KR100842748B1 - 포토마스크 제조방법 - Google Patents

포토마스크 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100842748B1
KR100842748B1 KR1020070011153A KR20070011153A KR100842748B1 KR 100842748 B1 KR100842748 B1 KR 100842748B1 KR 1020070011153 A KR1020070011153 A KR 1020070011153A KR 20070011153 A KR20070011153 A KR 20070011153A KR 100842748 B1 KR100842748 B1 KR 100842748B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
film
light blocking
gas
plasma treatment
blocking film
Prior art date
Application number
KR1020070011153A
Other languages
English (en)
Inventor
전재영
Original Assignee
주식회사 하이닉스반도체
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 하이닉스반도체 filed Critical 주식회사 하이닉스반도체
Priority to KR1020070011153A priority Critical patent/KR100842748B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100842748B1 publication Critical patent/KR100842748B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C03C17/36—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
    • C03C17/3602—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer
    • C03C17/3649—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer made of metals other than silver
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명의 포토마스크 제조방법은, 투명기판 위에 광차단막을 형성하는 단계와, 광차단막 표면에 플라즈마 처리를 하여 표면을 매끄럽게 하는 단계와, 그리고 광차단막을 패터닝하여 광차단막패턴을 형성하는 단계를 포함한다.
포토마스크, 바이너리 마스크, 위상반전마스크, 성장성이물, 헤이즈, 플라즈마 처리

Description

포토마스크 제조방법{Method of fabricating photomask}
도 1 내지 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 포토마스크 제조방법을 설명하기 위해 나타내 보인 단면도들이다.
도 4 내지 도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 포토마스크 제조방법을 설명하기 위해 나타내 보인 단면도들이다.
본 발명은 포토마스크 제조방법에 관한 것으로서, 특히 헤이즈(haze) 발생이 억제되도록 하는 포토마스크 제조방법에 관한 것이다.
최근 반도체소자가 고집적화되면서 웨이퍼 상에 형성되는 패턴의 크기가 미세해지고, 이러한 미세 패턴을 형성하기 위하여 포토마스크를 사용하는 포토리소그라피(photolithography) 공정이 이용되고 있다. 포토마스크에는 바이너리(binary) 마스크, 위상반전마스크(phase shift mask)를 포함하여 여러 종류가 있으나, 최근에는 높은 해상력이 실현되고 초점심도(depth of focus)를 증가시킬 수 있는 위상반전마스크가 주로 사용되고 있다.
바이너리 마스크는 쿼츠와 같은 투명기판 위에 크롬막으로 이루어지는 광차 단막패턴이 배치되는 구조를 갖는다. 위상반전마스크는 투명기판 위에 몰리브데늄(Mo)이 포함된 막질로 이루어지는 위상반전막패턴이 배치되고, 위상반전막패턴의 일부표면 위에 광차단막패턴이 배치되는 구조를 갖는다. 이와 같은 포토마스크를 제조하기 위해서는, 광차단막 및 위상반전막의 적층공정, 레지스트막패턴을 이용한 식각공정 및 세정공정을 수행하여야 한다. 그런데 이와 같은 공정을 수행한 결과, 포토마스크 표면에 잔류이온들이 남아있을 수 있으며, 이 잔류이온들은 노광시 노광에너지에 의해 서로 반응하여 점점 그 크기가 커지는 성장성 결함인 헤이즈(haze)를 만든다.
헤이즈의 생성원인에는 여러 가지가 있지만, 그 중 하나는 적층공정에 의해 적층된 막질의 표면상태이다. 즉 광차단막 또는 위상반전막을 그 표면이 매끄럽지 못하고 다소 거칠게 증착하는 경우, 헤이즈의 원인이 되는 잔류이온들이 보다 많이 생길 수 있다. 헤이즈는 노광공정시 원하지 않는 패턴전사를 야기하여 소자 제조과정에서 불량을 발생시킬 수 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 적층된 막질 표면에 잔류이온들의 밀도를 감소시켜 헤이즈가 발생하는 것을 억제할 수 있는 포토마스크 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 포토마스크 제조방법은, 투명기판 위에 광차단막을 형성하는 단계; 상기 광차단막 표면에 플라즈마 처리를 하여 표면을 매끄럽게 하는 단계; 및 상기 광차단막을 패터닝하여 광차단막패턴을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 플라즈마 처리는 아르곤(Ar) 가스, 헬륨(He) 가스 및 산소(O2) 가스를 사용하여 수행할 수 있다.
상기 플라즈마 처리를 수행한 후에 세정공정을 수행하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 광차단막은 크롬(Cr)막으로 형성할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 포토마스크 제조방법은, 투명기판 위에 위상반전막을 형성하는 단계; 상기 위상반전막 표면에 제1 플라즈마 처리를 하여 표면을 매끄럽게 하는 단계; 상기 위상반전막 위에 광차단막을 형성하는 단계; 상기 광차단막 표면에 제2 플라즈마 처리를 하여 표면을 매끄럽게 하는 단계; 및 상기 광차단막 및 위상반전막을 패터닝하여 광차단막패턴 및 위상반전막패턴을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 제1 플라즈마 처리는 아르곤(Ar) 가스, 헬륨(He) 가스 및 산소(O2) 가스를 사용하여 수행할 수 있다.
상기 제1 플라즈마 처리를 수행한 후에 세정공정을 수행하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 제2 플라즈마 처리는 아르곤(Ar) 가스, 헬륨(He) 가스 및 산소(O2) 가스를 사용하여 수행할 수 있다.
상기 제2 플라즈마 처리를 수행한 후에 세정공정을 수행하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 위상반전막은 몰리브데늄(Mo)막으로 형성하고, 상기 광차단막은 크롬(Cr)막으로 형성할 수 있다.
이하 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어져서는 안된다.
도 1 내지 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 바이너리 포토마스크 제조방법을 설명하기 위해 나타내 보인 단면도들이다.
먼저 도 1에 나타낸 바와 같이, 쿼츠(quartz)와 같은 투명기판(110) 위에 광차단막(120)을 형성한다. 광차단막(120)은 크롬(Cr)막으로 형성할 수 있다. 다음에 도 2에 나타낸 바와 같이, 광차단막(120)에 대해 아르곤(Ar) 가스, 헬륨(He) 가스 및 산소(O2) 가스를 이용한 플라즈마 처리를 수행한다. 이 플라즈마 처리에 의해 광차단막(120) 표면 거칠기(roughness)가 개선되어 매끄럽게 되고, 광차단막(120) 표면에는 얇은 산화막(130)이 만들어진다. 이와 같이 플라즈마 처리에 의해 광차단막(120) 표면 거칠기가 개선됨에 따라, 헤이즈의 원인이 되는 이온들이 잔류하는 것을 억제할 수 있다. 플라즈마 처리를 수행한 후에는 통상의 세정공정을 수행한다. 다음에 도 3에 나타낸 바와 같이, 레지스트막패턴(미도시)을 이용한 패터닝을 수행하여 광차단막패턴(122) 및 산화막패턴(132)을 형성한다.
도 4 내지 도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 위상반전마스크 제조방법을 설명하기 위해 나타내 보인 단면도들이다.
먼저 도 4에 나타낸 바와 같이, 쿼츠와 같은 투명기판(410) 위에 위상반전막(420)을 형성한다. 위상반전막(420)은 몰리브데늄(Mo)막으로 형성할 수 있다. 다음에 도 5에 나타낸 바와 같이, 위상반전막(420)에 대해 아르곤(Ar) 가스, 헬륨(He) 가스 및 산소(O2) 가스를 이용한 제1 플라즈마 처리를 수행한다. 이 제1 플라즈마 처리에 의해 위상반전막(420) 표면 거칠기가 개선되어 매끄럽게 되고, 위상반전막(420) 표면에는 얇은 제1 산화막(430)이 만들어진다. 이와 같이 제1 플라즈마 처리에 의해 위상반전막(420) 표면 거칠기가 개선됨에 따라, 헤이즈의 원인이 되는 이온들이 위상반전막(420) 표면에 잔류하는 것을 억제할 수 있다. 제1 플라즈마 처리를 수행한 후에는 세정공정을 수행한다.
다음에 도 6에 나타낸 바와 같이, 제1 산화막(430) 위에 광차단막(440)을 형성한다. 광차단막(440)은 크롬(Cr)막으로 형성할 수 있다. 다음에 도 7에 나타낸 바와 같이, 광차단막(440)에 대해 아르곤(Ar) 가스, 헬륨(He) 가스 및 산소(O2) 가스를 이용한 제2 플라즈마 처리를 수행한다. 이 제2 플라즈마 처리에 의해 광차단막(440) 표면 거칠기가 개선되어 매끄럽게 되고, 광차단막(440) 표면에는 얇은 제2 산화막(450)이 만들어진다. 이와 같이 제2 플라즈마 처리에 의해 광차단막(440) 표면 거칠기가 개선됨에 따라, 헤이즈의 원인이 되는 이온들이 광차단막(440) 표면에 잔류하는 것을 억제할 수 있다. 플라즈마 처리를 수행한 후에는 통상의 세정공정을 수행한다.
다음에 도 8에 나타낸 바와 같이, 제2 산화막(450) 위에 제1 레지스트막패턴(460)을 형성한다. 이 제1 레지스트막패턴(460)은 제2 산화막(450)의 일부 표면을 노출시키는 개구부들(openings)을 갖는다. 다음에 제1 레지스트막패턴(460)을 식각마스크로 한 식각으로 제2 산화막(450), 광차단막(440), 제1 산화막(430) 및 위상반전막(420)의 노출부분을 순차적으로 제거한다.
그러면 도 9에 나타낸 바와 같이, 투명기판(410) 위에 위상반전막패턴(422), 제1 산화막패턴(432), 광차단막패턴(442) 및 제2 산화막패턴(452)이 순차적으로 적층되는 구조가 만들어진다. 다음에 제1 레지스트막패턴(460)을 제거한다. 이어서 제2 산화막패턴(452)의 일부 표면 위에 제2 레지스트막패턴(470)을 형성한다. 다음에 제2 레지스트막패턴(470)을 식각마스크로 한 식각으로 제2 산화막패턴(452), 광차단막패턴(442) 및 제1 산화막패턴(432)의 노출부분을 순차적으로 제거한다. 그러면 도 10에 나타낸 바와 같이, 투명기판(410) 위의 일부 영역에서는 위상반전막패턴(422), 제1 산화막패턴(432), 광차단막패턴(442) 및 제2 산화막패턴(452)이 순차적으로 적층되는 구조가 만들어지고, 투명기판(410)의 다른 영역에서는 위상반전막패턴(422)이 노출되는 구조가 만들어지며, 투명기판(410)의 또 다른 영역에서는 투명기판(410) 표면이 노출되는 구조가 만들어진다. 이후 제2 레지스트막패턴(470)을 제거한다.
지금까지 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 포토마스크 제조방법에 따르면, 바이너리 마스크의 경우 광차단막을 형성한 후, 그리고 위상반전마스크의 경우 위상반전막 및 광차단막을 형성한 후, 각각 플라즈마 처리를 하여 표면 상태를 매끄럽게 함으로써 잔류이온의 밀도를 감소시킬 수 있으며, 따라서 이 잔류이온에 의한 헤이즈 발생을 억제시킬 수 있다는 이점에 제공된다.
이상 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 변형이 가능함은 당연하다.

Claims (10)

  1. 투명기판 위에 광차단막을 형성하는 단계;
    상기 광차단막 표면에 아르곤(Ar) 가스, 헬륨(He) 가스 및 산소(O2) 가스를 이용한 플라즈마 처리를 하여 표면을 매끄럽게 하는 단계; 및
    상기 광차단막을 패터닝하여 광차단막패턴을 형성하는 단계를 포함하는 포토마스크 제조방법.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 광차단막은 크롬(Cr)막으로 형성하는 포토마스크 제조방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 플라즈마 처리를 수행한 후에 세정공정을 수행하는 단계를 더 포함하는 포토마스크 제조방법.
  5. 투명기판 위에 위상반전막을 형성하는 단계;
    상기 위상반전막 표면에 아르곤(Ar) 가스, 헬륨(He) 가스 및 산소(O2) 가스를 이용한 제1 플라즈마 처리를 하여 표면을 매끄럽게 하는 단계;
    상기 위상반전막 위에 광차단막을 형성하는 단계;
    상기 광차단막 표면에 아르곤(Ar) 가스, 헬륨(He) 가스 및 산소(O2) 가스를 이용한 제2 플라즈마 처리를 하여 표면을 매끄럽게 하는 단계; 및
    상기 광차단막 및 위상반전막을 패터닝하여 광차단막패턴 및 위상반전막패턴을 형성하는 단계를 포함하는 포토마스크 제조방법.
  6. 삭제
  7. 제5항에 있어서,
    상기 제1 플라즈마 처리를 수행한 후에 세정공정을 수행하는 단계를 더 포함하는 포토마스크 제조방법.
  8. 삭제
  9. 제5항에 있어서,
    상기 제2 플라즈마 처리를 수행한 후에 세정공정을 수행하는 단계를 더 포함하는 포토마스크 제조방법.
  10. 제5항에 있어서,
    상기 위상반전막은 몰리브데늄(Mo)막으로 형성하고, 상기 광차단막은 크롬(Cr)막으로 형성하는 포토마스크 제조방법.
KR1020070011153A 2007-02-02 2007-02-02 포토마스크 제조방법 KR100842748B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070011153A KR100842748B1 (ko) 2007-02-02 2007-02-02 포토마스크 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070011153A KR100842748B1 (ko) 2007-02-02 2007-02-02 포토마스크 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100842748B1 true KR100842748B1 (ko) 2008-07-01

Family

ID=39823362

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070011153A KR100842748B1 (ko) 2007-02-02 2007-02-02 포토마스크 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100842748B1 (ko)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0469656A (ja) * 1990-07-10 1992-03-04 Nec Corp 位相シフトマスクおよびその製造方法
JPH1031313A (ja) * 1996-07-17 1998-02-03 Oki Electric Ind Co Ltd マスク基板へのレジストの塗布方法
KR20000066132A (ko) * 1999-04-13 2000-11-15 김영환 하프톤 위상 반전 마스크 제조방법
KR100422822B1 (ko) 1996-10-05 2004-06-16 주식회사 하이닉스반도체 건식식각을이용한마스크의제조방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0469656A (ja) * 1990-07-10 1992-03-04 Nec Corp 位相シフトマスクおよびその製造方法
JPH1031313A (ja) * 1996-07-17 1998-02-03 Oki Electric Ind Co Ltd マスク基板へのレジストの塗布方法
KR100422822B1 (ko) 1996-10-05 2004-06-16 주식회사 하이닉스반도체 건식식각을이용한마스크의제조방법
KR20000066132A (ko) * 1999-04-13 2000-11-15 김영환 하프톤 위상 반전 마스크 제조방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI627494B (zh) 半色調相位移型空白光罩及其製造方法
TWI684060B (zh) 相位移光罩空白片、相位移光罩及相位移光罩空白片的製造方法
KR102217760B1 (ko) 하프톤 위상 시프트 마스크 블랭크 및 하프톤 위상 시프트 마스크
KR100589095B1 (ko) 위상 시프트 마스크
TWI741162B (zh) 半色調相位移型空白光罩
JP2015111246A (ja) ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク、ハーフトーン位相シフト型フォトマスク及びパターン露光方法
TWI742254B (zh) 空白光罩
JP6477159B2 (ja) ハーフトーン位相シフトマスクブランクス及びハーフトーン位相シフトマスクブランクスの製造方法
JP2011065113A (ja) 位相シフトマスク、その製造方法及び半導体装置の製造方法
KR102493632B1 (ko) 위상 시프트형 포토마스크 블랭크 및 위상 시프트형 포토마스크
KR100842748B1 (ko) 포토마스크 제조방법
TW201842399A (zh) 空白光罩、光罩及光罩之製造方法
JP2018063441A (ja) ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク、ハーフトーン位相シフト型フォトマスク及びパターン露光方法
JP7331793B2 (ja) フォトマスクの製造方法及びフォトマスクブランク
JP6627926B2 (ja) 位相シフトマスクブランクスの製造方法
KR20070000534A (ko) 노광용 마스크 제조방법
WO2011027647A1 (ja) ハーフトーンマスクの製造方法及びハーフトーンマスク
JP2021173944A (ja) フォトマスクの製造方法
JP2020190737A (ja) フォトマスクブランク
KR100914287B1 (ko) 위상반전마스크의 제조방법
KR20090106892A (ko) 블랭크 포토마스크 및 이를 이용한 포토마스크 제조방법
KR20110061982A (ko) 하프톤 위상반전 마스크의 제조방법
KR20100134454A (ko) 블랭크마스크 및 이를 이용한 포토마스크 제조방법
JP2018159960A (ja) ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク及びその製造方法
KR20080001466A (ko) 하프톤 위상반전마스크 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20110526

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee