KR100829919B1 - Nozzle and apparatus for treating substrate with the nozzle, and method for supplying treating liquid of the nozzle - Google Patents

Nozzle and apparatus for treating substrate with the nozzle, and method for supplying treating liquid of the nozzle Download PDF

Info

Publication number
KR100829919B1
KR100829919B1 KR1020060129913A KR20060129913A KR100829919B1 KR 100829919 B1 KR100829919 B1 KR 100829919B1 KR 1020060129913 A KR1020060129913 A KR 1020060129913A KR 20060129913 A KR20060129913 A KR 20060129913A KR 100829919 B1 KR100829919 B1 KR 100829919B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
nozzle
line
recovery
discharge
etchant
Prior art date
Application number
KR1020060129913A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
홍성철
노종민
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020060129913A priority Critical patent/KR100829919B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100829919B1 publication Critical patent/KR100829919B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

A nozzle, a substrate processing apparatus including the same and a method of discharging an etchant using the same are provided to improve the efficiency of a substrate processing process by discharging the etchant at a uniform flow rate. A main line(412) for supplying an etchant and a drain line(414) are formed in a nozzle body(410). One end of the main line is connected to an inlet portion(430), and the other end is connected to a recovery portion(440). The drain line guides the etchant flowing along the main line to a drain portion(420). One end of the drain line is connected to the main line, and the other end is connected to the drain portion. A control valve is installed in the drain line to automatically open and close the drain line, so that a nozzle(400) discharges the etchant using the control valve at a necessary time.

Description

노즐 및 상기 노즐을 구비하는 기판 처리 장치, 그리고 상기 노즐의 처리액 토출방법{NOZZLE AND APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE WITH THE NOZZLE, AND METHOD FOR SUPPLYING TREATING LIQUID OF THE NOZZLE}NOZZLE AND APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE WITH THE NOZZLE, AND METHOD FOR SUPPLYING TREATING LIQUID OF THE NOZZLE}

도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 사시도이다.1 is a perspective view of a substrate processing apparatus according to the present invention.

도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 평면도이다.2 is a plan view of a substrate processing apparatus according to the present invention.

도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성도이다.3 is a block diagram of a substrate processing apparatus according to the present invention.

도 4는 도 3에 도시된 노즐의 구성도이다.4 is a configuration diagram of the nozzle shown in FIG. 3.

도 5는 도 4에 도시된 A-A'선을 따라 절단한 단면도이다.FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 4.

도 6a 및 도 6b, 그리고 도 7a 및 도 7b는 본 발명에 따른 노즐의 처리액 토출 과정을 설명하기 위한 도면들이다.6A and 6B, and FIGS. 7A and 7B are diagrams for describing a process liquid discharge process of a nozzle according to the present invention.

*도면의 주요 부분에 대한 부호 설명** Description of symbols on the main parts of the drawings *

10 : 기판 처리 장치10: substrate processing apparatus

100 : 공정챔버100: process chamber

200 : 제1 공급부재200: first supply member

300 : 제2 공급부재300: second supply member

400 : 노즐400: nozzle

410 : 노즐몸체410 nozzle body

420 : 노출부420: exposed part

430 : 유입부430: inlet

440 : 회수부440: recovery unit

450 : 조절부재450: adjusting member

본 발명은 노즐 및 상기 노즐을 구비하는 기판 처리 장치, 그리고 상기 노즐의 처리액 토출방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판으로 처리액을 토출하는 노즐 및 상기 노즐을 구비하여 반도체 기판을 처리하는 장치, 그리고 상기 노즐의 처리액 토출방법에 관한 것이다.The present invention relates to a nozzle, a substrate processing apparatus having the nozzle, and a processing liquid discharge method of the nozzle, and more particularly, a nozzle for discharging a processing liquid to a substrate and an apparatus for processing a semiconductor substrate. And a process liquid discharge method of the nozzle.

반도체 제조 공정은 일련의 단위 공정들을 연속적 및 반복적으로 수행함으로써 반도체 집적회로 칩을 생산하는 공정이다. 이러한 단위 공정들 중 식각 공정 및 세정 공정은 웨이퍼 상에 잔류하는 이물질을 제거하는 공정이다.The semiconductor manufacturing process is a process for producing a semiconductor integrated circuit chip by performing a series of unit processes continuously and repeatedly. Among these unit processes, an etching process and a cleaning process are processes for removing foreign substances remaining on the wafer.

일반적으로 식각 공정 및 세정 공정을 수행하는 장치는 건식 장치와 습식 장치로 나뉜다. 이 중 습식 식각/세정 장치는 복수의 처리액들, 예컨대, 식각액, 세정액, 그리고 린스액들을 사용하여 기판을 처리하는 장치이다. 이러한 기판 처리 장치는 기판에 형성된 박막 중 불필요한 부분을 식각하는 공정, 그리고 기판의 처리면에 잔류하는 이물질을 제거하는 공정을 포함한다.In general, the apparatus for performing the etching process and the cleaning process is divided into a dry apparatus and a wet apparatus. Among these, the wet etching / cleaning apparatus is an apparatus for treating a substrate using a plurality of treatment liquids, for example, an etching liquid, a cleaning liquid, and a rinse liquid. Such a substrate processing apparatus includes a process of etching an unnecessary portion of a thin film formed on a substrate, and a process of removing foreign matter remaining on a processing surface of the substrate.

보통 반도체 제조 공정 중 기판에 감광액(photoresist)막을 형성한 후에는 기판의 베벨(bevel)(이하, '가장자리'라 함) 영역에 불필요한 감광액막을 제거하는 공정이 수행된다. 이러한 기판의 가장자리 식각공정은 기판을 일정속도로 회전시킨 상태에서 노즐(nozzle)이 불산(HF) 용액과 같은 식각액을 기판의 가장자리에 분사하여 이루어진다. 이때, 노즐은 공정시 일정량의 처리액을 저장하는 처리액 저장부재로부터 처리액을 공급받아 기판으로 토출시킨다. 그리고, 기판의 가장자리 식각공정을 수행한 후에는 기판의 처리면에 잔류하는 이물질, 예컨대, 식각액, 파티클(particle), 그리고 기타 오염물질들을 제거하는 세정 및 린스 공정이 수행된다.Usually, after the photoresist film is formed on the substrate during the semiconductor manufacturing process, a process of removing the unnecessary photoresist film on the bevel (hereinafter, referred to as an “edge”) region of the substrate is performed. The edge etching process of the substrate is performed by spraying an etchant such as hydrofluoric acid (HF) solution to the edge of the substrate while the substrate is rotated at a constant speed. At this time, the nozzle receives the processing liquid from the processing liquid storage member for storing a predetermined amount of processing liquid in the process and discharges the processing liquid to the substrate. After performing the edge etching process of the substrate, a cleaning and rinsing process of removing foreign substances, such as etching liquid, particles, and other contaminants remaining on the processing surface of the substrate is performed.

그러나, 상술한 기판의 가장자리 식각 공정에서는 기판 가장자리의 불균일한 식각이 발생되었다. 즉, 상술한 기판 가장자리의 식각을 균일하게 수행하기 위해서는 기판의 가장자리 영역에 처리액을 균일한 유량으로 토출시켜야 한다. 그러나, 일반적인 노즐은 처리액의 토출이 균일하지 않아 가장자리의 식각이 불균일하게 이루어지는 현상이 발생된다. 특히, 처리액 저장부재는 중력에 의한 자연공급방식으로 처리액을 공급하므로, 노즐의 처리액 토출이 진행될수록 처리액 저장부재에 저장된 처리액의 감소로 인해 처리액의 하중에 의한 압력이 줄어들어 노즐의 토출 압력이 감소된다. 따라서, 처리액의 초기 토출량에 비해 후기 토출량이 적은 현상이 발생된다. However, in the edge etching process of the substrate described above, non-uniform etching of the substrate edge occurs. In other words, in order to uniformly etch the edge of the substrate, the treatment liquid must be discharged at a uniform flow rate to the edge region of the substrate. However, in general nozzles, the ejection of the processing liquid is not uniform, resulting in uneven edge etching. In particular, since the treatment liquid storage member supplies the treatment liquid by a natural supply method by gravity, as the treatment liquid discharged from the nozzle proceeds, the pressure due to the load of the treatment liquid decreases due to the decrease of the treatment liquid stored in the treatment liquid storage member. Discharge pressure is reduced. Therefore, a phenomenon in which the later discharge amount is smaller than the initial discharge amount of the processing liquid occurs.

또한, 상술한 기판의 가장자리 식각공정을 위한 노즐은 처리액의 토출량 조절이 힘들었다. 즉, 기판 처리 장치는 공정 환경 또는 공정 조건에 따라 노즐의 처리액 토출량을 변화시켜야 한다. 그러나, 일반적인 노즐은 처리액의 토출량을 정밀 하게 조절하기 위한 수단이 제공되어 있지 않으므로, 기판 처리 장치의 공정 조건 및 공정 환경의 변화에 따른 노즐의 처리액 토출량 변화에 대한 대응이 용이하지 않았다.In addition, the nozzle for the edge etching process of the substrate described above was difficult to control the discharge amount of the processing liquid. That is, the substrate processing apparatus must change the discharge amount of the processing liquid of the nozzle in accordance with the process environment or the process conditions. However, since a general nozzle is not provided with a means for precisely adjusting the discharge amount of the processing liquid, it is not easy to cope with a change in the processing liquid discharge amount of the nozzle according to the change in the process conditions and the process environment of the substrate processing apparatus.

상술한 문제점을 해결하기 위해 본 발명은 기판의 가장자리 식각공정 및 기판의 세정 및 린스 공정을 효과적으로 수행하는 노즐 및 상기 노즐을 구비하는 기판 처리 장치, 그리고 상기 노즐의 처리액 공급방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the above problems, an object of the present invention is to provide a nozzle for effectively performing an edge etching process of a substrate and a cleaning and rinsing process of the substrate, a substrate processing apparatus including the nozzle, and a processing liquid supply method of the nozzle. It is done.

또한, 본 발명은 처리액을 효과적으로 토출시키는 노즐 및 상기 노즐을 구비한느 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 특히, 본 발명은 기판의 가장자리 영역을 식각하는 공정에 사용되는 식각액을 효율적으로 토출시키는 노즐 및 상기 노즐을 구비하는 기판 처리 장치, 그리고 상기 노즐의 처리액 공급방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.Moreover, an object of this invention is to provide the nozzle which discharges a process liquid effectively, and the substrate processing apparatus provided with the said nozzle. In particular, it is an object of the present invention to provide a nozzle for efficiently discharging an etchant used in a process of etching an edge region of a substrate, a substrate processing apparatus having the nozzle, and a processing liquid supply method of the nozzle.

또한, 본 발명은 처리액의 토출량의 조절이 가능한 노즐 및 상기 노즐을 구비하는 기판 처리 장치, 그리고 상기 노즐의 처리액 토출방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a nozzle capable of adjusting the discharge amount of the processing liquid, a substrate processing apparatus having the nozzle, and a processing liquid discharge method of the nozzle.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 노즐은 처리액을 공급받는 유입부와 처리액을 토출시키는 토출부와 처리액의 회수를 위해 상기 노즐로부터 처리액을 배출시키는 회수부가 제공되는 노즐몸체, 상기 노즐몸체 내부에 형성되고, 일 단이 상기 유입부와 연결되고 타단이 상기 회수부와 연결되는 메인라인, 상기 노즐몸체 내부에 형성되고, 일단이 상기 메인라인과 연결되고 타단이 상기 토출부와 연결되는 토출라인, 그리고 상기 메인라인을 따라 흐르는 처리액의 유량을 조절하는 조절부를 포함한다.The nozzle according to the present invention for achieving the above object is a nozzle body provided with an inlet portion receiving the treatment liquid, a discharge portion for discharging the treatment liquid and a recovery portion for discharging the treatment liquid from the nozzle for recovery of the treatment liquid, A main line formed in the nozzle body, one end of which is connected to the inlet part, and the other end of which is connected to the recovery part, formed inside the nozzle body, one end of which is connected to the main line, and the other end of the nozzle part; The discharge line is connected, and a control unit for adjusting the flow rate of the processing liquid flowing along the main line.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 메인라인은 일단이 상기 유입부와 연결되고 타단이 상기 토출라인과 연결되는 공급라인 및 일단이 상기 토출라인과 연결되고 타단이 상기 회수부와 연결되는 회수라인으로 나뉘고, 상기 조절부는 상기 회수라인의 내부와 연통되도록 상기 노즐몸체에 형성되는 홀에 삽입되며, 회전에 의해 상기 회수라인 내 개구율을 증가 및 감소시키는 조절나사를 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the main line is a supply line, one end of which is connected to the inlet and the other end of which is connected to the discharge line, and one end of the supply line, which is connected to the discharge line and the other end of which is connected to the recovery unit. The control unit is inserted into a hole formed in the nozzle body so as to communicate with the inside of the recovery line, and includes an adjustment screw for increasing and decreasing the opening ratio in the recovery line by rotation.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 토출라인의 구경은 상기 메인라인의 구경보다 작다.According to an embodiment of the present invention, the aperture of the discharge line is smaller than the aperture of the main line.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 내부에 기판 처리 공정을 수행하는 공간을 제공하며 상부가 개방되는 용기, 공정시 상기 용기 기판을 지지하는 지지부재, 공정시 상기 지지부재에 안착된 기판으로 처리유체를 공급하는 공급부재를 구비하는 기판 처리 장치에 있어서, 상기 공급부재는 공정시 기판의 처리면과 대향되는 하부면을 가지는 하우징 및 상기 하우징에 결합되어 공정시 기판의 가장자리 영역으로 식각액을 토출시키는 노즐을 포함하되, 상기 노즐은 처리액을 공급받는 유입부와 처리액을 토출시키는 토출부와 처리액의 회수를 위해 상기 노즐로부터 처리액을 배출시키는 회수부가 제공되는 노즐몸체, 상기 노즐몸체 내부에 형성되고 일단이 상기 유입부와 연결되고 타단이 상기 회수부와 연결되는 메인라인, 상기 노즐몸체 내부에 형성되고 일단이 상기 메인라인과 연결되고 타단이 상기 토출부와 연결되는 토출라인, 그리고 상기 메인라인을 흐르는 처리액의 유량을 조절하는 조절부를 포함한다.The substrate processing apparatus according to the present invention for achieving the above object provides a space for performing a substrate processing process therein and a container having an open top, a support member for supporting the container substrate during the process, the support member during the process A substrate processing apparatus comprising a supply member for supplying a processing fluid to a seated substrate, wherein the supply member is coupled to the housing and has a housing having a lower surface opposite the processing surface of the substrate during processing, and an edge region of the substrate during processing. A nozzle for discharging the etching liquid, wherein the nozzle is provided with an inlet portion supplied with the processing liquid, a discharge portion for discharging the processing liquid, and a recovery unit for discharging the processing liquid from the nozzle for recovery of the processing liquid; A main line formed in the nozzle body and having one end connected to the inlet part and the other end connected to the recovery part; A discharge line formed in the nozzle body, one end of which is connected to the main line, and the other end of which is connected to the discharge part, and an adjusting unit for adjusting a flow rate of the processing liquid flowing through the main line.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 메인라인은 일단이 상기 유입부와 연결되고 타단이 상기 토출라인과 연결되는 공급라인 및 일단이 상기 토출라인과 연결되고 타단이 상기 회수부와 연결되는 회수라인으로 나뉘고, 상기 조절부는 상기 회수라인의 내부와 연통되도록 상기 노즐몸체에 형성되는 홀에 삽입되며, 회전에 의해 상기 회수라인 내 개구율을 증가 및 감소시키는 조절나사를 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the main line is a supply line, one end of which is connected to the inlet and the other end of which is connected to the discharge line, and one end of the supply line, which is connected to the discharge line and the other end of which is connected to the recovery unit. The control unit is inserted into a hole formed in the nozzle body so as to communicate with the inside of the recovery line, and includes an adjustment screw for increasing and decreasing the opening ratio in the recovery line by rotation.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 공급부재는 상기 식각액을 저장하는 식각액 저장탱크, 상기 식각액을 혼합시켜 상기 식각액 저장탱크로 공급하는 혼합탱크, 상기 식각액 저장탱크 내 식각액을 상기 유입부로 공급하는 식각액 공급배관, 그리고 상기 회수부로부터 상기 혼합탱크로 식각액을 회수하는 식각액 회수배관을 더 포함하되, 상기 식각액 저장탱크는 상기 노즐보다 높은 위치에 설치되고, 상기 혼합탱크는 상기 노즐보다 낮은 위치에 설치된다.According to an embodiment of the present invention, the supply member is an etchant storage tank for storing the etchant, a mixing tank for mixing the etchant to supply to the etchant storage tank, an etchant supply for supplying the etchant in the etchant storage tank to the inlet portion A pipe and an etchant recovery pipe for recovering the etchant from the recovery unit to the mixing tank, wherein the etchant storage tank is installed at a position higher than the nozzle, the mixing tank is installed at a position lower than the nozzle.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 토출라인의 구경은 상기 메인라인의 구경보다 작다.According to an embodiment of the present invention, the aperture of the discharge line is smaller than the aperture of the main line.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 노즐의 처리액 토출방법은 처리액을 토출시키는 토출부가 제공되는 노즐몸체, 상기 노즐몸체 내부에서 처리액이 흐르도록 형성되는 공급라인, 상기 공급라인와 연결되며 상기 노즐몸체로부터 처리액을 회수시키는 회수라인, 그리고 상기 공급라인으로부터 상기 토출부로 처리액을 토출시키는 토출라인을 가지는 노즐을 사용하여 처리액을 토출하되, 상기 노즐의 처리액 토출량 조절은 상기 회수라인을 통해 회수되는 처리액의 회수량을 조절함으로써 이루어진다.The processing liquid discharge method of the nozzle according to the present invention for achieving the above object is connected to the nozzle body is provided with a discharge unit for discharging the processing liquid, the supply line is formed to flow the processing liquid inside the nozzle body, the supply line The processing liquid is discharged using a nozzle having a recovery line for recovering the processing liquid from the nozzle body, and a discharge line for discharging the processing liquid from the supply line to the discharge part, wherein the amount of processing liquid discharge of the nozzle is controlled by the recovery line. By adjusting the recovery amount of the treatment liquid recovered through.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 회수되는 처리액의 유량 조절은 상기 회수라인의 개구율을 증감시키는 조절나사를 조작하여 이루어진다.According to an embodiment of the present invention, the flow rate control of the recovered processing liquid is performed by operating an adjustment screw for increasing or decreasing the opening ratio of the recovery line.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 공급라인으로의 처리액 공급은 상기 노즐보다 높은 위치에 배치되는 저장탱크 내 처리액을 중력에 의한 자연공급방식에 의해 상기 공급라인으로 흐르도록 하여 이루어진다.According to an embodiment of the present invention, the supply of the processing liquid to the supply line is made by flowing the processing liquid in the storage tank disposed at a position higher than the nozzle to the supply line by a natural supply method by gravity.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein but may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided to ensure that the disclosed subject matter is thorough and complete, and that the spirit of the present invention to those skilled in the art will fully convey.

또한, 본 실시예에서는 반도체 기판을 매엽식으로 식각 및 세정, 그리고 린스 공정을 수행하는 장치를 예로 들어 설명하였으나, 본 발명은 처리액으로 기판을 처리하는 모든 기판 처리 장치에 적용될 수 있다.In addition, the present embodiment has been described using an apparatus for performing the etching, cleaning, and rinsing process of the semiconductor substrate by a single sheet, but the present invention can be applied to all substrate processing apparatuses for treating the substrate with the treatment liquid.

(실시예)(Example)

도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 사시도이고, 도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 평면도이다. 그리고, 도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 장치 의 구성도이다.1 is a perspective view of a substrate processing apparatus according to the present invention, and FIG. 2 is a plan view of the substrate processing apparatus according to the present invention. 3 is a block diagram of a substrate processing apparatus according to the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(apparatus for treating substrate)(10)는 공정 챔버(process chamber)(100), 처리유체 공급부(treating fluid supply member) (200), 세정유체 공급부(cleaning fluid supply member)(300)을 포함한다. 공정 챔버(100)는 내부에 반도체 기판을 처리하는 공정(이하, '기판처리공정'이라 함)을 수행하는 공간을 제공한다. 여기서, 기판처리공정은 반도체 기판(이하, '웨이퍼'라 함)의 가장자리를 식각(etching)하는 공정, 웨이퍼의 세정(cleaning) 및 린스(rinse) 공정, 그리고 건조(dry) 공정을 포함한다. 처리유체 공급부(200)는 공정시 공정 챔버(100) 내부에 수용된 웨이퍼(W) 처리면의 가장자리로 처리유체를 분사하고, 세정유체 공급부(300)는 공정시 공정 챔버(100) 내부에 수용된 웨이퍼(W)의 처리면으로 세정유체를 분사한다.Referring to FIG. 1, an apparatus for treating substrate 10 according to the present invention includes a process chamber 100, a treating fluid supply member 200, and a cleaning fluid supply unit. cleaning fluid supply member). The process chamber 100 provides a space in which a process of processing a semiconductor substrate (hereinafter, referred to as a substrate processing process) is performed. Here, the substrate treating process includes a process of etching an edge of a semiconductor substrate (hereinafter referred to as a “wafer”), a cleaning and rinsing process of a wafer, and a drying process. The processing fluid supply unit 200 injects the processing fluid to the edge of the processing surface of the wafer W accommodated in the process chamber 100 during the process, and the cleaning fluid supply unit 300 receives the wafer contained in the process chamber 100 during the process. The cleaning fluid is injected into the treatment surface of (W).

도 2를 참조하면, 처리유체 공급부(200)는 공정시 공정 위치(a) 및 대기 위치(a') 상호간에 이동되고, 세정유체 공급부(300)는 공정시 공정 위치(b) 및 대기 위치(b') 상호간에 이동된다. 공정 위치(a)는 공정시 제1 공급부(200)가 공정 챔버(100)에 내부에 로딩(loading)된 웨이퍼(W)의 가장자리 영역으로 처리유체를 분사하기 위한 위치이고, 대기 위치(a')는 공정 위치(a)로 이동되기 전 제1 공급부(200)가 공정 챔버(100) 외측에서 대기하는 위치이다. 또한, 공정 위치(b)는 공정시 제2 공급부(300)가 공정 챔버(100) 내부에 로딩(loading)된 기판의 처리면으로 세정유체를 분사하기 위한 위치이고, 대기 위치(b')는 공정 위치(b)로 이동되기 전 제2 공급부(300)가 공정 챔버(100) 외측에서 대기하는 위치이다. 따라서, 제1 공급부(200) 및 제2 공급부(300)는 공정시 각각이 교대로 공정 챔버(100)에 로딩된 기판으로 처리유체 및 세정유체를 공급한다.2, the treatment fluid supply unit 200 is moved between the process position (a) and the standby position (a ') during the process, and the cleaning fluid supply unit 300 is the process position (b) and the standby position ( b ') moved mutually. The process position (a) is a position for injecting the processing fluid into the edge region of the wafer (W) loaded inside the process chamber 100 by the first supply unit 200 during the process, and the standby position (a '). ) Is a position where the first supply unit 200 waits outside the process chamber 100 before moving to the process position (a). In addition, the process position (b) is a position for injecting the cleaning fluid into the processing surface of the substrate loaded in the process chamber 100 by the second supply unit 300 during the process, and the standby position b ' The second supply part 300 waits outside the process chamber 100 before being moved to the process position b. Accordingly, the first supply unit 200 and the second supply unit 300 supply the processing fluid and the cleaning fluid to the substrates which are alternately loaded in the process chamber 100 during the process.

도 3을 참조하면, 공정 챔버(110)는 용기(bowl)(110), 지지부재(support member)(120), 구동부재(driving member)(130), 그리고 회수부재(recovery member)(140)를 포함한다. Referring to FIG. 3, the process chamber 110 includes a vessel 110, a support member 120, a driving member 130, and a recovery member 140. It includes.

용기(110)는 내부에 상술한 기판처리공정을 수행하는 공간을 가진다. 용기(110)는 상부가 개방되는 원통형상을 가진다. 용기(110)의 개방된 상부는 공정시 웨이퍼(W)의 출입이 이루어지는 기판 출입구로 사용된다. 지지부재(120)는 공정시 웨이퍼(W)를 지지한다. 지지부재(120)는 용기(110) 내부에서 상하 및 회전 운동한다. 지지부재(120)의 상부에는 척킹핀들(122)이 제공된다. 척킹핀들(122) 각각은 공정시 웨이퍼(W)의 가장자리 일부를 척킹(chucking)하여 웨이퍼(W)가 지지부재(120)로부터 이탈되는 것을 방지한다. 지지부재(120)로는 스핀척(spin chuck)이 사용된다. 구동부재(130)는 지지부재(120)를 구동한다. 구동부재(130)는 공정시 지지부재(120)가 회전 운동 및 상하 운동하도록 지지부재(120)를 구동시킨다. 특히, 구동부재(130)는 공정시 지지부재(120)에 분사되는 처리액들이 회수부재(140)로 회수되도록 지지부재(120)의 높이를 조절한다.The container 110 has a space therein for performing the above-described substrate processing process. The container 110 has a cylindrical shape with an open top. The open upper portion of the container 110 is used as a substrate entrance through which the wafer W enters and exits during the process. The support member 120 supports the wafer W during the process. The support member 120 moves up and down and rotates inside the container 110. The chucking pins 122 are provided on the support member 120. Each of the chucking pins 122 chucks a portion of the edge of the wafer W during the process to prevent the wafer W from being separated from the support member 120. As the support member 120, a spin chuck is used. The drive member 130 drives the support member 120. The drive member 130 drives the support member 120 so that the support member 120 rotates and moves up and down during the process. In particular, the driving member 130 adjusts the height of the support member 120 so that the processing liquids injected into the support member 120 during the process are recovered to the recovery member 140.

회수부재(140)는 공정시 사용되는 세정액들을 회수한다. 회수부재(140)는 제1 내지 제3 회수통(142, 144, 146)을 포함한다. 제1 내지 제3 회수통(142, 144, 146)은 지지부재(120)의 측부에서 상하로 적층되며, 지지부재(120)의 측면에서 감싸도록 환형으로 제공된다. 제1 회수통(142)의 내부에는 공정시 사용된 식각액이 수용되는 공간(S1)이 제공된다. 제2 회수통(144)의 내부에는 공정시 사용된 세정액이 수용되는 공간(S2)이 제공되고, 제3 회수통(146)의 내부에는 공정시 사용된 린스액이 수용되는 공간(S3)이 제공된다. 제1 회수통(142) 내 공간(S1)으로 수용된 식각액은 제1 회수라인(142a)을 통해 처리액 재생부(미도시됨)으로 회수된다. 동일한 방식으로, 제2 회수통(144) 내 공간(S2)으로 수용된 세정액 및 제3 회수통(146) 내 공간(S3)으로 수용된 린스액은 처리액 재생부로 회수된다. 여기서, 상기 처리액 재생부는 기판처리공정시 사용된 처리액들의 재사용을 위해, 각각의 처리액들의 온도 및 농도 조절, 그리고 오염물질의 제거 등을 수행하는 설비이다.The recovery member 140 recovers the cleaning liquids used in the process. The recovery member 140 includes first to third recovery containers 142, 144, and 146. The first to third recovery containers 142, 144, and 146 are stacked up and down at the side of the support member 120, and are provided in an annular shape to surround the side of the support member 120. The interior of the first recovery container 142 is provided with a space (S1) for receiving the etching liquid used in the process. A space S2 is provided inside the second recovery container 144 to accommodate the cleaning liquid used in the process, and a space S3 inside the third recovery container 146 is used to accommodate the rinsing liquid used in the process. Is provided. The etchant received in the space S1 in the first recovery container 142 is recovered to the treatment liquid regeneration unit (not shown) through the first recovery line 142a. In the same manner, the rinse liquid accommodated in the space S2 in the second recovery container 144 and the rinse liquid contained in the space S3 in the third recovery container 146 are recovered to the treatment liquid regeneration unit. In this case, the treatment liquid regeneration unit is a facility that controls the temperature and concentration of each treatment liquid, and removes contaminants, for reuse of the treatment liquids used in the substrate treatment process.

처리유체 공급부(200)는 공정시 웨이퍼(W) 상에 처리유체를 공급한다. 처리유체 공급부(200)는 공급부재(supply member)(210) 및 이송어셈블리(transfer assembly)(220), 처리유체 공급수단(treating liquid supply method)(230), 그리고 식각액 저장탱크(etching liquid storage tank)(240)를 포함한다. The processing fluid supply unit 200 supplies the processing fluid on the wafer W during the process. The processing fluid supply unit 200 includes a supply member 210 and a transfer assembly 220, a treating liquid supply method 230, and an etching liquid storage tank. 240).

공급부재(210)는 공정시 지지부재(120)에 안착된 웨이퍼(W)의 처리면으로 처리유체를 공급한다. 공급부재(210)는 대체로 원통형상의 하우징(212)을 가진다. 하우징(212)의 내부에는 공정시 노즐(400)의 위치를 조절하는 노즐 조절장치(미도시됨)가 구비된다. 노즐 조절장치는 공정시 노즐(400)이 기설정된 웨이퍼(W)의 가장자리 영역에 처리유체 중 식각액을 분사하도록 노즐(400)의 위치 및 각도를 조절한다. 하우징(212)에는 공정시 웨이퍼(W)의 처리면과 일정 간격이 이격되어 서로 마주보도록 위치되는 하부면(212a)이 제공된다. 하부면(212a)은 웨이퍼(W)의 가장자리로 토출되는 식각액이 회수부재(140)를 향해 비산되도록 처리액을 안내한다. 이 를 위해, 하부면(212a)에는 공정시 웨이퍼(W)의 중앙 영역으로 불활성 가스를 분사하는 적어도 하나의 분사홀(미도시됨)이 제공된다. 공정시 웨이퍼(W)의 중앙 영역으로 분사된 불활성 가스는 웨이퍼(W)의 중앙 영역으로부터 가장 자리 영역으로 이동되면, 웨이퍼(W)의 가장자리 영역으로 공급되는 식각액이 웨이퍼(W)의 중앙 영역을 향해 이동되지 않도록 하여 웨이퍼(W)의 비식각 영역이 식각되는 것을 방지한다.The supply member 210 supplies the processing fluid to the processing surface of the wafer W seated on the support member 120 during the process. The supply member 210 has a generally cylindrical housing 212. The inside of the housing 212 is provided with a nozzle control device (not shown) for adjusting the position of the nozzle 400 during the process. The nozzle control device adjusts the position and angle of the nozzle 400 so that the nozzle 400 injects the etchant in the processing fluid to the edge region of the predetermined wafer W during the process. The housing 212 is provided with a lower surface 212a positioned to face each other at a predetermined distance from the processing surface of the wafer W during the process. The lower surface 212a guides the processing liquid such that the etching liquid discharged to the edge of the wafer W is scattered toward the recovery member 140. To this end, the lower surface 212a is provided with at least one injection hole (not shown) for injecting an inert gas into the center region of the wafer W during the process. When the inert gas injected into the center region of the wafer W during the process is moved from the center region of the wafer W to the edge region, the etchant supplied to the edge region of the wafer W forms the central region of the wafer W. It is prevented from being etched away so that the non-etched region of the wafer W is etched.

이송어셈블리(220)는 공급부재(210)를 공정위치(a) 및 대기위치(a') 상호간에 이동시킨다. 이송어셈블리(220)는 제1 아암(222), 제2 아암(224), 그리고 제1 구동장치(226)를 포함한다. 제1 아암(222)은 공정 챔버(110)의 상부에서 수평으로 설치된다. 제1 아암(222)의 일단은 공급부재(210)의 하우징(212)과 결합되고, 타단은 제2 아암(224)의 일단과 결합된다. 제2 아암(224)은 공정 챔버(110)의 측부에서 수직하게 설치된다. 제2 아암(224)의 일단은 제1 아암(224)의 타단과 결합되고, 타단은 제1 구동장치(226)와 결합된다. 제1 구동장치(226)는 제2 아암(224)을 회전 및 상하 운동시킨다.The transfer assembly 220 moves the supply member 210 between the process position a and the standby position a '. The transfer assembly 220 includes a first arm 222, a second arm 224, and a first drive 226. The first arm 222 is installed horizontally above the process chamber 110. One end of the first arm 222 is coupled to the housing 212 of the supply member 210, and the other end is coupled to one end of the second arm 224. The second arm 224 is installed vertically on the side of the process chamber 110. One end of the second arm 224 is coupled to the other end of the first arm 224, and the other end is coupled to the first drive unit 226. The first drive unit 226 rotates and moves the second arm 224 up and down.

처리유체 공급수단(230)는 공급부재(210)로 처리유체를 공급한다. 처리유체 공급수단(230)은 식각액 공급수단(232) 및 불활성가스 공급수단(234)를 포함한다. 식각액 공급수단(232)는 식각액 저장탱크(240)로 식각액을 공급하고, 불활성가스 공급수단(234)는 공급부재(210)로 불활성 가스를 공급한다. 식각액 공급수단(232)은 식각액 공급원(232a) 및 식각액 공급관(232b)을 포함한다. 식각액 공급원(232a)은 식각액을 생성한다. 즉, 식각액 공급원(232a)은 복수의 처리액들을 혼합하여 기 설정된 농도를 만족하는 식각액을 생성한다. 예컨대, 식각액 공급원(232a)은 불산용액과 초순수를 혼합하여 공정농도의 식각액을 혼합하는 혼합탱크(mixing tank)를 포함한다. 식각액 공급관(232b)은 상기 혼합탱크로부터 노즐(400)로 식각액을 공급한다. 불활성가스 공급수단(234)는 불활성가스 공급원(234a) 및 불활성가스 공급관(234b)을 포함한다. 불활성가스 공급원(234a)은 불활성 가스를 수용하고, 불활성가스 공급관(234b)은 불활성가스 공급원(234a)으로부터 공급부재(210)로 불활성 가스를 공급한다. 불활성 가스로는 질소가스가 사용될 수 있다.The processing fluid supply means 230 supplies the processing fluid to the supply member 210. The treatment fluid supply means 230 includes an etchant supply means 232 and an inert gas supply means 234. The etchant supply means 232 supplies the etchant to the etchant storage tank 240, and the inert gas supply means 234 supplies the inert gas to the supply member 210. The etchant supply means 232 includes an etchant supply source 232a and an etchant supply pipe 232b. The etchant source 232a produces an etchant. That is, the etchant supply source 232a mixes the plurality of treatment solutions to generate an etchant that satisfies a predetermined concentration. For example, the etchant source 232a includes a mixing tank for mixing the hydrofluoric acid solution and the ultrapure water to mix the etchant at a process concentration. The etchant supply pipe 232b supplies the etchant to the nozzle 400 from the mixing tank. The inert gas supply means 234 includes an inert gas supply source 234a and an inert gas supply pipe 234b. The inert gas supply source 234a receives the inert gas, and the inert gas supply pipe 234b supplies the inert gas from the inert gas supply source 234a to the supply member 210. Nitrogen gas may be used as the inert gas.

식각액 저장탱크(240)는 식각액을 저장한다. 식각액 저장탱크(240)는 내부에 일정량의 식각액이 저장되는 공간을 가진다. 식각액 저장탱크(240)는 식각액을 생성하는 상술한 혼합탱크(미도시됨)로부터 식각액을 공급받는다. 식각액 저장탱크(240) 내 식각액은 공정시 노즐(400)로 공급되고, 노즐(400)에서 사용하고 남은 식각액은 다시 식각액 공급원(232a)으로 회수된다. 이를 위해, 식각액 저장탱크(240)에는 식각액 공급배관(242) 및 식각액 회수배관(244)이 제공된다. 식각액 공급배관(242)은 식각액 저장탱크(240) 내 식각액을 노즐(400)로 공급하고, 식각액 회수배관(244)은 노즐(400)로부터 상기 혼합탱크로 식각액을 회수한다. The etchant storage tank 240 stores the etchant. The etchant storage tank 240 has a space in which a certain amount of the etchant is stored. The etchant storage tank 240 receives an etchant from the above-described mixing tank (not shown) that generates the etchant. The etchant in the etchant storage tank 240 is supplied to the nozzle 400 during the process, and the remaining etchant used in the nozzle 400 is recovered to the etchant supply source 232a. To this end, the etchant storage tank 240 is provided with an etchant supply pipe 242 and an etchant recovery pipe 244. The etchant supply pipe 242 supplies the etchant in the etchant storage tank 240 to the nozzle 400, and the etchant recovery pipe 244 recovers the etchant from the nozzle 400 to the mixed tank.

여기서, 식각액 저장탱크(240)는 노즐(400)의 높이보다 항상 높은 위치에 위치되고, 혼합탱크는 노즐(400)의 높이보다 낮은 위치에 위치된다. 따라서, 식각액 저장탱크(240) 내 식각액은 중력에 의해 노즐(400)로 공급된 후 혼합탱크로 수용된다. 그리고, 혼합탱크는 수용한 식각액의 농도 및 온도를 기설정된 공정 조건에 부합되도록 조정한 후 다시 식각액 저장탱크(240)로 공급한다. 따라서, 식각액은 식 각액 저장탱크(240), 노즐(400), 그리고 식각액 공급원(232a)을 지속적으로 순환한다. 그리고, 노즐(400)은 공급부재(210)의 일측에 구비된다. 노즐(400)은 식각액 저장탱크(240)로부터 식각액을 공급받아 웨이퍼(W)의 가장자리 영역으로 식각액을 공급한다. 노즐(400)에 대한 상세한 설명은 후술하겠다.Here, the etchant storage tank 240 is always located at a position higher than the height of the nozzle 400, the mixing tank is located at a position lower than the height of the nozzle 400. Therefore, the etchant in the etchant storage tank 240 is supplied to the nozzle 400 by gravity and then received as a mixing tank. Then, the mixing tank adjusts the concentration and temperature of the received etchant to meet the predetermined process conditions and supplies it back to the etchant storage tank 240. Thus, the etchant continuously circulates through the etchant storage tank 240, the nozzle 400, and the etchant supply source 232a. And, the nozzle 400 is provided on one side of the supply member 210. The nozzle 400 receives the etchant from the etchant storage tank 240 and supplies the etchant to the edge region of the wafer (W). Detailed description of the nozzle 400 will be described later.

세정유체 공급부(300)는 공정시 웨이퍼(W)상에 세정유체를 공급한다. 세정유체 공급부(300)는 분사부재(310), 분사부재 구동기(320), 그리고 세정유체 공급수단(330)를 포함한다. 분사부재(310)는 공정시 지지부재(120)에 안착된 웨이퍼(W)의 처리면으로 세정유체를 공급한다. 분사부재(310)는 세정액, 린스액, 그리고 건조가스를 분사할 수 있다. 분사부재 구동기(320)는 분사부재(310)를 공정위치(b) 및 대기위치(b') 상호간에 이동시킨다. 분사부재 구동기(320)는 상술한 공급부재 이송부재(220)와 동일한 기능을 수행하는 제1 아암(322), 제2 아암(324), 그리고 제2 구동장치(326)를 포함한다. The cleaning fluid supply unit 300 supplies the cleaning fluid on the wafer W during the process. The cleaning fluid supply unit 300 includes an injection member 310, an injection member driver 320, and a cleaning fluid supply means 330. The injection member 310 supplies a cleaning fluid to the processing surface of the wafer W seated on the support member 120 during the process. The injection member 310 may spray a cleaning liquid, a rinse liquid, and a dry gas. The injection member driver 320 moves the injection member 310 between the process position b and the standby position b '. The injection member driver 320 includes a first arm 322, a second arm 324, and a second driving device 326 which perform the same function as the supply member transport member 220 described above.

세정유체 공급수단(330)는 분사부재(310)로 세정유체를 공급한다. 세정유체 공급수단(330)는 세정유체 공급원(332) 및 세정유체 공급관(334)을 포함한다. 세정유체 공급원(332)은 세정유체를 저장하고, 세정유체 공급관(334)은 세정유체 공급원(332)으로부터 분사부재(310)로 세정유체를 공급한다. 여기서, 세정유체는 세정액, 린스액, 그리고 건조가스를 포함한다. 일 실시예로서, 세정액으로는 불산 용액 또는 표준세정액-1(SC-1:Stan1dard Clean-1)이 사용되고, 린스액으로는 초순수(DIW:Deionized Water)가 사용된다.The cleaning fluid supply means 330 supplies the cleaning fluid to the injection member 310. The cleaning fluid supply means 330 includes a cleaning fluid supply source 332 and a cleaning fluid supply pipe 334. The cleaning fluid source 332 stores the cleaning fluid, and the cleaning fluid supply pipe 334 supplies the cleaning fluid from the cleaning fluid source 332 to the injection member 310. Here, the washing fluid includes a washing liquid, a rinse liquid, and a drying gas. In one embodiment, hydrofluoric acid solution or standard cleaning solution-1 (SC-1: Stan1dard Clean-1) is used as the cleaning liquid, and ultrapure water (DIW: Deionized Water) is used as the rinsing liquid.

계속해서, 본 발명에 따른 노즐(400)의 구성에 대해 상세히 설명한다. 도 4 는 도 3에 도시된 노즐의 구성도이고, 도 5는 도 4에 도시된 A-A'선을 따라 절단한 단면도이다. 도 4 및 도 5를 참조하면, 노즐(400)은 노즐몸체(nozzle body)(410), 토출부(injection part)(420), 유입부(inflow part)(430), 그리고 회수부(recovery part)(440), 그리고 조절부(control member)(450)를 포함한다. Subsequently, the configuration of the nozzle 400 according to the present invention will be described in detail. FIG. 4 is a configuration diagram of the nozzle illustrated in FIG. 3, and FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 4. 4 and 5, the nozzle 400 includes a nozzle body 410, an injection part 420, an inflow part 430, and a recovery part. 440, and a control member 450.

노즐몸체(410)는 내부에 메인라인(412) 및 토출라인(414)이 형성된다. 메인라인(412)은 노즐몸체(410) 내부에서 식각액을 이송시킨다. 메인라인(412)의 일단은 유입부(430)에 연결되고, 타단은 회수부(440)에 연결된다. 토출라인(414)은 공정시 메인라인(412)을 따라 순환하는 식각액을 토출부(420)로 이동시킨다. 토출라인(414)의 일단은 메인라인(412)과 연결되고, 타단은 토출부(420)와 연결된다. 토출라인(414)에는 토출라인(414)을 자동적으로 개폐하는 개폐부재(미도시됨)가 설치될 수 있다. 개폐부재로는 전기적인 신호를 받아 공정시 식각액이 필요되는 시점에 자동적으로 토출라인(414)을 개방시키는 자동 밸브(control valve)가 사용될 수 있다. 따라서, 노즐(400)은 개폐부재에 의해 식각액의 토출이 요구되는 시점에서 식각액을 토출한다.The main body 412 and the discharge line 414 are formed in the nozzle body 410. The main line 412 transfers the etchant inside the nozzle body 410. One end of the main line 412 is connected to the inlet 430, the other end is connected to the recovery unit 440. The discharge line 414 moves the etching liquid circulating along the main line 412 to the discharge part 420 during the process. One end of the discharge line 414 is connected to the main line 412, and the other end is connected to the discharge part 420. The discharge line 414 may be provided with an opening and closing member (not shown) for automatically opening and closing the discharge line 414. As the opening and closing member, a control valve may be used to automatically open the discharge line 414 at the time when the etching liquid is required in the process by receiving an electrical signal. Therefore, the nozzle 400 discharges the etchant at the time when the ejection solution is required by the opening and closing member.

그리고, 메인라인(412)은 토출라인(414)과 연결되는 부분을 중심으로 공급라인(412a) 및 회수라인(412b)으로 나뉜다. 즉, 공급라인(412a)은 토출라인(414)과 연결되는 부분의 전단이고, 회수라인(412b)은 토출라인(414)과 연결되는 부분의 후단이다. 이때, 공급라인(412a)의 구경은 회수라인(412b) 및 토출라인(414)의 구경보다 큰 것이 바람직하다. 이는 공정시 공급라인(412a)으로 공급되는 처리액 중 일부는 토출라인(414)을 통해 웨이퍼(W)으로 토출되고, 나머지는 회수라인(412b)을 통해 회수되기 때문이다. 또한, 토출라인(414)의 구경은 회수라인(412b)의 구경보다 작은 것이 바람직하다. 이는 토출부(420)의 식각액 토출량은 정밀하여야 하므로, 토출라인(414)은 회수라인(412b)보다 좁은 유로를 가지는 것이 바람직하기 때문이다. 일반적으로 300mm 웨이퍼 한 장의 가장자리를 식각 공정을 위해서는 20cc 내지 30cc의 식각액이 필요하므로, 토출라인(414) 및 토출부(420)는 이에 맞게 정밀한 구경을 갖도록 제작된다. In addition, the main line 412 is divided into a supply line 412a and a recovery line 412b around a portion connected to the discharge line 414. That is, the supply line 412a is the front end of the portion connected to the discharge line 414, and the recovery line 412b is the rear end of the portion connected to the discharge line 414. At this time, the diameter of the supply line 412a is preferably larger than the diameter of the recovery line 412b and the discharge line 414. This is because some of the processing liquid supplied to the supply line 412a is discharged to the wafer W through the discharge line 414 and the other is recovered through the recovery line 412b. In addition, the diameter of the discharge line 414 is preferably smaller than the diameter of the recovery line 412b. This is because the discharge amount of the etching liquid of the discharge part 420 should be precise, so that the discharge line 414 has a narrower flow path than the recovery line 412b. In general, since an etching solution of 20cc to 30cc is required for the etching process of one edge of a 300mm wafer, the discharge line 414 and the discharge part 420 are manufactured to have a precise aperture accordingly.

토출부(420)는 공정시 웨이퍼(W)의 가장자리 영역으로 식각액을 토출시킨다. 토출부(420)는 토출라인(414)과 연결된다. 토출부(420)는 끝단(422)으로 갈수록 좁아지는 형상을 가진다. 토출부(420)의 끝단(422)에는 처리액이 토출되는 토출홀이 형성된다. 유입부(430)는 식각액 공급배관(242)으로부터 노즐몸체(410) 내 공급라인(412a)으로 식각액을 유입시키고, 회수부(440)는 노즐몸체(410)의 회수라인(412b)으로부터 식각액 회수배관(244)으로 식각액을 배출시킨다.The discharge part 420 discharges the etching liquid to the edge region of the wafer W during the process. The discharge part 420 is connected to the discharge line 414. The discharge part 420 has a shape that narrows toward the end 422. At the end 422 of the discharge part 420, a discharge hole through which the processing liquid is discharged is formed. The inlet 430 injects the etchant into the supply line 412a in the nozzle body 410 from the etchant supply pipe 242, and the recovery unit 440 recovers the etchant from the recovery line 412b of the nozzle body 410. The etchant is discharged to the pipe 244.

조절부(450)는 회수라인(412b)을 통해 회수되는 식각액의 회수량을 조절한다. 조절부(450)는 조절나사(452)를 가진다. 조절나사(452)는 노즐몸체(410)에 형셩되는 홀(454)에 나사결합된다. 홀(454)은 노즐몸체(410)의 외부에서 회수라인(412b)까지 연통되도록 형성된다. 조절나사(452)는 홀(454)에 끼워져 회전가능하도록 설치된다. 따라서, 조절나사(452)의 회전에 의해 조절나사(452)는 홀(454)을 따라 이동하게 되며, 조절나사(452)의 이동에 의해 회수라인(412b)의 유로는 증가하거나 감소된다. 보다 효과적인 조절나사(452)의 식각액 회수량의 조절을 위해서 회수라인(412b)에는 개폐부(412b')가 제공된다. 개폐부(412b')는 조절나사(452)과 상응하는 크기로 형성되어, 조절나사(452)에 의해 회수라인(412b) 내 유로가 효과적으로 개방 및 차단되도록 제공된다. 개폐부(412b')는 정밀한 유량조절을 위해 회수라인(412b)의 다른 부분보다 좁은 구경을 갖는 것이 바람직하다.The adjusting unit 450 adjusts the recovery amount of the etchant recovered through the recovery line 412b. The adjusting unit 450 has an adjusting screw 452. The adjusting screw 452 is screwed into the hole 454 formed in the nozzle body 410. The hole 454 is formed to communicate with the recovery line 412b from the outside of the nozzle body 410. The adjusting screw 452 is fitted to the hole 454 so as to be rotatable. Therefore, the adjustment screw 452 is moved along the hole 454 by the rotation of the adjustment screw 452, the flow path of the recovery line 412b is increased or decreased by the movement of the adjustment screw 452. The opening and closing part 412b 'is provided in the recovery line 412b to more effectively control the etching liquid recovery amount of the adjustment screw 452. The opening and closing portion 412b 'is formed to have a size corresponding to that of the adjustment screw 452, so that the flow path in the recovery line 412b is effectively opened and closed by the adjustment screw 452. The opening and closing portion 412b 'preferably has a narrower diameter than other portions of the recovery line 412b for precise flow rate control.

본 실시예에서는 조절부(450)가 하나의 조절나사(452)를 구비하여 회수라인(412b) 내 유로의 개구율를 증감시키는 것을 예로 들어 설명하였으나, 조절부(452)는 복수개가 구비될 수 있다. 또한, 조절부는 회수라인(412b)를 따라 회수되는 식각액의 회수량을 정밀하게 조절하기 위해 제공되는 것이므로, 조절부의 구성은 다양하게 변경 및 변형이 가능하다. 예컨대, 본 발명의 다른 실시예로서, 조절나사In the present exemplary embodiment, the adjusting unit 450 includes one adjusting screw 452 to increase or decrease the opening ratio of the flow path in the recovery line 412b. However, the adjusting unit 452 may include a plurality of adjusting units 452. In addition, since the control unit is provided to precisely control the recovery amount of the etchant recovered along the recovery line 412b, the configuration of the control unit can be variously changed and modified. For example, as another embodiment of the present invention, adjusting screw

이하, 상술한 기판 처리 장치(10)의 공정 과정을 상세히 설명한다. 여기서, 상술한 구성들과 동일한 구성들의 참조번호는 동일하게 병기하고, 그 구성들에 대한 상세한 설명은 생략한다. 도 6a 및 도 6b, 그리고 도 7a 및 도 7b는 본 발명에 따른 노즐의 처리액 토출 과정을 설명하기 위한 도면들이다.Hereinafter, the process of the substrate processing apparatus 10 described above will be described in detail. Here, the same reference numerals of the same components as the above-described components, and the detailed description of the components are omitted. 6A and 6B, and FIGS. 7A and 7B are diagrams for describing a process liquid discharge process of a nozzle according to the present invention.

본 발명에 따른 기판 처리 장치(10)의 공정이 개시되면, 공정 챔버(110)의 지지부재(120)에 웨이퍼(W)을 로딩시킨다. 웨이퍼(W)이 지지부재(120)의 척킹핀들(122)에 의해 고정되면, 지지부재(120)는 제1 공정위치로 이동된다. 제1 공정위치는 웨이퍼(W) 가장자리의 식각공정을 수행하기 위한 지지부재(120)의 위치이다. 제1 공정위치는 공정시 웨이퍼(W)으로 공급되는 식각액이 제1 회수통(142) 내 공간(S1)으로 유입시키기 위한 지지부재(120)의 위치이다. 지지부재(120)가 제1 공정위치에 위치되면, 지지부재(120)는 일정한 회전속도로 회전되고, 노즐(400)은 식각 액 공급배관(242)으로부터 식각액을 공급받아 웨이퍼(W)의 가장자리 영역으로 식각액을 토출시킨다. 토출된 식각액은 웨이퍼(W)의 가장자리 영역에 잔류하는 불필요한 박막을 제거한다. 이때, 공급부재(210)의 하부면(212a)에 중앙에 형성되는 분사홀(미도시됨)은 웨이퍼(W)의 중앙영역으로 불활성 가스를 분사한다. 분사된 불활성 가스는 하부면(212a)과 웨이퍼(W)의 처리면 사이에서 웨이퍼(W)의 중앙영역으로부터 가장자리 영역으로 이동되면서 웨이퍼(W)의 가장자리 영역에 분사되는 식각액을 웨이퍼(W)으로부터 비산시킨다. 따라서, 웨이퍼(W)으로 분사되는 식각액은 웨이퍼(W)의 제 1 회수통(122) 내 공간(S1)으로 회수된다. 공간(S1)으로 회수된 식각액은 제 1 회수라인(122a)을 통해 식각액 공급원(232a)으로 회수된다.When the process of the substrate processing apparatus 10 according to the present invention is started, the wafer W is loaded on the support member 120 of the process chamber 110. When the wafer W is fixed by the chucking pins 122 of the support member 120, the support member 120 is moved to the first process position. The first process position is a position of the support member 120 for performing an etching process of the edge of the wafer (W). The first process position is a position of the support member 120 for allowing the etching liquid supplied to the wafer W to flow into the space S1 in the first recovery container 142. When the support member 120 is positioned at the first process position, the support member 120 is rotated at a constant rotational speed, and the nozzle 400 receives the etchant from the etchant supply pipe 242 to the edge of the wafer W. The etchant is discharged into the area. The discharged etchant removes unnecessary thin film remaining in the edge region of the wafer (W). In this case, an injection hole (not shown) formed at the center of the lower surface 212a of the supply member 210 injects an inert gas into the center region of the wafer W. The injected inert gas is moved from the center region of the wafer W to the edge region between the lower surface 212a and the processing surface of the wafer W, and the etching liquid injected into the edge region of the wafer W is removed from the wafer W. Scatter. Therefore, the etchant injected into the wafer W is recovered into the space S1 in the first recovery container 122 of the wafer W. The etchant recovered into the space S1 is recovered to the etchant supply source 232a through the first recovery line 122a.

웨이퍼(W)의 가장자리 식각 공정이 완료되면, 지지부재(120)는 제2 공정위치로 이동되고, 이송어셈블리(220)는 공급부재(210)를 공정위치(a)로부터 대기위치(a')로 이동시킨다. 제2 공정위치는 웨이퍼(W)의 세정 공정을 수행하기 위한 위치로서, 제2 공정위치는 공정시 웨이퍼(W)으로 공급되는 세정액이 제2 회수통(142) 내 공간(S2)으로 유입되기 위한 지지부재(120)의 위치이다. 지지부재(120)가 제2 공정위치에 위치되면, 제2 공급부(300)의 노즐부(310)는 대기위치(b')로부터 공정위치(b)로 이동된 후 웨이퍼(W)의 처리면으로 세정액을 분사한다. 분사된 세정액은 웨이퍼(W)에 잔류하는 이물질을 제거한 후 지지부재(120)의 회전에 따른 원심력에 의해 제2 회수통(144) 내 공간(S2)으로 비산된다.When the edge etching process of the wafer W is completed, the support member 120 is moved to the second process position, and the transfer assembly 220 moves the supply member 210 from the process position a to the standby position a '. Move to. The second process position is a position for performing the cleaning process of the wafer W, and the second process position is a cleaning liquid supplied to the wafer W during the process into the space S2 in the second recovery container 142. The position of the support member 120 for. When the supporting member 120 is positioned at the second process position, the nozzle part 310 of the second supply part 300 is moved from the standby position b 'to the process position b and then the processing surface of the wafer W. Spray the cleaning liquid. The jetted cleaning liquid is scattered into the space S2 in the second recovery container 144 by the centrifugal force caused by the rotation of the support member 120 after removing the foreign matter remaining in the wafer (W).

세정액에 의한 웨이퍼(W)의 세정공정이 완료되면, 지지부재(120)는 제3 공정위치로 이동된다. 제3 공정위치는 웨이퍼(W)의 린스 공정을 수행하기 위한 위치로 서, 제3 공정위치는 공정시 웨이퍼(W)으로 공급되는 린스액이 제3 회수통(146) 내 공간(S3)으로 유입되기 위한 지지부재(120)의 위치이다. 지지부재(120)가 제3 공정위치에 위치되면, 지지부재(120)는 공정속도로 회전되고, 노즐부(310)는 웨이퍼(W)의 처리면으로 린스액을 분사한다. 분사된 린스액은 웨이퍼(W)에 잔류하는 세정액을 제거한 후 제3 회수통(146) 내 공간(S3)으로 비산된다. 그리고, 린스액에 의한 웨이퍼(W)의 린스공정이 완료되면, 노즐부(310)는 웨이퍼(W)의 처리면으로 건조가스를 분사한다. 분사된 건조가스는 웨이퍼(W)을 건조시킨다. 웨이퍼(W)의 건조 공정이 완료되면, 웨이퍼(W)은 지지부재(120)로부터 언로딩(unloading)된 후 공정챔버(110)로부터 반출되어 후속공정이 수행되는 설비로 이송된다.When the cleaning process of the wafer W by the cleaning liquid is completed, the support member 120 is moved to the third process position. The third process position is a position for performing a rinse process of the wafer W, and the third process position is a rinse liquid supplied to the wafer W during the process to the space S3 in the third recovery container 146. Position of the support member 120 to be introduced. When the support member 120 is positioned at the third process position, the support member 120 is rotated at the process speed, and the nozzle unit 310 sprays the rinse liquid onto the processing surface of the wafer W. The sprayed rinse liquid is scattered into the space S3 in the third recovery container 146 after removing the cleaning liquid remaining on the wafer W. Then, when the rinse step of the wafer W by the rinse liquid is completed, the nozzle unit 310 injects a dry gas to the processing surface of the wafer (W). The injected dry gas dries the wafer (W). When the drying process of the wafer W is completed, the wafer W is unloaded from the support member 120 and then taken out of the process chamber 110 and transferred to a facility where a subsequent process is performed.

상술한 공정이 수행되는 과정에서 노즐(400)의 식각액 토출이 기설정된 토출량을 벗어나면, 작업자는 조절부(450)의 조절나사(452)를 회전시켜 노즐(400)의 식각액 토출량을 조절한다. 즉, 도 6a 및 도 6b를 참조하면, 만약 노즐(400)의 식각액 토출량이 기설정된 토출량보다 많으면, 작업자는 조절나사(452)를 반시계방향으로 회전시켜 회수라인(412b)의 개폐구(412b')의 개구율를 증가시킨다. 회수라인(412b)의 개구율가 증가되면, 회수라인(412b)을 통해 회수되는 식각액이 증가되어 토출부(420)로 토출되는 식각액의 토출량이 줄어든다. 이와 반대로, 도 7a 및 도 7b를 참조하면, 만약, 노즐(400)의 식각액 토출량이 기설정된 토출량보다 적으면, 작업자는 조절나사(452)를 반시계 방향으로 회전시켜 회수라인(412b)의 개폐구(412b')의 개구율를 감소시킨다. 회수라인(412b)의 개구율가 감소되면, 회수라인(412b)을 통해 회수되는 식각액이 감소되어 토출부(420)로 토출되는 식각액의 토 출량이 증가한다.When the etching liquid discharge of the nozzle 400 is out of the predetermined discharge amount during the process described above, the operator rotates the adjustment screw 452 of the adjusting unit 450 to adjust the etching liquid discharge amount of the nozzle 400. That is, referring to FIGS. 6A and 6B, if the etching liquid discharge amount of the nozzle 400 is greater than the predetermined discharge amount, the operator rotates the adjusting screw 452 counterclockwise to open / close the opening 412b 'of the recovery line 412b. Increase the aperture ratio. When the opening ratio of the recovery line 412b is increased, the etchant recovered through the recovery line 412b is increased to reduce the discharge amount of the etchant discharged to the discharge unit 420. On the contrary, referring to FIGS. 7A and 7B, if the etching liquid discharge amount of the nozzle 400 is less than the predetermined discharge amount, the operator rotates the adjusting screw 452 counterclockwise to open / close the opening of the recovery line 412b. Reduce the aperture ratio of 412b '. When the opening ratio of the recovery line 412b is reduced, the etchant recovered through the recovery line 412b is reduced, and the discharge amount of the etchant discharged to the discharge unit 420 is increased.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 노즐 및 상기 노즐을 구비하는 기판 처리 장치, 그리고 상기 노즐의 처리액 토출방법은 작업자가 노즐(400)에 구비되는 조절부(450)를 간단히 조작하여 노즐(400)의 식각액 토출량을 정밀하게 조절할 수 있다. As described above, the nozzle according to the present invention, the substrate processing apparatus having the nozzle, and the treatment liquid discharge method of the nozzle, the operator simply manipulates the adjusting unit 450 provided in the nozzle 400, the nozzle 400 The etching liquid discharge amount of) can be adjusted precisely.

또한, 본 발명에 따른 노즐 및 상기 노즐을 구비하는 기판 처리 장치, 그리고 상기 노즐의 처리액 토출방법은 노즐(400)을 통해 토출되는 식각액이 시간이 지남에 따라 토출량이 감소하는 현상을 방지한다. 즉, 일반적으로 처리액의 정밀하고 균일한 토출이 요구되는 장치에서는 중력에 의한 자연공급방식으로 처리액 저장부재 내 처리액을 메인라인을 따라 순환시키고, 필요시에만 노즐이 상기 메인라인을 따라 순환되는 처리액을 토출시키는 방식이 적용된 노즐이 사용된다. 그러나, 이러한 중력에 의한 자연공급방식을 사용한 노즐은 노즐의 토출부의 토출량을 조절하는 조절부를 설치하여 토출량을 조절하면, 처리액의 토출시 처리액 내부에 버블(bubble)이 포함되거나, 처리액의 불균일한 토출이 발생된다. 따라서, 본 발명은 노즐(400)로부터 회수되는 식각액의 회수량을 조절함으로써 토출부(420)의 식각액 토출량을 조절하여 공정이 진행됨에 따라 식각액의 토출량이 감소되는 현상을 방지한다.In addition, the nozzle according to the present invention, the substrate processing apparatus having the nozzle, and the processing liquid discharge method of the nozzle prevent the etching amount discharged through the nozzle 400 from decreasing in discharge amount over time. That is, in general, in a device requiring precise and uniform discharge of the processing liquid, the processing liquid in the processing liquid storage member is circulated along the main line by a natural supply method by gravity, and the nozzle circulates along the main line only when necessary. A nozzle to which a method of discharging the processing liquid to be applied is applied is used. However, the nozzle using the natural supply method by gravity is provided with a control unit for adjusting the discharge amount of the discharge portion of the nozzle to adjust the discharge amount, the bubble (bubble) is included in the processing liquid during the discharge of the processing liquid, or Non-uniform discharge occurs. Therefore, the present invention controls the amount of the etchant discharged from the nozzle 400 to adjust the amount of the etchant discharged from the discharge unit 420 to prevent the discharge amount of the etchant from decreasing as the process proceeds.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한, 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description illustrates the present invention. In addition, the foregoing description shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications may be made within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, the scope equivalent to the disclosed contents, and / or the skill or knowledge in the art. The above-described embodiments illustrate the best state for implementing the technical idea of the present invention, the use of other inventions such as the present invention in other state known in the art, and the specific fields of application and uses of the invention. Various changes required are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to include other embodiments.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 노즐 및 상기 노즐을 구비하는 기판 처리 장치, 그리고 상기 노즐의 처리액 토출방법은 공정시 노즐이 균일한 유량으로 처리액을 토출할 수 있어 기판 처리 공정의 효율을 향상시킨다. 특히, 본 발명에 따른 노즐 및 상기 노즐을 구비하는 기판 처리 장치, 그리고 상기 노즐의 처리액 노출방법은 공정시 노즐이 기판의 가장자리 영역으로 일정한 유량으로 식각액을 토출할 우 있어 기판의 가장자리 식각공정의 효율을 향상시킨다.As described above, the nozzle according to the present invention, the substrate processing apparatus having the nozzle, and the processing liquid discharge method of the nozzle can discharge the processing liquid at a uniform flow rate during the process, thereby improving the efficiency of the substrate processing process. Improve. In particular, the nozzle according to the present invention, the substrate processing apparatus having the nozzle, and the treatment liquid exposure method of the nozzle in the process of the nozzle to discharge the etching liquid at a constant flow rate to the edge region of the substrate in the process of the edge etching process of the substrate Improve the efficiency.

또한, 본 발명에 따른 노즐 및 상기 노즐을 구비하는 기판 처리 장치, 그리고 상기 노즐의 처리액 토출방법은 공정시 작업자가 간단한 조작으로 노즐의 처리액 토출량 조절이 가능하다.In addition, the nozzle according to the present invention, the substrate processing apparatus having the nozzle, and the treatment liquid discharge method of the nozzle can control the treatment liquid discharge amount of the nozzle by a simple operation during the process.

Claims (10)

처리액을 토출시키는 노즐에 있어서,In the nozzle for discharging the processing liquid, 처리액을 공급받는 유입부, 처리액을 토출시키는 토출부, 그리고 처리액의 회수를 위해 상기 노즐로부터 처리액을 배출시키는 회수부가 제공되는 노즐몸체와,A nozzle body provided with an inlet portion supplied with a treatment liquid, a discharge portion for discharging the treatment liquid, and a recovery portion for discharging the treatment liquid from the nozzle for recovery of the treatment liquid; 상기 노즐몸체 내부에 형성되고, 일단이 상기 유입부와 연결되고 타단이 상기 회수부와 연결되는 메인라인과,A main line formed in the nozzle body, one end of which is connected to the inlet and the other end of which is connected to the recovery part; 상기 노즐몸체 내부에 형성되고, 일단이 상기 메인라인과 연결되고 타단이 상기 토출부와 연결되는 토출라인, 그리고A discharge line formed in the nozzle body, one end of which is connected to the main line and the other end of which is connected to the discharge part, and 상기 메인라인을 따라 흐르는 처리액의 유량을 조절하는 조절부를 포함하되,Including a control unit for adjusting the flow rate of the processing liquid flowing along the main line, 상기 메인라인은,The main line, 일단이 상기 유입부와 연결되고 타단이 상기 토출라인과 연결되는 공급라인 및 일단이 상기 토출라인과 연결되고 타단이 상기 회수부와 연결되는 회수라인으로 나뉘고,A supply line having one end connected to the inlet and the other end connected to the discharge line, and a recovery line connected to the discharge line and one end connected to the recovery part, 상기 조절부는,The control unit, 상기 회수라인의 내부와 연통되도록 상기 노즐몸체에 형성되는 홀에 삽입되며, 회전에 의해 상기 회수라인 내 개구율을 증가 및 감소시키는 조절나사를 포함하는 것을 특징으로 하는 노즐.And a control screw inserted into a hole formed in the nozzle body so as to communicate with the inside of the recovery line and increasing and decreasing the opening ratio in the recovery line by rotation. 삭제delete 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 토출라인의 구경은,The diameter of the discharge line is, 상기 메인라인의 구경보다 작은 것을 특징으로 하는 노즐.And a nozzle smaller than the aperture of the main line. 내부에 기판 처리 공정을 수행하는 공간을 제공하며 상부가 개방되는 용기, 공정시 기판을 지지하는 지지부재, 공정시 상기 지지부재에 안착된 기판으로 처리유체를 공급하는 공급부재를 구비하는 기판 처리 장치에 있어서,A substrate processing apparatus including a container that provides a space for performing a substrate processing process therein, a support member supporting a substrate during a process, and a supply member for supplying a processing fluid to a substrate seated on the support member during a process. To 상기 공급부재는,The supply member, 공정시 기판의 처리면과 대향되는 하부면을 가지는 하우징과,A housing having a lower surface opposed to the processing surface of the substrate during the process; 상기 하우징에 결합되어 공정시 기판의 가장자리 영역으로 식각액을 토출시키는 노즐을 포함하되,A nozzle coupled to the housing for discharging an etchant to an edge region of the substrate during the process; 상기 노즐은,The nozzle, 처리액을 공급받는 유입부, 처리액을 토출시키는 토출부, 그리고 처리액의 회수를 위해 상기 노즐로부터 처리액을 배출시키는 회수부가 제공되는 노즐몸체와,A nozzle body provided with an inlet portion supplied with a treatment liquid, a discharge portion for discharging the treatment liquid, and a recovery portion for discharging the treatment liquid from the nozzle for recovery of the treatment liquid; 상기 노즐몸체 내부에 형성되고, 일단이 상기 유입부와 연결되고 타단이 상기 회수부와 연결되는 메인라인과,A main line formed in the nozzle body, one end of which is connected to the inlet and the other end of which is connected to the recovery part; 상기 노즐몸체 내부에 형성되고, 일단이 상기 메인라인과 연결되고 타단이 상기 토출부와 연결되는 토출라인, 그리고A discharge line formed in the nozzle body, one end of which is connected to the main line and the other end of which is connected to the discharge part, and 상기 메인라인을 흐르는 처리액의 유량을 조절하는 조절부를 포함하고,It includes a control unit for adjusting the flow rate of the processing liquid flowing through the main line, 상기 메인라인은,The main line, 일단이 상기 유입부와 연결되고 타단이 상기 토출라인과 연결되는 공급라인 및 일단이 상기 토출라인과 연결되고 타단이 상기 회수부와 연결되는 회수라인으로 나뉘고,A supply line having one end connected to the inlet and the other end connected to the discharge line, and a recovery line connected to the discharge line and one end connected to the recovery part, 상기 조절부는,The control unit, 상기 회수라인의 내부와 연통되도록 상기 노즐몸체에 형성되는 홀에 삽입되며, 회전에 의해 상기 회수라인 내 개구율을 증가 및 감소시키는 조절나사를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And a control screw inserted into a hole formed in the nozzle body so as to communicate with the inside of the recovery line and increasing and decreasing the opening ratio in the recovery line by rotation. 삭제delete 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 공급부재는,The supply member, 상기 식각액을 저장하는 식각액 저장탱크와,An etchant storage tank for storing the etchant, 상기 식각액을 혼합시켜 상기 식각액 저장탱크로 공급하는 혼합탱크와,A mixing tank for mixing the etchant to supply the etchant storage tank, 상기 식각액 저장탱크 내 식각액을 상기 유입부로 공급하는 식각액 공급배관, 그리고Etching liquid supply pipe for supplying the etching liquid in the etching liquid storage tank to the inlet, And 상기 회수부로부터 상기 혼합탱크로 식각액을 회수하는 식각액 회수배관을 더 포함하되,Further comprising an etching solution recovery pipe for recovering the etching solution from the recovery unit to the mixing tank, 상기 식각액 저장탱크는 상기 노즐보다 높은 위치에 설치되고,The etchant storage tank is installed at a position higher than the nozzle, 상기 혼합탱크는 상기 노즐보다 낮은 위치에 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And the mixing tank is installed at a lower position than the nozzle. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 토출라인의 구경은,The diameter of the discharge line is, 상기 이송라인의 구경보다 작은 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.Substrate processing apparatus, characterized in that smaller than the diameter of the transfer line. 처리액을 토출시키는 토출부가 제공되는 노즐몸체, 상기 노즐몸체 내부에서 처리액이 흐르도록 형성되는 공급라인, 상기 공급라인와 연결되며 상기 노즐몸체로부터 처리액을 회수시키는 회수라인, 그리고 상기 공급라인으로부터 상기 토출부로 처리액을 토출시키는 토출라인을 가지는 노즐을 사용하여 처리액을 토출하되,A nozzle body provided with a discharge unit for discharging the processing liquid, a supply line formed to flow the processing liquid in the nozzle body, a recovery line connected to the supply line and recovering the processing liquid from the nozzle body, and the supply line from the supply line. Discharge the treatment liquid using a nozzle having a discharge line for discharging the treatment liquid to the discharge part, 상기 노즐의 처리액 토출량 조절은,The treatment liquid discharge amount control of the nozzle, 상기 회수라인을 통해 회수되는 처리액의 회수량을 조절함으로써 이루어지고,By adjusting the recovery amount of the treatment liquid recovered through the recovery line, 상기 회수되는 처리액의 유량 조절은,Flow rate control of the recovered processing liquid, 상기 회수라인의 개구율을 증감시키는 조절나사를 조작하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 처리액 토출방법.And a control screw for increasing or decreasing the aperture ratio of the recovery line. 삭제delete 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 공급라인으로의 처리액 공급은,Treatment liquid supply to the supply line, 상기 노즐보다 높은 위치에 배치되는 저장탱크 내 처리액을 중력에 의한 자연공급방식에 의해 상기 공급라인으로 흐르도록 하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 처리액 토출방법.And a processing liquid in the storage tank disposed at a position higher than the nozzle so as to flow into the supply line by a natural supply method by gravity.
KR1020060129913A 2006-12-19 2006-12-19 Nozzle and apparatus for treating substrate with the nozzle, and method for supplying treating liquid of the nozzle KR100829919B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060129913A KR100829919B1 (en) 2006-12-19 2006-12-19 Nozzle and apparatus for treating substrate with the nozzle, and method for supplying treating liquid of the nozzle

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060129913A KR100829919B1 (en) 2006-12-19 2006-12-19 Nozzle and apparatus for treating substrate with the nozzle, and method for supplying treating liquid of the nozzle

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100829919B1 true KR100829919B1 (en) 2008-05-16

Family

ID=39664413

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060129913A KR100829919B1 (en) 2006-12-19 2006-12-19 Nozzle and apparatus for treating substrate with the nozzle, and method for supplying treating liquid of the nozzle

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100829919B1 (en)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000004196A (en) * 1998-06-30 2000-01-25 윤종용 Spraying nozzle having pressure control device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000004196A (en) * 1998-06-30 2000-01-25 윤종용 Spraying nozzle having pressure control device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8371318B2 (en) Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium
KR101891128B1 (en) Substrate processing apparatus and discharging device cleaning method
TWI709169B (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
EP1612847B1 (en) Cleaning apparatus
KR100706666B1 (en) Apparatus and method for treating substrate, and injection head used in the apparatus
US8127391B2 (en) Subtrate treatment apparatus
KR101187104B1 (en) Substrate cleaning method and substrate cleaning apparatus
TWI278029B (en) Liquid treatment device and liquid treatment method
KR101940897B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
US20120227770A1 (en) Two-fluid nozzle, substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and computer-readable storage medium for storing substrate liquid processing method
TWI631996B (en) Substrate processing method and substrate processing device
KR100923268B1 (en) Single type substrate treating apparatus and cleaning method thereof
JP7109989B2 (en) SUBSTRATE PROCESSING METHOD, STORAGE MEDIUM AND SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM
TWI764683B (en) Substrate processing apparatus
CN107437516B (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2008034428A (en) Equipment and method for processing substrate
KR100749544B1 (en) Apparatus and method for cleaning a substrate
KR100829919B1 (en) Nozzle and apparatus for treating substrate with the nozzle, and method for supplying treating liquid of the nozzle
KR20090029408A (en) Apparatus and method for treating substrate
KR101939905B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR20080009838A (en) Apparatus and method for treating substrate
KR102203646B1 (en) Substrate treatment apparatus
KR100749549B1 (en) Method of treating a substrate in a single wafer type
KR20100060094A (en) Method for cleanning back-side of substrate
KR100739478B1 (en) Apparatus and method for treating substrate in a single wafer

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130508

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140507

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150511

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170510

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180508

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190503

Year of fee payment: 12