KR100837626B1 - spin head and the method for treating the substrate using the same - Google Patents

spin head and the method for treating the substrate using the same Download PDF

Info

Publication number
KR100837626B1
KR100837626B1 KR1020060087947A KR20060087947A KR100837626B1 KR 100837626 B1 KR100837626 B1 KR 100837626B1 KR 1020060087947 A KR1020060087947 A KR 1020060087947A KR 20060087947 A KR20060087947 A KR 20060087947A KR 100837626 B1 KR100837626 B1 KR 100837626B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
chucking
chucking pin
pin
rotation
Prior art date
Application number
KR1020060087947A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20080023860A (en
Inventor
박근영
이세원
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020060087947A priority Critical patent/KR100837626B1/en
Publication of KR20080023860A publication Critical patent/KR20080023860A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100837626B1 publication Critical patent/KR100837626B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68728Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00Material or article handling
    • Y10S414/135Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/141Associated with semiconductor wafer handling includes means for gripping wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

기판을 척킹하는 척킹부재는 기판의 측부를 척킹하며, 회전중심으로부터 편심된 척킹핀을 구비한다. 척킹핀이 상기 기판의 측부를 척킹한 상태에서 척킹핀과 접촉하는 기판의 접점에 대한 접선과 척킹핀이 이루는 각은 예각이며, 척킹핀은 유선형(streamline shape)의 횡단면을 가진다.The chucking member for chucking the substrate chucks the side of the substrate and has a chucking pin eccentric from the center of rotation. An angle formed between the tangential to the contact point of the substrate contacting the chucking pin and the chucking pin in the state where the chucking pin chucks the side of the substrate is an acute angle, and the chucking pin has a streamline shape cross section.

척킹핀, 예각, 유선형 Chucking Pin, Acute, Streamline

Description

스핀헤드 및 이를 이용한 기판처리방법{spin head and the method for treating the substrate using the same}Spin head and the method for treating the substrate using the same}

도 1은 본 발명에 따른 스핀헤드를 개략적으로 나타내는 사시도이다.1 is a perspective view schematically showing a spin head according to the present invention.

도 2는 본 발명에 따른 척킹부재를 나타내는 사시도이다.2 is a perspective view showing a chucking member according to the present invention.

도 3a 및 도 3b는 본 발명에 따른 기판의 척킹상태를 나타내는 도면이다.3A and 3B illustrate a chucking state of a substrate according to the present invention.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

10 : 플레이트 11 : 지지핀10 plate 11: support pin

12 : 관통홀 100 : 척킹부재12: through hole 100: chucking member

120 : 척킹핀 122 : 전단부120: chucking pin 122: shear

124 : 후단부 140 : 회전축124: rear end 140: rotation axis

본 발명은 기판을 척킹하는 척킹부재 및 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판의 측부를 척킹한 상태에서 기판과 함께 회전하는 척킹부재 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a chucking member and a method for chucking a substrate, and more particularly, to a chucking member and a method for rotating together with the substrate while chucking the side of the substrate.

반도체 제조 공정은 다양한 공정들을 통하여 반도체 기판(semiconductor substrate), 유리 기판(glass substrate) 또는 액정 패널(liquid crystal panel) 등과 같은 기판(substrate) 상에 원하는 패턴을 형성한다. 현재, 에칭 공정, 세정 공정에서는 웨이퍼를 회전(스피닝; spinning)시켜서 웨이퍼 상의 잔유물 또는 박막 등을 제거하는 공정이 수행된다. 이때, 스피닝 동작(spinning operation)은 웨이퍼와 같은 기판을 수천 RPM까지 회전시키면서 순수(deionized water) 또는 식각액 또는 세정액을 공급하면서 진행된다. 물론, 이와 같은 기판을 스피닝하면서 수행되는 공정은 세정공정 뿐만 아니라 포토레지스 공정 등 다른 종류의 반도체 제조 공정에서도 다양하게 사용되고 있다. Mackawa 등에 의한 U.S. Pat. NO. 5,860,181에서는 이와 같이 웨이퍼를 스피닝하기 위한 스핀헤드와 관련하여 기본적인 다양한 기술적 사항들을 개시하고 있다.The semiconductor manufacturing process forms a desired pattern on a substrate such as a semiconductor substrate, a glass substrate, or a liquid crystal panel through various processes. At present, in the etching process and the cleaning process, a process of removing residues or thin films on the wafer by spinning the wafer is performed. At this time, a spinning operation is performed while supplying deionized water or etching liquid or cleaning liquid while rotating a substrate such as a wafer to several thousand RPM. Of course, the process performed while spinning the substrate is used in various kinds of semiconductor manufacturing processes such as photoresist process as well as the cleaning process. U.S. by Mackawa et al. Pat. NO. 5,860,181 discloses various basic technical matters related to the spin head for spinning the wafer.

일반적으로, 스핀헤드는 웨이퍼의 뒷면을 진공으로 흡착시켜서 고정하는 방법과 실린더나 모터를 사용하여 웨이퍼의 측면으로부터 웨이퍼의 가장자리(edge)를 기계적으로 고정하는 방법이 주로 사용된다.In general, the spin head is mainly used to fix the back side of the wafer by vacuum adsorption and to mechanically fix the edge of the wafer from the side of the wafer using a cylinder or a motor.

실린더나 모터를 구동시켜서 웨이퍼의 측면으로부터 웨이퍼의 측부를 기계적으로 고정하는 방법은 회전축으로부터 편심된 척킹핀이 회전에 의하여 웨이퍼의 측부와 접촉하며, 복수의 척킹핀이 웨이퍼의 측부에 접촉한 상태에서 웨이퍼를 지지한다. 지지된 웨이퍼는 고속으로 회전하며, 웨이퍼의 상부에는 처리액이 공급된다.In the method of mechanically fixing the side of the wafer from the side of the wafer by driving a cylinder or a motor, a chucking pin eccentrically rotated from the rotating shaft contacts the side of the wafer by rotation, and a plurality of chucking pins are in contact with the side of the wafer. Support the wafer. The supported wafer rotates at high speed, and a processing liquid is supplied to the top of the wafer.

그러나, 종래의 척킹핀은 다음과 같은 문제점이 있다.However, the conventional chucking pin has the following problems.

첫째, 척킹핀의 형상으로 인하여 척킹핀의 후단부에 와류(vortex)가 형성된다. 회전하는 웨이퍼에 처리액이 공급되면 공급된 처리액은 척킹핀의 외주면을 따 라 웨이퍼의 외부로 배출된다. 이때, 척킹핀의 후단부에 와류가 형성될 수 있으며, 와류가 형성되는 경우 처리액은 원활하게 배출될 수 없다.First, a vortex is formed at the rear end of the chucking pin due to the shape of the chucking pin. When the processing liquid is supplied to the rotating wafer, the supplied processing liquid is discharged to the outside of the wafer along the outer circumferential surface of the chucking pin. At this time, a vortex may be formed at the rear end of the chucking pin, and when the vortex is formed, the treatment liquid may not be smoothly discharged.

둘째, 기판의 배면에 공급되어 기판의 배면을 따라 외부로 배출되는 세정액이 기판을 척킹한 상태에서 기판의 배면에 근접한 척킹핀으로 인하여 기판의 배면으로 재유입될 수 있다. 이는 기판의 배면을 오염시키는 원인이 될 수 있다.Second, the cleaning liquid supplied to the rear surface of the substrate and discharged to the outside along the rear surface of the substrate may be re-introduced into the rear surface of the substrate due to the chucking pins close to the rear surface of the substrate while the substrate is chucked. This may cause contamination of the back of the substrate.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 기판의 상부면으로부터 배출되는 처리액이 기판의 외부로 원활하게 배출될 수 있는 기판을 척킹하는 척킹부재 및 이를 이용한 기판처리방법을 제공하는 데 있다.The present invention is to solve the above-described problems, an object of the present invention is to provide a chucking member and a substrate processing method using the same for chucking the substrate can be smoothly discharged to the outside of the substrate processing liquid discharged from the upper surface of the substrate To provide.

본 발명의 다른 목적은 기판의 배면에 공급되어 기판의 외부로 배출되는 처리액이 척킹부재로 인하여 기판의 배면으로 재유입되는 것을 방지할 수 있는 기판을 척킹하는 척킹부재 및 이를 이용한 기판처리방법을 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide a chucking member and a substrate processing method using the same for chucking a substrate which can be prevented from being re-introduced to the back of the substrate due to the chucking member is supplied to the back of the substrate discharged to the outside of the substrate To provide.

본 발명에 의하면, 스핀헤드는 회전가능한 지지 플레이트와, 상기 지지 플레이트의 상부면에 설치되며 상기 지지 플레이트 상에 로딩된 기판이 회전으로 인하여 상기 지지 플레이트로부터 이탈되는 것을 방지하기 위하여 상기 기판의 측부를 지지하는 척킹부재들을 포함하되, 상기 척킹부재는 회전축과, 상기 회전축의 상부에 상기 회전축의 회전중심으로부터 편심되도록 위치하며 상기 기판의 측부를 척킹하는 척킹핀을 포함하며, 상기 척킹핀이 상기 기판의 측부를 척킹한 상태에서 상기 척킹핀과 접촉하는 상기 기판의 접점에 대한 접선과 상기 척킹핀이 이루는 각은 예 각이다.According to the present invention, the spin head has a rotatable support plate and a side portion of the substrate installed on the upper surface of the support plate and to prevent the substrate loaded on the support plate from being released from the support plate due to rotation. And supporting chucking members, wherein the chucking member includes a rotating shaft and a chucking pin positioned at an upper portion of the rotating shaft so as to be eccentric from the center of rotation of the rotating shaft, and chucking a side of the substrate, wherein the chucking pin is formed of the substrate. An angle formed between the tangential to the contact point of the substrate in contact with the chucking pin and the chucking pin in the chucked state is an acute angle.

상기 척킹핀은 상기 기판을 척킹한 상태에서 상기 기판의 회전으로 인하여 발생되는 기류의 흐름에 대하여 전단에 위치하며 상기 기판의 측부와 접촉하는 전단부와, 상기 기류의 흐름에 대하여 후단에 위치하는 후단부를 포함할 수 있다.The chucking pin is positioned at the front end with respect to the flow of air flow generated by the rotation of the substrate in the state of chucking the substrate, and the rear end at the rear end with respect to the flow of the air flow, and the rear end of the chucking pin. It may include wealth.

상기 회전축은 상기 기판의 측부로부터 기설정된 거리만큼 이격된 위치에 배치되고, 상단에 상기 후단부가 연결될 수 있다.The rotating shaft may be disposed at a position spaced apart from the side of the substrate by a predetermined distance, and the rear end may be connected to an upper end thereof.

상기 접선과 상기 척킹핀이 이루는 각은 상기 접선과 상기 기판으로부터 배출되는 처리액의 운동방향이 이루는 각과 대체로 동일할 수 있다.The angle formed by the tangent line and the chucking pin may be substantially the same as the angle formed by the direction of movement of the treatment liquid discharged from the tangent line and the substrate.

상기 척킹핀은 유선형의 횡단면을 가질 수 있다.The chucking pin may have a streamlined cross section.

본 발명에 의하면, 스핀헤드를 이용하여 척킹한 상태에서 기판을 처리하는 방법에 있어서, 회전축을 회전시켜 상기 회전축의 상부에 상기 회전축의 회전중심으로부터 편심되도록 배치된 척킹핀이 상기 기판의 측부와 접촉하도록 하고, 상기 기판을 회전시킨 상태에서 상기 기판의 상부에 처리액을 공급하여 기판을 처리하되, 상기 척킹핀이 상기 기판의 측부를 척킹한 상태에서 상기 척킹핀과 접촉하는 상기 기판의 접점에 대한 접선과 상기 척킹핀이 이루는 각은 예각이다.According to the present invention, in a method of processing a substrate in a chucking state using a spin head, a chucking pin disposed to be eccentric from the center of rotation of the rotating shaft by rotating the rotating shaft to contact the side of the substrate. And processing the substrate by supplying a treatment liquid to the upper portion of the substrate while the substrate is rotated, wherein the chucking pin contacts the chucking pin in contact with the chucking pin while the side of the substrate is chucked. The angle between the tangent line and the chucking pin is an acute angle.

상기 척킹핀이 상기 기판의 측부와 접촉하는 단계는 상기 기판의 회전으로 인하여 발생되는 기류의 흐름에 대하여 전단에 위치하는 상기 척킹핀의 전단부를 상기 기판의 측부와 접촉시킬 수 있다.The step of contacting the chucking pins with the side of the substrate may contact the front end of the chucking pins located at the front end with respect to the flow of air flow generated by the rotation of the substrate.

상기 회전축은 상기 기판의 측부로부터 기설정된 거리만큼 이격된 위치에서 회전될 수 있다.The rotation axis may be rotated at a position spaced apart from the side of the substrate by a predetermined distance.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도 1 내지 도 3b를 참고하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 설명하는 실시예에 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 상세하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에 나타난 각 요소의 형상은 보다 분명한 설명을 강조하기 위하여 과장될 수 있다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to FIGS. 1 to 3B. Embodiment of the present invention may be modified in various forms, the scope of the present invention should not be construed as limited to the embodiments described below. This embodiment is provided to explain in detail the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shape of each element shown in the drawings may be exaggerated to emphasize a more clear description.

이하에서는 기판의 일례로 웨이퍼(W)를 들어 설명하나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다.Hereinafter, the wafer W will be described as an example of the substrate, but the present invention is not limited thereto.

스핀헤드(1)는 웨이퍼(W)를 지지고정한 상태에서 웨이퍼(W)를 회전시킨다. 회전되는 웨이퍼(W)는 별도의 에칭장비, 또는 세정장비에 의하여 에칭공정 또는 세정공정을 수행한다.The spin head 1 rotates the wafer W while holding the wafer W thereon. The rotated wafer W performs an etching process or a cleaning process by separate etching equipment or cleaning equipment.

스핀헤드(1)는 원판 형상의 플레이트(10)와, 플레이트(10)의 가장자리를 따라 플레이트(10)의 상부에 배치된 척킹부재(100)들을 포함한다.The spin head 1 includes a disk-shaped plate 10 and chucking members 100 disposed on the plate 10 along the edge of the plate 10.

플레이트(10)는 웨이퍼(W)에 대응되는 크기의 원판 형상을 가지며, 플레이트(10)의 상부면에는 플레이트(10)의 가장자리를 따라 복수의 관통홀(12)들이 형성된다. 관통홀(12) 상에는 척킹부재(100)가 설치된다.The plate 10 has a disc shape having a size corresponding to the wafer W, and a plurality of through holes 12 are formed in the upper surface of the plate 10 along the edge of the plate 10. The chucking member 100 is installed on the through hole 12.

관통홀(12)들은 플레이트(10)의 중심을 기준으로 일정한 거리에 일정한 각도(θ)를 갖도록 형성된다. 이는 척킹부재(100)들이 웨이퍼(W)에 균일하게 힘을 가하기 위함이다. 본 실시예에서는 플레이트(10)에 6개의 관통홀(12)이 형성되며, 관통홀(12) 간의 각도(θ)는 60°로 제공된다. 그러나, 본 실시예와 다른 개수의 관통홀(12)이 제공되는 경우 관통홀(12) 간의 각도(θ)는 달라질 수 있다.The through holes 12 are formed to have a predetermined angle θ at a predetermined distance with respect to the center of the plate 10. This is for the chucking members 100 to apply a force uniformly to the wafer (W). In the present embodiment, six through holes 12 are formed in the plate 10, and the angle θ between the through holes 12 is provided at 60 °. However, when a different number of through holes 12 is provided than the present embodiment, the angle θ between the through holes 12 may vary.

한편, 플레이트(10)의 하부에는 별도의 구동장치(도시안됨)에 의하여 회전가능한 회전축(14)이 연결된다.
도 1에서 도면 번호 11은 웨이퍼(W)를 지지하는 지지핀(11)이다.
On the other hand, the lower portion of the plate 10 is connected to the rotary shaft 14 is rotatable by a separate drive (not shown).
In FIG. 1, reference numeral 11 is a support pin 11 that supports the wafer (W).

도 2는 본 발명에 따른 척킹부재(100)를 나타내는 사시도이다.2 is a perspective view showing the chucking member 100 according to the present invention.

도 2에 도시한 바와 같이, 척킹부재(100)는 척킹핀(120) 및 회전축(140)을 포함한다.As shown in FIG. 2, the chucking member 100 includes a chucking pin 120 and a rotating shaft 140.

척킹핀(120)은 웨이퍼(W)의 측부와 접촉한 상태에서 웨이퍼(W)를 지지한다. 척킹핀(120)은 후술하는 회전축(140)의 회전중심(A)으로부터 편심되도록 배치되므로 회전에 의하여 웨이퍼(W)의 측부와 접촉하거나 웨이퍼(W)의 측부로부터 이격될 수 있다.The chucking pin 120 supports the wafer W in contact with the side of the wafer W. Since the chucking pin 120 is disposed to be eccentric from the rotation center A of the rotation shaft 140 to be described later, the chucking pin 120 may be contacted with the side of the wafer W or may be spaced apart from the side of the wafer W by rotation.

도시한 바와 같이, 척킹핀(120)은 유선형(streamline shape)의 타원 형상이며, 전단에 위치하는 전단부(122)와, 후단에 위치하는 후단부(124)를 포함한다. 전단부(122)는 회전에 의하여 웨이퍼(W)의 측부와 접촉하거나 웨이퍼(W)의 측부로부터 이격되며, 후단부(124)의 하부에는 회전축(140)이 연결된다. 이에 대한 상세한 설명은 후술한다.As shown, the chucking pin 120 has an elliptic shape having a streamline shape, and includes a front end 122 positioned at the front end and a rear end 124 positioned at the rear end. The front end 122 is in contact with the side of the wafer (W) by rotation or spaced apart from the side of the wafer (W), the rotary shaft 140 is connected to the lower portion of the rear end (124). Detailed description thereof will be described later.

회전축(140)은 별도의 구동장치(도시안됨)에 의하여 회전된다. 회전축(140) 은 회전중심(A)을 기준으로 회전하며, 웨이퍼(W)는 회전축(140)의 회전에 의하여 척킹 상태 또는 언척킹 상태로 전환된다. 상술한 바와 같이, 회전축(140)의 회전으로 인하여 전단부(122)는 웨이퍼(W)를 향하여 접근하거나 웨이퍼(W)로부터 이격된다.The rotating shaft 140 is rotated by a separate driving device (not shown). The rotating shaft 140 rotates based on the rotation center A, and the wafer W is switched to the chucking state or the unchucking state by the rotation of the rotating shaft 140. As described above, due to the rotation of the rotary shaft 140, the front end 122 is approached toward or spaced apart from the wafer (W).

도 3a 및 도 3b는 본 발명에 따른 웨이퍼(W)의 척킹상태를 나타내는 도면이다.3A and 3B are views showing the chucking state of the wafer W according to the present invention.

상술한 바와 같이, 회전축(A)을 기준으로 척킹부재(100)가 회전하면, 척킹핀(120)의 전단부(122)는 웨이퍼(W)의 측부와 접촉하며, 전단부(122)에 의하여 웨이퍼(W)는 지지된다.As described above, when the chucking member 100 rotates based on the rotation axis A, the front end portion 122 of the chucking pin 120 is in contact with the side of the wafer W, by the front end portion 122 The wafer W is supported.

지지된 상태에서, 웨이퍼(W)가 반시계방향으로 회전하며 회전하는 웨이퍼(W)의 상부에 처리액이 공급되면, 공급된 처리액은 회전방향과 반대방향인 시계방향으로 회전하면서 웨이퍼(W)의 외부로 배출된다. 이때, 웨이퍼(W)의 가장자리를 떠나는 처리액의 운동방향(θ1)은 도 3a에 도시한 바와 같다.In the supported state, when the processing liquid is supplied to the upper portion of the rotating wafer W while the wafer W rotates in a counterclockwise direction, the supplied processing liquid rotates in a clockwise direction opposite to the rotation direction, and the wafer W Discharged outside). At this time, the movement direction θ 1 of the processing liquid leaving the edge of the wafer W is as shown in FIG. 3A.

상술한 바와 같이, 척킹핀(120)은 장축과 단축을 가지는 타원 형상이다. 웨이퍼(W)가 척킹핀(120)에 의하여 지지된 상태에서, 웨이퍼(W)의 접점에 대한 접선과 척킹핀(120)의 장축이 이루는 각도(θ2)는 접선과 처리액의 운동방향(θ1)과 대체로 일치한다. 즉, 척킹핀(120)이 웨이퍼(W)의 측부와 접촉한 상태에서, 장축의 방향과 처리액의 운동방향은 대체로 일치한다.As described above, the chucking pin 120 has an ellipse shape having a long axis and a short axis. In the state where the wafer W is supported by the chucking pin 120, the angle θ 2 formed between the tangent of the wafer W and the long axis of the chucking pin 120 is the direction of motion of the tangent and the processing liquid ( generally coincides with θ 1 ). That is, in the state where the chucking pin 120 is in contact with the side of the wafer W, the direction of the major axis and the direction of movement of the processing liquid generally coincide.

따라서, 웨이퍼(W)의 상부면으로부터 이탈하는 처리액이 척킹핀(120)에 부딪쳐 웨이퍼(W)의 상부면으로 재유입되는 것을 방지할 수 있다.Therefore, it is possible to prevent the processing liquid leaving the upper surface of the wafer W from hitting the chucking pin 120 and reintroducing into the upper surface of the wafer W.

척킹핀(120)의 횡단면은 유선형(streamline shaspe)이므로, 후단부(124)의 후단에서 와류(vortex)가 발생하는 것을 방지할 수 있으며, 척킹핀(120)의 외주면을 따라 처리액을 웨이퍼(W)의 외부로 원활하게 배출할 수 있다.Since the cross-section of the chucking pin 120 is a streamline shaspe, it is possible to prevent the generation of vortex at the rear end of the rear end 124, and the treatment liquid is disposed along the outer circumferential surface of the chucking pin 120. It can be discharged to outside of W) smoothly.

유선형이란, 유체 속을 운동할 때 생기는 저항을 줄이기 위한 물체의 형상(形象)을 말하며, 물고기의 몸체, 항공기의 동체 및 날개 등의 형상이 모두 유선형이다. 물체의 후방에 발생되는 와류(渦流)는 물체 뒤쪽의 압력을 감소시켜 항력이 생기는 주요원인이 된다. 그러므로 유선형은 후방의 난류를 최소로 줄이기 위한 외형이라 할 수 있다. 기류 형태에 대한 역학 관계로부터 유선형에 대한 원리는 다음과 같다. 첫째, 물체의 앞부분은 충분히 둥글게 해야 하고, 둘째, 중앙에서 뒤로 갈수록 점차 가늘어지는 곡선이 되어야 한다.The streamlined shape refers to a shape of an object for reducing resistance generated when moving in a fluid, and the shape of the fish body, the fuselage of the aircraft, and the wings are all streamlined. Vortex generated behind the object reduces the pressure behind the object and is the main cause of drag. Therefore, the streamlined shape can be said to reduce the turbulence of the rear side to the minimum. From the dynamics of airflow shape, the principle of streamline is as follows. First, the front of the object must be sufficiently rounded, and second, it must be a curve that gradually tapers from the center back.

한편, 본 실시예에서는 타원 형상의 유선형을 설명하였으나, 이밖에 다양한 유선형의 형상이 가능하다.In the present embodiment, an elliptic streamline has been described, but various streamline shapes are possible.

도 3b에 도시한 바와 같이, 회전축(140)은 웨이퍼(W)의 가장자리로부터 기설정된 거리(d)만큼 이격된 위치에 배치된다. 따라서, 웨이퍼(W)의 하부면에 공급된 처리액이 회전축(140)에 부딪혀 웨이퍼(W)의 하부면으로 재유입되는 것을 방지할 수 있다.As shown in FIG. 3B, the rotation shaft 140 is disposed at a position spaced apart from the edge of the wafer W by a predetermined distance d. Therefore, it is possible to prevent the processing liquid supplied to the lower surface of the wafer W from hitting the rotating shaft 140 and reflowing into the lower surface of the wafer W.

상술한 바에 의하면, 웨이퍼(W)의 상부면으로부터 이탈하는 처리액이 척킹핀(120)에 부딪쳐 웨이퍼(W)의 상부면으로 재유입되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 후단부(124)의 후단에서 와류(vortex)가 발생하는 것을 방지할 수 있으며, 척킹핀(120)의 외주면을 따라 처리액을 웨이퍼(W)의 외부로 원활하게 배출할 수 있다.According to the above, it is possible to prevent the processing liquid which is separated from the upper surface of the wafer (W) hit the chucking pin 120 and re-introduced into the upper surface of the wafer (W). In addition, the vortex may be prevented from occurring at the rear end of the rear end 124, and the processing liquid may be smoothly discharged to the outside of the wafer W along the outer circumferential surface of the chucking pin 120.

본 발명에 의하면, 기판의 상부면 또는 하부면으로부터 이탈하는 처리액이 척킹핀에 부딪쳐 웨이퍼(W)의 상부면 또는 하부면으로 재유입되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 척킹핀의 후단에서 와류(vortex)가 발생하는 것을 방지할 수 있으며, 척킹핀의 외주면을 따라 처리액을 웨이퍼(W)의 외부로 원활하게 배출할 수 있다.According to the present invention, it is possible to prevent the processing liquid leaving the upper or lower surface of the substrate from hitting the chucking pin and reintroducing into the upper or lower surface of the wafer (W). In addition, the vortex may be prevented from occurring at the rear end of the chucking pin, and the processing liquid may be smoothly discharged to the outside of the wafer W along the outer circumferential surface of the chucking pin.

Claims (10)

회전가능한 지지 플레이트; 및Rotatable support plates; And 상기 지지 플레이트의 상부면에 설치되며, 상기 지지 플레이트 상에 로딩된 기판이 회전으로 인하여 상기 지지 플레이트로부터 이탈되는 것을 방지하기 위하여 상기 기판의 측부를 지지하는 척킹부재들을 포함하되,Is installed on the upper surface of the support plate, including a chucking member for supporting the side of the substrate to prevent the substrate loaded on the support plate is separated from the support plate due to rotation, 상기 척킹부재는,The chucking member, 회전축; 및Rotation axis; And 상기 회전축의 상부에 상기 회전축의 회전중심으로부터 편심되도록 위치하며, 상기 기판의 측부를 척킹하는 척킹핀을 포함하며,Located on top of the rotary shaft to be eccentric from the center of rotation of the rotary shaft, and includes a chucking pin chucking the side of the substrate, 상기 척킹핀이 상기 기판의 측부를 척킹한 상태에서 상기 척킹핀과 접촉하는 상기 기판의 접점에 대한 접선과 상기 척킹핀이 이루는 각은 예각이고,An angle formed by the tangential to the contact point of the substrate contacting the chucking pin and the chucking pin in the state where the chucking pin chucks the side of the substrate is an acute angle, 상기 회전축은 상기 기판의 측부로부터 기설정된 거리만큼 이격된 위치에 배치되는 것을 특징으로 하는 스핀헤드.And the rotation axis is disposed at a position spaced apart from the side of the substrate by a predetermined distance. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 척킹핀은 상기 기판을 척킹한 상태에서 상기 기판의 회전으로 인하여 발생되는 기류의 흐름에 대하여 전단에 위치하며, 상기 기판의 측부와 접촉하는 전단부; 및The chucking pin is located in the front end with respect to the flow of air flow generated by the rotation of the substrate in the state chucking the substrate, the front end portion in contact with the side of the substrate; And 상기 기류의 흐름에 대하여 후단에 위치하고, 상기 회전축의 상단에 연결된 후단부를 포함하는 것을 특징으로 하는 스핀헤드.And a rear end positioned at a rear end with respect to the flow of the airflow, and connected to an upper end of the rotating shaft. 삭제delete 회전가능한 지지 플레이트; 및Rotatable support plates; And 상기 지지 플레이트의 상부면에 설치되며, 상기 지지 플레이트 상에 로딩된 기판이 회전으로 인하여 상기 지지 플레이트로부터 이탈되는 것을 방지하기 위하여 상기 기판의 측부를 지지하는 척킹부재들을 포함하되,Is installed on the upper surface of the support plate, including a chucking member for supporting the side of the substrate to prevent the substrate loaded on the support plate is separated from the support plate due to rotation, 상기 척킹부재는,The chucking member, 회전축; 및Rotation axis; And 상기 회전축의 상부에 상기 회전축의 회전중심으로부터 편심되도록 위치하며, 상기 기판의 측부를 척킹하는 척킹핀을 포함하며,Located on top of the rotary shaft to be eccentric from the center of rotation of the rotary shaft, and includes a chucking pin chucking the side of the substrate, 상기 척킹핀이 상기 기판의 측부를 척킹한 상태에서 상기 척킹핀과 접촉하는 상기 기판의 접점에 대한 접선과 상기 척킹핀이 이루는 각은, 예각이고, 상기 접선과 상기 기판으로부터 배출되는 처리액의 운동방향이 이루는 각과 대체로 동일한 것을 특징으로 하는 스핀헤드.The angle formed by the tangential to the contact point of the substrate in contact with the chucking pin and the chucking pin in the state where the chucking pin chucks the side of the substrate is an acute angle and the motion of the treatment liquid discharged from the tangent and the substrate. Spin head, characterized in that substantially equal to the angle formed by the direction. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 척킹핀은 유선형의 횡단면을 가지는 것을 특징으로 하는 스핀헤드.The chucking pin is a spin head characterized in that it has a streamlined cross section. 스핀헤드를 이용하여 척킹한 상태에서 기판을 처리하는 방법에 있어서,In the method of processing a substrate in a state chucked using a spin head, 스핀헤드 상에 기판을 로딩하고, 회전축을 회전시켜 상기 회전축의 회전중심으로부터 편심된 척킹핀이 상기 기판의 측부와 접촉하도록 하고,Load the substrate on the spin head, rotate the rotary shaft so that the chucking pins eccentric from the center of rotation of the rotary shaft are in contact with the side of the substrate, 상기 기판을 회전시킨 상태에서 상기 기판의 상부에 처리액을 공급하여 기판을 처리하되,While treating the substrate by supplying a treatment liquid to the upper portion of the substrate in the state of rotating the substrate, 상기 척킹핀이 상기 기판의 측부를 척킹한 상태에서 상기 척킹핀과 접촉하는 상기 기판의 접점에 대한 접선과 상기 척킹핀이 이루는 각은 예각이고,An angle formed by the tangential to the contact point of the substrate contacting the chucking pin and the chucking pin in the state where the chucking pin chucks the side of the substrate is an acute angle, 상기 회전축은 상기 기판의 측부로부터 기설정된 거리만큼 이격된 위치에서 회전하는 것을 특징으로 하는 기판을 처리하는 방법.And the rotation axis rotates at a position spaced apart from a side of the substrate by a predetermined distance. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 척킹핀이 상기 기판의 측부와 접촉하는 단계는,Wherein the chucking pin is in contact with the side of the substrate, 상기 기판의 회전으로 인하여 발생되는 기류의 흐름에 대하여 전단에 위치하는 상기 척킹핀의 전단부를 상기 기판의 측부와 접촉시키는 것을 특징으로 하는 기판을 처리하는 방법.And a front end portion of the chucking pin positioned at a front end with a side of the substrate in response to a flow of air flow generated by the rotation of the substrate. 삭제delete 스핀헤드를 이용하여 척킹한 상태에서 기판을 처리하는 방법에 있어서,In the method of processing a substrate in a state chucked using a spin head, 스핀헤드 상에 기판을 로딩하고, 회전축을 회전시켜 상기 회전축의 회전중심으로부터 편심된 척킹핀이 상기 기판의 측부와 접촉하도록 하고,Load the substrate on the spin head, rotate the rotary shaft so that the chucking pins eccentric from the center of rotation of the rotary shaft are in contact with the side of the substrate, 상기 기판을 회전시킨 상태에서 상기 기판의 상부에 처리액을 공급하여 기판을 처리하되,While treating the substrate by supplying a treatment liquid to the upper portion of the substrate in the state of rotating the substrate, 상기 척킹핀이 상기 기판의 측부를 척킹한 상태에서 상기 척킹핀과 접촉하는 상기 기판의 접점에 대한 접선과 상기 척킹핀이 이루는 각은, 예각이고, 상기 접선과 상기 기판으로부터 배출되는 처리액의 운동방향이 이루는 각과 대체로 동일한 것을 특징으로 하는 기판을 처리하는 방법.The angle formed by the tangential to the contact point of the substrate in contact with the chucking pin and the chucking pin in the state where the chucking pin chucks the side of the substrate is an acute angle and the motion of the treatment liquid discharged from the tangent and the substrate. A method of processing a substrate, characterized in that the direction is substantially the same as the angle formed. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 척킹핀은 유선형의 횡단면을 가지는 것을 특징으로 하는 기판을 처리하는 방법.And the chucking pin has a streamlined cross section.
KR1020060087947A 2006-09-12 2006-09-12 spin head and the method for treating the substrate using the same KR100837626B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060087947A KR100837626B1 (en) 2006-09-12 2006-09-12 spin head and the method for treating the substrate using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060087947A KR100837626B1 (en) 2006-09-12 2006-09-12 spin head and the method for treating the substrate using the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080023860A KR20080023860A (en) 2008-03-17
KR100837626B1 true KR100837626B1 (en) 2008-06-12

Family

ID=39412418

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060087947A KR100837626B1 (en) 2006-09-12 2006-09-12 spin head and the method for treating the substrate using the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100837626B1 (en)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000208591A (en) * 1999-01-08 2000-07-28 Sony Corp Rotary apparatus for processing substrate
KR20050049906A (en) * 2003-11-24 2005-05-27 세메스 주식회사 Apparatus for manufacturing semiconductor devices

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000208591A (en) * 1999-01-08 2000-07-28 Sony Corp Rotary apparatus for processing substrate
KR20050049906A (en) * 2003-11-24 2005-05-27 세메스 주식회사 Apparatus for manufacturing semiconductor devices

Also Published As

Publication number Publication date
KR20080023860A (en) 2008-03-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100809594B1 (en) Chucking member and spin head, method for chucking a substrate using the chucking member
JP4255459B2 (en) Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method
JP2018129470A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
US6612014B1 (en) Dual post centrifugal wafer clip for spin rinse dry unit
KR20080071685A (en) Support member and apparatus for treating substrate with the same
TWI797159B (en) Substrate processing method, substrate processing device, and storage medium
KR100837626B1 (en) spin head and the method for treating the substrate using the same
KR100884332B1 (en) Spin head and the method of supporting substrate using the same
JP2000208591A (en) Rotary apparatus for processing substrate
JP4743735B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2003017452A (en) Method and apparatus for treating substrate
KR20080024101A (en) Chucking member and spin head, method for chucking a substrate using the chucking member
JP2004079908A (en) Device and method for treating periphery of substrate
JPH07221062A (en) Spin washing machine and method
KR20080023863A (en) Member and method for chucking a substrate
JP2004055641A (en) Substrate chuck structure of spin processor
JPH10249613A (en) Holding chuck for rotating disc
TW201013816A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
TW201932209A (en) Substrate treatment method including a substrate liquid processing step and an opposing portion cleaning step
KR100831988B1 (en) Spin head and method for holding/unholding wafer using the spin head
KR100741028B1 (en) A structure of spin chuck for a process of manufacturing semiconductor device
JP4510833B2 (en) Surface treatment equipment for square wafers for solar cells
JP3970695B2 (en) Resist application method
JP3884700B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR20230175114A (en) Substrate processing apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130605

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140605

Year of fee payment: 7

LAPS Lapse due to unpaid annual fee