콘트라스트를 행상시킬 수 있다.
유기 전계 발광 표시 소자, 제2 전극(cathode), 광 확산층, 보호층, 무기물질, 휘도

Description

광 확산층을 포함하는 유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조방법{Organic Light Emitting Device including Light diffusion layer and Method for fabricating the same}
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 전면 발광 유기 전계 발광 표시 소자의 개략적인 측단면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 전면 발광 유기 전계 발광 표시 소자의 제조 방법을 순서대로 개시한 제조 공정도이다.
도 3은 본 발명에 따른 광확산층의 AFM 이미지를 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 전면 발광 유기 전계 발광 표시 소자의 개략적인 측단면도이다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명에 따른 광확산층이 형성된 전면 발광 유기 전계 발광 표시 소자의 광확산을 설명하는 도면이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1: 유기 전계 발광 표시 소자 10: 기판
11: 제1 전극(anode) 12: 정공 주입 및 수송층
12a: 정공 주입층 12b: 정공 수송층
13: 발광층 14: 전자 수송 및 주입층
14a: 전자 수송층 14b: 전자 주입층
15: 제2 전극(Cathode) 16: 광확산층
17: 보호층 a: 발광 표시 소자에서 발생된 빛
b: 광 확산층에서 산란된 빛 c: 광 확산층의 표면에서 산란된 빛
d: 광 확산층을 통과한 빛
본 발명은 유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 제2 전극(cathode) 상에 발광층에서 발생된 빛의 확산을 극대화시키는광 확산층(Light diffusion layer)을 포함하는 전면 발광 유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 유기 전계 발광 표시 소자는 능동형 유기 전계 발광 표시 소자 (AMOLED; Active Matrix Organic Light Emitting Device) 및 별도의 구동원이 필요한 수동형 유기 전계 발광 표시 소자(PMOLED; Passive Matrix Organic Light Emitting Device)로 나눌 수 있다.
이러한 유기 전계 발광 표시 소자 중 일반적으로 사용되는 능동형 유기 전계 발광 표시 소자는 기판 상에 배열된 다수의 화소를 포함하는 화상영역과 구동영역을 포함하며, 화상영역을 구성하는 각 화소는 스위칭 박막 트랜지스터, 구동 박막 트랜지스터, 캐패시터 및 유기 전계 발광 표시 소자를 포함한다. 상기 구조를 갖는 능동형 유기 전계 발광 표시 소자는 자발광이 가능하며, 고효율에 넓은 시야 각을 갖고, 응답 속도가 빠르고, 제작 비용이 낮고, 콘트라스트(Contrast) 높다는 점이 큰 장점이다.
상기 유기 전계 발광 표시 소자는, 일반적으로, 기판상에 형성된 제1 전극(anode); 제1 전극 상에 형성된 정공 주입 및 수송층, 발광층, 전자 수송 및 주입층을 포함하는 유기층; 및 유기층 상에 형성된 제2 전극(cathode)을 포함한다. 상기 기판은 유리 또는 투명성을 갖는 플라스틱 기판 등을 이용할 수 있으며, 제1 전극은 전도성을 갖는 일함수가 높은 물질을 이용하며, 제2 전극은 전도성을 갖는 일함수가 낮은 물질을 이용한다.
전술한 구조를 갖는 유기 전계 발광 표시 소자를 동작시키기 위해, 제1 및 제2 전극에 소정의 바이어스를 인가하면, 제1 전극에서는 정공이 생성되며, 제2 전극에서는 전자가 생성된다. 제1 전극에서 생성된 정공은 정공 주입 및 수송층을 통해 발광층으로 운반되고, 제2 전극에서 생성된 전자는 전자 수송 및 주입층을 통해 발광층으로 운반된다. 전자 수송층 및 정공 수송층을 통해 운반된 정공과 전자가 발광층에서 재결합하면서 여기자를 형성하며, 이에 따라, 유기 전계 발광 표시 소자의 발광층에서 빛이 발광된다.
상기한 구조의 유기 전계 발광 표시 소자는 발광층에서 발광된 빛을 기판의 아래쪽 방향으로 혹은 위쪽 방향으로 방출하느냐에 따라 배면발광구조(Bottom Emission Structure) 또는 전면발광구조(Top Emission Structure)로 나눌 수 있다.
유기 전계 발광 표시 소자 중 배면발광구조의 경우는 금속으로 형성된 제2 전극에서 반사가 발생하여 발광효율이 상대적으로 높다. 반면, 전면발광구조의 경우에는 제2 전극에서 미 반사된 광과 외부에서 입사된 광을 반사시켜 콘트라스트를 저하시킨다는 단점을 갖고 있다. 이러한 전면발광구조의 단점을 개선하기 위해, 편광판 또는 블랙 매트릭스를 적용하는 방법 등이 이용된다.
그러나, 블랙 매트릭스를 이용하는 방법은 화소 전극을 제외한 박막 트랜지스터 및 캐패시터 영역에 블랙 매트릭스를 형성시켜 입사하는 외부 광을 흡수하여 줌으로써 외부광의 반사를 방지하는 것인데, 이 경우 발광층의 발광효율을 떨어뜨리지 않는 범위 내에서 각각의 영역에 블랙 매트릭스를 형성해야 하기 때문에, 제조 공정이 용이하지 않다. 한편, 유기 전계 발광 표시 소자에 편광판을 이용하는 경우에는 편광판이 50% 정도의 자체 광투과도를 지니고 있어 광 손실이 유발될 뿐만 아니라, 편광판이 고가이기 때문에 제조 원가가 상승하고, 편광판의 별도 부착으로 공정수가 증가한다는 단점을 갖게 된다.
따라서, 본 발명은 전술함 문제점들을 모두 해결하기 위해 고안된 발명으로, 본 발명의 목적은 제2 전극(cathode)의 상부에 굴절률 구배를 갖는 광 확산층을 형 성함으로써, 발광층에서 발광된 빛의 확산을 극대화하고 휘도를 향상시킬 수 있는 유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 또 다른 목적은 광 확산층과 제2 전극 사이에 보호층을 형성함으로서, 광 확산층을 통해 유입될 수 있는 이물질을 차단할 수 있는 유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조 방법을 제공하는 데 있다.
전술한 목적을 달성하기 위한, 본 발명의 일 측면에 따르면, 본 유기 전계 발광 표시 소자는, 기판상에 형성된 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 형성된 발광층을 포함하는 유기층; 상기 유기층 상에 형성되는 제2 전극; 및 상기 제2 전극 상에 형성되고, 상기 제2 전극에서 멀어질수록 굴절율이 커지는 굴절율 구배를 가지며, 표면에 요철 패턴이 형성되어 있는 무기 물질로 형성된 광 확산층을 포함하며, 상기 광 확산층의 굴절율 구배 및 상기 광 확산층의 표면에 형성된 요철 패턴에 의해 상기 발광층에서 발광된 광의 확산 및 산란이 증가되는 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 본 유기 전계 발광 표시 소자는, 상기 제2 전극과 상기 광 확산층 사이에 형성되며, 상기 광 확산층을 통한 이물질의 유입을 방지하는 무기 물질로 형성된 보호층을 더 포함한다. 상기 광 확산층 및 상기 보호층은 ZnO, ZrO2, TiO2, Al2O3, SiO2 및 SnO2 중 적어도 하나로 형성된다. 상기 광확산층 형성시 상기 ZnO에 Ga 및 Al 중 적어도 하나를 더 첨가한다. 상기 광 확산층의 굴절율은 1.4 ~ 5 범위이다. 상기 유기층은 정공 주입 및 수송층, 발광층, 및 전자 수송 및 주입층을 포함한다.
본 발명의 다른 일 측면에 따르면, 본 유기 전계 발광 표시 소자의 제조 방법은, 기판상에 제1 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 전극 상에 발광층을 포함하는 유기층을 형성하는 단계; 상기 유기층 상에 제2 전극을 형성하는 단계; 및 상기 제2 전극에서 멀어질수록 굴절율이 커지는 굴절율 구배를 가지며, 표면에 요철 패턴이 형성되어 있는 무기 물질로 형성된 광 확산층을 제2 전극 상에 형성하는 단계를 포함하며, 물리기상증착(PVD; Physical Vapor Deposition) 방법, 전자 빔 증착(E-beam evaporation) 방법, 화학기상증착(chemical vapor deposition) 방법, 이온 플레이팅(ion-plating) 방법, 및 스퍼터링 방법 중 하나를 이용하여 상기 제2 전극의 증착 방향과 수직한 방향으로 상기 광 확산층의 결정 성장 방향을 조절하여 상기 광 확산층의 표면에 요철 패턴을 형성하는 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 본 유기 전계 발광 표시 소자의 제조 방법은 상기 광 확산층을 형성하기 전에, 외부로부터 산소 또는 수분이 유입되는 것을 방지하는 무기 물질로 형성된 보호층을 상기 제2 전극 상에 형성하는 단계를 더 포함한다.
상기 보호층은 물리기상증착(PVD; Physical Vapor Deposition) 방법, 전자 빔 증착(E-beam evaporation) 방법, 화학기상증착(chemical vapor deposition) 방법, 이온 플레이팅(ion-plating) 방법, 및 스퍼터링 방법 중 하나를 이용하여 형성된다. 상기 광확산층은 상기 스퍼터링 방법으로 진공상태에서 연속 공정으로 500 ~ 2000 Å 범위의 두께로 적어도 하나의 층으로 형성된다. 상기 광 확산층 및 상기 보호층은 ZnO, ZrO2, TiO2, Al2O3, SiO2 및 SnO2 중 적어도 하나로 형성된다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 전면 발광 유기 전계 발광 표시 소자의 개략적인 측단면도이고, 도 2는 본 발명에 따른 전면 발광 유기 전계 발광 표시 소자의 제조 방법을 순서대로 개시한 제조 공정도이고, 도 3은 본 발명에 따른 광확산층의 AFM 이미지를 나타내는 도면이다.
도 1을 참조하면, 전면 발광 구조의 유기 전계 발광 표시 소자(1)는 기판(10), 기판(10) 상에 형성된 제1 전극(11; anode), 제1 전극(11) 상에 형성된 정공 주입 및 수송층(12), 정공 주입 및 수송층(12) 상에 형성된 발광층(13), 발광층(13) 상에 형성된 전자 수송 및 주입층(14), 전자 수송 및 주입층(14) 상에 형성된 제2 전극(15; cathode), 제2 전극(15) 상에 형성된 광 확산층(16)을 포함한다.
전술한 구조로 이루어진 유기 전계 발광 표시 소자(1)를 제조하기 위해서는, 도 2를 참조하면, 우선, 기판(10)을 준비한다(S2). 기판(10)은 유리 기판, 석영, 플라스틱 기판, 호일(foil), 및 산화 실리콘 등과 같이 투명하거나 불투명한 기판을 모두 사용할 수 있다. 예를 들면, 유리 기판으로는 소다라임 유리 기판 또는 무 알칼리 유리 기판 등을 이용할 수 있으며, 플라스틱 기판으로는 PES(polyether sulfone) 등을 이용할 수 있다.
기판(10)이 준비된 다음, 기판(10) 상에 제1 전극(11; anode)을 형성한다(S2). 제1 전극(11)은 높은 일함수와 전도도를 갖는 양의 전극으로, 본 실시 예에서는 투명성을 갖는다. 제1 전극(11)은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZO:In2O3, ZnO:Ga, ZnO:Al으로 이루어진 군에서 적어도 하나를 선택하여 형성한다. 제1 전극(11)은 스퍼터링(sputtering) 방법, 전자 빔 증착(E-beam evaporation) 방법, 화학기상증착(chemical vapor deposition) 방법, 및 이온 플레이팅(ion-plating) 방법 등이 사용되며, 본 실시 예에서는 스퍼터링 방법을 이용하여 제1 전극(11)을 형성한다.
그 다음 단계에서는 제1 전극(11) 상에 정공 주입 및 수송층(12), 발광층(13), 및 전자 수송 및 주입층(14)을 형성한다(S3). 제1 전극(11) 상에 형성된 정공 주입 및 수송층(12)은 정공의 주입을 돕는 물질을 이용하여 형성된 정공 주입층(12a)과, 정공 주입층(12a) 상에 형성되어 정공의 수송을 용이하게 하는 물질로 형성된 정공 수송층(12b)을 포함한다. 정공 주입 및 수송층(12) 상에 형성된 발광층(13)은 청색 발광층(R), 적색 발광층(G), 및 녹색 발광층(B)을 포함하여 구성할 수 있다. 발광층(13) 상에 형성된 전자 수송 및 주입층(14)은 전자 수송을 용이하게 하여 효율적인 전자 수송을 제공할 수 있는 전자 수송층(14a)과, 전자 주입을 용이하게 할 수 있는 물질로 형성된 전자 주입층(14b)을 포함한다. 정공 주입 및 수송층(12), 발광층(13), 및 전자 수송 및 주입층(14)은 통상 저분자 및 고분자 물질을 이용하여 형성하며, 예를 들면, NPB와 Alq3 등의 물질을 이용하여 형성할 수 있다.
전자 수송 및 주입층(14)이 형성된 다음, 전자 수송 및 주입층(14) 상에 제2 전극(15)을 형성한다(S4). 제2 전극(15)은 음의 전극(cathode)으로 금속을 이용하여 형성되며, 낮은 일함수를 가지며 전도도가 우수한 Ca, Mg, MgAg, Ag군, Al군에서 선택된 물질로 형성한다. 예를 들면, 제2 전극(15)을 알루미늄과 은으로 이중으로 증착하는 경우에는, 산화성이 강하여 전도도에 영향을 주는 알루미늄을 증착한 다음, 알루미늄 상에 산화성이 낮은 은을 증착함으로써, 제2 전극의 안정성을 도모한다.
다음, 제2 전극(15) 상에는 요철 패턴이 형성된 광 확산층(16)이 형성된다(S16). 광 확산층(16)은 제2 전극(15) 상에 형성되어 발광층(13)에서 발광된 광의 확산 및 산란을 증가시켜 광 효율을 향상시키고, 외부로부터 유입될 수 있는 이물질을 차단하는 역할을 수행한다. 광 확산층(16)은 무기 물질인 ZnO, ZrO2, TiO2 , Al2O3, SiO2, 및 SnO2 중 적어도 하나를 포함하여 형성하며, 가장 바람직하게는 ZnO를 이용한다. ZnO를 이용하는 경우에는 ZnO에 Ga 및 Al 중 적어도 하나의 도펀트를 포함하여 형성할 수 있다. 상기 무기계 물질 중 ZrO2 및 TiO2 중 적어도 하나를 포함하여 광확산층(16)을 형성하는 경우에는 광 확산층(16)을 고굴절율(2.5 ~ 5)로 이용할 수 있으며, Al2O3 및 ZnO 중 적어도 하나를 포함하여 형성하는 경우에는 광확산층(16)을 중굴절율(1.5 ~ 2.5)로 이용할 수 있으며, SiO2 및 SnO2 중 적어도 하나를 포함하여 형성하는 경우에는 광확산층(16)을 저굴절율(1.5 미만)로 이용할 수 있다.
도 3을 참조하면, 광 확산층(16)은 광 확산층(16)의 표면에 형성된 요철 패턴에 의해, 굴절율에 따른 다양한 확산 특성을 제공할 수 있다. 광 확산층(16)은 표면에 다양한 요철 패턴을 갖도록 단일층 또는 다중층으로 구성한다. 광확산층(16)에 요철 패턴을 형성하기 위해서는 광 확산층(16)을 증착할 때, 증착조건 중 산소 분압비를 조절하여 광확산층(16)의 결정 성장 방향을 조절한다. 예를 들면, ZnO를 이용하여 광 확산층(16)을 형성할 때, 산소 분압비를 조절하여 광 확산층(160)을 (002)면으로 성장시키면, 표면에 수직으로 요철 패턴이 형성된다. 도 3에 따르면, 광확산층(16)의 요철 패턴은 다양한 높이(예를 들면, 0 ~ 150Å의 범위)를 갖는다. 또한, ZnO에 Al을 포함시켜 광 확산층(16)을 형성하는 경우에는 산소 분압비를 조절하여 (100) 면으로 성장시킴으로써, 표면에 나란한 요철 패턴을 형성할 수 있는 반면, Ga를 포함시키는 경우 산소 분압비를 조절하여(001)면으로 성장시켜 표면에 수직한 방향으로 성장시킬 수 있다. 상기와 같인 광 확산층(16)에 요철 패턴을 형성하는 것, 즉, 광 확산층(16)의 결정성을 조절함으로써, 광확산층(16) 외부로부터의 수분 및 산소 등과 같은 이물질이 유입되는 것을 방지할 수 있다.
상기 광 확산층(16)은 전술한 무기계 물질들을 이용하여, 물리기상증착 (PVD; Physical Vapor Deposition)방법, 전자 빔 증착(E-beam evaporation), 화학기상증착(chemical vapor deposition), 이온 플레이팅(ion-plating) 방법 및 스퍼터링 방법을 이용하여 증착할 수 있다. 본 실시 예에서는 진공 상태의 작업분위기를 유지하는 반응로 내부에서, 마그네트론 스퍼터링 방법을 이용하여 증착한다. 이때, 광 확산층(16)은 저온(100 ~ 500℃의 온도 범위)에서 1 ~ 10mTorr의 공정압력의 공정 분위기에서 연속 공정으로 증착된다. 광 확산층(16)은 500 ~ 2000Å의 두께로 단층 혹은 다층으로 형성된다. 또한, 광 확산층(16)은 대기와 접하는 영역, 즉, 제2 전극(15)과 멀어질수록 순차적으로 굴절율 구배가 커지는 것으로, 1.4 ~ 5의 굴절율 구배를 갖는다.
도 4는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 전면 발광 유기 전계 발광 표시 소자의 개략적인 측단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 전면발광 구조의 유기 전계 발광 표시 소자의 측단면도이다. 도 3에 개시된 유기 전계 발광 표시 소자(1)는 기판(10), 기판(10) 상에 형성된 제1 전극(11; anode), 제1 전극 (11)상에 형성된 정공 주입 및 수송층(12), 정공 주입 및 수송층(12) 상에 형성된 발광층(13), 발광층(13) 상에 형성된 전자 수송 및 주입층(14), 전자 수송 및 주입층(14) 상에 형성된 제2 전극(15; cathode), 제2 전극(15) 상에 형성된 보호층(17) 및 보호층(17) 상에 형성된 광 확산층(16)을 포함한다. 도 3에 개시된 유기 전계 발광 표시 소자(1)의 구조는 보호층(17)을 제외하고는 도 1에 개시된 구성요소들과 동일하므로, 설명의 편의상 다른 구성요소에 대한 설명은 도 1 및 도 2의 설명을 참조한다.
상기 보호층(17)은 제2 전극(15)과 광 확산층(16) 사이에 형성되는 것으로, 광 확산층(16)과 마찬가지로 무기계 물질을 이용하여 형성한다. 보호층(17)은 광 확산층(16)을 통해 유입될 수 있는 산소 및 수분 등과 같은 이물질의 유입을 차단하는 역할과 함께 광 확산 역할도 수행할 수 있다. 이에 의해, 보호층(17)은 발광층(13)을 포함한 다른 유기층을 외부 환경(예를 들면, 플라즈마 영향, 이물질 유입 등)으로부터 보호한다.
보호층(17)은 광확산층(16)과 마찬가지로 무기계 물질(ZnO, ZrO2, TiO2 , Al2O3, SiO2, 및 SnO2 중 적어도 하나)로 형성되며, 수백 Å의 범위(예를 들면, 100 ~ 1000Å)에서 형성된다. 특히, 보호층(17)은 광확산층(16)의 결정 성장 방향과 수직한 방향으로 성장시키는 경우에 외부로부터의 이물질 유입을 더욱 효율적으로 차단할 수 있다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 제1 및 제2 실시 예에 따른 광 확산층이 적용된 유기 전계 발광 표시 소자의 발광 투과도 특성을 설명하기 위한 개략적인 도면이다. 도 5a 및 도 5b를 참조하면, 발광층(13)에서 발광된 빛(a; R, G, B)의 투과도 특성을 설명한다.
우선, 도 5a를 참조하면, 발광층(13)에서 빛(a)이 생성되면, 생성된 빛(a)의 일부는 광 확산층(16)을 통해 수직으로 통과한다(수직 투과 빛; d). 생성된 빛(a) 중 다른 일부는 광 확산층(16)을 통과하는 중에 광 확산층(16)의 표면 부분에서 확산되거나(c), 광 확산층(16)의 표면에서 산란되어 광 확산층(16) 외부로 확산된다(b). 도 5b를 참조하면, 발광층(13)에서 빛(a)이 생성되면, 생성된 빛(a)의 일부는 보호층(17) 및 광 확산층(16)을 통해 수직으로 통과한다(수직 투과 빛; d). 생성된 빛(a) 중 일부는 보호층(17)의 표면에서 확산되거나(b), 보호층(17)을 통과한 다음 광 확산층(16)을 통과하는 중에 광 확산층(16)의 표면 부분에서 확산되거나(c), 광 확산층(16)의 표면에서 산란되어 광 확산층(16) 외부로 확산된다(e).
이상, 본 발명에 따른 광 확산층(16) 및 보호층(17)을 유기 전계 발광 표시 소자에 적용하는 경우에는, 발광층(13)에서 발광된 빛(a)의 다양한 확산 경로(b ~d, 또는 b ~ e)에 의해, 휘도 및 콘트라스트를 향상시킨다.
전술한 바와 같이, 유기 전계 발광 표시 소자 제조 방법을 이용하여 제조된 유기 전계 발광 표시 소자는 전면 발광 가능한 유기 전계 발광 표시 장치 및 면 조명 장치 등에 다양하게 적용할 수 있다.
이상 본 발명의 바람직한 실시 예를 첨부도면에 따라 상세하게 설명하였지만, 이는 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세하게 설명하기 위한 것이지, 본 발명의 기술적인 범주 및 사상이 한정되는 것을 의미하지는 않는다.
이상 전술한 구성에 따르면, 전면 발광 유기 전계 발광 표시 소자에 표면 요철 패턴이 형성된 굴절율 구배를 갖는 광확산층을 형성함으로써, 광확산층에 형성된 표면요철 및 광확산층의 굴절율 구배를 이용하여 발광층에서 방출되는 빛의 확산을 극대화시켜 휘도를 향상시키며, 대기로부터의 산소 또는 수분 등으로부터 발광층을 보호하여 수명을 연장할 수 있다.

Claims (13)

  1. 기판상에 형성된 제1 전극;
    상기 제1 전극 상에 형성된 발광층을 포함하는 유기층;
    상기 유기층 상에 형성되는 제2 전극; 및
    상기 제2 전극 상에 형성되고, 상기 제2 전극에서 멀어질수록 굴절율이 커지는 굴절율 구배를 가지며, 표면에 요철 패턴이 형성되어 있는 무기 물질로 형성된 광 확산층을 포함하며,
    상기 광 확산층의 굴절율 구배 및 상기 광 확산층의 표면에 형성된 요철 패턴에 의해 상기 발광층에서 발광된 광의 확산 및 산란이 증가되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2 전극과 상기 광 확산층 사이에 형성되며, 상기 광 확산층을 통해 이물질의 유입되는 것을 방지하는 무기 물질로 형성된 보호층을 더 포함하는 유기 전계 발광 표시 소자.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 광 확산층 및 상기 보호층은 ZnO, ZrO2, TiO2, Al2O3, SiO2 및 SnO2 중 적어도 하나로 형성되는 유기 전계 발광 표시 소자.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 광확산층을 상기 ZnO로 형성하는 경우, Ga 및 Al 중 적어도 하나를 더 포함하는 유기 전계 발광 표시 소자.
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서,
    상기 광 확산층의 굴절율이 1.4 ~ 5 범위인 유기 전계 발광 표시 소자.
  7. 기판상에 제1 전극을 형성하는 단계;
    상기 제1 전극 상에 발광층을 포함하는 유기층을 형성하는 단계;
    상기 유기층 상에 제2 전극을 형성하는 단계; 및
    상기 제2 전극에서 멀어질수록 굴절율이 커지는 굴절율 구배를 가지며, 표면에 요철 패턴이 형성되어 있는 무기 물질로 형성된 광 확산층을 제2 전극 상에 형성하는 단계를 포함하며,
    물리기상증착(PVD; Physical Vapor Deposition) 방법, 전자 빔 증착(E-beam evaporation) 방법, 화학기상증착(chemical vapor deposition) 방법, 이온 플레이팅(ion-plating) 방법, 및 스퍼터링 방법 중 하나를 이용하여 상기 제2 전극의 증착 방향과 수직한 방향으로 상기 광 확산층의 결정 성장 방향을 조절하여 상기 광 확산층의 표면에 요철 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 소자의 제조방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 광 확산층을 형성하기 전에, 외부로부터 산소 또는 수분이 유입되는 것을 방지하는 무기 물질로 형성된 보호층을 상기 제2 전극 상에 형성하는 단계를 더 포함하는 유기 전계 발광 표시 소자의 제조방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 보호층은 물리기상증착(PVD; Physical Vapor Deposition) 방법, 전자 빔 증착(E-beam evaporation) 방법, 화학기상증착(chemical vapor deposition) 방법, 이온 플레이팅(ion-plating) 방법, 및 스퍼터링 방법 중 하나를 이용하여 형성되는 유기 전계 발광 표시 소자의 제조방법.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 광확산층은 상기 스퍼터링 방법으로 진공상태에서 연속 공정으로 500 ~ 2000 Å 범위의 두께로 적어도 하나의 층으로 형성되는 유기 전계 발광 표시 소자의 제조방법.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 광 확산층 및 상기 보호층은 ZnO, ZrO2, TiO2, Al2O3, SiO2 및 SnO2 중 적어도 하나로 형성되는 유기 전계 발광 표시 소자의 제조방법.
  12. 삭제
  13. 제7항에 있어서,
    상기 유기층을 형성하는 단계에서는 상기 제1 전극 상에 정공 주입 및 수송층, 발광층, 및 전자 수송 및 주입층을 순차적으로 형성하는 유기 전계 발광 표시 소자의 제조 방법.
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