KR100807991B1 - Voltage level detecting circuit - Google Patents

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이경미
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Abstract

A voltage level detecting circuit is provided to make a pumping voltage reach a target voltage quickly in an early enable stage by improving the activation speed of a detecting response signal responding to the activation of a detecting enable signal as the detecting response signal is pulled down by first and second current passes in activating the detecting response signal. In a voltage level detecting circuit for detecting the level of a pumping voltage, a level sensing unit(100) is enabled in response to the activation of a detecting enable signal(DETON), in order to detect the level of the pumping voltage for a target voltage and then generate a detecting response signal(/DET) activated according to the detection result. An initial responding unit(200) responds to the detecting enable signal to activate the detecting response signal. The initial responding unit is disabled by the activation of the detecting response signal.

Description

전압레벨 감지회로{VOLTAGE LEVEL DETECTING CIRCUIT}Voltage level detection circuit {VOLTAGE LEVEL DETECTING CIRCUIT}

본 발명의 상세한 설명에서 사용되는 도면을 보다 충분히 이해하기 위하여, 각 도면의 간단한 설명이 제공된다.In order to more fully understand the drawings used in the detailed description of the invention, a brief description of each drawing is provided.

도 1의 종래의 전압레벨 감지회로를 나타내는 도면으로서, 승압전압(VPP) 발생기에 사용되는 전압레벨 감지회로이다.1 is a diagram illustrating a conventional voltage level detecting circuit of FIG. 1, which is a voltage level detecting circuit used in a boosted voltage (VPP) generator.

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 전압레벨 감지회로를 나타내는 도면이다.2 is a diagram illustrating a voltage level sensing circuit according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명과 종래기술에서의 감지 인에이블 신호의 활성화 초기의 감지응답신호의 풀다운 속도를 비교하는 도면이다.3 is a diagram comparing the pull-down rate of the detection response signal of the initial activation of the detection enable signal in the present invention and the prior art.

도 4는 본 발명의 레벨 감지회로가 적용되는 펌핑전압 발생기를 나타내는 도면이다.4 is a diagram illustrating a pumping voltage generator to which the level sensing circuit of the present invention is applied.

본 발명은 반도체 장치에 관한 것으로서, 특히 반도체 장치의 전압레벨 감지회로에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to semiconductor devices, and more particularly to a voltage level sensing circuit of a semiconductor device.

반도체 장치, 특히 반도체 메모리 장치에서는 전원전압보다 높은 레벨을 갖는 펌핑전압이 부분적으로 사용되고 있으며, 이러한 펌핑전압을 발생하기 위한 펌핑전압 발생기가 구비된다. 이와 같은 펌핑전압은 여러 내부회로에서 사용되므로, 시간이 지남에 따라 전하량이 감소되어 그 레벨이 떨어지게 된다. 따라서, 반도체 메모리 장치는 펌핑전압의 레벨을 감지하는 전압레벨 감지회로를 구비하고, 이 전압레벨 감지회로가 펌핑전압의 레벨을 감지하여, 펌핑전압의 레벨이 소정의 타겟전압에 도달하지 못하였을 때, 펌핑 동작을 수행하여 펌핑전압의 레벨을 복원한다.In a semiconductor device, in particular, a semiconductor memory device, a pumping voltage having a level higher than a power supply voltage is partially used, and a pumping voltage generator for generating the pumping voltage is provided. Since the pumping voltage is used in various internal circuits, the amount of charge decreases over time, and the level thereof drops. Therefore, the semiconductor memory device includes a voltage level sensing circuit for sensing the level of the pumping voltage, and when the voltage level sensing circuit senses the level of the pumping voltage, the level of the pumping voltage does not reach a predetermined target voltage. The pumping operation is performed to restore the level of the pumping voltage.

이러한 펌핑전압 발생기는 소정의 감지 인에이블 신호에 응답하여 인에이블되며, 이때, 신속히 펌핑전압의 레벨을 감지하는 것이 요구된다.Such a pumping voltage generator is enabled in response to a predetermined sensing enable signal, and at this time, it is required to quickly sense the level of the pumping voltage.

도 1의 종래의 전압레벨 감지회로를 나타내는 도면으로서, 승압전압(VPP) 발생기에 사용되는 전압레벨 감지회로이다. 도 1에서, 펌핑전압은 승압전압(VPP)에 해당된다.1 is a diagram illustrating a conventional voltage level sensing circuit of FIG. In FIG. 1, the pumping voltage corresponds to a boost voltage VPP.

도 1을 참조하면, 전압레벨 감지회로에는, 레벨 감지부(10)가 포함된다. 상기 레벨 감지부(10)로부터 제공되는 감지응답신호(/DET)는, 상기 승압전압(VPP)이 타겟전압 이하일 때, "L"로 활성화되며, 상기 승압전압(VPP)이 타겟전압보다 높을 때에는, "H"의 비활성화 상태로 된다.Referring to FIG. 1, the voltage level sensing circuit includes a level sensing unit 10. The sensing response signal / DET provided from the level sensing unit 10 is activated as "L" when the boost voltage VPP is less than or equal to the target voltage, and when the boost voltage VPP is higher than the target voltage. , "H" is deactivated.

상기 감지응답신호(/DET)는 2개의 인버터로 구성되는 버퍼부(31), 풀업전압을 기준전압(VREF)에서 전원전압(VDD)으로 레벨 쉬프트시키는 레벨 쉬프터(33) 및 반전 인버터(35)를 거쳐, 펌핑 인에이블 신호(ENPUM)로 출력된다.The detection response signal / DET includes a buffer unit 31 consisting of two inverters, a level shifter 33 and a inverting inverter 35 for level shifting a pull-up voltage from a reference voltage VREF to a power supply voltage VDD. Through the output, it is output as a pumping enable signal (ENPUM).

한편, 감지응답신호(/DET)는, 상기 감지 인에이블 신호(DETON)가 "L"의 비활 성화될 때에도, "H"의 비활성화 상태이다. 그리고, 감지 인에이블 신호(DETON)가 "H"로 활성화될 때, 상기 레벨 감지부(10)가 인에이블되어서, 승압전압(VPP)의 레벨에 대한 감지를 시작한다. 이 경우, 상기 감지응답신호(/DET)는 신속히 "L"로 제어되어 되는 것이 요구된다.On the other hand, the sensing response signal / DET is in an inactive state of "H" even when the sensing enable signal DETON is deactivated of "L". When the sensing enable signal DETON is activated with “H”, the level sensing unit 10 is enabled to start sensing the level of the boosted voltage VPP. In this case, the detection response signal / DET is required to be controlled to "L" quickly.

그런데, 도 1에 도시되는 종래의 전압레벨 감지회로에서는, 상기 감지 인에이블 신호(DETON)가 "H"로 활성화될 때, 상기 감지응답신호(/DET)가 "H"에서 "L"로의 천이를 위한 전류의 디스차아지는 오직 상기 레벨 감지부(10)의 전류패스(PASS11)을 통해서만 이루어 진다.However, in the conventional voltage level sensing circuit shown in FIG. 1, when the sensing enable signal DETON is activated as "H", the sensing response signal / DET transitions from "H" to "L". Discharge of the current for is made only through the current path (PASS11) of the level sensor (10).

따라서, 종래의 전압레벨 감지회로에서는, 인에이블 초기에 펌핑전압의 레벨을 신속히 감지할 수 없다는 문제점을 지닌다.Therefore, the conventional voltage level detection circuit has a problem that it is not possible to quickly detect the level of the pumping voltage at the beginning of the enable.

따라서, 본 발명의 목적은 감지 인에이블 신호의 활성화에 응답하는 감지응답신호의 활성화 속도를 개선하여, 인에이블 초기에 펌핑전압의 레벨을 신속히 감지할 수 있는 전압레벨 감지회로를 제공하는 데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a voltage level sensing circuit capable of quickly detecting the level of the pumping voltage at the early stage of the enable by improving the activation speed of the sensing response signal in response to the activation of the sensing enable signal.

상기와 같은 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일면은 펌핑전압의 레벨을 감지하는 전압레벨 감지회로에 관한 것이다. 본 발명의 펌핑전압의 레벨을 감지하는 전압레벨 감지회로는 감지 인에이블 신호의 활성화에 응답하여 인에이블되 며, 타겟전압에 대한 상기 펌핑전압의 레벨을 감지하여, 감지된 결과에 따라 활성화되는 감지응답신호를 발생하는 레벨 감지부; 및 상기 감지응답신호를 활성화시키기 위하여 상기 감지 인에이블 신호에 응답하되, 상기 감지응답신호의 활성화에 의하여 디스에이블되는 초기 응답부를 구비한다.One aspect of the present invention for achieving the above technical problem relates to a voltage level detection circuit for detecting the level of the pumping voltage. The voltage level detection circuit for detecting the level of the pumping voltage of the present invention is enabled in response to the activation of the detection enable signal, and detects the level of the pumping voltage with respect to the target voltage, the detection is activated according to the detected result A level detector for generating a response signal; And an initial response unit responsive to the sensing enable signal to activate the sensing response signal, but disabled by activation of the sensing response signal.

본 발명과 본 발명의 동작상의 잇점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야만 한다. 각 도면을 이해함에 있어서, 동일한 부재는 가능한 한 동일한 참조부호로 도시하고자 함에 유의해야 한다. 그리고, 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 기술은 생략된다.In order to fully understand the present invention, the operational advantages of the present invention, and the objects achieved by the practice of the present invention, reference should be made to the accompanying drawings which illustrate preferred embodiments of the present invention and the contents described in the accompanying drawings. In understanding the drawings, it should be noted that like parts are intended to be represented by the same reference numerals as much as possible. Incidentally, detailed descriptions of well-known functions and configurations that are determined to unnecessarily obscure the subject matter of the present invention will be omitted.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 전압레벨 감지회로를 나타내는 도면이다. 도 2를 참조하면, 본 발명의 전압레벨 감지회로는 레벨 감지부(100) 및 초기응답부(200)를 구비한다.2 is a diagram illustrating a voltage level sensing circuit according to an exemplary embodiment of the present invention. Referring to FIG. 2, the voltage level sensing circuit of the present invention includes a level sensing unit 100 and an initial response unit 200.

상기 레벨 감지부(100)는 감지 인에이블 신호(DETON)의 "H"로의 활성화에 응답하여 인에이블되며, 소정의 타겟전압에 대한 상기 펌핑전압의 레벨을 감지한다. 본 실시예에서, 상기 펌핑전압은 승압전압(VPP)이다. 상기 레벨 감지부(100)로부터 제공되는 감지응답신호(/DET)는 상기 감지된 결과에 따라 활성화된다. 구체적으로, 상기 감지응답신호(/DET)는, 상기 승압전압(VPP)이 소정의 목표전압 이하일 때 "L" 로 활성화되며, 상기 승압전압(VPP)이 목표전압보다 높을 때에는 "H"의 비활성화 상태이다. 또한, 감지응답신호(/DET)는, 상기 감지 인에이블 신호(DETON)가 "L"의 비활성화될 때에도, "H"의 비활성화 상태이다.The level sensing unit 100 is enabled in response to the activation of the sensing enable signal DETON to "H", and senses the level of the pumping voltage with respect to a predetermined target voltage. In this embodiment, the pumping voltage is a boosted voltage (VPP). The detection response signal / DET provided from the level detection unit 100 is activated according to the detected result. Specifically, the sensing response signal / DET is activated as "L" when the boosted voltage VPP is lower than or equal to a predetermined target voltage, and inactivation of "H" when the boosted voltage VPP is higher than the target voltage. It is a state. In addition, the sensing response signal / DET is in an inactive state of "H" even when the sensing enable signal DETON is inactive of "L".

상기 레벨 감지부(100)는 구체적으로 풀업수단(120) 및 풀다운수단(110)을 구비한다. 상기 풀업수단(120)은 상기 승압전압(VPP)에 게이팅되어, 상기 감지응답신호(/DET)의 전압레벨을 풀업한다. 상기 풀다운수단(110)은 상기 감지 인에이블 신호(DETON)의 "H"로의 활성화에 응답하여 인에이블되며, 소정의 기준전압(VREF)에 게이팅된다. 즉, 상기 감지응답신호(/DET)의 전압레벨은 상기 풀다운수단(110)을 통하여 형성되는 제1 전류패스(PASS21)로 풀다운한다.In detail, the level detecting unit 100 includes a pull-up means 120 and a pull-down means 110. The pull-up means 120 is gated to the boosted voltage VPP to pull up the voltage level of the detection response signal / DET. The pull-down means 110 is enabled in response to the activation of the sensing enable signal DETON to " H " and is gated to a predetermined reference voltage VREF. That is, the voltage level of the detection response signal / DET is pulled down to the first current path PASS21 formed through the pull-down means 110.

상기 초기 응답부(200)는 상기 감지응답신호(/DET)를 활성화시키기 위하여, 상기 감지 인에이블 신호(DETON)의 "H"로의 활성화에 응답한다. 그리고, 상기 초기 응답부(200)는 상기 감지응답신호(/DET)의 "H"로의 활성화에 의하여 디스에이블된다.The initial response unit 200 responds to the activation of the detection enable signal DETON to "H" in order to activate the detection response signal / DET. In addition, the initial response unit 200 is disabled by activating the sensing response signal / DET to "H".

상기 초기 응답부(200)는 구체적으로 제1 트랜지스터(210) 및 제2 트랜지스터(220)를 구비하며, 응답 버퍼(230)를 더 구비한다.In detail, the initial response unit 200 includes a first transistor 210 and a second transistor 220, and further includes a response buffer 230.

상기 제1 트랜지스터(210)는, 상기 감지응답신호(/DET)의 "H"로의 비활성화에 응답하여, 턴온되며, 바람직하기로는 NMOS 트랜지스터이다. 그리고, 상기 제2 트랜지스터(220)는 상기 감지 인에이블 신호(DETON)의 "H"로의 활성화에 응답하여, 턴온되며, 상기 감지응답신호(/DET)와 전압공급원인 접지전압(VSS) 사이에 상기 제1 트랜지스터(210)와 직렬적으로 형성된다. 바람직하기로는, 상기 제2 트랜지스 터(220)도 NMOS 트랜지스터이다.The first transistor 210 is turned on in response to deactivation of the sense response signal / DET to " H ", preferably an NMOS transistor. The second transistor 220 is turned on in response to the activation of the sensing enable signal DETON to " H " and is connected between the sensing response signal / DET and the ground voltage VSS as a voltage supply source. It is formed in series with the first transistor 210. Preferably, the second transistor 220 is also an NMOS transistor.

상기 응답버퍼(230)는 상기 감지응답신호(/DET)를 버퍼링하여 상기 제1 트랜지스터(210)를 게이팅한다.The response buffer 230 buffers the detection response signal / DET to gate the first transistor 210.

보다 자세히 기술하면, 상기 감지 인에이블 신호(DETON)가 "L"로 비활성화되어 있는 동안에는, 상기 감지응답신호(/DET)는 "H" 쪽의 비활성화 상태이다. 그러므로, 상기 응답버퍼(230)의 출력신호(/N230)는 "H" 상태이다. 이때, 상기 감지 인에이블 신호(DETON)가 "H"로 활성화되면, 상기 감지응답신호(/DET)는 상기 풀다운수단(220)에 형성되는 제1 전류패스(PASS21) 및 상기 제1 및 제2 트랜지스터(210, 220)를 통하여 형성되는 제2 전류패스(PASS22)로 풀다운되어, "L"로 활성화된다.In more detail, while the sensing enable signal DETON is inactivated to "L", the sensing response signal / DET is inactive to the "H" side. Therefore, the output signal / N230 of the response buffer 230 is in the "H" state. At this time, when the sensing enable signal DETON is activated as "H", the sensing response signal / DET is formed in the pull-down means 220, the first current pass PASS21 and the first and second It is pulled down to the second current path PASS22 formed through the transistors 210 and 220, and is activated at " L ".

이와 같이, 본 발명의 전압레벨 감지회로에서는, 상기 감지 인에이블 신호(DETON)가 "H"로 활성화될 때, 상기 감지응답신호(/DET)는 상기 제1 전류패스(PASS21) 및 제2 전류패스(PASS22)에 의하여 풀다운된다.As described above, in the voltage level sensing circuit of the present invention, when the sensing enable signal DETON is activated as "H", the sensing response signal / DET is the first current path PASS21 and the second current. Pulled down by pass PASS22.

따라서, 본 발명의 전압레벨 감지회로에 의하면, 도 3에 도시되는 바와 같이, 풀다운 수단의 전류패스(PASS11, 도 1 참조)를 통해서만 풀단운되는 종래의 전압레벨 감지회로와 비교하여, 상기 감지응답신호(/DET)의 풀다운 즉, 활성화 속도는 현저히 개선된다.Therefore, according to the voltage level sensing circuit of the present invention, as shown in FIG. 3, the sensing response is compared with the conventional voltage level sensing circuit which is pulled down only through the current path PASS11 (see FIG. 1) of the pull-down means. The pull down of the signal / DET, that is, the activation speed, is significantly improved.

그러므로, 본 발명의 전압레벨 감지회로에 의하면, 상기 감지 인에이블 신호(DETON)의 활성화 초기 즉, 인에이블 초기에 펌핑전압(본 실시예에서는, 승압전압(VPP))의 레벨을 신속히 감지할 수 있게 된다.Therefore, according to the voltage level detecting circuit of the present invention, it is possible to quickly detect the level of the pumping voltage (in this embodiment, the boosted voltage VPP) at the initial stage of activation of the sensing enable signal DETON, that is, at the beginning of the enable. Will be.

다시 도 2를 참조하면, 본 발명의 전압레벨 감지회로는 출력버퍼(300)를 더 구비한다. 상기 출력버퍼(300)는 상기 감지응답신호(/DET)를 버퍼링하여 출력한다. 구체적으로, 상기 출력버퍼(300)에 포함되는 2개의 인버터(310, 320)는 상기 감지응답신호(/DET)를 버퍼링한다. 그리고, 레벨 쉬프터(330)는 풀업전압을 기준전압(VREF)에서 전원전압(VDD)으로 레벨 쉬프트시킨다. 또한, 인버터(340)는 상기 레벨 쉬프터(330)의 출력신호를 반전시켜, 상기 펌핑 인에이블 신호(ENPUM)로 출력한다.Referring back to FIG. 2, the voltage level sensing circuit of the present invention further includes an output buffer 300. The output buffer 300 buffers and outputs the sensing response signal / DET. Specifically, two inverters 310 and 320 included in the output buffer 300 buffer the detection response signal / DET. The level shifter 330 level shifts the pull-up voltage from the reference voltage VREF to the power supply voltage VDD. In addition, the inverter 340 inverts the output signal of the level shifter 330 and outputs it as the pumping enable signal ENPUM.

본 발명의 전압레벨 감지회로는 외부에서 공급되는 전압을 펌핑하여, 승압전압 등의 펌핑전압을 발생하는 전압펌핑 발생기에 적용될 수 있다.The voltage level sensing circuit of the present invention may be applied to a voltage pumping generator that pumps a voltage supplied from an external source and generates a pumping voltage such as a boosted voltage.

도 4는 본 발명의 레벨 감지회로가 적용되는 펌핑전압 발생기를 나타내는 도면이다. 도 4를 참조하면, 펌핑전압 발생기(GPUM)는 펌핑회로(CPUM) 및 도 2에 도시되는 바와 같은 본 발명의 전압레벨 감지회로(DVOL)를 포함한다.4 is a diagram illustrating a pumping voltage generator to which the level sensing circuit of the present invention is applied. Referring to FIG. 4, the pumping voltage generator GPUM includes a pumping circuit CPUM and a voltage level sensing circuit DVOL of the present invention as shown in FIG. 2.

상기 펌핑회로(CPUM)는 감지응답신호(/DET)에 연동되는 펌핑 인에이블 신호(ENPUM)에 응답하여 인에이블되어서, 외부에서 공급되는 외부전압(VDD)을 펌핑하여 펌핑전압(VPP)을 발생하도록 구동된다. The pumping circuit CPUM is enabled in response to the pumping enable signal ENPUM linked to the detection response signal / DET, thereby pumping an external voltage VDD supplied from the outside to generate a pumping voltage VPP. Is driven to.

바람직하기로는, 상기 펌핑회로(CPUM)는 오실레이터(COS) 및 펌핑기(CPM)를 구비한다. 상기 오실레이터(COS)는 상기 펌핑 인에이블 신호(ENPUM)에 응답하여 인에이블되어, 소정의 주기로 발진하는 발진신호(VOSC)를 생성한다. 그리고, 상기 오실레이터(COS)는 상기 펌핑 인에이블 신호(ENPUM)의 비활성화에 응답하여 디스에이블된다.Preferably, the pumping circuit CPUM includes an oscillator COS and a pumping machine CPM. The oscillator COS is enabled in response to the pumping enable signal ENPUM to generate an oscillation signal VOSC oscillating at a predetermined cycle. The oscillator COS is disabled in response to deactivation of the pumping enable signal ENPUM.

상기 펌핑기(CPM)는 상기 발진신호(VOSC)의 발진에 따라, 상기 외부전 압(VDD)를 펌핑하여, 상기 펌핑전압(VPP)를 생성한다.The pumping pump CPM generates the pumping voltage VPP by pumping the external voltage VDD according to the oscillation of the oscillation signal VOSC.

상기 전압레벨 감지회로(DVOL)는 감지 인에이블 신호(DETON)에 응답하여 인에이블되며, 상기 펌핑전압(VPP)의 레벨을 감지한다. 그리고, 상기 전압레벨 감지회로(DVOL)로 부터 출력되는 상기 펌핑 인에이블 신호(ENPUM) 및 상기 감지응답신호(/DET)는 상기 전압레벨 감지회로(DVOL)에 의하여 감지된 결과에 따라 활성화된다. 즉, 상기 펌핑전압(VPP)의 타겟전압보다 낮을 때, 상기 감지응답신호(/DET)는 "L"로 활성화되고, 상기 펌핑 인에이블 신호(ENPUM)는 "H"로 활성화된다. The voltage level sensing circuit DVOL is enabled in response to the sensing enable signal DETON and senses the level of the pumping voltage VPP. The pumping enable signal ENPUM and the sensing response signal / DET output from the voltage level sensing circuit DVOL are activated according to a result detected by the voltage level sensing circuit DVOL. That is, when it is lower than the target voltage of the pumping voltage VPP, the sensing response signal / DET is activated with "L", and the pumping enable signal ENPUM is activated with "H".

본 발명의 전압레벨 감지회로를 적용하는 펌핑전압 발생기에서는, 감지 인에이블 신호의 활성화에 응답하는 감지응답신호의 활성화 속도가 현저히 개선된다. 따라서, 인에이블 초기에, 펌핑전압은 신속히 타겟전압으로 생성될 수 있다.In the pumping voltage generator to which the voltage level sensing circuit of the present invention is applied, the activation speed of the sensing response signal in response to the activation of the sensing enable signal is remarkably improved. Thus, at the beginning of the enable, the pumping voltage can be quickly generated to the target voltage.

본 발명의 전압레벨 감지회로에서는, 상기 감지 인에이블 신호가 활성화될 때, 상기 감지응답신호는 제1 전류패스 및 제2 전류패스에 의하여 풀다운된다. 따라서, 본 발명의 전압레벨 감지회로에 의하면, 감지 인에이블 신호의 활성화에 응답하는 감지응답신호의 활성화 속도가 현저히 개선되어, 인에이블 초기에 펌핑전압의 레벨을 신속히 감지할 수 있다.In the voltage level sensing circuit of the present invention, when the sensing enable signal is activated, the sensing response signal is pulled down by the first current path and the second current path. Therefore, according to the voltage level sensing circuit of the present invention, the activation speed of the sensing response signal in response to the activation of the sensing enable signal is remarkably improved, so that the level of the pumping voltage can be quickly detected at the beginning of the enabling.

본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 등록청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.Although the present invention has been described with reference to one embodiment shown in the drawings, this is merely exemplary, and those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical spirit of the appended claims.

Claims (6)

펌핑전압의 레벨을 감지하는 전압레벨 감지회로에 있어서,In the voltage level detection circuit for detecting the level of the pumping voltage, 감지 인에이블 신호의 활성화에 응답하여 인에이블되며, 타겟전압에 대한 상기 펌핑전압의 레벨을 감지하여, 감지된 결과에 따라 활성화되는 감지응답신호를 발생하는 레벨 감지부; 및A level sensing unit that is enabled in response to the activation of the sensing enable signal, senses a level of the pumping voltage with respect to a target voltage, and generates a sensing response signal activated according to the sensed result; And 상기 감지응답신호를 활성화시키기 위하여 상기 감지 인에이블 신호에 응답하되, 상기 감지응답신호의 활성화에 의하여 디스에이블되는 초기 응답부를 구비하는 것을 특징으로 하는 전압레벨 감지회로.And an initial response unit responsive to the sensing enable signal to activate the sensing response signal, wherein the initial response unit is disabled by activation of the sensing response signal. 제1 항에 있어서, 상기 초기 응답부는The method of claim 1, wherein the initial response unit 상기 감지응답신호에 응답하는 제1 트랜지스터; 및A first transistor responsive to the sense response signal; And 상기 감지응답신호와 전압공급원 사이에 상기 제1 트랜지스터와 직렬적으로 형성되는 제2 트랜지스터로서, 상기 감지 인에이블 신호에 응답하는 상기 제2 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 전압레벨 감지회로.And a second transistor formed in series with said first transistor between said sensing response signal and a voltage supply source, said second transistor responding to said sensing enable signal. 제2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 제1 및 제2 트랜지스터는 NMOS 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 전압 레벨 감지회로.And the first and second transistors are NMOS transistors. 제2 항에 있어서, 상기 초기 응답부는The method of claim 2, wherein the initial response unit 상기 감지응답신호를 버퍼링하여 상기 제1 트랜지스터를 게이팅하는 응답 버퍼를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 전압레벨 감지회로.And a response buffer buffering the detection response signal to gate the first transistor. 제1 항에 있어서, 상기 전압레벨 감지회로는The method of claim 1, wherein the voltage level detection circuit 상기 감지응답신호를 버퍼링하여 출력하는 출력버퍼부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 전압레벨 감지회로.And an output buffer unit for buffering and outputting the detection response signal. 펌핑전압 발생기에 있어서,In the pumping voltage generator, 외부에서 공급되는 전압을 펌핑하여 펌핑전압을 발생하도록 구동되는 펌핑회로로서, 소정의 감지응답신호에 연동되는 펌핑 인에이블 신호에 응답하여 인에이블되는 상기 펌핑회로; 및A pumping circuit driven to generate a pumping voltage by pumping an externally supplied voltage, the pumping circuit being enabled in response to a pumping enable signal interlocked with a predetermined sensing response signal; And 상기 펌핑전압의 레벨을 감지하며, 감지된 결과에 따라 활성화되는 상기 감지응답신호를 생성하는 전압레벨 감지회로를 구비하며,A voltage level sensing circuit for sensing the level of the pumping voltage and generating the sensing response signal activated according to the sensed result; 상기 전압레벨 감지회로는The voltage level sensing circuit 감지 인에이블 신호의 활성화에 응답하여 인에이블되며, 타겟전압에 대한 상기 펌핑전압의 레벨을 감지하여, 감지된 결과에 따라 활성화되는 감지응답신호를 발생하는 레벨 감지부; 및A level sensing unit that is enabled in response to the activation of the sensing enable signal, senses a level of the pumping voltage with respect to a target voltage, and generates a sensing response signal activated according to the sensed result; And 상기 감지응답신호를 활성화시키기 위하여 상기 감지 인에이블 신호에 응답하되, 상기 감지응답신호의 활성화에 의하여 디스에이블되는 초기 응답부를 구비하는 것을 특징으로 하는 펌핑전압 발생기.And an initial response unit responsive to the detection enable signal to activate the detection response signal, wherein the initial response unit is disabled by activation of the detection response signal.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200097009A (en) * 2019-02-07 2020-08-18 (주)피델릭스 Pumping voltage generation circuit in semiconductor memory device for reducing overshoot

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990061021A (en) * 1997-12-31 1999-07-26 김영환 High voltage generator
JPH11242893A (en) 1997-12-26 1999-09-07 Sony Corp Non-volatile semiconductor storage device and its data write-in method
KR20000015369A (en) * 1998-08-28 2000-03-15 윤종용 Initialization circuit of semiconductor memory apparatus
KR20010001583A (en) * 1999-06-07 2001-01-05 윤종용 A Vpp generator of a semiconductor memory device
KR20010039343A (en) * 1999-10-30 2001-05-15 박종섭 High voltage level detector for stable high voltage generation device to the change of external supply voltage
KR20060102921A (en) * 2005-03-25 2006-09-28 주식회사 하이닉스반도체 High voltage switch circuit of non-volatile memory device
KR20070100060A (en) * 2006-04-06 2007-10-10 주식회사 하이닉스반도체 Internal voltage generating apparatus of semiconductor memory

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11242893A (en) 1997-12-26 1999-09-07 Sony Corp Non-volatile semiconductor storage device and its data write-in method
KR19990061021A (en) * 1997-12-31 1999-07-26 김영환 High voltage generator
KR20000015369A (en) * 1998-08-28 2000-03-15 윤종용 Initialization circuit of semiconductor memory apparatus
KR20010001583A (en) * 1999-06-07 2001-01-05 윤종용 A Vpp generator of a semiconductor memory device
KR20010039343A (en) * 1999-10-30 2001-05-15 박종섭 High voltage level detector for stable high voltage generation device to the change of external supply voltage
KR20060102921A (en) * 2005-03-25 2006-09-28 주식회사 하이닉스반도체 High voltage switch circuit of non-volatile memory device
KR20070100060A (en) * 2006-04-06 2007-10-10 주식회사 하이닉스반도체 Internal voltage generating apparatus of semiconductor memory

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200097009A (en) * 2019-02-07 2020-08-18 (주)피델릭스 Pumping voltage generation circuit in semiconductor memory device for reducing overshoot
KR102163807B1 (en) * 2019-02-07 2020-10-08 주식회사 피델릭스 Pumping voltage generation circuit in semiconductor memory device for reducing overshoot

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