KR100794725B1 - Displacement response sensor by that push down contact - Google Patents

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    • B60Y2400/00Special features of vehicle units
    • B60Y2400/30Sensors

Abstract

본 발명은 접촉눌림에 의한 변위감응센서에 관한 것으로, 본 센서(130)는 신축성을 가지는 연질 재질 내에 도전물질이 소정 밀도로 함유되며, 평시 저항치 Rx(Rx>0)이지만, 눌려졌을 때 상기 연질 재질 내의 상기 도전물질의 밀도가 커지게 됨으로써 상기 저항치가 0으로 접근하여 작아지도록 형성된, 신축성을 가지는 반도전성층이 형성되고; 상기 반도전성층의 상면에 도전물질이 함유된 제1도체층(131)이 형성되며; 상기 반도전성층의 하면에 도전물질이 함유된 제2도체층(132)이 형성되는 접촉부가 구비되고; 상기 제1도체층(131)에 전류드라이버(134)가 연결구비되고; 상기 전류드라이버(134)에 전류드라이버(134)가 작동되도록 하는 스위치(135)가 연결구비되며; 상기 제2도체층(132)에 반전입력부(-)가 접속되고, 전류를 전압으로 변환하는 전류-전압변환기(136)가 연결구비되고; 상기 전류-전압변환기(136)에 반전입력부(-)가 접속되는 제1전압비교판별기(137)가 연결구비되며; 상기 전류-전압변환기(136)에 비반전입력부(+)가 접속되는 제2전압비교판별기(138)가 연결구비되는 것을 특징으로 한다. 이러한 본 발명의 센서는 다양한 형상으로 제작할 수 있고 어떠한 곳이든 설치가 용이하여 자동문, 차량범퍼, 압력계나 중량계, 심지어 기체압력, 액체압력의 측정 등에 이용될 수 있다.The present invention relates to a displacement-sensitive sensor by contact pressing, and the sensor 130 includes a conductive material in a flexible material having a predetermined density, and has a normal resistance value of Rx (Rx> 0). A stretchable semiconducting layer is formed such that the density of the conductive material in the material is increased so that the resistance value approaches and decreases to 0; A first conductor layer 131 containing a conductive material is formed on an upper surface of the semiconductive layer; A contact portion having a second conductor layer 132 containing a conductive material formed on a lower surface of the semiconductive layer; A current driver 134 is connected to the first conductor layer 131; A switch 135 connected to the current driver 134 for operating the current driver 134; An inverting input unit (-) is connected to the second conductor layer 132, and a current-voltage converter 136 for converting a current into a voltage is connected; A first voltage comparator 137 to which the inverting input unit (-) is connected to the current-voltage converter 136 is connected; A second voltage comparator 138 to which the non-inverting input unit + is connected to the current-voltage converter 136 is connected. The sensor of the present invention can be manufactured in various shapes and can be easily installed anywhere, and can be used for automatic doors, vehicle bumpers, pressure gauges or weigh scales, and even gas pressure and liquid pressure measurement.

접촉, 눌림, 변위감응, 센서, 전압비교, OR게이트  Contact, pressed, displacement sensitive, sensor, voltage comparison, OR gate

Description

접촉눌림에 의한 변위감응센서{Displacement response sensor by that push down contact}Displacement response sensor by that push down contact}

본 발명은 센서에 관한 것으로, 특히 제작 및 설치가 용이한 접촉눌림에 의한 변위감응센서에 관한 것이다.The present invention relates to a sensor, and more particularly to a displacement-sensitive sensor by contact pressing that is easy to manufacture and install.

일반적으로 넓은 의미의 센서(sensor)란 한 물리량을 다른 물리량으로 변환시켜주는 장치를 의미한다.In general, a sensor in the broad sense refers to a device that converts one physical quantity into another physical quantity.

즉, 물리적인 자극이 있을 때 그에 해당하는 일정한 반응을 일으키는 장치를 의미하기 때문에, 센서는 종류가 다양하고 계속적으로 새로운 센서가 탄생하고 있다.That is, since it means a device that generates a constant response when there is a physical stimulus, sensors are diverse and new sensors are constantly being born.

이러한 센서는 크게 어떤 대상물에 직접 접촉되어 물체의 유무를 감지하는 접촉식 센서와, 어떤 대상물 부근에서 직접 접촉하지 않고 물체의 유무를 감지하는 비접촉식 센서가 있다.Such a sensor includes a contact sensor that detects the presence of an object by being in direct contact with an object, and a non-contact sensor that detects the presence of an object without directly contacting an object in the vicinity of an object.

여기서, 접촉식 센서는 대표적으로 리밋 스위치가 사용되며, 이는 많은 먼지가 있는 환경에서도 신뢰성 있게 동작되고, 폭발에 대한 안정성이 요구되는 곳에 적합하며, 자장의 영향에 둔감한 장점 등을 가지는 이유로 비접촉식 센서에 비해 폭넓게 사용되고 있다.Here, the contact sensor is typically used a limit switch, which operates reliably even in a dusty environment, is suitable for the place where the stability to the explosion is required, non-contact sensor for the reason that has the advantage of insensitive to the influence of the magnetic field, etc. Compared to the widely used.

그런데 종래의 접촉식 센서는 리밋 스위치가 사용됨에 따라 리밋 스위치가 갖는 크기보다 협소한 어느 장치의 일부분에 장착하기에는 다소 어려움이 있었다.However, the conventional contact sensor has been somewhat difficult to mount to a part of any device that is narrower than the size of the limit switch as the limit switch is used.

그리고, 리밋 스위치를 어떤 장치에 설치하여 작동되도록 하기 위해서는 리밋 스위치가 파손되지 않도록 하고 리밋 스위치를 눌러주는 별도의 장치가 리밋 스위치와 함께 더 설치되어야만 했다.In addition, in order for the limit switch to be installed and operated in a device, a separate device for pressing the limit switch without a breakage of the limit switch had to be installed together with the limit switch.

이에 따라, 종래의 접촉식 센서는 다양한 형상을 가지는 장치들에 모두 적합하도록 설치하기에는 어느 정도의 제약이 따르는 문제가 있었다.Accordingly, the conventional contact sensor has a problem that some restrictions to install to be suitable for all devices having a variety of shapes.

상술한 문제를 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 다양한 형상으로의 제작이 가능하고, 다양한 장치에 자유롭게 설치될 수 있도록 한 접촉눌림에 의한 변위감응센서를 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention for solving the above problems is to provide a displacement-sensitive sensor by pressing the contact which can be manufactured in various shapes and can be freely installed in various devices.

이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명 접촉눌림에 의한 변위감응센서는, 크게 센서 접촉부와 센서 신호처리 및 단선검출 회로부로 이루어진다. 접촉부는 신축성 물질을 포함하여 눌림에 의해 그 부피가 감소될 수 있으며, 부피 감소시에 그 저항치가 작아지는 성질을 가진다. 회로부는 접촉부의 도전율 변화 즉 저항치 변화를 검출함으로써 접촉부가 무엇인가에 접촉되었거나 눌리었음을 감지하게 되는 역활을 한다. 이러한 회로부는 구체적으로 전압비교, 또는 전류·전압의 아날로그 또는 디지털적인 변화 감지 등과 같이 다양한 방식으로 구성될 수 있다. 더 나아가 본 발명은 센서 내부의 단선을 검출하는 등 오작동 방지를 위한 구성을 더 포함할 수 있다.In order to achieve the above object, the displacement-sensitive sensor according to the present invention is composed of a sensor contact part and a sensor signal processing and disconnection detection circuit part. The contact portion may include a stretchable material, and the volume thereof may be reduced by pressing, and the resistance thereof is reduced when the volume is reduced. The circuit part plays a role in detecting that the contact part has been touched or pressed by detecting a change in conductivity of the contact part, that is, a resistance value change. Specifically, the circuit unit may be configured in various ways, such as voltage comparison or analog or digital change detection of current and voltage. Furthermore, the present invention may further include a configuration for preventing malfunction, such as detecting disconnection inside the sensor.

본 발명의 일 양상에 따른 접촉눌림에 의한 변위감응센서에 있어서, 도전물질이 함유되며, 저항치 Rx가 형성되는 신축성을 가지는 반도전성층이 형성되고; 상기 반도전성층의 상면에 도전물질이 함유된 제1도체층이 형성되며; 상기 반도전성층의 하면에 도전물질이 함유된 제2도체층이 형성되는 접촉부가 구비되고; 일측이 상기 제1도체층에 연결(접속)되고 타측이 전원의 Vcc측에 접속되는 제1저항과; 일 측이 상기 제2도체층에 연결되고 타측이 접지(전원의 -측에 접속)되는 제2저항과; 로우(Low)측인 - 단자(반전입력부)가 상기 제1도체층에 접속되어 구비되는 제1전압비교기와; 하이(High)측인 + 단자(비반전입력부)가 상기 제2도체층에 접속되어 구비되는 제2전압비교기와; 일측이 전원의 Vcc측과 접속되고 타측이 상기 제1전압비교기의 비반전입력부(+)와 접속되어 구비되는 제3저항과; 일측이 상기 제1전압비교기의 비반전입력부(+)에 접속되고 타측이 상기 제2전압비교기의 반전입력부(-)에 접속되어 구비되는 제4저항과; 일측이 전원의 -측에 접속되고 타측이 상기 제2전압비교기의 반전입력부(-)에 접속되어 구비되는 제5저항과; 상기 제1전압비교기 및 제2전압비교기와 접속되어 그 출력에 따라 신호를 출력하는 오어게이트(OR게이트)로 이루어지는 것을 특징으로 한다.In the displacement-sensitive sensor by contact pressing according to an aspect of the present invention, a conductive material is contained, and a semiconductive layer having a stretchable resistance value Rx is formed; A first conductor layer containing a conductive material is formed on an upper surface of the semiconductive layer; A contact portion having a second conductive layer containing a conductive material formed on a lower surface of the semiconductive layer; A first resistor having one side connected (connected) to the first conductor layer and the other side connected to the Vcc side of the power source; A second resistor having one side connected to the second conductor layer and the other side grounded (connected to the negative side of the power supply); A first voltage comparator having a low terminal (inverting input section) connected to the first conductor layer; A second voltage comparator provided with a + terminal (non-inverting input section) on a high side connected to the second conductor layer; A third resistor having one side connected to the Vcc side of the power supply and the other side connected to the non-inverting input unit (+) of the first voltage comparator; A fourth resistor having one side connected to the non-inverting input unit (+) of the first voltage comparator and the other side connected to the inverting input unit (-) of the second voltage comparator; A fifth resistor having one side connected to the − side of the power supply and the other side connected to the inverting input unit (−) of the second voltage comparator; And an OR gate connected to the first voltage comparator and the second voltage comparator to output a signal according to the output thereof.

이와 같은 구성의 본 발명의 센서는, 접촉부가 도전물질이 함유되고 신축성이 좋은 합성수지 또는 연질의 고무재나 실리콘재 등으로 형성되므로 외부에서 접촉부에 접촉눌림이 가해지면 반도전성층이 수축되면서 반도전성층의 도전물질의 밀도가 커지게 되어 도전율이 증가하므로, 접촉부의 눌림을 감지할 수 있으며, 연질의 재질로 형성시킬 수 있어 다양한 형상으로 제작 및 설치가 용이하여 전동회전문, 자동 미닫이문, 차량의 범퍼, 궤도차의 전후방과 측면 등에 설치할 수 있고, 압력계나 중량계 등에 설치될 수도 있으며, 기체를 사용하는 장치나 파이프 등에 설치되어 기체압력, 액체압력의 측정 등 다양한 분야에 사용될 수 있는 등의 효과가 있다.The sensor of the present invention having such a configuration is formed of a synthetic resin or a soft rubber or silicone material containing a conductive material and having excellent elasticity, so that the semiconductive layer shrinks when a contact is applied to the contact portion from the outside. As the conductivity of the conductive material increases, the conductivity increases, so that the contact of the contact part can be sensed, and it can be made of soft material, which makes it easy to manufacture and install in various shapes. It can be installed in the front, rear, side, etc. of a track car, and can also be installed in a pressure gauge or a weight gauge, and can be installed in a device or pipe using gas, and can be used in various fields such as measuring gas pressure and liquid pressure. .

본 발명의 구체적 특징 및 이점은 첨부된 도면을 참조한 이하의 설명으로 더욱 명확해 질 것이다.Specific features and advantages of the present invention will become more apparent from the following description taken in conjunction with the accompanying drawings.

도 1은 본 발명 접촉눌림에 의한 변위감응센서(10)의 구성을 보이는 개략적 회로도이다. 센서(10)는 크게 센서 접촉부와 비교회로부로 구별되는데, 센서 접촉부는 물리적인 눌림에 의해 압축되면 전기적 성질 즉 저항(또는 도전율)이 변화하는 형태로 제작된다. 이 접촉부(11)는 반도전성층(14), 제1도체층(12), 제2도체층(13)으로 이루어진다.1 is a schematic circuit diagram showing the configuration of the displacement-sensitive sensor 10 by the contact pressing of the present invention. The sensor 10 is largely classified into a sensor contact part and a comparison circuit part. The sensor contact part is manufactured in a form in which electrical properties, that is, resistance (or conductivity) change when compressed by physical pressing. The contact portion 11 is composed of a semiconductive layer 14, a first conductor layer 12, and a second conductor layer 13.

반도전성층(14)은 도전물질(15)이 함유되고, 신축성을 가지는 연질의 재질로 형성되며, 제1도체층(12)과 제2도체층(13)의 사이에 형성되고, 저항치 Rx가 형성된다.The semiconductive layer 14 contains a conductive material 15, is formed of a flexible material having elasticity, and is formed between the first conductor layer 12 and the second conductor layer 13, and has a resistance value Rx. Is formed.

여기서, 반도전성층(14)은 스폰지 재질 뿐 아니라 플랙시블한 고무재질이나 연질의 합성수지재, 합성고무, 우레탄, 실리콘 등으로 발포하거나 또는 발포하지 않은 상태로 형성될 수도 있다.Here, the semiconductive layer 14 may be formed in a state of foaming or not foaming with not only a sponge material but also a flexible rubber material or a soft synthetic resin material, synthetic rubber, urethane, silicone, or the like.

제1도체층(12)은 도전물질(15)이 함유되고 플렉시블한 고무재나 내구성이 좋은 우레탄, 실리콘, 합성고무, 합성수지재 등으로 형성되며 반도전성층(14)의 상면에 형성된다.The first conductor layer 12 is formed of a flexible rubber material or durable urethane, silicone, synthetic rubber, synthetic resin material, etc., containing the conductive material 15, and is formed on the upper surface of the semiconductive layer 14.

제2도체층(13)은 제1도체층(12)과 같은 재질로 형성되고 반도전성층(14)의 하면에 형성된다.The second conductor layer 13 is formed of the same material as the first conductor layer 12 and is formed on the bottom surface of the semiconductive layer 14.

그리고 제1도체층(12)에는 일측이 제1도체층(12)에 접속되고 타측이 전원에 접속, 즉 전원의 Vcc측에 접속되는 제1저항(19)이 구비된다.The first conductor layer 12 is provided with a first resistor 19 having one side connected to the first conductor layer 12 and the other side connected to a power source, that is, connected to the Vcc side of the power source.

제2도체층(13)에는 일측이 접지, 즉 전원의 -측에 접속되고 타측이 제2도체층(13)에 접속되는 제2저항(21)이 구비된다.The second conductor layer 13 is provided with a second resistor 21 having one side connected to the ground, that is, the negative side of the power supply, and the other side connected to the second conductor layer 13.

센서(10)의 비교회로부는 전압비교기 및 저항들과 오어게이트(OR게이트)를 포함하여 구성될 수 있으며, 센서 접촉부(11)의 눌림여부를 감지한다. 제1도체층(12) 및 제2도체층(13)에는 각각 제1전압비교기(16) 및 제2전압비교기(17)가 구비되는바, 제1전압비교기(16)는 로우(Low)측인 - 단자, 즉 반전입력부(-)가 제1도체층(12)에 접속되고, 제2전압비교기(17)는 하이(High)측인 + 단자, 즉 비반전입력부(+)가 제2도체층(13)에 접속된다.The comparison circuit unit of the sensor 10 may be configured to include a voltage comparator, resistors and an OR gate, and detects whether the sensor contact 11 is pressed. The first conductor layer 12 and the second conductor layer 13 are provided with a first voltage comparator 16 and a second voltage comparator 17, respectively, and the first voltage comparator 16 has a low side. -The terminal, i.e., the inverting input portion (-), is connected to the first conductor layer 12, and the second voltage comparator 17 has the + terminal on the high side, that is, the non-inverting input portion (+) is connected to the second conductor layer ( 13).

그리고 제1전압비교기(16)와 제2전압비교기(17)에는 제3저항(22), 제4저항(23), 제5저항(24)이 차례로 접속된다.The third resistor 22, the fourth resistor 23, and the fifth resistor 24 are sequentially connected to the first voltage comparator 16 and the second voltage comparator 17.

여기서, 제3저항(22)은 일측이 전원의 Vcc측에 접속되고 타측은 제1전압비교기(16)의 비반전입력부(+)에 연결된다.Here, one side of the third resistor 22 is connected to the Vcc side of the power supply, and the other side thereof is connected to the non-inverting input unit (+) of the first voltage comparator 16.

제4저항(23)은 일측이 제3저항(22) 및 제1전압비교기(16)의 비반전입력부(+) 에 접속되고 타측은 후술할 제5저항(24) 및 제2전압비교기(17)의 반전입력부(-)에 접속된다.The fourth resistor 23 has one side connected to the non-inverting input unit (+) of the third resistor 22 and the first voltage comparator 16, and the other side of the fourth resistor 23 and the second voltage comparator 17 to be described later. Is connected to the inverting input unit (-).

제5저항(24)은 일측이 전원의 -측에 접속되고 타측은 제2전압비교기(17)의 반전입력부(-)에 접속된다.One side of the fifth resistor 24 is connected to the negative side of the power supply, and the other side thereof is connected to the inverting input unit (-) of the second voltage comparator 17.

제1전압비교기(16)와 제2전압비교기(17)에는 제1전압비교기(16)와 제2전압비교기(17)의 출력값에 따라 신호를 출력하는 오어게이트(OR게이트)(18)가 구비된다.The first voltage comparator 16 and the second voltage comparator 17 are provided with an OR gate 18 for outputting a signal according to the output values of the first voltage comparator 16 and the second voltage comparator 17. do.

이러한 구성의 본 발명 접촉눌림에 의한 변위감응센서는, 평시에 센서(10)는 노말상태를 유지하고 있는바, 일 예로서 반도전성층(14)의 저항치 Rx는 대략 제1저항(19) R1과 제2저항(21) R2의 저항값의 두배의 저항값으로 설치(R1:Rx:R2 = 1:2:1)한다.In the present invention, the displacement-sensing sensor by contact pressing has the sensor 10 normally maintained in a normal state. As an example, the resistance value Rx of the semiconductive layer 14 is approximately the first resistance 19 R. Install at a resistance value twice that of the first and second resistors 21 R 2 (R 1 : R x : R 2 = 1: 2: 1).

이에 따라, 제1전압비교기(16)의 반전입력부(-)인 Aℓ{제1전압비교기의 비반전입력부(+)를 Ah, 반전입력부(-)를 Aℓ로 칭하고, 제2전압비교기(17)의 비반전입력부(+)를 Bh, 반전입력부(-)를 Bℓ로 칭하기로 한다}이 R1,Rx,R2의 저항값 중 3/4의 위치인 제1도체층에 접속되므로 제1전압비교기(16)의 Aℓ의 입력값, 즉 전압 {(Rx+R2)/(R1+Rx+R2)}Vcc이 (3/4)Vcc가 된다.Accordingly, A 1 (the non-inverting input unit (+) of the first voltage comparator is Ah and the inverting input unit (-) is A 1), which is the inverting input unit (−) of the first voltage comparator 16, and the second voltage comparator 17 is referred to as A 1. The non-inverting input of (+) is referred to as Bh and the inverting input (-) is referred to as Bl. The first voltage is connected to the first conductor layer which is the position of 3/4 of the resistance values of R 1 , Rx, and R 2 . The input value of A1 of the comparator 16, that is, the voltage {(R x + R 2 ) / (R 1 + R x + R 2 )} Vcc becomes (3/4) V cc .

그리고 제2전압비교기(17)의 Bh가 R1, Rx, R2의 저항값 중 {R2/(R1+Rx+R2)} 1/4의 위치인 제2도체층(13)에 접속되므로 제2전압비교기(17)의 Bh의 전압값이 (1/4)Vcc가 된다.In addition, the second conductor layer 13 whose Bh of the second voltage comparator 17 is {R 2 / (R 1 + R x + R 2 )} 1/4 of the resistance values of R 1 , Rx, and R 2 . The voltage value of Bh of the second voltage comparator 17 is (1/4) V cc because it is connected to.

또한 예로서 제3저항(22) R3과 제4저항(23) R4, 제5저항(24) R5는 그 저항값이 모두 같게 설치(R3:R4:R5 = 1:1:1)하고, 제1전압비교기(16) 및 제2전압비교기(17)의 일측에 구비되는 바, 제3저항(22) R3과 제4저항(23) R4의 사이에 접속된 제1전압비교기(16)의 Ah는 그 전압값이 {(R4+R5)/(R3+R4+R5)}Vcc 즉 (2/3)Vcc가 된다.For example, the third resistor 22 R 3 and the fourth resistor 23 R 4 and the fifth resistor 24 R 5 are all provided with the same resistance value (R 3 : R 4 : R 5 = 1: 1). 1), and provided on one side of the first voltage comparator 16 and the second voltage comparator 17, the first connected between the third resistor 22 R 3 and the fourth resistor 23 R 4 . Ah of the one voltage comparator 16 has a voltage value of {(R 4 + R 5 ) / (R 3 + R 4 + R 5 )} Vcc, that is, (2/3) V cc .

그리고 제5저항(24) R5와 연결되는 제2전압비교기(17)의 Bℓ의 전압값은 {R5/(R3+R4+R5)}Vcc 즉 (1/3)Vcc가 된다.The voltage value of Bl of the second voltage comparator 17 connected to the fifth resistor 24 R 5 is equal to {R 5 / (R 3 + R 4 + R 5 )} Vcc, that is, (1/3) V cc . do.

이에 따라, 제1전압비교기(16)의 Ah는 그 전압값이 2/3Vcc이고 Aℓ의 전압값이 3/4Vcc가 되어, Ah = (2/3)Vcc < Aℓ= (3/4)Vcc으로서 Ah의 입력값보다 Aℓ의 입력값이 더 크므로 제1전압비교기(16)의 출력값은 로우(Low)가 되며, 제2전압비교기(17)의 Bh는 그 전압값이 (1/4)Vcc이고 Bℓ의 전압값이 (1/3)Vcc가 되어, Bh = (1/4)Vcc < Bℓ= (1/3)Vcc으로서 Bh의 전압값보다 Bℓ의 전압값이 더 크므로 제2전압비교기(17)의 출력값은 로우(Low)가 된다.Accordingly, Ah of the first voltage comparator 16 has a voltage value of 2 / 3V cc and a voltage value of AL of 3 / 4V cc , where Ah = (2/3) Vcc <Aℓ = (3/4) Since the input value of Al is larger than the input value of Ah as Vcc, the output value of the first voltage comparator 16 is low, and the voltage value of Bh of the second voltage comparator 17 is (1/4). ) V cc and the voltage value of Bl becomes (1/3) V cc , and Bh = (1/4) Vcc <Bℓ = (1/3) Vcc, so that the voltage value of Bl is larger than the voltage value of Bh. The output value of the second voltage comparator 17 becomes Low.

따라서, 제1전압비교기(16)의 출력값과 제2전압비교기(17)의 출력값이 모두 로우(Low)가 되므로 제1전압비교기(16) 및 제2전압비교기(17)의 출력값에 따라 출력이 결정되는 OR게이트(18)의 출력값은 로우(Low) 즉, " 0 "이 되어 접촉눌림에 의한 변위감응센서(10)는 노말상태가 유지된다.Therefore, since the output value of the first voltage comparator 16 and the output value of the second voltage comparator 17 are both low, the output is changed according to the output values of the first voltage comparator 16 and the second voltage comparator 17. The output value of the OR gate 18 to be determined is low, that is, "0" so that the displacement-sensing sensor 10 by contact contact is maintained in a normal state.

이와 같이 노말상태로 유지되고 있는 접촉눌림에 의한 변위감응센서(10)의 접촉부(11)에 외부충격이 가해지면 반도전성층(14)이 외부의 힘에 의해 눌리면서 압축되어 반도전성층(14)에 함유된 도전물질(15)의 밀도가 커지게 되고 반도전성층(14)의 도전율은 높아지게 되며, 반도전성층(14)의 저항값은 " 0 "의 방향으로 이행된다.As such, when an external shock is applied to the contact portion 11 of the displacement-sensing sensor 10 due to the contact held in the normal state, the semiconductive layer 14 is pressed and pressed by an external force, thereby semiconducting layer 14. The density of the conductive material 15 contained therein becomes large, the conductivity of the semiconductive layer 14 becomes high, and the resistance value of the semiconductive layer 14 is shifted in the direction of "0".

반도전성층(14)의 저항값이 " 0 "의 방향으로 이행되면 제1도체층(12)에 접속된 제1전압비교기(16)의 Aℓ과 제2도체층(13)에 접속된 제2전압비교기(17)의 Bh 의 전압값은 (1/2)Vcc에 가까워지게 된다.When the resistance value of the semiconductive layer 14 is shifted in the direction of "0", the second of the first voltage comparator 16 connected to the first conductor layer 12 and the second conductor connected to the second conductor layer 13 are connected. The voltage value of Bh of the voltage comparator 17 comes close to (1/2) V cc .

이에 따라, 최초 설정값이 (3/4)Vcc였던 Aℓ의 전압값이 검출기준치로 설정한 Ah의 전압값인 (2/3)Vcc 이하로 감소되어 Aℓ에 걸리는 전압값이 (1/2)Vcc로 이행됨에 따라, Ah의 전압값이 Aℓ의 전압값보다 커지게 되므로 제1전압비교기(16)의 출력값은 하이(High)가 된다.As a result, the voltage value of A L whose initial set value was (3/4) V cc is reduced to (2/3) V cc or lower, which is the voltage value of Ah set as the detection reference value, so that the voltage value applied to A L (1 / 2) As the transition to Vcc occurs, the output voltage of the first voltage comparator 16 becomes high because the voltage value of Ah becomes larger than the voltage value of Al.

그리고 최초 설정값이 (1/4)Vcc였던 Bh의 전압값이 검출기준치로 설정한 Bℓ의 전압값인 (1/3)Vcc이상으로 증가되어 Bh에 걸리는 전압값이 (1/2)Vcc로 이행함에 따라, Bh의 입력값이 Bℓ의 입력값보다 커지게 되므로 제2전압비교기(17)의 출력값은 하이(High)가 된다.Then, the voltage value of Bh whose initial set value was (1/4) V cc is increased to (1/3) V cc , which is the voltage value of Bℓ set as the detection reference value, so that the voltage value applied to Bh is (1/2). As the transition to Vcc occurs, the input value of Bh becomes larger than the input value of Bl, so that the output value of the second voltage comparator 17 becomes high.

따라서, 제1전압비교기(16)와 제2전압비교기(17)의 출력값이 하이(High)가 되므로 OR게이트(18)의 출력값은 하이(High)가 되어 센서(10)의 눌림이 검출된다.Therefore, since the output values of the first voltage comparator 16 and the second voltage comparator 17 are high, the output value of the OR gate 18 is high, and the depression of the sensor 10 is detected.

상술한 작용에 의해 접촉눌림에 의한 변위감응센서(10)의 검출감도를 높이기 위해서는, R1(19), Rx, R2(21)의 비율을 조절하거나, 제3저항(22) R3, 제4저항(23) R4, 제5저항(24) R5의 저항값을 조절하여 제1전압비교기(16)의 Ah 와 Aℓ간의 레벨 차이를 작게 하거나, 제2전압비교기(17)의 Bh와 Bℓ간의 레벨 차이를 작게 설정할 수 있다.In order to increase the detection sensitivity of the displacement-sensing sensor 10 by contact pressing by the above-described action, the ratio of R 1 (19), R x , R 2 (21) is adjusted or the third resistor 22 R 3 is used. By adjusting the resistance values of the fourth resistor 23 R 4 and the fifth resistor 24 R 5 , the level difference between Ah and A 1 of the first voltage comparator 16 is reduced, or the second voltage comparator 17 The level difference between Bh and Bl can be set small.

이러한 본 발명 접촉눌림에 의한 변위감응센서는, 도전물질 또는 반도전물질을 탄성을 지닌 물질에 첨가하여 제작된 접촉부를 구비한다는 특징을 가진다. 따라 서, 탄성과 함께 반도전성을 갖는 물질을 도전물질과 도전물질 사이에 놓아두고 도전물질과 도전물질간에 전극을 인가한 상태에서, 일부분만이라도 외부에서 접촉부에 압력을 가해도 센서(10)의 접촉부가 눌려지고 도전물질 사이에 배치된 반도전성물질의 도전율이 증가, 즉 저항이 작아지게 되어 센서(10)의 감지 기능이 작동하게 된다는 특징을 가진다.Such a displacement-sensing sensor according to the present invention is characterized by having a contact portion manufactured by adding a conductive material or a semiconductive material to a material having elasticity. Accordingly, the contact portion of the sensor 10 may be applied even if a pressure is applied to the contact portion from the outside while a material having elasticity and semiconductivity is placed between the conductive material and the conductive material and an electrode is applied between the conductive material and the conductive material. Is pressed and the conductivity of the semiconductive material disposed between the conductive materials is increased, that is, the resistance is reduced, so that the sensing function of the sensor 10 is activated.

다시말해서, 제1전압비교기(16)측 또는 제2전압비교기(17)측 중 어느 하나라도 작동되면 즉 하이(High)가 되면 OR게이트(18)는 활성화되어 하이(High)값을 출력한다. 제1전압비교기(16), 제2전압비교기(17) 중 어느 하나가 작동되지 않는 경우라도 다른 어느 하나만이라도 작동한다면 OR게이트(18)를 작동시키게 되므로 센서로서의 신뢰성을 확보할 수 있게 된다.In other words, when either the first voltage comparator 16 side or the second voltage comparator 17 side is operated, that is, high, the OR gate 18 is activated and outputs a high value. Even if any one of the first voltage comparator 16 and the second voltage comparator 17 is not operated, if only one of the other voltage comparators is operated, the OR gate 18 is operated, thereby ensuring reliability as a sensor.

본 발명에 따른 센서는 또한, 전동회전문(D)이나 미닫이 자동문(D)의 측면과 바닥의 모서리부 둘레에 도2 내지 도4와 같이 다양한 방법으로 장착되어 사용될 수 있는바, 전동회전문(D)의 모서리부와 벽체 사이, 또는 전동회전문(D)의 바닥 모서리부와 바닥의 사이에 사람의 손이나 발이 끼일때 센서(10)의 접촉부(11)가 눌러지면서 완충작용과 함께 감지될 수 있고, 이러한 감지신호에 따라 별도의 클러치 또는 브레이크 등을 작동시키는 제어장치가 회전중인 전동회전문(D)을 정지시킬 수 있다.The sensor according to the present invention can also be mounted and used in various ways as shown in Figs. 2 to 4 around the edges of the side and bottom of the revolving telegraph (D) or sliding automatic door (D), the revolving telegraph (D) When the human hand or foot is caught between the edge of the wall and the wall, or between the bottom edge of the electric telegraph (D) and the floor, the contact portion 11 of the sensor 10 may be pressed and sensed along with the buffering action. According to the detection signal, a control device for operating a separate clutch or brake, etc., can stop the electric rotating telegraph (D) in rotation.

그리고 미닫이 자동문(D)의 문과 문 틈새에 사람의 손이나 발이 끼일때 완충작용으로 상해를 방지함과 아울러 센서(10)의 접촉부(11)가 눌리면서 감지되어 미닫이 자동문(D)이 다시 열리도록 구성될 수 있다.And when the human hand or foot is caught in the gap between the door and the door of the sliding automatic door (D) prevents injuries by a buffering action, and the contact portion 11 of the sensor 10 is sensed by pressing the sliding automatic door (D) is configured to open again. Can be.

또한, 놀이용 완구차량이나 실제 차량의 앞뒤 범퍼에 장착되어 사용될 수 있으며, 궤도차의 앞, 뒤, 측면에 장착되어 사용될 수도 있는바, 차량, 궤도차의 구동부를 제어하도록, 또는 동력연결부를 제어하도록, 또는 브레이크를 작동시키도록 설치하여 차량간에, 차량과 장애물간에, 차량과 사람간에 접촉시나 충돌시, 그리고 궤도차간에, 궤도차와 장애물간에, 궤도차와 사람간에 접촉시나 충돌시 차량 또는 궤도차가 정지되도록 할 수 있다.In addition, it may be used to be mounted on the front and rear bumpers of the play toy vehicle or the actual vehicle, may be mounted and used on the front, rear, side of the track car, to control the drive of the vehicle, track car, or to control the power connection, Alternatively, brakes can be installed to stop the vehicle or track vehicle between vehicles, between obstacles, between vehicles and people, or between tracks, between track cars and obstacles, between track cars and obstacles, or between track cars and people. have.

본 발명의 또다른 한가지 특징은, 센서(10)의 센서 접촉부(11)가 재질이 신축성이 좋은 연질의 수지 및 스폰지, 우레탄, 실리콘, 합성고무 등으로 형성되므로 다양한 형태로의 제작이 용이하며, 어느 곳이든 설치가 간단하게 이루어질 수 있고, 외부에서 가해지는 충격을 완화시킬 수 있다는 것이다.Another feature of the present invention, since the sensor contact portion 11 of the sensor 10 is formed of a flexible resin and sponge, urethane, silicone, synthetic rubber, etc., the material is easy to manufacture in various forms, Installation can be done anywhere, and it can alleviate the impact from the outside.

이와 같은 본 발명의 센서(10)의 접촉부를 외부로 노출시켜 장착시는 센서(10)의 접촉부 전체에 절연체를 씌우고 보호막을 형성하여 센서(10)의 접촉부를 먼지, 습기, 열기 등으로 부터 보호할 수 있다.When the contact portion of the sensor 10 of the present invention is exposed to the outside, the insulation is covered on the entire contact portion of the sensor 10 and a protective film is formed to protect the contact portion of the sensor 10 from dust, moisture, heat, and the like. can do.

그리고 차도의 4거리 지면에 매입설치하여 교통량을 측정하여 신호체계 변경자료 등과 같은 교통관제 시스템의 자료로 사용할 수도 있으며, 주차장의 주차라인이 그어진 지면에 매입설치하거나 센서(10)의 접촉부(11) 일부가 돌출되도록 설치하여 주차 영역에 차량이 정위치에 주차되도록 유도할 수 있으며, 주차관리 시스템에 유용하게 사용할 수 있다.In addition, it can be used as a data of traffic control system such as signal system change data by measuring the traffic volume by installing it on the four-way ground of the roadway, and installing it on the ground where the parking line of the parking lot is drawn or the contact portion 11 of the sensor 10. It can be installed to protrude partly to guide the vehicle to park in the parking area, and can be useful for parking management system.

또한, 자동차 운전 면허시험장에서 자동차 시험을 위한 차량 주행 코스라인에 본 센서를 설치하면, 시험차량이 코스이탈인지 정상코스로 계속 주행중인지를 쉽게 확인할 수 있다.In addition, if the sensor is installed in the vehicle driving course line for the automobile test at the driving license test site, it is easy to check whether the test vehicle is out of the course or continues to the normal course.

*본 발명 접촉눌림에 의한 변위감응센서는 센서(10)의 접촉부의 형상이 도5와 같이 원기둥형으로 형성될 수도 있는 바, 이는 가스파이프 등의 둘레에 감싸지도록 설치하여 도둑과 같은 건물의 불법 침입자 등이 건물의 가스파이프를 타고 건물로 올라갈시 가스파이프를 손으로 잡으면 센서(10)의 접촉부가 눌리면서 감지되어 경보를 울리게 하여 건물내의 불법 침입을 방지할 수 있는 등의 효과가 있다.* According to the present invention, the displacement-sensing sensor by contact pressing may have a cylindrical shape as shown in FIG. 5, which is installed so as to be wrapped around a gas pipe or the like to prevent illegal building such as a thief. When an intruder or the like takes up the gas pipe of the building to the building by holding the gas pipe by hand, the contact portion of the sensor 10 is pressed while being detected to sound an alarm to prevent illegal intrusion in the building.

본 발명 접촉눌림에 의한 변위감응센서는 도6과 같이 미닫이 자동문(D)의 출입구 바닥에 센서(10)의 접촉부를 발판의 형태로 설치될 수도 있으며, 도7과 같이 자동 회전문(D)의 출입구 바닥에 센서(10)의 접촉부가 발판의 형태로 설치될 수도 있다.The displacement-sensitive sensor according to the present invention may be installed in the form of a footrest on the contact portion of the sensor 10 at the bottom of the door of the sliding automatic door D as shown in FIG. 6, and the door of the automatic revolving door D as shown in FIG. 7. The contact portion of the sensor 10 may be installed in the form of a scaffold on the bottom.

이에 따라, 미닫이 자동문(D)이나 자동 회전문(D)의 출입구를 출입하는 사람이 발판 형태로 설치된 센서(10)의 접촉부(11) 위에 올라서면 접촉부(11)가 눌려지면서 감지되어 미닫이 자동문(D)이 열리고, 자동 회전문(D)이 회전되도록 작동되게 할수 있게 된다.Accordingly, when a person entering and exiting the entrance and exit of the automatic sliding door D or the automatic revolving door D rises on the contact part 11 of the sensor 10 installed in the form of scaffolding, the contact part 11 is pressed and sensed to detect the sliding door. ) Is opened, and the automatic revolving door (D) can be operated to rotate.

*한편, 상술한 바와 달리 엘리베이터 탑승대기위치 즉, 엘리베이터문 앞에 설치하여 탑승대기 위치에 누군가가 있을 경우 문이 열리며 탑승자가 탑승대기 위치에서 문 안으로 들어간 후에 비로서 문이 닫혀지도록 하는 목적으로 설치될 수도 있다. 다른 예로서, 전철 또는 다른 궤도차의 경우 프랫폼의 끝에서 부터 안전 한 계선까지 설치하여 탑승하려고 하는 승객이나 하차하는 승객의 존재여부가 감지되고, 승객이 있을 때는 발차하지 않도록 하는 목적으로 설치될 수도 있다.* On the other hand, unlike the above, it is installed in an elevator boarding position, that is, in front of an elevator door, so that if someone is in the boarding position, the door opens and is installed for the purpose of closing the door after the passenger enters the door from the boarding position. May be As another example, in the case of a train or other railcar, the presence of a passenger who is going to board or a passenger who is getting off from the end of the platform from the end of the platform is detected and may be installed so as not to start when there is a passenger. .

도 8은 본 발명 접촉눌림에 의한 변위감응센서의 또 다른 실시예를 보이는 개략적 사시도이다. 본 실시예는, 반도전성층(34)의 상부에 가로 또는 수평라인 형태의 하나 또는 둘 이상의 수평도전체(32)가 등간격 또는 필요에 따른 간격으로 연속되어 형성구비되고, 반도전성층(34)의 하부에 수평도전체(32)와 교차되는 세로 또는 수직 방향으로 등간격 필요에 따른 간격으로 연속되어 형성구비되는 하나 또는 둘 이상의 수직도전체(33)가 형성구비되는 형태의 격자형 접촉부를 가지는 센서(30)로서 구성될 수도 있다.Figure 8 is a schematic perspective view showing another embodiment of the displacement-sensitive sensor by the contact pressing of the present invention. In this embodiment, one or two or more horizontal conductors 32 in the form of horizontal or horizontal lines are formed on the upper portion of the semiconductive layer 34 in succession at equal intervals or as necessary, and the semiconductive layer 34 The grid-like contact portion in which one or two or more vertical conductors 33 are formed to be continuously formed at intervals as necessary at equal intervals in the vertical or vertical direction crossing the horizontal conductor 32 at the bottom of the The branch may be configured as the sensor 30.

이는, 수평도전체(R) Rm을 회로에 연결되는 연결선 L1m에 접속하고, 수직도전체(C) Cn을 회로에 연결되는 연결선 L2n에 접속하여 1개의 위치의 접촉눌림을 인지하게 되며, R의 갯수와 C의 갯수의 조합에 의한 접점위치는 도면에 도시된 바와 같이 3개의 R, 4개의 C이면 3 ×4 = 12, 즉 12개의 위치가 되며, 12개의 위치중 어느 한부분이 눌리게 되면 그에 해당하는 위치를 인지하게 된다.This connects the horizontal conductor Rm to the connection line L1m connected to the circuit, and connects the vertical conductor Cn to the connection line L2n connected to the circuit to recognize contact push at one position. The contact position by the combination of the number and the number of C becomes 3 x 4 = 12, i.e., 12 positions if 3 R and 4 C, as shown in the figure, and when any one of the 12 positions is pressed You will notice the location.

따라서, 상술한 바와 같이 형성되는 센서(30)의 격자형 접촉부는 모니터 등에 설치되어 터치패드 또는 터치스크린으로 사용되거나, 키보드 등에 설치되어 유용하게 사용될 수 있다.Therefore, the grid contact portion of the sensor 30 formed as described above may be installed in a monitor or the like and used as a touch pad or a touch screen, or installed in a keyboard or the like.

도 9는 본 발명에 따른 접촉눌림에 의한 변위감응센서의 또 다른 실시예를 보이는 개략적 사시도이다.Figure 9 is a schematic perspective view showing another embodiment of the displacement-sensitive sensor by the contact pressed in accordance with the present invention.

중앙에 절연층(41)이 형성되고, 절연층(41)의 상면에는 수평도전체(R)이 형 성되며 하측면에는 수직도전체(C)가 형성되어 있다.An insulating layer 41 is formed in the center, a horizontal conductor R is formed on the upper surface of the insulating layer 41, and a vertical conductor C is formed on the lower side.

그리고 수평도전체(R)의 상부에는 제1반도전성층(44)이 형성되고, 제1반도전성층(44)의 상부에는 제1도전성층(42)이 형성되어 있다.The first semiconducting layer 44 is formed on the horizontal conductor R, and the first conductive layer 42 is formed on the first semiconducting layer 44.

수직도전체(C)의 하부에는 제2반도전성층(44')이 형성되고, 제2반도전성층(44')의 하부에는 제2도전성층(42')이 형성되어 있으며, 제1도전성층(42), 수평도전체(R), 제2도전성층(42'), 수직도전체(C)들에는 회로와 연결되는 연결선이 각각 연결된다.A second semiconducting layer 44 'is formed under the vertical conductor C, a second conductive layer 42' is formed under the second semiconducting layer 44 ', and the first conductive Connection lines connected to the circuits are connected to the layer 42, the horizontal conductor R, the second conductive layer 42 ′, and the vertical conductors C, respectively.

이는, 제1도전성층(42)을 연결선 L1에 접속하고, m개의 수평도전체(R)들 중에 1개의 수평도전체(R)를 1개의 연결선 L2에 접속하여 1개의 수평도전체(R)위치의 접촉눌림을 인지한다.This connects the first conductive layer 42 to the connecting line L1, and connects one horizontal conductor R among the m horizontal conductors R to one connecting line L2, thereby connecting one horizontal conductor R. Recognize contact push of position.

한편, 1개의 제2도전성층(42')을 연결선 L1'에 접속하고, n개의 수직도전체(C)들 중에 1개의 수직도전체(C)를 1개의 연결선 연결선 L2'에 접속하여 1개의 수직도전체(C) 위치의 접촉눌림을 인지한다.Meanwhile, one second conductive layer 42 'is connected to the connecting line L1', and one vertical conductor C is connected to one connecting line connecting line L2 'among the n vertical conductors C. Note that contact of the vertical conductor C is pressed.

따라서, m개의 수평도전체(R) 위치의 접촉눌림과, n개의 수직도전체(C) 위치의 접촉눌림의 갯수(m개 X n개)만큼의 접촉눌림 위치를 인지하게 된다.Accordingly, the contact pressing positions of the m horizontal conductors R positions and the contact pressing positions of the number of the contact pressing positions of the n vertical conductors C positions (m x n) are recognized.

도 10은 본 발명 접촉눌림에 의한 변위감응센서의 또 다른 실시예를 보이는 개략적 회로도이다. 본 실시예는 센서의 접촉부와 비교회로부간의 단선이 단선체크저항에 의해 감지되도록 구성되는 예이다. 본 실시예에서는 도시된 바와 같이, 센서(50)의 제1전압비교기(56)의 - 단자인 Aℓ과, 제2전압비교기(57)의 + 단자인 Bh에 연결되는 단선체크저항(70)이 더 설치된다.Figure 10 is a schematic circuit diagram showing another embodiment of the displacement-sensitive sensor by the contact pressing of the present invention. This embodiment is an example in which the disconnection between the contact portion of the sensor and the comparison circuit portion is detected by the disconnection check resistance. In the present embodiment, as shown, the disconnection check resistor 70 connected to A 1, which is the − terminal of the first voltage comparator 56 of the sensor 50, and B h, which is the + terminal of the second voltage comparator 57, Is installed more.

이는 감도에 영향을 무시할 수 있는 즉, 반도전성층(54)의 저항치 Rx(60)보다 단선체크저항(70) Rch가 더 크도록 설치하여 두었을시, 평시에는 제1전압비교기(56)의 Ah의 입력값이 Aℓ의 입력값보다 작으므로 제1전압비교기(56)는 로우(Low)상태이고, 제2전압비교기(57)의 Bh의 입력값이 Bℓ의 입력값보다 작으므로 제2전압비교기(57)는 로우상태이므로 OR게이트(58)의 출력값이 로우 즉, "0"이 되어 접촉눌림에 의한 변위감응센서(50)는 노말상태가 된다.This can neglect the influence on the sensitivity, that is, when the disconnection check resistance 70 Rch is set to be larger than the resistance value Rx (60) of the semiconductive layer 54, the first voltage comparator 56 Since the input value of Ah is smaller than the input value of Al, the first voltage comparator 56 is in a low state. Since the input value of Bh of the second voltage comparator 57 is smaller than the input value of Bl, the second voltage is smaller. Since the comparator 57 is in a low state, the output value of the OR gate 58 becomes low, that is, "0", and the displacement-sensing sensor 50 due to contact contact is in a normal state.

이와 같은 상태에서 L1의 단선시는, 제1전압비교기(56)의 Aℓ과 제2전압비교기(57)의 Bh의 입력값이 거의 같은 "0" 레벨로 되므로 제1전압비교기(56)의 Ah의 입력값이 Aℓ의 입력값보다 큰값을 갖게 되어 제1전압비교기(56)의 출력은 하이(High)가 되고 이에 따라, OR게이트(58)의 출력은 하이가 되어 단선되었음이 감지된다.In this state, when L1 is disconnected, since the input value of A1 of the first voltage comparator 56 and Bh of the second voltage comparator 57 is approximately equal to "0" level, Ah of the first voltage comparator 56 is maintained. It is detected that the input value of is greater than the input value of A1, so that the output of the first voltage comparator 56 becomes high, whereby the output of the OR gate 58 becomes high and is disconnected.

L2의 단선시는, 제2전압비교기(57)의 Bh와 제1전압비교기(56)의 Aℓ의 입력값이 거의 같은 "Vcc" 레벨로 되므로 제2전압비교기(57)의 Bh의 입력값이 Bℓ의 입력값보다 큰값을 갖게 되어 제2전압비교기(57)의 출력은 하이가 되고 이에 따라, OR게이트(58)의 출력은 하이가 되어 단선되었음이 감지된다.In the case of disconnection of L2, the Bh of the second voltage comparator 57 and the Al input value of the first voltage comparator 56 are at approximately the same " Vcc " level so that the input value of Bh of the second voltage comparator 57 is Since the output of the second voltage comparator 57 becomes high and the output of the OR gate 58 becomes high, the output of the second voltage comparator 57 is detected to be disconnected.

그리고, L1 및 L2가 모두 단선되면 제1전압비교기(56)의 Aℓ의 입력값과 제2전압비교기(57)의 Bh는 제1전압비교기(56) 및 제2전압비교기(57)의 내부저항에 의해서 모두 1/2Vcc에 가깝게 되므로 제1전압비교기(56)의 Ah의 입력값은 Aℓ의 입력값보다 커지게 되며, 제2전압비교기(57)의 Bh의 입력값은 Bℓ의 입력값보다 커지게 되어 제1전압비교기(56)와 제2전압비교기(57)의 출력은 모두 하이가 되며 이에 따라, OR게이트(58)의 출력은 하이가 되어 단선되었음이 감지된다.When both L1 and L2 are disconnected, the input value of A1 of the first voltage comparator 56 and Bh of the second voltage comparator 57 are internal resistances of the first voltage comparator 56 and the second voltage comparator 57. Since both are close to 1 / 2V cc , the input value of Ah of the first voltage comparator 56 becomes larger than the input value of Aℓ, and the input value of Bh of the second voltage comparator 57 is larger than the input value of Bℓ. It becomes large so that the outputs of the first voltage comparator 56 and the second voltage comparator 57 are both high, and accordingly, it is sensed that the output of the OR gate 58 is high and is disconnected.

따라서, 제1전압비교기(56)의 Aℓ과 제2전압비교기(57)의 Bh에 연결되는 단선체크저항(70)이 더 연결구비되므로 접촉부(51)의 제1도체층(52) 및 제2도체층(53)과 제1전압비교기(56) 및 제2전압비교기(57)를 연결하는 연결선 L1, L2 중 어느 하나가 단선되거나 또는 모두 단선되는 경우에 모두 단선되었음을 감지할 수 있게 된다.Accordingly, since the disconnection check resistor 70 connected to A1 of the first voltage comparator 56 and Bh of the second voltage comparator 57 is further connected, the first conductor layer 52 and the second conductor of the contact part 51 are provided. When any one of the connection lines L1 and L2 connecting the conductor layer 53, the first voltage comparator 56, and the second voltage comparator 57 is disconnected or both are disconnected, it is possible to detect that the circuit is disconnected.

도 11은 본 발명 접촉눌림에 의한 변위감응센서의 또 다른 실시예를 보이는 개략적 회로도이다. 본 실시예는 센서의 접촉부와 비교회로부간의 단선이 전압비교에 의해 감지되도록 구성을 보여준다. 본 실시예에 있어서, 도시된 바와 같이, 센서(80)의 리드선 L1(89)에 + 단자인 OP1h가 연결되도록 제3전압비교기(96)가 설치되고, 리드선 L2(91)에 - 단자인 OP2ℓ이 연결되도록 제4전압비교기(97)가 설치된다.Figure 11 is a schematic circuit diagram showing another embodiment of the displacement-sensitive sensor by the contact pressing of the present invention. This embodiment shows the configuration such that the disconnection between the contact portion of the sensor and the comparison circuit portion is detected by the voltage comparison. In the present embodiment, as shown, a third voltage comparator 96 is installed to connect OP1h, which is a + terminal, to lead wire L1 89 of sensor 80, and OP2ℓ, which is a negative terminal, to lead wire L2 91. The fourth voltage comparator 97 is installed to be connected.

그리고, 일측이 전원과 연결되고 타측이 제3전압비교기(96)의 - 단자인 OP1ℓ에 연결되는 제6저항(100)이 설치되며, 일측이 상기 제3전압비교기(96)의 - 단자에 연결되고 타측이 제4전압비교기(97)의 + 단자인 OP2h와 연결되는 제7저항(101)이 설치되고, 일측이 접지되고 타측이 제4전압비교기(97)의 + 단자인 OP2h와 연결되는 제8저항(102)이 설치된다.In addition, a sixth resistor 100 is connected at one side to the power supply and the other side is connected to OP1 1 which is a negative terminal of the third voltage comparator 96, and one side is connected to a negative terminal of the third voltage comparator 96. And a seventh resistor 101 connected to the other side of the fourth voltage comparator 97, which is OP2h, and connected to the other side of the fourth voltage comparator 97, which is OP2h. 8 resistors 102 are provided.

제3전압비교기(96)와 제4전압비교기(97)의 일측에는 이들에 연결되는 제2 OR게이트(98)가 더 설치된다.One side of the third voltage comparator 96 and the fourth voltage comparator 97 is further provided with a second OR gate 98 connected thereto.

이는, 제3전압비교기(96)의 OP1h의 입력값이 제1전압비교기(86)의 Aℓ과 같은 입력값인 3/4Vcc이고, 제4전압비교기의 OP2ℓ의 입력값이 제2전압비교기(87)의 Bh와 같은 입력값인 1/4Vcc이다.That is, the input value of OP1h of the third voltage comparator 96 is 3 / 4V cc , which is the same input value as A1 of the first voltage comparator 86, and the input value of OP2l of the fourth voltage comparator is the second voltage comparator ( It is 1 / 4V cc which is the same input value as Bh.

그리고 제6저항(100) R6, 제7저항(101) R7, 제8저항(102) R8 의 저항값을 필요에 따라 다르게 설치할 수 있는바, 일예로 각 저항값의 비율을 R6 : R7 : R8 = 1:3:1로 설치하면 제3전압비교기(96)의 OP1ℓ의 입력값은 4/5Vcc가 되고, 제4전압비교기(97)의 OP2h의 입력값은 1/5Vcc가 된다.In addition, the resistance values of the sixth resistor 100 R 6 , the seventh resistor 101 R 7 , and the eighth resistor 102 R 8 may be differently installed as necessary. For example, the ratio of each resistor value is R 6. R 7 : When R 8 = 1: 3: 1, the input value of OP1ℓ of the third voltage comparator 96 is 4 / 5V cc , and the input value of OP2h of the fourth voltage comparator 97 is 1 / 5V cc . do.

이에 따라, 평시에는 제3전압비교기(96)의 OP1h의 입력값이 OP1ℓ의 입력값보다 작은 값을 가지므로 제3전압비교기(96)의 출력은 로우(Low)가 되고, 제4전압비교기(97)의 OP2h의 입력값이 OP2ℓ의 입력값보다 작은 값을 가지므로 제4전압비교기(97)의 출력은 로우가 된다.Accordingly, since the input value of OP1h of the third voltage comparator 96 has a smaller value than the input value of OP1l, the output of the third voltage comparator 96 becomes Low, and the fourth voltage comparator ( Since the input value of OP2h of 97) has a value smaller than that of OP2l, the output of the fourth voltage comparator 97 goes low.

이와 같은 상태에서 L1의 단선시, 제3전압비교기(96)의 OP1h는 제1저항(89)과 연결되어서 전원이 그대로 전달되므로 OP1h의 입력값은 1Vcc가 되어 OP1h의 입력값이 OP1ℓ의 입력값보다 큰 값을 가지므로 제3전압비교기(96)의 출력은 하이(High)가 된다.In this state, when L1 is disconnected, the OP1h of the third voltage comparator 96 is connected to the first resistor 89 so that the power is transferred as it is, so the input value of the OP1h becomes 1V cc and the input value of the OP1h becomes the OP1ℓ input. Since the value is larger than the value, the output of the third voltage comparator 96 becomes high.

L2의 단선시는, 제4전압비교기(97)의 OP2ℓ은 제2저항(91)과 연결되어서 OP2ℓ의 값은 0전위가 되어 OP2h의 입력값이 OP2ℓ의 입력값보다 큰 값을 가지므로 제4전압비교기(97)의 출력은 하이(High)가 된다.When L2 is disconnected, OP2ℓ of the fourth voltage comparator 97 is connected to the second resistor 91 so that the value of OP2ℓ becomes zero potential and the input value of OP2h has a value larger than the input value of OP2ℓ. The output of the voltage comparator 97 goes high.

이에 따라, L1, L2가 모두 단선되어도 제3전압비교기(96)와 제4전압비교기(97)의 출력은 모두 하이가 되며, 제3전압비교기(96) 및 제4전압비교기(97)에 의해서 제2 OR게이트(98)는 L1, L2가 단선되었음을 인지한다.Accordingly, even when both L1 and L2 are disconnected, the outputs of the third voltage comparator 96 and the fourth voltage comparator 97 are both high, and the third voltage comparator 96 and the fourth voltage comparator 97 The second OR gate 98 recognizes that L1 and L2 are disconnected.

따라서, 센서(80)에 제3전압비교기(96), 제4전압비교기(97), 제6저항(100), 제7저항(101), 제8저항(102)을 더 설치하여, 센서(80)의 연결선이 단선되었음이 즉시 식별되고, 이에 따라 센서(80)의 연결선이 단선되는 즉시 센서(80)를 수리 및 교체할 수 있게 된다.Therefore, a third voltage comparator 96, a fourth voltage comparator 97, a sixth resistor 100, a seventh resistor 101, and an eighth resistor 102 are further provided on the sensor 80, so that the sensor ( It is immediately identified that the connection line of 80 is broken, so that the sensor 80 can be repaired and replaced as soon as the connection line of the sensor 80 is broken.

*도 12는 본 발명 접촉눌림에 의한 변위감응센서의 또 다른 실시예를 보이는 개략적 블럭회로 구성도로서, 센서의 접촉눌림정도를 아날로그 결과치로 얻을 수 있도록 한 개략적 회로도이다.12 is a schematic block circuit diagram showing still another embodiment of the displacement-sensitive sensor according to the present invention, in which the degree of contact pressing of the sensor can be obtained as an analog result.

이는 도12와 같이 센서(110)의 제1도체층(111)에 비반전입력부(+)가 연결되는 제1볼테이지 플로워(Voltage follower)(113)가 구비되고, 제2도체층(112)에 비반전입력부(+)가 연결되는 제2볼테이지 플로워(114)가 구비된다.As shown in FIG. 12, a first voltage follower 113 having a non-inverting input unit + is connected to a first conductor layer 111 of the sensor 110, and a second conductor layer 112. The second voltage floor 114 is connected to the non-inverting input unit (+).

그리고 제1볼테이지 플로워(113)가 반전입력부(-)에 연결되는 제1위상반전기(115)가 구비되며, 제2볼테이지 플로워(114)가 반전입력부(-)에 연결되는 제2위상반전기(116)가 구비된다.In addition, a first phase inverter 115 having a first voltage follower 113 connected to the inverting input unit (-) is provided, and a second phase having a second voltage follower 114 connected to the inversion input unit (-). An inverter 116 is provided.

제1위상반전기(115) 및 제2위상반전기(116)의 일측에는 이들과 연결되는 차동증폭기(117)가 구비되고, 차동증폭기(117)의 일측에는 차동증폭기(117)와 연결되고 차동증폭기(117)로 부터 전달되는 전류전압의 양을 시각적으로 보여주는 부하장 치(118)가 구비된다.One side of the first phase inverter 115 and the second phase inverter 116 is provided with a differential amplifier 117 connected to them, one side of the differential amplifier 117 is connected to the differential amplifier 117 and differential A load device 118 is provided which visually shows the amount of current voltage delivered from the amplifier 117.

여기서, 부하장치(118)는 Volt Meter, 모니터, 전류계, 발광램프 등을 사용할 수 있고, 또는 다른 장치로의 입력신호로서 전달할 수도 있다.Here, the load device 118 may use a Volt Meter, a monitor, an ammeter, a light emitting lamp, or the like, or may transmit it as an input signal to another device.

이러한 접촉눌림에 의한 변위감응센서(110)는, 외부의 힘에 의해 센서(110)가 눌려지면 제1볼테이지 플로워(113) 및 제2볼테이지 플로워(114)로 출력 임피던스를 다음 단 입력임피던스에 맞도록 충분히 낮추어지게 즉, 전기량을 크게한다.When the sensor 110 is pressed by the external force, the displacement-sensing sensor 110 by the contact presses the output impedance of the next stage input impedance to the first voltage follower 113 and the second voltage follower 114. That is, lower enough to fit in, that is, increase the amount of electricity.

그리고 제1볼테이지 플로워(113) 및 제2볼테이지 플로워(114)를 통한 두개의 신호를 제1위상반전기(115) 및 제2위상반전기(116)에 입력하여 센서(110)작동시 두개의 신호들이 중성점을 향하는 것을 위상반전시키어 두 개의 신호 차이가 커지게 한다.When the sensor 110 operates by inputting two signals through the first voltage follower 113 and the second voltage follower 114 to the first phase inverter 115 and the second phase inverter 116. The phase inversion of the two signals towards the neutral point causes the two signal differences to become large.

위상반전된 두개의 신호는 차동증폭기(117)에 입력되고 차동증폭기(117)는 부하장치(118)의 전압레벨과 임피던스에 맞는 신호로 증폭하게 된다.The two phase inverted signals are input to the differential amplifier 117 and the differential amplifier 117 is amplified to a signal suitable for the voltage level and impedance of the load device 118.

차동증폭기(117)를 통해 증폭된 신호가 부하장치(118)에 전달되면 전달된 신호에 따라 부하장치(118)의 작동정도가 달라져서 부하장치(118)를 통해 센서(110)의 접촉부가 눌린 정도를 눈으로 식별할 수 있게 한다.When the signal amplified by the differential amplifier 117 is transmitted to the load device 118, the degree of operation of the load device 118 is changed according to the transmitted signal, so that the contact portion of the sensor 110 is pressed through the load device 118. To identify with the eye.

본 실시예의 센서(110)의 동작을 더 구체적으로 설명하면 다음과 같다. R1의 제1도체층(111)에 접하지 않은 쪽을 Vcc에, R2의 제2도체층(112)에 접하지 않은 쪽을 접지(0볼트)에 접속한다. 예컨대 노말상태에서 R1, Rx, R2의 관계를 1:2:1로 하여두면, 평치에 제1도체층(111)의 전압레벨은 3/4 Vcc이며 제2도체층(112)의 전압레벨은 1/4 Vcc로 된다.Referring to the operation of the sensor 110 of the present embodiment in more detail as follows. The side not in contact with the first conductor layer 111 of R1 is connected to Vcc, and the side not in contact with the second conductor layer 112 of R2 is connected to ground (0 volts). For example, when the relationship between R1, Rx, and R2 is 1: 2: 1 in a normal state, the voltage level of the first conductor layer 111 is 3/4 Vcc and the voltage level of the second conductor layer 112 is flat. 1/4 Vcc.

이때에 센서(110)가 눌리어지면 Rx는 작은 값으로 이행하게 된다. 이후, 센서(110)가 더욱더 눌리어지면 Rx의 값이 '0'으로 접근한다. 즉 R1:Rx:R2 = 1:0:1로 된다.At this time, when the sensor 110 is pressed, Rx is shifted to a small value. Thereafter, when the sensor 110 is pressed further, the value of Rx approaches '0'. That is, R1: Rx: R2 = 1: 0: 1.

따라서 제1도체층(111)의 전압레벨은 3/4 Vcc로부터 1/2 Vcc로 이행하게 되며, 제2도체층(112)의 전압레벨은 1/4 Vcc로부터 1/2 Vcc로 이행하게 된다.Therefore, the voltage level of the first conductor layer 111 shifts from 3/4 Vcc to 1/2 Vcc, and the voltage level of the second conductor layer 112 shifts from 1/4 Vcc to 1/2 Vcc. .

이에 따라서 제1도체층(111)으로부터 L1을 통하여 접속되어 있는 제1볼테이지플로워(113)의 +입력에는 제1도체층(111)의 전압레벨에 따른 변화가 가하여지며, 제2도체층(112)으로부터 L2를 통하여 접속되어 있는 제2 볼테이지플로워(114) +입력에는 제2도체층(112)의 전압레벨에 따른 변화가 가하여진다.Accordingly, a change according to the voltage level of the first conductor layer 111 is applied to the + input of the first voltage follower 113 connected from the first conductor layer 111 via L1, and the second conductor layer ( A change in accordance with the voltage level of the second conductor layer 112 is applied to the second voltage follower 114 + input connected via L2 from 112.

제1볼테이지플로워(113)의 출력전압은 +입력에 가하여진 전압과 같으므로 3/4 Vcc로부터 센서(110)가 눌리워짐에 따라 감소하여 1/2 Vcc로 이행하고, 한편 제1볼테이지플로워(113)의 출력을 위상반전시키면, 1/4 Vcc로부터 센서(110)가 눌리워짐에 따라 증가하여 1/2 Vcc로 이행하게 된다.Since the output voltage of the first voltage follower 113 is equal to the voltage applied to the + input, the sensor 110 decreases from 3/4 Vcc as the sensor 110 is pressed to shift to 1/2 Vcc, while the first voltage When the output of the follower 113 is reversed, the sensor 110 is pushed from 1/4 Vcc and then shifts to 1/2 Vcc.

여기에서 위상반전기의 출력레벨이 0.25 Vcc 상향되도록 출력시키어 제1위상반전기(115)의 출력을 1/2 Vcc로부터 센서(11)가 눌리워짐에 따라 증가하여 3/4 Vcc로 이행하도록 한다.Here, the output of the phase inverter is increased by 0.25 Vcc so that the output of the first phase inverter 115 increases from 1/2 Vcc as the sensor 11 is pressed to shift to 3/4 Vcc. .

제2볼테이지플로워(114)의 출력전압은 +입력에 가하여진 전압과 같으므로 1/4 Vcc로부터 센서(110)가 눌리워짐에 따라 증가하여 1/2 Vcc로 이행한다.Since the output voltage of the second voltage follower 114 is equal to the voltage applied to the + input, the voltage increases from 1/4 Vcc to 1/2 Vcc as the sensor 110 is pressed.

제2볼테이지플로워(114)의 출력을 위상반전시키면, 3/4 Vcc로부터 센서(110)가 눌리워짐에 따라 감소하여 1/2 Vcc로 이행하게 된다.When the output of the second voltage follower 114 is inverted in phase, the sensor 110 decreases as it is pressed from 3/4 Vcc and shifts to 1/2 Vcc.

여기에서 위상반전기의 출력레벨이 0.25 Vcc 하향되도록 출력시키어 제2위상반전기(116)의 출력을 1/2 Vcc로부터 센서(110)가 눌리워짐에 따라 감소하여 1/4 Vcc로 이행하도록 한다.Here, the output of the phase inverter is output to be 0.25 Vcc downward, so that the output of the second phase inverter 116 is reduced from 1/2 Vcc as the sensor 110 is pressed to shift to 1/4 Vcc. .

상기의 제1위상반전기(115)의 출력레벨과 제2위상반전기(116)의 출력레벨과의 차를 구하기 위하여 제1위상반전기(115)의 출력을 차동증폭기(117)의 두개의 입력중 하나의 입력에 인가하고, 제2위상반전기(115)의 출력을 차동증폭기(117)의 나머지 하나의 입력에 인가한다. 센서(110)가 눌리워짐에 따른 제1위상반전기(115)의 출력레벨(1/2Vcc ~ 3/4Vcc)과, 센서(110)가 눌리워짐에 따른 제2위상반전기(116)의 출력레벨(1/2Vcc ~ 1/4Vcc)의 차는 이득이 '1'인 차동증폭기라면 차동증폭기(117)의 출력에서 (1/2Vcc ~ 3/4Vcc) - (1/2Vcc ~ 1/4Vcc) = (0Vcc ~ 1/2 Vcc)로서, 초기치 0Vcc로부터 센서(110)가 눌리워짐에 따라 증가하여 최대치 1/2 Vcc에 이르는 값이 나타나게 된다.In order to obtain the difference between the output level of the first phase inverter 115 and the output level of the second phase inverter 116, the outputs of the first phase inverter 115 are divided into two units of the differential amplifier 117. One of the inputs is applied, and the output of the second phase inverter 115 is applied to the other input of the differential amplifier 117. Output level (1 / 2Vcc ~ 3 / 4Vcc) of the first phase inverter 115 as the sensor 110 is pressed, and output of the second phase inverter 116 as the sensor 110 is pressed. The difference in level (1 / 2Vcc to 1 / 4Vcc) is (1 / 2Vcc to 3 / 4Vcc)-(1 / 2Vcc to 1 / 4Vcc) = (at the output of differential amplifier 117 if the differential amplifier has gain '1' 0 Vcc to 1/2 Vcc), which increases as the sensor 110 is pressed from the initial value of 0 Vcc, resulting in a value up to 1/2 Vcc.

따라서, 센서(110)에 제1볼테이지 플로워(113) 및 제2볼테이지 플로워(114), 제1위상반전기(115) 및 제2위상반전기(116), 차동증폭기(117), 부하장치(118)가 연결 구비되므로, 센서의 접촉부에 가해지는 압력측정결과가 부하장치(118)에 나타나게 된다. 이러한 센서(110)는 압력계나 중량계 등과 같은 아날로그 타입의 계기나, 다양한 측정기기 등과 같은 장치에 설치되어 압력, 중량에 따라 센서(110)의 눌린정도를 파악하여 압력의 정도, 중량 등을 측정할 수 있게 된다.Accordingly, the first 110 and 113 second voltage floor 114, the first phase inverter 115 and the second phase inverter 116, the differential amplifier 117, the load on the sensor 110 Since the device 118 is provided with a connection, the result of the pressure measurement applied to the contact portion of the sensor is displayed on the load device 118. The sensor 110 is installed in an instrument of an analog type such as a pressure gauge or a weight scale, or a device such as various measuring devices to determine the degree of pressure of the sensor 110 according to pressure and weight to measure the degree of pressure and weight. You can do it.

여기서, 센서(110)를 중량계 등에 사용할 때에는 센서(110)의 제1도체층(111) 및 제2도체층(112)을 연질이 아닌 경질을 사용할 수도 있다.In this case, when the sensor 110 is used in a weight scale or the like, the first conductor layer 111 and the second conductor layer 112 of the sensor 110 may be hard but not soft.

식기건조기 등과 같이 압력기체를 이용하는 Chamber 장치에 장착되어 기체의 압력을 측정하는데 사용될 수도 있으며, 파이프 등의 내부에 장착되어 파이프 내의 기체 또는 액체의 압력을 측정하는데 사용될 수도 있다.It may be mounted on a chamber device using a pressure gas such as a dish dryer or the like to be used to measure the pressure of a gas, or may be mounted inside a pipe to measure the pressure of a gas or a liquid in the pipe.

도 13은 본 발명 접촉눌림에 의한 변위감응센서(120)의 또 다른 실시예를 보이는 개략적 블럭회로 구성도로서, 센서의 접촉눌림정도를 디지털 결과치로 얻을 수 있도록 한 개략적 회로도이다.FIG. 13 is a schematic block circuit diagram showing still another embodiment of the displacement-sensitive sensor 120 according to the present invention, in which a contact result of the sensor can be obtained as a digital result.

이는 도13과 같이 센서(120)의 제1도체층(121)에 연결된 제1볼테이지 플로워(123)에 제1A/D컨버터(125)가 연결되고, 제2도체층(122)에 연결된 제2볼테이지 플로워(124)에 제2A/D컨버터(126)가 연결구비된다.As shown in FIG. 13, the first A / D converter 125 is connected to the first voltage follower 123 connected to the first conductor layer 121 of the sensor 120 and the second conductor layer 122 is connected to the first conductor layer 121. The second A / D converter 126 is connected to the two-volt floor 124.

그리고 제1A/D컨버터(125) 및 제2A/D컨버터(126)에 감산기(127)가 연결되고, 감산기(127)에 디지털위상반전기(128)가 연결구비되며, 디지털위상반전기(128)에는 쉬프트레지스터(129)가 연결 구비된다.The subtractor 127 is connected to the first A / D converter 125 and the second A / D converter 126, and the digital phase inverter 128 is connected to the subtractor 127, and the digital phase inverter 128 is provided. ) Is provided with a shift register 129.

이러한 접촉눌림에 의한 변위감응센서(120)는, 센서(120)가 눌려지면 센서(120)의 눌림정도의 수치가 디지탈화되어 도 14와 같은 수치를 얻을 수 있는바, 센서(120)가 눌려지면 제1볼테이지 플로워(123) 및 제2볼테이지 플로워(124)로 출력임피던스를 다음단 임피던스에 맞도록 충분히 낮추어지게 즉, 전기량을 크게하고, 출력되는 신호를 제1A/D컨버터(125) 및 제2A/D컨버터(126)를 통해 디지탈 수치로 변환하게 된다.When the sensor 120 is pressed, the displacement-sensitized sensor 120 by the contact pressing is digitalized to obtain a numerical value as shown in FIG. 14 when the sensor 120 is pressed, and the sensor 120 is pressed. The first voltage follower 123 and the second voltage follower 124 lower the output impedance sufficiently to meet the next stage impedance, that is, increase the amount of electricity, and output the output signal to the first A / D converter 125 and The second A / D converter 126 converts the digital values.

그리고 두개의 신호에 의한 디지탈수치를 감산기(127)를 통해 감산하면 평시의 수치보다 눌리워졌을 때의 수치가 작아지게 되고, 작아진 수치는 반전기(128)를 통과하면 평시의 수치보다 눌리워졌을 때의 수치가 크게 된다.If the digital values of two signals are subtracted through the subtractor 127, the numerical value when pressed is smaller than the normal value, and the smaller value is pressed than the normal value when passing through the inverter 128. When you lose, the figure is big.

여기서 상기 제1 A/D컨버터(125)의 디지털수치출력 및 제2 A/D 컨버터(126)의 디지털수치출력은 감산기(127)의 하나의 입력(버스)에 제1 A/D 컨버터(125)의 디지털수치출력을 접속하고 감산기(127)의 다른 하나의 입력(버스)에 제2 A/D 컨버터(126)의 디지털수치출력을 접속하여 감산함에 있어서,Here, the digital numerical output of the first A / D converter 125 and the digital numerical output of the second A / D converter 126 are connected to one input (bus) of the subtractor 127 to the first A / D converter 125. In connecting the digital numerical output of the () and the digital numerical output of the second A / D converter 126 to the other input (bus) of the subtractor 127 to subtract,

제1 A/D 컨버터(125)의 디지털수치출력은 평시에는 중앙값으로부터 멀리 떨어진 큰값이었다가, 센서(120)가 눌리워짐에 따라 중앙값에 더 가까운 값으로서 나타난다. 예컨대 도14에 표기한대로 "111, 110, 101, 100" 값으로 나타난다.The digital numerical output of the first A / D converter 125 is normally a large value far from the median, but appears as a value closer to the median as the sensor 120 is pressed. For example, as shown in FIG. 14, the values are represented as "111, 110, 101, 100".

제2 A/D 컨버터(126)의 디지털수치출력은 평시에는 중앙값으로부터 멀리 떨어진 큰값이었다가, 센서(120)가 눌리워짐에 따라 중앙값에 더 가까운 값으로서 나타난다. 예컨대 도14에 표기한대로 "000, 001, 010, 011" 값으로 나타난다.The digital numerical output of the second A / D converter 126 is normally a large value far from the median, but appears as a value closer to the median as the sensor 120 is pressed. For example, as shown in Fig. 14, the values are represented by "000, 001, 010, 011".

상기 제1 A/D 컨버터(125)의 디지털수치출력 "111, 110, 101, 100"을 피감수로 하고, 상기 제2 A/D 컨버터(126)의 디지털수치출력 "000, 001, 010, 100"을 감수로 하여 감산을 하면, "111 - 000 = 111, 110 - 001 = 101, 101 - 010 = 011, 100 - 011 = 001"로 나타난다. 이러한 감산 결과의 수치는 평시의 감산기(127) 출력수치보다 센서(120)가 눌리워지는 때의 감산기(127) 출력수치가 작은 수치로 나타남을 알 수 있다.The digital numerical output "111, 110, 101, 100" of the first A / D converter 125 is to be reduced, and the digital numerical output "000, 001, 010, 100 of the second A / D converter 126 is reduced. If subtracted with "," it appears as "111-000 = 111, 110-001 = 101, 101-010 = 011, 100-011 = 001". It is understood that the numerical value of the result of the subtraction is that the subtractor 127 output value when the sensor 120 is pressed is smaller than the normal subtractor 127 output value.

이때, 그후 감산기(127) 출력수치인 "111, 101, 011, 001"을 디지털위상반전기(128)로 위상반전하면, "000, 010, 100, 110"으로 된다. 이는 평시의 디지털 위상반전기(128)의 출력수치보다 센서(120)가 눌리워지는 때의 디지털 위상반전 기(128)의 출력수치가 큰 수치로 반전되어 나타남을 알 수 있다. 이때, 디지털 위상 반전기(128)의 출력수치가 "000, 010, 100, 110"으로 LSB가 항상 '0'이므로 디지털 위상 반전기(128)의 출력수치를 우쉬프트레지스터(129)에 인가하여 1비트 우로 이동시켜 디지털 위상반전기(128)의 LSB를 제거하면, "00, 01, 10, 11"으로 되어 센서(120)의 작동정도에 따른 우쉬프트레지스터(129)의 디지털출력수치가 연속성을 갖도록 한다.At this time, when the subtractor 127 output values " 111, 101, 011, 001 " are phase-inverted by the digital phase inverter 128, the result is " 000, 010, 100, 110 ". This can be seen that the output value of the digital phase inverter 128 when the sensor 120 is pressed more than the output value of the digital phase inverter 128 inverted to a large value. At this time, since the output value of the digital phase inverter 128 is "000, 010, 100, 110" and the LSB is always '0', the output value of the digital phase inverter 128 is applied to the right shift register 129. If the LSB of the digital phase inverter 128 is removed by moving 1 bit to the right, it becomes "00, 01, 10, 11", and the digital output value of the right shift register 129 according to the operation degree of the sensor 120 is continuous. To have.

도 15는 본 발명 접촉눌림에 의한 변위감응센서의 또 다른 실시예를 보이는 개략적 회로도로서, 반도전성층에 흐르는 전류의 세기로 접촉눌림을 판별하는 방안 및 단선을 판별하도록 한 개략적 회로도이다.FIG. 15 is a schematic circuit diagram illustrating still another embodiment of the displacement-sensitive sensor according to the present invention, and a schematic circuit diagram for determining contact pressure and disconnection by the strength of the current flowing through the semiconductive layer.

이는 센서(130)의 제1도체층(131)에 전류드라이버(134)가 연결구비된다.The current driver 134 is connected to the first conductor layer 131 of the sensor 130.

전류드라이버(134)에는 전류드라이버(134)가 작동되도록 하는 스위치(135)가 연결구비되고, 제2도체층(132)에는 제2도체층(132)에 - 단자가 연결되고 전류의 변화를 전압의 변화로 변환하는 전류-전압변환기(136)가 연결구비된다.The current driver 134 is provided with a switch 135 for operating the current driver 134, and the second terminal layer 132 is connected to the-terminal of the second conductor layer 132 and the change of current is applied to the voltage. A current-voltage converter 136 that converts to a change in is provided.

그리고 전류-전압변환기(136)에 - 단자가 연결되는 제1전압비교판별기(137)가 연결구비되며, 전류-전압변환기(136)에 + 단자가 연결되는 제2전압비교판별기(138)가 연결구비된다.A first voltage comparator 137 having a negative terminal connected to the current-voltage converter 136 is connected, and a second voltage comparator 138 having a positive terminal connected to the current-voltage converter 136. Is connected.

이와 같은 접촉눌림에 의한 변위감응센서는, 먼저 스위치(135)를 닫아서 전류드라이버(134) ID를 작동시켜서 제1도체층(131)과 전류드라이버(134)를 연결하는 연결선 L1과, 반도전성층(133)의 저항치 Rx, 제2도체층(132)과 전류-전압변환기(136)를 연결하는 연결선 L2를 경유하는 Irx 전류가 흐르도록 한다.Such a displacement-sensing sensor by contact presses, by connecting the first conductor layer 131 and the current driver 134 by first operating the current driver 134 ID by closing the switch 135 and the semiconductive layer The resistance value Rx of 133, the Irx current flowing through the connecting line L2 connecting the second conductor layer 132 and the current-voltage converter 136 flows.

이때, 예로서 IRx를 조절하여 전류-전압변환기(136)의 출력을 1/2Vcc가 되도록하고, 제1전압비교기(137)의 + 단자에 연결되는 접점인 Vcp를 1/4Vcc로 설정하였을 경우, 반도전성층(133)의 저항치 Rx가 눌리워져서 Rx의 저항값이 작아지면 상술한 전류 Irx가 증가하여 전류전압변환기(136)를 통과하면서 전류전압변환기(136)에 의해 전류 Irx가 전압 Viv로 변환되고 그 값은 1/4Vcc보다 작은 값으로 이행되기에 이른다.At this time, for example, if the output of the current-voltage converter 136 is adjusted to 1 / 2Vcc by adjusting IRx, and Vcp, which is a contact connected to the + terminal of the first voltage comparator 137, is set to 1 / 4Vcc, When the resistance value Rx of the semiconductive layer 133 is pressed down and the resistance value of Rx becomes small, the above-described current Irx increases and passes through the current voltage converter 136 while the current Irx is transferred to the voltage Viv by the current voltage converter 136. The value is converted to a value smaller than 1/4 Vcc.

이에 따라, 제1전압비교기(137)의 로우(Low)측인 - 단자에 1/4Vcc보다 작은 값이 입력되어 1/4Vcc인 Vcp가 더 큰값을 가지므로 제1전압비교기(137)의 출력은 하이가 되어 반도전성층(133)이 눌리워진 것을 인지하게 된다.Accordingly, a value smaller than 1/4 Vcc is input to the − terminal of the low side of the first voltage comparator 137 so that Vcp having 1/4 Vcc has a larger value, so that the output of the first voltage comparator 137 is high. It will be recognized that the semiconductive layer 133 is pressed.

*한편, 제2전압비교기(138)의 - 단자에 연결되는 접점인 Vop의 값을 3/4Vcc로 설정하였을 경우, L1 또는 L2가 단선되거나, L1, L2 모두 단선되면 전류 Ir2는 0에 이르며, 0의 값을 가지는 Ir2가 전류전압변환기(136)를 통과하면서 전류 Ir2가 전압 Viv로 변환된다.On the other hand, if the value of Vop, the contact point connected to the negative terminal of the second voltage comparator 138, is set to 3 / 4Vcc, the current Ir2 reaches zero when L1 or L2 is disconnected, or both L1 and L2 are disconnected. Ir2 having a value of 0 passes through the current voltage converter 136, and the current Ir2 is converted into the voltage Viv.

이때, 변환된 전압값은 거의 1Vcc로서 3/4Vcc보다 커지고, 그 값이 제2전압비교기(138)의 하이(High)측인 + 단자에 입력된다.At this time, the converted voltage value is almost 1 Vcc, which is larger than 3/4 Vcc, and the value is input to the + terminal on the high side of the second voltage comparator 138.

이에 따라, 3/4Vcc의 값을 가지는 제2전압비교기(138)의 Vop의 전압 값보다 + 단자의 입력 전압 값이 더 크므로 제2전압비교기(138)의 출력이 하이가 되어 L1 또는 L2가 단선되거나, L1, L2 모두 단선되었음이 인지된다.Accordingly, since the input voltage value of the + terminal is greater than the voltage value of Vop of the second voltage comparator 138 having the value of 3 / 4Vcc, the output of the second voltage comparator 138 becomes high, so that L1 or L2 becomes high. It is recognized that the wire is disconnected or both L1 and L2 are disconnected.

이는, 반도전성층(133)에 흐르는 전류의 세기로 접촉눌림을 판별 및 L1, L2 의 단선을 판별할 수 있는 것이며, 그 효과는 상술한 바와 동일하다.This can determine contact depression and the disconnection of L1 and L2 by the intensity of the current flowing through the semiconductive layer 133, and the effect is the same as described above.

도 16은 본 발명 접촉눌림에 의한 변위감응센서의 또 다른 실시예를 보이는 개략적 회로도로서, 동상잡음을 제거함으로서 동상잡음으로 인한 오동작을 해소하는 방안 및 단선을 판별하도록 한 개략작은 회로도이다.FIG. 16 is a schematic circuit diagram illustrating still another embodiment of the displacement-sensing sensor according to the present invention, and a schematic circuit diagram for determining disconnection and a method of eliminating malfunction due to in-phase noise by removing in-phase noise.

이는 제1저항(145)에 + 단자가 연결되는 제1볼테이지플로워(148)가 구비되고, 제2저항(147)에 + 단자가 연결되는 제2볼테이지플로워(149)가 구비된다.This is provided with a first voltage follower 148 having a + terminal connected to the first resistor 145, and a second voltage follower 149 having a + terminal connected to the second resistor 147.

제1볼테이지플로워(148) 및 제2볼테이지플로워(149)에는 제1볼테이지플로워(148) 및 제2볼테이지플로워(149)의 출력이 입력되는 차동증폭기(150)가 구비된다.The first voltage follower 148 and the second voltage follower 149 are provided with a differential amplifier 150 to which the outputs of the first voltage follower 148 and the second voltage follower 149 are input.

그리고, 차동증폭기(150)에 - 단자가 연결되는 제1전압비교기(151)가 구비되고, 차동증폭기(150)에 + 단자가 연결되는 제2전압비교기(152)가 구비된다.The differential amplifier 150 includes a first voltage comparator 151 having a − terminal connected thereto, and a second voltage comparator 152 having a + terminal connected to the differential amplifier 150.

이와 같은 접촉눌림에 의한 변위감응센서는, 제1저항(145) R1, L1, Rx, L2, 제2저항(147) R2를 통하여 회로에 인입된 동상잡음 및 제1볼테이지플로워(148), 제2볼테이지플로워(149) 등의 회로에 인입된 동상잡음은 차동증폭기(150)를 통과하면서 제거되고, 차동증폭기(150)의 이득이 n 이라고 가정할 경우 차동증폭기(150)의 출력 Vdfa = n(Vf1 - Vf2)로 되므로 이는 Rx의 변위로 인한 신호만을 얻게 된다.The displacement-sensing sensor by contact contact as described above has the in-phase noise introduced into the circuit through the first resistor 145 R 1 , L1, Rx, L2, and the second resistor 147 R 2 and the first voltage follower 148. In-phase noise introduced into a circuit, such as the second voltage follower 149, is removed while passing through the differential amplifier 150, and assuming that the gain of the differential amplifier 150 is n, the output of the differential amplifier 150 Since Vdfa = n (Vf1-Vf2), this only obtains the signal due to the displacement of Rx.

이에 대한 일예로서 R1 : Rx : R2 = 1 : 2 : 1 로 설정하고 제1전압비교기(151)의 + 단자에 연결되는 접점인 Vcp의 값을 1/3Vcc로 설정하였을 경우, 평시에는 제1볼테이지플로워(148)의 값이 3/4Vcc이고 제2볼테이지플로워(149)의 값이 1/4Vcc이며, 차동증폭기(150)의 전압이득이 1 이라면 차동증폭기(150)의 출력 Vdfa의 값은 1/2Vcc가 된다.As an example of this R 1 : Rx: R 2 = 1: 2: 1 When the value of Vcp, which is a contact point connected to the + terminal of the first voltage comparator 151, is set to 1 / 3Vcc, the first voltage follower is normally ) Is 3 / 4Vcc, the second voltage follower 149 is 1 / 4Vcc, and the voltage gain of the differential amplifier 150 is 1, the value of the output Vdfa of the differential amplifier 150 is 1 / 2Vcc. do.

이에 따라, 차동증폭기(150)의 출력이 Vcp의 값인 1/3Vcc보다 큰 값을 가지므로 제1전압비교기(151)의 출력은 로우(Low)상태가 된다.Accordingly, since the output of the differential amplifier 150 has a value larger than 1 / 3Vcc, which is the value of Vcp, the output of the first voltage comparator 151 is in a low state.

이와 같은 상태에서 반도전성을 가지는 반도전성층(144)의 눌림에 의해 Rx가 감소하여 R1 : Rx : R2 = 2 : 1 : 2로 되었다면, 제1볼테이지플로워(148)의 값이 3/5Vcc, 제2볼테이지플로워(149)의 값이 2/5Vcc가 되고, 차동증폭기(150)의 출력 Vdfa의 값이 1/5Vcc가 된다.In this state, the Rx decreases due to the pressing of the semiconductive layer 144 having the semiconductivity, so that R 1 When Rx: R 2 = 2: 1: 2, the value of the first voltage follower 148 is 3 / 5Vcc, the value of the second voltage follower 149 is 2 / 5Vcc, and the differential amplifier 150 ), The output Vdfa becomes 1/5 Vcc.

이에 따라, 차동증폭기(150)의 출력 Vdfa의 값이 Vcp의 값 1/3Vcc보다 작은 값을 가지므로 제1전압비교기(151)의 출력은 하이(High)가 되어 반도전성층(144)의 눌림을 인지한다.Accordingly, since the value of the output Vdfa of the differential amplifier 150 has a value smaller than the value 1/3 Vcc of the Vcp, the output of the first voltage comparator 151 becomes high to press the semiconductive layer 144. Recognize.

한편, 제2전압비교기(152)의 "-" 입력단자전압 Vop의 값을 2/3Vcc로 설정한 상태에서 L1 또는 L2가 단선되거나, L1과 L2모두 단선되었을시, Vcc가 R1을 경유하여, 제1볼테이지플로워(148)의 Vf1i에 인가되어 Vf1i는 거의 1 Vcc가 되고, 접지(Gnd)를 경유하여, 제2볼테이지플로워(149)의 Vf2i에 인가되어 Vf2i는 0Vcc가 된다.On the other hand, when L1 or L2 is disconnected or both L1 and L2 are disconnected while the value of the "-" input terminal voltage Vop of the second voltage comparator 152 is set to 2 / 3Vcc, Vcc passes through R1. Vf1i is applied to Vf1i of the first voltage follower 148 to be approximately 1 Vcc, and Vf2i is applied to Vf2i of the second voltage follower 149 via ground (Gnd) to Vf2i to be 0Vcc.

이에 따라, 제1볼테이지플로워(148)의 출력 Vf1은 거의 1 Vcc가 되고, 제2볼테이지플로워(149)의 출력 Vf2 는 거의 0 Vcc가 되며, 차동증폭기(150)의 출력 Vdfa는 (거의 1Vcc - 거의 0 Vcc) = 약 1 Vcc로 되어, 차동증폭기(150)의 출력 Vdfa의 값이 2/3 Vcc인 Vop의 값보다 큰 값으로 된다. 따라서, 제2전압비교기(152)의 출력은 하이가 되어 L1 또는 L2가 단선되거나, L1과 L2 모두 단선되었음을 인지하게 된다.Accordingly, the output Vf1 of the first voltage follower 148 becomes almost 1 Vcc, the output Vf2 of the second voltage follower 149 becomes almost 0 Vcc, and the output Vdfa of the differential amplifier 150 is (almost). 1 Vcc-almost 0 Vcc) = about 1 Vcc, so that the value of the output Vdfa of the differential amplifier 150 is larger than the value of Vop which is 2/3 Vcc. Accordingly, the output of the second voltage comparator 152 becomes high to recognize that L1 or L2 is disconnected, or both L1 and L2 are disconnected.

이는, 센서(140)의 접촉부가 외부에 설치된 경우, 불필요한 전류가 회로내부로 흘러들어와서 발생되는 동상잡음이 차동증폭기(150)에 의해 제거되어 센서(140)의 Rx의 변위로 인한 신호만을 얻어서 센서(140)의 접촉부의 눌림을 인지할 수 있게 된다.When the contact portion of the sensor 140 is installed outside, the in-phase noise generated by the unnecessary current flowing into the circuit is removed by the differential amplifier 150 to obtain only a signal due to the displacement of Rx of the sensor 140. Depression of the contact of the sensor 140 can be recognized.

도 17은 본 발명 접촉눌림에 의한 변위감응센서의 또 다른 실시예를 보이는 개략적 회로 구성도이다. 본 실시예는, 도시된 바와 같이, 주회로와 부회로를 병설하고 동상잡음의 제거 및 설정된 접촉눌림정도에서 히스테리시스 특성을 적용하며 단선이 판별되도록 한 회로 구성을 가진다.Figure 17 is a schematic circuit diagram showing another embodiment of the displacement-sensitive sensor by the contact pressing of the present invention. As shown in the drawing, the main circuit and the sub-circuit are arranged in parallel, the in-phase noise is eliminated, the hysteresis characteristics are applied at the set contact depression degree, and the circuit configuration is such that disconnection is determined.

이는 스위치(165)가 구비되고, 스위치(165) 일측에 연결구비되는 전류구동기(164)가 구비되며 이 전류구동기(164)는 연결선 L1에 의해 센서(160)의 제1도체층(161)과 연결된다.It is provided with a switch 165, and is provided with a current driver 164 connected to one side of the switch 165, the current driver 164 is connected to the first conductor layer 161 of the sensor 160 by the connecting line L1 Connected.

그리고 연결선 L2에 의해 센서(160)의 제2도체층(162)과 연결되는 제1전류-전압변환기(166)가 구비되고, 제1전류-전압변환기(166)의 일측에는 제1위상반전기(168)가 연결구비되며, 제1위상반전기(168)는 차동증폭기(173)에 연결되며, 차동증폭기(173)의 일측에는 눌림검출기(174)가 연결구비되며, 눌림검출기(174)에는 일측이 눌림검출기(174)의 출력측에 연결되고 타측이 눌림검출기(174)의 + 측에 연결되는 히스테리시스(histerisis)저항 Rhis가 연결된다.In addition, a first current-voltage converter 166 connected to the second conductor layer 162 of the sensor 160 by a connecting line L2 is provided, and on one side of the first current-voltage converter 166, a first phase inverter 168 is connected, the first phase inverter 168 is connected to the differential amplifier 173, one side of the differential amplifier 173 is equipped with a press detector 174, the press detector 174 A hysteresis resistor Rhis is connected at one side to the output side of the depression detector 174 and at the other side to the + side of the depression detector 174.

또한, 연결선 L2'에 의해 제1도체층(161)과, 평시의 저항치 Rx 와 같은 값 또는 임의의 값인 저항 Rx' 를 경유하여 연결되는 제2전류-전압변환기(167)가 구비되고, 제2전류-전압변환기(167)의 일측에는 제2위상반전기(169)가 연결구비되며, 제2위상반전기(169)는 그 출력측이 차동증폭기(173)와 연결된다.In addition, a second current-voltage converter 167 connected by the connecting line L2 'to the first conductor layer 161 via a resistor Rx' having the same value as the usual resistance value Rx or an arbitrary value is provided. A second phase inverter 169 is connected to one side of the current-voltage converter 167, and the output side of the second phase inverter 169 is connected to the differential amplifier 173.

제1위상반전기(168)와 차동증폭기(173)의 사이에는 - 단자가 연결되는 제1단선판별기(171)가 연결구비되고, 제2위상반전기(169)와 차동증폭기(173)의 사이에는 - 단자가 연결되는 제2단선판별기(172)가 연결구비된다.Between the first phase inverter 168 and the differential amplifier 173, a first breaker 171 to which the negative terminal is connected is connected, and the second phase inverter 169 and the differential amplifier 173 are connected to each other. Between the second terminal discriminator 172 is connected to the terminal is connected.

이와 같이 연결된 회로에서 차동증폭기(173)의 출력전압 Vdfa는 평시에 0의 값을 가지며, 센서(160)가 접촉눌림되면 Rx의 값이 작아져서 Ir2가 증가하면 제1위상반전기(168)의 출력전압 Vmain과 Vsub의 차가 커짐으로 차동증폭기(173)의 출력전압 Vdfa는 증가하게 된다.In this connected circuit, the output voltage Vdfa of the differential amplifier 173 has a value of 0 at normal times, and when the sensor 160 is pressed down, the value of Rx decreases, and if Ir2 increases, the first phase inverter 168 As the difference between the output voltages Vmain and Vsub increases, the output voltage Vdfa of the differential amplifier 173 increases.

예로서, Vcp를 1/3Vcc로 설정하였다면 차동증폭기(173)의 출력전압 Vdfa의 값이 증가하여 Vdfa의 값이 1/3Vcc보다 커지면 눌림검출기(174)의 출력은 High로 되어 접촉눌림을 인지한다.For example, if Vcp is set to 1 / 3Vcc, when the value of the output voltage Vdfa of the differential amplifier 173 increases, and the value of Vdfa becomes larger than 1 / 3Vcc, the output of the push detector 174 becomes high to recognize contact contact. .

이후 Rhis에 의해서 Vdfa에 정궤환 되므로 인한 히스테리시스(histerisis) 특성을 갖게한다.Afterwards, Rhis is positively fed back to Vdfa, resulting in hysteresis characteristics.

한편, L2의 단선으로 Irx가 0으로 되면 제1위상반전기(168)의 출력전압 Vmain은 최소치로 된다.On the other hand, when Irx becomes 0 due to disconnection of L2, the output voltage Vmain of the first phase inverter 168 becomes the minimum value.

제1단선판별기(171)의 단선판별전압 Vop1을 Vmain의 최소치보다 조금 상회하게 설정하였다면 제1단선판별기(171)의 출력은 High로 되어 L2의 단선을 인지한다.If the disconnection discrimination voltage Vop1 of the first disconnection discriminator 171 is set slightly above the minimum value of Vmain, the output of the first disconnection discriminator 171 becomes High to recognize the disconnection of L2.

그리고, L2'의 단선으로 Ir2'가 0으로 되면 Vsub는 최소치로 된다.When Ir2 'becomes 0 due to disconnection of L2', Vsub becomes the minimum value.

제2단선판별기(172)의 단선판별전압 Vop2를 제2위상반전기(169)의 출력전압 Vsub의 최소치보다 조금상회하게 설정하였다면 제2단선판별기(172)의 출력은 High로 되어 L2'의 단선을 인지한다.If the circuit breaker voltage Vop2 of the second circuit breaker 172 is set slightly above the minimum value of the output voltage Vsub of the second phase inverter 169, the output of the second circuit breaker 172 becomes High and L2 ' Recognize disconnection of.

도 18 내지 도 22는 본 발명 접촉눌림에 의한 변위감응센서의 또 다른 실시예를 보이는 사시도들로서, 센서의 형상을 달리하는 사시도들이다.18 to 22 are perspective views showing another embodiment of the displacement-sensitive sensor according to the present invention contact pressing, perspective views that vary the shape of the sensor.

도18과 같이 제1반도전성층(181) 및 제2반도전성층(182)이 형성되고, 제1반도전성층(181)과 제2반도전성층(182)의 사이에 도전성층(183)이 형성되며, 제1반도전성층(181) 상부에 수평도전체(R)가 다수 형성되고, 제2반도전성층(182)의 하부에 수직도전체(C)가 다수 형성되도록 센서(180)의 형상 및 구조를 달리할 수 있으며, 이는 터치스크린, 키보드 등에 설치되어 사용될 수 있다.As shown in FIG. 18, the first semiconductive layer 181 and the second semiconductive layer 182 are formed, and the conductive layer 183 is disposed between the first semiconducting layer 181 and the second semiconducting layer 182. The plurality of horizontal conductors R are formed on the first semiconducting layer 181, and the plurality of vertical conductors C are formed on the bottom of the second semiconducting layer 182. The shape and structure of the can be different, which can be installed and used in the touch screen, keyboard, and the like.

도 19와 같이 제1반도전성층(191) 및 제2반도전성층(192)이 형성되고, 제1반도전성층(191)의 하부에 제1도전성층(193)이 형성되고, 제2반도전성층(192)의 하부에 제2도전성층(192)이 형성되며, 제1반도전성층(191)의 상부에 수평도전체(R)가 다수 형성되고, 제2반도전성층(192)의 상부에 수직도전체(C)가 다수 형성되며, 제1도전성층(193)과 제2반도전성층(194)의 사이에 절연층(195)이 형성되도록 센서(190)의 형상 및 구조를 달리할 수 있으며, 그 효과는 상술한 바와 동일하다.As shown in FIG. 19, a first semiconducting layer 191 and a second semiconducting layer 192 are formed, a first conductive layer 193 is formed below the first semiconducting layer 191, and a second semiconducting layer. The second conductive layer 192 is formed under the conductive layer 192, and a plurality of horizontal conductors R are formed on the first semiconducting layer 191, and the second conductive layer 192 is formed of the second conductive layer 192. A plurality of vertical conductors C are formed thereon, and the shape and structure of the sensor 190 are different so that the insulating layer 195 is formed between the first conductive layer 193 and the second semiconducting layer 194. The effect is the same as that mentioned above.

도20과 같이 센서(200)의 전체 형상이 원기둥형으로 형성되고, 제1반도전성층(201) 및 제2반도전성층(202)이 형성되고, 제1반도전성층(201)의 상부에 원판형의 제1도전성층(203)이 형성되며, 제1반도전성층(201)의 하부에 과녁형상의 제2도 전성층(204)이 형성되고, 제2반도전성층(202)의 상부에 과녁형상의 제3도전성층(205)이 형성되고, 제2반도전성층(202)의 하부에 원판형의 제4도전성층(206)이 형성되며, 제2도전성층(204)과 제3도전성층(205)의 사이에 절연층(207)이 형성되도록 센서(200)의 형상 및 구조를 달리할 수 있으며, 권총사격장이나 양궁사격장 등에서 과녁판으로 사용될 수 있다.As shown in FIG. 20, the overall shape of the sensor 200 is formed in a cylindrical shape, a first semiconducting layer 201 and a second semiconducting layer 202 are formed, and an upper portion of the first semiconducting layer 201 is formed. A disk-shaped first conductive layer 203 is formed, a second conductive layer 204 having a target shape is formed below the first semiconductive layer 201, and an upper portion of the second semiconductive layer 202. A third conductive layer 205 having a target shape is formed in the target shape, a fourth conductive layer 206 having a disc shape is formed under the second semiconductive layer 202, and the second conductive layer 204 and the third conductive layer are formed. The shape and structure of the sensor 200 may be varied so that the insulating layer 207 is formed between the conductive layers 205, and may be used as a target plate in a pistol shooting range or an archery shooting range.

도21과 같이 센서(210)의 전체 형상이 원기둥형으로 형성되고, 과녁형상의 제1도전성층(211) 및 제2도전성층(212)이 형성되고, 제1도전성층(211) 및 제2도전성층(212)의 사이에 반도전성층(213)이 형성되도록 센서(210)의 형상 및 구조를 달리할 수 있으며, 그 효과는 상술한 바와 동일하다.As shown in FIG. 21, the overall shape of the sensor 210 is formed in a cylindrical shape, a first conductive layer 211 and a second conductive layer 212 are formed in a target shape, and the first conductive layer 211 and the second conductive layer 212 are formed. The shape and structure of the sensor 210 may be varied so that the semiconductive layer 213 is formed between the conductive layers 212, and the effects thereof are the same as described above.

도22와 같이 센서(220)의 전체 형상이 원기둥형으로 형성되고, 제1반도전성층(221) 및 제2반도전성층(222)이 형성되고, 제1반도전성층(221)의 상부에 과녁형상의 제1도전성층(223)이 형성되며, 제2반도전성층(222)의 하부에 과녁형상의 제2도전성층(224)이 형성되고, 제1반도전성층(221)과 제2반도전성층(222)의 사이에 제3도전성층(225)이 형성되도록 센서(220)의 형상 및 구조를 달리할 수 있으며, 그 효과는 상술한 바와 동일하다.As shown in FIG. 22, the overall shape of the sensor 220 is formed in a cylindrical shape, a first semiconducting layer 221 and a second semiconducting layer 222 are formed, and an upper portion of the first semiconducting layer 221 is formed. The target conductive first conductive layer 223 is formed, and the second conductive conductive layer 224 shaped like the target is formed under the second conductive layer 222, and the first semiconducting layer 221 and the second. The shape and structure of the sensor 220 may be varied so that the third conductive layer 225 is formed between the semiconductive layers 222, and the effects thereof are the same as described above.

도 23은 본 발명 접촉눌림에 의한 변위감응센서의 또 다른 실시예를 보이는 개략적 회로도로서, 이는 접촉눌림의 정도를 검출하는 방안으로 주회로와 더불어 부회로를 병설하여 두회로에 외부로부터 유입된 동상잡음을 차동증폭기를 사용하여 제거함으로써 순수한 접촉눌림으로 인한 도전율 변화정도를 취출하도록 설계된다.Figure 23 is a schematic circuit diagram showing another embodiment of the displacement-sensitive sensor by the contact pressing of the present invention, which detects the degree of contact pressing in parallel with the main circuit and the sub-circuit to the in-phase introduced from both outside It is designed to extract the degree of conductivity change due to pure contact decay by eliminating noise using a differential amplifier.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 접촉눌림에 의한 변위감응센서의 구성을 보이는 개략적 회로도.1 is a schematic circuit diagram showing a configuration of a displacement-sensitive sensor by contact pressing according to an embodiment of the present invention.

도 2 내지 도4는 본 발명에 따른 접촉눌림에 의한 변위감응센서가 설치되는 예를 보이는 개략적 단면도.2 to 4 is a schematic cross-sectional view showing an example in which the displacement-sensing sensor by the contact pressing according to the present invention is installed.

도 5는 본 발명에 따른 접촉눌림에 의한 변위감응센서의 다른 실시예로서, 그 형상을 달리하는 개략적 사시도.Figure 5 is another embodiment of the displacement-sensitive sensor by the contact pressed in accordance with the present invention, a schematic perspective view of different shapes.

도 6 및 도 7은 본 발명에 따른 접촉눌림에 의한 변위감응센서의 또 다른 실시예로서, 그 설치 상태를 달리하는 예들을 보여주는 개략적 평면도들.6 and 7 are still another embodiment of the displacement-sensitive sensor by contact pressing according to the present invention, schematic plan views showing examples of different installation state.

도 8 및 도 9는 본 발명에 따른 접촉눌림에 의한 변위감응센서의 또 다른 실시예로서, 그 형상을 달리하는 실시예들을 보여주는 개략적 사시도들.8 and 9 are still another perspective view of the displacement-sensitive sensor by contact pressing according to the present invention, schematic perspective views showing embodiments of varying shapes.

도 10 및 도 11은 본 발명에 따른 접촉눌림에 의한 변위감응센서의 또 다른 실시예로서, 센서의 접촉부와 비교회로부간의 단선이 감지되도록 구성되는 개략적 회로도들.10 and 11 is a schematic circuit diagram configured to detect the disconnection between the contact portion and the comparison circuit portion of the sensor as another embodiment of the displacement-sensitive sensor by the contact pressed in accordance with the present invention.

도 12는 본 발명에 따른 접촉눌림에 의한 변위감응센서의 또 다른 실시예로서, 센서의 접촉눌림정도를 아날로그 결과치로 얻을 수 있도록 한 개략적 회로도.12 is a schematic circuit diagram of another embodiment of the displacement-sensitive sensor by contact pressing according to the present invention, so that the contact pressing degree of the sensor can be obtained as an analog result.

도 13은 본 발명에 따른 접촉눌림에 의한 변위감응센서의 또 다른 실시예로서, 센서의 접촉눌림정도를 디지털 결과치(수치)로 얻을 수 있도록 한 개략적 회로도. FIG. 13 is a schematic circuit diagram of another embodiment of a displacement-sensitive sensor by contact pressing according to the present invention to obtain a contact result of the sensor as a digital result value. FIG.

도 14는 본 발명에 따라 도 13의 회로구성에 따라 얻어지는 연산과정의 수치 를 보이는 감산도.14 is a subtractive view showing the numerical value of the calculation process obtained according to the circuit configuration of FIG. 13 in accordance with the present invention.

도 15는 본 발명에 따른 접촉눌림에 의한 변위감응센서의 또 다른 실시예로서, 반도전성층에 흐르는 전류의 세기로 접촉눌림을 판별하는 방안 및 단선을 판별하도록 한 개략적 회로도.FIG. 15 is a schematic circuit diagram of a method and a disconnection of a contact sensing method according to another embodiment of a displacement-sensitive sensor by contact pressing according to an embodiment of the present invention, based on the strength of a current flowing through a semiconductive layer; FIG.

도 16은 본 발명에 따른 접촉눌림에 의한 변위감응센서의 또 다른 실시예로서, 동상잡음을 상쇄시키어 제거함으로써 동상잡음으로 인한 오동작을 해소하는 방안 및 단선을 판별하도록 한 개략적 회로도.FIG. 16 is a schematic circuit diagram of another embodiment of a displacement-sensing sensor due to contact pressing according to the present invention, in which a method and disconnection for eliminating a malfunction due to in-phase noise are eliminated by canceling and removing in-phase noise.

도 17은 본 발명에 따른 접촉눌림에 의한 변위감응센서의 또 다른 실시예로서, 접촉신호처리를 위한 주회로와 잡음신호 상쇄를 위한 부회로를 병설하고 동상잡음의 제거 및 설정된 접촉눌림정도에서 히스테리시스 특성을 적용하며 단선이 판별되도록 한 개략적 회로도.17 is a view illustrating a displacement-sensitive sensor according to the present invention according to the present invention, including a main circuit for contact signal processing and a sub-circuit for noise signal cancellation, eliminating in-phase noise, and hysteresis at a set contact degree. Schematic circuit diagram applying the characteristics and allowing disconnection to be determined.

도 18 내지 도 22는 본 발명에 따른 접촉눌림에 의한 변위감응센서의 또 다른 실시예로서, 그 형상을 달리하는 개략적 사시도들.18 to 22 is another embodiment of the displacement-sensitive sensor by the contact pressed in accordance with the present invention, the schematic perspective views of different shapes.

도23은 본 발명에 따른 접촉눌림에 의한 변위감응센서의 또다른 실시예로서 주회로와 부회로를 병설하여 센서접촉부의 전압신호는 주회로를, 잡음상쇄를 위한 신호는 부회로를 경유하여 차동증폭기에 인가 함으로서, 동상잡음이 제거되도록 한 개략적 회로도.Fig. 23 shows another embodiment of the displacement-sensing sensor by contact pressing according to the present invention in which the main circuit and the sub-circuit are arranged in parallel so that the voltage signal of the sensor contact portion is differential through the main circuit and the signal for noise cancellation is via the sub-circuit. Schematic circuit diagram to remove in-phase noise by applying to amplifier.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

130 ; 센서 130; sensor

131 ; 제1도체층 132 ; 제2도체층131; First conductor layer 132; Second conductor layer

133 ; 반도전성층 134 ; 전류드라이버133; Semiconductive layer 134; Current Driver

135 ; 스위치 136 ; 전류-전압변환기135; Switch 136; Current-to-voltage converter

137 ; 제1전압비교판별기 138 ; 제2전압비교판별기137; First voltage comparator 138; Second voltage comparator

Claims (1)

접촉눌림에 의한 변위감응센서에 있어서,In the displacement-sensitive sensor by contact pressing, 신축성을 가지는 연질 재질 내에 도전물질이 소정 밀도로 함유되며, 평시 저항치 Rx(Rx>0)이지만, 눌려졌을 때 상기 연질 재질 내의 상기 도전물질의 밀도가 커지게 됨으로써 상기 저항치가 0으로 접근하여 작아지도록 형성된, 신축성을 가지는 반도전성층이 형성되고;The conductive material is contained in a flexible material having a predetermined density, and the resistance value Rx (Rx> 0) is normal, but when pressed, the density of the conductive material in the soft material increases, so that the resistance value approaches zero and becomes smaller. A stretchable, semiconductive layer is formed; 상기 반도전성층의 상면에 도전물질이 함유된 제1도체층(131)이 형성되며;A first conductor layer 131 containing a conductive material is formed on an upper surface of the semiconductive layer; 상기 반도전성층의 하면에 도전물질이 함유된 제2도체층(132)이 형성되는 접촉부가 구비되고;A contact portion having a second conductor layer 132 containing a conductive material formed on a lower surface of the semiconductive layer; 상기 제1도체층(131)에 전류드라이버(134)가 연결구비되고;A current driver 134 is connected to the first conductor layer 131; 상기 전류드라이버(134)에 전류드라이버(134)가 작동되도록 하는 스위치(135)가 연결구비되며;A switch 135 connected to the current driver 134 for operating the current driver 134; 상기 제2도체층(132)에 반전입력부(-)가 접속되고, 전류를 전압으로 변환하는 전류-전압변환기(136)가 연결구비되고;An inverting input unit (-) is connected to the second conductor layer 132, and a current-voltage converter 136 for converting a current into a voltage is connected; 상기 전류-전압변환기(136)에 반전입력부(-)가 접속되는 제1전압비교판별기(137)가 연결구비되며;A first voltage comparator 137 to which the inverting input unit (-) is connected to the current-voltage converter 136 is connected; 상기 전류-전압변환기(136)에 비반전입력부(+)가 접속되는 제2전압비교판별기(138)가 연결구비되는 것을 특징으로 하는 접촉눌림에 의한 변위감응센서.And a second voltage comparator (138) to which a non-inverting input unit (+) is connected to the current-voltage converter (136) is connected and provided.
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4268815A (en) * 1979-11-26 1981-05-19 Eventoff Franklin Neal Multi-function touch switch apparatus
JPS59131152A (en) * 1983-01-16 1984-07-27 Esutetsuku:Kk Reducing gas sensor
US4484943A (en) * 1982-03-01 1984-11-27 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Method and apparatus for making a fine powder compound of a metal and another element
US5488307A (en) * 1993-12-22 1996-01-30 Namco Controls Corporation Sensor interface method and apparatus
US5644283A (en) * 1992-08-26 1997-07-01 Siemens Aktiengesellschaft Variable high-current resistor, especially for use as protective element in power switching applications & circuit making use of high-current resistor
KR0119540Y1 (en) * 1994-06-13 1998-07-01 이상영 Pressure Resistor Variable Pressure Sensor
JP2002031503A (en) * 2000-07-14 2002-01-31 Shigeaki Kuroiwa Elastic strain sensor

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4268815A (en) * 1979-11-26 1981-05-19 Eventoff Franklin Neal Multi-function touch switch apparatus
US4484943A (en) * 1982-03-01 1984-11-27 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Method and apparatus for making a fine powder compound of a metal and another element
JPS59131152A (en) * 1983-01-16 1984-07-27 Esutetsuku:Kk Reducing gas sensor
US5644283A (en) * 1992-08-26 1997-07-01 Siemens Aktiengesellschaft Variable high-current resistor, especially for use as protective element in power switching applications & circuit making use of high-current resistor
US5488307A (en) * 1993-12-22 1996-01-30 Namco Controls Corporation Sensor interface method and apparatus
KR0119540Y1 (en) * 1994-06-13 1998-07-01 이상영 Pressure Resistor Variable Pressure Sensor
JP2002031503A (en) * 2000-07-14 2002-01-31 Shigeaki Kuroiwa Elastic strain sensor

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