KR100821480B1 - 이미지 센서 및 그의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 이미지 센서 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 구체적으로 광감지부가 형성된 픽셀 어레이 기판 상에 컬러필터 어레이를 형성하는 단계; 상기 컬러필터 어레이 상에 마이크로 렌즈용 포토레지스트를 도포하는 단계; 상기 포토레지스트를 노광 및 현상하여 단차가 형성된 렌즈패턴을 형성하는 단계; 상기 렌즈패턴을 리플로우 하여 각각 다른 형태의 마이크로 렌즈를 형성하는 단계를 포함하는 이미지 센서 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
이미지센서, 위상반전마스크

Description

이미지 센서 및 그의 제조방법{Image Senser and Method for Menufacturing of The Same}
도 1 내지 도 4은 종래의 이미지 센서를 도시한 도면,
도 5 내지 도 7은 본 발명의 이미지 센서의 제조공정을 나타내는 단면도,
도 8a 내지 도 8c는 일반적인 바이너리 마스크의 형태 및 형태에 따른 빛의 세기를 나타내는 그래프, 그의 잠상 이미지를 나타내는 도면,
도 9a 내지 도 9c는 본 발명의 마스크의 형태 및 형태에 따른 빛의 세기를 나타내는 그래프, 그의 잠상 이미지를 나타내는 도면,
도 10a 내지 도 10c는 본 발명의 마스크의 형태 및 형태에 따른 빛의 세기를 나타내는 그래프, 그의 잠상 이미지를 나타내는 도면,
도 11은 본 발명의 노광 마스크를 나타내는 평면도이다.
본 발명은 이미지 센서의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 마이크로 렌즈의 형태를 이미지 센서로 입사되는 광축의 중심에서 멀리 떨어져 있는 감광부에 초점이 정확히 맺히도록 광경로를 이동시킬 수 있는 이미지 센서 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 이미지 센서는 광학영상(optical image)을 전기신호로 변환시키는 반도체 소자로서, 이중에서 전하결합소자(CCD:charge coupled divice)는 개개의 MOS 캐패시터가 서로 매우 근접한 위치에 있으면서 전하캐리어가 캐패시터에 저장되고 이송되는 소자이며, 씨모스(Complementary Mos) 이미지 센서는 제어회로(control circuit) 및 신호처리회로(signal processing circuit)를 주변회로로 사용하는 씨모스(CMOS) 기술을 이용하여 픽셀수 만큼의 모스 트랜지스터를 만들고 이것을 이용하여 차례대로 출력을 검출하는 스위칭 방식을 채용하는 소자이다.
상기 씨모스 이미지 센서는 단위 픽셀 내에 포토다이오드와 모스트랜지스터를 형성시켜 스위칭 방식으로 신호를 검출함으로써 이미지를 구현하게 되는데, 상술한 바와 같이 전력소모가 작으며 마스크의 수도 상기 CCD 공정에 비하여 매우 단순하다. 이에 따라, 신호처리회로를 단일 칩 내에 집적할 수 있어 제품의 소형화를 통해 다양한 응용이 가능하다.
씨모스 이미지 센서는 조사되는 빛을 감지하는 포토다이오드와 감지된 빛을 전기적인 신호를 처리하여 데이터화 하는 로직회로부로 구성되는데, 상기 포토다이오드의 수광량이 많을 수록 상기 이미지 센서의 광감도(Photo sensisivity) 특성이 양호해진다.
광 감도를 높이기 위해서 이미지 센서의 전체 면적 중에서 포토 다이오드의 면적이 차지하는 비율을 크게 하거나 포토다이오드 이외의 영역으로 입사되는 광의 경로를 변경하여 상기 포토 다이오드로 집속시켜 주는 기술이 사용된다.
상기 집속 기술의 대표적인 예가 마이크로 렌즈를 형성하는 것인데, 이는 포토다이오드 상부에 광투과율이 좋은 물질로 통상적으로 볼록형 마이크로 렌즈를 만들어 입사광의 경로를 굴절시켜 보다 많은 양의 빛을 포토다이오드 영역으로 조사하는 방법이다.
도 1은 종래의 이미지 센서를 도시한 것으로, 메인렌즈(2)에서 입사되는 광이 마이크로 렌즈(1)로 입사되는 것을 나타내고 있으며, 도 1에 도시된 바와 같이 이미지 센서의 가장자리로 입사되는 빛은 광축과 나란하게 입사되지 않고 사입사(off-axis)되고 있다.
따라서, 도 2에 도시된 바와 같이 마이크로 렌즈(1)의 경우 광축과 평행한 빛은 렌즈에서 굴절되어 렌즈의 대향 위치에 있는 광감지 소자(3)에 도달되어 정상적으로 소자를 동작시키지만, 도 3에 도시된 바와 같이 마이크로 렌즈(1)의 경우 광축에 평행하지 않은 빛은 렌즈에서 굴절되어 빛이 입사되지 말아야 하는 경로로 기판의 어느 한 영역, 예를 들어 배선(4)과 같은 영역에 도달하게 되어 광반응 영역에서 초점이 맺히지 않고 이동(shift)되는 현상이 발생되어 소자가 오동작 되는 경우가 발생하게 된다.
따라서, 사입사되는 광의 초점을 광감지 영역으로 이동시키려면 마이크로 렌즈용 마스크 제작시 원칩(One chip)이 되는 최소 단위인 하나의 다이(die) 내에서 마이크로 렌즈 어레이를 중심에서 멀어질 수록 일정한 이동 값을 주어 마스크를 제작해야 한다.
이것은 도 4를 참조하면, 마이크로렌즈가 중심으로 이동된 상태를 나타내고 있다. 그러나 이와 같은 방법은, 메인렌즈(2)의 초점거리(fb)가 변할 때마다, 센서의 길이(D)가 변할 때마다 마이크로 렌즈의 마스크를 새롭게 제작해야 하는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명은 위상반전 마스크를 사용하여 마이크로 렌즈의 형태를 위치별로 다르게 형성하여 렌즈의 초점이동을 보상하여 포토다이오드의 집광률을 높일 수 있는 이미지 센서의 제조방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 이미지 센서의 제조방법은, 광감지부가 형성된 픽셀 어레이 기판 상에 컬러필터 어레이를 형성하는 단계; 상기 컬러필터 어레이 상에 마이크로 렌즈용 포토레지스트를 도포하는 단계; 상기 포토레지스트를 노광 및 현상하여 단차가 형성된 렌즈패턴을 형성하는 단계; 상기 렌즈패턴을 리플로우 하여 각각 다른 형태의 마이크로 렌즈를 형성하는 단계를 포함한다.
또한, 본 발명의 이미지 센서는, 광감지부가 형성된 픽셀 어레이 기판 상에 형성된 컬러필터 어레이; 상기 컬러필터 어레이 상에 형성된 마이크로 렌즈 어레이로 구성되며, 상기 마이크로 렌즈 어레이의 각 렌즈들은 중앙에서 멀어질 수록 곡률반경의 비대칭성이 크게 형성된 것을 포함한다.
이하, 첨부된 도면을 참조로 하여 본 발명에 따른 이미지 센서의 제조방법을 구체적으로 설명한다.
본 발명의 실시예를 설명함에 있어서 본 발명이 속하는 기술분야에 익히 알려져 있고 본 발명과 직접적으로 관련이 없는 기술내용에 대해서는 설명을 생략한다. 이는 불필요한 설명을 생략함으로써 본 발명의 요지를 흐리지 않고 보다 명확히 전달하기 위함이다.
한편, 어떤 층이나 다른 층 또는 반도체 기판의 '상' 또는 '위'에 있다라고 기재되는 경우에 상기 어떤 층은 다른 층 또는 반도체 기판에 직접 접촉하여 존재할 수 있고, 또는 그 사이에 제3의 층이 개재되어 질 수도 있다. 또한 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제 크기를 전적으로 반영하는 것이 아니다.
도 7은 본 발명에 따른 이미지 센서를 도시한 단면도로서, 픽셀 어레이 기판(10) 상에 포토다이오드(11), 층간절연막(15), 금속배선(17)을 포함한다.
반도체 기판 상에 액티브 영역과 필드영역을 정의하는 소자분리막(13)이 형성되어 있으며, 각각의 단위화소에는 빛을 수광하여 광전하를 생성하는 포토다이오드(11)가 형성되어 있다.
상기 소자분리막(13)과 포토다이오드(11)를 포함하는 관련소자들이 형성된 기판상에 층간절연막(15)이 형성되고 상기 층간절연막(15)을 관통하는 금속배선(17)이 형성되어 있다.
상기 픽셀 어레이 기판(10)상에는 컬러이미지 구현을 위하여 각각의 단위화소마다 제1, 제2 및 제3 컬러필터가 형성되어 입사하는 빛으로부터 색을 분리해내 는 컬러필터 어레이(20)가 형성되어 있다.
상기 컬러필터 어레이(20) 상에는 입사되는 빛을 집광하여 광감지부로 모아주는 마이크로 렌즈 어레이(100)가 형성되어 있다.
여기서 상기 마이크로 렌즈 어레이(100)의 중심영역에 위치한 제2 마이크로 렌즈(120)의 형태는 돔 형태로 형성되어 그 곡률반경이 대칭적으로 형성되어 있다.
또한, 상기 마이크로 렌즈 어레이(100)의 좌측 영역에 위치한 제1 마이크로 렌즈(110)의 형태는 좌측 부분이 더 두껍게 형성되어 그 곡률반경이 비대칭적으로 형성되어 있다.
또한, 상기 마이크로 렌즈 어레이(100)의 우측 영역에 위치한 제3 마이크로 렌즈(130)의 형태는 우측 부분이 더 두껍게 형성되어 그 곡률반경이 비대칭적으로 형성되어 있다 .
상기와 같이 마이크로 렌즈 어레이(100)의 형태가 위치별로 달리 형성됨으로써 메인렌즈(미도시)로부터 입사되는 광을 효율적으로 집광할 수 있게 되었다. 즉, 상기 메인렌즈의 광축과 나란하게 위치한 제2 마이크로 렌즈(120)로는 수직방향으로 광이 입사되어 광감지부로 광의 초점이 정확하게 모아지게 되며, 상기 메인렌즈의 광축에 대하여 측부에 위치한 제1 및 제3 마이크로 렌즈(110,130)로는 비스듬하게 사방향으로 광이 입사되는데 이때 상기 제1 마이크로 렌즈(110) 및 제3 마이크로 렌즈(130)의 형태는 그 가장자리 부분이 두껍게 형성되어 사방향으로 입사되는 광을 집광하여 광감지부로 광의 초점이 정확하게 모아지게 된다.
이러한 마이크로 렌즈 어레이(100)는 메인렌즈의 광축으로부터 멀어질수록 각 마이크로 렌즈의 비대칭성이 커지도록 형성된다.
도 5 내지 도 7은 본 발명에 따른 이미지 센서의 제조방법의 공정 순서를 도시한 단면도이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 픽셀 어레이 기판(10) 상에는 포토다이오드(11)를 포함하는 광감지부가 형성되어 있다.
상기 포토다이오드(11)를 포함하는 광감지부에 대하여 구체적으로 설명하면, 반도체 기판 상에는 액티브 영역과 필드영역을 정의하는 소자분리막(13)이 형성되어 있으며, 각각의 단위화소에는 빛을 수광하여 광전하를 생성하는 포토다이오드(11)가 형성되어 있으며, 상기 포토다이오드(11)에 연결되어 수광된 광전하를 전기신호를 변환하는 트랜지스터(미도시)가 형성되어 있다.
상기 소자분리막(13)과 포토다이오드(11)를 포함하는 관련소자들이 형성된 이후에, 층간절연막(15)이 반도체 기판 상에 형성되고 이후 층간절연막(15) 상에 금속배선(17)이 형성된다. 이러한 금속배선(17)은 포토다이오드(11)로 입사되는 빛을 가리지 않도로 의도적으로 레이아웃되어 형성된다.
상기 최종금속배선(17)을 형성한 이후에, 습기나 스크래치 등으로부터 소자를 보호하기 위하여 최종금속배선(17) 상에 보호막(미도시)을 형성한다.
그리고, 상기 보호막 상에 컬러필터 어레이(20)가 형성된다. 상기 컬러필터는 컬러 이미지 구현을 위해 3색의 컬러필터로 형성되며, 상기 컬러필터를 구성하는 물질로는 염색된 포토레지스트를 사용하며 각각의 단위화소마다 하나의 컬러필터가 형성되어 입사하는 빛으로부터 색을 분리해 낸다.
이러한 컬러필터는 제1 컬러필터층(미도시)을 스핀 코팅 공정등을 통해 픽셀 어레이 기판(10) 상에 형성한다. 이어서, 상기 제1 컬러필터층을 패턴 마스크에 의하여 노광한 후 현상하여 상기 픽셀 어레이 기판(10) 상에 제1 컬러필터를 형성한다.
그 다음, 상기 제1 컬러필터 형성 방법과 같은 방법을 반복하여 제2 및 제3 컬러필터를 형성하며 상기 각 컬러필터들은 각각의 단위화소 마다 하나의 컬러필터가 형성되어 입사하는 빛으로부터 색을 분리해 낸다. 여기서, 상기 제1, 제2 및 제 컬러필터는 각각 다른 색상을 나타내는 것으로 레드(Red), 그린(Green) 및 블루(Blue)의 3가지 색으로 이루어져 인접한 컬러필터들은 서로 약간씩 오버랩되어 단차를 가지게 된다. 이를 보완하기 위한 후속공정으로 오버코팅 레이어(30)를 컬러필터 어레이(20) 상에 형성한다.
후속공정으로 형성될 마이크로 렌즈는 평탄화된 표면 상에 형성되어야 하며, 이를 위해서는 컬러필터로 인한 단차를 없애야 하므로, 상기 컬러필터 어레이(20) 상에 오버코팅 레이어(30)를 형성할 수 있다.
그 다음 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 컬러필터 어레이(20) 상부로 마이크로 렌즈 형성용 포토레지스트(40)를 스핀 공정등을 통해 도포하고, 노광 및 현상 공정을 이용하여 렌즈패턴(50)을 형성한다.
이때, 상기 렌즈패턴(50)을 형성하기 위한 노광 마스크(60)로서 위상반전마스크를 사용한다.
상기 위상반전마스크(Phase Shift Mask)는 광의 간섭 또는 부분 간섭을 이용 하여 원하는 크기의 패턴을 노광하여 해상도나 초점심도를 증가시키는 것이다.
즉, 분포밀도가 높은 패턴의 노광시에 인접패턴 간의 간섭효과로 인한 해상도의 저하를 방지하기 위해 빛의 위상을 0 또는 180°로 상호간에 반전시켜 해상도를 증가시키는 마스크를 위상반전 마스크라고 하는데, 이러한 위상반전 마스크는 패턴에 대하여 교번적으로 투과하는 빛이 0에서 180°의 위상을 갖도록 마스크를 가공함으로써 인접 패턴간에 광 강도가 0이 되는 부분을 발생시켜 해상도를 높이게 된다. 즉, 위상반전마스크는 0와 180° 부분의 경계면에서 위상반전으로 인하여 빛의 세기가 0이 되는 원리를 이용한 마스크이다.
상기 위상반전마스크는 위상반전영역과 투광영역을 포함한 광투과 영역과 광차단영역을 포함하는데, 위상반전영역을 통과하는 광의 위상을 180°로 반전시켜 투광영역을 통과하는 광과 상쇄간섭을 일으키며 해상력과 초점심도를 향상시켜 양호한 패턴을 얻을 수 있다.
특히, 본 발명에서는 하프톤형 위상반전 마스크(Half tone PSM)가 사용되는데, 상기 하프톤형 위상반전 마스크의 경우는 크롬(Cr)의 투과율 조정에 따라 빛의 투과율이 0%인 차광영역과, 빛을 부분적으로 투과시키는 부분 투광영역과, 빛을 모두 투과시키는 투광영역으로 구성되어 빛을 선택적으로 투과시킴으로써 포토레지스트 패턴의 형태에 변화를 줄수 있게 된다.
도 8a 내지 도 8c에 도시된 바와 같이 일반적으로 사용되는 바이너리 마스크(binary Mask)를 사용한 경우, 크롬에 의해 차단된 영역에서는 빛의 세기가 0에 가까운 것을 알수 있으며 상기 바이너리 마스크의 가장자리 영역에서 빛의 세기가 급격하게 변화된 상태가 그래프로 나타나 있으며, 이에 따라 이미지 잠상의 형태는 바이너리 마스크와 유사한 것을 알 수 있다.
하지만, 도 9a에 도시된 바와 같이 하프톤형 마스크를 사용한 경우, 특히 마스크의 중앙영역에 차광영역(71)이 형성되고 그 외측으로 부분 투광영역(72)이 형성되고 그 외측으로 투광영역(73)이 순서대로 형성된 중앙 마스크(70)이다.
이와 같은 중앙 마스크(70)는 크롬에 의해 차단된 차광영역(71)에서는 빛의 투과율이 0%이고, 부분 투광영역(72)에서는 부분적으로 빛이 투과되고, 투광영역(73)에서는 빛이 모두 투과된다. 도 9b에 도시된 바와 같이, 빛의 세기를 나타내는 그래프의 형태도 차광영역(71)에서는 빛의 세기가 0이고 부분 투광영역(72)에서는 0.1~1.0이고 투광영역(73)에서는 1.0 이상인 것을 알 수 있다. 이에 따라 이미지 잠상의 형태가 도 9c에 나타나 있으며 상기 중앙 마스크(70)를 사용한 경우 렌즈패턴(50)의 형태가 중앙영역은 두껍게 형성되고 가장자리 영역은 낮게 형성됨을 알 수 있다.
도 10a에 도시된 바와 같이 하프톤 마스크를 사용한 경우, 특히 마스크의 부분 투광영역(82)의 좌측 가장자리에 차광영역(81)이 형성된 좌측부 마스크(80)이다.
이와 같은, 좌측부 마스크(80)는 크롬에 의해 차단된 차광영역(81)에서는 빛의 투과율이 0%이고, 부분 투광영역(82)에서는 부분적으로 빛이 투과되고, 투광영역(83)에서는 빛이 모두 투과된다. 도 10b에 도시된 바와 같이, 빛의 세기를 나타내는 그래프의 형태도 차광영역(81)에서는 빛의 세기가 0이고 부분 투광영역(82)에 서는 0.1~1.0이고 투광영역(83)에서는 1.0 이상인 것을 알 수 있으며, 또한 상기 차광영역(81)이 부분 투광영역(82)의 좌측 가장자리에 위치한 형태에 따라 그래프의 형태 역시 빛의 세기가 0인 부분이 좌측으로 이동하였음을 알 수 있다. 이에 따라 이미지 잠상의 형태가 도 10c에 나타나 있으며 상기 좌측부 마스크(80)를 사용한 경우 렌즈패턴(50)의 형태가 좌측 가장자리 영역은 두껍게 형성되고 나머지 부분은 낮게 형성됨을 알 수 있다.
이에 의하여 하프톤형 마스크의 우측부 마스크(90)의 형태 및 그래프와 잠상 이미지를 유추할 수 있으므로 이에 대한 설명은 하지 않도록 한다.
도 11는 본 발명의 노광마스크(60)인 하프톤 마스크의 개략적인 구조를 도시한 평면도로서, 메인렌즈(미도시)에서 입사되는 광과 동일한 축에 있는 중앙영역의 중앙 마스크(70)에는 차광영역(71)이 부분 투광영역(72)의 중앙에 위치해 있으며, 상기 메인렌즈에서 입사되는 광이 사입사 되는 좌우전후측의 마스크에는 차광영역이 부분 투광영역의 가장자리 영역에 각각 형성된다. 즉, 상기 메인렌즈에서 입사되는 빛의 방향과 거리에 따라 노광마스크(60)의 각 마스크에 형성된 차광영역이 대응되는 위치에 형성되어 있음을 나타낸다.
상기와 같이 형성된 하프톤 위상반전 마스크를 이용하여 상기 마이크로 렌즈 형성용 포토 레지스트(40)를 노광 및 현상시키면 도 9에 도시된 바와 같이 렌즈패턴 어레이(50)가 형성된다.
상기 렌즈패턴 어레이(50)는 상기 노광 마스크(60)의 A영역에 의해 형성된 것으로서, 좌측부 마스크(80)에 의해 형성된 제1 렌즈패턴(51)은 좌측부 마스 크(80)의 차광영역(81)에 의해 좌측 가장자리의 렌즈 패턴의 두께는 두껍게 형성되고 나머지 영역은 부분 투광영역(82)에 의한 단차를 가지고 낮게 형성된다.
또한, 중앙 마스크(70)에 의해 형성된 제2 렌즈 패턴(52)은 중앙 마스크(70)의 차광영역(71)에 의해 중앙영역의 렌즈 패턴의 두께는 두껍게 형성되고 나머지 영역은 부분 투광영역(72)에 의한 단차를 가지고 낮게 형성된다.
또한, 우측부 마스크(90)에 의해 형성된 제3 렌즈 패턴(53)은 우측부 마스크(90)의 차광영역(91)에 의해 우측영역의 렌즈 패턴의 두께는 두껍게 형성되고 나머지 영역은 부분 투광영역(93)에 의한 단차를 가지고 낮게 형성된다.
그 다음 도 7에 도시된 바와 같이 상기 렌즈 패턴 어레이(50)를 리플로우 공정을 이용하여 돔 형태의 마이크로 렌즈 어레이(100)를 형성한다. 이때 상기 렌즈패턴 어레이(50)의 형태에 따라 제1 마이크로 렌즈(110)는 좌측이 두꺼운 형태의 비대칭적인 곡률반경을 가지며 제2 마이크로 렌즈(120)는 돔 형태로 대칭적인 곡률반경을 가지며, 제3 마이크로 렌즈(130)는 우측이 두꺼운 형태의 비대칭적인 곡률반경을 가지게 된다.
따라서, 상기한 바와 같이 형성된 마이크로 렌즈 어레이(100)는 메인렌즈에서 입사되는 광의 방향과 광의 각도가 작아질수록 마이크로 렌즈의 두께가 두꺼운 형태로 형성되어 입사되는 빛을 효과적으로 집광할 수 있어 픽셀 어레이의 광감지부의 수광효율을 증가시킬 수 있게 되었다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 않는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구 범위에 의해 정해져야만 할 것이다.
상술된 바와 같이, 본 발명의 이미지 센서의 제조방법은, 이미지 센서의 가장자리에 위치하는 마이크로 렌즈의 초점이동을 보상하기 위해 위상반전 마스크를 이용하여 수광영역의 위치별로 마이크로 렌즈의 모양을 달리 구현함으로써 초점의 중심이동 현상을 억제하여 수광영역의 집광율을 높일 수 있는 효과가 있다.

Claims (12)

  1. 광감지부가 형성된 픽셀 어레이 기판 상에 컬러필터 어레이를 형성하는 단계;
    상기 컬러필터 어레이 상에 마이크로 렌즈용 포토레지스트를 도포하는 단계;
    상기 포토레지스트를 노광 및 현상하여 단차가 형성된 렌즈패턴을 가지는 렌즈패턴 어레이를 형성하는 단계; 및
    상기 렌즈패턴 어레이를 리플로우하여 각각 다른 형태의 마이크로 렌즈를 포함하는 마이크로 렌즈 어레이를 형성하는 단계를 포함하며,
    상기 렌즈패턴 어레이의 렌즈 패턴은 중앙에서 멀어질 수록 두께의 단차가 큰것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 포토레지스트를 노광 및 현상하여 렌즈패턴을 형성할 때 사용되는 노광용 마스크는 하프톤(half tone) 위상반전 마스크인 것을 포함하는 이미지 센서의 제조방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 하프톤 위상반전 마스크는 중앙 마스크, 좌측부 마스크 및 우측부 마스크를 포함하고, 상기 마스크들은 노광이 이루어지지 않는 차광영역, 노광이 부분적으로 이루어지는 부분 투광영역, 노광이 모두 이루어지는 투광영역으로 구성된 것을 포함하는 이미지 센서의 제조방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 렌즈패턴 어레이의 중심에 사용되는 중앙 마스크는 중심영역에 차광영역이 형성되고 상기 차광영역의 외측으로 부분 투광영역이 형성된 것을 포함하는 이미지 센서의 제조방법.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 렌즈패턴 어레이의 좌측에 사용되는 좌측부 마스크는 좌측 가장자리에 차광영역이 형성되고 나머지 영역은 부분 투광영역이 형성된 것을 포함하는 이미지 센서의 제조방법.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 렌즈패턴 어레이의 우측에 사용되는 우측부 마스크는 우측 가장자리에 차광영역이 형성되고 나머지 영역은 부분 투광영역이 형성된 것을 포함하는 이미지 센서의 제조방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 렌즈패턴 어레이의 렌즈 패턴들은 노광 마스크의 구조에 따라 표면에 단차가 형성된 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조방법.
  8. 삭제
  9. 제1항에 있어서,
    상기 마이크로 렌즈 어레이의 마이크로 렌즈 곡률반경은 중앙에서 멀어질 수록 비대칭성이 큰 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조방법.
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
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