KR100798870B1 - Conductive metal plated polyimide substrate including coupling agent and method for producing the same - Google Patents
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Abstract
본 발명에 따른 커플링 에이전트를 포함하는 전도성 금속 도금 폴리이미드 기판은 표면의 이미드 링이 에칭되어 개열된 폴리이미드막층; 및 상기 폴리이미드막에 무전해 도금 방식으로 형성된 제 1 전도성 금속박막, 및 상기 제 1 전도성 금속 박막 상에 전해 도금 방식으로 형성된 제 2 전도성 금속 박막을 포함하는 전도성 금속 박막층;을 포함한다. 여기서, 상기 개열된 이미드 링에 소정의 커플링 에이전트가 결합되어, 상기 폴리이미드막층에 극성이 부여되어 있다. A conductive metal plated polyimide substrate comprising a coupling agent according to the present invention comprises: a polyimide film layer in which an imide ring on a surface is etched and cleaved; And a conductive metal thin film layer including a first conductive metal thin film formed on the polyimide film by an electroless plating method, and a second conductive metal thin film formed on the first conductive metal thin film by an electrolytic plating method. Here, a predetermined coupling agent is bonded to the cleaved imide ring, and polarity is given to the polyimide membrane layer.
폴리이미드, 구리, FCCL, COF, FPCB Polyimide, copper, FCCL, COF, FPCB
Description
본 발명은 커플링 에이전트를 포함하는 전도성 금속 도금 폴리이미드 기판 및 그 제조 방법, 특히 커플링 에이전트를 포함하는 2 층 구조의 전도성 금속 도금 폴리이미드 기판 및 그 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a conductive metal plated polyimide substrate comprising a coupling agent and a method for producing the same, in particular a conductive metal plated polyimide substrate having a two-layer structure including the coupling agent and a method of producing the same.
연성 인쇄 회로(Flexible printed circuit: 이하 ‘FPC'라 한다)의 핵심 소재인 연성 동박 적층 필름(Flexible copper clad laminate film: 이하‘FCCL'이라 한다)은 절연 필름층과 전도성 금속층으로 크게 구성되어 있다. A flexible copper clad laminate film (hereinafter referred to as "FCCL"), a core material of a flexible printed circuit (hereinafter referred to as "FPC"), is largely composed of an insulating film layer and a conductive metal layer.
일반적으로 절연 필름층으로는 폴리에스테르, 폴리이미드, 액정 폴리머, 불소 수지 필름 등이 사용되나, 내열성, 치수 안정성 및 납땜성이 우수한 폴리이미드 필름이 선호되고 있다. Generally, polyester, polyimide, liquid crystal polymer, fluororesin film and the like are used as the insulating film layer, but a polyimide film excellent in heat resistance, dimensional stability, and solderability is preferred.
한편, 전도성 금속층으로는 전기 저항이 낮으면서 전도도가 우수한 금, 구리 등이 사용되나, 가격 면에서 유리한 구리가 주로 사용된다. On the other hand, gold, copper and the like are used as the conductive metal layer having low electrical resistance and excellent conductivity, but copper which is advantageous in terms of price is mainly used.
현재, 절연필름 층과 전도성 금속층의 적층 방법의 관점에서, FCCL은 접착층 여부에 따라 절연층, 접착층 및 전도성 금속층으로 구성되는 FCCL, 및 절연층 및 전도성 금속층으로 구성되는 2 층 구조의 FCCL으로 대별된다. 그러나 물성적인 측면에서 3 층 FCCL은 회로 완성 후의 미세 패턴의 형성의 어려움, 굴곡성의 문제 등의 접착제로 인한 악영향으로 인해 2 층 구조의 FCCL 이 선호되고 있는 실정이다. At present, in terms of the method of laminating the insulating film layer and the conductive metal layer, FCCL is roughly divided into FCCL composed of the insulating layer, the adhesive layer and the conductive metal layer, and FCCL of the two-layer structure composed of the insulating layer and the conductive metal layer, depending on whether the adhesive layer is present. . However, in terms of physical properties, the three-layer FCCL has been favored by the two-layer FCCL due to the adverse effects of the adhesive such as the difficulty of forming a fine pattern after completing the circuit and the problem of flexibility.
FCCL의 제조 방법은 크게 적층 방법, 캐스팅 방법 및 도금 방법을 포함한다.The production method of FCCL largely includes lamination method, casting method and plating method.
적층 방법은 폴리이미드필름 상에 폴리이미드 접착제를 도포하고, 오븐에 구워 접착층을 고정하고, 그 후 폴리이미드 필름상에 구리박막을 위치시킨 후 프레스 가공하여 적층된 FCCL을 제조하는 방법이다. The lamination method is a method of producing a laminated FCCL by applying a polyimide adhesive on a polyimide film, baking in an oven to fix an adhesive layer, and then placing a copper thin film on the polyimide film and pressing.
캐스팅 방법은 현재 2 층 구조의 FCCL 제조 방법으로 널리 이용되는 것으로서, 규격생산된 구리박막위에 액상 폴리이미드 필름 전구체를 수층으로 도포하고, 고온의 오븐에서 건조, 경화시켜서 2 층 구조의 FCCL을 제조하는 방법이다. 그러나 이러한 캐스팅 방법은 시중에서 판매되고 있는 동박을 사용하기 때문에 동박제조기술의 한계를 그 단점으로 갖게 되는 바, 동박 두께를 10㎛ 이하로 제어하기가 대단히 어려운 단점이 있다. The casting method is widely used as a two-layer FCCL manufacturing method, and a liquid polyimide film precursor is applied on a standard-made copper thin film as a water layer, dried in a high-temperature oven, and cured to produce a two-layer FCCL. Way. However, since the casting method uses commercially available copper foil, the limitation of the copper foil manufacturing technology is a disadvantage, and it is very difficult to control the thickness of the copper foil to 10 μm or less.
한편, 도금 방법은 시판중인 폴리이미드 필름에 시드 층이라고 불리는 서브 미크론(submicron) 두께의 금속도전층을 스퍼터링 또는 증착으로 형성시키고, 다시 전기도금을 실시하여 구리박막을 적층시켜 FCCL을 제조하는 방법이다. 이러한 도금 방법으로 제조된 FCCL을 특히 전도성 금속 도금 폴리이미드 기판이라고 한다. Meanwhile, the plating method is a method of manufacturing FCCL by forming a submicron-thick metal conductive layer called a seed layer by sputtering or vapor deposition on a commercially available polyimide film, followed by electroplating to laminate a copper thin film. . The FCCL produced by this plating method is specifically referred to as a conductive metal plated polyimide substrate.
도금 방법은 적층 방법이나 캐스팅 방법에서 도체층으로 사용되는 시판 동박을 사용하지 않으므로, 스퍼터링 이후의 전기 도금에 의해 동박의 두께를 조절가능 한 장점이 있다. 그러나 도금 방법은 금속도전층을 생성시키는 공정이 진공 중에서 수행되기 때문에 높은 설비비가 소요되어 제품단가가 높고, FCCL제품을 FPCB나 COF로 가공하는 과정에서 시드층으로 사용된 니켈(Ni), 크롬(Cr), 코발트(Co)등의 제거를 위한 추가 에칭 공정이 요구되고, 구리박막과 폴리이미드 필름간의 밀착강도가 다른 제조법에 비해 떨어진다는 단점이 있다. 특히, 이러한 기술적인 측면 이외에도, 도금 방법은 사용가능한 폴리이미드 필름을 구하기 어려운 문제가 있다. 뿐만 아니라 종래의 도금 방법을 이용하여 제조된 FCCL은 박리 강도 등 그 물성이 다른 방법들에 의해 제조된 FCCL에 비해 떨어지는 문제점이 있다. Since the plating method does not use a commercially available copper foil used as a conductor layer in a lamination method or a casting method, there is an advantage that the thickness of the copper foil can be adjusted by electroplating after sputtering. However, in the plating method, since the process of generating the metal conductive layer is performed in a vacuum, a high equipment cost is required, resulting in high product cost, and nickel (Ni) and chromium (used as seed layers in the process of processing FCCL products into FPCB or COF). An additional etching process is required for the removal of Cr), cobalt (Co), and the like, and the adhesive strength between the copper thin film and the polyimide film is inferior to other manufacturing methods. In particular, in addition to these technical aspects, the plating method has a problem that it is difficult to obtain a usable polyimide film. In addition, the FCCL produced by using the conventional plating method has a problem that its physical properties such as peel strength is inferior to the FCCL manufactured by other methods.
본 발명은 신규한 도금 방법에 의한 2 층 구조의 FCCL인 전도성 금속 도금 폴리이미드 기판을 제공하고자 한다. The present invention seeks to provide a conductive metal plated polyimide substrate which is FCCL of a two-layer structure by a novel plating method.
또한, 본 발명은 2 층 구조의 FCCL인 전도성 금속 도금 폴리이미드 기판의 신규한 제조 방법을 제공하고자 한다. It is also an object of the present invention to provide a novel method for producing a conductive metal plated polyimide substrate which is a FCCL of a two-layer structure.
상기와 같은 기술적 과제의 해결을 위한, 본 발명에 따른 커플링 에이전트를 포함하는 전도성 금속 도금 폴리이미드 기판은 표면의 이미드 링이 에칭되어 개열된 폴리이미드막층; 및 상기 폴리이미드막에 무전해 도금 방식으로 형성된 제 1 전도성 금속박막, 및 상기 제 1 전도성 금속 박막 상에 전해 도금 방식으로 형성된 제 2 전도성 금속 박막을 포함하는 전도성 금속 박막층;을 포함한다. 여기서, 상기 개열된 이미드 링에 소정의 커플링 에이전트가 결합되어, 상기 폴리이미드막층에 극성이 부여되어 있다. In order to solve the above technical problem, the conductive metal-plated polyimide substrate comprising a coupling agent according to the present invention is a polyimide film layer etched by the surface of the imide ring; And a conductive metal thin film layer including a first conductive metal thin film formed on the polyimide film by an electroless plating method, and a second conductive metal thin film formed on the first conductive metal thin film by an electrolytic plating method. Here, a predetermined coupling agent is bonded to the cleaved imide ring, and polarity is given to the polyimide membrane layer.
본 발명의 또 다른 특징에 따른 커플링 에이전트를 포함하는 전도성 금속 도금 폴리이미드 기판 제조 방법은 a) 상기 폴리이미드막 표면을 KOH, 에틸렌글리콜 및 KOH 혼합 용액, Na0H, 피롤리돈 및 NaOH 혼합 수용액, 또는 무수크롬산 및 황산 혼합 용액으로 구성된 군으로부터 선택된 에칭 용액으로 에칭하는 단계; b) 상기 에칭된 폴리이미드막 표면을 소정의 커플링 에이전트를 포함하는 커플링제로 커플링하는 단계; c) 상기 폴리이미드막에 소정의 촉매를 흡착시키는 단계; d) 상기 촉매가 흡착된 폴리이미드막에 전류를 인가함 없이 제 1 전도성 금속막을 형성하는 제 1 도금 단계; 및 e) 상기 제 1 도금된 폴리이미드막에 전류를 인가하여 제 2 전도성 금속막을 형성하는 제 2 도금 단계를 포함한다. Method for producing a conductive metal-plated polyimide substrate comprising a coupling agent according to another aspect of the invention a) the surface of the polyimide membrane KOH, ethylene glycol and KOH mixed solution, Na0H, pyrrolidone and NaOH mixed aqueous solution, Or etching with an etching solution selected from the group consisting of a mixture of chromic anhydride and sulfuric acid; b) coupling the etched polyimide film surface with a coupling agent comprising a desired coupling agent; c) adsorbing a predetermined catalyst on the polyimide membrane; d) a first plating step of forming a first conductive metal film without applying current to the polyimide film to which the catalyst is adsorbed; And e) a second plating step of applying a current to the first plated polyimide film to form a second conductive metal film.
본 발명의 실시예에 따른 커플링 에이전트를 포함하는 전도성 금속 도금 폴리이미드 기판은 폴리이미드막에 결합된 커플링 에이전트를 통해 전도성 금속이 도금되어 수득된다. 따라서 본 발명의 커플링 에이전트를 포함하는 전도성 금속 도금 폴리이미드 기판은 폴리이미드막, 커플링 에이전트, 및 전도성 금속막을 포함한다. A conductive metal plated polyimide substrate comprising a coupling agent according to an embodiment of the present invention is obtained by plating a conductive metal through a coupling agent bonded to a polyimide film. Accordingly, the conductive metal plated polyimide substrate including the coupling agent of the present invention includes a polyimide film, a coupling agent, and a conductive metal film.
본 발명에서 사용되는 폴리이미드막은 전도성 금속의 도금 공정에 사용될 수 있는 것이면 크게 제한되지 않으며, 다층 폴리이미드막 또는 단일층 폴리이미드막일 수 있다. The polyimide film used in the present invention is not particularly limited as long as it can be used in the plating process of the conductive metal, and may be a multilayer polyimide film or a single layer polyimide film.
본 발명의 실시예에서는 설명의 편의를 위해서 전도성 금속으로 구리 박막을 이용하는 경우를 커플링 에이전트를 포함하는 전도성 금속 도금 폴리이미드 기판의 한 일례로 들어 설명하나, 본 발명의 보호 범위가 이에 한정되는 것은 아니다.In the embodiment of the present invention, for convenience of description, a case of using a copper thin film as the conductive metal is described as an example of a conductive metal plated polyimide substrate including a coupling agent, but the protection scope of the present invention is limited thereto. no.
본 발명의 실시예에 따른 커플링 에이전트를 포함하는 전도성 금속 도금 폴리이미드 기판은 폴리이미드 필름과 구리층을 포함하는 커플링 에이전트를 포함하는 2 층 구조의 전도성 금속 도금 폴리이미드 기판으로서 접착층을 포함하지 않는다. A conductive metal plated polyimide substrate including a coupling agent according to an embodiment of the present invention is a two-layer conductive metal plated polyimide substrate including a coupling agent comprising a polyimide film and a copper layer, and does not include an adhesive layer. Do not.
본 발명에 따른 커플링 에이전트를 포함하는 전도성 금속 도금 폴리이미드 기판 제조 방법은 크게 탈지 공정, 에칭 공정, 중화 공정, 커플링 공정, 촉매부가 공정, 반응 가속화 공정, 무전해 도금 공정, 도금 공정을 포함할 수 있다. The conductive metal plating polyimide substrate manufacturing method including the coupling agent according to the present invention includes a degreasing process, an etching process, a neutralization process, a coupling process, a catalyst addition process, a reaction acceleration process, an electroless plating process, and a plating process. can do.
이하 각 공정들을 통해 본 발명의 커플링 에이전트를 포함하는 전도성 금속 도금 폴리이미드 기판 제조 방법을 구체적으로 설명한다. Hereinafter, a method of manufacturing a conductive metal plated polyimide substrate including the coupling agent of the present invention will be described in detail.
1. 탈지 공정1. Degreasing process
탈지공정은 폴리이미드 제조 또는 취급 중에 발생한 표면의 불순물(오염, 유지분, 사람의 지문 등)을 제거하기위한 공정으로서, 상기 불순물의 미제거시, 전도성 금속 도금 폴리이미드 기판의 박리강도(Peel Strength, 밀착강도)에 상당한 악영향을 준다. The degreasing process is a process for removing impurities on the surface (contamination, oil, human fingerprints, etc.) generated during the manufacture or handling of polyimide, and when the impurities are not removed, the peel strength of the conductive metal-plated polyimide substrate (Peel Strength, Significant adverse effects on adhesion strength).
탈지액 성분은 본 발명의 실시예에서는 크게 제한되지 않으며, 사용되는 알칼리계의 린스 또는 샴푸를 사용할 수 있다. The degreasing solution component is not particularly limited in the embodiment of the present invention, it is possible to use an alkali-based rinse or shampoo used.
본 발명의 실시예에서 탈지 온도 범위는 약 20 내지 40 ℃로하고, 탈지 공정의 유지 시간은 약 1 ~ 5 분간 유지한다. 탈지 공정의 온도범위가 20 ℃ 이하인 경우 탈지액의 활성이 낮아서 목적하는 탈지 효과를 달성할 수 없고, 탈지 공정의 온 도 범위가 40℃ 이상의 경우 공정 처리시간의 적절한 조절이 어렵게 된다. In the embodiment of the present invention, the degreasing temperature range is about 20 to 40 ℃, the holding time of the degreasing process is maintained for about 1 to 5 minutes. When the temperature range of the degreasing process is 20 ℃ or less, the activity of the degreasing solution is low to achieve the desired degreasing effect, when the temperature range of the degreasing process is more than 40 ℃ it is difficult to properly control the process treatment time.
또한, 본 공정 중에 초음파를 가하여, 연속적인 공정을 유발할 수 있다. 이때, 폴리이미드는 유연성이 강한 재료인 바, 초음파로 인하여 연속적인 반응이 가능하게 된다. In addition, ultrasonic waves may be applied during the present process to cause a continuous process. At this time, since the polyimide is a material having a high flexibility, continuous reaction is possible due to ultrasonic waves.
2. 에칭 공정2. Etching Process
탈지 공정으로 수득된 폴리이미드를 에칭 용액에 약 45 내지 60℃에서 약 5~7 분간 침지하여, 폴리이미드 표면을 에칭함으로써 폴리이미드 표면을 개질처리한다. 에칭 용액은 KOH, 에틸렌글리콜 및 KOH 혼합 용액, Na0H, 피롤리돈 및 NaOH 혼합 수용액, 또는 무수크롬산 및 황산 혼합 용액이 바람직하다. The polyimide obtained by the degreasing step is immersed in the etching solution at about 45 to 60 ° C. for about 5 to 7 minutes, and the polyimide surface is modified by etching the polyimide surface. The etching solution is preferably a KOH, ethylene glycol and KOH mixed solution, Na0H, pyrrolidone and NaOH mixed aqueous solution, or a mixture of chromic anhydride and sulfuric acid.
이러한 에칭 공정으로 인해, 개질된 폴리이미드 표면은 차후 도금 공정시 도금 층과 폴리이미드 층과의 밀착을 극대화하여 박리강도를 증진시킬 수 있다. 이러한 에칭 공정은 폴리이미드의 이미드 링을 개열 시켜, 이미드를 아미드기 또는 카르복실기로 전환시키게 된다. Due to this etching process, the modified polyimide surface can enhance the peel strength by maximizing the adhesion between the plating layer and the polyimide layer in the subsequent plating process. This etching process cleaves the imide ring of polyimide, and converts imide into an amide group or a carboxyl group.
이러한 에칭 공정의 공정 온도가 45℃ 이하의 경우는 에칭액의 활성이 낮아져서, 목적하는 에칭 효과를 달성할 수 없다. 또한, 에칭 공정의 공정 온도가 60 ℃이상인 경우, 급격한 엣칭의 진행으로 인해 폴리이미드 표면상 전체적인 균일성 및 연속성의 조절이 어려우며, 그 결과 폴리이미드 필름에 손상을 유발한다. When the process temperature of such an etching process is 45 degrees C or less, the activity of etching liquid becomes low and a desired etching effect cannot be achieved. In addition, when the process temperature of the etching process is more than 60 ℃, it is difficult to control the overall uniformity and continuity on the polyimide surface due to the rapid progress of the etching, resulting in damage to the polyimide film.
또한, 본 공정 중에 초음파를 가하여, 연속적인 공정을 유발할 수 있다. 이때, 폴리이미드는 유연성이 강한 재료인 바, 초음파로 인하여 연속적인 반응이 가능하게 된다. In addition, ultrasonic waves may be applied during the present process to cause a continuous process. At this time, since the polyimide is a material having a high flexibility, continuous reaction is possible due to ultrasonic waves.
3. 중화 공정3. neutralization process
에칭 공정에서 수득된 개질된 폴리이미드를 HCl(염산)으로 상온에서 약 5~7분간 침지하여 폴리이미드 표면을 중화 처리 한다. The modified polyimide obtained in the etching process is immersed in HCl (hydrochloric acid) at room temperature for about 5-7 minutes to neutralize the polyimide surface.
본 공정은 상기 엣칭공정에서 얻어진 폴리이미드 표면에 잔존하리라 예상되는 금속 양이온을 치환 또는 탈리하여 제거한다. 이러한 금속양이온의 제거는 후공정인 커플링공정의 반응을 보다 촉진하게 된다. This step removes or eliminates metal cations that are expected to remain on the polyimide surface obtained in the etching step. Removal of such metal cations promotes the reaction of the coupling process, which is a post process.
만일 중화 공정의 온도가 10℃ 이하인 경우는 반응 액의 활성이 낮아서 목적하는 중화 효과를 달성할 수 없다. 또한, 중화 공정의 온도가 30℃ 이상인 경우, 공정의 작업성의 조절이 어려워진다. If the temperature of the neutralization step is 10 ° C or less, the activity of the reaction liquid is low and the desired neutralization effect cannot be achieved. Moreover, when the temperature of a neutralization process is 30 degreeC or more, adjustment of the workability of a process becomes difficult.
또한, 본 공정 중에 초음파를 가하여, 연속적인 공정을 유발할 수 있다. 이때, 폴리이미드는 유연성이 강한 재료인 바, 초음파로 인하여 연속적인 반응이 가능하게 된다. In addition, ultrasonic waves may be applied during the present process to cause a continuous process. At this time, since the polyimide is a material having a high flexibility, continuous reaction is possible due to ultrasonic waves.
4. 커플링 공정(극성 부여 공정)4. Coupling process (polarization process)
상기 중화 공정에서 개질된 폴리이미드를 커플링제 용액에 약 30 내지 45 ℃ 에서 약 일분 내지 수분간 침지한다. The polyimide modified in the neutralization process is immersed in the coupling agent solution at about 30 to 45 ° C. for about one to several minutes.
본 공정은 엣칭 공정에 의해 폴리이미드 표면의 이미드 링이 개열된 곳에 커플링 에이전트를 결합시켜 폴리이미드 상에 극성을 부여함으로써, 차후 도금 공정의 진행을 원활하게 하고, 목적 제품의 도금 균질성 및 연속성을 지니게 하며, 박리강도를 향상시킨다. This process binds the coupling agent where the imide ring of the polyimide surface is cleaved by the etching process to impart polarity on the polyimide, thereby facilitating the progress of subsequent plating processes and plating homogeneity and continuity of the desired product. To improve the peel strength.
여기서, 커플링 에이전트로서 실란기 또는 아민기가 바람직하게 사용된다. 커플링제는 커플링 에이전트를 부여할 수 있는 것이라면 크게 제한되지 않는다. 실란기를 커플링 에이전트로 이용하는 커플링제로는 아미노프로필 트리에톡시 실란을 함유하는 실란 커플링제가 바람직하게 사용되며, 아민기를 커플링 에이전트로 이용하는 커플링제로는 산화 나트륨 및 모노메탈아민을 포함하는 알칼리 계 커플링제 또는 에틸렌 디아민 및 염산을 포함하는 산계 커플링제가 바람직하게 사용된다. Here, a silane group or an amine group is preferably used as the coupling agent. The coupling agent is not particularly limited as long as it can impart a coupling agent. As the coupling agent using the silane group as the coupling agent, a silane coupling agent containing aminopropyl triethoxy silane is preferably used. As the coupling agent using the amine group as the coupling agent, an alkali containing sodium oxide and monometal amine is used. System coupling agents or acidic coupling agents comprising ethylene diamine and hydrochloric acid are preferably used.
본 발명의 한 구현예에서는 실란 커플링 제로서, Shinetsu사의 커플링제를 사용하고 있으나, 기 개발된 Japan Energy의 제품 또는 다우코닝의 제품 등 여러가지 시판되는 제품을 이용할 수도 있다. In one embodiment of the present invention, as the silane coupling agent, Shinetsu's coupling agent is used, but various commercially available products such as Japan Energy's product or Dow Corning's product can be used.
5. 촉매 부가 공정5. Catalyst addition process
상기 커플링처리된 폴리이미드를 염화팔라듐(PdCl2) 및 염화제일주석(SnCl2)을 포함하는 용액을 염산에 1:1 부피비로 희석하여 만든 용액 등에서 상온에서 5 분간 침지시켜, 폴리이미드 표면에 결합된 커플링 에이전트에 촉매로서 팔라듐 및 주석을 흡착 시킨다. The coupling-treated polyimide was immersed at room temperature for 5 minutes in a solution made by diluting a solution containing palladium chloride (PdCl 2 ) and tin tin chloride (SnCl 2 ) in a hydrochloric acid at a volume ratio of 1: 1, and the polyimide surface was immersed in a polyimide surface. Palladium and tin are adsorbed to the coupled coupling agent as a catalyst.
본 공정의 반응 시간이 지나치게 짧으면 폴리이미드 표면에 촉매인 팔라듐 및 주석의 흡착률이 낮아 목적하는 촉매 효과를 달성할 수 없고, 반응 시간이 지나치게 길면 본 공정액 중 염산에 의해서 폴리이미드 표면이 부식하는 역효과가 발생할 수 있다. If the reaction time of this process is too short, the adsorption rate of palladium and tin as catalysts on the surface of polyimide is low, so that the desired catalytic effect cannot be achieved. If the reaction time is too long, the surface of polyimide is corroded by hydrochloric acid in the process solution. Adverse effects may occur.
6. 반응 가속화 공정6. Reaction Acceleration Process
촉매 부가 공정에서 촉매가 부가된 폴리이미드를 수화 히드라진산 및 글리콜 산을 혼합하여 제조한 용액에 상온에서 약 3 내지 5분간 침지시켜, 전 공정에서 흡착된 주석(Sn)만을 탈리시키고, 표면의 팔라듐 이온만을 남겨, 폴리이미드 표면을 도금이 되기 쉬운 활성화상태로 만든다. In the catalyst addition step, the catalyst-added polyimide is immersed in a solution prepared by mixing hydrhydric acid and glycolic acid at room temperature for about 3 to 5 minutes, thereby desorbing only tin (Sn) adsorbed in the previous step and palladium on the surface. Only the ions are left, leaving the polyimide surface in an active state that is easy to plate.
본 공정의 반응시간이 지나치게 짧으면 폴리이미드 표면상 주석의 탈리률이 낮고, 잔존하는 주석은 차후 도금 공정에서 불순물로 작용하게 되며, 반응시간이 지나치게 길면, 본 공정액에 포함되는 산에 의해서 팔라듐 이온이 탈리되는 역효과가 발할 수 있다. If the reaction time of this process is too short, the desorption rate of tin on the surface of polyimide is low, and the remaining tin acts as an impurity in the subsequent plating process. If the reaction time is too long, palladium ions are formed by the acid contained in the process solution. Desorption can have an adverse effect.
7. 하부 도금 공정7. Bottom plating process
먼저, EDTA 수용액, 가성소다 수용액, 포르말린 수용액 및 황산동 수용액 등으로 구성된 무전해 구리 도금액을 제조한다. First, an electroless copper plating solution composed of an aqueous EDTA solution, an aqueous solution of caustic soda, an aqueous formalin solution, and an aqueous copper sulfate solution is prepared.
본 도금액은 상기의 구성 성분 이외에 금속 물성을 극대화시키기 위하여 광택제 성분 및 안정제 성분 등을 소량 포함할 수 있다. 이러한 광택제 및 안정제는 수회 사용 후 잔존한 액의 재사용 및 장기간 액의 보존 등에 기능을 한다. The plating solution may include a small amount of a brightener component, a stabilizer component, etc. in order to maximize metal properties in addition to the above components. Such polishes and stabilizers function for the reuse of the remaining liquid after several uses and for the storage of the liquid for a long time.
그 후, 상기 반응 가속화 공정의 산물을 상기 무전해 구리 도금액에 약 38 내지 60℃ 의 온도에서 약 1 내지 수 분간 침지하여, 무전해 도금을 수행한다. 본 무전해 도금에서 얻어지는 도금 두께는 시간에 따라서 조절이 가능하다. 본 무전해 도금 공정의 온도가 약 38℃ 이하인 경우, 도금액의 활성이 낮아서 미도금의 발생 및 부분적인 도금이 진행되어 목적하는 효과를 달성할 수 없으며, 무전해 도금 공정의 온도가 약 60℃를 초과하는 경우에는 급격한 도금으로 인해 전체적인 균일성 및 밀착성이 부족한 도금막이 형성된다. Thereafter, the product of the reaction acceleration step is immersed in the electroless copper plating solution at a temperature of about 38 to 60 ° C. for about 1 to several minutes to perform electroless plating. The plating thickness obtained by this electroless plating can be adjusted with time. When the temperature of the electroless plating process is about 38 ° C. or less, the activity of the plating solution is low, so that unplating and partial plating proceed to achieve the desired effect, and the temperature of the electroless plating process is about 60 ° C. In the case of exceeding, the plating film lacking overall uniformity and adhesion due to rapid plating is formed.
본 공정은 차후 도금 공정을 위한 하부 코팅 공정으로, 도금의 두께 보다는 폴리이미드 표면이 전체적으로 미도금 부분이 없어질 정도의 시간동안 수행하는 것이 바람직하다. 바람직한 하부 도금 두께로서 0.1 ~ 0.3 미크론 정도가 적합하다. 여기서, 하부 도금 두께가 0.1 이하의 경우에는 높은 저항에 의해 전기도금의 원활한 진행 등이 어려우며, 하부 도금 두께가 0.3 이상의 경우에는 장시간의 도금이 필요하게 되므로, 도금액의 부성분에 의해 도금면의 박리 강도가 낮아질 가능성이 있다. This process is a lower coating process for the subsequent plating process, it is preferable to carry out for a time such that the polyimide surface is entirely unplated portion rather than the thickness of the plating. As a preferable lower plating thickness, about 0.1-0.3 micron is suitable. Here, when the lower plating thickness is 0.1 or less, smooth progress of electroplating is difficult due to high resistance, and when the lower plating thickness is 0.3 or more, long time plating is required, and thus the peeling strength of the plating surface by the subcomponent of the plating solution. Is likely to be lower.
8. 도금 공정8. Plating process
먼저, 황산구리 수용액(CuSO4-H2O), 황산(H2SO4), 염산(HCl)을 물(이온교환수)로 희석하여 도금액을 조제한다. 이러한 본 실시예의 도금액은 광택제 및 첨가제를 소량 포함할 수 있다. First, an aqueous copper sulfate solution (CuSO 4 -H 2 O), sulfuric acid (H 2 SO 4 ), hydrochloric acid (HCl) is diluted with water (ion-exchanged water) to prepare a plating solution. The plating liquid of this embodiment may include a small amount of a brightening agent and an additive.
그 후, 상기 무전해 도금공정의 산물을 상기 도금액에 넣고 약 20 내지 35℃ 에서 약 30분간 2A 전류를 가해 도금을 수행하여 전도성 금속 도금 폴리이미드 기판을 제조한다. 이때, 도금액의 교반을 원활히 하여, 도금액의 농도 불균일을 최소화한다. 이러한 도금 조건은 수득하고자하는 구리 도금 막의 두께에 따라 적절히 조절될 수 있다. Thereafter, the product of the electroless plating process is put in the plating solution, and plating is performed by applying a 2 A current at about 20 to 35 ° C. for about 30 minutes to prepare a conductive metal plated polyimide substrate. At this time, the agitation of the plating liquid is smoothed to minimize concentration unevenness of the plating liquid. Such plating conditions may be appropriately adjusted according to the thickness of the copper plating film to be obtained.
본 실시예에서 사용될 수 있는 도금액은 상기 제조된 도금액 이외에도 사용의 도금액 (Enthone OMI, 희성금속, NMP 등)을 사용할 수 있다. 그러나 시판의 도금액의 사용조건 보다 온건한 조건에서 장시간에 걸쳐서 천천히 막을 도금 공정을 수행한다. As the plating liquid that can be used in the present embodiment, a plating liquid of use (Enthone OMI, noble metal, NMP, etc.) may be used in addition to the prepared plating liquid. However, the plating process is performed slowly over a long period of time under conditions more moderate than those of commercially available plating solutions.
장기간의 도금 수행 시간은 도금막 내부의 응력 발생을 최소한으로 억제하여 경도를 낮추고, 강도 및 연성이 우수한 도금막을 얻을 수 있게 한다. Prolonged plating time can minimize the generation of stress inside the plating film to lower the hardness and obtain a plating film excellent in strength and ductility.
9. 테스트9. Testing
본 발명의 실시예에 따라 수득된 커플링 에이전트를 포함하는 전도성 금속 도금 폴리이미드 기판 샘플을 JIS-6471 규격에 따라, 밀착 테스트(박리 강도) 및 내굴곡성 테스트를 수행하였다. The conductive metal plated polyimide substrate sample including the coupling agent obtained according to the embodiment of the present invention was subjected to the adhesion test (peel strength) and the flex resistance test according to the JIS-6471 standard.
이하, 본 발명을 실시예를 통하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to examples so that those skilled in the art may easily implement the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention.
본 발명의 실시예에 사용되는 폴리이미드는 도금 공정에 적합한 폴리이미드이면 크게 제한되지 않으며 사용되는 제품을 이용할 수 있다. 이하 실시예를 위해서는 폭 100mm, 길이 190mm 및 두께 38㎛의 폴리이미드 필름 샘플(Apical, 가네카공업(주))을 준비하고, 폴리이미드 필름 내부에 포함된 수분을 제거하기 위해, 150 ℃ 에서 약 10분간 건조하여 전도성 금속 도금 폴리이미드 기판 제작을 위한 전처리를 행하였다. 하기 실시예는 상기 폴리이미드 샘플에 적합한 공정으로서 상기 공정은 폴리이미드 샘플 및 조건에 따라 당업자에 의한 적절한 변이가 가능함은 분명하다. The polyimide used in the embodiment of the present invention is not particularly limited as long as it is a polyimide suitable for the plating process, and a product used may be used. For the following examples, a polyimide film sample (Apical, Kaneka Industrial Co., Ltd.) having a width of 100 mm, a length of 190 mm, and a thickness of 38 μm is prepared, and at about 150 ° C., in order to remove moisture contained in the polyimide film. After drying for 10 minutes, pretreatment for preparing a conductive metal plated polyimide substrate was performed. The following examples are suitable processes for the polyimide samples and it is evident that the process can be appropriately modified by those skilled in the art depending on the polyimide samples and conditions.
실시예Example 1 One
폴리이미드 샘플을 알칼리 또는 산 계열을 계면 활성제를 포함하는 수용액에서 상온에서 5 분간 침지하였다. The polyimide sample was immersed for 5 minutes at room temperature in an aqueous solution containing an alkali or acid series containing a surfactant.
그 후, 수득된 폴리이미드 샘플을 5M NaOH 에칭용액으로, 약 45 ℃의 온도에서 약 5 분간 침지하여, 에칭된 폴리이미드 샘플을 수득하였다. Thereafter, the obtained polyimide sample was immersed in a 5 M NaOH etching solution at a temperature of about 45 ° C. for about 5 minutes to obtain an etched polyimide sample.
그 후 수득된 에칭된 폴리이미드 샘플을 HCL 100ml/l 로서, 상온에서 약 5 분간 침지하여 표면을 중화 처리하였다. The obtained etched polyimide sample was then immersed in HCL 100 ml / l at room temperature for about 5 minutes to neutralize the surface.
그 후, 아미노프로필 트리에톡시 실란을 함유하는 실란 커플링제를 1.0 %/l의 비율로 희석하여, 약 30 ℃의 온도에서 5 분간 침지하고, 약 110 도에서 약 5 분간 건조하여 커플링 층을 안정화하였다. Thereafter, the silane coupling agent containing aminopropyl triethoxy silane was diluted at a rate of 1.0% / l, immersed at a temperature of about 30 ° C. for 5 minutes, dried at about 110 degrees for about 5 minutes, and the coupling layer was dried. Stabilized.
그 후, 수득된 샘플을 염산(35% HCl)을 증류수와 1:3 부피비로 희석하여 이루어진 염산 수용액으로 활성화 시켰다. Thereafter, the obtained sample was activated with an aqueous hydrochloric acid solution obtained by diluting hydrochloric acid (35% HCl) with distilled water in a 1: 3 volume ratio.
그 후, 염화 팔라듐(PdCl2) 0.5g과 염화 제일 주석(SnCl2) 2g을 1L의 증류수에 혼합하여 이루어진 염화 팔라듐 및 염화 제일 주석 혼합 용액을 염산(3.5% HCl)에 1:1의 부피비로 희석하여 만든 수용액에 상기 샘플을 실온에서 약 5 분간 침지하여 촉매를 부가하였다. Thereafter, a mixture of palladium chloride and tin tin chloride prepared by mixing 0.5 g of palladium chloride (PdCl 2 ) and 2 g of tin tin (SnCl 2 ) in 1 L of distilled water in hydrochloric acid (3.5% HCl) in a volume ratio of 1: 1. The sample was immersed in a diluted aqueous solution at room temperature for about 5 minutes to add a catalyst.
그 후, 수화히드라진산(60 %) 60g 과 글리콜산 43g을 1L의 증류수에 혼합하여 이루어진 수화히드라진산 및 글리콜산 혼합 용액에서 약 5 분간 침지하였다. Thereafter, 60 g of hydrated hydrazine acid (60%) and 43 g of glycolic acid were immersed in a mixed solution of hydrated hydrazine and glycolic acid formed by mixing 1 L of distilled water for about 5 minutes.
그 후, EDTA 4.2g, 가성 소다 13.7g, 및 포르말린 9.5g을 1L의 증류수에 용해하여 이루어진 EDTA, 가성 소다, 및 포르말린 혼합 수용액에 황산동 수용 액(15.8g/L)을 혼합하여 수득되는 무전해 구리 도금액에 수득된 샘플을 약 45 ℃의 온도에서 약 1.5 분간 침지하여 하부코팅공정을 실시하였다. Then, electroless obtained by mixing copper sulfate aqueous solution (15.8 g / L) with EDTA, caustic soda, and formalin mixed aqueous solution prepared by dissolving 4.2 g of EDTA, 13.7 g of caustic soda, and 9.5 g of formalin in 1 L of distilled water. The sample obtained in the copper plating solution was immersed for about 1.5 minutes at a temperature of about 45 ℃ to perform a bottom coating process.
그후, 하부 코팅된 샘플을 약 110 ℃에서 약 10 분간 건조하였다. The bottom coated sample was then dried at about 110 ° C. for about 10 minutes.
그후, 황산구리 수용액(CuSO4-5H2O) 130g, 황산(H2SO4) 110g, 염산 10ml를 1L의 이온교환수로 희석하여 제조된 도금 용액에 상기 하부코팅된 샘플을 약 25 ℃의 온도에서 약 30 분간 침지하고, 2A의 전류를 흐르게 하여 도금을 수행하였다. Subsequently, 130 g of copper sulfate aqueous solution (CuSO 4 -5H 2 O), 110 g of sulfuric acid (H 2 SO 4 ), and 10 ml of hydrochloric acid were diluted with 1 L of ion-exchanged water, and the lower-coated sample was coated at a temperature of about 25 ° C. Immersion was performed for about 30 minutes at, and plating was performed by flowing a current of 2A.
이러한 본 발명의 제 1 실시예에서는 약 8㎛ 전후의 도금막을 갖는 커플링 에이전트를 포함하는 2 층 구조의 전도성 금속 도금 폴리이미드 기판을 수득하였다. In the first embodiment of the present invention, a conductive metal plated polyimide substrate having a two-layer structure including a coupling agent having a plated film of about 8 μm was obtained.
실시예Example 2 2
상기 실시예 1에서, 에칭 용액으로서 피롤리돈(Pyrrolidone) 5g, NMP 15g 및 NaOH 125g을 1L의 증류수에 혼합하여 이루어진 혼합 수용액을 사용하는 것을 제외하고, 상기 실시예 1 과 동일하게 수행하여, 커플링 에이전트를 포함하는 전도성 금속 도금 폴리이미드 기판 샘플을 수득하였다. In Example 1, the same as in Example 1, except that 5g of pyrrolidone (Pyrrolidone), NMP 15g and NaOH 125g mixed in 1L of distilled water as an etching solution was used, A conductive metal plated polyimide substrate sample comprising a ring agent was obtained.
실시예Example 3 3
상기 실시예 1에서, 에칭용액으로서, 무수크롬산 200g 및 황산 400g을 1L의 증류수에 혼합하여 이루어진 혼합 수용액을 사용하는 것을 제외하고, 상기 실시예 1 과 동일하게 수행하여, 커플링 에이전트를 포함하는 전도성 금속 도금 폴리이미드 기판 샘플을 수득하였다. In Example 1, the conductive solution including a coupling agent was carried out in the same manner as in Example 1, except that 200 g of chromic anhydride and 400 g of sulfuric acid were mixed into 1 L of distilled water as an etching solution. Metal plated polyimide substrate samples were obtained.
본 발명의 실시예 1 내지 3에 따라 수득된 커플링 에이전트를 포함하는 전도성 금속 도금 폴리이미드 기판 에 대한 물성을 테스트하여 하기 표 1 에 도시하였다. 전도성 금속 도금 폴리이미드 기판의 도금 정도를 평가하기 위해서는 전도성 금속 도금 폴리이미드 기판 도금의 연속성을 육안으로 관찰하였고, JIS-6471 규격에 따라 밀착 강도(박리강도; 샘플 평균 값) 및 내굴곡성 테스트(R=0.38mm, 500g, 샘플 평균값)를 수행하였다. The physical properties of the conductive metal plated polyimide substrate including the coupling agent obtained according to Examples 1 to 3 of the present invention were shown in Table 1 below. In order to evaluate the plating degree of the conductive metal plated polyimide substrate, the continuity of the conductive metal plated polyimide substrate plating was visually observed, and according to the JIS-6471 standard, the adhesion strength (peel strength; sample average value) and the bending resistance test (R = 0.38 mm, 500 g, sample mean value).
상기 표에서, ◎ 는 샘플 표면 전체가 균일하고, 미려하게 도금된 경우이며, ○는 샘플 표면이 균일하게 도금된 경우, △ 는 부분적으로 미도금된 부분이 존재하는 경우, × 는 미도금된 부분이 많은 경우를 가리킨다. In the above table,? Denotes a case where the entire sample surface is uniformly and beautifully plated, ○ denotes a case where the sample surface is uniformly plated,? This point to many cases.
실시예Example 4 내지 6 4 to 6
상기 실시예 1 내지 3에서, 실란 커플링제 대신에 수산화 나트륨 4g, 및 모노 메탈 아민 11g을 1L의 이온 교환수에 혼합하여 이루어진 알칼리계 커플링제를 사용하는 것을 제외하고, 상기 실시예 1 내지 3과 동일하게 수행하여 커플링 에이전트를 포함하는 전도성 금속 도금 폴리이미드 기판 샘플을 수득하였다. In Examples 1 to 3, except that the alkali coupling agent formed by mixing 4 g of sodium hydroxide and 11 g of monometallic amine in 1 L of ion-exchanged water instead of the silane coupling agent was used. The same was done to obtain a conductive metal plated polyimide substrate sample comprising a coupling agent.
실시예Example 7 내지 9 7 to 9
상기 실시예 1 내지 3에서, 실란 커플링제 대신에 에틸렌디아민 7g, 및 염산(35%HCl) 7g을 1L의 이온 교환수에 혼합하여 이루어진 산계 커플링제를 사용하는 것을 제외하고, 상기 실시예 1 내지 3과 동일하게 수행하여 커플링 에이전트를 포함하는 전도성 금속 도금 폴리이미드 기판 샘플을 수득하였다. In Examples 1 to 3, except for using the acid-based coupling agent formed by mixing 7 g of ethylenediamine and 7 g of hydrochloric acid (35% HCl) in 1 L of ion-exchanged water instead of the silane coupling agent. The same procedure as in 3 was conducted to obtain a conductive metal plated polyimide substrate sample including a coupling agent.
본 발명의 실시예 4 내지 9 에 따라 수득된 전도성 금속 도금 폴리이미드 기판에 대한 물성을 테스트하여 하기 표 2 에 도시하였다. The physical properties of the conductive metal plated polyimide substrates obtained according to Examples 4 to 9 of the present invention were tested and shown in Table 2 below.
실시예Example 10 내지 12 10 to 12
상기 실시예 1 내지 3에서, 하부 도금 공정의 무전해 구리 도금 대신에 무전해 니켈 도금을 수행하는 것을 제외하고, 상기 실시예 1 내지 3과 동일하게 수행하여 커플링 에이전트를 포함하는 전도성 금속 도금 폴리이미드 기판 샘플을 수득하였다. In Examples 1 to 3, except that electroless nickel plating is performed instead of the electroless copper plating of the lower plating process, the conductive metal plating poly including the coupling agent is performed in the same manner as in Examples 1 to 3 above. Mid substrate samples were obtained.
무전해 구리 도금액 대신에 사용되는 무전해 니켈 도금액은 차아인산나트륨45g, 구연산나트륨 12g, 암모니아수 10ml, 6수 황산니켈 40g을 1L의 이온교환수에 용해한 것이며, 무전해 니켈 도금은 약 45 ℃에서 약 2 분간 수행되었다. The electroless nickel plating solution used in place of the electroless copper plating solution is obtained by dissolving 45 g of sodium hypophosphite, 12 g of sodium citrate, 10 ml of ammonia water, and 40 g of hexahydrate nickel sulfate in 1 L of ion-exchanged water. 2 minutes were performed.
실시예Example 13 내지 15 13 to 15
상기 실시예 10 내지 12에서, 실란 커플링제 대신에 수산화 나트륨 4g 및 모노메탈아민 11g을 1L의 이온 교환수에 혼합하여 이루어진 알칼리 계 커플링제를 사용하는 것을 제외하고, 상기 실시예 10 내지 12와 동일하게 수행하여 커플링 에이전트를 포함하는 전도성 금속 도금 폴리이미드 기판 샘플을 수득하였다. In Examples 10 to 12, the same as in Examples 10 to 12 except for using an alkali-based coupling agent formed by mixing 4 g of sodium hydroxide and 11 g of monometal amine in 1 L of ion-exchanged water instead of the silane coupling agent. To obtain a conductive metal plated polyimide substrate sample comprising a coupling agent.
실시예Example 16 내지 18 16 to 18
상기 실시예 10 내지 12에서, 실란 커플링제 대신에 에틸렌디아민 7g, 및 염산(35%HCl) 7g을 1L의 이온 교환수에 혼합하여 이루어진 산계 커플링제를 사용하는 것을 제외하고, 상기 실시예 10 내지 12과 동일하게 수행하여 커플링 에이전트를 포함하는 전도성 금속 도금 폴리이미드 기판 샘플을 수득하였다. In Examples 10 to 12, except for using the acid-based coupling agent formed by mixing 7 g of ethylenediamine and 7 g of hydrochloric acid (35% HCl) in 1 L of ion-exchanged water instead of the silane coupling agent. Doing the same as 12 to obtain a conductive metal plated polyimide substrate sample comprising a coupling agent.
본 발명의 실시예 10 내지 18 에 따라 수득된 커플링 에이전트를 포함하는 전도성 금속 도금 폴리이미드 기판에 대한 물성을 테스트하여 하기 표 3 에 도시하였다. The physical properties of the conductive metal plated polyimide substrate including the coupling agent obtained according to Examples 10 to 18 of the present invention were shown in Table 3 below.
비교예Comparative example 1 One
상기 실시예 1에서, 에칭 용액으로서 불산(97% HF) 12ml 및 질산(66% HNO3) 335ml을 1L의 증류수에 혼합하여 이루어진 불산 및 질산의 혼합 수용액을 사용하는 것을 제외하고, 상기 실시예 1 과 동일한 공정을 수행하여 전도성 금속 도금 폴리이미드 기판 샘플을 수득하였다. In Example 1, Example 1, except that 12 ml of hydrofluoric acid (97% HF) and 335 ml of nitric acid (66% HNO 3 ) is mixed with 1 L of distilled water as an etching solution. The same process as was followed to obtain a conductive metal plated polyimide substrate sample.
상기 비교예 1에 따라 수득된 전도성 금속 도금 폴리이미드 기판에 대한 물성을 테스트하여 하기 표 4 에 도시하였다. The physical properties of the conductive metal plated polyimide substrate obtained according to Comparative Example 1 were shown in Table 4 below.
비교예Comparative example 2 내지 4 2 to 4
상기 실시예 1 내지 3 에서, 커플링 공정을 제외하고, 상기 실시예 1 내지 3과 동일한 공정을 수행하여 전도성 금속 도금 폴리이미드 기판 샘플을 수득하였다. In Examples 1 to 3, except for the coupling process, the same process as in Examples 1 to 3 was performed to obtain a conductive metal plated polyimide substrate sample.
상기 비교예 2 내지 4에 따라 수득된 전도성 금속 도금 폴리이미드 기판에 대한 물성을 테스트하여 하기 표 6 에 도시하였다. The physical properties of the conductive metal plated polyimide substrate obtained according to Comparative Examples 2 to 4 were tested and shown in Table 6 below.
이상 볼 수 있는 바와 같이, 비교예 1의 방법에 따라 수득된 전도성 금속 도금 폴리이미드 기판은 표 4에서 알 수 있는 것처럼 도금 상태가 불량하며 또한 동막의 형성이 제대로 되지 않았다. 비교예 1의 방법에 따라 수득된 전도성 금속 도금 폴리이미드 기판에서는 에칭이 충분하게 이루어지지 않아 폴리이미드 필름상에서 폴리이미드 링이 충분히 개열되지 않았고, 그에 따라 커플링 공정에서도 커플링 에이전트가 결합되지 않았거나 적절하게 결합하지 못한 결과로 생각된다. As can be seen, the conductive metal plated polyimide substrate obtained by the method of Comparative Example 1 had poor plating state and poor copper film formation, as can be seen from Table 4. In the conductive metal plated polyimide substrate obtained according to the method of Comparative Example 1, the etching was not sufficiently performed so that the polyimide ring was not cleaved sufficiently on the polyimide film, and thus the coupling agent was not bonded even in the coupling process. It seems to be the result of not combining properly.
또한 비교예 2내지 4의 방법에 따라 수득된 전도성 금속 도금 폴리이미드 기판은 표 5에서 알 수 있는 것처럼 도금이 제대로 이루어지지 않았다. 비교예 2내지 4의 방법에 따라 수득된 전도성 금속 도금 폴리이미드 기판는 커플링 공정이 생략되어, 커플링 에이전트가 폴리이미드 필름에 결합하지 않았고, 그 결과 후속 공정인 촉매 공정 또는 도금 공정 등이 제대로 수행되지 않았던 결과로 생각된다. In addition, the conductive metal plated polyimide substrate obtained according to the method of Comparative Examples 2 to 4 was not properly plated as can be seen in Table 5. In the conductive metal plated polyimide substrate obtained according to the method of Comparative Examples 2 to 4, the coupling process was omitted, so that the coupling agent was not bonded to the polyimide film, and as a result, a subsequent catalytic process or plating process was performed properly. I think it is not the result.
반면에, 본 발명에 따른 에칭 공정과 커플링 공정을 포함하는 실시예 1 내지 18에 따라 수득된 커플링 에이전트를 포함하는 전도성 금속 도금 폴리이미드 기판은 표 1 내지 3에서 볼 수 있는 바와 같이 도금성, 밀착 강도, 및 내 굴곡성이 모두 우수하였다. On the other hand, the conductive metal plated polyimide substrate comprising the coupling agent obtained according to Examples 1 to 18, including the etching process and the coupling process according to the present invention, can be plated as shown in Tables 1 to 3. , Adhesion strength and flex resistance were all excellent.
따라서 본 발명에 따른 에칭 공정과 커플링 공정이 수득된 커플링 에이전트를 포함하는 전도성 금속 도금 폴리이미드 기판의 제조 및 그 물성에 있어 현저한 효과를 달성하게 함을 알 수 있다. Therefore, it can be seen that the etching process and the coupling process according to the present invention achieve a remarkable effect on the production and the physical properties of the conductive metal plated polyimide substrate including the obtained coupling agent.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited thereto, and various modifications and changes can be made within the scope of the claims and the detailed description of the invention and the accompanying drawings. Naturally, it belongs to the range of.
앞서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 커플링 에이전트를 포함하는 2 층 구조의 전도성 금속 도금 폴리이미드 기판은 접착층을 사용하지 않기 때문에, 도금성, 밀착 강도, 내열성, 내약품성, 마이크레이션 특성 및 내 굴곡성이 우수하였다. As described above, since the conductive metal plated polyimide substrate of the two-layer structure including the coupling agent of the present invention does not use an adhesive layer, plating property, adhesion strength, heat resistance, chemical resistance, crushing property, and bending resistance Excellent.
본 발명의 커플링 에이전트를 포함하는 2 층 구조의 전도성 금속 도금 폴리이미드 기판은 미세회로 구현이 가능하며, 그에 따라 구동 드라이브 등의 실장을 목적으로 하는 COF용으로 사용될 수 있으며, RFID 의 안테나 원자재, 또는 PDP 의 전자파 차폐용 필름등 다양한 분야의 제품에 응용 될 수 있다. 또한 본 발명의 커플링 에이전트를 포함하는 2 층 구조의 전도성 금속 도금 폴리이미드 기판은 세미어디티브 공법 등 여러 가지 공법의 실현 가능성을 크게 앞당길 수 있다. The conductive metal-plated polyimide substrate of the two-layer structure including the coupling agent of the present invention can implement a microcircuit, and thus can be used for COF for the purpose of mounting a drive drive, and the like. Or it can be applied to products of various fields such as PDP electromagnetic shielding film. In addition, the two-layered conductive metal plated polyimide substrate including the coupling agent of the present invention can greatly advance the feasibility of various methods such as a semi-additive method.
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