KR100790584B1 - 부분 완전 공핍 플로우팅 확산 노드를 갖는 이미지 센서 - Google Patents
부분 완전 공핍 플로우팅 확산 노드를 갖는 이미지 센서 Download PDFInfo
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Abstract
Description
한편, 본 발명은 공유 픽셀 구조 및 비 공유 픽셀 구조에서 모두 적용 가능하다.
Claims (11)
- 광학 신호를 전기 신호로 변환하는 이미지 센서에 있어서,제 1 도전형 제 1 확산 영역; 및 제 2 도전형 제 2 확산 영역을 포함하는 포토 다이오드;상기 제 1 도전형 제 3 확산 영역; 및 상기 제 1 도전형 제 3 확산 영역의 상부에 형성된 상기 제 2 도전형 제 4 확산 영역을 포함하여 완전 공핍되며, 부분적으로 완전 공핍된 제 5 확산 영역을 포함하는 플로우팅 확산 노드; 및전송 신호에 응답하여 상기 포토 다이오드에 저장된 광전하를 상기 플로우팅 확산 노드로 전송하는 전송 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 도전형은 상기 제 2 도전형과 상반되는 극성을 갖는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 확산 영역 및 제 3 확산 영역의 불순물 농도가 상기 제 2 확산 영역 및 제 4 확산 영역의 불순물 농도보다 높은 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 제 1 항에 있어서,다음 영상 정보의 검출을 위해 리셋 신호에 응답하여 상기 플로우팅 확산 노드에 저장되어 있는 전하를 배출하는 리셋 트랜지스터; 및소스 팔로워(source follower) 역할을 수행하는 구동 트랜지스터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 제 4 항에 있어서, 상기 제 5 확산 영역은 상기 구동 트랜지스터의 게이트에 접속되며 제 2 도전형으로 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 제 5 항에 있어서,상기 제 5 확산 영역은 오믹 콘택으로 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 제 5 항에 있어서,상기 제 5 확산 영역은 메탈 전선에 의해 상기 구동 트랜지스터의 게이트에 접속되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 2 확산 영역 및 상기 제 4 확산 영역은 완전 공핍(fully deplete) 되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 제 1 항에 있어서,상기 플로우팅 확산 노드의 핀치 오프 전위는 상기 포토 다이오드의 핀치 오프 전위보다 높은 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 제 9 항에 있어서,상기 플로우팅 확산 노드의 불순물 농도를 조절하여 상기 핀치 오프 전위를 조정하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 제 1 항에 있어서,상기 포토 다이오드의 제 2 확산 영역과 상기 플로우팅 확산 노드의 제 4 확산 영역은 별도의 마스크(mask)에 의한 공정으로 형성하고, 상기 포토 다이오드의 제 1 확산 영역과 상기 플로우팅 확산 노드의 제 3 확산 영역은 동일한 마스크와 이온 주입(implant) 공정 조건에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
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