KR100807229B1 - 마스크의 설계 패턴 보정 방법 - Google Patents

마스크의 설계 패턴 보정 방법 Download PDF

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Abstract

마스크의 설계 패턴 보정 방법은 기판 상에 제1 실제 패턴을 형성하기 위한 마스크의 제1 설계 패턴을 획득하고, 제1 실제 패턴과 오버레이되는 제2 실제 패턴의 정보를 획득한 후, 정보를 이용하여 제1 설계 패턴에 대한 광 근접 보정을 수행한다. 정보는 제2 실제 패턴의 실제 이미지에 대한 정보 또는 제2 실제 패턴을 형성하기 위한 제2 설계 패턴을 갖는 마스크를 시뮬레이션으로 전사하여 획득되는 시뮬레이션 이미지에 대한 정보이다. 따라서, 제2 실제 패턴과 광 근접 보정된 제1 설계 패턴의 오버레이 마진을 충분히 확보할 수 있다.

Description

마스크의 설계 패턴 보정 방법{Method of correcting a design pattern of a mask}
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 마스크의 설계 패턴 보정 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 마스크의 설계 패턴 보정 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 3은 본 발명의 따른 OPC 결과를 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 종래 기술에 따른 OPC 결과를 설명하기 위한 도면이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
110 : 메탈 콘택 120 : 패드
130 : 비트 라인 210 : 메탈 콘택
220 : 패드 230 : 비트 라인
본 발명은 마스크의 설계 패턴 보정 방법에 관한 것으로, 광 근접 보정을 이용한 마스크의 설계 패턴 보정 방법에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조 공정 중 패터닝 공정은 포토 리소그래피(photo lithography) 공정과 에칭(etching) 공정에 의해 진행된다. 각 단위 공정이 진행됨에 따라 마스크의 설계 패턴과 실제 웨이퍼 상에 형성되는 회로 패턴 사이에 차이가 생긴다. 상기 차이의 원인으로는 포토 리소그래피 공정 요인에 의한 광 근접 효과와 에칭 공정 요인에 의한 로딩(loading) 효과를 들 수 있다.
공정 근접 보정(Process Proximity Correction, PPC)은 이 두 가지 효과를 예측 분석하여 미리 마스크의 설계 패턴을 보정한다. 현재의 공정 근접 보정은 주로 포토 리소그래피 공정에 따른 광 근접 보정을 중심으로 이루어지고 있다. 광 근접 보정(Optical Proximity Correction, 이하 "OPC"라 함)은 모든 칩(full-chip)에 대해 단 하나의 모델을 적용하는 모델-기초(model-based) OPC와 한 가지 종류의 룰(rule)을 적용하는 룰-기초(rule-based) OPC로 구분된다.
상기와 같은 OPC는 일반적으로 현재 OPC의 대상이 되는 막의 패턴에 대해서만 이루어진다. 그러나, 상기 반도체 장치의 다수의 막들이 적층되어 이루어지므로, 상기 막들의 정렬을 위해 상기 막들의 오버레이 마진을 고려해야 한다. 그러므로, 상기 OPC는 OPC의 대상막의 패턴뿐만 아니라 상기 대상막과 오버레이 되는 막의 패턴을 고려하여 이루어진다. 이때, 상기 대상막과의 오버레이를 고려할 때 이용되는 막의 패턴은 상기 막의 설계 패턴이다.
일반적으로 상기 설계 패턴의 패턴 선폭이 반도체 기판 상에 실제로 형성되는 실제 패턴의 선폭보다 크다. 또한, 상기 설계 패턴의 패턴은 반도체 기판 상에 실제로 형성되는 패턴보다 각진 형태를 갖는다. 상기와 같은 상기 설계 패턴과 상 기 실제 패턴의 차이에도 불구하고 상기 OPC 수행시 상기 설계 패턴을 이용하여 오버레이를 고려하므로 상기 OPC 패턴들은 브리지(bridge)가 발생하거나 노칭(notching) 프로파일을 갖는 문제점이 있다.
본 발명의 실시예들은 패턴들의 브리지 발생 또는 노칭 프로파일을 방지할 수 있는 마스크의 설계 패턴 보정 방법을 제공한다.
상기 본 발명의 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 마스크의 설계 패턴 보정 방법을 제공한다. 상기 마스크의 설계 패턴 보정 방법은 기판 상에 제1 실제 패턴을 형성하기 위한 마스크의 제1 설계 패턴을 획득한다. 상기 제1 실제 패턴과 오버레이되는 제2 실제 패턴의 정보를 획득한다. 상기 정보를 이용하여 상기 제1 설계 패턴에 대한 광 근접 보정을 수행한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제2 실제 패턴과 상기 광 근접 보정된 제1 설계 패턴 간의 오버레이 마진을 획득한 후, 상기 오버레이 마진에 따라 상기 제1 설계 패턴에 대한 상기 광 근접 보정을 선택적으로 수행할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 제2 실제 패턴은 상기 제1 실제 패턴의 하부에 위치하는 하부막 패턴 및 상기 제1 실제 패턴의 상부에 위치하는 상부막 패턴 중 적어도 하나일 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 정보는 상기 제2 실제 패턴의 실제 이미지에 대한 정보를 포함하거나, 상기 제2 실제 패턴을 형성하기 위한 제2 설계 패턴을 갖는 마스크를 시뮬레이션으로 전사하여 획득되는 시뮬레이션 이미지에 대한 정보를 포함할 수 있다. 상기 제2 실제 패턴과 상기 광 근접 보정된 제1 설계 패턴 간의 오버레이 마진을 조절하기 위해 상기 시뮬레이션 이미지의 패턴 크기는 조절가능하다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 제1 설계 패턴과 상기 제1 실제 패턴 사이의 상관 관계 정보를 더 획득하고, 상기 제1 설계 패턴에 대한 광 근접 보정을 수행할 때 상기 제2 실제 패턴의 정보와 상기 상관 관계 정보를 이용할 수 있다.
또한, 상기 본 발명의 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 마스크의 설계 패턴 보정 방법을 제공한다. 상기 마스크의 설계 패턴 보정 방법은 기판 상에 제1 실제 패턴을 형성하기 위한 마스크의 제1 설계 패턴을 획득한다. 상기 제1 설계 패턴과 상기 제1 실제 패턴 사이의 상관 관계 정보를 획득한다. 상기 제1 실제 패턴과 오버레이되는 제2 실제 패턴의 정보를 획득한다. 상기 상관 관계 정보 및 상기 제2 실제 패턴의 정보를 이용하여 상기 제1 설계 패턴에 대한 광 근접 보정을 수행한다. 상기 제2 실제 패턴과 상기 광 근접 보정된 제1 설계 패턴 간의 오버레이 마진을 획득한다. 상기 오버레이 마진에 따라 상기 제1 설계 패턴에 대한 상기 광 근접 보정을 선택적으로 수행한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 상관 관계 정보는 상기 제1 실제 패턴 형성시 사용되는 광의 근접 효과에 의한 상기 제1 설계 패턴과 상기 제1 실제 패턴의 차이에 대한 정보일 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 마스크의 설계 패턴 보정 방법에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 마스크의 설계 패턴 보정 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 1을 참조하면, 기판 상에 제1 실제 패턴을 형성하기 위한 마스크의 제1 설계 패턴을 획득한다(S110).
구체적으로, 상기 제1 설계 패턴을 이용하여 상기 마스크를 형성하고 상기 마스크를 이용하여 제1 막을 패터닝하여 제1 실제 패턴을 형성한다. 상기 제1 실제 패턴을 원하는 형태로 형성하기 위해 상기 제1 설계 패턴에 대해서 광 근접 보정(OPC)이 수행되므로, 상기 제1 설계 패턴이 필요하다. 상기 제1 설계 패턴은 상기 마스크의 형성을 위해 미리 디자인되므로 용이하게 획득할 수 있다.
상기 제1 실제 패턴과 오버레이되는 제2 실제 패턴의 정보를 획득한다(S120).
상기 제1 막을 패터닝하여 상기 제1 실제 패턴이 형성되는 경우, 상기 제1 실제 패턴은 상기 제2 실제 패턴과 오버레이된다. 일예로, 상기 제2 실제 패턴은 상기 제1 막의 하부에 위치하는 하부막 패턴이다. 따라서, 상기 제1 실제 패턴은 하부에 위치하는 하부막 패턴과 오버레이된다. 다른 예로, 상기 제2 실제 패턴은 상기 제1 실제 패턴의 상부에 추후에 형성되는 상부막 패턴이다. 따라서, 상기 제1 실제 패턴은 상기 상부에 위치하는 상부막 패턴과 오버레이된다. 또 다른 예로, 상기 제2 실제 패턴은 상기 제1 막의 하부에 위치하는 하부막 패턴 및 상기 제1 실제 패턴의 상부에 추후에 형성되는 상부막 패턴이다. 따라서, 상기 제1 실제 패턴은 상기 하부막 패턴 및 상부막 패턴과 오버레이된다.
상기 제2 실제 패턴을 형성하기 위해서는 마스크의 제2 설계 패턴이 필요하다. 즉, 상기 제2 설계 패턴을 이용하여 상기 마스크를 형성하고 상기 마스크를 이용하여 제2 실제 패턴을 형성한다. 상기 제1 실제 패턴과의 오버레이를 고려할 때, 상기 제2 설계 패턴이 아닌 상기 제2 실제 패턴의 정보를 이용한다. 예를 들면, 상기 제2 실제 패턴의 정보는 상기 기판 상에 형성된 제2 실제 패턴의 실제 이미지이다. 다른 예로, 상기 제2 실제 패턴의 정보는 상기 제2 설계 패턴을 갖는 마스크의 전사를 시뮬레이션하여 획득되는 시뮬레이션 이미지이다. 이때, 상기 시뮬레이션 이미지는 크기를 조절할 수 있다. 상기 실제 이미지는 상기 시뮬레이션 이미지보다 정확성을 갖는다. 상기 시뮬레이션 이미지는 상기 실제 이미지보다 데이터화가 용이하다.
상기 정보를 이용하여 상기 제1 실제 패턴에 대한 OPC를 수행한다(S130).
일반적으로, 상기 제2 설계 패턴은 상기 제2 실제 패턴과 비교하여 선폭에 있어서 상대적으로 크고, 패턴 형태에 있어서 모서리가 상대적으로 각진 형태를 갖는다. 그러므로, 상기 제2 설계 패턴과의 오버레이를 고려하여 상기 제1 설계 패턴 에 대한 OPC를 수행하면, 상기 제2 설계 패턴의 큰 선폭으로 인해 상기 제1 설계 패턴에서 상기 OPC가 상대적으로 많은 부위에서 이루어진다. 따라서, OPC 패턴 사이의 간격이 상대적으로 좁아져 브리지가 유발된다. 또한, 상기 OPC 패턴의 모서리도 상대적으로 각진 형태를 가지므로 노칭이 발생된다. 그리고, 상기 브리지의 발생을 방지하기 위해 상기 제1 설계 패턴에 대한 OPC가 충분히 수행되지 못하므로 상기 OPC 패턴과 상기 제2 실제 패턴의 오버레이 마진이 작아질 수 있다.
반면에, 상기 제2 실제 패턴은 상기 제2 설계 패턴에 비교하여 상기 선폭에 있어서 상대적으로 작고, 상기 패턴 형태에 있어서 모서리가 상대적으로 라운드진 형태를 갖는다. 그러므로, 상기 제2 실제 패턴과의 오버레이를 고려하여 상기 제1 설계 패턴에 대한 상기 OPC를 수행하면, 상기 가공 패턴의 작은 선폭으로 인해 상기 제1 설계 패턴에서 상기 OPC가 상대적으로 적은 부위에서 이루어진다. 따라서, 상기 OPC 패턴 사이의 간격이 상대적으로 넓어 상기 브리지 발생이 방지된다. 또한, 상기 OPC 패턴의 모서리도 상대적으로 라운드진 형태를 가지므로 상기 노칭이 방지된다. 그리고, 상기 제1 설계 패턴에 대한 OPC가 충분히 수행되므로 상기 OPC 패턴과 상기 제2 실제 패턴의 오버레이 마진을 넓힐 수 있고, 또 상기 오버레이 마진을 정확하게 확인할 수 있다.
한편, 상기 제2 실제 패턴의 정보 중 상기 시뮬레이션 이미지의 패턴 크기를 조절할 수 있다. 그러므로, 상기 OPC 패턴의 브리지 발생 및 상기 OPC 패턴과 상기 제2 실제 패턴의 오버레이 마진을 조절할 수 있다. 구체적으로, 상기 시뮬레이션 이미지의 패턴 크기를 감소시키면, 상기 OPC 패턴 사이의 간격이 상대적으로 넓어 진다. 따라서, 상기 OPC 패턴의 브리지 발생을 방지할 수 있다. 상기 패턴 크기가 감소된 시뮬레이션 이미지를 이용하여 OPC가 이루어지지만, 상기 OPC 패턴은 상기 시뮬레이션 이미지보다 패턴 크기가 큰 상기 제2 실제 패턴과 오버레이되므로 상기 OPC 패턴과 상기 제2 실제 패턴의 오버레이 마진은 감소한다.
상기 시뮬레이션 이미지의 패턴 크기를 증가시키면, 상기 OPC 패턴 사이의 간격이 상대적으로 좁아진다. 따라서, 상기 OPC 패턴에서 브리지가 발생한다. 상기 패턴 크기가 증가된 시뮬레이션 이미지를 이용하여 OPC가 이루어지지만, 상기 OPC 패턴은 상기 시뮬레이션 이미지보다 패턴 크기가 작은 상기 제2 실제 패턴과 오버레이되므로 상기 OPC 패턴과 상기 제2 실제 패턴의 오버레이 마진은 증가한다.
상기 OPC는 하나의 모델을 적용하는 모델-기초 OPC와 한 종류의 룰(rule)을 적용하는 룰-기초 OPC로 구분된다.
상기 모델-기초 OPC에서는 기 설정된 적은 수의 테스트 패턴을 갖는 마스크를 형성한다. 상기 마스크를 이용하여 테스트 기판을 형성한다. 상기 테스트 기판의 패턴의 길이 측정 결과에 근거하여 광 근접 효과를 고려한 전사의 프로세스를 표현하는 OPC 모델(커널(kernel) 또는 프로세스 모델이라고도 한다)을 생성한다. 상기 마스크의 패턴 형상과 상기 마스크에 의해 기판에 전사된 패턴 형상과의 차이를 상기 OPC 모델에 이용하여 시뮬레이션 계산하여 구하고, 이 시뮬레이션 결과에 근거하여 상기 마스크의 패턴을 보정한다.
상기 룰-기초 OPC에서는 설계상 허용되는 모든 패턴을 나타내는 테스트 패턴을 갖는 마스크를 형성한다. 상기 마스크의 테스트 패턴을 기판 상으로 전사하고 상기 기판을 에칭하여 테스트 기판을 형성한다. 상기 테스트 기판의 패턴 형상의 길이 측정 정보와 상기 마스크의 패턴 설계 정보를 근거로 하여 마스크의 패턴 설계 정보를 변경하기 위한 설계 룰, 즉, 룰-기초 OPC를 생성한다. 그리고, 상기 룰-기초 OPC에 근거하여 마스크의 패턴을 보정한다.
상기 제2 실제 패턴과 상기 광 근접 보정된 제1 설계 패턴 간의 오버레이 마진을 획득한다(S140).
상기 제1 설계 패턴에 대한 상기 OPC를 수행하면, OPC 패턴이 획득된다. 상기 OPC 패턴과 상기 제2 실제 패턴을 오버레이시켜 상기 OPC 패턴과 상기 제2 실제 패턴의 오버레이 마진을 확인할 수 있다.
상기 OPC 패턴과 상기 제2 실제 패턴의 오버레이 마진을 확인한 결과, 상기 오버레이 마진이 기 설정된 넓이와 균일도를 가지면, 상기 OPC를 완료한다. 이후, 상기 OPC 패턴과 동일한 패턴을 갖는 마스크를 형성하고, 상기 마스크를 이용하여 상기 제1 막을 패터닝한다.
상기 OPC 패턴과 상기 제2 실제 패턴의 오버레이 마진을 확인 결과, 상기 오버레이 마진이 상기 기 설정된 넓이를 갖지 않거나 상기 균일도를 갖지 않으면, 상기 오버레이 마진이 상기 기 설정된 넓이와 균일도를 가질 때까지 상기 제1 실제 패턴에 대한 상기 OPC의 수행(S130) 및 상기 OPC 패턴과 상기 제2 실제 패턴의 오버레이 마진의 확인(S140)을 반복적으로 수행한다. 이후, 상기 OPC 패턴과 동일한 패턴을 갖는 마스크를 형성하고, 상기 마스크를 이용하여 상기 제1 막을 패터닝한다.
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 마스크의 설계 패턴 보정 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 2를 참조하면, 기판 상에 제1 실제 패턴을 형성하기 위한 마스크의 제1 설계 패턴을 획득한다(S210).
상기에 대한 구체적인 설명은 도 1의 제1 설계 패턴의 획득(S110)에 대한 설명과 실질적으로 동일하다.
상기 제1 설계 패턴과 상기 제1 실제 패턴 사이의 상관 관계 정보를 획득한다(S220).
상기 제1 설계 패턴을 갖는 마스크로 상기 제1 막을 패터닝하면 상기 제1 실제 패턴이 형성된다. 상기 제1 설계 패턴의 밀도에 따라 상기 제1 막의 패터닝시 사용되는 광의 간섭 정도가 달라진다. 따라서, 상기 제1 설계 패턴과 상기 제1 실제 패턴이 서로 다르다. 따라서, 상기 제1 설계 패턴과 상기 제1 실제 패턴을 비교하여 그 차이에 대한 상관 관계 정보를 얻을 수 있다.
예를 들면, 상기 상관 관계 정보는 모델 형태일 수 있다. 우선, 기 설정된 적은 수의 테스트 패턴을 갖는 마스크를 형성한다. 상기 마스크를 이용하여 테스트 기판을 형성한다. 상기 테스트 기판의 패턴의 길이 측정 결과에 근거하여 광 근접 효과를 고려한 전사의 프로세스를 표현하는 OPC 모델(커널(kernel) 또는 프로세스 모델이라고도 한다)을 생성한다.
다른 예로, 상기 상관 관계 정보는 룰 형태일 수 있다. 우선, 설계상 허용되는 모든 패턴을 나타내는 테스트 패턴을 갖는 마스크를 형성한다. 상기 마스크의 테스트 패턴을 기판 상으로 전사하고 상기 기판을 에칭하여 테스트 기판을 형성한다. 상기 테스트 기판의 패턴 형상의 길이 측정 정보와 상기 마스크의 패턴 설계 정보를 근거로 하여 마스크의 패턴 설계 정보를 변경하기 위한 설계 룰을 생성한다.
상기 제1 실제 패턴과 오버레이되는 제2 실제 패턴의 정보를 획득한다(S230).
상기에 대한 구체적인 설명은 도 1의 제2 실제 패턴의 정보 획득(S120)과 실질적으로 동일하다.
상기 상관 관계 정보 및 상기 제2 실제 패턴의 정보를 이용하여 상기 제1 설계 패턴에 대한 OPC를 수행한다(S240).
상기에 대한 구체적인 설명은 상기 제2 실제 패턴의 정보뿐만 아니라 상기 상관 관계 정보도 이용한다는 점을 제외하면 도 1의 OPC의 수행(S130)에 대한 설명과 실질적으로 동일하다.
상기 제2 실제 패턴과 상기 광 근접 보정된 제1 설계 패턴, 즉 OPC 패턴의 오버레이 마진을 확인한다(S250).
상기에 대한 구체적인 설명은 도 1의 오버레이 마진 확인(S140)에 대한 설명과 실질적으로 동일하다.
도 3은 본 발명의 따른 OPC 결과를 설명하기 위한 도면이고, 도 4는 종래 기술에 따른 OPC 결과를 설명하기 위한 도면이다.
도 3을 참조하면, 시뮬레이션 이미지 또는 실제 이미지로부터 얻어지는 원형 형태의 메탈 콘택(metal contact, 110)과의 오버레이를 고려하여 패드(pad, 120) 및 비트 라인(bit line, 130)에 대한 OPC를 수행하였다. 상기 메탈 콘택(110)이 원형 형태를 가지므로, 실제로 오버레이 마진이 필요한 최소한의 영역에서만 OPC가 수행되었다. 상기 패드(120) 및 비트 라인(130)에서 OPC가 이루어진 부분이 상대적으로 적어 인접한 상기 패드(120) 및 비트 라인(130) 사이의 브리지 발생이 방지된다. 또한, 상기 메탈 콘택(110)의 형태와 대응하여 상기 패드(120) 및 비트 라인(130)의 OPC 패턴이 라운드 형태를 가지므로 상기 OPC 패턴의 노칭 발생이 방지된다.
도 4를 참조하면, 제1 실제 패턴으로부터 얻어지는 사각형 형태의 메탈 콘택(210)과의 오버레이를 고려하여 패드(220) 및 비트 라인(230)에 대한 OPC를 수행하였다. 상기 메탈 콘택(210)이 원형의 실제 크기보다 큰 사각형 형태를 가지므로 실제로 오버레이 마진이 필요한 영역보다 많은 영역에서 OPC가 수행되었다. 즉, 상기 메탈 콘택(210)과의 오버레이 마진을 증가시키기 위해 상기 패드(220)의 크기를 증가시키며 상기 비트 라인(230)의 크기는 감소시키는 OPC가 수행되었다. 상기 패드(220) 및 비트 라인(230)에서 OPC가 이루어진 부분이 상대적으로 많아 인접한 OPC 패턴(140) 사이에서 브리지가 발생할 수 있다. 또한, 상기 제1 실제 패턴(130)과 대응하여 상기 OPC 패턴(140)이 사각형 형태를 가지므로 상기 OPC 패턴(140)이 노칭 프로파일을 갖는다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 하나의 막에 대한 OPC 수행시 인접하는 막의 설계 패턴이 아니라 실제 패턴 또는 시뮬레이션 패턴을 이용하여 층간 오버레이를 고려한다. 상기 실제 패턴 또는 시뮬레이션 패턴은 상기 설계 패턴보다 크기가 작고 라운드 형태를 가지므로 상기 OPC가 수행되는 영역을 최소화할 수 있다. 따라서, 상기 OPC가 수행된 패턴 사이의 브리지 발생 및 노칭 프로파일의 발생을 방지할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (9)

  1. 기판 상에 제1 실제 패턴을 형성하기 위한 마스크의 제1 설계 패턴을 획득하는 단계;
    상기 제1 실제 패턴과 오버레이되는 제2 실제 패턴의 정보를 획득하는 단계;
    상기 정보를 이용하여 상기 제1 설계 패턴에 대한 광 근접 보정을 수행하는 단계;
    상기 제2 실제 패턴과 상기 광 근접 보정된 제1 설계 패턴 간의 오버레이 마진을 획득하는 단계; 및
    상기 오버레이 마진에 따라 상기 제1 설계 패턴에 대한 상기 광 근접 보정을 선택적으로 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크의 설계 패턴 보정 방법.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서, 상기 제2 실제 패턴은 상기 제1 실제 패턴의 하부에 위치하는 하부막 패턴 및 상기 제1 실제 패턴의 상부에 위치하는 상부막 패턴 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 마스크의 설계 패턴 보정 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 정보는 상기 제2 실제 패턴의 실제 이미지에 대한 정 보를 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크의 설계 패턴 보정 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 정보는 상기 제2 실제 패턴을 형성하기 위한 제2 설계 패턴을 갖는 마스크를 시뮬레이션으로 전사하여 획득되는 시뮬레이션 이미지에 대한 정보를 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크의 설계 패턴 보정 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제2 실제 패턴과 상기 광 근접 보정된 제1 설계 패턴 간의 오버레이 마진을 조절하기 위해 상기 시뮬레이션 이미지의 패턴 크기는 조절가능한 것을 특징으로 하는 마스크의 설계 패턴 보정 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제1 설계 패턴과 상기 제1 실제 패턴 사이의 상관 관계 정보를 획득하는 단계를 더 포함하고,
    상기 제1 설계 패턴에 대한 광 근접 보정을 수행할 때 상기 제2 실제 패턴의 정보와 상기 상관 관계 정보를 이용하는 것을 특징으로 하는 마스크의 설계 패턴 보정 방법.
  8. 기판 상에 제1 실제 패턴을 형성하기 위한 마스크의 제1 설계 패턴을 획득하는 단계;
    상기 제1 설계 패턴과 상기 제1 실제 패턴 사이의 상관 관계 정보를 획득하는 단계;
    상기 제1 실제 패턴과 오버레이되는 제2 실제 패턴의 정보를 획득하는 단계;
    상기 상관 관계 정보 및 상기 제2 실제 패턴의 정보를 이용하여 상기 제1 설계 패턴에 대한 광 근접 보정을 수행하는 단계;
    상기 제2 실제 패턴과 상기 광 근접 보정된 제1 설계 패턴 간의 오버레이 마진을 획득하는 단계; 및
    상기 오버레이 마진에 따라 상기 제1 설계 패턴에 대한 상기 광 근접 보정을 선택적으로 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크의 설계 패턴 보정 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 상관 관계 정보는 상기 제1 실제 패턴 형성시 사용되는 광의 근접 효과에 의해 발생하는 상기 제1 설계 패턴과 상기 제1 실제 패턴 사이의 차이에 대한 정보인 것을 특징으로 하는 마스크의 설계 패턴 보정 방법.
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