KR100801008B1 - A COB type LED lamp and method for manufacturing the same - Google Patents

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KR100801008B1 KR1020050113005A KR20050113005A KR100801008B1 KR 100801008 B1 KR100801008 B1 KR 100801008B1 KR 1020050113005 A KR1020050113005 A KR 1020050113005A KR 20050113005 A KR20050113005 A KR 20050113005A KR 100801008 B1 KR100801008 B1 KR 100801008B1
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조현용
김경수
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Abstract

본 발명은 COB 타입 발광다이오드 램프 및 COB 타입 발광다이오드 램프의 제조 방법에 관한 것이다. 이중 COB 타입 발광다이오드 램프는, 기판(10)상에 장착되는 발광칩(20)과; 발광칩(20)이 내장되도록 기판(10) 상에 형성된 것으로서, 발광칩(20)으로부터 발생된 광이 투과되는 투과수지부(30)와; 투과수지부(30)의 가장자리에 형성되어, 발광칩(20)에서 측부로 발생되는 광을 차단하거나 전방으로 반사시키는 테두리수지부(40);를 포함한다.The present invention relates to a method of manufacturing a COB type light emitting diode lamp and a COB type light emitting diode lamp. The dual COB type LED lamp includes: a light emitting chip 20 mounted on a substrate 10; A transmissive resin part 30 formed on the substrate 10 so that the light emitting chip 20 is embedded therein and transmitting light generated from the light emitting chip 20; It is formed on the edge of the transmissive resin portion 30, the edge resin portion 40 for blocking or reflecting the light generated to the side from the light emitting chip 20 to the front; includes.

Description

씨오비 타입 발광다이오드 램프 및 그 제조방법{a COB type LED lamp and method for manufacturing the same}COB type LED lamp and method for manufacturing the same

도 1은 종래의 발광다이오드 램프의 정면도,1 is a front view of a conventional light emitting diode lamp,

도 2는 도 1의 ⅡI-ⅡI' 선을 따른 단면도,FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line III-III ′ of FIG. 1;

도 3은 본 발명에 따른 COB 타입 발광다이오드 램프의 정면도,3 is a front view of a COB type light emitting diode lamp according to the present invention;

도 4는 도 3의 Ⅳ-Ⅳ' 선을 따른 단면도,4 is a cross-sectional view taken along line IV-IV ′ of FIG. 3;

도 5는 도 3의 Ⅴ-Ⅴ' 선을 따른 단면도,5 is a cross-sectional view taken along the line VV ′ of FIG. 3;

도 6은 도 3의 발광 다이오드 램프의 기판에 기능성칩이 장착된 것을 도시한 도면, 6 is a view illustrating a functional chip mounted on a substrate of the LED lamp of FIG. 3;

도 7은 본 발명에 따른 COB 타입 발광다이오드 램프의 제조함에 있어서, 기판상에 투과수지부가 형성된 것을 도시한 도면이고, 도 8은 도 7의 Ⅶ-Ⅶ'을 따른 단면도,7 is a view showing a transmissive resin portion formed on a substrate in the manufacture of a COB type light emitting diode lamp according to the present invention, and FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line VII 'of FIG.

도 9는 본 발명에 따른 COB 타입 발광다이오드 램프의 제조함에 있어서, 투과수지부에 소잉홈이 형성된 것을 도시한 도면이고, 도 10은 도 9의 Ⅹ-Ⅹ,선을 따른 단면도,9 is a view showing a sawing groove is formed in the transmission resin in the manufacturing of the COB type light emitting diode lamp according to the present invention, Figure 10 is a cross-sectional view taken along the line VII-VII of FIG.

도 11은 본 발명에 따른 COB 타입 발광다이오드 램프의 제조함에 있어서, 소 잉홈 내부 및 투과수지부의 가장자리에 테두리수지부가 형성된 것을 도시한 도면이고, 도 12는 도 11의 XII-XII' 선을 따른 단면도,11 is a view showing that the edge resin portion is formed in the edge of the sawing groove and the permeable resin portion in the manufacturing of the COB type light emitting diode lamp according to the present invention, Figure 12 is taken along the line XII-XII 'of FIG. Cross-section,

도 13은 본 발명에 따른 COB 타입 발광다이오드 램프의 제조함에 있어서, 테두리수지부 및 기판이 2차 소잉되어 분리된 상태를 도시한 도면.13 is a view showing a state in which the edge resin portion and the substrate is separated by secondary sawing in the manufacture of a COB type light emitting diode lamp according to the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호 설명><Description of Signs of Major Parts of Drawings>

10 ... 기판10 ... PCB

20 ... 발광칩20 ... light emitting chip

25 ... 기능성칩25 ... functional chip

30 ... 투과수지부30 ... permeable resin part

40 ... 테두리수지부40 ... border resin

본 발명은 COB 타입 발광다이오드 램프 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 PCB 나 세라믹 기판에 금형 몰딩 공정을 통해 COB 형태의 박막 LED를 제조하는 방법을 통해서 제조되는 COB 타입 발광 다이오드에 관한 것이다. The present invention relates to a COB type light emitting diode lamp and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a COB type light emitting diode manufactured by a method of manufacturing a thin film LED of the COB type through a mold molding process on a PCB or a ceramic substrate. .

도 1은 종래의 발광다이오드 램프의 정면도이고, 도 2는 도 1의 ⅡI-ⅡI' 선을 따른 단면도이다.1 is a front view of a conventional light emitting diode lamp, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line III-III 'of FIG. 1.

도시된 바와 같이 종래의 발광다이오드 램프는, 리드프레임(1)이 내장되도록 상자 형태의 외관을 가지는 램프박스(2)와, 램프박스(2) 내부에서 리드프레임(1)과 전기적으로 연결되는 발광칩(3)과, 램프박스(2) 내부에 채워지는 투과수지부(4)로 이루어진다. 여기서, 램프박스(2)는 비투과성을 가지는 백색 플라스틱을 박스 형상으로 사출 성형함으로써 이루어지고, 투과수지부(4)는 투과성을 가지는 액상의 에폭시 수지나 Si 에폭시 수지등으로 이루어진다. 이러한 구조에 의하여, 발광칩(3)으로부터 발생된 광은 투과수지부(4)를 투과하여 전방으로 방출되고, 사이드로 발생하는 광은 램프박스(2) 내벽에서 차단되거나 반사되어 전방으로 방출된다. As shown in the drawing, a conventional LED lamp includes a lamp box 2 having a box-shaped appearance such that the lead frame 1 is embedded therein, and light emission electrically connected to the lead frame 1 inside the lamp box 2. It consists of a chip 3 and a transparent resin portion 4 filled in the lamp box 2. Here, the lamp box 2 is made by injection molding a non-transmissive white plastic into a box shape, and the permeable resin portion 4 is made of a liquid epoxy resin, Si epoxy resin, or the like having a permeability. By this structure, the light generated from the light emitting chip 3 is transmitted forward through the transmission resin portion 4, and the light generated to the side is blocked or reflected at the inner wall of the lamp box 2 is emitted forward. .

그런데 상기한 구조의 발광다이오드 램프에 있어서, 램프박스(2)는 비투과형 수지를 사출 성형함으로써 이루어지므로 소형화하는데 많은 장애가 있었다. 특히 최근 전자부품의 소형화됨에 따라 발광다이오드 램프 역시 소형화의 요구가 커지고 있는 상황에서, 사출성형을 이용한 발광다이오드 램프의 제조방식은 많은 한계점을 노출시키고 있다. By the way, in the light emitting diode lamp of the above-described structure, since the lamp box 2 is made by injection molding a non-transmissive resin, there have been many obstacles in miniaturization. In particular, the recent miniaturization of electronic components in the situation that the demand for miniaturization of the light emitting diode lamp is also increasing, the manufacturing method of the light emitting diode lamp using injection molding exposes many limitations.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로서, 소형으로 용이하게 제작할 수 있는 COB 타입 발광다이오드 램프 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a COB type light emitting diode lamp and a method of manufacturing the same, which can be easily manufactured in a small size.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 COB 타입 발광다이오드 램프는, 기판(10)상에 장착되는 발광칩(20)과; 상기 발광칩(20)이 내장되도록 상기 기판(10) 상에 형성된 것으로서, 상기 발광칩(20)으로부터 발생된 광이 투과되는 투과수지부(30)와; 상기 투과수지부(30)의 가장자리에 형성되어, 상기 발광칩(20)에서 측부로 발생되는 광을 차단하거나 전방으로 반사시키는 테두리수지부(40);를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a COB type light emitting diode lamp according to the present invention, the light emitting chip 20 mounted on the substrate 10; A transmissive resin part 30 formed on the substrate 10 to allow the light emitting chip 20 to be embedded therein, and configured to transmit light generated from the light emitting chip 20; It is formed on the edge of the transmissive resin portion 30, the edge resin portion 40 to block or reflect the light generated to the side from the light emitting chip 20 to the front; characterized in that it comprises a.

본 발명에 있어서, 상기 투과수지부(30) 내부의 기판(10)상에는 기능성칩(25)이 장착되되, 상기 기능성칩(25)은 상기 발광칩(20)을 정전기로부터 보호하는 정전기 보호용 소자인 TVR(Transient Voltage Rectifier)이나 고전압으로부터 보호하기 위한 Zener Diode 인 것이 바람직하다.In the present invention, the functional chip 25 is mounted on the substrate 10 inside the transmissive resin part 30, and the functional chip 25 is an electrostatic protection element that protects the light emitting chip 20 from static electricity. It is preferably a Zener Diode for protecting against TVR (Transient Voltage Rectifier) or high voltage.

본 발명에 있어서, 상기 투과수지부(30)에는 상기 발광칩(20)에서 발생된 광에 의하여 발광되는 형광체가 포함된다. In the present invention, the transparent resin part 30 includes a phosphor that emits light by the light generated by the light emitting chip 20.

상기와 같은 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에 따른 COB 타입 발광다이오드 램프 제조방법은, 기판(10) 상에 일정한 간격으로 다수의 발광칩(20)을 장착하 는 단계와; In order to achieve the above object, a method of manufacturing a COB type light emitting diode lamp according to the present invention comprises the steps of mounting a plurality of light emitting chips 20 on a substrate 10 at regular intervals;

상기 다수의 발광칩(20)이 내장되도록 기판(10) 상에 투과수지부(30)를 금형 몰딩하는 단계;Molding the transmissive resin part 30 on the substrate 10 so that the plurality of light emitting chips 20 are embedded therein;

상기 발광칩(20)이 각각 분리되도록 투과수지부(30)를 1 차 소잉(Sawing)하여 소잉홈(31)을 형성하는 단계; Forming a sawing groove 31 by first sawing the transmission resin part 30 so that the light emitting chips 20 are separated from each other;

상기 소잉홈(31)에 테두리수지부(40)를 금형 몰딩하는 단계; 및 Mold molding the edge resin part 40 to the sawing groove 31; And

상기 테두리수지부(40) 및 기판(10)을 2 차 소잉하는 단계를 포함Secondary sawing the edge resin portion 40 and the substrate 10.

하는 COB 타입 발광다이오드 램프 제조 방법을 제공한다. It provides a COB type light emitting diode lamp manufacturing method.

본 발명에 따른 COB 타입 발광다이오드 램프 제조방법의 바람직한 실시에 있어서, 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 COB 타입 발광다이오드 램프 제조방법은, 기판(10) 상에 일정한 간격으로 다수의 발광칩(20)을 장착하는 제1단계(S1)와; 상기 다수의 발광칩(20)이 내장되도록 기판(10) 상에 제1테두리금형(미도시)을 배치하는 제2단계(S2)와; 상기 제1테두리금형 내측으로 투과형 액상수지를 투입하여 투과수지부(30)를 형성한 후, 그 제1테두리금형을 제거하는 제3단계(S3)와; 상기 발광칩(20)이 각각 분리되도록 상기 투과수지부(30)를 1차 소잉(Sawing)하여 소잉홈(31)을 형성하는 제4단계(S4)와; 1차 소잉된 상기 투과수지부(30)의 외곽에 제1테두리금형보다 큰 제2테두리금형(미도시)을 배치하는 제5단계(S5)와; 상기 제2테두리금형 내측으로 비투과형 액상수지를 투입하여 소잉홈(31) 내부 및 투과수지부(30)의 가장자리에 테두리수지부(40)를 형성한 후, 상기 제2테두리금형을 제거하는 제6단계(S6)와; 상기 발광칩(20)이 각각 내장되도록 상기 테두리수지부(40) 및 기판(10)을 2차 소잉하여 분리하는 제7단계(S7);를 포함하는 것을 특징으로 한다.In the preferred embodiment of the COB type light emitting diode lamp manufacturing method according to the present invention, in order to achieve the above object, the COB type light emitting diode lamp manufacturing method according to the present invention, a plurality of at regular intervals on the substrate (10) A first step S1 of mounting the light emitting chip 20; A second step (S2) of disposing a first edge mold (not shown) on the substrate 10 to embed the plurality of light emitting chips 20; A third step (S3) of forming the permeable resin part 30 by inserting the transmissive liquid resin into the first border mold and removing the first border mold; A fourth step (S4) of forming the sawing groove 31 by first sawing the transmission resin part 30 so that the light emitting chips 20 are separated from each other; A fifth step (S5) of disposing a second edge mold (not shown) larger than a first edge mold on the outer side of the first sawed permeable resin part 30; After inserting the non-transparent liquid resin into the inside of the second rim mold to form a border resin portion 40 in the sawing groove 31 and the edge of the permeable resin portion 30, and removes the second rim mold Step 6 (S6) and; And a seventh step (S7) of separating the edge resin portion 40 and the substrate 10 by secondary sawing so that the light emitting chips 20 are respectively embedded therein.

본 발명의 상기 제1단계(S1)에 있어서, 상기 투과수지부(30) 내부의 기판(10)상에 상기 발광칩(20)을 정전기로부터 보호하거나, 고전압으로부터 보호하기 위한 기능성칩(25)을 장착된다.In the first step (S1) of the present invention, the functional chip 25 for protecting the light emitting chip 20 from static electricity or high voltage on the substrate 10 inside the transparent resin portion 30. Is fitted.

본 발명의 상기 제3단계(S3)에 있어서, 상기 투과형 액상수지에 상기 발광칩(20)에서 발생되는 광에 의하여 발광되는 형광체가 배합된다.In the third step (S3) of the present invention, a phosphor that is emitted by the light generated from the light emitting chip 20 is blended with the transmissive liquid resin.

이하, 본 발명에 따른 COB 타입 발광다이오드 램프 및 그 제조방법을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a COB type light emitting diode lamp and a method of manufacturing the same according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명에 따른 COB 타입 발광다이오드 램프의 정면도이고, 도 4는 도 3의 Ⅳ-Ⅳ' 선을 따른 단면도이며, 도 5는 도 3의 Ⅴ-Ⅴ' 선을 따른 단면도이다. 그리고 도 6은 도 3의 발광 다이오드 램프의 기판에 기능성칩이 장착된 것을 도시한 도면이다. 3 is a front view of a COB type light emitting diode lamp according to the present invention, FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line IV-IV 'of FIG. 3, and FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line V-V' of FIG. 3. 6 is a diagram illustrating a functional chip mounted on a substrate of the LED lamp of FIG. 3.

도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 COB 타입 발광다이오드 램프는, 기판(10)상에 장착되는 발광칩(20)과; 발광칩(20)이 내장되도록 기판(10) 상에 형성된 것으로서, 발광칩(20)으로부터 발생된 광이 투과되는 투과수지부(30)와; 투과수지부(30)의 가장자리에 형성되어, 발광칩(20)에서 측부로 발생되는 광을 차단하거나 전방으로 반사시키는 테두리수지부(40);를 포함한다. As shown, the COB type light emitting diode lamp according to the present invention comprises: a light emitting chip 20 mounted on a substrate 10; A transmissive resin part 30 formed on the substrate 10 so that the light emitting chip 20 is embedded therein and transmitting light generated from the light emitting chip 20; It is formed on the edge of the transmissive resin portion 30, the edge resin portion 40 for blocking or reflecting the light generated to the side from the light emitting chip 20 to the front; includes.

이때, 투과수지부(30) 내부의 기판(10)상에는 발광칩(20)을 정전기로부터 보호하는 정전기 보호용 소자인 TVR(Transient Voltage Rectifier)이나, 고전압으로 부터 보호하기 위한 Zener Diode 등의 기능성칩(25)이 장착될 수도 있다. At this time, a functional chip such as a TVR (Transient Voltage Rectifier) that protects the light emitting chip 20 from static electricity and a Zener Diode for protecting it from high voltage on the substrate 10 inside the transmissive resin part 30 ( 25) may be mounted.

그리고, 투과수지부(30)에는 발광칩(20)에서 발생된 광에 의하여 발광되는 형광체가 포함된 것이 바람직하다.In addition, the transmissive resin part 30 preferably includes a phosphor that is emitted by light generated by the light emitting chip 20.

다음, 본 발명에 따른 COB 타입 발광다이오드 램프 제조방법을 설명한다.Next, a method of manufacturing a COB type light emitting diode lamp according to the present invention will be described.

도 7은 본 발명에 따른 COB 타입 발광다이오드 램프의 제조함에 있어서, 기판상에 투과수지부가 형성된 것을 도시한 도면이고, 도 8은 도 7의 Ⅶ-Ⅶ'을 따른 단면도이다. 또 도 9는 본 발명에 따른 COB 타입 발광다이오드 램프의 제조함에 있어서, 투과수지부에 소잉홈이 형성된 것을 도시한 도면이고, 도 10은 도 9의 Ⅹ-Ⅹ,선을 따른 단면도이다. 또한 도 11은 본 발명에 따른 COB 타입 발광다이오드 램프의 제조함에 있어서, 소잉홈 내부 및 투과수지부의 가장자리에 테두리수지부가 형성된 것을 도시한 도면이고, 도 12는 도 11의 XII-XII' 선을 따른 단면도이다. 그리고 도 13은 본 발명에 따른 COB 타입 발광다이오드 램프의 제조함에 있어서, 테두리수지부 및 기판이 2차 소잉되어 분리된 상태를 도시한 도면이다. FIG. 7 is a view illustrating a transmissive resin portion formed on a substrate in manufacturing a COB type light emitting diode lamp according to the present invention, and FIG. 8 is a cross-sectional view taken along the line VII ′ of FIG. 7. 9 is a view showing a sawing groove is formed in the transmission resin in the manufacturing of the COB type light emitting diode lamp according to the present invention, Figure 10 is a cross-sectional view taken along the line VII-VII of FIG. In addition, Figure 11 is a view showing that the edge resin portion is formed in the sawing groove and the edge of the transparent resin in the manufacturing of the COB type light emitting diode lamp according to the present invention, Figure 12 is a line XII-XII 'of FIG. According to the cross-sectional view. 13 is a view showing a state in which the edge resin portion and the substrate are separated by secondary sawing in the manufacture of the COB type light emitting diode lamp according to the present invention.

도시된 바와 같이, COB 타입 발광다이오드 램프 제조방법을 수행하기 위하여, 먼저 기판(10) 상에 일정한 간격으로 다수의 발광칩(20)을 장착하는 제1단계(S1)를 수행한다. 제1단계(S1)에서 사용되는 기판(10)은 PCB(Pricted Circuit Board)나 세라믹기판이며, 발광칩(20)은 COB(Chip On Board)으로 기판(10) 상에 직접 장착되는 것이다. 이때 제1단계(S1)에서, 예를 들면 정전기 보호용 소자인 TVR(Transient Voltage Rectifier)나 Zener Diode 등의 기능성칩(25)을 기판(10) 상에 함께 장착될 수도 있다. As shown, in order to perform the COB type light emitting diode lamp manufacturing method, a first step S1 of mounting a plurality of light emitting chips 20 at regular intervals on a substrate 10 is performed. The substrate 10 used in the first step S1 is a printed circuit board (PCB) or a ceramic substrate, and the light emitting chip 20 is directly mounted on the substrate 10 by a chip on board (COB). In this case, in the first step S1, for example, a functional chip 25 such as a transient voltage rectifier (TVR) or a Zener Diode, which is an electrostatic protection element, may be mounted together on the substrate 10.

다음, 다수의 발광칩(20)이 내장되도록 기판(10) 상에 제1테두리금형(미도시)을 배치하는 제2단계(S2)를 수행한다. 제2단계(S2)에서 사용되는 제1테두리금형은 직사각형 형상을 가지며, 다수의 발광칩(20)이 중앙에 위치될 수 있도록 기판(10) 상에 배치된다. Next, a second step S2 of disposing a first edge mold (not shown) on the substrate 10 is performed to embed the plurality of light emitting chips 20. The first border mold used in the second step S2 has a rectangular shape and is disposed on the substrate 10 so that the plurality of light emitting chips 20 can be positioned at the center.

다음, 도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이 제1테두리금형 내측으로 투과형 액상수지를 투입하여 투과수지부(30)를 형성한 후, 그 제1테두리금형을 제거하는 제3단계(S3)를 수행한다. 제3단계(S3)에서 투과수지부(30)를 형성하기 위하여 투입되는 투과형 액상수지로는 에폭시 수지나 Si 에폭시 수지를 사용한다. 이때, 투과형 액상수지에 발광칩(20)에서 발생되는 광에 의하여 발광되는 형광체를 배합할 경우, 특정 색깔의 광을 발생시킬 수 있다. 예를 들면, 발광칩(20)에서 청색광을 발생하고, 형광체를 노랑 형광체를 사용할 경우, 궁극적으로 발생되는 광은 백색광이 될 것이다. Next, as shown in FIG. 7 and FIG. 8, after forming the permeable resin part 30 by inserting the transmissive liquid resin into the first edge mold, a third step S3 of removing the first edge mold is performed. Perform. Epoxy resin or Si epoxy resin is used as the transmissive liquid resin to be added to form the permeable resin part 30 in the third step (S3). In this case, when the fluorescent material emitted by the light emitted from the light emitting chip 20 is mixed with the transmissive liquid resin, light of a specific color may be generated. For example, when the blue light is generated in the light emitting chip 20, and the yellow phosphor is used as the phosphor, the ultimately generated light will be white light.

다음, 도 9 및 도 10에 도시된 바와 같이 발광칩(20)이 각각 분리되도록 투과수지부(30)를 1차 소잉(Sawing)하여 소잉홈(31)을 형성하는 제4단계(S4)를 수행한다. 제4단계(S4)에서 이루어지는 1차 소잉은 0.1mm ~ 0.3mm 두께의 톱을 이용하여 진행되며, 기판(10)은 소잉하지 않고 투과수지부(30)만을 소잉함으로써, 투과수지부(30) 상에 소잉홈(31)을 형성하는 것이다. Next, as shown in FIGS. 9 and 10, a fourth step S4 of forming a sawing groove 31 by first sawing the transparent resin unit 30 so that the light emitting chips 20 are separated from each other is performed. Perform. The first sawing performed in the fourth step S4 is performed by using a saw having a thickness of 0.1 mm to 0.3 mm, and the substrate 10 is sawed only by the sawing resin 30 without sawing. It is to form the sawing groove 31 on.

다음, 1차 소잉된 투과수지부(30)의 외곽에 제1테두리금형보다 큰 제2테두리금형(미도시)을 배치하는 제5단계(S5)를 수행한다. 제5단계(S5)에서 사용되는 제2테두리금형(M2)은 제1테두리금형(M1)에 비하여 폭과 길이가 조금 큰 직사각형 형상 을 가진다. 이러한 제2테두리금형(M2)의 내주면은 투과수지부(30)의 모든 가장자리와 소정 간격 이격되게 배치되어야 한다. Next, a fifth step S5 of disposing a second edge mold (not shown) larger than the first edge mold is performed on the outer side of the first sawed permeable resin part 30. The second border mold M2 used in the fifth step S5 has a rectangular shape slightly larger in width and length than the first border mold M1. The inner circumferential surface of the second edge mold M2 should be spaced apart from all edges of the permeable resin part 30 by a predetermined interval.

다음, 도 11 및 도 12에 도시된 바와 같이 제2테두리금형 내측으로 비투과형 액상수지를 투입하여 소잉홈(31) 내부 및 투과수지부(30)의 가장자리에 테두리수지부(40)를 형성한 후, 제2테두리금형을 제거하는 제6단계(S6)를 수행한다. 제6단계(S6)에서 제2테두리금형(M2)의 내주면과 투과수지부(30) 사이 및 소잉홈(31)에 투입되는 비투과형 액상수지는 백색의 플라스틱을 사용한다. Next, as shown in FIGS. 11 and 12, the non-transmissive liquid resin is introduced into the second edge mold to form the edge resin part 40 at the edge of the sawing groove 31 and the permeable resin part 30. Thereafter, a sixth step S6 of removing the second edge mold is performed. In the sixth step S6, the non-transparent liquid resin introduced into the sawing groove 31 and between the inner circumferential surface of the second edge mold M2 and the permeable resin part 30 uses white plastic.

다음, 도 13에 도시된 바와 같이 발광칩(20)이 각각 내장되도록 테두리수지부(40) 및 기판(10)을 2차 소잉하여 분리하는 제7단계(S7)를 수행한다. 제7단계(S7)에서 이루어지는 2차 소잉은 0.02mm ~ 0.2mm 두께의 톱을 이용하여 진행되며, 소잉홈(31)에 형성된 테두리수지부(40) 및 하부의 기판(10)을 완전히 소잉함으로써 분리하게 된다. Next, as shown in FIG. 13, a seventh step S7 is performed by secondary sawing and separating the edge resin unit 40 and the substrate 10 so that the light emitting chips 20 are embedded therein. The second sawing performed in the seventh step S7 is performed by using a saw having a thickness of 0.02 mm to 0.2 mm, by completely sawing the edge resin portion 40 and the lower substrate 10 formed in the sawing groove 31. Will be separated.

본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. Although the present invention has been described with reference to one embodiment shown in the drawings, this is merely exemplary, and those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom.

이와 같이, 본원에 따른 COB 타입 발광다이오드 램프 및 그 제조방법에 따르면, 기판상에 발광칩, 투과수지부, 테두리수지부가 COB 타입으로 형성됨으로써, 제조되는 발광 다이오드 램프의 크기나 두께를 작게 할 수 있으며, 더 나아가 제작의 용이성과 제품의 균일성을 확보할 수 있음과 동시에 대량 생산이 가능하다. 그리 고, 1차 및 2차 소잉을 함에 있어서 두께를 변경하면 동일한 기판과 제1,2테두리금형을 이용하더라도 다른 종류의 발광다이오드 램프의 제작이 가능하다.As described above, according to the COB type light emitting diode lamp and a method of manufacturing the same, the light emitting chip, the transmissive resin portion, and the edge resin portion are formed in the COB type on the substrate, whereby the size and thickness of the LED lamp manufactured can be reduced. In addition, it is possible to ensure the ease of production and uniformity of the product and at the same time mass production. In addition, if the thickness is changed in the first and second sawing, different types of light emitting diode lamps can be manufactured even with the same substrate and the first and second edge molds.

Claims (11)

기판(10)상에 장착되는 발광칩(20)과;A light emitting chip 20 mounted on the substrate 10; 상기 발광칩(20)이 내장되도록 상기 기판(10) 상에 형성된 것으로서, 상기 발광칩(20)으로부터 발생된 광이 투과되는 투과수지부(30)와;A transmissive resin part 30 formed on the substrate 10 to allow the light emitting chip 20 to be embedded therein, and configured to transmit light generated from the light emitting chip 20; 상기 투과수지부(30)의 가장자리에 형성되어, 상기 발광칩(20)에서 측부로 발생되는 광을 차단하거나 전방으로 반사시키는 테두리수지부(40);를 포함하는 것을 특징으로 하는 COB 타입 발광다이오드 램프.COB type light emitting diodes, characterized in that it is formed on the edge of the transmissive resin portion 30, the edge resin portion 40 for blocking or reflecting forward the light generated to the side from the light emitting chip 20; lamp. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 투과수지부(30) 내부의 기판(10)상에는 기능성칩(25)이 장착되되, 상기 기능성칩(25)은 상기 발광칩(20)을 정전기로부터 보호하는 정전기 보호용 소자인 TVR(Transient Voltage Rectifier)이나 고전압으로부터 보호하기 위한 Zener Diode 인 것을 특징으로 하는 COB 타입 발광다이오드 램프.The functional chip 25 is mounted on the substrate 10 inside the transmissive resin part 30, and the functional chip 25 is a TVR (Transient Voltage Rectifier) that is an electrostatic protection device that protects the light emitting chip 20 from static electricity. COB type light emitting diode lamp, which is a Zener diode for protecting against high voltage). 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 투과수지부(30)에는 상기 발광칩(20)에서 발생된 광에 의하여 발광되는 형광체가 포함된 것을 특징으로 하는 COB 타입 발광다이오드 램프.The transmissive resin part 30 is a COB type light emitting diode lamp, characterized in that the phosphor that is emitted by the light generated from the light emitting chip (20). 삭제delete 기판(10) 상에 일정한 간격으로 다수의 발광칩(20)을 장착하는 단계와; Mounting a plurality of light emitting chips 20 on the substrate 10 at regular intervals; 상기 다수의 발광칩(20)이 내장되도록 기판(10) 상에 투과수지부(30)를 금형 몰딩하는 단계;Molding the transmissive resin part 30 on the substrate 10 so that the plurality of light emitting chips 20 are embedded therein; 상기 발광칩(20)이 각각 분리되도록 상기 투과수지부(30)를 1 차 소잉(Sawing)하여 소잉홈(31)을 형성하는 단계; Forming a sawing groove 31 by first sawing the transparent resin unit 30 so that the light emitting chips 20 are separated from each other; 상기 소잉된 투과수지부(30) 주변에 테두리수지부(40)를 금형 몰딩하는 단계; 및 Mold molding the edge resin portion 40 around the sawed permeable resin portion 30; And 상기 테두리수지부(40) 및 기판(10)을 2 차 소잉하여 각각 분리하는 단계;Second sawing the edge resin portion 40 and the substrate 10 to separate them; 를 포함하는 COB 타입 발광다이오드 램프 제조 방법.COB type light emitting diode lamp manufacturing method comprising a. 제 5 항에 있어서, 상기 투과수지부(30)를 금형 몰딩하는 단계는 The method of claim 5, wherein the molding of the permeable resin part 30 상기 다수의 발광칩(20)이 내장되도록 기판(10) 상에 제1테두리금형을 배치하는 단계와;Disposing a first border mold on a substrate (10) to embed the plurality of light emitting chips (20); 상기 제1테두리금형 내측으로 투과형 액상수지를 투입하여 투과수지부(30)를 형성한 후, 그 제1테두리금형을 제거하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 COB 타입 발광다이오드 램프 제조 방법.COB type light emitting diode lamp manufacturing method comprising the step of forming the permeable resin portion 30 by introducing the transmissive liquid resin into the inside of the first border mold, the first border mold. 제5항에 있어서, 테두리수지부(40)를 금형 몰딩하는 단계는 The method of claim 5, wherein the mold molding of the edge resin portion 40 상기 투과수지부(30)의 외곽에 투과수지부(30)보다 큰 제2테두리금형을 배치하는 단계; 및 상기 제2테두리금형 내측으로 비투과형 액상수지를 투입하여 소잉홈(31) 내부 및 투과수지부(30)의 가장자리에 테두리수지부(40)를 형성한 후, 상기 제2테두리금형을 제거하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 COB 타입 발광다이오드 램프 제조 방법.Disposing a second edge mold larger than the permeable resin part 30 on the periphery of the permeable resin part 30; And inserting a non-transmissive liquid resin into the second edge mold to form the edge resin portion 40 inside the sawing groove 31 and the edge of the permeable resin portion 30, and then removing the second edge mold. COB type light emitting diode lamp manufacturing method comprising the steps. 제5항에 있어서, The method of claim 5, 상기 다수의 발광칩(20)을 장착하는 단계에서, 상기 투과수지부(30) 내부의 기판(10)상에 상기 발광칩(20)을 정전기로부터 보호하거나, 고전압으로부터 보호하기 위한 기능성칩(25)이 장착되는 것을 특징으로 하는 COB 타입 발광다이오드 램프 제조방법.In the mounting of the plurality of light emitting chips 20, the functional chip 25 for protecting the light emitting chip 20 from static electricity or from high voltage on the substrate 10 inside the transparent resin part 30. COB type light emitting diode lamp manufacturing method characterized in that it is mounted. 제5항에 있어서, 상기 투과형 액상수지에 상기 발광칩(20)에서 발생되는 광에 의하여 발광되는 형광체를 배합되는 것을 특징으로 하는 COB 타입 발광다이오드 램프 제조방법.A method of manufacturing a COB type light emitting diode lamp according to claim 5, wherein the transmissive liquid resin is compounded with a phosphor which is emitted by light generated by the light emitting chip (20). 제 5 항에 있어서, 1차 소잉에 의해서 제거되는 투과수지부의 두께가 0.1 - 0.3 mm 인 것을 특징으로 하는 COB 타입 발광다이오드 램프 제조방법.A method of manufacturing a COB type light emitting diode lamp according to claim 5, wherein the thickness of the transparent resin portion removed by primary sawing is 0.1-0.3 mm. 제 5 항에 있어서, 2차 소잉에 의해서 제거되는 COB의 두께가 0.02-0.2 mm 정도인 것을 특징으로 하는 COB 타입 발광다이오드 램프 제조방법.The method of manufacturing a COB type light emitting diode lamp according to claim 5, wherein the thickness of the COB removed by secondary sawing is about 0.02-0.2 mm.
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