KR100829708B1 - Liquid crystal display and fabrication method thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 액정표시장치는, 기판과; 상기 기판 상에 형성되며, 소스/드레인 영역 및 채널 영역이 구비된 결정성 반도체막과; 상기 기판 및 결정성 반도체막 위에 형성된 게이트 절연막과; 상기 게이트 절연막 상에 마련되며, 상기 결정성 반도체막의 채널 영역 위쪽에 형성된 게이트 전극과; 상기 게이트 절연막 및 게이트 전극 위에 형성된 층간 절연막과; 상기 층간 절연막 상에 형성되며, 상기 소스/드레인 영역 위의 층간 절연막 및 게이트 절연막에 형성된 비아 홀을 통하여 상기 드레인 전극에 전기적으로 연결된 소스/드레인 전극과; 상기 층간 절연막 상에 마련되며, 영상을 표시하는 화소 영역에 형성된 에치 스토퍼와; 상기 층간 절연막, 소스/드레인 전극 및 에치 스토퍼 위에 형성되며, 상기 에치 스토퍼가 마련된 영역에는 엠보싱 형태로 형성된 보호막; 및 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되며, 상기 화소 영역의 엠보싱 형태의 보호막 위에 형성된 반사면; 을 포함한다.A liquid crystal display device according to the present invention comprises: a substrate; A crystalline semiconductor film formed on the substrate and having a source / drain region and a channel region; A gate insulating film formed on the substrate and the crystalline semiconductor film; A gate electrode formed on the gate insulating film and formed over a channel region of the crystalline semiconductor film; An interlayer insulating film formed on the gate insulating film and the gate electrode; A source / drain electrode formed on the interlayer insulating film and electrically connected to the drain electrode through via holes formed in the interlayer insulating film and the gate insulating film over the source / drain region; An etch stopper provided on the interlayer insulating film and formed in the pixel area displaying an image; A passivation layer formed on the interlayer insulating layer, the source / drain electrodes and the etch stopper, and having an embossed shape in a region where the etch stopper is provided; And a reflection surface electrically connected to the drain electrode and formed on an embossed protective film of the pixel region. It includes.

또한 본 발명에 의하면, 상기 에치 스토퍼는 상기 소스/드레인 전극을 형성하는 물질과 동일 물질로 형성된다.In addition, according to the present invention, the etch stopper is formed of the same material as the material forming the source / drain electrodes.

또한 본 발명에 의하면, 상기 에치 스토퍼는 상기 화소 영역에 마련된 엠보싱 형태의 보호막 형상에 맞추어 패터닝되며, 상기 보호막의 오목하게 들어간 영역의 위치에 대응되어 형성된다.In addition, according to the present invention, the etch stopper is patterned according to the embossed protective film shape provided in the pixel area, and is formed corresponding to the position of the recessed area of the protective film.

Description

액정표시장치 및 그 제조방법{Liquid crystal display and fabrication method thereof}Liquid crystal display and manufacturing method thereof

도 1은 종래 반사형 액정표시장치의 평면도를 개략적으로 나타낸 도면.1 is a schematic plan view of a conventional reflective liquid crystal display device;

도 2는 도 1의 A-A에 따라 절단된 반사형 액정표시장치의 박막 트랜지스터 영역의 단면도를 개략적으로 나타낸 도면.FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a thin film transistor region of a reflective LCD according to A-A of FIG. 1;

도 3은 종래 반사형 액정표시장치의 반사면 형성공정을 개략적으로 나타낸 도면.3 is a schematic view showing a reflective surface forming process of a conventional reflective liquid crystal display device;

도 4는 종래 반사형 액정표시장치의 화소 영역에 형성된 반사면의 형상을 개념적으로 나타낸 도면.4 is a view conceptually showing a shape of a reflective surface formed in a pixel area of a conventional reflective liquid crystal display device;

도 5는 본 발명에 따른 다결정 박막 트랜지스터가 채용된 반사형 액정표시장치의 평면도를 개략적으로 나타낸 도면.5 is a schematic plan view of a reflective liquid crystal display device employing a polycrystalline thin film transistor according to the present invention.

도 6은 도 5의 B-B에 따라 절단된 반사형 액정표시장치의 박막 트랜지스터 영역의 단면도를 개략적으로 나타낸 도면.FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of a thin film transistor region of a reflective LCD according to BB of FIG. 5;

도 7은 본 발명에 따른 다결정 박막 트랜지스터가 채용된 반사형 액정표시장치의 제조 공정별 단면도를 개략적으로 나타낸 도면.7 is a schematic cross-sectional view of a manufacturing process of a reflective liquid crystal display device employing a polycrystalline thin film transistor according to the present invention.

도 8은 본 발명에 따른 다결정 박막 트랜지스터가 채용된 반사형 액정표시장치에 있어서, 에치 스토퍼와 엠보싱 홀의 공간적인 배열을 설명하기 위한 도면. 8 is a view for explaining a spatial arrangement of an etch stopper and an embossing hole in a reflective liquid crystal display device employing a polycrystalline thin film transistor according to the present invention.                 

도 9는 본 발명에 따른 다결정 박막 트랜지스터가 채용된 반사형 액정표시장치 제조공정에서 형성되는 에치 스토퍼의 여러 가지 형상을 나타낸 도면.9 is a view showing various shapes of an etch stopper formed in the manufacturing process of a reflective liquid crystal display device employing a polycrystalline thin film transistor according to the present invention.

도 10은 본 발명에 따른 다결정 박막 트랜지스터가 채용된 반사형 액정표시장치의 화소 영역에 형성된 반사면의 형상을 개념적으로 나타낸 도면.10 is a view conceptually showing the shape of a reflective surface formed in a pixel region of a reflective liquid crystal display device employing a polycrystalline thin film transistor according to the present invention;

도 11은 본 발명에 따른 다결정 박막 트랜지스터가 채용된 반사형 액정표시장치의 다른 실시 예를 나타낸 도면.11 is a view showing another embodiment of a reflective liquid crystal display device employing a polycrystalline thin film transistor according to the present invention.

도 12는 본 발명에 따른 다결정 박막 트랜지스터가 채용된 반투과형 액정표시장치의 평면도를 개념적으로 나타낸 도면.12 is a conceptual view showing a plan view of a transflective liquid crystal display device employing a polycrystalline thin film transistor according to the present invention.

도 13은 본 발명에 따른 비정질 박막 트랜지스터가 채용된 반사형 액정표시장치의 평면도를 개략적으로 나타낸 도면.13 is a schematic plan view of a reflective liquid crystal display device employing an amorphous thin film transistor according to the present invention;

도 14는 도 13의 D-D에 따라 절단된 반사형 액정표시장치의 단면도를 개략적으로 나타낸 도면.FIG. 14 is a schematic cross-sectional view of the reflective liquid crystal display device taken along the line D-D of FIG. 13; FIG.

도 15는 본 발명에 따른 비정질 박막 트랜지스터가 채용된 반사형 액정표시장치의 제조공정별 단면도를 개략적으로 나타낸 도면.15 is a schematic cross-sectional view of a manufacturing process of a reflective liquid crystal display device employing an amorphous thin film transistor according to the present invention.

도 16은 본 발명에 따른 비정질 박막 트랜지스터가 채용된 반투과형 액정표시장치의 평면도를 개략적으로 나타낸 도면.16 is a schematic plan view of a transflective liquid crystal display device employing an amorphous thin film transistor according to the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

510, 1210, 1310, 1610... 데이터 라인 510, 1210, 1310, 1610 ... data line

520, 1220, 1320, 1620... 게이트 라인520, 1220, 1320, 1620 ... gate line

530, 1330... 화소 영역 530, 1330 ... pixel area                 

540, 630, 1140, 1240, 1340, 1401, 1640... 게이트 전극540, 630, 1140, 1240, 1340, 1401, 1640 ... gate electrode

550, 651, 1161, 1250, 1350, 1405, 1650... 소스 전극550, 651, 1161, 1250, 1350, 1405, 1650 ... source electrode

560, 652, 1162, 1260, 1360, 1406, 1660... 드레인 전극560, 652, 1162, 1260, 1360, 1406, 1660 ... drain electrode

600, 1100, 1400... 기판 610, 1120... 결정성 반도체막600, 1100, 1400 ... Substrate 610, 1120 ... Crystalline semiconductor film

611, 1121... 저농도 불순물 도핑영역 611, 1121 ... low concentration impurity doping region

612, 1122... 고농도 불순물 도핑영역612, 1122 ... high concentration impurity doping region

620, 1130, 1402... 게이트 절연막 620, 1130, 1402 ... gate insulating film

640, 1150... 층간 절연막640, 1150 ... interlayer insulation film

660, 840, 1170, 1407... 에치 스토퍼 660, 840, 1170, 1407 ... etch stopper

670, 1180... 제 1 보호막 680, 1185... 제 2 보호막670, 1180 ... First Shield 680, 1185 ... Second Shield

690, 1190, 1230, 1409, 1630... 반사면 690, 1190, 1230, 1409, 1630 ... reflecting surface

710, 810, 1510... 포토 레지스트막 710, 810, 1510 ... Photoresist Film

720, 820, 1520... 콘택 홀 형성용 홀720, 820, 1520 ... Contact Hole Formation Holes

730, 830, 1530... 엠보싱 형성용 홀730, 830, 1530 ... Embossing forming holes

1110... 버퍼층 1141, 1163, 1164, 1171... Mo 막1110 ... Buffer layer 1141, 1163, 1164, 1171 ... Mo film

1270, 1670... 투명 화소 영역 1403... 반도체 층1270, 1670 ... transparent pixel area 1403 ... semiconductor layer

1404... 불순물 반도체 층 1408... 보호막1404 ... impurity semiconductor layer 1408 ... protective film

본 발명은 액정표시장치(LCD:Liquid Crystal Display)에 관한 것으로서, 특히 반사면이 구비되는 반사형 액정표시장치 또는 반투과형 액정표시장치에 있어, 광효율 증대를 위한 요철 구조의 반사면을 용이하게 형성시킬 수 있는 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display (LCD), and particularly to a reflective liquid crystal display device or a semi-transmissive liquid crystal display device having a reflective surface, and easily forming a reflective surface having an uneven structure for increasing light efficiency. The present invention relates to a liquid crystal display device and a method of manufacturing the same.

일반적으로, 화상 정보를 화면에 나타내는 화면 표시 장치들 중에서 브라운관 표시 장치(혹은 CRT:Cathode Ray Tube)가 지금까지 가장 많이 사용되어 왔는데, 이것은 표시 면적에 비해 부피가 크고 무겁기 때문에 사용하는데 많은 불편함이 따랐다. In general, CRT (or CRT: Cathode Ray Tube) has been the most used screen display device for displaying image information on the screen, which is inconvenient to use because it is bulky and heavy compared to the display area. Followed.

이에 따라, 표시 면적이 크더라도 그 두께가 얇아서 어느 장소에서든지 쉽게 설치하여 사용할 수 있는 박막형 평판 표시 장치가 개발되었고, 점점 브라운관 표시 장치를 대체하고 있다. 특히, 박막 트랜지스터형 액정표시장치(TFT-LCD:Thin Film Transistor Liquid Crystal Display)는 표시 해상도가 다른 평판 표시 장치보다 뛰어나고, 동화상을 구현할 때 그 품질이 브라운관에 비할 만큼 반응 속도가 빠른 특성을 나타내고 있다.As a result, a thin film type flat panel display device having a small display area that can be easily installed and used in any place has been developed, and has gradually replaced the CRT display device. In particular, TFT-LCD (Thin Film Transistor Liquid Crystal Display) has superior display resolution than other flat panel display devices and exhibits a faster response speed than the CRT when implementing a moving image. .

이와 같은 TFT-LCD의 동작을 간략하게 살펴보면, 박막 트랜지스터에 의해 임의의 화소(pixel)가 스위칭 되면, 스위칭된 임의의 화소는 하부 광원의 빛 투과량을 조절할 수 있게 된다. Briefly referring to the operation of the TFT-LCD, if any pixel is switched by the thin film transistor, the switched arbitrary pixel can adjust the light transmittance of the lower light source.

상기 스위칭 소자는 반도체층을 비정질 실리콘으로 형성한, 비정질 실리콘 박막 트랜지스터(amorphous silicon thin film transistor: a-Si:H TFT)가 주류를 이루고 있다. 이는 비정질 실리콘 박막이 저가의 유리기판과 같은 대형 절연기판 상에 저온에서 형성하는 것이 가능하기 때문이다.The switching device is mainly composed of an amorphous silicon thin film transistor (a-Si: H TFT) in which a semiconductor layer is formed of amorphous silicon. This is because the amorphous silicon thin film can be formed at a low temperature on a large insulating substrate such as a low-cost glass substrate.

일반적으로 사용되는 액정표시장치는, 패널의 하부에 위치한 백라이트라는 광원에서 발광되는 빛에 의해 영상을 표시하는 방식을 사용한다. 그러나, 액정표시장치는 백라이트에 의해 입사된 빛의 3∼8%만 투과하는 매우 비효율적인 광 변조기이다. 좀 더 부연하여 설명하면, 상판 및 하판에 각각 마련되는 두 장의 편광판의 투과도는 45%, 하판과 상판의 유리 두 장의 투과도는 94%, TFT 어레이 및 화소의 투과도는 약 65%, 컬러필터의 투과도는 27%라고 가정하면, 전체적인 액정표시장치의 광 투과도는 약 7.4%가 산출된다. In general, a liquid crystal display device uses a method of displaying an image by light emitted from a light source called a backlight located under the panel. However, liquid crystal displays are very inefficient light modulators that transmit only 3-8% of the light incident by the backlight. In more detail, the transmittance of the two polarizing plates provided on the upper plate and the lower plate is 45%, the transmittance of the two glass sheets of the lower plate and the upper plate is 94%, the transmittance of the TFT array and the pixel is about 65%, and the transmittance of the color filter. Assuming 27%, the light transmittance of the overall liquid crystal display is about 7.4%.

이와 같이, 실제로 액정표시장치를 통해 영상을 표시하는 빛의 양은 백라이트에서 발광되는 빛의 약 7% 정도에 불과하므로, 고 휘도의 액정표시장치에서는 백라이트의 밝기가 그만큼 더 밝아야 하며, 이에 따른 상기 백라이트에 의한 전력 소모가 많이 발생되게 된다. 따라서, 노트북, 이동통신 단말기와 같은 휴대용 기기에 액정표시장치가 채용되는 경우에, 충분한 백라이트의 전원 공급을 위해서는 전원 공급 장치의 용량을 크게 하여야 하는데, 무게가 많이 나가는 배터리(battery)를 사용해 왔다. 그러나, 이처럼 배터리를 사용하는 경우에는 휴대용 장치(예컨대 노트북, 이동통신 단말기)의 무게가 많이 나가게 되며, 또한 사용 시간면에서도 장시간 사용할 수 없고 제한적으로 사용할 수 밖에 없다는 문제점이 있다. As described above, since the amount of light actually displaying the image through the LCD is only about 7% of the light emitted from the backlight, the brightness of the backlight should be brighter in the LCD having high brightness. Power consumption by the backlight is generated a lot. Therefore, when a liquid crystal display device is employed in a portable device such as a laptop or a mobile communication terminal, the capacity of the power supply device must be increased in order to supply sufficient backlight power, but a battery having a large weight has been used. However, in the case of using the battery as described above, the weight of a portable device (for example, a notebook, a mobile communication terminal) is much weighted, and there is a problem in that it cannot be used for a long time in terms of use time and can only be used in a limited manner.

이러한 점을 감안하여, 백라이트 광을 사용하지 않는 반사형 액정표시장치에 대한 연구가 다양하게 진행되고 있다. 반사형 액정표시장치는 백라이트 없이 자연광을 이용하여 동작하므로, 백라이트에서 소모되는 전력량을 대폭 감소시킬 수 있 는 효과로 인하여 장시간 휴대 상태에서 사용이 가능하고, 개구율 또한 기존의 백라이트형 액정표시장치보다 우수한 장점이 있다.In view of this, various studies have been conducted on reflective liquid crystal display devices that do not use backlight light. Because the reflective liquid crystal display operates using natural light without a backlight, it is possible to use it in a portable state for a long time due to the effect of greatly reducing the amount of power consumed in the backlight, and the aperture ratio is also superior to that of the conventional backlight type liquid crystal display. There is an advantage.

즉, 상기 반사형 액정표시장치는 기존 투과형 액정표시장치에서 투명전극으로 형성된 화소부를 불투명의 반사특성이 있는 물질을 사용함으로써, 외부광을 반사시키는 구조로 되어있다.That is, the reflective liquid crystal display device reflects external light by using a material having an opaque reflective characteristic in the pixel portion formed of the transparent electrode in the conventional liquid crystal display device.

한편, 일반적으로 사용자가 이러한 반사형 액정표시장치를 사용하는 환경은, 자연광 또는 인조 광원이 항상 존재하는 것은 아니다. 즉, 상기 반사형 액정표시장치는 자연광이 존재하는 낮이나, 외부 인조광이 존재하는 사무실 및 건물 내부에서는 사용이 가능할지 모르나, 자연광이 존재하지 않는 어두운 환경에서는 상기 반사형 반사형 액정표시장치를 사용할 수 없게 된다.On the other hand, in general, the environment in which the user uses such a reflective liquid crystal display device does not always exist natural light or artificial light source. That is, the reflective liquid crystal display device may be used in an office or a building in which daylight is present in natural light or external artificial light is present, but the reflective reflective liquid crystal display device may be used in a dark environment in which natural light does not exist. You cannot use it.

따라서, 최근에는 자연광을 사용하는 반사형 액정표시장치와 백라이트광을 사용하는 투과형 액정표시장치의 장점을 복합적으로 이용한 반투과형 액정표시장치가 연구/개발되고 있는 상황이다.Therefore, recently, a transflective liquid crystal display device using a combination of advantages of a reflective liquid crystal display device using natural light and a transmissive liquid crystal display device using backlight light has been researched and developed.

그러면, 도 1 및 도 2를 참조하여 종래 반사형 액정표시장치의 구조 및 제조공정에 대하여 살펴 보기로 한다. 도 1은 종래 반사형 액정표시장치의 평면도를 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 2는 도 1의 A-A에 따라 절단된 액정표시장치의 박막 트랜지스터 영역의 단면도를 개략적으로 나타낸 도면이다. 여기서는 박막 트랜지스터 및 화소 영역이 구비되는 하부기판만을 도시하였으며, 다결정 박막 트랜지스터가 채용된 경우를 기준으로 도시하였다.Next, a structure and a manufacturing process of a conventional reflective liquid crystal display device will be described with reference to FIGS. 1 and 2. 1 is a schematic plan view of a conventional reflective liquid crystal display device, and FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a thin film transistor region of a liquid crystal display device cut along the line A-A of FIG. 1. Here, only the lower substrate including the thin film transistor and the pixel region is illustrated, and the illustration is based on the case where the polycrystalline thin film transistor is employed.

도 1 및 도 2를 참조하여 설명하면, 종래 반사형 액정표시장치의 하부기판에 는, 글라스와 같은 기판(200) 상에, 소스 전극(150)(251)에 데이터 신호를 인가하는 복수의 데이터 라인(110)과, 게이트 전극(140)(230)에 게이트 신호를 인가하는 복수의 게이트 라인(120)이 매트릭스 형태로 교차되어 형성되어 있다. 그리고, 상기 데이터 라인(110) 및 게이트 라인(120)의 교차에 의하여 마련되는 영역이 영상을 표시하기 위한 화소 영역(130)이 되며, 반사형 액정 표시장치에서는 이 화소 영역에 반사면(290)이 형성된다. Referring to FIGS. 1 and 2, a plurality of data for applying a data signal to the source electrodes 150 and 251 on a substrate 200 such as glass in a lower substrate of a conventional reflective liquid crystal display device. A line 110 and a plurality of gate lines 120 for applying a gate signal to the gate electrodes 140 and 230 cross each other in a matrix form. The area provided by the intersection of the data line 110 and the gate line 120 becomes the pixel area 130 for displaying an image. In the reflective liquid crystal display, the reflective surface 290 is formed on the pixel area. Is formed.

다음에는, 이와 같은 구조를 갖는 다결정 박막 트랜지스터 및 반사면을 형성하는 제조공정의 한 예를 간략하게 설명해 보기로 한다.Next, an example of a manufacturing process for forming a polycrystalline thin film transistor and a reflective surface having such a structure will be briefly described.

먼저, 글라스와 같은 기판(200) 위에 비정질 반도체막(예컨대 비정질 실리콘)을 증착시킨다. 그리고, 레이저를 이용한 열처리(annealing) 등의 방법을 통하여 상기 비정질 반도체막에 대한 결정화를 진행시키고, 결정화된 반도체막에 대하여 소정의 패터닝을 수행한다. First, an amorphous semiconductor film (for example, amorphous silicon) is deposited on a substrate 200 such as glass. Then, crystallization is performed on the amorphous semiconductor film through a method such as annealing using a laser, and predetermined patterning is performed on the crystallized semiconductor film.

이후, 상기 기판(200) 및 패터닝된 결정성 반도체막(210, 211, 212) 위에 소정 두께의 게이트 절연막(220)을 형성시킨다. 이때, 상기 게이트 절연막(220)으로는 SiNx 또는 SiOx 등의 무기절연막이 많이 이용된다. 그리고, 상기 게이트 절연막 (220) 위의 소정 위치(상기 결성정 반도체막(210)의 위치에 대응되어)에 게이트 전극(230)이 추가로 형성된다. 여기서, 상기 게이트 전극(230)으로는 AlNd 등이 이용될 수 있으며, 일반적인 반도체 공정을 통한 증착 및 패터닝 공정에 의하여 형성될 수 있다.Thereafter, a gate insulating film 220 having a predetermined thickness is formed on the substrate 200 and the patterned crystalline semiconductor films 210, 211, and 212. In this case, an inorganic insulating film such as SiNx or SiOx is used as the gate insulating film 220. In addition, a gate electrode 230 is further formed at a predetermined position on the gate insulating layer 220 (corresponding to the position of the formation crystal semiconductor film 210). Here, AlNd may be used as the gate electrode 230, and may be formed by a deposition and patterning process through a general semiconductor process.

이와 같은 상태에서, 상기 게이트 전극(230)을 마스크로 하여, 상기 게이트 절연막(220) 위에 LDD(Lightly Doped Drain) 영역 형성을 위한 저농도 불순물을 도핑시킨다. 이때, 상기 게이트 전극(230)이 마스크의 역할을 수행할 수 있도록, 상기 게이트 전극(230)의 두께 및 저농도 불순물의 주입 조건을 조절함으로써, 상기 게이트 전극(230)이 형성되지 않은 영역에 대응되는 위치의 결정성 반도체막(211)에 저농도 불순물이 도핑되게 된다(LDD 영역 형성).In this state, lightly doped impurities are formed on the gate insulating layer 220 to form a lightly doped drain (LDD) region using the gate electrode 230 as a mask. In this case, by adjusting the thickness of the gate electrode 230 and the implantation conditions of low concentration impurities, the gate electrode 230 corresponds to an area where the gate electrode 230 is not formed so that the gate electrode 230 may serve as a mask. Low concentration impurities are doped into the crystalline semiconductor film 211 at the position (LDD region formation).

그리고 일반적인 반도체 공정을 이용하여, 상기 게이트 전극(230) 주위에 포토 레지스트막(미도시)을 형성시키고, 소스/드레인 영역(212) 형성을 위한 고농도 불순물을 도핑시킨다. 이후, 상기 포토 레지스트막(미도시)을 제거함으로써, 상기 기판(200) 위에 소스/드레인 영역(212) 및 LDD 영역(211)이 마련된 결정성 반도체막(210)과, 게이트 절연막(220) 및 게이트 전극(230)을 형성시킬 수 있게 된다.A photoresist film (not shown) is formed around the gate electrode 230 by using a general semiconductor process, and a high concentration of impurities for forming the source / drain regions 212 are doped. Thereafter, the photoresist film (not shown) is removed to form a crystalline semiconductor film 210, a gate insulating film 220, and a source / drain region 212 and an LDD region 211 formed on the substrate 200. The gate electrode 230 can be formed.

그리고, 이와 같이 소스/드레인 영역(212) 및 LDD 영역(211)이 형성된 이후에, 전체적으로 층간 절연막(inter layer)(240)을 형성시킨다. 또한, 상기 층간 절연막(240) 및 게이트 절연막(220)에 비아 홀(via hole)을 형성한 후에, 소스 전극 (251)과 드레인 전극(252)을 형성시킴으로서, 다결정 박막 트랜지스터를 형성시킬 수 있게 된다.After the source / drain region 212 and the LDD region 211 are formed in this manner, an interlayer 240 is formed as a whole. In addition, after the via holes are formed in the interlayer insulating film 240 and the gate insulating film 220, the source electrode 251 and the drain electrode 252 are formed to form a polycrystalline thin film transistor. .

그리고, 반사형 액정표시장치에서 영상을 표시하기 위해서는, 반사면의 역할을 수행하는 화소 전극을 추가로 형성시켜 주어야 한다. 이를 위해서는, 먼저 상기 박막 트랜지스터의 소스/드레인 전극(251)(252)과 층간 절연막(240) 위에 보호막을 형성한다. 여기서, 상기 보호막은 SiNx 등의 물질로 형성되는 제 1 보호막(260)과, BCB와 같은 물질로 형성되는 제 2 보호막(265)으로 적층하여 형성시킬 수도 있다. In addition, in order to display an image in the reflective liquid crystal display, a pixel electrode serving as a reflective surface must be additionally formed. To this end, first, a passivation layer is formed on the source / drain electrodes 251 and 252 and the interlayer insulating layer 240 of the thin film transistor. The passivation layer may be formed by laminating a first passivation layer 260 made of a material such as SiNx and a second passivation layer 265 made of a material such as BCB.                         

그리고, 반사면에서의 효율적인 빛의 반사를 위해서는 반사면을 굴곡이 있는 요철형으로 형성하는 것이 바람직한데, 그 반사면 형성 과정의 한 예를 도 3을 참조하여 설명해 보기로 한다. 도 3은 종래 반사형 액정표시장치의 반사면 형성공정을 개념적으로 나타낸 도면이다.In addition, in order to efficiently reflect light from the reflective surface, it is preferable to form the reflective surface with a curved concave-convex shape. An example of the reflective surface forming process will be described with reference to FIG. 3. 3 is a view conceptually illustrating a reflective surface forming process of a conventional reflective liquid crystal display device.

도 3을 참조하여 설명하면, 먼저 굴곡(엠보싱)면을 형성하기 위한 감광성 수지막(예컨대 중합체 수지)(270)을 상기 제 2 보호막(265) 상에 스핀코팅법 또는 롤코팅법 등의 방법을 이용하여 형성시킨다(도 3의 (a) 참조).Referring to FIG. 3, first, a photosensitive resin film (for example, a polymer resin) 270 for forming a curved (embossed) surface on the second passivation film 265 may be spin coated or roll coated. It is formed using (see Fig. 3 (a)).

그리고, 도 3의 (b)에 나타낸 바와 같이, 복수의 홀(A, B)이 형성되어 있는 마스크(300)로 상기 감광성 수지막(270)을 블로킹한 후, 윗쪽으로부터 자외선(도면의 화살표)을 조사한다. 이후, 현상공정을 거치게 되면, 도 3의 (c)에 나타낸 바와 같이, 상기 마스크(300)에 형성되어 있는 복수의 홀의 형상에 대응되어, 상기 제 2 보호막(265) 상에 서로 상이한 형태를 갖는 복수의 감광성 수지막(270) 블록부가 형성된다.And as shown in FIG.3 (b), after blocking the said photosensitive resin film 270 with the mask 300 in which the some hole A and B are formed, the ultraviolet-ray (arrow of drawing) from upper side is shown. Investigate Subsequently, when the developing process is performed, as shown in FIG. 3C, the shapes of the plurality of holes formed in the mask 300 correspond to the shapes of the plurality of holes and have different shapes on the second passivation layer 265. A plurality of photosensitive resin film 270 block portions are formed.

이후, 열처리를 통하여 상기 복수의 감광성 수지막(270) 블록부를 연화시킴으로써, 도 3의 (d)에 나타낸 바와 같은 굴곡 형상을 형성시킬 수 있으며, 이때 상기 감광성 수지막(270)은 서로 다른 높이를 갖도록 구현될 수 있다. 그리고, 도 3의 (e)에 나타낸 바와 같이, 상기 감광성 수지막(270) 위에 중합체 수지 등을 이용하여 보호막인 오버코트층(280)을 형성한다.Thereafter, the plurality of photosensitive resin films 270 may be softened by heat treatment, thereby forming a curved shape as illustrated in FIG. 3D, wherein the photosensitive resin films 270 may have different heights. It can be implemented to have. As shown in FIG. 3E, an overcoat layer 280 that is a protective film is formed on the photosensitive resin film 270 by using a polymer resin or the like.

그리고, 상기 드레인 전극(252) 위에, 일반적인 반도체 공정에 의한 포토 레지스트막 도포/노광/현상 및 식각 공정에 의하여, 상기 제 1 및 제 2 보호막(260) (265)과 오버코트층(280)을 관통하는 콘택 홀(contact hole)을 형성시킨다. 이후, 상기 오버코트층(280) 영역 위에, 영상 표시를 할 수 있도록 알루미늄, 알루미늄 합금 또는 은과 같은 반사특성이 좋은 물질을 이용하여 반사전극(290)을 형성시킨다. In addition, the first and second passivation layers 260 and 265 and the overcoat layer 280 are penetrated on the drain electrode 252 by a photoresist film coating / exposure / development and etching process by a general semiconductor process. To form a contact hole. Subsequently, the reflective electrode 290 is formed on the overcoat layer 280 using a material having good reflective properties such as aluminum, aluminum alloy, or silver to display an image.

이에 따라 상기 반사전극(290)은, 상기 콘택 홀을 통하여 상기 드레인 전극 (252)과 전기적으로 연결되며, 상기 박막 트랜지스터의 구동에 따라 영상 표시를 위한 동작을 수행할 수 있게 된다. Accordingly, the reflective electrode 290 is electrically connected to the drain electrode 252 through the contact hole, and can perform an operation for displaying an image according to the driving of the thin film transistor.

한편, 도 4는 종래 반사형 액정표시장치의 화소 영역에 형성된 반사면의 형상을 개념적으로 나타낸 도면이다. 즉, 도 4에 나타낸 바와 같이, 반사면의 형상을 요철형으로 형성시킴으로써, 반사면에서 반사되는 빛을 효율적으로 이용할 수 있게 된다.4 is a diagram conceptually illustrating a shape of a reflective surface formed in a pixel area of a conventional reflective liquid crystal display device. That is, as shown in FIG. 4, by forming the shape of the reflective surface into an uneven shape, it is possible to efficiently use the light reflected from the reflective surface.

그런데, 상기에서 설명한 바와 같은 제조공정을 통하여 반사면을 형성하는 경우에는, 제조공정의 각 처리단계가 많아짐에 따라 공정이 지연되고, 제조 비용이 많이 발생되는 단점이 있다.By the way, in the case of forming the reflective surface through the manufacturing process as described above, there is a disadvantage that the process is delayed as the processing steps of the manufacturing process are increased, and the manufacturing cost is high.

본 발명은, 반사면이 구비되는 반사형 액정표시장치 또는 반투과형 액정표시장치에 있어, 광효율 증대를 위한 요철 구조의 반사면을 용이하게 형성시킬 수 있는 액정표시장치 및 그 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.The present invention provides a liquid crystal display device having a reflective surface or a transflective liquid crystal display device, which can easily form a reflective surface having an uneven structure for increasing light efficiency, and a method of manufacturing the same. There is a purpose.

상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 액정표시장치는, In order to achieve the above object, the liquid crystal display device according to the present invention,                     

기판과;A substrate;

상기 기판 상에 형성되며, 소스/드레인 영역 및 채널 영역이 구비된 결정성 반도체막과;A crystalline semiconductor film formed on the substrate and having a source / drain region and a channel region;

상기 기판 및 결정성 반도체막 위에 형성된 게이트 절연막과; A gate insulating film formed on the substrate and the crystalline semiconductor film;

상기 게이트 절연막 상에 마련되며, 상기 결정성 반도체막의 채널 영역 위쪽에 형성된 게이트 전극과; A gate electrode formed on the gate insulating film and formed over a channel region of the crystalline semiconductor film;

상기 게이트 절연막 및 게이트 전극 위에 형성된 층간 절연막과; An interlayer insulating film formed on the gate insulating film and the gate electrode;

상기 층간 절연막 상에 형성되며, 상기 소스/드레인 영역 위의 층간 절연막 및 게이트 절연막에 형성된 비아 홀을 통하여 상기 드레인 전극에 전기적으로 연결된 소스/드레인 전극과;A source / drain electrode formed on the interlayer insulating film and electrically connected to the drain electrode through via holes formed in the interlayer insulating film and the gate insulating film over the source / drain region;

상기 층간 절연막 상에 마련되며, 영상을 표시하는 화소 영역에 형성된 에치 스토퍼와; An etch stopper provided on the interlayer insulating film and formed in the pixel area displaying an image;

상기 층간 절연막, 소스/드레인 전극 및 에치 스토퍼 위에 형성되며, 상기 에치 스토퍼가 마련된 영역에는 엠보싱 형태로 형성된 보호막; 및A passivation layer formed on the interlayer insulating layer, the source / drain electrodes and the etch stopper, and having an embossed shape in a region where the etch stopper is provided; And

상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되며, 상기 화소 영역의 엠보싱 형태의 보호막 위에 형성된 반사면; 을 포함하는 점에 그 특징이 있다.A reflective surface electrically connected to the drain electrode and formed on an embossed protective film of the pixel region; Its features are to include.

여기서 본 발명에 의하면, 상기 에치 스토퍼는 상기 소스/드레인 전극을 형성하는 물질과 동일 물질로 형성된 점에 그 특징이 있다.According to the present invention, the etch stopper is characterized in that it is formed of the same material as the material forming the source / drain electrodes.

또한 본 발명에 의하면, 상기 에치 스토퍼는 상기 화소 영역에 마련된 엠보싱 형태의 보호막 형상에 맞추어 패터닝되며, 상기 보호막의 오목하게 들어간 영역 의 위치에 대응되어 형성된 점에 그 특징이 있다.Further, according to the present invention, the etch stopper is patterned according to the embossed protective film shape provided in the pixel region, and is characterized in that it is formed corresponding to the position of the recessed area of the protective film.

또한 본 발명에 의하면, 상기 에치 스토퍼는 상기 화소 영역 전체에 걸쳐 형성된 점에 그 특징이 있다.According to the present invention, the etch stopper is characterized in that it is formed over the entire pixel region.

또한 본 발명에 의하면, 상기 보호막은 비감광성 물질로 형성되는 점에 그 특징이 있다.In addition, according to the present invention, the protective film is characterized by being formed of a non-photosensitive material.

또한 본 발명에 의하면, 상기 보호막은 유기 절연막인 점에 그 특징이 있다.Further, according to the present invention, the protective film is characterized in that it is an organic insulating film.

또한 본 발명에 의하면, 상기 반사면은 알루미늄 또는 알루미늄 합금이 증착되어 형성된 점에 그 특징이 있다.In addition, according to the present invention, the reflective surface is characterized in that the aluminum or aluminum alloy is formed by deposition.

또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 액정표시장치의 다른 실시 예는,In addition, another embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention in order to achieve the above object,

기판과; A substrate;

상기 기판 상에 마련되며, 소스/드레인 영역 및 채널 영역이 구비된 결정성 반도체막과;A crystalline semiconductor film provided on the substrate and provided with a source / drain region and a channel region;

상기 기판 및 결정성 반도체막 위에 형성된 게이트 절연막과; A gate insulating film formed on the substrate and the crystalline semiconductor film;

상기 게이트 절연막 상에 마련되며, 상기 패터닝된 결정성 반도체막의 채널 영역 위쪽에 형성된 게이트 전극과; A gate electrode formed on the gate insulating film and formed over a channel region of the patterned crystalline semiconductor film;

상기 게이트 절연막 및 게이트 전극 위에 형성된 층간 절연막과; An interlayer insulating film formed on the gate insulating film and the gate electrode;

상기 층간 절연막 상에 형성되며, 상기 소스/드레인 영역 위의 층간 절연막 및 게이트 절연막에 형성된 비아 홀을 통하여 상기 드레인 전극에 전기적으로 연결된 소스/드레인 전극과; A source / drain electrode formed on the interlayer insulating film and electrically connected to the drain electrode through via holes formed in the interlayer insulating film and the gate insulating film over the source / drain region;                     

상기 층간 절연막 상에 마련되며, 영상을 표시하는 화소 영역의 일부 영역에 형성된 에치 스토퍼와; An etch stopper provided on the interlayer insulating film and formed in a partial region of the pixel region for displaying an image;

상기 층간 절연막, 소스/드레인 전극 및 에치 스토퍼 위에 형성되며, 상기 에치 스토퍼가 마련된 영역에는 엠보싱 형태로 형성된 보호막과; A protective film formed on the interlayer insulating film, the source / drain electrodes and the etch stopper, and having an embossed shape in a region where the etch stopper is provided;

상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되며, 상기 화소 영역의 일부 영역에 마련된 엠보싱 형태의 보호막 위에 형성된 반사면; 및A reflective surface electrically connected to the drain electrode and formed on an embossed protective film provided in a portion of the pixel region; And

상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되며, 상기 화소 영역 중에서 엠보싱 형태의 보호막이 마련되지 않은 영역에 형성된 투명전극; 을 포함하는 점에 그 특징이 있다.A transparent electrode electrically connected to the drain electrode and formed in an area of the pixel area where an embossed protective film is not provided; Its features are to include.

여기서 본 발명에 의하면, 상기 화소 영역의 중심부에는 상기 투명전극이 형성되며, 상기 화소 영역의 투명전극 주변에는 상기 반사면이 형성된 점에 그 특징이 있다.According to the present invention, the transparent electrode is formed at the center of the pixel region, and the reflective surface is formed around the transparent electrode of the pixel region.

또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 액정표시장치의 제조방법은,In addition, the manufacturing method of the liquid crystal display device according to the present invention in order to achieve the above object,

기판 위에 결정성 반도체막을 형성하는 단계와;Forming a crystalline semiconductor film on the substrate;

상기 기판 및 결정성 반도체막 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계와;Forming a gate insulating film on the substrate and the crystalline semiconductor film;

상기 게이트 절연막 위에 마련되며, 상기 결성정 반도체막의 위쪽에 게이트 전극을 형성하는 단계와;Forming a gate electrode on the gate insulating layer, and forming a gate electrode on the formation crystal semiconductor film;

상기 결정성 반도체막에 소스/드레인 영역 및 채널 영역을 형성하는 단계와;Forming a source / drain region and a channel region in the crystalline semiconductor film;

상기 게이트 전극 및 게이트 절연막 상에 층간 절연막을 형성하는 단계와; Forming an interlayer insulating film on the gate electrode and the gate insulating film;                     

상기 소스/드레인 영역의 상부에 마련된 상기 층간 절연막 및 게이트 절연막에 비아 홀(via hole)을 형성하고, 소스 전극 및 드레인 전극 물질을 증착하여 소스 전극 및 드레인 전극을 형성시키며, 영상이 표시되는 화소 영역에는 상기 소스/드레인 전극 물질을 이용하여 에치 스토퍼(etch stopper)를 형성시키는 단계와;A pixel region in which a via hole is formed in the interlayer insulating film and the gate insulating film provided on the source / drain region, and a source electrode and a drain electrode material are deposited to form a source electrode and a drain electrode, and an image is displayed. Forming an etch stopper using the source / drain electrode material;

상기 에치 스토퍼, 소스/드레인 전극 및 층간 절연막 상부에 보호막을 형성하는 단계와;Forming a protective film on the etch stopper, the source / drain electrodes and the interlayer insulating film;

상기 보호막 위에 포토 레지스트막을 형성하고, 그 포토 레지스트막에 콘택 홀 형성을 위한 홀과 엠보싱 홀 형성을 위한 복수의 홀을 형성하는 단계와;Forming a photoresist film on the protective film, and forming a hole for forming a contact hole and a plurality of holes for forming an embossed hole in the photoresist film;

상기 포토 레지스트막에 대하여 건식 식각을 수행하여, 상기 드레인 전극 상부에 콘택 홀을 형성하고, 상기 화소 영역에는 복수의 엠보싱 형태의 보호막을 형성하는 단계; 및Performing dry etching on the photoresist film to form a contact hole on the drain electrode, and forming a plurality of embossed protective films on the pixel region; And

상기 드레인 전극 상부의 콘택 홀 및 엠보싱 형태의 보호막 위에 반사면을 증착 형성하는 단계; 를 포함하는 점에 그 특징이 있다.Depositing a reflective surface on the contact hole and the embossed protective layer on the drain electrode; Its features are to include.

여기서 본 발명에 의하면, 상기 에치 스토퍼는 상기 화소 영역에 마련된 엠보싱 형태의 보호막 형상에 맞추어 패터닝되며, 상기 보호막의 오목하게 들어간 영역의 위치에 대응되어 형성되는 점에 그 특징이 있다.According to the present invention, the etch stopper is patterned according to the shape of the protective film of the embossed shape provided in the pixel area, and is characterized in that it is formed corresponding to the position of the recessed area of the protective film.

또한 본 발명에 의하면, 상기 에치 스토퍼는 상기 화소 영역 전체에 걸쳐 형성되는 점에 그 특징이 있다.According to the present invention, the etch stopper is characterized in that it is formed over the entire pixel region.

또한 본 발명에 의하면, 상기 보호막은 비감광성 물질로 형성되는 점에 그 특징이 있다. In addition, according to the present invention, the protective film is characterized by being formed of a non-photosensitive material.                     

또한 본 발명에 의하면, 상기 보호막은 유기 절연막인 점에 그 특징이 있다.Further, according to the present invention, the protective film is characterized in that it is an organic insulating film.

또한 본 발명에 의하면, 상기 반사면은 알루미늄 또는 알루미늄 합금이 증착되어 형성되는 점에 그 특징이 있다.In addition, according to the present invention, the reflective surface is characterized in that the aluminum or aluminum alloy is formed by deposition.

또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 액정표시장치 제조방법의 다른 실시 예는,In addition, another embodiment of the manufacturing method of the liquid crystal display device according to the present invention in order to achieve the above object,

기판 위에 결정성 반도체막을 형성하는 단계와;Forming a crystalline semiconductor film on the substrate;

상기 기판 및 결정성 반도체막 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계와;Forming a gate insulating film on the substrate and the crystalline semiconductor film;

상기 게이트 절연막 위에 마련되며, 상기 결성정 반도체막의 위쪽에 게이트 전극을 형성하는 단계와;Forming a gate electrode on the gate insulating layer, and forming a gate electrode on the formation crystal semiconductor film;

상기 결정성 반도체막에 소스/드레인 영역 및 채널 영역을 형성하는 단계와;Forming a source / drain region and a channel region in the crystalline semiconductor film;

상기 게이트 전극 및 게이트 절연막 상에 층간 절연막을 형성하는 단계와;Forming an interlayer insulating film on the gate electrode and the gate insulating film;

상기 소스/드레인 영역의 상부에 마련된 상기 층간 절연막 및 게이트 절연막에 비아 홀(via hole)을 형성하고, 소스 전극 및 드레인 전극 물질을 증착하여 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하며, 영상이 표시되는 화소 영역에는 상기 소스/드레인 전극 물질을 이용하여 에치 스토퍼(etch stopper)를 형성시키는 단계와;A pixel region in which a via hole is formed in the interlayer insulating film and the gate insulating film provided on the source / drain area, and a source electrode and a drain electrode material are deposited to form a source electrode and a drain electrode, and an image is displayed. Forming an etch stopper using the source / drain electrode material;

상기 에치 스토퍼, 소스/드레인 전극 및 층간 절연막 상부에 보호막을 형성하는 단계와;Forming a protective film on the etch stopper, the source / drain electrodes and the interlayer insulating film;

상기 보호막 위에 포토 레지스트막을 형성하고, 그 포토 레지스트막에 대한 노광을 통하여 콘택 홀 형성을 위한 홀을 형성하며, 회절노광을 이용하여 엠보싱 홀 형성을 위한 얇은 두께의 포토 레지스트막 영역을 복수로 형성하는 단계와; Forming a photoresist film on the passivation layer, forming a hole for contact hole through exposure to the photoresist film, and forming a plurality of thin photoresist film regions for forming embossed holes using diffraction exposure; Steps;                     

상기 포토 레지스트막에 대하여 건식 식각을 수행하여, 상기 드레인 전극 상부에 콘택 홀을 형성하고, 상기 화소 영역에는 복수의 엠보싱 형태의 보호막을 형성하는 단계; 및Performing dry etching on the photoresist film to form a contact hole on the drain electrode, and forming a plurality of embossed protective films on the pixel region; And

상기 드레인 전극 상부의 콘택 홀 및 엠보싱 형태의 보호막 위에 반사면을 증착 형성하는 단계; 를 포함하는 점에 그 특징이 있다.Depositing a reflective surface on the contact hole and the embossed protective layer on the drain electrode; Its features are to include.

여기서 본 발명에 의하면, 상기 에치 스토퍼는 상기 화소 영역에 마련된 엠보싱 형태의 보호막 형상에 맞추어 패터닝되며, 상기 보호막의 오목하게 들어간 영역의 위치에 대응되어 형성되는 점에 그 특징이 있다.According to the present invention, the etch stopper is patterned according to the shape of the protective film of the embossed shape provided in the pixel area, and is characterized in that it is formed corresponding to the position of the recessed area of the protective film.

또한 본 발명에 의하면, 상기 에치 스토퍼는 상기 화소 영역 전체에 걸쳐 형성되는 점에 그 특징이 있다.Further, according to the present invention, the etch stopper is characterized in that it is formed over the entire pixel region.

또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 액정표시장치의 또 다른 실시 예는,In addition, another embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention in order to achieve the above object,

기판과; A substrate;

상기 기판 상에 형성된 게이트 전극과;A gate electrode formed on the substrate;

상기 기판 및 게이트 전극 위에 형성된 게이트 절연막과; A gate insulating film formed on the substrate and the gate electrode;

상기 게이트 절연막 상에 마련되며, 상기 게이트 전극의 위쪽에 형성된 반도체 층과; A semiconductor layer provided on the gate insulating layer and formed on the gate electrode;

상기 반도체 층 상부에 형성된 소스/드레인 전극과;A source / drain electrode formed over the semiconductor layer;

상기 게이트 절연막 상에 마련되며, 영상을 표시하는 화소 영역에 형성된 에치 스토퍼와; An etch stopper provided on the gate insulating film and formed in the pixel area displaying the image;                     

상기 소스/드레인 전극, 게이트 절연막 및 에치 스토퍼 위에 형성되며, 상기 에치 스토퍼가 마련된 영역에는 엠보싱 형태로 형성된 보호막; 및A passivation layer formed on the source / drain electrode, the gate insulating layer, and the etch stopper, and having an embossed shape in a region where the etch stopper is provided; And

상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되며, 상기 화소 영역의 엠보싱 형태의 보호막 위에 형성된 반사면; 을 포함하는 점에 그 특징이 있다.A reflective surface electrically connected to the drain electrode and formed on an embossed protective film of the pixel region; Its features are to include.

여기서 본 발명에 의하면, 상기 에치 스토퍼는 상기 소스/드레인 전극을 형성하는 물질과 동일 물질로 형성된 점에 그 특징이 있다.According to the present invention, the etch stopper is characterized in that it is formed of the same material as the material forming the source / drain electrodes.

또한 본 발명에 의하면, 상기 에치 스토퍼는 상기 화소 영역에 마련된 엠보싱 형태의 보호막 형상에 맞추어 패터닝되며, 상기 보호막의 오목하게 들어간 영역의 위치에 대응되어 형성된 점에 그 특징이 있다.Further, according to the present invention, the etch stopper is patterned according to the shape of the protective film of the embossed shape provided in the pixel area, and is characterized in that it is formed corresponding to the position of the recessed area of the protective film.

또한 본 발명에 의하면, 상기 에치 스토퍼는 상기 화소 영역 전체에 걸쳐 형성된 점에 그 특징이 있다.According to the present invention, the etch stopper is characterized in that it is formed over the entire pixel region.

또한 본 발명에 의하면, 상기 보호막은 비감광성 물질로 형성된 점에 그 특징이 있다.In addition, according to the present invention, the protective film is characterized in that it is formed of a non-photosensitive material.

또한 본 발명에 의하면, 상기 보호막은 유기 절연막인 점에 그 특징이 있다.Further, according to the present invention, the protective film is characterized in that it is an organic insulating film.

또한 본 발명에 의하면, 상기 반사면은 알루미늄 또는 알루미늄 합금이 증착되어 형성된 점에 그 특징이 있다.In addition, according to the present invention, the reflective surface is characterized in that the aluminum or aluminum alloy is formed by deposition.

또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 액정표시장치의 또 다른 실시 예는,In addition, another embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention in order to achieve the above object,

기판과; A substrate;

상기 기판 상에 형성된 게이트 전극과; A gate electrode formed on the substrate;                     

상기 기판 및 게이트 전극 위에 형성된 게이트 절연막과; A gate insulating film formed on the substrate and the gate electrode;

상기 게이트 절연막 상에 마련되며, 상기 게이트 전극의 위쪽에 형성된 반도체 층과; A semiconductor layer provided on the gate insulating layer and formed on the gate electrode;

상기 반도체 층 상부에 형성된 소스/드레인 전극과;A source / drain electrode formed over the semiconductor layer;

상기 게이트 절연막 상에 마련되며, 영상을 표시하는 화소 영역의 일부 영역에 형성된 에치 스토퍼와; An etch stopper provided on the gate insulating film and formed in a partial region of the pixel region for displaying an image;

상기 소스/드레인 전극, 게이트 절연막 및 에치 스토퍼 위에 형성되며, 상기 에치 스토퍼가 마련된 영역에는 엠보싱 형태로 형성된 보호막과; A protective film formed on the source / drain electrode, the gate insulating film, and the etch stopper, and having an embossed shape in a region where the etch stopper is provided;

상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되며, 상기 화소 영역의 일부 영역에 마련된 엠보싱 형태의 보호막 위에 형성된 반사면; 및A reflective surface electrically connected to the drain electrode and formed on an embossed protective film provided in a portion of the pixel region; And

상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되며, 상기 화소 영역 중에서 엠보싱 형태의 보호막이 마련되지 않은 영역에 형성된 투명전극; 을 포함하는 점에 그 특징이 있다.A transparent electrode electrically connected to the drain electrode and formed in an area of the pixel area where an embossed protective film is not provided; Its features are to include.

여기서 본 발명에 의하면, 상기 화소 영역의 중심부에는 상기 투명전극이 형성되며, 상기 화소 영역의 투명전극 주변에는 상기 반사면이 형성된 점에 그 특징이 있다.According to the present invention, the transparent electrode is formed at the center of the pixel region, and the reflective surface is formed around the transparent electrode of the pixel region.

또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 액정표시장치 제조방법의 또 다른 실시 예는,In addition, to achieve the above object another embodiment of the liquid crystal display device manufacturing method according to the present invention,

기판 위에 게이트 전극을 형성하고, 상기 게이트 전극 위에 게이트 절연막을 적층 형성하는 단계와; Forming a gate electrode on the substrate, and forming a gate insulating film on the gate electrode;                     

상기 게이트 절연막 위에 반도체 층을 형성하는 단계와;Forming a semiconductor layer over the gate insulating film;

상기 반도체 층 위에 소스/드레인 전극을 형성시키며, 상기 소스/드레인 전극을 형성시키는 동일 물질을 이용하여 화소 영역에 에치 스토퍼(etch stopper)를 형성시키는 단계와;Forming a source / drain electrode on the semiconductor layer and forming an etch stopper in the pixel region using the same material forming the source / drain electrode;

상기 게이트 절연막, 소스/드레인 전극 및 에치 스토퍼 상부에 보호막을 형성하는 단계와;Forming a passivation layer on the gate insulating layer, the source / drain electrode and the etch stopper;

상기 보호막 위에 포토 레지스트막을 형성하고, 그 포토 레지스트막에 콘택 홀 형성을 위한 홀과 엠보싱 홀 형성을 위한 복수의 홀을 형성하는 단계와;Forming a photoresist film on the protective film, and forming a hole for forming a contact hole and a plurality of holes for forming an embossed hole in the photoresist film;

상기 포토 레지스트막에 대하여 건식 식각을 수행하여, 상기 드레인 전극 상부에 콘택 홀을 형성하고, 상기 화소 영역에는 복수의 엠보싱 형태의 보호막을 형성하는 단계; 및Performing dry etching on the photoresist film to form a contact hole on the drain electrode, and forming a plurality of embossed protective films on the pixel region; And

상기 드레인 전극 상부의 콘택 홀 및 엠보싱 형태의 보호막 위에 반사면을 증착 형성하는 단계; 를 포함하는 점에 그 특징이 있다.Depositing a reflective surface on the contact hole and the embossed protective layer on the drain electrode; Its features are to include.

여기서 본 발명에 의하면, 상기 에치 스토퍼는 상기 화소 영역에 마련된 엠보싱 형태의 보호막 형상에 맞추어 패터닝되며, 상기 보호막의 오목하게 들어간 영역의 위치에 대응되어 형성되는 점에 그 특징이 있다.According to the present invention, the etch stopper is patterned according to the shape of the protective film of the embossed shape provided in the pixel area, and is characterized in that it is formed corresponding to the position of the recessed area of the protective film.

또한 본 발명에 의하면, 상기 에치 스토퍼는 상기 화소 영역 전체에 걸쳐 형성되는 점에 그 특징이 있다.According to the present invention, the etch stopper is characterized in that it is formed over the entire pixel region.

또한 본 발명에 의하면, 상기 보호막은 비감광성 물질로 형성되는 점에 그 특징이 있다. In addition, according to the present invention, the protective film is characterized by being formed of a non-photosensitive material.                     

또한 본 발명에 의하면, 상기 보호막은 유기 절연막인 점에 그 특징이 있다.Further, according to the present invention, the protective film is characterized in that it is an organic insulating film.

또한 본 발명에 의하면, 상기 반사면은 알루미늄 또는 알루미늄 합금이 증착되어 형성되는 점에 그 특징이 있다.In addition, according to the present invention, the reflective surface is characterized in that the aluminum or aluminum alloy is formed by deposition.

또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 액정표시장치 제조방법의 또 다른 실시 예는,In addition, to achieve the above object another embodiment of the liquid crystal display device manufacturing method according to the present invention,

기판 위에 게이트 전극을 형성하고, 상기 게이트 전극 위에 게이트 절연막을 적층 형성하는 단계와;Forming a gate electrode on the substrate, and forming a gate insulating film on the gate electrode;

상기 게이트 절연막 위에 반도체 층을 형성하는 단계와;Forming a semiconductor layer over the gate insulating film;

상기 반도체 층 위에 소스/드레인 전극을 형성시키며, 상기 소스/드레인 전극을 형성시키는 동일 물질을 이용하여 화소 영역에 에치 스토퍼(etch stopper)를 형성시키는 단계와;Forming a source / drain electrode on the semiconductor layer and forming an etch stopper in the pixel region using the same material forming the source / drain electrode;

상기 게이트 절연막, 소스/드레인 전극 및 에치 스토퍼 상부에 보호막을 형성하는 단계와;Forming a passivation layer on the gate insulating layer, the source / drain electrode and the etch stopper;

상기 보호막 위에 포토 레지스트막을 형성하고, 그 포토 레지스트막에 대한 노광을 통하여 콘택 홀 형성을 위한 홀을 형성하며, 회절노광을 이용하여 엠보싱 홀 형성을 위한 얇은 두께의 포토 레지스트막 영역을 복수로 형성하는 단계와;Forming a photoresist film on the passivation layer, forming a hole for contact hole through exposure to the photoresist film, and forming a plurality of thin photoresist film regions for forming embossed holes using diffraction exposure; Steps;

상기 포토 레지스트막에 대하여 건식 식각을 수행하여, 상기 드레인 전극 상부에 콘택 홀을 형성하고, 상기 화소 영역에는 복수의 엠보싱 형태의 보호막을 형성하는 단계; 및Performing dry etching on the photoresist film to form a contact hole on the drain electrode, and forming a plurality of embossed protective films on the pixel region; And

상기 드레인 전극 상부의 콘택 홀 및 엠보싱 형태의 보호막 위에 반사면을 증착 형성하는 단계; 를 포함하는 점에 그 특징이 있다.Depositing a reflective surface on the contact hole and the embossed protective layer on the drain electrode; Its features are to include.

여기서 본 발명에 의하면, 상기 에치 스토퍼는 상기 화소 영역에 마련된 엠보싱 형태의 보호막 형상에 맞추어 패터닝되며, 상기 보호막의 오목하게 들어간 영역의 위치에 대응되어 형성되는 점에 그 특징이 있다.According to the present invention, the etch stopper is patterned according to the shape of the protective film of the embossed shape provided in the pixel area, and is characterized in that it is formed corresponding to the position of the recessed area of the protective film.

또한 본 발명에 의하면, 상기 에치 스토퍼는 상기 화소 영역 전체에 걸쳐 형성되는 점에 그 특징이 있다.According to the present invention, the etch stopper is characterized in that it is formed over the entire pixel region.

이와 같은 본 발명에 의하면, 반사면이 구비되는 반사형 액정표시장치 또는 반투과형 액정표시장치에 있어서, 광효율 증대를 위한 요철 구조의 반사면을 형성함에 있어, 콘택 홀 형성 시에 엠보싱 형상의 보호면을 동시에 형성시킴으로써 공정을 간소화할 수 있으며, 제조 단가를 절감할 수 있는 장점이 있다.According to the present invention, in the reflective liquid crystal display device or the semi-transmissive liquid crystal display device provided with a reflective surface, in forming the reflective surface of the concave-convex structure for increasing the light efficiency, the protective surface of the embossed shape when forming the contact hole By simultaneously forming the process can be simplified, there is an advantage that can reduce the manufacturing cost.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시 예를 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 5는 본 발명에 따른 다결정 박막 트랜지스터가 채용된 반사형 액정표시장치의 평면도를 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 6은 도 5의 B-B에 따라 절단된 반사형 액정표시장치의 박막 트랜지스터 영역의 단면도를 개략적으로 나타낸 도면이다. 여기서는 박막 트랜지스터 및 화소 영역이 구비되는 하부기판만을 도시하였으며, 다결정 박막 트랜지스터가 채용된 경우를 기준으로 도시하였다.FIG. 5 is a schematic plan view of a reflective liquid crystal display device employing a polycrystalline thin film transistor according to the present invention, and FIG. 6 is a cross-sectional view of a thin film transistor region of a reflective liquid crystal display device cut in accordance with BB of FIG. 5. It is a schematic drawing. Here, only the lower substrate including the thin film transistor and the pixel region is illustrated, and the illustration is based on the case where the polycrystalline thin film transistor is employed.

도 5 및 도 6을 참조하여 설명하면, 본 발명에 따른 반사형 액정표시장치의 하부기판에는, 글라스와 같은 기판(600) 상에, 소스 전극(550)(651)에 데이터 신호를 인가하는 복수의 데이터 라인(510)과, 게이트 전극(540)(630)에 게이트 신호를 인가하는 복수의 게이트 라인(520)이 매트릭스 형태로 교차되어 형성되어 있다. 그 리고, 상기 데이터 라인(510) 및 게이트 라인(520)의 교차에 의하여 마련되는 영역이 영상을 표시하기 위한 화소 영역(530)이 되며, 반사형 액정 표시장치에서는 이 화소 영역에 반사면(690)이 형성된다. 5 and 6, in the lower substrate of the reflective LCD according to the present invention, a plurality of data signals are applied to the source electrodes 550 and 651 on a substrate 600 such as glass. The data line 510 and the plurality of gate lines 520 for applying a gate signal to the gate electrodes 540 and 630 are formed to cross each other in a matrix form. In addition, an area provided by the intersection of the data line 510 and the gate line 520 becomes a pixel area 530 for displaying an image. In the reflective liquid crystal display, the reflective surface 690 is formed on the pixel area. ) Is formed.

그러면, 이와 같은 구조를 갖는 다결정 박막 트랜지스터 및 반사면을 형성하는 제조공정을, 도 6 및 도 7을 참조하여 상세하게 설명해 보기로 한다. 도 7은 본 발명에 따른 다결정 박막 트랜지스터가 채용된 반사형 액정표시장치의 제조 공정별 단면도를 개략적으로 나타낸 도면이다.Next, a manufacturing process for forming the polycrystalline thin film transistor and the reflective surface having such a structure will be described in detail with reference to FIGS. 6 and 7. 7 is a schematic cross-sectional view of a manufacturing process of a reflective liquid crystal display device employing a polycrystalline thin film transistor according to the present invention.

먼저, 글라스와 같은 기판(600) 위에 비정질 반도체막(예컨대 비정질 실리콘)을 증착시킨다. 그리고, 레이저를 이용한 열처리(annealing) 등의 방법을 통하여 상기 비정질 반도체막에 대한 결정화를 진행시키고, 결정화된 반도체막에 대하여 소정의 패터닝을 수행한다. First, an amorphous semiconductor film (for example, amorphous silicon) is deposited on a substrate 600 such as glass. Then, crystallization is performed on the amorphous semiconductor film through a method such as annealing using a laser, and predetermined patterning is performed on the crystallized semiconductor film.

이후, 상기 기판(600) 및 패터닝된 결정성 반도체막(610, 611, 612) 위에 소정 두께의 게이트 절연막(620)을 형성시킨다. 이때, 상기 게이트 절연막(620)으로는 SiNx 또는 SiOx 등의 무기절연막이 많이 이용된다. 그리고, 상기 게이트 절연막 (620) 위의 소정 위치(상기 결성정 반도체막(610)의 위치에 대응되어)에 게이트 전극(630)이 추가로 형성된다. 여기서, 상기 게이트 전극(630)으로는 AlNd 등이 이용될 수 있으며, 일반적인 반도체 공정을 통한 증착 및 패터닝 공정에 의하여 형성될 수 있다.Thereafter, a gate insulating layer 620 having a predetermined thickness is formed on the substrate 600 and the patterned crystalline semiconductor layers 610, 611, and 612. In this case, an inorganic insulating film such as SiNx or SiOx is frequently used as the gate insulating film 620. In addition, a gate electrode 630 is further formed at a predetermined position on the gate insulating layer 620 (corresponding to a position of the formation crystal semiconductor layer 610). Here, AlNd may be used as the gate electrode 630 and may be formed by a deposition and patterning process through a general semiconductor process.

이와 같은 상태에서, 상기 게이트 전극(630)을 마스크로 하여, 상기 게이트 절연막(620) 위에 LDD(Lightly Doped Drain) 영역 형성을 위한 저농도 불순물을 도 핑시킨다. 이때, 상기 게이트 전극(630)이 마스크의 역할을 수행할 수 있도록, 상기 게이트 전극(630)의 두께 및 저농도 불순물의 주입 조건을 조절함으로써, 상기 게이트 전극(630)이 형성되지 않은 영역에 대응되는 위치의 결정성 반도체막(611)에 저농도 불순물이 도핑되게 된다(LDD 영역 형성).In this state, lightly doped impurities for forming a lightly doped drain (LDD) region are doped on the gate insulating layer 620 using the gate electrode 630 as a mask. In this case, by adjusting the thickness of the gate electrode 630 and the implantation conditions of low concentration impurities, the gate electrode 630 corresponds to a region where the gate electrode 630 is not formed so that the gate electrode 630 may serve as a mask. Low concentration impurities are doped in the crystalline semiconductor film 611 at the position (LDD region formation).

그리고, 일반적인 반도체 공정을 이용하여, 상기 게이트 전극(630) 주위에 포토 레지스트막(미도시)을 형성시키고, 소스/드레인 영역(612) 형성을 위한 고농도 불순물을 도핑시킨다. 이후, 상기 포토 레지스트막(미도시)을 제거함으로써, 상기 기판(600) 위에 소스/드레인 영역(612) 및 LDD 영역(611)이 마련된 결정성 반도체막(610)과, 게이트 절연막(620) 및 게이트 전극(630)을 형성시킬 수 있게 된다(도 7의 (a) 참조).Then, a photoresist film (not shown) is formed around the gate electrode 630 using a general semiconductor process, and a high concentration of impurities for forming the source / drain regions 612 are doped. Thereafter, the photoresist film (not shown) is removed to form a crystalline semiconductor film 610, a gate insulating film 620, and a source / drain region 612 and an LDD region 611 formed on the substrate 600. The gate electrode 630 can be formed (see FIG. 7A).

그리고, 이와 같이 소스/드레인 영역(612) 및 LDD 영역(611)이 형성된 이후에, 전체적으로 층간 절연막(inter layer)(640)을 형성시킨다. 이때, 상기 층간 절연막(640)으로는 SiNx와 같은 물질이 이용될 수 있다. 이후, 일반적인 반도체 공정에 의한 포토 레지스트막 도포/노광/현상 및 식각 공정을 통하여, 상기 층간 절연막(640) 및 게이트 절연막(620)에 비아 홀(via hole)을 형성한 후에, 소스 전극( 651)과 드레인 전극(652)을 형성시킴으로서, 다결정 박막 트랜지스터를 형성시킬 수 있게 된다.After the source / drain region 612 and the LDD region 611 are formed in this manner, an interlayer 640 is formed as a whole. In this case, a material such as SiNx may be used as the interlayer insulating layer 640. Subsequently, after a via hole is formed in the interlayer insulating film 640 and the gate insulating film 620 through a photoresist film coating / exposure / development and etching process by a general semiconductor process, the source electrode 651 is formed. By forming the over and drain electrodes 652, the polycrystalline thin film transistor can be formed.

여기서, 상기 소스 전극(651) 및 드레인 전극(652)으로는 AlNd와 같은 물질이 이용될 수 있다. 이때, 상기 소스 전극(651) 및 드레인 전극(652)을 형성시키는 과정에서, 상기 소스/드레인 전극(651)(652)을 형성시키는 동일 물질을 이용하여 화소 영역에 에치 스토퍼(etch stopper)(660)를 형성시킨다(도 7의 (b) 참조).Here, a material such as AlNd may be used as the source electrode 651 and the drain electrode 652. At this time, in the process of forming the source electrode 651 and the drain electrode 652, an etch stopper 660 in the pixel region using the same material forming the source / drain electrodes 651 and 652. ) Is formed (see FIG. 7B).

이와 같은 에치 스토퍼(660)는, 이후에서 설명될 화소 영역에 반사면(690)을 형성시키는 공정에서, 식각 진행을 제한하기 위하여 소정의 위치(반사면(690)의 굴곡 형상에 대응되어)에 형성되는 것으로서, 이러한 에치 스토퍼(660)의 형상 및 기능에 대해서는 뒤에서 부연하여 설명하기로 한다.Such an etch stopper 660 is formed at a predetermined position (corresponding to the bent shape of the reflective surface 690) in order to limit the etching progression in the process of forming the reflective surface 690 in the pixel region to be described later. As formed, the shape and function of the etch stopper 660 will be described later.

한편, 상기 소스/드레인 전극(651)(652) 및 에치 스토퍼(660)가 형성된 이후에는, 상부에 전체적으로 비감광성 재료(예컨대 유기 절연막)를 이용하여 보호막을 형성시킨다. 이때, 상기 보호막은 SiNx 등의 무기 절연물질로 형성되는 제 1 보호막(670)과, BCB와 같은 유기 절연물질로 형성되는 제 2 보호막(680)으로 적층하여 형성시킬 수도 있다.On the other hand, after the source / drain electrodes 651 and 652 and the etch stopper 660 are formed, a protective film is formed on the upper portion using a non-photosensitive material (for example, an organic insulating film). In this case, the protective film may be formed by laminating a first protective film 670 formed of an inorganic insulating material such as SiNx and a second protective film 680 formed of an organic insulating material such as BCB.

이후, 도 7의 (c)에 나타낸 바와 같이, 식각 공정을 통하여 상기 드레인 전극(652) 위에 콘택 홀(contact hole)을 형성하기 위한 포토 레지스트막(710)을 준비함에 있어, 상기 포토 레지스트막(710)에 콘택 홀 형성을 위한 홀(720)(이하 '제 1 홀'이라 지칭함)과 함께, 요철면이 구비되는 반사면(690)을 형성하기 위한 복수의 엠보싱(embossing) 형성용 홀(730)(이하 '제 2 홀'이라 지칭함)을 각각 마련한다.Subsequently, as shown in FIG. 7C, in preparing a photoresist film 710 for forming a contact hole on the drain electrode 652 through an etching process, the photoresist film ( A plurality of embossing forming holes 730 for forming a reflective surface 690 having a concave-convex surface along with a hole 720 for forming a contact hole in the 710 (hereinafter referred to as a 'first hole'). ) (Hereinafter referred to as 'second hole').

여기서, 상기 포토 레지스트막(710)에 형성되는 제 2 홀(730)은 상기 에치 스토퍼(660)가 마련된 위치의 상부에 대응되도록 형성된다. 이와 같은, 콘택 홀 형성을 위한 제 1 홀(720) 및 엠보싱 형성을 위한 제 2 홀(730)과 에치 스토퍼(660) 간의 공간적인 위치 배열의 한 예를 도 8에 나타내었다. 도 8의 (a)는 화소 영역 상의 포토 레지스트막(810)에 제 1 홀(820) 및 제 2 홀(830)이 형성된 위치를 각각 나타낸 것이며, (b)는 화소 영역에 에치 스토퍼(840)가 형성된 위치를 나타낸 것이다.Here, the second hole 730 formed in the photoresist film 710 is formed to correspond to the upper portion of the position where the etch stopper 660 is provided. An example of such a spatial arrangement between the first hole 720 for forming the contact hole and the second hole 730 for forming the embossing and the etch stopper 660 is illustrated in FIG. 8. FIG. 8A illustrates a position where the first hole 820 and the second hole 830 are formed in the photoresist film 810 on the pixel region, and (b) shows an etch stopper 840 in the pixel region. It shows the position formed.

즉, 엠보싱 형성을 위한 상기 제 2 홀(830)은 에치 스토퍼(840)의 상부에 형성됨으로 인하여, 이후에 설명될 식각 공정에서, 상기 제 2 홀(830)이 형성된 영역에서 건식 식각이 진행되는 경우에, 상기 에치 스토퍼(840)가 형성된 층 이하로 식각이 진행되는 것을 방지할 수 있게 된다. That is, since the second hole 830 for forming the embossing is formed on the etch stopper 840, dry etching is performed in the region where the second hole 830 is formed in the etching process to be described later. In this case, the etching may be prevented from proceeding below the layer on which the etch stopper 840 is formed.

한편, 이와 같이 콘택 홀 형성을 위한 제 1 홀(820) 및 엠보싱 형성을 위한 제 2 홀(830)이 형성된 상기 포토 레지스트막(710)(810)에 대하여 건식 식각을 수행하게 된다. 이에 따라, 상기 콘택 홀 형성을 위한 제 1 홀(720)(820)이 형성된 영역에서는, 상기 드레인 전극(652) 상의 제 1 보호막(670) 및 제 2 보호막(680)에 대한 식각이 진행됨으로써, 상기 드레인 전극(652)이 노출되게 된다. Meanwhile, dry etching is performed on the photoresist layers 710 and 810 in which the first hole 820 for forming the contact hole and the second hole 830 for forming the embossing are formed. Accordingly, in the region where the first holes 720 and 820 for forming the contact hole are formed, etching is performed on the first passivation layer 670 and the second passivation layer 680 on the drain electrode 652. The drain electrode 652 is exposed.

또한, 엠보싱 형성을 위한 상기 제 2 홀(730)(830)이 형성된 영역의 하부에서는, 상기 제 1 보호막(670) 및 제 2 보호막(680)에 대한 식각이 진행되며, 화소 영역의 상기 제 2 보호막(680)에 굴곡 면(엠보싱 면)이 형성되게 된다. 이때, 상기 제 2 홀(730)(830) 하부에는 에치 스토퍼(660)(840)가 형성되어 있기 때문에, 상기 에치 스토퍼(660)(840) 이하로 식각이 진행되는 것을 방지할 수 있으며, 또한 제 2 보호막(680)의 식각에 의한 엠보싱 면 형성을 균일하게 만들 수 있게 된다.In addition, the first protective layer 670 and the second protective layer 680 are etched under the region where the second holes 730 and 830 for embossing are formed, and the second portion of the pixel region is etched. A curved surface (embossing surface) is formed on the protective film 680. In this case, since the etch stoppers 660 and 840 are formed below the second holes 730 and 830, etching may be prevented from proceeding below the etch stoppers 660 and 840. It is possible to make the embossed surface formation by etching the second protective film 680 uniform.

이후, 상기 식각 공정에서 형성된 콘택 홀 영역 및 엠보싱 영역 상에 알루미늄, 알루미늄 합금 또는 은과 같은 반사특성이 좋은 물질을 이용하여 반사면(690) 을 증착 형성시킨다. 이에 따라 상기 반사면(690)은, 콘택 홀을 통하여 상기 드레인 전극(652)과 전기적으로 연결되며, 상기 박막 트랜지스터의 구동에 따라 영상 표시를 위한 동작을 수행할 수 있게 된다(도 7의 (d) 참조). Subsequently, the reflective surface 690 is deposited by using a material having good reflective properties such as aluminum, an aluminum alloy, or silver on the contact hole region and the embossed region formed in the etching process. As a result, the reflective surface 690 is electrically connected to the drain electrode 652 through a contact hole, and may perform an operation for displaying an image according to the driving of the thin film transistor (FIG. 7D). ) Reference).

한편, 상기 소스/드레인 전극(651)(652) 형성 시에 화소 영역의 층간 절연막 (640)에 형성되는 상기 에치 스토퍼(660)(840)의 형상은 도 9에 나타낸 바와 같이 다양하게 변형될 수도 있다. 즉 에치 스토퍼(840)의 형상은, 도 9의 (a)에 나타낸 바와 같이 엠보싱 면의 형성 위치를 감안하여 패터닝될 수도 있으며, (b)에 나타낸 바와 같이 패터닝 없이 전체 화소 영역에 균일하게 증착되어 형성될 수도 있다. 이와 같이, 상기 에치 스토퍼(840)의 형상은 식각 공정의 조건 및 액정표시장치의 설계 조건에 따라 다양하게 변형될 수 있을 것이다.Meanwhile, the shapes of the etch stoppers 660 and 840 formed in the interlayer insulating layer 640 of the pixel region when the source / drain electrodes 651 and 652 are formed may be variously modified as shown in FIG. 9. have. That is, the shape of the etch stopper 840 may be patterned in consideration of the formation position of the embossed surface as shown in FIG. 9 (a), and is uniformly deposited on the entire pixel region without patterning as shown in (b). It may be formed. As such, the shape of the etch stopper 840 may be variously modified according to the conditions of the etching process and the design conditions of the liquid crystal display.

이러한 제조공정을 통하여, 본 발명에 따른 반사면이 구비된 반사형 액정표시장치의 하부기판을 형성할 수 있는 것이며, 이때 형성되는 반사면의 형상은 도 10에 나타낸 바와 같다. 도 10은 본 발명에 따른 다결정 박막 트랜지스터가 채용된 반사형 액정표시장치의 화소 영역에 형성된 반사면의 형상을 개념적으로 나타낸 도면이다. 즉, 도 10에 나타낸 바와 같이, 반사면의 형상을 요철형으로 형성시킴으로써, 반사면에서 반사되는 빛을 효율적으로 이용할 수 있게 된다.Through this manufacturing process, it is possible to form the lower substrate of the reflective liquid crystal display device with a reflective surface according to the present invention, the shape of the reflective surface is formed as shown in FIG. FIG. 10 is a view conceptually illustrating a shape of a reflective surface formed in a pixel area of a reflective liquid crystal display device employing a polycrystalline thin film transistor according to the present invention. That is, as shown in FIG. 10, by forming the shape of the reflective surface into a concave-convex shape, it is possible to efficiently use the light reflected from the reflective surface.

그리고, 도 7의 (c)를 참조하여 콘택 홀 및 엠보싱 면을 형성하는 과정을 설명함에 있어서, 상기 제 2 보호막(680) 위에 마련되는 포토 레지스트막(710)에, 콘택 홀 형성을 위한 제 1 홀(720)과 엠보싱 형성을 위한 복수의 제 2 홀(730)이 구비된 경우에 대하여 설명하였다. 그러나 공정 조건에 따라서는, 엠보싱 형성을 위 한 상기 제 2 홀(730)을 형성하는 대신에, 상기 포토 레지스트막(710)의 해당 영역에 완전하게 뚫어진 홀을 형성하는 것이 아니라, 회절 노광을 이용하여 소정의 두께가 남겨진 상태로 상기 포토 레지스트막(710)을 얇게 형성시킬 수도 있다. In the process of forming the contact hole and the embossed surface with reference to FIG. 7C, the first photoresist layer 710 is formed on the photoresist layer 710 formed on the second passivation layer 680. The case where the hole 720 and the plurality of second holes 730 for embossing are provided is described. However, depending on the process conditions, instead of forming the second hole 730 for forming the embossing, a diffraction exposure is used instead of forming a hole completely bored in the corresponding region of the photoresist film 710. As a result, the photoresist film 710 may be thinly formed with a predetermined thickness remaining.

즉, 마스크를 이용하여 상기 포토 레지스트막(710)에 대한 노광을 수행함에 있어, 콘택 홀 형성을 위한 상기 제 1 홀(720) 영역에는 완전 노광을 수행하고, 엠보싱 형성을 위한 영역에는 슬릿이 형성된 마스크를 이용하여 노광량을 조절함으로써 상기 포토 레지스트막(710)을 소정 두께로 형성되도록 할 수 있게 된다. 이에 따라, 상기 콘택 홀 형성 영역에 대한 식각의 진행 속도와 엠보싱 면 형성 영역에 대한 식각의 진행 속도를 조절하여, 엠보싱 면을 효과적으로 형성시킬 수 있게 된다.That is, in performing exposure to the photoresist film 710 using a mask, complete exposure is performed in the first hole 720 region for forming contact holes, and slits are formed in the region for embossing formation. The photoresist film 710 can be formed to a predetermined thickness by adjusting the exposure amount using a mask. Accordingly, the embossing surface can be effectively formed by adjusting the speed of etching of the contact hole forming region and the speed of etching of the embossing surface forming region.

한편, 도 11은 본 발명에 따른 다결정 박막 트랜지스터가 채용된 반사형 액정표시장치의 다른 실시 예를 나타낸 도면이다. 11 is a view showing another embodiment of a reflective liquid crystal display device employing a polycrystalline thin film transistor according to the present invention.

도 11을 참조하여 설명하면, 본 발명에 따른 다결정 박막 트랜지스터가 채용된 반사형 액정표시장치는, 글라스와 같은 기판(1100)과; 상기 기판(1100) 상에 마련되며, 상기 기판(1100)을 통한 불순물의 영향을 방지하기 위하여 SiO2 등의 물질로 형성되는 버퍼층(1110)과; 상기 버퍼층(1110) 위에 마련되며, 고농도 불순물 이온(예컨대 n+)이 도핑된 소스/드레인 영역(1122)과, 상기 고농도 불순물 이온이 연속적 농도 변화를 갖도록 도핑된 LDD 영역(1121) 및 고농도 불순물 이온이 도핑되지 않은 채널 영역을 구비하는 다결정 실리콘과 같은 결정성 반도체막(1120); 을 포함한다.Referring to FIG. 11, the reflective liquid crystal display device employing the polycrystalline thin film transistor according to the present invention includes a substrate 1100 such as glass; A buffer layer 1110 formed on the substrate 1100 and formed of a material such as SiO 2 to prevent the influence of impurities through the substrate 1100; A source / drain region 1122 on the buffer layer 1110 and doped with a high concentration of impurity ions (eg, n + ), and a LDD region 1121 and a high concentration of impurity ions doped so that the high concentration of impurity ions have a continuous concentration change A crystalline semiconductor film 1120 such as polycrystalline silicon having the undoped channel region; It includes.

또한, 본 발명에 따른 다결정 박막 트랜지스터가 채용된 반사형 액정표시장치는, 상기 결정성 반도체막(1120) 위에 형성되며, SiNx 또는 SiO2 등의 물질로 형성되는 게이트 절연막(1130)과; 상기 게이트 절연막(1130) 상에 마련되며, 상기 결정성 반도체막(1120)의 위쪽에 AlNd 등의 물질이 증착되어 형성되는 게이트 전극 (1140)과; 상기 게이트 절연막(1130) 및 게이트 전극(1140) 위에, SiNx 등의 물질로 형성되는 층간 절연막(1150); 및 상기 소스/드레인 영역 위의 층간 절연막(1150 ) 및 게이트 절연막(1130)에 형성된 비아 홀을 통하여 상기 드레인 전극(1162)에 전기적으로 연결되며, 상기 층간 절연막(1150) 상부에 AlNd 등의 물질로 형성된 소스/드레인 전극(1161)(1162); 을 포함한다.In addition, a reflective liquid crystal display device employing a polycrystalline thin film transistor according to the present invention includes a gate insulating film 1130 formed on the crystalline semiconductor film 1120 and formed of a material such as SiNx or SiO 2 ; A gate electrode 1140 formed on the gate insulating film 1130 and formed by depositing a material such as AlNd on the crystalline semiconductor film 1120; An interlayer insulating film 1150 formed of a material such as SiNx on the gate insulating film 1130 and the gate electrode 1140; And via holes formed in the interlayer insulating layer 1150 and the gate insulating layer 1130 on the source / drain regions, and are electrically connected to the drain electrode 1162 and made of a material such as AlNd on the interlayer insulating layer 1150. Formed source / drain electrodes 1161 and 1162; It includes.

또한, 본 발명에 따른 다결정 박막 트랜지스터가 채용된 반사형 액정표시장치는, 상기 소스/드레인 전극(1161)(1162) 형성 시에 동일 물질을 이용하여 화소 영역에 형성되는 에치 스토퍼(1170)와; 상기 소스/드레인 전극(1161)(1162) 및 에치 스토퍼(1170) 위에 SiNx 등의 무기 절연물질로 형성되는 제 1 보호막(1180)과; 상기 제 1 보호막(1180) 위에 BCB와 같은 유기 절연물질로 형성되는 제 2 보호막( 1185); 및 엠보싱 형태의 상기 제 2 보호막(1185) 상에 증착되어 형성되는 반사면( 1185); 을 포함한다. In addition, a reflective liquid crystal display device employing a polycrystalline thin film transistor according to the present invention includes an etch stopper 1170 formed in a pixel region using the same material when the source / drain electrodes 1161 and 1162 are formed; A first passivation layer 1180 formed of an inorganic insulating material such as SiNx on the source / drain electrodes 1161 and 1162 and the etch stopper 1170; A second passivation layer 1185 formed of an organic insulating material such as BCB on the first passivation layer 1180; And a reflective surface 1185 formed by depositing on the second passivation layer 1185 in an embossed form. It includes.

여기서, 상기 게이트 전극(1140)과, 소스/드레인 전극(1161)(1162) 및 에치 스토퍼(1170)는 AlNd 등의 물질로 형성될 수 있으며, 도 11에 나타낸 바와 같이, 각 전극(1140)(1161)(1162) 및 에치 스토퍼(1170)의 상부에는 Mo 등의 물질을 이용하여 Mo 막(1141)(1163)(1164)(1171)을 더 형성시킬 수도 있다.Here, the gate electrode 1140, the source / drain electrodes 1161, 1162 and the etch stopper 1170 may be formed of a material such as AlNd, and as illustrated in FIG. 11, each electrode 1140 ( The Mo films 1141, 1163, 1164 and 1171 may be further formed on the upper portions of the 1161 and 1162 and the etch stopper 1170 by using a material such as Mo.

한편, 본 발명에 따른 액정표시장치의 제조방법에 의하여 형성되는 반사면은 반사형 액정표시장치 뿐만 아니라, 반투과형 액정표시장치에도 적용될 수 있으며, 도 12는 그 적용 예를 개념적으로 나타낸 것이다. 도 12는 본 발명에 따른 다결정 박막 트랜지스터가 채용된 반투과형 액정표시장치의 평면도를 개념적으로 나타낸 도면이다.On the other hand, the reflective surface formed by the method of manufacturing the liquid crystal display device according to the present invention can be applied not only to the reflective liquid crystal display device but also to the transflective liquid crystal display device, and FIG. 12 conceptually shows an application example thereof. 12 is a conceptual view illustrating a plan view of a transflective liquid crystal display device employing a polycrystalline thin film transistor according to the present invention.

도 12를 참조하여 설명하면, 본 발명에 따른 반투과형 액정표시장치의 하부기판에는, 글라스와 같은 기판(미도시) 상에, 소스 전극(1250)에 데이터 신호를 인가하는 복수의 데이터 라인(1210)과, 게이트 전극(1240)에 게이트 신호를 인가하는 복수의 게이트 라인(1220)이 매트릭스 형태로 교차되어 형성되어 있다. 그리고, 상기 데이터 라인(1210) 및 게이트 라인(1220)의 교차에 의하여 마련되는 영역이 영상을 표시하기 위한 화소 영역이 되며, 반투과형 액정 표시장치에서는 이 화소 영역에 영상 표시를 위한 반사면(1230)과 투명 화소 영역(1270)이 형성된다.Referring to FIG. 12, the lower substrate of the transflective liquid crystal display according to the present invention includes a plurality of data lines 1210 for applying a data signal to the source electrode 1250 on a substrate (not shown) such as glass. ) And a plurality of gate lines 1220 for applying a gate signal to the gate electrode 1240 are formed to intersect in a matrix form. The area provided by the intersection of the data line 1210 and the gate line 1220 becomes a pixel area for displaying an image, and in the transflective liquid crystal display, the reflective surface 1230 for displaying an image in the pixel area is displayed. ) And the transparent pixel region 1270 are formed.

이때, 상기 반사면(1230)은 액정표시장치의 상부에서 입사되는 빛을 반사시키는 역할을 수행하게 되며, 상기 투명 화소 영역(1270)은 액정표시장치의 하부에 마련되는 백라이트로부터 발광되는 빛을 투과시키는 역할을 수행하게 된다. 이때 도 12에서는, 상기 반사면(1230)의 내부에 투명 화소 영역(1270)이 형성되는 경우에 대하여 도시하였으나, 액정표시장치의 설계에 따라 상기 반사면(1230) 및 투명 화소 영역(1270)의 상대적인 위치는 다양하게 변형될 수 있다. In this case, the reflective surface 1230 serves to reflect light incident from the upper portion of the liquid crystal display, and the transparent pixel region 1270 transmits light emitted from a backlight provided under the liquid crystal display. It will play a role. 12 illustrates a case in which the transparent pixel region 1270 is formed in the reflective surface 1230, but the reflective surface 1230 and the transparent pixel region 1270 may be formed according to the design of the liquid crystal display device. The relative position may vary.                     

그리고, 도 12에 나타낸 바와 같은, 반사면(1230) 및 투명 화소 영역(1270)이 구비되는 반투과형 액정표시장치의 제조방법에 대해서는 이미 다양한 방법이 알려져 있으므로, 여기서는 그 상세한 제조방법에 대한 설명은 생략하기로 한다. 다만, 본 발명에서는 도 5 내지 도 11을 참조하여 상기에서 설명된 바와 같이, 굴곡면이 구비되는 반사면을 형성함에 있어, 소스/드레인 전극 형성 시에 에치 스토퍼를 반사면 형성 영역에 동시 형성하고, 콘택 홀을 형성하는 식각 공정에서 반사면 영역에 굴곡면을 동시에 형성하는데 그 특징이 있다할 것이다.12, a variety of methods are already known for the method of manufacturing the transflective liquid crystal display device including the reflective surface 1230 and the transparent pixel region 1270, and thus, a detailed description thereof will be provided herein. It will be omitted. However, in the present invention, as described above with reference to FIGS. 5 to 11, in forming a reflective surface having a curved surface, an etch stopper is simultaneously formed in the reflective surface forming region when the source / drain electrodes are formed. In the etching process of forming the contact hole, the curved surface may be simultaneously formed in the reflective surface area.

또한, 상기에서는 다결정 박막 트랜지스터를 기반으로 형성되는 반사형 및 반투과형 액정표시장치에 대하여 설명을 하였으나, 본 발명에 따른 액정표시장치의 제조방법에 의하여 형성되는 반사면은 비정질 박막 트랜지스터를 기반으로 형성되는 반사형 및 반투과형 액정표시장치에 적용될 수도 있다. 이하에서는, 비정질 박막 트랜지스터를 기반으로 하는 반사형/반투과형 액정표시장치에 적용된 경우에 대하여 간략하게 살펴 보기로 한다.In addition, the above description has been given of the reflective and semi-transmissive liquid crystal display devices formed based on the polycrystalline thin film transistor, but the reflective surface formed by the method of manufacturing the liquid crystal display device according to the present invention is formed based on the amorphous thin film transistor. The present invention may be applied to reflective and transflective liquid crystal displays. Hereinafter, a brief description will be made of a case in which the reflective / transflective liquid crystal display device based on the amorphous thin film transistor is applied.

먼저, 도 13은 본 발명에 따른 비정질 박막 트랜지스터가 채용된 반사형 액정표시장치의 평면도를 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 14는 도 13의 D-D에 따라 절단된 반사형 액정표시장치의 단면도를 개략적으로 나타낸 도면이다. 여기서는 박막 트랜지스터 및 화소 영역이 구비되는 하부기판만을 도시하였으며, 비정질 박막 트랜지스터가 채용된 경우를 기준으로 도시하였다.First, FIG. 13 is a schematic plan view of a reflective liquid crystal display device employing an amorphous thin film transistor according to the present invention, and FIG. 14 is a schematic cross-sectional view of the reflective liquid crystal display device cut according to DD of FIG. 13. The figure shown. Here, only the lower substrate including the thin film transistor and the pixel region is illustrated, and is illustrated based on the case where the amorphous thin film transistor is employed.

도 13 및 도 14를 참조하여 설명하면, 본 발명에 따른 비정질 박막 트랜지스터가 채용된 반사형 액정표시장치는, 글라스와 같은 기판(1400) 상에, 소스 전극( 1350)(1405)에 데이터 신호를 인가하는 복수의 데이터 라인(1310)과, 게이트 전극( 1340)(1401)에 게이트 신호를 인가하는 복수의 게이트 라인(1320)이 매트릭스 형태로 교차되어 형성되어 있다. 그리고, 상기 데이터 라인(1310) 및 게이트 라인(1320 )의 교차에 의하여 마련되는 영역이 영상을 표시하기 위한 화소 영역(1330)이 되며, 반사형 액정 표시장치에서는 이 화소 영역에 반사면(1409)이 형성된다. Referring to FIGS. 13 and 14, the reflective liquid crystal display device employing the amorphous thin film transistor according to the present invention provides a data signal to the source electrodes 1350 and 1405 on a substrate 1400 such as glass. A plurality of data lines 1310 to be applied and a plurality of gate lines 1320 for applying a gate signal to the gate electrodes 1340 and 1401 are formed to cross each other in a matrix form. The area provided by the intersection of the data line 1310 and the gate line 1320 is a pixel area 1330 for displaying an image. In the reflective liquid crystal display, the reflective surface 1409 is disposed on the pixel area. Is formed.

그러면, 이와 같은 구조를 갖는 비정질 박막 트랜지스터 및 반사면을 형성하는 제조공정을, 도 14 및 도 15를 참조하여 간략하게 설명해 보기로 한다. 도 15는 본 발명에 따른 비정질 박막 트랜지스터가 채용된 반사형 액정표시장치의 제조공정별 단면도를 개략적으로 나타낸 도면이다. 여기서는 박막 트랜지스터 및 화소 영역이 구비되는 하부기판만을 도시하였으며, 비정질 박막 트랜지스터가 채용된 경우를 기준으로 도시하였다.Next, a manufacturing process for forming the amorphous thin film transistor and the reflective surface having such a structure will be briefly described with reference to FIGS. 14 and 15. FIG. 15 is a schematic cross-sectional view of a manufacturing process of a reflective liquid crystal display device employing an amorphous thin film transistor according to the present invention. Here, only the lower substrate including the thin film transistor and the pixel region is illustrated, and is illustrated based on the case where the amorphous thin film transistor is employed.

먼저, 일반적인 반도체 제조 공정을 통하여, 기판(1400) 위에 게이트 전극 (1401)이 형성되고, 상기 게이트 전극(1401) 위에 산화 실리콘(SiO2) 또는 질화 실리콘(SiNx)과 같은 게이트 절연막(1402)이 적층 형성된다. First, through a general semiconductor manufacturing process, a gate electrode 1401 is formed on a substrate 1400, and a gate insulating film 1402 such as silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiNx) is formed on the gate electrode 1401. Lamination is formed.

그리고, 상기 게이트 절연막(1402) 위에 a-Si:H와 같은 반도체 층(1403), n+와 같은 불순물 반도체 층(1404) 및 소스/드레인 전극(1405)(1406)이 순차적으로 적층 형성된다. 이때, 상기 소스 전극(1405) 및 드레인 전극(1406)을 형성시키는 과정에서, 상기 소스/드레인 전극(1405)(1406)을 형성시키는 동일 물질을 이용하여 화소 영역에 에치 스토퍼(etch stopper)(1407)를 형성시킨다(도 15의 (a) 참조). A semiconductor layer 1403 such as a-Si: H, an impurity semiconductor layer 1404 such as n + , and a source / drain electrode 1405 and 1406 are sequentially stacked on the gate insulating layer 1402. At this time, in the process of forming the source electrode 1405 and the drain electrode 1406, an etch stopper 1407 in the pixel region using the same material forming the source / drain electrodes 1405 and 1406. ) Is formed (see FIG. 15A).

이와 같은 에치 스토퍼(1407)는, 이후에서 설명될 화소 영역에 반사면(1409)을 형성시키는 공정에서, 식각 진행을 제한하기 위하여 소정의 위치(반사면(1409)의 굴곡 형상에 대응되어)에 형성되는 것이다. Such an etch stopper 1407 is formed at a predetermined position (corresponding to the curved shape of the reflecting surface 1409) in order to limit the etching progression in the process of forming the reflecting surface 1409 in the pixel region to be described later. It is formed.

또한, 상기 소스/드레인 전극(1405)(1406) 및 상기 에치 스토퍼(1407) 위에는 비감광성 재료(예컨대 유기 절연막)를 이용하여 보호막(1408)이 적층 형성된다. 이후, 도 15의 (b)에 나타낸 바와 같이, 식각 공정을 통하여 상기 드레인 전극 (1406) 위에 콘택 홀(contact hole)을 형성하기 위한 포토 레지스트막(1510)을 준비함에 있어, 상기 포토 레지스트막(1510)에 콘택 홀 형성을 위한 홀(1520)(이하 '제 1 홀'이라 지칭함)과 함께, 요철면이 구비되는 반사면(1409)을 형성하기 위한 복수의 엠보싱(embossing) 형성용 홀(1530)(이하 '제 2 홀'이라 지칭함)을 각각 마련한다. 여기서, 상기 포토 레지스트막(1510)에 형성되는 제 2 홀(1530)은 상기 에치 스토퍼(1407)가 마련된 위치의 상부에 대응되도록 형성된다. In addition, a passivation layer 1408 is formed on the source / drain electrodes 1405 and 1406 and the etch stopper 1407 by using a non-photosensitive material (eg, an organic insulating layer). Subsequently, as shown in FIG. 15B, in preparing a photoresist film 1510 for forming a contact hole on the drain electrode 1406 through an etching process, the photoresist film ( A plurality of embossing forming holes 1530 for forming a reflective surface 1409 having an uneven surface, together with a hole 1520 for forming a contact hole in the 1510 (hereinafter referred to as a 'first hole'). ) (Hereinafter referred to as 'second hole'). Here, the second hole 1530 formed in the photoresist film 1510 is formed to correspond to the upper portion of the position where the etch stopper 1407 is provided.

즉, 엠보싱 형성을 위한 상기 제 2 홀(1530)은 에치 스토퍼(1407)의 상부에 형성됨으로 인하여, 이후에 설명될 식각 공정에서, 상기 제 2 홀(1530)이 형성된 영역에서 건식 식각이 진행되는 경우에, 상기 에치 스토퍼(1407)가 형성된 층 이하로 식각이 진행되는 것을 방지할 수 있게 된다. That is, since the second hole 1530 for embossing is formed on the etch stopper 1407, dry etching is performed in the region where the second hole 1530 is formed in the etching process to be described later. In this case, the etching may be prevented from proceeding below the layer on which the etch stopper 1407 is formed.

한편, 이와 같이 콘택 홀 형성을 위한 제 1 홀(1520) 및 엠보싱 형성을 위한 제 2 홀(1530)이 형성된 상기 포토 레지스트막(1510)에 대하여 건식 식각을 수행하게 된다. 이에 따라, 상기 콘택 홀 형성을 위한 제 1 홀(1520)이 형성된 영역에서는, 상기 드레인 전극(1406) 상의 보호막(1480)에 대한 식각이 진행됨으로써, 상기 드레인 전극(1406)이 노출되게 된다. On the other hand, dry etching is performed on the photoresist film 1510 in which the first hole 1520 for forming the contact hole and the second hole 1530 for forming the embossing are formed. Accordingly, in the region where the first hole 1520 for forming the contact hole is formed, etching of the passivation layer 1480 on the drain electrode 1406 is performed to expose the drain electrode 1406.

또한, 엠보싱 형성을 위한 상기 제 2 홀(1530)이 형성된 영역의 하부에서는, 상기 보호막(1408)에 대한 식각이 진행되며, 화소 영역의 상기 보호막(1408)에 굴곡 면(엠보싱 면)이 형성되게 된다. 이때, 상기 제 2 홀(1530) 하부에는 에치 스토퍼(1407)가 형성되어 있기 때문에, 상기 에치 스토퍼(1407) 이하로 식각이 진행되는 것을 방지할 수 있으며, 또한 상기 보호막(1408)의 식각에 의한 엠보싱 면 형성을 균일하게 만들 수 있게 된다.In addition, under the region where the second hole 1530 for embossing is formed, etching of the passivation layer 1408 is performed and a curved surface (embossing surface) is formed on the passivation layer 1408 of the pixel region. do. In this case, since an etch stopper 1407 is formed below the second hole 1530, etching may be prevented from proceeding below the etch stopper 1407, and also by etching of the protective layer 1408. Embossing face formation can be made uniform.

이후, 상기 식각 공정에서 형성된 콘택 홀 영역 및 엠보싱 영역 상에 알루미늄, 알루미늄 합금 또는 은과 같은 반사특성이 좋은 물질을 이용하여 반사면(1409)을 증착 형성시킨다. 이에 따라 상기 반사면(1409)은, 콘택 홀을 통하여 상기 드레인 전극(1406)과 전기적으로 연결되며, 상기 박막 트랜지스터의 구동에 따라 영상 표시를 위한 동작을 수행할 수 있게 된다(도 15의 (c) 참조). Thereafter, the reflective surface 1409 is deposited on the contact hole region and the embossed region formed by the etching process by using a material having good reflective properties such as aluminum, an aluminum alloy, or silver. As a result, the reflective surface 1409 is electrically connected to the drain electrode 1406 through a contact hole, and may perform an operation for displaying an image according to the driving of the thin film transistor (FIG. 15C). ) Reference).

한편, 상기 소스/드레인 전극(1405)(1406) 형성 시에 화소 영역의 게이트 절연막(1402)에 형성되는 상기 에치 스토퍼(1407)의 형상은 다양하게 변형될 수도 있다. 즉 에치 스토퍼(1407)의 형상은, 도 9의 (a)에 나타낸 바와 같이 엠보싱 면의 형성 위치를 감안하여 패터닝될 수도 있으며, 도 9의 (b)에 나타낸 바와 같이 패터닝 없이 전체 화소 영역에 균일하게 증착되어 형성될 수도 있다. 이와 같이, 상기 에치 스토퍼(1407)의 형상은 식각 공정의 조건 및 액정표시장치의 설계 조건에 따라 다양하게 변형될 수 있을 것이다.Meanwhile, when the source / drain electrodes 1405 and 1406 are formed, the shape of the etch stopper 1407 formed in the gate insulating film 1402 of the pixel region may be variously modified. In other words, the shape of the etch stopper 1407 may be patterned in consideration of the formation position of the embossed surface as shown in FIG. 9 (a), and uniform in the entire pixel region without patterning as shown in FIG. 9 (b). It may be formed to be deposited. As such, the shape of the etch stopper 1407 may be variously modified according to the conditions of the etching process and the design conditions of the liquid crystal display.

그리고, 상기에서 도 15의 (b)를 참조하여 콘택 홀 및 엠보싱 면을 형성하는 과정을 설명함에 있어서, 상기 보호막(1408) 위에 마련되는 포토 레지스트막(1510)에, 콘택 홀 형성을 위한 제 1 홀(1520)과 엠보싱 형성을 위한 복수의 제 2 홀( 1530)이 구비된 경우에 대하여 설명하였다. 그러나 공정 조건에 따라서는, 엠보싱 형성을 위한 상기 제 2 홀(1530)을 형성하는 대신에, 상기 포토 레지스트막(1510)의 해당 영역에 완전하게 뚫린 홀을 형성하는 것이 아니라, 회절 노광을 이용하여 소정의 두께가 남겨진 상태로 상기 포토 레지스트막(1510)을 얇게 형성시킬 수도 있다. 이에 따라, 상기 콘택 홀 형성 영역에 대한 식각의 진행 속도와 엠보싱 면 형성 영역에 대한 식각의 진행 속도를 조절하여, 엠보싱 면을 효과적으로 형성시킬 수 있게 된다.In addition, in the above-described process of forming the contact hole and the embossing surface with reference to FIG. 15B, in the photoresist film 1510 formed on the passivation layer 1408, the first hole for forming the contact hole is described. The case where the hole 1520 and the plurality of second holes 1530 for embossing are provided is described. However, depending on the process conditions, instead of forming the second hole 1530 for embossing, a diffraction exposure is used instead of forming a hole that is completely bored in the corresponding region of the photoresist film 1510. The photoresist film 1510 may be thinly formed with a predetermined thickness remaining. Accordingly, the embossing surface can be effectively formed by adjusting the speed of etching of the contact hole forming region and the speed of etching of the embossing surface forming region.

즉, 마스크를 이용하여 상기 포토 레지스트막(1510)에 대한 노광을 수행함에 있어, 콘택 홀 형성을 위한 상기 제 1 홀(1520) 영역에는 완전 노광을 수행하고, 엠보싱 형성을 위한 영역에는 슬릿이 형성된 마스크를 이용하여 노광량을 조절함으로써 상기 포토 레지스트막(1510)을 소정 두께로 형성되도록 할 수 있게 된다.That is, in performing exposure to the photoresist film 1510 using a mask, complete exposure is performed on an area of the first hole 1520 for forming a contact hole, and a slit is formed on an area for embossing. By adjusting the exposure amount using a mask, the photoresist film 1510 can be formed to a predetermined thickness.

한편, 본 발명에 따른 액정표시장치의 제조방법에 의하여 형성되는 반사면은 반사형 액정표시장치 뿐만 아니라, 반투과형 액정표시장치에도 적용될 수 있으며, 도 16은 그 적용 예를 개념적으로 나타낸 것이다. 도 16은 본 발명에 따른 비정질 박막 트랜지스터가 채용된 반투과형 액정표시장치의 평면도를 개념적으로 나타낸 도면이다.On the other hand, the reflective surface formed by the manufacturing method of the liquid crystal display device according to the present invention can be applied to the transflective liquid crystal display device as well as the reflective liquid crystal display device, Figure 16 conceptually shows an application example. FIG. 16 conceptually illustrates a top view of a transflective liquid crystal display device employing an amorphous thin film transistor according to the present invention.

도 16을 참조하여 설명하면, 본 발명에 따른 반투과형 액정표시장치의 하부기판에는, 글라스와 같은 기판(미도시) 상에, 소스 전극(1650)에 데이터 신호를 인 가하는 복수의 데이터 라인(1610)과, 게이트 전극(1640)에 게이트 신호를 인가하는 복수의 게이트 라인(1620)이 매트릭스 형태로 교차되어 형성되어 있다. 그리고, 상기 데이터 라인(1610) 및 게이트 라인(1620)의 교차에 의하여 마련되는 영역이 영상을 표시하기 위한 화소 영역이 되며, 반투과형 액정 표시장치에서는 이 화소 영역에 영상 표시를 위한 반사면(1630)과 투명 화소 영역(1670)이 형성된다.Referring to FIG. 16, the lower substrate of the transflective liquid crystal display according to the present invention includes a plurality of data lines 1610 for applying a data signal to the source electrode 1650 on a substrate (not shown) such as glass. ) And a plurality of gate lines 1620 for applying a gate signal to the gate electrode 1640 are formed to intersect in a matrix form. The area provided by the intersection of the data line 1610 and the gate line 1620 becomes a pixel area for displaying an image, and in the transflective liquid crystal display, the reflective surface 1630 for displaying an image in the pixel area is displayed. ) And the transparent pixel region 1670 are formed.

이때, 상기 반사면(1630)은 액정표시장치의 상부에서 입사되는 빛을 반사시키는 역할을 수행하게 되며, 상기 투명 화소 영역(1670)은 액정표시장치의 하부에 마련되는 백라이트로부터 발광되는 빛을 투과시키는 역할을 수행하게 된다. 이때 도 16에서는, 상기 반사면(1630)의 내부에 투명 화소 영역(1670)이 형성되는 경우에 대하여 도시하였으나, 액정표시장치의 설계에 따라 상기 반사면(1630) 및 투명 화소 영역(1670)의 상대적인 위치는 다양하게 변형될 수 있다. In this case, the reflective surface 1630 serves to reflect light incident from the upper portion of the liquid crystal display, and the transparent pixel region 1670 transmits light emitted from the backlight provided under the liquid crystal display. It will play a role. In FIG. 16, the transparent pixel region 1670 is formed in the reflective surface 1630. However, the reflective surface 1630 and the transparent pixel region 1670 may be formed according to the design of the liquid crystal display device. The relative position may vary.

그리고, 도 16에 나타낸 바와 같은, 반사면(1630) 및 투명 화소 영역(1670)이 구비되는 반투과형 액정표시장치의 제조방법에 대해서는 이미 다양한 방법이 알려져 있으므로, 여기서는 그 상세한 제조방법에 대한 설명은 생략하기로 한다. 다만, 본 발명에서는 도 13 내지 도 15를 참조하여 상기에서 설명된 바와 같이, 굴곡면이 구비되는 반사면을 형성함에 있어, 소스/드레인 전극 형성 시에 에치 스토퍼를 반사면 형성 영역에 동시 형성하고, 콘택 홀을 형성하는 식각 공정에서 반사면 영역에 굴곡면을 동시에 형성하는데 그 특징이 있다할 것이다.Since a method of manufacturing a transflective liquid crystal display device having a reflective surface 1630 and a transparent pixel region 1670 as shown in FIG. 16 is already known, a detailed description thereof will be provided herein. It will be omitted. However, in the present invention, as described above with reference to FIGS. 13 to 15, in forming the reflective surface having the curved surface, an etch stopper is simultaneously formed in the reflective surface forming region when the source / drain electrodes are formed. In the etching process of forming the contact hole, the curved surface may be simultaneously formed in the reflective surface area.

이상의 설명에서와 같이 본 발명에 따른 액정표시장치 및 그 제조방법에 의 하면, 반사면이 구비되는 반사형 액정표시장치 또는 반투과형 액정표시장치에 있어서, 광효율 증대를 위한 요철 구조의 반사면을 형성함에 있어, 콘택 홀 형성 시에 엠보싱 형상의 보호면을 동시에 형성시킴으로써 공정을 간소화할 수 있으며, 제조 단가를 절감할 수 있는 장점이 있다.As described above, according to the liquid crystal display device and the manufacturing method thereof according to the present invention, in the reflective liquid crystal display device or semi-transmissive liquid crystal display device having a reflective surface, a reflective surface having an uneven structure for increasing the light efficiency is formed. In this case, by forming the embossed protective surface at the time of forming the contact hole, the process can be simplified, and manufacturing costs can be reduced.

Claims (22)

기판과;A substrate; 상기 기판 상에 형성되며, 소스/드레인 영역 및 채널 영역이 구비된 결정성 반도체막과;A crystalline semiconductor film formed on the substrate and having a source / drain region and a channel region; 상기 기판 및 결정성 반도체막 위에 형성된 게이트 절연막과; A gate insulating film formed on the substrate and the crystalline semiconductor film; 상기 게이트 절연막 상에 마련되며, 상기 결정성 반도체막의 채널 영역 위쪽에 형성된 게이트 전극과; A gate electrode formed on the gate insulating film and formed over a channel region of the crystalline semiconductor film; 상기 게이트 절연막 및 게이트 전극 위에 형성된 층간 절연막과; An interlayer insulating film formed on the gate insulating film and the gate electrode; 상기 층간 절연막 상에 형성되며, 상기 소스/드레인 영역 위의 층간 절연막 및 게이트 절연막에 형성된 비아 홀을 통하여 상기 드레인 전극에 전기적으로 연결된 소스/드레인 전극과;A source / drain electrode formed on the interlayer insulating film and electrically connected to the drain electrode through via holes formed in the interlayer insulating film and the gate insulating film over the source / drain region; 상기 층간 절연막 상에 마련되며, 영상을 표시하는 화소 영역에 형성된 에치 스토퍼와; An etch stopper provided on the interlayer insulating film and formed in the pixel area displaying an image; 상기 층간 절연막, 소스/드레인 전극 및 에치 스토퍼 위에 형성되며, 상기 에치 스토퍼가 마련된 영역에는 엠보싱 형태로 형성된 보호막; 및A passivation layer formed on the interlayer insulating layer, the source / drain electrodes and the etch stopper, and having an embossed shape in a region where the etch stopper is provided; And 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되며, 상기 화소 영역의 엠보싱 형태의 보호막 위에 형성된 반사면; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.A reflective surface electrically connected to the drain electrode and formed on an embossed protective film of the pixel region; Liquid crystal display comprising a. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 에치 스토퍼는, 상기 소스/드레인 전극을 형성하는 물질과 동일 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.The etch stopper is formed of the same material as the material forming the source / drain electrode. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 에치 스토퍼는, 상기 화소 영역에 마련된 엠보싱 형태의 보호막 형상에 맞추어 패터닝되며, 상기 보호막의 오목하게 들어간 영역의 위치에 대응되어 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And the etch stopper is patterned according to an embossed protective film shape provided in the pixel region, and formed to correspond to the position of the recessed area of the protective film. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 보호막은 비감광성 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And the passivation layer is formed of a non-photosensitive material. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 보호막은 유기 절연막인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And the protective film is an organic insulating film. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 반사면은 알루미늄 또는 알루미늄 합금이 증착되어 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치The reflective surface is a liquid crystal display, characterized in that formed by depositing aluminum or aluminum alloy 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되며, 상기 화소 영역 중에서 엠보싱 형 태의 보호막이 마련되지 않은 영역에 형성된 투명전극; 을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.A transparent electrode electrically connected to the drain electrode and formed in an area of the pixel area in which an embossed protective film is not provided; Liquid crystal display device further comprising. 제 7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 투명전극은 상기 화소 영역의 중심부에 형성되며, 상기 화소 영역의 투명전극 주변에는 반사면이 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And the transparent electrode is formed at the center of the pixel region, and a reflective surface is formed around the transparent electrode of the pixel region. 기판 위에 결정성 반도체막을 형성하는 단계와;Forming a crystalline semiconductor film on the substrate; 상기 기판 및 결정성 반도체막 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계와;Forming a gate insulating film on the substrate and the crystalline semiconductor film; 상기 게이트 절연막 위에 마련되며, 상기 결성정 반도체막의 위쪽에 게이트 전극을 형성하는 단계와;Forming a gate electrode on the gate insulating layer, and forming a gate electrode on the formation crystal semiconductor film; 상기 결정성 반도체막에 소스/드레인 영역 및 채널 영역을 형성하는 단계와;Forming a source / drain region and a channel region in the crystalline semiconductor film; 상기 게이트 전극 및 게이트 절연막 상에 층간 절연막을 형성하는 단계와;Forming an interlayer insulating film on the gate electrode and the gate insulating film; 상기 소스/드레인 영역의 상부에 마련된 상기 층간 절연막 및 게이트 절연막에 비아 홀(via hole)을 형성하고, 소스 전극 및 드레인 전극 물질을 증착하여 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하며, 영상이 표시되는 화소 영역에는 상기 소스/드레인 전극 물질을 이용하여 에치 스토퍼(etch stopper)를 형성시키는 단계와;A pixel region in which a via hole is formed in the interlayer insulating film and the gate insulating film provided on the source / drain area, and a source electrode and a drain electrode material are deposited to form a source electrode and a drain electrode, and an image is displayed. Forming an etch stopper using the source / drain electrode material; 상기 에치 스토퍼, 소스/드레인 전극 및 층간 절연막 상부에 보호막을 형성하는 단계와;Forming a protective film on the etch stopper, the source / drain electrodes and the interlayer insulating film; 상기 보호막 위에 포토 레지스트막을 형성하고, 노광을 통하여 콘택 홀 형성 및 엠보싱 홀 형성을 위하여 상기 포토 레지스트막에 대한 패터닝을 수행하는 단계와;Forming a photoresist film on the passivation film, and performing patterning on the photoresist film to form contact holes and emboss holes through exposure; 상기 패터닝된 포토 레지스트막에 대하여 건식 식각을 수행하여, 상기 드레인 전극 상부에 콘택 홀을 형성하고, 상기 화소 영역에는 복수의 엠보싱 형태의 보호막을 형성하는 단계; 및Performing dry etching on the patterned photoresist film to form a contact hole on the drain electrode, and forming a plurality of embossed protective films on the pixel region; And 상기 드레인 전극 상부의 콘택 홀 및 엠보싱 형태의 보호막 위에 반사면을 증착 형성하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.Depositing a reflective surface on the contact hole and the embossed protective layer on the drain electrode; Method of manufacturing a liquid crystal display device comprising a. 제 9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 에치 스토퍼는, 상기 화소 영역에 마련된 엠보싱 형태의 보호막 형상에 맞추어 패터닝되며, 상기 보호막의 오목하게 들어간 영역의 위치에 대응되어 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.The etch stopper is patterned according to an embossed protective film shape provided in the pixel area, and is formed corresponding to the position of the recessed area of the protective film. 제 9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 보호막은 비감광성 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.And the protective film is formed of a non-photosensitive material. 제 9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 보호막은 유기 절연막인 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.The protective film is a method of manufacturing a liquid crystal display device, characterized in that the organic insulating film. 제 9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 보호막 위에 포토 레지스트막을 형성하고, 노광을 통하여 콘택 홀 형성 및 엠보싱 홀 형성을 위하여 상기 포토 레지스트막에 대한 패터닝을 수행함에 있어, 콘택 홀 형성 영역의 포토 레지스트막은 관통시키고, 엠보싱 홀 형성 영역의 포토 레지스트막의 일부는 남기는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.In forming a photoresist film on the passivation layer and performing patterning on the photoresist film to form contact holes and embossed holes through exposure, the photoresist film in the contact hole forming region penetrates and the photo of the embossing hole forming region. And a part of the resist film is left. 제 13항에 있어서,The method of claim 13, 상기 포토 레지스트막에 대한 패터닝을 수행함에 있어, 회절 노광을 이용하여 상기 포토 레지스트막에 대한 패터닝을 수행하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.In the patterning of the photoresist film, the method of manufacturing a liquid crystal display device, characterized in that for patterning the photoresist film using a diffraction exposure. 기판과; A substrate; 상기 기판 상에 형성된 게이트 전극과;A gate electrode formed on the substrate; 상기 기판 및 게이트 전극 위에 형성된 게이트 절연막과; A gate insulating film formed on the substrate and the gate electrode; 상기 게이트 절연막 상에 마련되며, 상기 게이트 전극의 위쪽에 형성된 반도체 층과; A semiconductor layer provided on the gate insulating layer and formed on the gate electrode; 상기 반도체 층 상부에 형성된 소스/드레인 전극과;A source / drain electrode formed over the semiconductor layer; 상기 게이트 절연막 상에 마련되며, 영상을 표시하는 화소 영역에 형성된 에치 스토퍼와; An etch stopper provided on the gate insulating film and formed in the pixel area displaying the image; 상기 소스/드레인 전극, 게이트 절연막 및 에치 스토퍼 위에 형성되며, 상기 에치 스토퍼가 마련된 영역에는 엠보싱 형태로 형성된 보호막; 및A passivation layer formed on the source / drain electrode, the gate insulating layer, and the etch stopper, and having an embossed shape in a region where the etch stopper is provided; And 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되며, 상기 화소 영역의 엠보싱 형태의 보호막 위에 형성된 반사면; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.A reflective surface electrically connected to the drain electrode and formed on an embossed protective film of the pixel region; Liquid crystal display comprising a. 제 15항에 있어서,The method of claim 15, 상기 에치 스토퍼는, 상기 소스/드레인 전극을 형성하는 물질과 동일 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.The etch stopper is formed of the same material as the material forming the source / drain electrode. 제 15항에 있어서,The method of claim 15, 상기 에치 스토퍼는, 상기 화소 영역에 마련된 엠보싱 형태의 보호막 형상에 맞추어 패터닝되며, 상기 보호막의 오목하게 들어간 영역의 위치에 대응되어 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And the etch stopper is patterned according to an embossed protective film shape provided in the pixel region, and formed to correspond to the position of the recessed area of the protective film. 제 15항에 있어서,The method of claim 15, 상기 보호막은 비감광성 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And the passivation layer is formed of a non-photosensitive material. 제 15항에 있어서,The method of claim 15, 상기 보호막은 유기 절연막인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And the protective film is an organic insulating film. 제 15항에 있어서,The method of claim 15, 상기 반사면은 알루미늄 또는 알루미늄 합금이 증착되어 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.The reflective surface is a liquid crystal display, characterized in that formed by depositing aluminum or aluminum alloy. 제 15항에 있어서,The method of claim 15, 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되며, 상기 화소 영역 중에서 엠보싱 형태의 보호막이 마련되지 않은 영역에 형성된 투명전극; 을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.A transparent electrode electrically connected to the drain electrode and formed in an area of the pixel area where an embossed protective film is not provided; Liquid crystal display device further comprising. 제 21항에 있어서,The method of claim 21, 상기 투명전극은 화소 영역의 중심부에 형성되며, 상기 화소 영역의 투명전극 주변에는 반사면이 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And the transparent electrode is formed at the center of the pixel region, and a reflective surface is formed around the transparent electrode of the pixel region.
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