KR100796481B1 - 액정 디스플레이 패널 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 액정 디스플레이 패널은 기판 상에 다수 개로 서로 교차하여 형성되어 화소 영역을 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선; 상기 게이트 배선과 함께 게이트 금속 물질로 화소 영역 상에 형성된 제1패턴 및 제2패턴; 상기 게이트 배선을 포함한 기판 상에 형성된 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상부에 상기 제1패턴과 중첩 부분을 갖도록 형성된 액티브층; 상기 데이터 배선과 연결되고 상기 액티브층 상부의 소정영역에 형성된 소스 전극; 상기 액티브층 상부의 소정영역에 상기 제1패턴과 중첩 부분을 갖도록 형성된 드레인 전극; 상기 게이트 배선의 상부 소정영역에 형성되고, 상기 제2패턴과 중첩 부분을 갖도록 형성된 스토리지 전극; 상기 액티브층, 소스/드레인/스토리지 전극을 포함한 기판 상에 형성된 보호막; 상기 드레인/스토리지 전극과 연결되어 형성된 화소 전극을 포함하여 구성되며, 콘택을 위해 보호막을 식각하여 생기는 단차에 의한 배향막 불량이 발생하여도 광차단층에 의해 가려지지 않는 부분에 위치한 드레인/스토리지 전극의 하부에 제1 및 제2패턴을 형성하기 때문에 상기 배향막 불량으로 인해 액정들이 랜덤 배열되어 빛이 새는 빛샘 현상을 방지하는 효과가 있다.
유기절연막, 콘택홀

Description

액정 디스플레이 패널 및 그 제조방법{Liquid Crystal Display Panel and Fabrication Method for the same}
도1a는 종래 기술에 따른 액정 디스플레이 패널 하부 기판의 투시도
도1b는 도1a의 Ⅰ-Ⅰ' 방향의 단면도
도1c는 도1a의 Ⅱ-Ⅱ' 방향의 단면도
도1d는 도1b의 A부분의 상세도
도1e는 도1c의 B부분의 상세도
도2a는 본 발명에 따른 액정 디스플레이 패널 하부 기판의 투시도
도2b 도2a의 Ⅰ-Ⅰ' 방향의 단면도
도2c는 도2a의 Ⅱ-Ⅱ' 방향의 단면도
도2d는 도2b의 A부분의 상세도
도2e는 도2c의 B부분의 상세도
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 투명 기판 11 : 게이트 배선
11a : 게이트 전극 11b : 제1패턴
11c : 제2패턴 12 : 게이트 절연막
13 : 반도체층 14 : 오믹콘택층
15 : 데이터 배선 15a : 소스 전극
15b : 드레인 전극 15c : 스토리지 전극
16 : 보호막 17 : 화소 전극
18a, 18b : 콘택홀
본 발명은 빛샘 현상이 방지된 액정 디스플레이 패널 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 TFT 공정 후 러빙 공정시에 스토리지 전극과 화소 전극, 드레인 전극과 화소 전극 사이를 콘택하기 위한 콘택홀 상부의 러빙 불량에 의해 나타나는 빛샘현상을 방지하는 액정 디스플레이 패널 및 그 제조방법에 관한 것이다.
종래의 액정 디스플레이 패널을 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도1a는 종래 기술에 따른 액정 디스플레이 패널의 투시도이고, 액정 디스플레이 패널의 한 화소 영역만을 도시하였다. 그리고 도1b는 도1a의 Ⅰ-Ⅰ' 방향의 단면도이고, 도1c는 도1a의 Ⅱ-Ⅱ' 방향의 단면도이다.
그리고 도1d는 도1b의 A부분을 상세히 도시한 도면이고, 도1e는 도1c의 B부분을 상세히 도시한 도면이다.
도1a에 도시한 바와 같이, 게이트 배선(11) 및 데이터 배선(15)이 서로 교차하며 종횡으로 나열되어 화소 영역을 정의하고 있고, 화소 영역에는 투명도전막으로 형성된 화소 전극(17)이 형성되어 있으며, 상기 게이트 배선(11)의 신호에 따라 스위칭되어 상기 데이터 배선(15)의 신호를 화소 전극(17)에 인가하는 박막트랜지스터(TFT)가 형성된다.
여기서, 상기 박막트랜지스터의 구성은 상기 게이트 배선(11)으로부터 게이트 전극(11a)이 돌출되어 형성되고, 그리고 상기 데이터 배선(15)의 하부 및 박막트랜지스터 형성영역에는 반도체층(13) 및 오믹콘택층(14)으로 구성된 액티브층(13/14)이 형성되어 있고, 상기 데이터 배선(15)과 연결되고 게이트 전극(11a) 및 상기 액티브층(13/14)과 중첩되도록 소스 전극(15a)이 형성되어 있고, 게이트 전극(11a) 및 상기 액티브층(13/14)과 중첩되고 상기 화소 전극(17)과 연결되는 드레인 전극(15b)이 형성되어 있다. 그리고 상기 게이트 배선(11) 상부에 상기 형성되어 상기 화소 전극과 연결되는 스토리지 전극(15c)이 형성되어 있다. 그리고 액정 디스플레이 패널의 소정영역에 상기 게이트 배선(11) 및 데이터 배선(15)의 상부로 빛이 새는 것을 방지하기 위해 상기 게이트 배선(11) 및 데이터 배선(15)의 상부에 광차단층(도시되지 않음)이 형성되어 있다.
그리고 상기와 같은 액정 디스플레이 패널의 공정은 도1a와, 도1b 및 도1c를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도1b 및 도1c에 도시한 바와 같이 투명 기판(10) 위에 게이트 배선(11)을 형성함과 동시에 게이트 전극(11a)을 형성한다.
이어 게이트 전극(11a)을 덮도록 투명 기판(10) 전면에 게이트 절연막(12)을 형성하고, 반도체층(13)을 형성한다.
이어, 반도체층(13)의 오믹 콘택(ohmic contact)을 위하여 오믹콘택층(14)을 형성한 후 상기 게이트 배선(11)과 교차하게 데이터 배선(15)을 형성하고, 상기 데이터 배선과 함께 소스 전극(15a)과 드레인 전극(15b) 및 상기 게이트 배선(11)의 상부에 스토리지 전극(15c)을 형성한다. 이어 상기 소스/드레인 전극(15a, 15b)을 포함한 전면에 보호막(16)을 형성한다.
이어 도1b에 도시한 바와 같이, 상기 드레인 전극(15b)이 노출되도록 보호막(16), 드레인 전극(15b), 오믹콘택층(14), 반도체층(13), 게이트 절연막(12)을 식각하여 콘택홀(18a)을 형성하고, 상기 드레인 전극(15b)과 연결되도록 화소 전극(17)을 형성한다.
상기 화소 전극(17)은 게이트 배선(11)에 게이트 펄스가 인가되어 게이트가 턴온시에 데이터 배선(15)을 통해 인가되는 데이터 신호 전압을 액정 셀에 가해주므로 상기 드레인 전극(15b)과 연결되어야 하기 때문이다.
그리고 도1c에 도시한 바와 같이, 상기 스토리지 전극(15c)이 노출되도록 보호막(16), 스토리지 전극(15c), 게이트 절연막(12)을 식각하여 콘택홀(18b)을 형성하고, 상기 스토리지 전극(16)과 연결되도록 화소 전극(17)을 형성한다.
화소 전극(17) 및 공통 전극(도시되지 않음) 사이에 액정 디스플레이 패널을 구동하기 위한 전압이 인가되면, 인가 전압에 의해 패널 사이에 형성된 액정층의 분자 배열 상태가 변화되는데, 상기와 같이 변화한 액정층이 한 프레임동안 변화하지 않기 위해서 액정층에 인가되는 전압을 한 프레임동안 일정하게 유지시켜 주기 위한 전압이 필요하다. 따라서 액정에 인가되는 전압을 유지시키기 위해 스토리지 전극(15c)을 형성하여 상기 화소 전극(17)과 연결시켜야 한다.
이어, 도시되진 않았지만 배향막을 형성하는데, 상기의 콘택홀(18a, 18b)에는 배향막의 러빙(rubbing) 불량이 일어난다.
따라서 도1d 및 도1e에 도시한 바와 같이, 투명기판(10)의 후면으로부터 빛을 받으면 배향막의 러빙 불량으로 인한 빛샘현상이 발생한다.
즉, 광차단층에 의해 가려지지 않는 부분에 위치한 드레인 전극(15b) 및 스토리지 전극(15c)의 콘택홀(18a, 18b)의 경우 보호막(16)으로 유기절연막과 같은 오버코트막(평탄화막)을 사용하는 구조에서는 단차가 크기 때문에 러빙 공정시 상기 식각된 부위의 상부에 배향막의 형성이 잘 되지 않아 액정 패널 구동시 이곳에 위치한 액정들의 배열이 랜덤하게 되어 백라이트의 빛이 그대로 투과하여 빛샘 현상이 발생한다.
따라서 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 스토리지 전극과 화소 전극, 드레인 전극과 화소 전극 사이를 콘택하기 위한 콘택홀의 형성시 콘택홀의 하부에 게이트 금속 물질을 게이트 배선 시 함께 형성하여 TFT 공정 후 러빙 공정시 상기 콘택홀 상부의 배향막 러빙 불량에 의해 나타나는 빛샘현상이 방지된 액정 디스플레이 패널 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 액정 디스플레이 패널의 특징은 서로 다수 개로 교차하는 데이터 배선 및 게이트 배선에 의해 내부 영역이 화소 영역으로 정의되는 액정 디스플레이 패널에 있어서, 상기 게이트 배선과 함께 게이트 금속 물질로 화소 영역 상에 형성된 제1패턴; 상기 게이트 배선, 제1패턴을 포함한 기판 상에 형성된 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상부에 상기 제1패턴과 중첩부분을 갖도록 형성된 액티브층; 상기 데이터 배선과 연결되고 상기 액티브층 상부의 소정영역에 형성된 소스 전극; 상기 액티브층 상부의 소정영역에 상기 제1패턴과 중첩 부분을 갖도록 형성된 드레인 전극; 상기 액티브층, 소스/드레인 전극을 포함한 기판 상에 형성된 보호막; 상기 드레인 전극과 연결되도록 상기 보호막상에 형성된 화소 전극을 포함하여 구성되는데 있으며, 상기 게이트 배선의 상부 소정영역에 형성된 스토리지 전극을 더 포함하여 구성되는데 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 액정 디스플레이 패널의 특징은 상기 게이트 배선과 함께 게이트 금속 물질로 화소 영역 상에 형성된 제2패턴을 더 포함하여 구성되며, 상기 게이트 배선의 상부 및 화소 영역의 소정영역에 상기 제2패턴과 중첩 부분을 갖도록 형성된 스토리지 전극을 더 포함하여 구성되는데 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 액정 디스플레이 패널제조방법의 특징은 서로 다수 개로 교차하는 데이터 배선 및 게이트 배선에 의해 내부 영역이 화소 영역으로 정의되는 액정 디스플레이 패널 제조에 있어서, 기판 상에 게이트 배선과 함께 상기 화소 영역에 제1패턴을 형성하는 단계; 상기 게이트 배선, 제1패턴을 포함한 기판 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트 절연막 상부에 상기 제1패턴과 중첩 부분을 갖도록 액티브층을 형성하는 단계; 상기 게이트 배선과 교차하게 다수 개로 데이터 배선을 형성하고, 상기 액티브층의 상부 소정영역에 소스 전극을 형성하고, 상기 액티브층의 상부 소정영역에 상기 제1패턴과 중첩 부분을 갖도록 드레인 전극을 형성하는 단계; 상기 액티브층, 소스/드레인 전극을 포함한 기판 상부에 보호막을 형성하는 단계; 상기 드레인 전극의 소정부분 노출되도록 상기 보호막을 선택적으로 식각하고 상기 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극에 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는데 있다.
그리고 상기 화소 전극을 형성하는 단계에서, 상기 제1패턴의 소정영역이 노출되도록 드레인 전극, 액티브층, 게이트 절연막을 더 식각하기도 하며, 게이트 배선의 상부 소정영역에 스토리지 전극을 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어진다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 액정 디스플레이 패널제조방법의 다른 특징은 상기 게이트 배선과 함께 게이트 금속 물질로 상기 화소 영역에 제2패턴을 형성하는 단계와, 상기 게이트 배선의 상부 소정영역에 상기 제2패턴과 중첩 부분을 갖도록 스토리지 전극을 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어지는데 있다.
본 발명의 특징에 따른 작용은 게이트 배선 형성 시에 게이트 금속 물질로 화소 영역에 제1패턴 및/또는 제2패턴을 형성하여 화소 전극과 드레인 전극, 화소 전극과 스토리지 전극과의 콘택홀을 형성하기 위해 보호막을 식각시에 광차단층에 의해 가려지지 않는 스토리지 및 드레인 전극의 콘택홀에서 러빙공정시 배향 불량에 위한 빛샘 현상을 방지할 수 있다.
본 발명의 다른 목적, 특성 및 잇점들은 첨부한 도면을 참조한 실시예들의 상세한 설명을 통해 명백해질 것이다.
본 발명에 따른 액정 디스플레이 패널 및 그 제조방법의 바람직한 실시예에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도2a는 본 발명에 따른 액정 디스플레이 패널 하부 기판의 투시도이고, 액정 디스플레이 패널의 한 화소 영역만을 도시하였다. 그리고 도2b 및 도2c는 도2a의 Ⅰ-Ⅰ' 방향의 단면도이고, 도2c는 도2a의 Ⅱ-Ⅱ' 방향의 단면도이다.
그리고 도2d는 도2b의 A부분을 상세히 도시한 도면이고, 도2e는 도2c의 B부분을 상세히 도시한 도면이다.
도2a에 도시한 바와 같이, 게이트 배선(11) 및 데이터 배선(15)이 서로 교차하며 종횡으로 나열되어 화소 영역을 정의하고 있고, 화소 영역에는 투명도전막으로 형성된 화소 전극(17)이 형성되어 있으며, 상기 게이트 배선(11)의 신호에 따라 스위칭되어 상기 데이터 배선(15)의 신호를 화소 전극(17)에 인가하는 박막트랜지스터가 형성된다.
여기서, 상기 박막트랜지스터의 구성은 상기 게이트 배선(11)과 함께 게이트 금속 물질로 화소 영역 상에 제1패턴(11b) 및 제2패턴(11c)이 형성되어 있고, 상기 게이트 배선, 제1패턴(11b) 및 제2패턴(11c)을 포함한 기판 상에 게이트 절연막(도시하지 않음)이 형성되어 있고, 상기 게이트 절연막 상부에 상기 제1패턴(11b)과 중첩 부분을 갖도록 반도체층(13), 오믹콘택층(14) 등으로 구성된 액티브층(13/14)이 형성되어 있다.
그리고, 상기 데이터 배선(15)과 연결되고 상기 액티브층(13/14) 상부의 소정영역에 소스 전극(15a)이 형성되어 있고, 상기 액티브층(13/14) 상부의 소정영역에 상기 제1패턴(11b)과 중첩 부분을 갖도록 드레인 전극(15b)이 형성되어 있고 상기 게이트 배선(11)의 상부 소정영역에 형성되고, 상기 제2패턴(11c)과 중첩 부분을 갖도록 형성된 스토리지 전극(15c)이 형성되어 있고, 상기 액티브층(13/14), 소스/드레인/스토리지 전극(15a, 15b, 15c)을 포함한 기판 상에 유기절연막등으로 보호막(도시하지 않음)이 형성되어 있고, 상기 드레인 전극(15b) 및 스토리지 전극(15c)과 연결된 화소 전극(17)이 형성되어 있다.
그리고 상기 투명 기판(10)의 소정영역이 노출되어 그 상부에 화소 전극이 형성된 콘택홀(18a, 18b)이 형성되어 있다. 그리고 액정 디스플레이 패널의 소정영역에 상기 게이트 배선(11) 및 데이터 배선(15)의 상부로 빛이 새는 것을 방지하기 위해 상기 게이트 배선(11) 및 데이터 배선(15)의 상부에 광차단층(도시되지 않음)이 형성되어 있다.
상기와 같은 액정 디스플레이 패널의 하부 기판의 공정은 도2a와, 도2b 및 도2c를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도2b 및 도2c에 도시한 바와 같이 투명 기판(10) 위에 금속층을 증착하고 선택적으로 제거하여 게이트 전극(11a)을 구비한 게이트 배선(11)을 형성함과 동시에 화소 영역 상에 광차단 역할이 가능한 게이트 금속 물질로 제1패턴(11b) 및 제2패턴(11c)을 형성한다.
이어 게이트 전극(11a)과, 제1패턴(11b) 및 제2패턴(11c)을 덮도록 투명 기판(10) 전면에 게이트 절연막(12)을 형성하고, 상기 게이트 절연막(12) 상부에 상기 제1패턴(11b)과 중첩 부분을 갖도록 반도체층(13)을 형성한다.
이어, 반도체층(13)의 오믹 콘택(ohmic contact)을 위하여 반도체층(13)상부에 오믹콘택층(14)을 형성한 후 상기 게이트 배선(11)과 교차하게 데이터 배선(15)을 형성한다. 상기 데이터 배선(15)과 함께 상기 오믹콘택층(14)의 상부 소정영역에 소스 전극(15a)을 형성하고, 상기 오믹콘택층(14)의 상부 소정영역에 상기 제1패턴(11b)과 중첩 부분을 갖도록 드레인 전극(15b)을 형성한다. 그리고 상기 게이트 배선(11)의 상부 소정영역과, 상기 제2패턴(11c)과 중첩 부분을 갖도록 스토리지 전극(15c)을 형성한다. 이어 상기 액티브층(13/14), 소스/드레인/스토리지 전극(15a, 15b, 15c)을 포함한 전면에 유기절연막과 같은 오버코트막(평탄화막)으로 보호막(16)을 형성한다.
이어 도2b에 도시한 바와 같이, 상기 드레인 전극(15b)이 노출되도록 보호막(16), 드레인 전극(15b), 오믹콘택층(14), 반도체층(13), 게이트 절연막(12)을 식각하여 콘택홀(18a)을 형성하고, 상기 드레인 전극(15b)과 연결되도록 화소 전극(17)을 형성한다. 이때, 드레인 전극(15b)을 노출시키기 위해 상기 보호막(16)만을 제거하여도 무방하다.
상기 화소 전극(17)은 게이트 배선(11)에 게이트 펄스가 인가되어 게이트가 턴온시에 데이터 배선(15)을 통해 인가되는 데이터 신호 전압을 액정 셀에 가해주므로 상기 드레인 전극(15b)과 연결되어야 한다.
그리고 도2c에 도시한 바와 같이, 상기 스토리지 전극(15c)이 노출되도록 보호막(16), 스토리지 전극(15c), 게이트 절연막(12)을 식각하여 콘택홀(18b)을 형성하고, 상기 스토리지 전극(16)과 연결되도록 화소 전극(17)을 형성한다. 이때, 스토리지 전극(15c)을 노출시키기 위해 상기 보호막(16)만을 제거하여도 무방하다.
화소 전극(17) 및 공통 전극(도시되지 않음) 사이에 액정 디스플레이 패널을 구동하기 위한 전압이 인가되면, 인가 전압에 의해 패널 사이에 형성된 액정층의 분자 배열 상태가 변화되는데, 상기와 같이 변화한 액정층이 한 프레임동안 변화하지 않기 위해서 액정층에 인가되는 전압을 한 프레임동안 일정하게 유지시켜 주기 위한 전압이 필요하다. 따라서 액정에 인가되는 전압을 유지시키기 위해 스토리지 전극(15c)을 형성하여 상기 화소 전극(17)과 연결시켜야 한다.
이어, 도시되진 않았지만 배향막을 형성하여 러빙(rubbing) 공정을 한다. 이 때 콘택홀(18a, 18b)로 인하여 배향막이 러빙 불량이 발생한다.
그러나 도1d 및 도1e에 도시한 바와 같이, 콘택홀(18a, 18b)을 형성하기 위해 식각을 하더라도 게이트 금속 물질로 패터닝되어 형성된 제1패턴(11b) 및 제2패턴(11c)이 투명기판(10) 상부에 존재하기 때문에 투명기판(10)의 후면으로부터 빛을 받아도 게이트 금속 물질을 광을 차단하는 역할을 하여 배향막의 러빙 불량으로 인한 빛샘현상이 발생하지 않는다.
상기의 실시예는 제1패턴 및 제2패턴을 형성한 것이지만, 스토리지 전극을 게이트 배선 상부에만 형성하는 경우 제1패턴만을 형성하는 경우가 가능하다.
이때 스토리지 전극과 화소 전극이 콘택을 위해 게이트 배선이 노출되도록 콘택홀을 형성하여 그 상부에 화소 전극을 형성할 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같은 본 발명에 따른 액정 디스플레이 패널 및 그 제조방법은 다음과 같은 효과가 있다.
화소 전극과 콘택을 위한 콘택홀을 형성하기 위해 유기절연막과 같은 오버코트막(평탄화막)에 의한 단차로 인해 배향막 불량이 발생하여도 광차단층에 의해 가려지지 않는 부분에 위치한 드레인 전극 및/또는 스토리지 전극의 하부에 게이트 금속 물질로 소정 패턴을 형성하기 때문에 상기 배향막 불량으로 인해 액정들이 랜덤 배열되어 빛이 새는 빛샘 현상을 방지하는 효과가 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 이탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 실시예에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의하여 정해져야 한다.

Claims (12)

  1. 서로 다수 개로 교차하는 데이터 배선 및 게이트 배선에 의해 내부 영역이 화소 영역으로 정의되는 액정 디스플레이 패널에 있어서,
    상기 게이트 배선 형성시 상기 게이트 배선과 함께 게이트 금속 물질로 화소 영역 상에 형성된 제 1 및 제 2 패턴;
    상기 게이트 배선과 상기 제 1 및 제 2 패턴을 포함한 기판 상에 형성된 게이트 절연막;
    상기 게이트 절연막 상부에 상기 제 1 패턴과 중첩부분을 갖도록 형성된 액티브층;
    상기 데이터 배선과 연결되고 상기 액티브층 상부의 소정영역에 형성된 소스 전극;
    상기 액티브층 상부의 소정영역에 상기 제 1 패턴과 중첩 부분을 갖도록 형성된 드레인 전극;
    상기 액티브층, 소스/드레인 전극을 포함한 기판 상에 형성된 보호막;
    상기 드레인 전극과 연결되도록 상기 보호막상에 형성된 화소 전극을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 액정 디스플레이 패널.
  2. 제1항에 있어서, 상기 게이트 배선의 상부 소정영역에 형성된 스토리지 전극을 더 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이 패널.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1패턴은 광차단층인 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이 패널.
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서, 상기 제2패턴은 광차단층인 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이 패널.
  6. 제5항에 있어서, 상기 게이트 배선의 상부 및 화소 영역의 소정영역에 상기 제2패턴과 중첩 부분을 갖도록 형성된 스토리지 전극을 더 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이 패널.
  7. 제1항에 있어서, 상기 보호막은 유기절연막인 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이 패널.
  8. 서로 다수 개로 교차하는 데이터 배선 및 게이트 배선에 의해 내부 영역이 화소 영역으로 정의되는 액정 디스플레이 제조에 있어서,
    상기 게이트 배선과 동일한 게이트 금속 물질로 상기 게이트 배선과 함께 상기 화소 영역 상에 제 1 및 제 2 패턴을 형성하는 단계;
    상기 게이트 배선과 상기 제 1 및 제 2 패턴을 포함한 기판상에 게이트 절연막을 형성하는 단계;
    상기 게이트 절연막 상부에 상기 제 1 패턴과 중첩 부분을 갖도록 액티브층을 형성하는 단계;
    상기 게이트 배선과 교차하게 다수 개로 데이터 배선을 형성하고, 상기 액티브층의 상부 소정영역에 소스 전극을 형성하고, 상기 액티브층의 상부 소정영역에 상기 제1패턴과 중첩 부분을 갖도록 드레인 전극을 형성하는 단계;
    상기 액티브층, 소스/드레인 전극을 포함한 기판 상부에 보호막을 형성하는 단계;
    상기 드레인 전극의 소정부분 노출되도록 상기 보호막을 선택적으로 식각하고 상기 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극에 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이 패널 제조방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 화소 전극을 형성하는 단계에서, 상기 제1패턴의 소정영역이 노출되도록 드레인 전극, 액티브층, 게이트 절연막을 더 식각하는 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이 패널 제조방법.
  10. 제8항에 있어서, 상기 게이트 배선의 상부 소정영역에 스토리지 전극을 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이 패널 제조방법.
  11. 삭제
  12. 제8항에 있어서, 상기 게이트 배선의 상부 소정영역에 상기 제2패턴과 중첩 부분을 갖도록 스토리지 전극을 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 액정 디스플레이 패널 제조방법.
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