KR100828502B1 - 건식 식각 장치 - Google Patents

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KR100828502B1
KR100828502B1 KR1020010020015A KR20010020015A KR100828502B1 KR 100828502 B1 KR100828502 B1 KR 100828502B1 KR 1020010020015 A KR1020010020015 A KR 1020010020015A KR 20010020015 A KR20010020015 A KR 20010020015A KR 100828502 B1 KR100828502 B1 KR 100828502B1
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임지만
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삼성전자주식회사
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    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching

Abstract

게이트 라인 상부의 보호막이 식각되는 불량을 방지할 수 있는 건식 식각장치가 개시되어 있다. 건식 식각 장치는 내부에 밀폐공간을 형성하고, 식각 대상물을 수용하여 건식 식각을 수행하기 위한 챔버를 구비한다. 플라즈마 발생부는 전압 인가받아 상기 밀폐공간에 플라즈마 형성용 방전 전압을 발생시킨다. 가스 공급부는 식각 가스를 상기 밀폐공간 내부로 유입시키며, 상기 플라즈마 발생부와 독립적으로 위치한다. 전극과 플라즈마 식각가스 공급부를 분리하여 형성함으로써, 전극에 형성된 가스 공급홀이 필요없다. 따라서, 플라즈마에 의한 공급홀 원주면의 부식을 방지할 수 있어서, 식각 불량을 줄일 수 있다.

Description

건식 식각 장치{Dry Etching Device}
도 1는 종래의 플라즈마 식각장치를 개념적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 상부전극을 확대하여 나타내는 도면이다.
도3a 내지 도 3d는 종래의 식각챔버 내에서 게이트 절연막이 식각되는 과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 제1실시예에 의한 건식 식각장치를 나타내는 단면도이다.
도 5a는 본 발명의 제1실시예에 의한 식각장치의 덮개부를 확대한 도면이다.
도 5b는 본 발명의 제1실시예에 의한 식각장치의 가스유입부를 나타내는 도면이다.
도 5c는 본 발명의 제1실시예에 의한 제1전극을 확대한 도면이다.
도 6은 본 발명의 제2실시예에 의한 건식 식각장치를 나타내는 단면도이다.
도 7은 본 발명의 제2실시예에 의한 식각장치의 측벽의 일부를 확대한 도면이다.
도 8은 본 발명의 제2실시예에 의한 식각장치의 변형 실시예를 나타내는 도면이다.
도 9는 본 발명의 제3실시예에 의한 건식 식각장치를 나타내는 단면도이다.
도 10은 본 발명의 제3실시예에 의한 식각장치에 제시된 가스분산장치의 일 실시예를 나타내는 도면이다.
도 11a 내지 도 11c는 본 발명의 제3실시예에 의한 식각장치에서 가스분산장치의 배치에 관한 일실시예를 나타내는 도면이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
100 : 식각장치 200 : 챔버
220 : 몸체부 240 : 덮개부
225 : 펌핑라인 245 : 챔버홀
320 : RF 전원 340 : 제1 전극
360 : 제2 전극 380 : 지지대
400 : 가스공급부 420 : 가스가이드
420 : 가스 가이드 440 : 가스분산장치
442 : 튜브 444 : 고정부
446 : 지지부 450 : 가스공급관
500 : 밀폐공간 600 : TFT 모기판
본 발명은 박막트랜지스터 기판제작을 위한 건식식각 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor, 이하 TFT) 기판의 컨택트 홀 형성과정에서 게이트 라인 상부의 보호막이 식각되는 불량을 방지할 수 있는 식 각장치에 관한 것이다.
최근들어 적용범위가 빠르게 확장되는 표시장치인 액정표시장치는 상부기판과 하부기판 사이에 있는 액정 분자들의 배열구조가 외부에서 인가되는 구동신호의 변화로 발생하는 빛의 투과율 차이를 이용하는 디스플레이 장치로서 액정의 종류 및 배열구조나 구동신호의 인가방식을 기준으로 다양한 종류가 제시되어 있다. 최근에는 화면을 구성하는 모든 화소에 대해 개별적으로 구동신호를 인가하는 액티브 매트릭스(Active Matrix) 방식의 액정표시장치(이하, AMLCD)에 대해 활발한 연구개발이 진행되고 있다. 특히, 각 화소의 구동신호를 제어하기 위한 액티브 매트릭스 방식의 스위칭 소자로서 박막 트랜지스터를 이용하는 박막 트랜지스터 액정표시장치(TFT-LCD)는 저온 공정으로 대면적 유리기판에 적용할 수 있으며, 저전압으로도 충분히 구동할 수 있는 장점을 가지고 있어 가장 널리 사용되는 AMLCD 이다.
이러한 TFT-LCD에서 각 화소를 구동하는 스위칭 소자인 TFT는 유리기판 위에 박막 형태의 레이어(layer)를 증착하여 스위칭 특성을 부과한 비선형 소자로서, 게이트와 소스 전극에 게이트 라인과 소스라인을 통하여 신호를 인가하고 드레인 전극에 화소전극을 연결함으로써 공통전극과의 사이에 전압을 형성하여 각 화소의 액정배열을 조절한다.
그러나 유리기판에 상기 TFT를 형성하고 화소전극과 결합시켜 TFT 기판을 형성하는 작업은 증착, 노광, 식각으로 구성되는 다수의 공정에 의해 제작되므로 단결정 반도체 막에 비해서 더 많은 전기적 결함과 불완전함을 제작공정에서 동반하게 된다. 이에 따라 TFT 기판 제작에 있어서 공정 수를 줄이고, 각 공정단계에서의 공정 신뢰성을 높이고 비용절감을 이루는 것이 액정표시장치의 제작에 중요한 과제가 되고 있다.
이를 해결하기 위한 노력으로서, 본 출원인의 대한민국 특허등록 제 10-0183757호(발명의 명칭 : 박막 트랜지스터-액정표시장치의 제조방법)에 의하면, 보호막 형성공정과 컨택트 홀 공정을 동시에 진행하여 패턴 마스크의 수를 7매에서 5매로 줄인 TFT 기판의 제조방법이 제시되어 있으며, 본 출원인의 대한민국 등록특허 제10-0219480호(발명의 명칭 : 박막트랜지스터 액정표시장치 및 그 제조방법)에는 5매의 패턴 마스크로 제조되는 액정표시장치용 TFT의 공정신뢰성을 향상하기 위한 변형기술이 제시되어 있다.
상술한 5매 공정에 의해 TFT 기판을 제작하기 위하여 먼저 유리 기판의 전면에 크롬(Cr)층과 알루미늄(Al)층을 차례로 증착하고 제1 패턴 마스크를 이용하여 노광한 후 식각공정을 거쳐 게이트 전극, 게이트 라인 및 게이트 패드(미도시)를 형성한다. 그 위에 게이트 절연막, 반도체층을 적층한 후, 반도체층에 대하여 제2 패턴 마스크를 이용한 노광 및 식각, 세정공정을 거쳐 액티브 패턴을 형성한다. 다음에는 소스/드레인 전극을 형성할 금속층을 상기 액티브 패턴의 상부에 증착한 후, 제3 패턴 마스크를 이용한 노광 및 식각공정을 통하여 소스전극 및 드레인 전극 패턴을 형성한다. 이때, 소스/드레인 전극을 형성하는 금속층은 크롬(Cr)층 및 알루미늄(Al)층을 차례로 적층하여 복층으로 형성할 수 있으며, 드레인 전극의 일부는 액티브 영역을 벗어나 화소전극 방향으로 연장되어 증착됨으로써 화소전극과의 접촉부를 형성한다. 또한, 소스전극 및 드레인 전극을 형성하는 금속층의 일부 는 반도체층까지 계속 식각함으로써 소스전극과 드레인 전극사이의 채널영역을 완성한다. 이어서 소스 전극과 드레인 전극이 형성된 기판의 전면에 보호막을 증착한 후, 제4 마스크 패턴을 이용하여 드레인 전극의 일부에 화소전극과 연결될 콘택트 홀을 형성하고, 제5 마스크 패턴을 이용하여 상기 컨택트 홀의 상부에 화소전극을 이루는 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide, 이하 ITO) 전극을 형성함으로써 TFT 기판을 완성한다.
그러나, 상술한 바와 같은 5매 마스크 공정에 따라 TFT 기판을 제조하는 경우 건식 식각과정에서 픽셀불량을 야기하는 문제점이 있다. 제4 패턴 마스크를 이용하여 사진공정을 거친 TFT 기판은 보호막을 제거하는 식각과정을 통하여 컨택트 홀을 형성하게 된다. 이때, 상기 식각과정은 플라즈마를 이용한 건식 식각공정으로 진행되며 TFT 기판의 컨택트 홀이 형성될 영역의 보호막을 라디칼이나 이온 등과 같은 반응입자들과 반응시켜 제거하는 과정으로서 별도의 식각챔버 내에서 진행된다.
도 1은 종래의 플라즈마 식각공정을 수행하는 식각장치를 나타내는 단면도이다.
도 1를 참조하면, 종래의 식각장치(10)는 식각장치의 외형을 형성하는 챔버벽체(20) 및 상기 챔버몸체(20)와 결합하여 플라즈마 형성을 위한 밀폐공간(90)을 형성하는 챔버덮개(30)를 포함한다. 상기 챔버덮개(30)에는 고주파 전압을 형성하기 위한 전극의 일부인 상부전극(32)이 구비되어 있으며, 상기 상부전극(32)은 플라즈마를 형성하기 위한 식각가스(38)를 상기 식각장치(10) 내부로 유입하는 식각 가스 가이드부(34)와 일체로 형성되어 있다. 상기 식각가스 가이드부(34)로 유입된 식각가스(38)는 상기 상부전극(32)의 배면에 형성된 가스 공급홀(gas feeding hole,36)을 통하여 상기 식각장치(10) 내부의 밀폐공간(90)으로 분사된다. 상기 상부전극(32)은 전도성과 플라즈마에 대한 내구성 및 제조비용 등을 고려하여 표면에 알루미늄(Al) 산화막을 형성한다.
상기 챔버벽체(20)의 하부에는 식각장치(10) 내부 기체를 식각장치(10)의 외부로 배출하는 펌프(미도시)와 연결되는 펌핑라인(pumping line, 44)이 장착되어 밀폐공간(90)의 압력을 플라즈마 형성에 적당한 조건으로 조절한다. 또한 상기 상부전극(32)과 상호 작용하여 식각장치(10) 내부에 고전압을 형성할 수 있는 하부전극(40)이 챔버벽체(20)의 바닥면에 구비되며, 상기 하부전극(40)의 상부면에는 식각할 TFT 모기판(50)을 지지하는 지지대(42)가 일체로 형성되어 있다.
상기와 같은 식각챔버(10)내에서 식각을 위한 플라즈마를 형성하기 위해 먼저 펌핑라인(44)을 통하여 식각챔버(10) 내부의 압력을 적정하게 조절한 후 플라즈마 식각가스(38)를 식각가스 공급부(34)를 통하여 주입한다. 상기 식각가스(38)로서 염소기체(Cl2), 염산기체(HCl), 플루오르화 황(SF6), 산소기체(O2), 플루오르화 탄소(CF4) 등을 이용한다. 이어서, RF 전원(33)을 통하여 고주파 교류전압을 상기 상부 및 하부전극(32,40)에 걸어주면 공급된 식각가스(38) 분자들의 운동에너지가 높아져 활성화 상태가 된다. 활성화된 식각가스(38) 분자들은 이온화 분해과정을 거쳐 이온, 전자, 라디칼(radical)로 분리되어 플라즈마(plasma)를 형성하게 된다. 라디칼은 확산에 의해서 무질서하게 운동하며, 이온이나 전자는 인가된 전기장의 방향에 따라 이동하여 상기 TFT 기판의 표면에서 보호막과 물리적 또는 화학적 반응을 이루어 반응물을 생성하면서 표면을 식각하게 된다. 식각 결과 생성된 반응물은 식각장치(10) 내부의 압력을 유지하는 펌핑라인(44)을 따라 식각장치(10) 외부로 배출된다.
한편, 플라즈마 상태를 형성하기 위한 고주파 교류전압의 특성으로 인하여 상부전극(32)과 하부전극(40)의 극성은 주기적으로 바뀌게 되고 이에 따라 상기 식각챔버(10) 내부의 전기장의 방향도 주기적으로 변화하게 된다. 따라서, 전기장의 영향을 받는 이온이나 전자의 운동방향도 주기적으로 변하면서 상부전극(32)과 하부전극(40)사이를 왕복하게 된다. 이때, 하부전극(40)으로부터 상부전극(32)으로 운동하는 전자나 이온은 상기 가스 공급홀(36)의 내부를 부식시키면서 공급홀 표면에서 입자들을 분리시킨다.
도 2는 도 1에 도시된 종래의 식각장치에서 가스 공급홀이 형성된 상부전극을 확대하여 나타내는 도면이다.
도 2를 참조하면, 상부전극(32)의 표면은 전기 전도성과 플라즈마에 대한 내성이 우수한 알루미늄 산화막(32a)으로 표면처리되어 있고, 상기 상부전극(32)의 배면에는 식각가스 공급을 위한 가스공급홀(hole,36)이 전면에 걸쳐 다수 형성되어 있다. 상기 가스공급홀(36)은 소정의 깊이를 갖고 식각가스가 유입되는 가스가이드부와 접속되어 식각챔버의 외부와 연결되어 있다. RF전원(33)에 의해 교류신호가 공급되면 상기 가스공급홀(36)의 원주면(36a)으로 전하가 집중되며, 이에 따라 상 부전극(32)의 기타 영역에서 보다 상기 가스공급홀(36)의 원주면(36a) 주위에서 전자나 이온과의 반응성이 더욱 증대된다. 따라서, 상기 가스 공급홀(36)에서 홀 주변의 금속과 플라즈마를 구성하는 입자들 사이에 활발한 반응을 하게 되고 가스 공급홀(36) 원주면(36a)에서 부식이 진행된다. 부식이 더욱 진행되면 부식된 입자들이 가스 공급홀(36)로부터 떨어져 나와 화소전극의 불량을 야기하는 금속성 입자(particle)를 형성하게 된다.
도3a 내지 도 3d는 도 1에 도시된 바와 같은 종래의 식각장치 내에서 TFT 기판의 게이트 절연막이 식각되는 과정을 설명하기 위한 도면이다. 도 3a는 보호막이 증착된 TFT 기판의 게이트 라인 위에 금속성 입자가 떨어진 상태를 나타내는 도면이다. 도 3b는 게이트 라인 위에 발생한 국소적인 보호막 찢김을 도시하는 도면이며, 도 3c는 화소전극과 게이트 라인의 접촉에 의한 화소불량을 발생하는 도면이다. 도 3d는 도 3c에 의한 화소불량을 포함하는 1화소에 대한 개략적인 사시도이다.
도 3a를 참조하면, TFT 기판(50)에는 전하의 재배열로 인한 커패시터(capacitor)가 형성되어 있다. 전원이 인가되면 식각챔버 내부에 전기장이 형성되고 형성된 전기장의 방향을 따라 게이트 절연막(62)을 사이에 두고 게이트라인 계면(60a)과 보호막 계면(62a)에서 전하의 재배열이 이루어짐으로써 보호막(62)과 게이트 라인(60) 사이에 커패시터(capacitor)가 형성된다. 한편, 부식의 결과 가스 공급홀에서 발생하는 금속성 입자도 식각챔버 내부에서 가스분자와 충돌하여 전하를 띤 도전성 입자(80)가 된다. 이때, 상기 도전성 입자(80)들의 표면에 형성 된 전하와 상기 보호막의 표면에 형성된 입자들은 서로 반대 극성을 띠게 됨으로써 쿨롱의 힘(coulomb's force)에 의해 상기 도전성 입자(80)들이 상기 보호막(64)의 상부에 도포된 포토 레지스트(Photo Resistor)막(66)의 상부에 쌓이게 된다.
이어서, 상기 TFT기판(50)의 패드부에 컨택트 홀이 형성되어 게이트 전극이 개방되면 상기 게이트 라인 계면(60a)과 보호막 계면(62a)의 전하분포가 역전되고 TFT기판(50) 표면의 충전전류의 방향이 바뀌게 된다. 따라서 도 3b에 도시된 바와 같이, 상기 PR막(66) 위에 놓여있던 도전성 입자(80)의 극성과 상기 보호막(64) 표면의 극성이 같아지면서 쿨롱 힘이 상호간에 척력으로 작용하게 되어 상기 도전성 입자(80)는 게이트 라인으로부터 떨어져 나가게 된다. 이때, 떨어져 나가는 도전성 입자의 표면에 PR막(66)이 묻어 나가면서 국부적으로 PR막이 뚫리게 된다.
상술한 바와 같이, PR막(66)이 손상된 상태에서 식각을 계속 진행하면, PR막(66)이 손상된 영역의 보호막(64) 및 절연막(62)은 식각에 의해 제거되고 국부적으로 게이트 전극이 노출된다. 이어서, 도 3c 및 도 3d에 도시된 바와 같이, 제5 패턴 마스크를 이용하여 화소전극인 ITO 전극(68)을 증착하면, 게이트 전극과 화소전극이 직접 접촉하게 되어 드레인 전극으로부터 데이터 신호를 받기 이전에 게이터 신호를 먼저 받게 되어 화소불량(70)을 초래하게 되는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명의 제1 목적은 부식에 의해 발생하는 금속성 입자를 방지할 수 있는 상부전극과 가스공급부를 구비하는 건식 식각장치를 제공하는데 있다.
또한, 본 발명의 제2 목적은 부식에 의해 발생하는 금속성 입자를 방지할 수 있는 상부전극과 가스공급부를 구비하는 건식 식각장치로 플라즈마 가스를 공급할 수 있는 가스 분산 장치를 제공하는데 있다.
상술한 제1 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 내부에 밀폐공간을 형성하고, 식각 대상물을 수용하여 건식 식각을 수행하기 위한 챔버; 전압을 인가받아 상기 밀폐공간에 플라즈마 형성용 방전 전압을 발생시키는 플라즈마 발생부; 및 식각 가스를 상기 밀폐공간 내부로 유입시키며, 상기 플라즈마 발생부와 독립적으로 위치하는 가스공급부를 포함하는 것을 특징으로 하는 건식 식각 장치를 제공한다.
또한 상기 제2 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 다수의 가스 분사홀을 구비하며 내부에 가스를 유입 받아 상기 가스 분사홀을 통하여 균일하게 가스를 배출하기 위한 튜브 및 상기 튜브의 제1측에 형성되며 상기 가스를 상기 튜브의 내부로 공급하기 위한 가스유입구를 구비하고, 건식 식각 장치의 챔버에 의해 상기 튜브를 지지하기 위한 지지부로 구성된 건식 식각장치용 가스 분산 장치를 제공한다. 이때, 상기 가스 분산 장치는 상기 튜브의 제1측에 대향하는 제2측에 튜브를 상기 건식 식각 장치의 챔버에 고정하기 위한 고정부를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 의하면, 플라즈마를 형성하기 위한 전원을 인가하는 전극과 플라즈마 식각가스 공급부를 분리하고 전극에 형성된 가스 공급홀을 제거함으로써 플라즈마에 의한 공급홀 원주면의 부식을 방지할 수 있다. 이에 따라, 부식성 입자에 의한 보호막 찢어짐을 방지함으로써 TFT의 컨택트 홀을 형성하는 과정에서 게이트 절연막까지 식각되는 불량을 줄이고 LCD 패널의 화소불량을 줄일 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면에 따라서 더욱 상세히 설명한다.
실시예 1
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 의한 건식 식각장치를 나타내는 단면도이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 제1실시예에 의한 건식 식각장치(100)는 내부에 밀폐공간을 형성하고 식각 대상물을 수용하여 식각을 수행하기 위한 챔버(200), 전압을 인가받아 상기 밀폐공간에 플라즈마 형성용 방전 전압을 발생시키는 플라즈마 발생부 및 식각 가스를 상기 챔버(200) 내부로 유입시키며, 상기 플라즈마 발생부와 독립적으로 위치하는 가스공급부를 포함한다.
상기 챔버(200)는 챔버의 외형을 형성하는 몸체부(220) 및 상기 몸체부(220)와 결합하여 식각공정이 진행되는 밀폐공간(500)을 형성하는 덮개부(240)를 구비한다. 상기 몸체부(220)는 챔버의 외벽을 형성하는 측벽부(220a) 및 상기 측벽부(220a)와 일체로 형성되는 바닥부(220b)로 구성되며, 상기 바닥부(220b)의 일부에는 상기 밀폐공간(500)의 압력을 조절하기 위한 펌프(미도시)와 연결되는 펌핑라인(pumping line, 225)이 설치된다. 또한, 상기 바닥부(220b)의 중앙부에는 플라즈마 발생부를 형성하는 전극의 일부가 위치한다. 상기 덮개부(240)는 몸체부(220)의 상단부와 대응하도록 형성되며, 상기 몸체부(220)에 개폐 가능하게 부착된다. 바람직하게는 밀봉장치를 구비하여 상기 몸체부(220)와 조립된 후 상기 밀폐공간(500)으로부터의 가스 누설을 방지한다. 또한, 상기 챔버(200)의 덮개부(240)에는 상기 밀폐공간(500)으로 플라즈마 식각가스를 공급하기 위한 챔버홀(245)이 형성되어 있다.
상기 플라즈마 발생부는 고주파의 교류전원을 발생시키는 RF 전원부(Radio Frequency generator,320), 상기 RF 전원부(320)로부터 발생한 고주파 교류전압을 인가받아 플라즈마 형성을 위한 전기장을 발생시키는 플레이트 형상의 제1전극(340) 및 제2전극(360)을 포함한다. 상기 RF 전원부(320)는 플라즈마를 형성하는 반응성 입자들이 아노드(anode) 전극과 캐소드(cathode) 전극의 양 방향으로 반복적인 운동을 할 수 있도록 13.56MHz의 주파수를 갖는 교류전압을 발생시킨다. 상기 제1전극(340)은 플레이트 형상으로서 상기 덮개부(240)에 장착되어 상기 RF 전원부(320)와 접속되어 있으며, 플라즈마에 강한 내성을 갖는 산화알루미늄(Al2O3) 피막을 형성한 후 표면을 매끈하게 처리한다. 따라서, 표면의 요철부 형상에 의한 전하 집중현상을 방지함으로써 플라즈마 입자들과의 반응가능성을 줄일 수 있으며, 이에 따라 플라즈마에 의한 부식성 금속입자의 발생을 방지한다. 플레이트 형상을 갖는 상기 제2전극(360)은 상기 바닥부(220b)에 위치하여 상기 제1전극(340)과 소정의 간격을 유지하여 글로우 방전을 위한 공간을 형성한다. 상기 제2전극(360)의 상부면에는 식각할 TFT 모기판(600)을 지지하는 지지대(380)가 설치되어 있다.
상기 가스공급부(400)는 상기 챔버(200)의 외부에 설치된 가스 발생기(460)로 부터 발생된 플라즈마 식각가스를 상기 챔버(200)로 도입하기 위한 가스공급관(450) 및 상기 챔버홀(245)에 결합되며 상기 가스공급관(450)을 통하여 공급된 식각가스를 상기 챔버(200) 내부로 분사시키는 가스가이드(420)를 포함한다.
상기 가스발생기(460)는 밀폐공간으로 형성되어 내부에서 화학반응에 의해 식각가스로 사용되어질 가스를 형성한다. 이때 상기 가스 발생기(460)는 식각 대상물의 종류에 따라 염소기체(Cl2), 염산기체(HCl), 플루오르화 황(SF6), 산소기체(O2), 플루오르화 탄소(CF4) 등을 발생시킨다.
상기 가스공급관(450)은 상기 가스발생기에서 발생된 식각가스를 상기 챔버(200)로 도입하기 위한 관으로서, 유독가스를 전달하는 기능의 특성상 부식에 강한 재질적 특성을 가져야 한다. 또한, 상기 식각장치(100) 내부로 유입되는 식각가스에 불순물이 첨가되는 것을 방지하기 위한 부재를 구비한다.
상기 가스 가이드(420)는 상기 가스 공급관(440)을 통해 도입된 식각가스를 상기 챔버(200)내에 분사하는 부재로서 유독가스를 전달하므로 부식성이 없어야 하고, 상기 밀폐공간(500)에 형성되는 진공의 압력에도 견딜 수 있는 내구성을 갖추고 있어야 한다. 또한, 챔버홀(245)과 결합되어 챔버내부로 주입되므로 식각을 진행하는 플라즈마에 대해 우수한 내식성을 갖추고 있어야 한다. 상기 챔버홀(245)의 내부에 상기 가스 가이드(420)를 결합함으로써 상기 밀폐공간으로 식각가스가 분사된다.
상술한 바와 같은 구성을 갖는 식각장치를 이용하여 TFT 기판을 식각하기 위 하여는 우선 보호막이 증착된 TFT 모기판(600)을 상기 지지대(380) 상면에 위치시킨 후, 펌프(미도시)를 이용하여 상기 밀폐공간(500) 내부의 압력을 플라즈마 형성에 적당한 압력인 7.7mtorr 내지 5.6mtorr 로 형성한다. 그 후, 상기 가스 가이드(420)를 통하여 상기 TFT 모기판(600)을 식각할 수 있는 기체를 공급한다.
이어서, RF 전원부(320)를 통하여 13.56MHz의 주파수를 갖는 교류전압을 상기 제1전극(340)과 제2전극(360) 사이에 걸어주면 상기 밀폐공간(500) 내부에 있던 자유전자가 전기장에 의해 가속되어 식각가스 분자들과 충돌하게 된다. 이에 따라, 식각가스 분자들은 높은 에너지를 얻어 활성화 상태가 되고 이후 이온화 분해과정을 거쳐 이온, 전자, 라디칼(radical)로 분리됨으로서 플라즈마(plasma)를 형성하게 된다. 이때, 라디칼은 확산에 의해서 무질서하게 이동하며, 이온이나 전자는 인가된 전기장의 방향에 따라 이동하여 컨택트 홀이 형성되어 질 영역에 대응하는 상기 TFT 모기판(600)의 보호막과 물리적 또는 화학적 반응을 이루면서 표면을 식각하게 된다. 식각 결과 생성된 화학 반응물은 상기 밀폐공간(500)의 압력을 유지하기 위한 펌프(미도시)에 의해 상기 펌핑라인(225)을 따라 외부로 배출된다.
따라서, 제1전극의 표면을 매끈하게 처리함으로써 종래 제1전극의 표면에 형성된 가스 공급홀의 원주면에서 플라즈마 가스와 제1전극의 구성입자가 반응하여 발생되는 금속성 입자를 제거할 수 있다. 이에 따라, TFT 기판의 컨택트 홀 형성과정에서 게이트 절연막까지 식각되는 불량을 제거하거나 감소되어 TFT 기판의 화소불량을 현저하게 개선시킬 수 있다.
도 5a는 본 발명의 제1실시예에 따른 식각장치의 덮개부를 확대한 도면이며, 도 5b는 제1실시예에 의한 식각장치의 가스공급부를 확대한 도면이다.
도 5a 및 도 5b를 참조하면, 상기 덮개부(240)의 표면에는 식각가스를 유입하기 위한 가스가이드(420)가 삽입되는 챔버홀(245)이 형성되어 있으며, 표면에서 상측으로 상기 제1전극(340)이 돌출되어 있다. 상기 챔버홀(245)은 일실시예로서 상기 덮개부(240)의 가장자리 모서리에 4개가 형성될 수 있으며 가스 공급의 균일성을 위한 필요성, 작업환경에 의한 형상변경 등 장치의 요구에 따라 필요한 수만큼 형성될 수 있다.
상기 챔버홀(245)과 결합하는 상기 가스 가이드(420)는 일실시예로서 튜브형상을 갖도록 형성할 수 있다. 가스가이드(420)와 챔버홀(245)은 나사결합에 의해 조립될 수 있으며, 이때 상기 가스가이드(420)의 표면에는 도 5b에 도시된 바와 같이 수나사(422)가 형성되며, 대응하는 챔버홀(245)의 표면에 암나사가 형성될 수 있다. 또한, 밀폐공간의 압력을 유지하기 위한 밀봉장치로서 챔버홀(245)과 가스가이드(420)의 결합시 고무패킹(420a)을 부가적으로 덧붙일 수 있다. 바람직하게는, 상기 가스가이드(420)는 플라즈마에 대한 내식성이 우수한 SUS 계열의 스테인레스 스틸로 제작함으로써 플라즈마와 반응하여 부식되는 현상을 방지한다.
도 5c는 상술한 본 발명의 제1실시예에 의한 제1전극을 확대한 도면이다.
도 5c를 참조하면, 플라즈마 발생부의 상부전극을 형성하는 제1전극(340)은 표면에 형성된 모든 형상을 제거하고 매끈하게 표면처리한 후 알루미늄 산화막(340a)을 형성한다. 가스 공급부와 제1전극이 일체로 형성된 종래의 경우에는 상기 제1전극(340)의 표면에 가스공급을 위한 홀(hole)이 형성되어 부식에 의한 금속입자를 발생시켰지만, 본 실시예에 의하면 상기 제1전극(340)의 표면에서 홀(hole)을 포함한 모든 형태의 요철부를 제거하고 매끈한 표면을 형성한다.
따라서, 종래 제1전극의 표면에 형성된 가스공급홀의 원주면에서 플라즈마 가스와 제1전극의 구성입자가 반응하여 발생되는 금속성 입자를 제거할 수 있다. 이에 따라, TFT 기판의 컨택트 홀 형성과정에서 게이트 절연막까지 식각되는 현상을 제거하거나 감소시켜 TFT 기판의 화소불량을 현저하게 개선시킬 수 있다.
실시예 2
도 6은 본 발명의 제2실시예에 의한 건식 식각장치를 나타내는 단면도이다. 본 발명의 제2실시예는 제1실시예와 비교하여 가스 공급관(450), 가스가이드(420) 및 챔버홀(245)이 챔버(200)의 몸체부(220)에 형성되어 있는 점을 제외하고는 구성이 동일하다. 따라서, 제1실시예와 동일한 구성부재에 대하여는 동일한 참조번호를 사용하며, 각 구성부재의 기능과 식각장치의 작동에 관한 상세한 설명은 본 발명의 제1실시예에 의한 식각장치에 관한 상세한 설명과 동일하다.
도 6에 의하면, 플라즈마 식각가스는 가스발생기(미도시)에서 발생하여 챔버몸체부(220)의 측벽부(220a)에 형성된 챔버홀(245)과 조립되는 가스가이드(420)를 통하여 밀폐공간(500)으로 주입된다. 이때, 상기 챔버홀(245)은 일실시예로서 상기 측벽부(220a)의 둘레에 임의적으로(randomly) 배치되거나 상기 바닥부(220b)로부터 동일한 높이를 갖는 지점에서 측벽부(220a)의 둘레에 다수개 배치될 수 있다. 상기 챔버홀(245)은 사용환경과 장치특성 등을 고려하여 다양하게 배치될 수 있다. 나아 가, 필요하다면 상기 바닥부(220b)에서 식각가스를 공급할 수도 있다.
도 7은 접속홀이 형성된 측벽의 일부를 확대한 도면이다.
도 7에 의하면, 상기 가스가이드(420)는 상기 챔버홀(245)과 결합되며 일실시예로서 튜브형상을 갖도록 형성된다. 상기 가스가이드(420)와 챔버홀(245)은 일실시예로서 나사결합에 의해 조립될 수 있으며, 이때 상기 가스가이드(420)의 표면에는 도 5b에 도시된 바와 같은 수나사가 형성되며, 대응하는 챔버홀(245)의 표면에 암나사가 형성될 수 있다. 또한, 밀폐공간의 압력을 유지하기 위한 밀봉장치로서 챔버홀(245)과 가스가이드(420)의 결합시 고무패킹(420a)을 부가적으로 덧붙일 수 있다. 바람직하게는, 상기 가스가이드(420)는 플라즈마에 대한 내식성이 우수한 SUS 계열의 스테인레스 스틸로 제작함으로서 플라즈마와 반응하여 부식되는 현상을 방지한다.
이에 따라, 종래에는 제1전극과 가스가이드부가 일체로 형성됨으로써 항상 제1전극이 위치하는 쪽에서 가스가 공급되는 제약이 있었지만, 본 실시예에서와 같이 장치구성의 필요에 따라 측벽부(220a) 또는 바닥부(220b)에서도 플라즈마 식각가스를 공급할 수 있으므로 장치구성의 선택 영역이 더욱 확대된다. 또한 제1전극(340)과 가스가이드부를 분리하여 플라즈마에 의한 부식성 입자의 발생을 줄임으로써 TFT 기판의 화소불량을 현저하게 개선시킬 수 있다.
도 8은 본 발명에 의한 제2실시예의 변형 실시예를 나타내는 도면으로서, 덮개부에 제1전극을 형성한 챔버를 도시하고 있다.
도 8에 의하면, 상기 덮개부(240)의 일부에 고주파 교류전원을 발생하는 RF 전원부와 연결된 제1전극(340)이 일체로 형성되어 있다. 상기 제1전극(340)의 밀폐공간(500)쪽 표면은 알루미늄 산화막 처리를 하여 플라즈마에 대한 반응내성을 증가시키고 상기 덮개부(240)와 접촉하는 양 단부에는 차폐막(342)을 설치하여 상기 제1전극(340)과 덮개부(240)를 전기적으로 절연시킨다.
이에 따라, 상기 밀폐공간(500)을 더욱 넓게 확보할 수 있는 효과가 있으며, 챔버의 제작과정에서 상기 덮개부(240)와 일체로 형성함으로써 별도로 제1전극을 설치하는 공정을 생략할 수 있는 장점이 있다.
실시예 3
도 9는 본 발명에 의한 제3실시예에 의한 건식 식각장치를 나타내는 단면도이다.
도 9를 참조하면, 본 발명의 제3실시예에 의한 건식 식각장치(100)는 내부에 밀폐공간을 형성하고 식각 대상물을 수용하여 식각을 수행하기 위한 챔버(200), 전압을 인가받아 상기 밀폐공간에 플라즈마 형성용 방전 전압을 발생시키는 플라즈마 발생부 및 식각 가스를 상기 챔버(200) 내부로 유입시키며, 상기 플라즈마 발생부와 독립적으로 위치하는 가스공급부(400)를 포함한다.
상기 챔버(200)는 챔버의 외형을 형성하는 몸체부(220) 및 상기 몸체부(220)와 결합하여 식각공정이 진행되는 밀폐공간(500)을 형성하는 덮개부(240)를 구비한다. 상기 몸체부(220)는 챔버의 외벽을 형성하는 측벽부(220a) 및 상기 측벽부(220a)와 일체로 형성되는 바닥부(220b)로 구성되며, 상기 바닥부(220b)의 일부에는 상기 밀폐공간(500)의 압력을 조절하기 위한 펌프(미도시)와 연결되는 펌핑라인(pumping line, 225)이 설치된다. 또한, 상기 바닥부(220b)의 중앙부에는 플라즈마 발생부를 형성하는 전극의 일부가 위치한다. 상기 덮개부(240)는 몸체부(220)의 상단부와 대응하도록 형성되며, 상기 몸체부(220)에 개폐 가능하게 부착된다. 바람직하게는 밀봉장치를 구비하여 상기 몸체부(220)와 조립된 후 상기 밀폐공간(500)으로부터의 가스 누설을 방지한다. 또한, 상기 몸체부(220)의 일부에는 상기 밀폐공간(500)으로 플라즈마 식각가스를 공급하기 위한 챔버홀(245)이 일체로 형성되어 있다.
상기 플라즈마 발생부는 고주파의 교류전원을 발생시키는 RF 전원부(Radio Frequency generator,320), 상기 RF 전원부(320)로부터 발생한 고주파 교류전압을 인가받아 플라즈마 형성을 위한 전기장을 발생시키는 제1전극(340) 및 제2전극(360)을 포함한다. 상기 RF 전원부(320)는 플라즈마를 형성하는 반응성 입자들이 아노드(anode) 전극과 캐소드(cathode) 전극의 양 방향으로 반복적인 운동을 할 수 있도록 13.56MHz의 주파수를 갖는 교류전압을 발생시킨다. 상기 제1전극(340)은 상기 덮개부(240)에 장착되어 상기 RF 전원부(320)와 접속되어 있으며, 플라즈마에 강한 내성을 갖는 산화알루미늄(Al2O3) 피막을 형성한 후 표면을 매끈하게 처리한다. 따라서, 표면의 요철부 형상에 의한 전하 집중현상을 방지함으로써 플라즈마 입자들과의 반응가능성을 줄일 수 있으며, 이에 따라 플라즈마에 의한 부식성 금속입자의 발생을 방지한다. 상기 제2전극(360)은 상기 바닥부(220b)에 위치하여 상기 제1전극(340)과 소정의 간격을 유지하여 글로우 방전을 위한 공간을 형성한다. 상기 제2전극(360)의 상부면에는 식각할 TFT 모기판(600)을 지지하는 지지대(380)가 설치되어 있다.
상기 가스공급부(400)는 상기 챔버(200)의 외부에 설치된 가스발생기(460)로부터 발생된 플라즈마 식각가스를 상기 챔버(200)로 도입하기 위한 가스공급관(450), 상기 챔버홀(245)에 결합되며 상기 가스공급관(450)을 통하여 공급된 식각가스를 상기 챔버(200) 내부로 유입시키는 가스가이드(420) 및 상기 밀폐공간(500)으로 식각가스를 공급하는 가스분산장치(440)를 포함한다.
상기 가스발생기(460)는 밀폐공간으로 형성되어 내부에서 화학반응에 의해 식각가스로 사용되어질 가스를 형성한다. 이때 상기 가스 발생기(460)는 식각 대상물의 종류에 따라 염소기체(Cl2), 염산기체(HCl), 플루오르화 황(SF6), 산소기체(O2), 플루오르화 탄소(CF4) 등을 발생시킨다.
상기 가스공급관(450)은 상기 가스발생기(460)에서 발생된 식각가스를 상기 챔버(200)로 도입하기 위한 관으로서, 유독가스를 전달하는 기능의 특성상 부식성에 강한 재질적 특성을 가져야 한다. 또한, 상기 식각장치(100) 내부로 유입되는 식각가스에 불순물이 첨가되는 것을 방지하기 위한 부재를 구비한다.
상기 가스 가이드(420)는 상기 가스 공급관(450)을 통해 도입된 식각가스를 상기 챔버(200)내부로 유입하는 부재로서 유독가스를 전달하므로 부식성이 없어야 하고, 상기 밀폐공간(500)에 형성되는 진공의 압력에도 견딜 수 있는 내구성을 갖 추고 있어야 한다. 또한, 챔버홀(245)과 결합되어 챔버내부로 주입되므로 식각을 진행하는 플라즈마에 대해 우수한 내식성을 갖추고 있어야 한다. 상기 챔버홀(245)의 내부에 상기 가스 가이드(420)를 결합함으로써 상기 밀폐공간으로 식각가스가 분사된다.
상기 가스분산장치(440)는 일실시예로서 상기 밀폐공간(500)으로 가스를 배출하기 위한 튜브 및 상기 튜브의 제1측에 형성된 지지부 및 상기 제1측과 대향된 제2측에 형성된 고정부로 구성된다.
상기 튜브는 식각가스를 상기 밀폐공간(500)으로 균일하게 분사하기 위한 가스 분사홀(442a)을 구비한다. 상기 지지부는 내부에 형성된 가스유입구를 통하여 상기 가스 가이드(420)로부터 식각가스를 공급받는다. 이때, 상기 가스 가이드(420)는 상기 챔버홀(245)내에서 상기 가스 유입구와 연결된다. 상기 고정부는 선택적으로 형성되며, 상기 챔버(200)에 상기 튜브를 고정한다. 이와 같은 구성을 갖는 상기 가스분산장치(440)는 플라즈마 입자와의 화학반응에 강한 재질로 제작하여 상기 가스 분사홀(442a)로부터 플라즈마에 의한 부식입자가 형성되지 않도록 한다.
한편, 도 9에 도시된 상기 가스 분산장치(440)는 상기 제1전극(340)의 하부에서 상기 제1전극과 평행하게 단수로 형성되어 있지만, 본 실시예에 의한 발명은 이에 국한하는 것은 아니다. 상기 가스 분산장치(440)는 복수개로 형성되어 질 수도 있으며, 상기 측벽부(220a)와 평행하게 형성될 수도 있다. 나아가, 상기 제1전극(340)과 상기 측벽부(220a)와 동시에 평행하게 형성되어 질 수도 있다. 보호막 식각을 위한 식각가스는 상기 가스발생기(460)에서 발생되어, 가스가이드(420)를 경유하여 가스 분산장치(440)로 유입된 후 상기 가스 분산장치(440)에 일체로 형성된 가스 분사홀(442a)을 통하여 상기 밀폐공간(500)으로 균일하게 분사된다.
상기 제1전극(340)과 독립적으로 위치하면서 플라즈마 가스에 강한 내성을 갖는 가스 분산장치(440)를 통하여 상기 식각장치(100)의 내부로 식각가스를 주입한 후, 상기 제1전극(340) 및 제2전극(360) 사이에 고주파 교류전압을 인가하여 플라즈마를 형성한다. 플라즈마를 구성하는 반응입자들은 식각할 TFT 모기판(600)의 보호막과 물리적, 화학적 방법으로 반응하여 상기 TFT 모기판(600)으로부터 보호막을 제거함으로써 식각공정을 완료한다.
따라서 본 실시예에 의하면, 종래 제1전극의 표면에 형성된 가스공급홀의 원주면에서 플라즈마 가스와 제1전극의 구성입자가 반응하여 발생되는 금속성 입자를 제거할 수 있다. 이에 따라, TFT 기판의 컨택트 홀 형성과정에서 게이트 절연막까지 식각되는 불량을 제거하거나 감소시켜 TFT 기판의 화소불량을 현저하게 개선시킬 수 있다. 또한 제1전극과 분리되어 독립적으로 위치하는 가스공급장치(440)를 상기 식각장치(100)의 내부에 형성함으로써 균일한 가스공급을 가능케 한다.
도 10은 도 9에 제시된 가스 분산장치의 일실시예를 나타내는 도면이다.
도 10을 참조하면, 상기 밀폐공간(500)으로 가스를 배출하기 위한 튜브(442) 및 상기 튜브(442)의 제1측에 형성된 지지부(446) 및 상기 제1측과 대향된 제2측에 선택적으로 형성되는 고정부(444)를 포함한다.
상기 튜브(442)는 일실시예로서 상호 대향하는 소정의 길이와 반지름 및 두 께를 갖는 원형 튜브로 형성되며, 상기 튜브(442)의 원주표면에는 내부까지 관통되어 튜브(442) 내부의 가스를 외부로 배출할 수 있는 가스 분사홀(442a)이 다수 형성되어 있다.
또한, 상기 튜브(442)의 제1측단에는 가스가이드(420)와 연결되어 식각가스를 공급받기 위한 가스유입구(446a)를 포함하며, 상기 챔버(200)에 상기 튜브(442)를 지지하기 위한 지지부(446)가 구비되어 있다. 상기 지지부(446)는 챔버(200)에 형성된 챔버홀(245)에 삽입되어 상기 가스가이드(420)와 연결되며, 동시에 상기 튜브(442)를 챔버(200)에 지지, 고정하는 기능을 한다. 바람직하게는, 상기 튜브(442)를 챔버(200)에 고정하는 고정부(444)를 상기 튜브(442)의 제1측단과 대향하는 제2측단에 형성한다.
상기 고정부(444)는 일실시예로서 상기 가스 분산장치(440)의 제1측단에서 돌출된 봉(slender bar with a circular sectional view)형상으로 제작되며, 그 중앙에 소정의 깊이를 갖는 캐비티(cavity, 444a)가 형성되고 상기 캐비티(cavity, 444a)의 내부 원주면에 암나사(444b)가 형성된다. 따라서, 상기 챔버(200)의 외부에서 나사결합으로 상기 튜브(442)를 챔버(200)에 결합할 수 있다. 상기 지지부(446)는 가스 분산 장치(440)의 제1측단과 대향하는 제2측단에서 돌출된 봉형상으로 제작되며, 그 중앙부는 비어 있어 가스가이드(420)로부터 공급된 식각가스를 상기 튜브(442)로 유동시킬 수 있다.
상술한 바와 같은 구조를 갖는 가스 분산 장치(440)로 식각가스가 유입되면 상기 지지부(446) 부근의 가스압력은 높고 상기 고정부(444)로 쪽으로 갈수록 가스 압력이 낮아질 것이므로 분사되는 가스의 균일성을 확보하기 위해 지지부(446)에서 멀어 질수록 상기 가스 분사홀(442a)의 직경을 증가시킨다. 이에 따라, 챔버(200) 내부로 유입되는 플라즈마 식각가스는 상기 밀폐공간(500)의 전 영역에 걸쳐서 균일하게 분사된다.
도 11a 내지 도 11c는 본 실시예에 의한 식각장치에서 가스 분산 장치의 배치에 관한 다양한 실시예를 나타내는 도면이다.
도 11a 내지 도 11c를 참조하면, 가스 분산 장치(440)는 제1전극(340)의 하부에 상기 제1전극(340)과 평행하게 복수개 위치한다. 이때, 상기 복수개의 가스 분산 장치(440)는 도 11a에 도시된 바와 같이 독립적인 3개의 서로 다른 가스공급장치(440a, 440b, 440c)가 서로 평행하게 위치할 수 있으며, 다른 실시예로서 도 11b 및 도 11c에 도시된 바와 같이 3개의 서로 평행한 가스 분산 장치(440a,440b,440c)를 중앙부에서 상호 연결하거나, 양단에서 상호 연결하는 구조를 가질 수 있다. 이와 같은 가스 분산 장치의 실시 형태는 챔버 내부에 분사되는 가스의 균일성을 확보할 수 있는 구조이면, 도 11a 내지 도 11c에 개시된 배치 형상에 국한되지 않고 다양한 배치 조합을 가질 수 있다.
상술한 바와 같은 다양한 실시예를 통하여 개시된 본 발명에 의하면, 플라즈마에 의해 부식된 금속입자의 발생을 억제 또는 제거함으로써 TFT 기판의 컨택트 홀 형성을 위한 식각과정에서 게이트 절연막까지 식각되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 이에 의한 화소불량을 방지하여 공정효율을 높일 수 있고 액정표시장치의 시스템 안정성을 높일 수 있다.
본 발명에 의하면, 식각가스 공급부와 전원인가용 전극을 분리한 후, 플라즈마에 내성이 강한 재질로 제작된 식각가스 공급부를 형성하고 전극의 표면을 매끈하게 형성함으로써 플라즈마에 부식되는 금속성 입자의 발생을 줄임으로써 TFT 기판의 컨택트 홀을 형성하는 과정에서 발생하는 TFT 절연막까지 식각되는 현상을 방지할 수 있다. 이에 따라, TFT 전극과 화소전극이 접속되어 발생하는 화소불량을 방지할 수 있는 효과가 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (18)

  1. 내부에 밀폐공간을 형성하고, 식각 대상물을 수용하여 건식 식각을 수행하기 위한 챔버;
    전압을 인가받아 상기 밀폐공간에 플라즈마 형성용 방전 전압을 발생시키는 플라즈마 발생부; 및
    상기 플라즈마 발생부와 독립적으로 배치되어 식각 가스를 상기 밀폐공간 내부로 유입시키며, 상기 밀폐공간의 내부에 배치되어 상기 식각 가스를 상기 밀폐공간 내부에 균일하게 분산시키는 가스 분산 장치를 포함하는 가스공급부를 포함하는 건식 식각 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 챔버는 바닥부 및 측벽부로 구성된 본체와 상기 본체의 상부에 구비된 덮개부로 구성되고, 상기 플라즈마 발생부는 상기 챔버의 덮개부에 위치하는 플레이트 형상의 제1 전극과 상기 챔버의 바닥부에 위치하는 플레이트 형상의 제2 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 건식 식각 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1전극은 상기 덮개부의 일부를 구성하는 것을 특징으로 하는 건식 식각 장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 제2 전극 위에는 상기 건식 식각시에 상기 식각 대상물을 지지하기 위한 지지대를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 건식 식각장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 플라즈마 발생부의 표면에는 알루미늄 산화막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 건식 식각장치.
  6. 제2항에 있어서, 상기 챔버에는 상기 가스공급부를 고정하기 위한 챔버 홀이 형성되어 있고, 상기 가스 공급부는 상기 챔버의 외부에 구비된 가스 공급원으로부터의 식각 가스를 상기 챔버로 도입하기 위한 가스 공급관 및 상기 챔버 홀에 결합하며 상기 가스 공급관을 통하여 공급된 식각 가스를 상기 챔버 내로 유입시키기 위한 가스 가이드를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 건식 식각장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 챔버는 바닥부 및 측벽부로 구성된 몸체부와 상기 몸체부의 상부에 구비된 덮개부로 구성되고, 상기 챔버 홀은 상기 덮개부의 가장자리에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 건식 식각장치.
  8. 제6항에 있어서, 상기 챔버는 바닥부 및 측벽부로 구성된 몸체부와 상기 몸체부의 상부에 구비된 덮개부로 구성되고, 상기 챔버홀은 상기 측벽부에 형성되는 것을 특징으로 하는 건식 식각장치.
  9. 삭제
  10. 제6항에 있어서, 상기 가스 분산 장치는 다수의 가스 분사홀을 구비하며 내부에 식각 가스를 유입받아 상기 가스 분사홀을 통하여 균일하게 식각 가스를 배출하기 위한 튜브 및 상기 튜브의 제1측에 형성되며 상기 식각 가스를 상기 튜브의 내부로 공급하기 위한 가스 유입구를 구비하고, 상기 챔버에 의해 상기 튜브를 지지하기 위한 지지부를 포함하는 것을 특징으로 하는 건식 식각장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 지지부는 상기 가스가이드에 연결되는 것을 특징으로 하는 건식 식각장치.
  12. 제6항에 있어서, 상기 가스 분산 장치는 상기 제1전극과 평행하게 다수개가 구비된 것을 특징으로 하는 건식 식각장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 가스 분산 장치는 길이방향의 중앙부에서 상호 연통하게 형성되는 것을 특징으로 하는 건식 식각장치.
  14. 제12항에 있어서, 상기 가스 분산 장치는 가장자리부에서 상호 연통하게 형성되는 것을 특징으로 하는 건식 식각장치.
  15. 제6항에 있어서, 상기 가스 분산 장치는 SUS 타입의 스테인레스 스틸 재질인 것을 특징으로 하는 건식 식각장치.
  16. 다수의 가스 분사홀을 구비하며 내부에 가스를 유입받아 상기 가스 분사홀을 통하여 균일하게 가스를 배출하기 위한 튜브; 및
    상기 튜브의 제1측에 형성되며 상기 가스를 상기 튜브의 내부로 공급하기 위한 가스유입구를 구비하고, 건식 식각 장치의 챔버에 의해 상기 튜브를 지지하기 위한 지지부로 구성된 건식 식각장치용 가스 분산 장치.
  17. 제16항에 있어서, 상기 다수의 가스 분사홀은 상기 지지부로부터 거리가 멀수록 직경이 커지도록 형성된 것을 특징으로 하는 건식 식각장치용 가스 분산 장치.
  18. 제16항에 있어서, 상기 튜브의 제1측에 대향하는 제2측에 형성되어 상기 튜브를 상기 건식 식각 장치의 챔버에 고정하는 고정부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 건식 식각장치용 가스 분산 장치.
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