KR100803207B1 - Surface electron emission device and display unit having the same - Google Patents

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Abstract

표면전자 방출소자 및 그를 구비한 디스플레이 장치에 관해 개시되어 있다. 개시된 표면전자 방출소자는 순차적으로 적층된 하부전극, 절연층 및 상부전극와, 상기 상부전극 상에 형성된 나노 구조층을 구비하는 것을 특징으로 한다.A surface electron emitting device and a display device having the same are disclosed. The disclosed surface electron emission device is characterized by having a lower electrode, an insulating layer and an upper electrode sequentially stacked, and a nano structure layer formed on the upper electrode.

Description

표면전자 방출소자 및 그를 구비한 디스플레이 장치{Surface electron emission device and display unit having the same}Surface electron emission device and display unit having the same {Surface electron emission device and display unit having the same}

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 의한 MIM 소자를 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a MIM device according to a first embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 제2 실시예에 의한 MIM 소자를 구비한 디스플레이 장치를 도시한 단면도이다. 2 is a cross-sectional view of a display device having a MIM device according to a second embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 제3 실시예에 의한 MIMIM 소자를 도시한 단면도이다.3 is a cross-sectional view showing a MIMIM device according to a third embodiment of the present invention.

도 4는 제4 실시예에 의한 MIMIM 소자를 구비한 디스플레이 장치를 도시한 단면도이다. 4 is a cross-sectional view showing a display device having a MIMIM device according to a fourth embodiment.

본 발명은 표면전자 방출소자 및 그를 구비한 디스플레이 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 금속-절연체-금속-절연체-금속 구조의 표면전자 방출소자 및 디스플레이 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a surface electron emission device and a display device having the same, and more particularly to a surface electron emission device and a display device of a metal-insulator-metal-insulator-metal structure.

일반적으로 전계방출 디스플레이(Field emission display)는 애노드 전극에 수십 kV의 전압을 걸어서 에미터로부터의 전자를 상기 애노드 전극 상의 형광층을 여기시켜서 발광을 한다. 전계방출 디스플레이에서는 애노드 전극과 에미터 사이의 스파킹을 방지하기 위해서 애노드 전극 및 캐소드 전극(상기 에미터가 위치하는) 사이의 간격을 넓힌다. 예컨대 1~3 mm 로 유지하며, 따라서 디스플레이가 커진다. In general, a field emission display applies a voltage of several tens of kV to the anode electrode to excite electrons from the emitter to excite the fluorescent layer on the anode to emit light. In the field emission display, the gap between the anode electrode and the cathode electrode (where the emitter is located) is widened to prevent sparking between the anode electrode and the emitter. It is kept at, for example, 1 to 3 mm, so that the display is large.

애노드 전극에 인가되는 전압을 낮추고, 그 구조가 단순한 전자방출소자로서 금속층-절연층-금속층(Metal-Insulator-Metal)(이하, MIM이라 함) 구조의 소자가 있다. MIM 소자는 상부전극 및 하부전극 사이에 절연층을 구비한다. 상부전극 및 하부전극 사이에 소정의 전압을 인가하면 절연층에 고전기장이 유도되어서 하부전극으로부터의 전자가 절연층을 통과하여 상부전극을 통해서 외부로 방출된다. 상부전극의 표면으로부터 방출된 전자를 표면전자 또는 핫전자(hot electron)이라 한다. 표면전자의 방출효율을 증가시키기 위해서는 절연층의 두께를 얇게 해야 하며, 상부전극의 두께도 얇게 하여 일함수(work function)를 줄여야 한다. As an electron-emitting device having a low voltage applied to the anode electrode and having a simple structure, there is a device having a metal layer-insulating layer-metal layer (hereinafter referred to as MIM) structure. The MIM device has an insulating layer between the upper electrode and the lower electrode. When a predetermined voltage is applied between the upper electrode and the lower electrode, a high electric field is induced in the insulating layer so that electrons from the lower electrode pass through the insulating layer and are emitted to the outside through the upper electrode. Electrons emitted from the surface of the upper electrode are called surface electrons or hot electrons. In order to increase the emission efficiency of the surface electrons, the thickness of the insulating layer should be thin, and the thickness of the upper electrode should be thin to reduce the work function.

그러나, 상기 상부전극 및 하부전극 사이에 수십 볼트의 전압을 인가하면 절연층이 쉽게 손상되며, 또한 상부전극의 수명이 짧은 문제가 발생될 수 있다. However, when a voltage of several tens of volts is applied between the upper electrode and the lower electrode, the insulating layer is easily damaged, and a short life of the upper electrode may occur.

한편, E. H. Z. Taheri 등의 논문 "Experiments on M-I-M-I-M triode structures using SiOx/B2O3 as the insulating material" (Int. J. Electronics, 1975, Vol. 39, No. 3, 257-273)에는 금속층-절연층-금속층-절연층-금속층(Metal-Insulator-Metal-Insulator-Metal)(이하, MIMIM 이라 함) 구조의 발광소자를 개시하였다. 그러나, 이러한 MIMIM 구조의 발광소자도 상술한 MIM 소자의 문제점을 가지고 있다. Meanwhile, EHZ Taheri et al., "Experiments on MIMIM triode structures using SiO x / B 2 O 3 as the insulating material" (Int. J. Electronics, 1975, Vol. 39, No. 3, 257-273) A light emitting device having an insulating layer-metal layer-insulating layer-metal layer (hereinafter, referred to as MIMIM) structure is disclosed. However, the light emitting device of the MIMIM structure also has the problems of the MIM device described above.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상술한 종래의 문제점을 개선하기 위한 것으로써, MIM 또는 MIMIM 구조에서 상부전극이 손상되는 것을 방지할 수 있는 표면전자 방출소자 및 디스플레이 장치를 제공함에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in an effort to improve the above-described problems, and provides a surface electron emission device and a display device capable of preventing damage to an upper electrode in a MIM or MIMIM structure.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 표면전자 방출소자는: In order to achieve the above technical problem, the surface electron emitting device according to an embodiment of the present invention:

순차적으로 적층된 하부전극, 절연층 및 상부전극; 및A lower electrode, an insulating layer, and an upper electrode sequentially stacked; And

상기 상부전극 상에 형성된 나노 구조층;을 구비하는 것을 특징으로 한다.And a nano structure layer formed on the upper electrode.

상기 나노 구조층은 탄소 나노 구조층인 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 플러렌층이다. The nanostructure layer is preferably a carbon nanostructure layer, more preferably a fullerene layer.

상기 나노구조층은 0.2~20 nm 두께로 형성될 수 있다. The nanostructure layer may be formed to a thickness of 0.2 ~ 20 nm.

상기 절연층은 알루미늄 산화물층, NiO층, ZrO2층, ZnO층 및 TiO2층으로 이루어진 군 중 선택된 어느 하나이다. The insulating layer is any one selected from the group consisting of an aluminum oxide layer, a NiO layer, a ZrO 2 layer, a ZnO layer, and a TiO 2 layer.

상기 하부전극 및 상기 상부전극 중 적어도 어느 하나는 금층, 구리층, 알루미늄층, 니오븀층, 은층, 텅스텐층, 코발트층 및 니켈층으로 이루어진 군 중 선택된 어느 하나이다. At least one of the lower electrode and the upper electrode is any one selected from the group consisting of a gold layer, a copper layer, an aluminum layer, a niobium layer, a silver layer, a tungsten layer, a cobalt layer, and a nickel layer.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 표면전자 방출소자는: In order to achieve the above technical problem, the surface electron emitting device according to an embodiment of the present invention:

순차적으로 적층된 하부전극, 제1절연층, 중간전극, 제2절연층 및 상부전극; 및A lower electrode, a first insulating layer, an intermediate electrode, a second insulating layer, and an upper electrode sequentially stacked; And

상기 상부전극 상에 형성된 나노 구조층;을 구비한다. And a nano structure layer formed on the upper electrode.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표면전자 방출소자를 구비한 디스플레이 장치는: In order to achieve the above technical problem, a display device having a surface electron emitting device according to another embodiment of the present invention:

소정의 간격을 두고 평행하게 설치된 상부기판 및 하부기판;An upper substrate and a lower substrate installed in parallel at predetermined intervals;

상기 하부기판을 대향하는 상부기판의 내면에 형성된 애노드 전극; An anode formed on an inner surface of the upper substrate facing the lower substrate;

상기 애노드 전극 상에 형성된 형광층; 및A fluorescent layer formed on the anode electrode; And

상기 하부기판 상에 형성된 표면전자 방출소자;를 구비하며, And a surface electron emission device formed on the lower substrate.

상기 표면전자 방출소자는: The surface electron emitting device is:

순차적으로 적층된 하부전극, 절연층 및 상부전극; 및 A lower electrode, an insulating layer, and an upper electrode sequentially stacked; And

상기 상부전극 상에 형성된 나노 구조층;을 구비한다. And a nano structure layer formed on the upper electrode.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표면전자 방출소자를 구비한 디스플레이 장치는: In order to achieve the above technical problem, a display device having a surface electron emitting device according to another embodiment of the present invention:

소정의 간격을 두고 평행하게 설치된 상부기판 및 하부기판;An upper substrate and a lower substrate installed in parallel at predetermined intervals;

상기 하부기판을 대향하는 상부기판의 내면에 형성된 애노드 전극; An anode formed on an inner surface of the upper substrate facing the lower substrate;

상기 애노드 전극 상에 형성된 형광층; 및 A fluorescent layer formed on the anode electrode; And

상기 하부기판 상에 형성된 표면전자 방출소자;를 구비하며, And a surface electron emission device formed on the lower substrate.

상기 표면전자 방출소자는: The surface electron emitting device is:

순차적으로 적층된 하부전극, 제1절연층, 중간전극, 제2절연층 및 상부전극; 및A lower electrode, a first insulating layer, an intermediate electrode, a second insulating layer, and an upper electrode sequentially stacked; And

상기 상부전극 상에 형성된 나노 구조층;을 구비한다. And a nano structure layer formed on the upper electrode.

이하, 본 발명의 실시예에 의한 금속층-절연층-금속층(MIM) 구조의 표면전자 방출소자(이하, MIM 소자라 함) 및 금속층-절연층-금속층-절연층-금속층(MIMIM) 구조의 표면전자 방출소자(이하, MIMIM 소자라 함)와, 이들을 이용한 디스플레이 장치를 첨부된 도면들을 참조하여 상세하게 설명한다. 도면에 도시된 층이나 영역들의 두께는 명세서의 명확성을 위해 과장되게 도시된 것이다.Hereinafter, the surface of the metal layer-insulating layer-metal layer (MIM) structure according to an embodiment of the present invention (hereinafter referred to as MIM device) and the surface of the metal layer-insulating layer-metal layer-insulating layer-metal layer (MIMIM) structure An electron emitting device (hereinafter referred to as a MIMIM device) and a display device using the same will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The thicknesses of layers or regions shown in the drawings are exaggerated for clarity.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 의한 MIM 소자를 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a MIM device according to a first embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판(110) 상에 MIM 소자가 형성되어 있다. MIM 소자는 순차적으로 형성된 하부전극(112), 절연층(114), 상부전극(116)과, 상기 상부전극(116) 상에 형성된 플러렌층(120)을 구비한다 Referring to FIG. 1, a MIM device is formed on a substrate 110. The MIM device includes a lower electrode 112, an insulating layer 114, an upper electrode 116, and a fullerene layer 120 formed on the upper electrode 116.

상기 하부전극(112)은 도전물질, 예컨대 알루미늄(Al)으로 형성된다. 하부전극(112)은 수백 나노미터 두께로 형성될 수 있다. The lower electrode 112 is formed of a conductive material, for example, aluminum (Al). The lower electrode 112 may be formed to be several hundred nanometers thick.

상기 절연층(114)은 알루미늄 산화물층, 예를 들면 Al2O3층일 수 있으나, 알루미늄 산화물층 이외의 다른 절연층, 예를 들면 NiO층, ZrO2층, ZnO층, TiO2층일 수 있다. 절연층(114)이 알루미나층일 때, 절연층(114)의 두께는 2-20 nm 정도이다. 절연층(114)의 이 두께는 사용되는 절연물질에 따라 달라질 수 있다. The insulating layer 114 may be an aluminum oxide layer, for example, an Al 2 O 3 layer, but may be an insulating layer other than the aluminum oxide layer, for example, a NiO layer, a ZrO 2 layer, a ZnO layer, or a TiO 2 layer. When the insulating layer 114 is an alumina layer, the thickness of the insulating layer 114 is about 2-20 nm. This thickness of insulating layer 114 may vary depending on the insulating material used.

상기 상부전극(116)은 일함수(work function)가 낮은 금속으로 형성된 것이 바람직하다. 예를 들면, 상부전극(116)은 금(Au)으로 형성될 수 있으며, 대략 10~30 nm 두께로 형성될 수 있다. 상부전극(116)은 금 이외의 다른 금속으로 형성될 수도 있는데, 예를 들면 구리(Cu)층, 알루미늄(Al)층, 니오븀(Nb)층, 은(Ag)층, 텅스텐(W)층, 코발트(Co)층, 니켈(Ni)층 등으로 형성될 수 있다. The upper electrode 116 is preferably formed of a metal having a low work function. For example, the upper electrode 116 may be formed of gold (Au), and may be formed to a thickness of about 10 to 30 nm. The upper electrode 116 may be formed of a metal other than gold, for example, a copper (Cu) layer, an aluminum (Al) layer, a niobium (Nb) layer, a silver (Ag) layer, a tungsten (W) layer, It may be formed of a cobalt (Co) layer, a nickel (Ni) layer and the like.

상기 플러렌층(120)은 탄소 나노 구조층의 일 예이고, 따라서 제1 플러렌층(120)은 다른 탄소 나노 구조층 혹은 다른 나노 구조층으로 대체될 수도 있다. 플러렌층(120)은 소정의 플러렌 분자로 코팅된 것일 수 있다. 여기서, 플러렌 분자는 C60일 수 있고, C60 이외의 다른 플러렌 분자 패밀리, 예를 들면 C70, C74, C76, C72, C82, C84, C86, C116...일 수도 있다. 플러렌층(120)은 0.2~20 nm 두께로 형성될 수 있다. The fullerene layer 120 is an example of a carbon nanostructure layer, and thus, the first fullerene layer 120 may be replaced with another carbon nanostructure layer or another nanostructure layer. The fullerene layer 120 may be coated with certain fullerene molecules. Here, the fullerene molecule may be C60, and may be other fullerene molecule family other than C60, for example, C70, C74, C76, C72, C82, C84, C86, C116 ... The fullerene layer 120 may be formed to a thickness of 0.2 to 20 nm.

상기 MIM 소자를 10-4 ~ 10-5 Torr 진공도의 진공챔버에서 상기 상부전극(116) 및 하부전극(112) 사이의 전압(V1)이 2~25 V 되게 상부전극(116)에 양전압, 하부전극(112)에 음전압을 인가하면, 하부전극(112)으로부터의 전자가 터널링 효과에 의해 절연층(114)을 통과하여 상부전극(116)으로 이동하며, 이 전자들이 상부전극(116)의 일함수 보다 큰 에너지를 가지면 상부전극(116)의 표면으로부터 방출된다. 이러한 방출전자를 표면전자 또는 핫전자(hot electron)이라 한다. 상기 전압(V1)은 절연층(114)의 종류 및 두께, 상부전극(116)의 일함수에 따라서 정해질 수 있다. The MIM device has a positive voltage at the upper electrode 116 such that the voltage V 1 between the upper electrode 116 and the lower electrode 112 is 2 to 25 V in a vacuum chamber of 10 -4 to 10 -5 Torr vacuum degree. When a negative voltage is applied to the lower electrode 112, electrons from the lower electrode 112 move to the upper electrode 116 through the insulating layer 114 by the tunneling effect, and the electrons are transferred to the upper electrode 116. If the energy is greater than the work function of), it is emitted from the surface of the upper electrode 116. Such emitting electrons are called surface electrons or hot electrons. The voltage V 1 may be determined according to the type and thickness of the insulating layer 114 and the work function of the upper electrode 116.

상기 플러렌층(120)은 상기 상부전극(116)의 일함수를 낮추며, 따라서 종래의 MIM 소자에 인가되는 전압 보다 낮은 전압이 사용될 수 있다. 또한, 상기 플러 렌층(120)은 인장강도가 높아서 상기 상부전극(116)의 파손을 방지하는 역할도 한다. The fullerene layer 120 lowers the work function of the upper electrode 116, and thus a voltage lower than the voltage applied to the conventional MIM device may be used. In addition, the fullerene layer 120 has a high tensile strength and also serves to prevent breakage of the upper electrode 116.

도 2는 본 발명의 제2 실시예에 의한 MIM 소자를 구비한 디스플레이 장치를 도시한 단면도이며, 제1 실시예의 MIM 소자의 구성요소와 실질적으로 동일한 구성요소에는 동일한 명칭을 사용하고 상세한 설명은 생략한다. FIG. 2 is a cross-sectional view of a display device having a MIM device according to a second embodiment of the present invention. The same names are used for components substantially the same as those of the MIM device of the first embodiment, and detailed descriptions thereof are omitted. do.

도 2를 참조하면, 하부기판(210) 상에 MIM 소자가 형성되어 있으며, 상부기판(260) 상에는 애노드 전극(262) 및 형광층(270)이 형성되어 있다. 상기 애노드 전극(262) 및 상부기판(260)은 광이 투과하도록 각각 투명전극 및 유리기판으로 형성될 수 있다. Referring to FIG. 2, a MIM device is formed on the lower substrate 210, and an anode electrode 262 and a fluorescent layer 270 are formed on the upper substrate 260. The anode electrode 262 and the upper substrate 260 may be formed of a transparent electrode and a glass substrate to transmit light.

도 2의 디스플레이의 내부는 대략 10-4 ~ 10-5 Torr 진공도로 유지된다. 상기 하부기판(210) 및 상부기판(260) 사이의 간격은 0.5 mm 또는 그 이상일 수 있다. The interior of the display of FIG. 2 is maintained at approximately 10 −4 to 10 −5 Torr vacuum. An interval between the lower substrate 210 and the upper substrate 260 may be 0.5 mm or more.

상기 MIM 소자는 순차적으로 형성된 하부전극(212), 절연층(214), 상부전극(216)와, 상부전극(216) 상의 플러렌층(220)을 구비한다. The MIM device includes a lower electrode 212, an insulating layer 214, an upper electrode 216, and a fullerene layer 220 formed on the upper electrode 216.

상기 하부전극(212)은 도전물질, 예컨대 알루미늄(Al)으로 형성된다. 하부전극(212)은 수백 나노미터 두께로 형성될 수 있다. The lower electrode 212 is formed of a conductive material, for example, aluminum (Al). The lower electrode 212 may be formed to be several hundred nanometers thick.

상기 절연층(214)은 알루미늄 산화물층, 예를 들면 Al2O3층일 수 있으나, 알루미늄 산화물층 이외의 다른 절연층, 예를 들면 NiO층, ZrO2층, ZnO층, TiO2층일 수 있다. 절연층(214)이 알루미나층일 때, 절연층(214)의 두께는 2-20 nm 정도이다. 절연층(214)의 이 두께는 사용되는 절연물질에 따라 달라질 수 있다. The insulating layer 214 may be an aluminum oxide layer, for example, an Al 2 O 3 layer, but may be an insulating layer other than the aluminum oxide layer, for example, a NiO layer, a ZrO 2 layer, a ZnO layer, or a TiO 2 layer. When the insulating layer 214 is an alumina layer, the thickness of the insulating layer 214 is about 2-20 nm. This thickness of insulating layer 214 may vary depending on the insulating material used.

상기 상부전극(216)은 일함수(work function)가 낮은 금속으로 형성된 것이 바람직하다. 예를 들면, 상부전극(216)은 금(Au)으로 형성될 수 있으며, 대략 10~30 nm 두께로 형성될 수 있다. 상부전극(216)은 금 이외의 다른 금속으로 형성될 수도 있는데, 예를 들면 구리(Cu)층, 알루미늄(Al)층, 니오븀(Nb)층, 은(Ag)층, 텅스텐(W)층, 코발트(Co)층, 니켈(Ni)층 등으로 형성될 수 있다. The upper electrode 216 is preferably formed of a metal having a low work function. For example, the upper electrode 216 may be formed of gold (Au), and may be formed to a thickness of about 10 to 30 nm. The upper electrode 216 may be formed of a metal other than gold, for example, a copper (Cu) layer, an aluminum (Al) layer, a niobium (Nb) layer, a silver (Ag) layer, a tungsten (W) layer, It may be formed of a cobalt (Co) layer, a nickel (Ni) layer and the like.

상기 플러렌층(220)은 탄소 나노 구조층의 일 예이고, 따라서 제1 플러렌층(220)은 다른 탄소 나노 구조층 혹은 다른 나노 구조층으로 대체될 수도 있다. 플러렌층(220)은 소정의 플러렌 분자로 코팅된 것일 수 있다. 여기서, 플러렌 분자는 C60일 수 있고, C60 이외의 다른 플러렌 분자 패밀리, 예를 들면 C70, C74, C76, C72, C82, C84, C86, C116...일 수도 있다. 플러렌층(220)은 0.2~20 nm 두께로 형성될 수 있다. The fullerene layer 220 is an example of a carbon nanostructure layer, and thus, the first fullerene layer 220 may be replaced with another carbon nanostructure layer or another nanostructure layer. The fullerene layer 220 may be coated with certain fullerene molecules. Here, the fullerene molecule may be C60, and may be other fullerene molecule family other than C60, for example, C70, C74, C76, C72, C82, C84, C86, C116 ... The fullerene layer 220 may be formed to a thickness of 0.2 to 20 nm.

상기 상부전극(216) 및 하부전극(212) 사이의 전압(V1)이 2~25 V 되게 상부전극(216)에 양전압, 하부전극(212)에 음전압을 인가하면, 하부전극(212)으로부터의 전자가 절연층(214)을 통과하여 상부전극(216)으로 이동하며, 이어서 상부전극(216)의 표면으로부터 표면전자(230)가 방출된다. 이때 애노드 전극(262)에 소정의 전압(V2), 예컨대 그라운드 전압 또는 수 ~ 수십 볼트의 양의 전압을 걸면 상기 표면전자(230)는 상기 애노드 전극(262)으로 향하여 진행되면서 형광층(270)을 여기하여 광을 방출한다. When a positive voltage is applied to the upper electrode 216 and a negative voltage is applied to the lower electrode 212 such that the voltage V 1 between the upper electrode 216 and the lower electrode 212 is 2 to 25 V, the lower electrode 212 is applied. The electrons from the electrons pass through the insulating layer 214 to the upper electrode 216, and then surface electrons 230 are emitted from the surface of the upper electrode 216. At this time, when a predetermined voltage V 2 , for example, a ground voltage or a voltage of several to several tens of volts is applied to the anode electrode 262, the surface electron 230 proceeds toward the anode electrode 262 while the fluorescent layer 270 is applied. ) To emit light.

상기 상부전극(216) 및 하부전극(212)가 직교하도록 배치된 스트라이프 형상 의 전극이며, 상기 상부전극(216) 및 하부전극(212)를 어드레스하면, 어드레스된 부분의 상부전극(216)으로부터 표면전자가 방출되어서 인접한 형광층(270)을 발광시킨다. 상기 상부전극(216) 및 하부전극(212)의 폭과, 상기 형광층(270)의 면적을 하나의 픽셀 또는 서브픽셀(R,G,B)에 대응되게 형성하면, 도 2의 디스플레이 장치로 화상을 표시할 수 있게 된다. 상기 픽셀 또는 서브픽셀에 대응되는 형광층(270)은 미도시한 블랙매트릭스에 의해서 구분되게 형성되는 것이 바람직하다. The upper electrode 216 and the lower electrode 212 are stripe-shaped electrodes arranged to be orthogonal to each other. When the upper electrode 216 and the lower electrode 212 are addressed, the surface is formed from the upper electrode 216 of the addressed portion. Electrons are emitted to emit adjacent fluorescent layers 270. When the widths of the upper electrode 216 and the lower electrode 212 and the area of the fluorescent layer 270 are formed to correspond to one pixel or subpixel (R, G, B), the display device of FIG. Images can be displayed. The fluorescent layer 270 corresponding to the pixel or subpixel is preferably formed to be separated by a black matrix (not shown).

본 발명에 따른 디스플레이 장치는 상대적으로 낮은 진공도로 패키징하여도 작동될 수 있으며, 또한 애노드 전극(262)에 걸리는 전압이 매우 낮기 때문에 스파킹이 일어나지 않으므로 상부기판(260) 및 하부기판(210) 사이의 간격을 0.5 mm 정도로 유지할 수 있다. The display device according to the present invention can be operated even when packaged with a relatively low vacuum, and since sparking does not occur because the voltage applied to the anode electrode 262 is very low, the upper substrate 260 and the lower substrate 210 are separated from each other. The spacing can be maintained at about 0.5 mm.

도 3은 본 발명의 제3 실시예에 의한 MIMIM 소자를 도시한 단면도이다.3 is a cross-sectional view showing a MIMIM device according to a third embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 기판(310) 상에 MIMIM 소자가 형성되어 있다. MIMIM 소자는 순차적으로 형성된 하부전극(312), 제1절연층(314), 중간전극(316), 제2절연층(318), 상부전극(319)와, 상기 상부전극(319) 상에 형성된 플러렌층(320)을 구비한다. Referring to FIG. 3, a MIMIM device is formed on a substrate 310. The MIMIM device is formed on the lower electrode 312, the first insulating layer 314, the intermediate electrode 316, the second insulating layer 318, the upper electrode 319, and the upper electrode 319 which are sequentially formed. The fullerene layer 320 is provided.

상기 하부전극(312)은 도전물질, 예컨대 알루미늄(Al)으로 형성된다. 하부전극(312)은 수백 나노미터 두께로 형성될 수 있다. The lower electrode 312 is formed of a conductive material, for example, aluminum (Al). The lower electrode 312 may be formed to be several hundred nanometers thick.

상기 제1 및 제2 절연층(314,318)은 알루미늄 산화물층, 예를 들면 Al2O3층일 수 있으나, 알루미늄 산화물층 이외의 다른 절연층, 예를 들면 NiO층, ZrO2층, ZnO층, TiO2층일 수 있다. 절연층(314,318)이 알루미나층일 때, 절연층(314,318)의 두께는 2-20 nm 정도이다. 절연층(314,318)의 이 두께는 사용되는 절연물질에 따라 달라질 수 있다. The first and second insulating layers 314 and 318 may be aluminum oxide layers, for example Al 2 O 3 layers, but other insulating layers other than aluminum oxide layers, such as NiO layers, ZrO 2 layers, ZnO layers, and TiOs. It can be two layers. When the insulating layers 314 and 318 are alumina layers, the thickness of the insulating layers 314 and 318 is about 2-20 nm. This thickness of the insulating layers 314 and 318 may vary depending on the insulating material used.

상기 중간전극(316)은 일함수(work function)가 낮은 금속으로 형성될 수 있으며, 대략 10~30 nm 두께로 형성된다. 예를 들면, 중간전극(316)은 알루미늄(Al)층, 금(Au)층, 구리(Cu)층, 니오븀(Nb)층, 은(Ag)층, 텅스텐(W)층, 코발트(Co)층, 니켈(Ni)층 등으로 형성될 수 있다. The intermediate electrode 316 may be formed of a metal having a low work function, and is formed to have a thickness of approximately 10 to 30 nm. For example, the intermediate electrode 316 is made of aluminum (Al), gold (Au), copper (Cu), niobium (Nb), silver (Ag), tungsten (W), cobalt (Co). Layer, a nickel (Ni) layer, or the like.

상기 상부전극(319)은 일함수(work function)가 낮은 금속으로 형성된 것이 바람직하다. 예를 들면, 상부전극(319)은 금(Au)으로 형성될 수 있으며, 대략 10~30 nm 두께로 형성될 수 있다. 상부전극(319)은 금 이외의 다른 금속으로 형성될 수도 있는데, 예를 들면 구리(Cu)층, 알루미늄(Al)층, 니오븀(Nb)층, 은(Ag)층, 텅스텐(W)층, 코발트(Co)층, 니켈(Ni)층 등으로 형성될 수 있다. The upper electrode 319 is preferably formed of a metal having a low work function. For example, the upper electrode 319 may be formed of gold (Au), and may be formed to a thickness of about 10 to 30 nm. The upper electrode 319 may be formed of a metal other than gold, for example, a copper (Cu) layer, an aluminum (Al) layer, a niobium (Nb) layer, a silver (Ag) layer, a tungsten (W) layer, It may be formed of a cobalt (Co) layer, a nickel (Ni) layer and the like.

상기 플러렌층(320)은 탄소 나노 구조층의 일 예이고, 따라서 제1 플러렌층(320)은 다른 탄소 나노 구조층 혹은 다른 나노 구조층으로 대체될 수도 있다. 플러렌층(320)은 소정의 플러렌 분자로 코팅된 것일 수 있다. 여기서, 플러렌 분자는 C60일 수 있고, C60 이외의 다른 플러렌 분자 패밀리, 예를 들면 C70, C74, C76, C72, C82, C84, C86, C116...일 수도 있다. 플러렌층(320)은 0.2~20 nm 두께로 형성될 수 있다. The fullerene layer 320 is an example of the carbon nanostructure layer, and thus, the first fullerene layer 320 may be replaced with another carbon nanostructure layer or another nanostructure layer. The fullerene layer 320 may be coated with certain fullerene molecules. Here, the fullerene molecule may be C60, and may be other fullerene molecule family other than C60, for example, C70, C74, C76, C72, C82, C84, C86, C116 ... The fullerene layer 320 may be formed to a thickness of 0.2 to 20 nm.

상기 MIMIM 소자를 10-4 ~ 10-5 Torr 진공도의 진공챔버에서 상기 상부전극 (319) 및 하부전극(312) 사이의 전압(V1)이 2~25 V 되게 상부전극(319)에 양전압, 하부전극(312)에 음전압을 인가하면, 하부전극(312)으로부터의 전자가 절연층(314), 중간전극(316), 제2절연층(318)을 통과하여 상부전극(319)으로 이동하며, 이어서 상부전극(319)의 표면으로부터 방출된다. 이러한 방출전자를 표면전자 또는 핫전자lectron)라 한다. 상기 전압(V1)은 절연층(314,318)의 종류 및 두께, 상부전극(319)의 일함수에 따라서 정해질 수 있다. The MIMIM device has a positive voltage on the upper electrode 319 such that the voltage V 1 between the upper electrode 319 and the lower electrode 312 is 2 to 25 V in a vacuum chamber of 10 -4 to 10 -5 Torr vacuum degree. When a negative voltage is applied to the lower electrode 312, electrons from the lower electrode 312 pass through the insulating layer 314, the intermediate electrode 316, and the second insulating layer 318 to the upper electrode 319. Moves, and is then emitted from the surface of the upper electrode 319. Such emitting electrons are called surface electrons or hot electrons. The voltage V 1 may be determined according to the type and thickness of the insulating layers 314 and 318 and the work function of the upper electrode 319.

상기 플러렌층(320)은 상기 상부전극(319)의 일함수를 낮추며, 따라서 종래의 MIM 소자에 인가되는 전압 보다 낮은 전압이 사용될 수 있다. 또한, 상기 플러렌층(320)은 상기 상부전극(319)을 보호하는 역할도 한다. The fullerene layer 320 lowers the work function of the upper electrode 319, and thus, a voltage lower than the voltage applied to the conventional MIM device may be used. In addition, the fullerene layer 320 also serves to protect the upper electrode 319.

도 4는 제4 실시예에 의한 MIMIM 소자를 구비한 디스플레이 장치를 도시한 단면도이며, 제3 실시예의 MIMIM 소자의 구성요소와 실질적으로 동일한 구성요소에는 동일한 명칭을 사용하고 상세한 설명은 생략한다. 4 is a cross-sectional view of a display device having a MIMIM device according to a fourth embodiment, and the same names are used for components substantially the same as those of the MIMIM device of the third embodiment, and detailed descriptions thereof are omitted.

도 4를 참조하면, 하부기판(410) 상에 MIMIM 소자가 형성되어 있으며, 상부기판(460) 상에는 애노드 전극(462) 및 형광층(470)이 형성되어 있다. 상기 애노드 전극(262) 및 상부기판(260)은 광이 투과하도록 각각 투명전극 및 유리기판으로 형성될 수 있다. Referring to FIG. 4, a MIMIM device is formed on the lower substrate 410, and an anode electrode 462 and a fluorescent layer 470 are formed on the upper substrate 460. The anode electrode 262 and the upper substrate 260 may be formed of a transparent electrode and a glass substrate to transmit light.

도 4의 디스플레이의 내부는 대략 10-4 ~ 10-5 Torr 진공도로 유지된다. 상기 하부기판(410) 및 상부기판(460) 사이의 간격은 0.5 mm 또는 그 이상일 수 있다. The interior of the display of FIG. 4 is maintained at approximately 10 −4 to 10 −5 Torr vacuum. An interval between the lower substrate 410 and the upper substrate 460 may be 0.5 mm or more.

상기 MIMIM 소자는 순차적으로 형성된 하부전극(412), 제1절연층(414), 중간 전극(416), 제2절연층(418), 상부전극(419)와, 상기 상부전극(419) 상에 형성된 플러렌층(420)을 구비한다. The MIMIM device may be formed on the lower electrode 412, the first insulating layer 414, the intermediate electrode 416, the second insulating layer 418, the upper electrode 419, and the upper electrode 419. The formed fullerene layer 420 is provided.

상기 하부전극(412)은 도전물질, 예컨대 알루미늄(Al)으로 형성된다. 하부전극(412)은 수백 나노미터 두께로 형성될 수 있다. The lower electrode 412 is formed of a conductive material, for example, aluminum (Al). The lower electrode 412 may be formed to be several hundred nanometers thick.

상기 제1 및 제2 절연층(414,318)은 알루미늄 산화물층, 예를 들면 Al2O3층일 수 있으나, 알루미늄 산화물층 이외의 다른 절연층, 예를 들면 NiO층, ZrO2층, ZnO층, TiO2층일 수 있다. 절연층(414,318)이 알루미나층일 때, 절연층(414,318)의 두께는 2-20 nm 정도이다. 절연층(414,318)의 이 두께는 사용되는 절연물질에 따라 달라질 수 있다. The first and second insulating layers 414 and 318 may be aluminum oxide layers, for example, Al 2 O 3 layers, but other insulating layers other than aluminum oxide layers, for example, NiO layers, ZrO 2 layers, ZnO layers, and TiOs. It can be two layers. When the insulating layers 414 and 318 are alumina layers, the thickness of the insulating layers 414 and 318 is about 2-20 nm. This thickness of insulating layers 414 and 318 may vary depending on the insulating material used.

상기 중간전극(416)은 일함수(work function)가 낮은 금속으로 형성될 수 있으며, 대략 10~30 nm 두께로 형성된다. 예를 들면, 중간전극(416)은 알루미늄(Al)층, 금(Au)층, 구리(Cu)층, 니오븀(Nb)층, 은(Ag)층, 텅스텐(W)층, 코발트(Co)층, 니켈(Ni)층 등으로 형성될 수 있다. 상기 중간전극(416)은 상부전극(416)과 같은 스트라이프 형상으로 형성될 수 있다. The intermediate electrode 416 may be formed of a metal having a low work function, and is formed to have a thickness of approximately 10 to 30 nm. For example, the intermediate electrode 416 includes an aluminum (Al) layer, a gold (Au) layer, a copper (Cu) layer, a niobium (Nb) layer, a silver (Ag) layer, a tungsten (W) layer, and cobalt (Co). Layer, a nickel (Ni) layer, or the like. The intermediate electrode 416 may be formed in the same stripe shape as the upper electrode 416.

상기 상부전극(416)은 일함수(work function)가 낮은 금속으로 형성된 것이 바람직하다. 예를 들면, 상부전극(416)은 금(Au)으로 형성될 수 있으며, 대략 10~30 nm 두께로 형성될 수 있다. 상부전극(416)은 금 이외의 다른 금속으로 형성될 수도 있는데, 예를 들면 구리(Cu)층, 알루미늄(Al)층, 니오븀(Nb)층, 은(Ag)층, 텅스텐(W)층, 코발트(Co)층, 니켈(Ni)층 등으로 형성될 수 있다. The upper electrode 416 is preferably formed of a metal having a low work function. For example, the upper electrode 416 may be formed of gold (Au), and may be formed to a thickness of about 10 to 30 nm. The upper electrode 416 may be formed of a metal other than gold, for example, a copper (Cu) layer, an aluminum (Al) layer, a niobium (Nb) layer, a silver (Ag) layer, a tungsten (W) layer, It may be formed of a cobalt (Co) layer, a nickel (Ni) layer and the like.

상기 플러렌층(420)은 탄소 나노 구조층의 일 예이고, 따라서 제1 플러렌층(420)은 다른 탄소 나노 구조층 혹은 다른 나노 구조층으로 대체될 수도 있다. 플러렌층(420)은 소정의 플러렌 분자로 코팅된 것일 수 있다. 여기서, 플러렌 분자는 C60일 수 있고, C60 이외의 다른 플러렌 분자 패밀리, 예를 들면 C70, C74, C76, C72, C82, C84, C86, C116...일 수도 있다. 플러렌층(420)은 0.2~20 nm 두께로 형성될 수 있다. The fullerene layer 420 is an example of a carbon nanostructure layer, and thus, the first fullerene layer 420 may be replaced with another carbon nanostructure layer or another nanostructure layer. The fullerene layer 420 may be coated with certain fullerene molecules. Here, the fullerene molecule may be C60, and may be other fullerene molecule family other than C60, for example, C70, C74, C76, C72, C82, C84, C86, C116 ... The fullerene layer 420 may be formed to a thickness of 0.2 to 20 nm.

상기 상부전극(416) 및 하부전극(412) 사이의 전압(V1)이 2~25 V 되게 상부전극(416)에 양전압, 하부전극(412)에 음전압을 인가하면, 하부전극(412)으로부터의 전자가 절연층(414,418)을 통과하여 상부전극(419)으로 이동하며, 이어서 상부전극(419)의 표면으로부터 표면전자(430)가 방출된다. 이때 애노드 전극(462)에 소정의 전압(V2), 예컨대 그라운드 전압 또는 수 ~ 수십 볼트의 양의 전압을 걸면 상기 표면전자(430)는 상기 애노드 전극(462)으로 향하여 진행되면서 형광층(470)을 여기하여 광을 방출한다. When a positive voltage is applied to the upper electrode 416 and a negative voltage is applied to the lower electrode 412 such that the voltage V 1 between the upper electrode 416 and the lower electrode 412 becomes 2 to 25 V, the lower electrode 412 Electrons from the electrons pass through the insulating layers 414 and 418 to the upper electrode 419, and then surface electrons 430 are emitted from the surface of the upper electrode 419. At this time, when a predetermined voltage V 2 , for example, a ground voltage or a voltage of several to several tens of volts is applied to the anode electrode 462, the surface electrons 430 proceed toward the anode electrode 462, and the fluorescent layer 470. ) To emit light.

상기 상부전극(419) 및 하부전극(412)가 직교하도록 배치된 스트라이프 형상의 전극이며, 상기 상부전극(419) 및 하부전극(412)를 어드레스하면, 어드레스된 부분의 상부전극(419)으로부터 표면전자가 방출되어서 인접한 형광층(470)을 발광시킨다. 상기 상부전극(419) 및 하부전극(412)의 폭과, 상기 형광층(470)의 면적을 하나의 픽셀 또는 서브픽셀(R,G,B)에 대응되게 형성하면, 도 4의 디스플레이 장치로 화상을 표시할 수 있게 된다. 상기 픽셀 또는 서브픽셀에 대응되는 형광층(270) 은 미도시한 블랙매트릭스에 의해서 구분되게 형성되는 것이 바람직하다. The upper electrode 419 and the lower electrode 412 are stripe-shaped electrodes arranged to be orthogonal to each other. When the upper electrode 419 and the lower electrode 412 are addressed, a surface is formed from the upper electrode 419 of the addressed portion. Electrons are emitted to emit adjacent fluorescent layer 470. When the widths of the upper electrode 419 and the lower electrode 412 and the area of the fluorescent layer 470 are formed to correspond to one pixel or subpixel R, G, and B, the display device of FIG. Images can be displayed. The fluorescent layer 270 corresponding to the pixel or subpixel is preferably formed to be separated by a black matrix (not shown).

본 발명에 따른 디스플레이 장치는 상대적으로 낮은 진공도로 패키징하여도 작동될 수 있으며, 또한 애노드 전극(462)에 걸리는 전압이 매우 낮기 때문에 스파킹이 일어나지 않으므로 상부기판(460) 및 하부기판(410) 사이의 간격을 0.5 mm 정도로 유지할 수 있다. The display device according to the present invention can be operated even when packaged with a relatively low vacuum, and since the sparking does not occur because the voltage applied to the anode electrode 462 is very low, between the upper substrate 460 and the lower substrate 410. The spacing can be maintained at about 0.5 mm.

상술한 바와 같이, 본 발명의 MIM 또는 MIMIM 소자는 상부전극 상에 인장강도가 높은 플러렌층을 구비한다. 이 플러렌층은 상부전극의 일함수를 낮게 하여 상부전극으로부터의 전자방출 효율을 향상시키며, 또한 상부전극을 보호하여 상부전극의 수명을 연잘시킬 수 있다. As described above, the MIM or MIMIM device of the present invention includes a fullerene layer having a high tensile strength on the upper electrode. This fullerene layer can lower the work function of the upper electrode to improve the electron emission efficiency from the upper electrode, and can also protect the upper electrode and improve the life of the upper electrode.

MIM 또는 MIMIM 소자를 구비한 디스플레이는 낮은 진공도로 패키징될 수 있으며, 또한, 상부기판 및 하부기판 사이의 간격을 줄일 수 있다.Displays with MIM or MIMIM elements can be packaged with low vacuum and also reduce the spacing between the upper and lower substrates.

본 발명은 도면을 참조하여 실시예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위에 한해서 정해져야 할 것이다. Although the present invention has been described with reference to the embodiments with reference to the drawings, this is merely exemplary, it will be understood by those skilled in the art that various modifications and equivalent embodiments are possible. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined only by the appended claims.

Claims (28)

순차적으로 적층된 하부전극, 절연층 및 상부전극;A lower electrode, an insulating layer, and an upper electrode sequentially stacked; 상기 상부전극 상에 형성된 탄소 나노 구조층;을 구비하는 것을 특징으로 표면전자 방출소자. And a carbon nano structure layer formed on the upper electrode. 삭제delete 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 탄소 나노 구조층은 플러렌층인 것을 특징으로 하는 표면전자 방출소자.The carbon nano structure layer is a surface electron emission device, characterized in that the fullerene layer. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 탄소 나노구조층은 0.2~20 nm 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 표면전자 방출소자.The carbon nanostructure layer is a surface electron emission device, characterized in that formed in a thickness of 0.2 ~ 20 nm. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 절연층은 알루미늄 산화물층, NiO층, ZrO2층, ZnO층 및 TiO2층으로 이루어진 군 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 표면전자 방출소자.The insulating layer is a surface electron emission device, characterized in that any one selected from the group consisting of aluminum oxide layer, NiO layer, ZrO 2 layer, ZnO layer and TiO 2 layer. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 하부전극 및 상기 상부전극 중 적어도 어느 하나는 금층, 구리층, 알루미늄층, 니오븀층, 은층, 텅스텐층, 코발트층 및 니켈층으로 이루어진 군 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 표면전자 방출소자.At least one of the lower electrode and the upper electrode is any one selected from the group consisting of gold layer, copper layer, aluminum layer, niobium layer, silver layer, tungsten layer, cobalt layer and nickel layer. 순차적으로 적층된 하부전극, 제1절연층, 중간전극, 제2절연층 및 상부전극; 및A lower electrode, a first insulating layer, an intermediate electrode, a second insulating layer, and an upper electrode sequentially stacked; And 상기 상부전극 상에 형성된 탄소 나노 구조층;을 구비하는 것을 특징으로 표면전자 방출소자. And a carbon nano structure layer formed on the upper electrode. 삭제delete 제 7 항에 있어서, The method of claim 7, wherein 상기 탄소 나노 구조층은 플러렌층인 것을 특징으로 하는 표면전자 방출소자.The carbon nano structure layer is a surface electron emission device, characterized in that the fullerene layer. 제 7 항에 있어서, The method of claim 7, wherein 상기 탄소 나노구조층은 0.2~20 nm 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 표면전자 방출소자.The carbon nanostructure layer is a surface electron emission device, characterized in that formed in a thickness of 0.2 ~ 20 nm. 제 7 항에 있어서, The method of claim 7, wherein 상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층은 알루미늄 산화물층, NiO층, ZrO2층, ZnO층 및 TiO2층으로 이루어진 군 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 표면전자 방출소자.The first insulating layer and the second insulating layer is any one selected from the group consisting of aluminum oxide layer, NiO layer, ZrO 2 layer, ZnO layer and TiO 2 layer. 제 7 항에 있어서, The method of claim 7, wherein 상기 하부전극, 중간전극 및 상기 상부전극 중 적어도 어느 하나는 금층, 구리층, 알루미늄층, 니오븀층, 은층, 텅스텐층, 코발트층 및 니켈층으로 이루어진 군 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 표면전자 방출소자.At least one of the lower electrode, the intermediate electrode and the upper electrode is any one selected from the group consisting of gold layer, copper layer, aluminum layer, niobium layer, silver layer, tungsten layer, cobalt layer and nickel layer Emitting element. 소정의 간격을 두고 평행하게 설치된 상부기판 및 하부기판;An upper substrate and a lower substrate installed in parallel at predetermined intervals; 상기 하부기판을 대향하는 상부기판의 내면에 형성된 애노드 전극; An anode formed on an inner surface of the upper substrate facing the lower substrate; 상기 애노드 전극 상에 형성된 형광층; 및A fluorescent layer formed on the anode electrode; And 상기 하부기판 상에 형성된 표면전자 방출소자;를 구비하며, And a surface electron emission device formed on the lower substrate. 상기 표면전자 방출소자는: The surface electron emitting device is: 순차적으로 적층된 하부전극, 절연층 및 상부전극; 및 A lower electrode, an insulating layer, and an upper electrode sequentially stacked; And 상기 상부전극 상에 형성된 탄소 나노 구조층;을 구비하는 것을 특징으로 표면전자 방출소자를 구비한 디스플레이 장치. And a carbon nano structure layer formed on the upper electrode. 삭제delete 제 13 항에 있어서, The method of claim 13, 상기 탄소 나노 구조층은 플러렌층인 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.The carbon nano structure layer is a display device, characterized in that the fullerene layer. 제 13 항에 있어서, The method of claim 13, 상기 탄소 나노구조층은 0.2~20 nm 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.The carbon nanostructure layer is a display device, characterized in that formed in a thickness of 0.2 ~ 20 nm. 제 13 항에 있어서, The method of claim 13, 상기 절연층은 알루미늄 산화물층, NiO층, ZrO2층, ZnO층 및 TiO2층으로 이루어진 군 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.The insulating layer is a display device, characterized in that any one selected from the group consisting of aluminum oxide layer, NiO layer, ZrO 2 layer, ZnO layer and TiO 2 layer. 제 13 항에 있어서, The method of claim 13, 상기 하부전극 및 상기 상부전극 중 적어도 어느 하나는 금층, 구리층, 알루미늄층, 니오븀층, 은층, 텅스텐층, 코발트층 및 니켈층으로 이루어진 군 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.At least one of the lower electrode and the upper electrode is any one selected from the group consisting of gold layer, copper layer, aluminum layer, niobium layer, silver layer, tungsten layer, cobalt layer and nickel layer. 제 13 항에 있어서, The method of claim 13, 상기 하부전극 및 상기 상부전극은 서로 직교하여 직교된 부분에 하나의 픽셀영역을 형성하는 스트라이프 형상의 전극인 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치. And the lower electrode and the upper electrode are stripe-shaped electrodes which form one pixel area at orthogonal to each other. 제 13 항에 있어서, The method of claim 13, 상기 상부전극 및 상기 상부기판은 광이 투과하도록 투명한 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치. And the upper electrode and the upper substrate are made of a transparent material to transmit light. 소정의 간격을 두고 평행하게 설치된 상부기판 및 하부기판;An upper substrate and a lower substrate installed in parallel at predetermined intervals; 상기 하부기판을 대향하는 상부기판의 내면에 형성된 애노드 전극; An anode formed on an inner surface of the upper substrate facing the lower substrate; 상기 애노드 전극 상에 형성된 형광층; 및 A fluorescent layer formed on the anode electrode; And 상기 하부기판 상에 형성된 표면전자 방출소자;를 구비하며, And a surface electron emission device formed on the lower substrate. 상기 표면전자 방출소자는: The surface electron emitting device is: 순차적으로 적층된 하부전극, 제1절연층, 중간전극, 제2절연층 및 상부전극; 및A lower electrode, a first insulating layer, an intermediate electrode, a second insulating layer, and an upper electrode sequentially stacked; And 상기 상부전극 상에 형성된 탄소 나노 구조층;을 구비하는 것을 특징으로 표면전자 방출소자를 구비한 디스플레이 장치. And a carbon nano structure layer formed on the upper electrode. 삭제delete 제 21 항에 있어서, The method of claim 21, 상기 탄소 나노 구조층은 플러렌층인 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.The carbon nano structure layer is a display device, characterized in that the fullerene layer. 제 21 항에 있어서, The method of claim 21, 상기 탄소 나노구조층은 0.2~20 nm 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.The carbon nanostructure layer is a display device, characterized in that formed in a thickness of 0.2 ~ 20 nm. 제 21 항에 있어서, The method of claim 21, 상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층은 알루미늄 산화물층, NiO층, ZrO2층, ZnO층 및 TiO2층으로 이루어진 군 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.The first insulating layer and the second insulating layer is any one selected from the group consisting of aluminum oxide layer, NiO layer, ZrO 2 layer, ZnO layer and TiO 2 layer. 제 21 항에 있어서, The method of claim 21, 상기 하부전극, 중간전극 및 상부전극 중 적어도 어느 하나는 금층, 구리층, 알루미늄층, 니오븀층, 은층, 텅스텐층, 코발트층 및 니켈층으로 이루어진 군 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.At least one of the lower electrode, the intermediate electrode and the upper electrode is any one selected from the group consisting of gold layer, copper layer, aluminum layer, niobium layer, silver layer, tungsten layer, cobalt layer and nickel layer. 제 21 항에 있어서, The method of claim 21, 상기 하부전극 및 상기 상부전극은 서로 직교하여 직교된 부분에 하나의 픽셀영역을 형성하는 스트라이프 형상의 전극인 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치. And the lower electrode and the upper electrode are stripe-shaped electrodes which form one pixel area at orthogonal to each other. 제 21 항에 있어서, The method of claim 21, 상기 상부전극 및 상기 상부기판은 광이 투과하도록 투명한 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치. And the upper electrode and the upper substrate are made of a transparent material to transmit light.
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