KR100790254B1 - Develop system in photolithography - Google Patents

Develop system in photolithography Download PDF

Info

Publication number
KR100790254B1
KR100790254B1 KR1020020080234A KR20020080234A KR100790254B1 KR 100790254 B1 KR100790254 B1 KR 100790254B1 KR 1020020080234 A KR1020020080234 A KR 1020020080234A KR 20020080234 A KR20020080234 A KR 20020080234A KR 100790254 B1 KR100790254 B1 KR 100790254B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
chuck
cup assembly
upper cup
developer
Prior art date
Application number
KR1020020080234A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20040052363A (en
Inventor
홍창영
Original Assignee
동부일렉트로닉스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동부일렉트로닉스 주식회사 filed Critical 동부일렉트로닉스 주식회사
Priority to KR1020020080234A priority Critical patent/KR100790254B1/en
Publication of KR20040052363A publication Critical patent/KR20040052363A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100790254B1 publication Critical patent/KR100790254B1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3042—Imagewise removal using liquid means from printing plates transported horizontally through the processing stations
    • G03F7/3057—Imagewise removal using liquid means from printing plates transported horizontally through the processing stations characterised by the processing units other than the developing unit, e.g. washing units
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명은 현상 공정 진행시 웨이퍼의 회전에 따라 웨이퍼로부터 이탈된 현상액 또는 세정수가 척을 둘러싸고 있는 상부 컵 조립체를 맞고 다시 웨이퍼로 떨어지는 리바운드 현상을 방지함과 동시에 웨이퍼의 회전시 웨이퍼로부터 부유 및 이탈되는 미세 불순물들을 효과적으로 제거할 수 있는 감광막 현상 장치에 관한 것으로서,The present invention prevents the rebound phenomenon of the developer or cleaning water that has been removed from the wafer according to the rotation of the wafer during the developing process, and falls back onto the wafer while preventing the rebound phenomenon falling back to the wafer. As a photosensitive film developing apparatus capable of effectively removing fine impurities,

본 발명의 감광막 현상 장치는 웨이퍼에 수직으로 소정 거리 이격된 위치에서 웨이퍼 면적에 상응하는 공간에 현상액을 공급하는 현상액 분사 노즐을 포함하여 구성되는 감광막 현상 장치에 있어서, 수평 회전 운동이 가능하며 상기 웨이퍼를 장착하는 원형의 척과, 상기 척의 둘레를 따라 형성되어 있으며 상기 척의 회전시 웨이퍼로부터의 현상 용액이 외부로 유출되는 것을 방지하기 위한 소정 높이의 내측벽을 구비하는 상부 컵 조립체와, 상기 상부 컵 조립체의 내측벽의 소정 부위에 형성되어 척의 회전시 웨이퍼로부터 부유 및 이탈되는 미세 불순물을 흡입하는 흡입관과, 상기 상부 컵 조립체의 하단 일측에 형성되어 상기 흡입관으로 유입되는 미세 불순물의 흡입을 담당하는 흡입 펌프를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.The photosensitive film developing apparatus of the present invention includes a developing solution jetting nozzle for supplying a developing solution to a space corresponding to a wafer area at a position vertically spaced apart from a wafer, wherein the horizontal film is capable of horizontal rotational movement. An upper cup assembly having a circular chuck mounted thereon, and having an inner wall formed along a circumference of the chuck, the inner wall having a predetermined height to prevent the developing solution from the wafer from flowing out when the chuck is rotated; A suction pipe formed at a predetermined portion of the inner wall of the suction pipe to suck fine impurities suspended and separated from the wafer during rotation of the chuck, and a suction pump formed at one lower end of the upper cup assembly and responsible for suctioning of fine impurities introduced into the suction pipe; Characterized in that comprises a.

현상, 감광막, 컵, 리바운드Phenomenon, photoresist, cup, rebound

Description

감광막 현상 장치{Develop system in photolithography}Photosensitive film developing apparatus {Develop system in photolithography}

도 1은 종래 기술에 따른 감광막 현상 장치의 사시도.1 is a perspective view of a photosensitive film developing apparatus according to the prior art.

도 2는 종래 기술에 따른 감광막 현상 장치의 단면도.2 is a cross-sectional view of a photosensitive film developing apparatus according to the prior art.

도 3은 본 발명에 따른 감광막 현상 장치의 단면도.3 is a cross-sectional view of the photosensitive film developing apparatus according to the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 설명>Description of the main parts of the drawing

301 : 척 302 : 웨이퍼301: Chuck 302: Wafer

311 : 지지대 312 : 유입관311: support 312: inlet pipe

313 : 현상액 분사 노즐 321 : 상부 컵 조립체313: developer spray nozzle 321: upper cup assembly

322 : 하부 컵 조립체 323 : 유로322: lower cup assembly 323: flow path

324 : 흡입관324: suction pipe

본 발명은 감광막 현상 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 현상 공정 진행시 웨이퍼의 회전에 따라 웨이퍼로부터 이탈된 현상액 또는 세정수가 척을 둘러싸고 있는 상부 컵 조립체를 맞고 다시 웨이퍼로 떨어지는 리바운드 현상을 방지함과 동시에 웨이퍼의 회전시 웨이퍼로부터 부유 및 이탈되는 미세 불순물들을 효 과적으로 제거할 수 있는 감광막 현상 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a photosensitive film developing apparatus, and more particularly, to prevent rebounding of a developing solution or washing water separated from a wafer by the rotation of the wafer during the developing process, and falling onto the upper cup assembly surrounding the chuck and falling back to the wafer. At the same time, the present invention relates to a photosensitive film developing apparatus capable of effectively removing fine impurities floating and deviating from a wafer during rotation of the wafer.

반도체 제조공정 중 포토리소그래피(Photo lithography) 공정은 웨이퍼 상에 원하는 패턴을 형성시키기 위한 공정으로서, 먼저 세척 및 건조를 마친 웨이퍼의 표면에 포토 레지스트(Photo resist)와 같은 감광막을 균일하게 도포시키고, 그 위에 소정의 레이아웃으로 형성된 포토 마스크 상의 특정 패턴에 따라 노광공정을 수행하며, 이렇게 노광된 감광막의 불필요한 부위를 현상액으로 제거함으로써 요구되는 패턴으로 형성하는 공정을 말한다.Photolithography is a process for forming a desired pattern on a wafer during the semiconductor manufacturing process. First, a photoresist such as a photoresist is uniformly applied to the surface of the wafer after cleaning and drying. Exposure process is performed according to the specific pattern on the photomask formed in the predetermined layout above, and it forms the desired pattern by removing the unnecessary part of the photosensitive film exposed by the developing solution.

상기와 같은 포토리소그래피 공정 중에서 현상 공정은 다음과 같은 과정으로 진행된다. 먼저, 감광막 도포 및 노광이 끝난 웨이퍼를 회전 척에 장착한 후, 척을 30∼5000rpm의 속도로 회전시킴과 동시에 현상액을 웨이퍼 상으로 분사한다. 이 후, 척을 정지시킨 상태 또는 0∼30rpm으로 회전하는 상태에서 소정의 시간동안 현상액이 웨이퍼 전면으로 고르게 분산되도록 방치한 다음, 척을 소정의 회전수로 회전시켜 초순수(Deionized water)로 웨이퍼 내에 잔존하는 감광막 찌꺼기 및 현상액을 세척한다.In the photolithography process as described above, the developing process proceeds as follows. First, after mounting the photosensitive film application | coating and exposure wafer to a rotating chuck, the chuck is rotated at the speed of 30-5000 rpm, and a developer is sprayed on a wafer. Thereafter, the developer is allowed to be evenly dispersed to the entire surface of the wafer for a predetermined time while the chuck is stopped or rotated at 0 to 30 rpm, and then the chuck is rotated at a predetermined rotation speed into the wafer with ultrapure water. The remaining photoresist residue and developer are washed.

이와 같은 현상 공정을 감광막 현상 장치를 통해 설명하면 다음과 같다.Such a developing process will be described through the photosensitive film developing apparatus.

도 1은 종래 기술에 따른 감광막 현상 장치의 사시도이다.1 is a perspective view of a photosensitive film developing apparatus according to the prior art.

도 1에 도시한 바와 같이, 일반적인 종래의 현상 공정은 현상액 분사장치(110)를 통하여 이루어지며, 이를 상세히 살펴보면 웨이퍼(102)의 상측에서 현상액을 분사할 수 있도록 현상액 분사노즐(113)이 직사각형 하우징으로 된 지지대(111) 하면에 다수개 형성되어 있어, 외부의 현상액 공급장치(도시하지 않음) 로부터 유입관(112)을 통해 현상액이 지지대(111)로 유입되면, 상기 지지대(111) 하면에 형성된 다수개의 분사노즐(113)을 따라 하측의 웨이퍼(102)로 현상액이 분사되도록 되어 있다. 이 때, 하측의 웨이퍼(102)는 척에 의해 고정되어 상기 분사장치(110)에서 현상액이 분사될 때, 현상액이 웨이퍼 상에 분사될 수 있도록 상기 척(101)과 함께 180도 회전되도록 되어 있다.As shown in FIG. 1, a general conventional developing process is performed through a developer spraying device 110. In detail, the developer spray nozzle 113 has a rectangular housing so as to spray a developer from an upper side of the wafer 102. It is formed on the lower surface of the support 111, the developer is introduced into the support 111 through the inlet pipe 112 from the external developer supply device (not shown), formed on the lower surface of the support 111 The developer is sprayed onto the lower wafer 102 along the plurality of spray nozzles 113. At this time, the lower wafer 102 is fixed by the chuck so that when the developer is injected from the injector 110, the wafer 102 is rotated 180 degrees together with the chuck 101 so that the developer can be injected onto the wafer. .

한편, 상기 웨이퍼(102)를 장착하는 척 외곽에는 컵 형태의 테두리가 구비되어 있는데, 보다 상세하게 설명하면 도 2에 도시한 바와 같이, 종래의 감광막 현상 장치는 웨이퍼(102)를 장착되는 원형의 척(101)이 중앙에 위치하고 상기 원형의 척(101)을 둘레를 따라 울타리 형태로 상부 컵 조립체(121)와 하부 컵 조립체(122)가 구비되어 있다. 상기 상부 컵 조립체(121)는 척(101)이 웨이퍼(102)를 장착한 상태에서 현상 공정을 진행할 때 척(101)의 회전에 따라 현상액 또는 세정액이 웨이퍼(102) 상에서 원심력에 의해 바깥으로 나가는 것을 방지하는 울타리 역할을 하며, 상기 상부 컵 조립체(121)와 하부 컵 조립체(122) 사이에는 소정의 유로(123)가 구비되어 있어 현상 공정 수행시 웨이퍼(102)에서 원심력에 의해 바깥으로 나가는 현상액 또는 세정수가 상기 상부 컵 조립체(121)를 맞고 흘러내리도록 한다. 도면에 도시하지 않았지만 상기 유로(123)를 통해 흘러 내려간 현상액은 소정의 탱크에 저장되어 여과 등의 과정을 거쳐 현상액으로서 재활용된다.On the other hand, the outside of the chuck for mounting the wafer 102 is provided with a cup-shaped rim, as will be described in more detail, as shown in Figure 2, the conventional photosensitive film developing apparatus of the circular type on which the wafer 102 is mounted The chuck 101 is located at the center and has an upper cup assembly 121 and a lower cup assembly 122 in the form of a fence around the circular chuck 101. The upper cup assembly 121 has a developing solution or cleaning solution that is discharged outward by centrifugal force on the wafer 102 as the chuck 101 rotates as the chuck 101 carries out the developing process with the wafer 102 mounted. It serves as a fence to prevent, and a predetermined flow path 123 is provided between the upper cup assembly 121 and the lower cup assembly 122, so that the developer that goes out by centrifugal force from the wafer 102 during the development process. Or flushing water is flush with the upper cup assembly 121. Although not shown in the drawing, the developer flowing down through the flow path 123 is stored in a predetermined tank and recycled as a developer through a process such as filtration.

그런데, 상기와 같은 종래의 감광막 현상 장치에 있어서, 현상 공정의 진행시 전술한 바와 같이 상기 상부 컵 조립체(121)는 현상액 또는 세정수의 외부로의 유출을 방지하기 위해 형성되어 있으나, 통상적으로 현상 공정 진행시 척의 회전이 고속으로 진행됨에 따라 그에 따른 원심력 또한 크게 되어 웨이퍼에서 원심력에 의해 외부로 떨어져 나가는 현상액 또는 세정수가 상기 상부 컵 조립체(121)의 내측벽(121a)을 맞고 다시 웨이퍼(102) 상으로 떨어지는 경우가 발생한다. 이와 같은 현상을 리바운드(rebound)라고 한다.By the way, in the conventional photosensitive film developing apparatus as described above, the upper cup assembly 121 is formed in order to prevent the outflow of the developer or the washing water to the outside, as described above during the development of the developing process, but usually developed As the rotation of the chuck proceeds at a high speed during the process, the centrifugal force is also increased so that the developer or washing water falling out of the wafer by the centrifugal force hits the inner wall 121a of the upper cup assembly 121 and again the wafer 102. Falling onto the bed occurs. This phenomenon is called rebound.

상기와 같은 리바운드 현상은 웨이퍼 상의 패턴에 영향을 미쳐 불량을 야기할 가능성이 있기 때문에 종래에 있어서, 이와 같은 리바운드의 발생 가능성을 억제하기 위해 일련의 포토리소그래피 공정을 재차 실시하였다. 따라서, 공정 시간 및 공정 비용을 증가시켜 수율에 있어 좋지 않은 영향을 미치는 문제점이 있다.Since the above rebound phenomenon may affect the pattern on the wafer and cause defects, a series of photolithography processes have been performed again in order to suppress the possibility of such a rebound. Therefore, there is a problem that increases the process time and the process cost adversely affect the yield.

이와 같은 리바운드 현상 이외에 현상 공정 수행시 발생하는 미세 먼지 등에 의해 웨이퍼 상의 패턴에 악영향을 끼치는 우려가 있다.
In addition to such a rebound phenomenon, there is a concern that the pattern on the wafer may be adversely affected by fine dust generated during the development process.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 현상 공정 진행시 웨이퍼의 회전에 따라 웨이퍼로부터 이탈된 현상액 또는 세정수가 척을 둘러싸고 상부 컵 조립체를 맞고 다시 웨이퍼로 떨어지는 리바운드 현상을 방지하여 웨이퍼 상의 패턴 불량을 미연에 방지할 수 있는 감광막 현상 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
The present invention has been made to solve the above problems, the developing solution or cleaning water separated from the wafer in accordance with the rotation of the wafer during the development process to prevent the rebound phenomenon falling around the chuck and hit the upper cup assembly and falling back to the wafer An object of the present invention is to provide a photosensitive film developing apparatus capable of preventing a pattern defect on an image in advance.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 감광막 현상 장치는 웨이퍼에 수직으로 소정 거리 이격된 위치에서 웨이퍼 면적에 상응하는 공간에 현상액을 공급하는 현상액 분사 노즐을 포함하여 구성되는 감광막 현상 장치에 있어서, 수평 회전 운동이 가능하며 상기 웨이퍼를 장착하는 원형의 척과, 상기 척의 둘레를 따라 형성되어 있으며 상기 척의 회전시 웨이퍼로부터의 현상 용액이 외부로 유출되는 것을 방지하기 위한 소정 높이의 내측벽을 구비하는 상부 컵 조립체와, 상기 상부 컵 조립체의 내측벽의 소정 부위에 형성되어 척의 회전시 웨이퍼로부터 부유 및 이탈되는 미세 불순물을 흡입하는 흡입관과, 상기 상부 컵 조립체의 하단 일측에 형성되어 상기 흡입관으로 유입되는 미세 불순물의 흡입을 담당하는 흡입 펌프를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.In the photosensitive film developing apparatus of the present invention for achieving the above object comprises a developer spray nozzle for supplying a developer to a space corresponding to the wafer area at a position spaced apart a predetermined distance perpendicular to the wafer, An upper portion having a circular chuck capable of horizontal rotational movement and having a circular chuck mounted thereon, and having an inner wall formed along a circumference of the chuck and preventing the development solution from the wafer from flowing out when the chuck is rotated. A suction tube that is formed in a cup assembly, a predetermined portion of an inner wall of the upper cup assembly, and sucks fine impurities floating and deviating from the wafer when the chuck is rotated, and a minute formed at one lower end of the upper cup assembly and introduced into the suction tube Including a suction pump responsible for the suction of impurities And that is characterized.

바람직하게는 상기 감광막 현상 장치는 상기 상부 컵 조립체의 내측에 구비되어 상기 원형의 척과의 사이에 위치하여 현상 용액이 상기 상부 컵 조립체의 내측벽을 맞고 아래로 흐르도록 상기 상부 컵 조립체와 소정 거리 이격되어 소정의 유로를 형성하는 하부 컵 조립체를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.Preferably, the photoresist developing device is provided inside the upper cup assembly and is positioned between the circular chuck so as to be spaced apart from the upper cup assembly by a predetermined distance so that the developing solution flows downward against the inner wall of the upper cup assembly. It further comprises a lower cup assembly to form a predetermined flow path.

바람직하게는 상기 흡입관은 상기 상부 컵 조립체의 둘레를 따라 내측벽을 관통하여 형성되는 것을 특징으로 한다.Preferably, the suction pipe is formed through the inner wall along the circumference of the upper cup assembly.

본 발명의 특징에 따르면, 현상 공정 진행시 웨이퍼의 회전에 따라 웨이퍼로부터 이탈된 현상액 또는 세정수가 척을 둘러싸고 있는 상부 컵 조립체를 맞고 다시 웨이퍼로 떨어지는 리바운드 현상을 방지함과 동시에 웨이퍼의 회전시 웨이퍼로부터 부유 및 이탈되는 미세 불순물들을 효과적으로 제거할 수 있게 된다.According to a feature of the present invention, the developer or cleaning water that has been removed from the wafer in accordance with the rotation of the wafer during the development process, hits the upper cup assembly surrounding the chuck and prevents the rebound phenomenon of falling back to the wafer and at the same time from the wafer during rotation It is possible to effectively remove suspended and dislodged fine impurities.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 감광막 현상 장치를 상세히 설명하기로 한 다.Hereinafter, the photosensitive film developing apparatus of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명에 따른 감광막 현상 장치의 구성 단면도이다.3 is a cross-sectional view of a configuration of the photosensitive film developing apparatus according to the present invention.

도 3에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 감광막 현상 장치는 크게 현상액 분사장치(310)와 웨이퍼(302)를 장착하는 원형의 척(301) 그리고, 상기 척(301)의 둘레를 따라 형성되어 있는 상부 컵 조립체(321) 및 하부 컵 조립체(322)로 구성된다.As shown in FIG. 3, the photosensitive film developing apparatus according to the present invention is largely formed along a circumference of the chuck 301 and a chuck 301 for mounting the developer injection device 310 and the wafer 302. Upper cup assembly 321 and lower cup assembly 322.

상기 현상액 분사장치(310)는 상기 웨이퍼(302)의 상측에서 현상액을 분사할 수 있도록 현상액 분사노즐(313)이 유입관(312)의 하면에 하나 이상 형성되어 있어, 외부의 현상액 공급장치(도시하지 않음)로부터 현상액이 유입관(312)으로 유입되면, 상기 유입관(312)의 하면에 형성된 하나 이상의 현상액 분사노즐(311)을 따라 하측의 웨이퍼(302)로 현상액이 분사되도록 되어 있다.The developer injection apparatus 310 has one or more developer injection nozzles 313 formed on the lower surface of the inlet pipe 312 so as to inject the developer from the upper side of the wafer 302, thereby providing an external developer supply device (not shown). When the developer flows into the inflow pipe 312, the developer is sprayed onto the lower wafer 302 along the one or more developer injection nozzles 311 formed on the bottom surface of the inflow pipe 312.

상기 현상액 분사장치(310)와 대향되는 위치에는 웨이퍼(302)가 원형의 척(301)에 의해 고정되어 있어 상기 현상액 분사장치(310)에서 현상액이 분사될 때, 현상액이 웨이퍼(302) 상에 균일하게 분사될 수 있도록 상기 척(301)과 함께 회전하도록 되어 있다.The wafer 302 is fixed by a circular chuck 301 at a position opposite to the developer injector 310 so that when the developer is injected from the developer injector 310, the developer is placed on the wafer 302. It is configured to rotate together with the chuck 301 so as to be uniformly sprayed.

참고로, 상기 척(301)에 웨이퍼(302)가 장착되는 방식은 다음과 같다. 도면에 도시하지 않았지만, 상기 원판형의 척 상단에는 복수개의 미세 홀이 전면에 구비되어 있고 상기 미세 홀은 척의 축 내부 공간에 구비되어 있는 배기관과 연결되어 있어, 배기관과 기계적으로 연결되어 있는 진공 펌프를 통해 상기 척의 미세 홀 상에 놓여져 있는 웨이퍼를 진공 흡착하여 웨이퍼를 고정시키게 된다. For reference, the method of mounting the wafer 302 on the chuck 301 is as follows. Although not shown in the drawing, a plurality of fine holes are provided on the front of the disc-shaped chuck, and the fine holes are connected to an exhaust pipe provided in the axial inside space of the chuck, so that the vacuum pump is mechanically connected to the exhaust pipe. The wafer is vacuum-adsorbed on the micro holes of the chuck to fix the wafer.                     

한편, 상기 웨이퍼(302)를 장착하는 원판형의 척(301) 외곽에는 척(301)의 둘레를 따라 울타리 형태로 상부 컵 조립체(321)와 하부 컵 조립체(322)가 구비되어 있다. 상기 상부 컵 조립체(321)는 척(301)이 웨이퍼(302)를 장착한 상태에서 현상 공정을 진행할 때 척의 회전에 따라 현상액 또는 세정수가 웨이퍼 상에서 원심력에 의해 바깥으로 나가는 것을 방지하는 울라티 역할을 하며, 상기 상부 컵 조립체(321)와 하부 컵 조립체(322) 사이에는 소정의 유로(323)가 구비되어 있어 현상 공정 수행시 웨이퍼(302)에서 원심력에 의해 바깥으로 나가는 현상액 또는 세정수가 상기 상부 컵 조립체(321)의 내측벽을 맞고 흘러내리도록 한다. 참고로, 도면에 도시하지 않았지만 상기 소정의 유로를 통해 흘러 내려간 현상액은 소정의 탱크에 저장되어 여과 등의 과정을 거쳐 현상액으로서 재활용될 수 있다.Meanwhile, an outer cup assembly 321 and a lower cup assembly 322 are provided on the outer circumference of the disc-shaped chuck 301 for mounting the wafer 302 in the form of a fence along the circumference of the chuck 301. The upper cup assembly 321 acts as a ulti that prevents the developer or cleaning water from flowing out on the wafer by centrifugal force when the chuck 301 performs the developing process with the wafer 302 mounted. In addition, a predetermined flow path 323 is provided between the upper cup assembly 321 and the lower cup assembly 322 such that a developer or washing water that is discharged outwards by centrifugal force from the wafer 302 when the developing process is performed is performed. Fit and run down the inner wall of the assembly (321). For reference, although not shown in the drawings, the developer flowing down through the predetermined flow path may be stored in a predetermined tank and recycled as a developer through a process such as filtration.

여기서, 상기 상부 컵 조립체(321)의 내측벽의 소정 부위에는 흡입관(324)이 구비되어 있다. 상기 흡입관(324)은 척(301)의 회전시 웨이퍼(302)로부터의 현상 용액이 내측벽에 부딪혀 재차 웨이퍼(302)로 떨어지는 것을 방지하기 위해 구비된 것으로서, 상기 상부 컵 조립체(321)의 하단에는 상기 흡입관(324)과 연결되어 있는 흡입 펌프(미도시)가 구비되어 있다.Here, the suction pipe 324 is provided at a predetermined portion of the inner wall of the upper cup assembly 321. The suction pipe 324 is provided to prevent the developing solution from the wafer 302 from colliding with the inner wall and falling back to the wafer 302 when the chuck 301 rotates. The lower end of the upper cup assembly 321 is provided. It is provided with a suction pump (not shown) connected to the suction pipe 324.

따라서, 상기 흡입 펌프의 구동에 따라 상기 흡입관(324)은 웨이퍼(302)의 회전시 웨이퍼(302)로부터 이탈되는 현상액 또는 세정수를 흡입하며 또한, 상기 웨이퍼(302) 상에 부유되거나 웨이퍼(302)로부터 이탈되는 미세 불순물들을 흡입하는 역할을 수행한다.Accordingly, in accordance with the operation of the suction pump, the suction pipe 324 sucks the developer or washing water that is separated from the wafer 302 when the wafer 302 rotates, and also floats or floats on the wafer 302. It sucks the fine impurities deviating from).

상기 흡입관(324)은 상기 상부 컵 조립체(321)의 내측벽의 둘레를 따라 상부 컵 조립체(321)를 관통하는 형태로 구비시킬 수 있다.The suction pipe 324 may be provided to pass through the upper cup assembly 321 along the circumference of the inner wall of the upper cup assembly 321.

이와 같이 상부 컵 조립체(321)의 내측벽의 소정 부위에 흡입 펌프와 연결되는 흡입관(324)이 구비됨에 따라, 현상 공정 진행시 척의 고속 회전으로 유발되는 현상액 또는 세정수의 웨이퍼로의 재증착 현상 즉, 리바운드 현상을 방지할 수 있으며 웨이퍼 상에 부유되거나 이탈되는 미세 불순물들을 흡입하여 웨이퍼 상의 패턴 불량을 미연에 방지할 수 있게 된다.As the suction pipe 324 connected to the suction pump is provided at a predetermined portion of the inner wall of the upper cup assembly 321 as described above, the redeposition phenomenon of the developer or the washing water caused by the high speed rotation of the chuck during the development process is developed. That is, the rebound phenomenon can be prevented and fine impurities suspended or released on the wafer can be sucked to prevent a pattern defect on the wafer in advance.

상술한 바와 같은 본 발명의 감광막 현상 장치는 다음과 같은 효과가 있다.The photosensitive film developing apparatus of the present invention as described above has the following effects.

현상 공정 진행시 웨이퍼의 회전에 따라 웨이퍼로부터 이탈된 현상액 또는 세정수가 척을 둘러싸고 있는 상부 컵 조립체를 맞고 다시 웨이퍼로 떨어지는 리바운드 현상을 방지함과 동시에 웨이퍼의 회전시 웨이퍼로부터 부유 및 이탈되는 미세 불순물들을 효과적으로 제거할 수 있게 된다.

As the developing process progresses, the developer or cleaning water removed from the wafer as the rotation of the wafer hits the upper cup assembly surrounding the chuck and prevents rebound from falling back to the wafer. It can be removed effectively.

Claims (3)

웨이퍼에 수직으로 이격된 위치에서 웨이퍼 면적에 상응하는 공간에 현상액을 공급하는 현상액 분사 노즐을 포함하여 구성되는 감광막 현상 장치에 있어서,A photosensitive film developing apparatus comprising: a developer spray nozzle for supplying a developer to a space corresponding to a wafer area at a position vertically spaced from a wafer; 수평 회전 운동이 가능하며 상기 웨이퍼를 장착하는 원형의 척;A circular chuck capable of horizontal rotational movement and mounting the wafer; 상기 척의 둘레를 따라 형성되어 있으며 상기 척의 회전시 웨이퍼로부터의 현상 용액이 외부로 유출되는 것을 방지하기 위한 내측벽을 구비하는 상부 컵 조립체;An upper cup assembly formed along a circumference of the chuck and having an inner wall for preventing the developing solution from the wafer from flowing out when the chuck is rotated; 상기 상부 컵 조립체의 내측벽에 형성되어 척의 회전시 웨이퍼로부터 부유 및 이탈되는 미세 불순물을 흡입하는 흡입관;A suction pipe formed on an inner wall of the upper cup assembly to suck fine impurities floating and leaving the wafer during rotation of the chuck; 상기 상부 컵 조립체의 하단 일측에 형성되어 상기 흡입관으로 유입되는 미세 불순물의 흡입을 담당하는 흡입 펌프를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 감광막 현상 장치.And a suction pump formed on one side of the lower end of the upper cup assembly and configured to suck the fine impurities flowing into the suction pipe. 제 1 항에 있어서, 상기 상부 컵 조립체의 내측에 구비되어 상기 원형의 척과의 사이에 위치하여 현상 용액이 상기 상부 컵 조립체의 내측벽을 맞고 아래로 흐르도록 상기 상부 컵 조립체와 이격되어 유로를 형성하는 하부 컵 조립체를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 감광막 현상 장치.The liquid crystal display of claim 1, further comprising: an inner side of the upper cup assembly and positioned between the circular chuck so as to be spaced apart from the upper cup assembly so as to flow downward against the inner wall of the upper cup assembly. The photosensitive film developing apparatus further comprises a lower cup assembly. 제 1 항에 있어서, 상기 흡입관은 상기 상부 컵 조립체의 둘레를 따라 내측벽을 관통하여 형성되는 것을 특징으로 하는 감광막 현상 장치.The photosensitive film developing apparatus according to claim 1, wherein the suction tube is formed through an inner wall along a circumference of the upper cup assembly.
KR1020020080234A 2002-12-16 2002-12-16 Develop system in photolithography KR100790254B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020020080234A KR100790254B1 (en) 2002-12-16 2002-12-16 Develop system in photolithography

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020020080234A KR100790254B1 (en) 2002-12-16 2002-12-16 Develop system in photolithography

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20040052363A KR20040052363A (en) 2004-06-23
KR100790254B1 true KR100790254B1 (en) 2007-12-31

Family

ID=37346035

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020020080234A KR100790254B1 (en) 2002-12-16 2002-12-16 Develop system in photolithography

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100790254B1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100973963B1 (en) 2010-01-21 2010-08-05 프리시스 주식회사 Untouchable type etching apparatus of wafer
KR20170026198A (en) * 2015-08-26 2017-03-08 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Substrate processing apparatus

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100826095B1 (en) * 2004-11-01 2008-04-29 동부일렉트로닉스 주식회사 Developement apparatus for fabricating semiconductor device
KR100607735B1 (en) * 2004-12-27 2006-08-01 동부일렉트로닉스 주식회사 System for detecting developer leakage in semiconductor develop unit

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR950034045U (en) * 1994-05-26 1995-12-18 현대반도체주식회사 Exhaust system of photoresist application and development equipment

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR950034045U (en) * 1994-05-26 1995-12-18 현대반도체주식회사 Exhaust system of photoresist application and development equipment

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100973963B1 (en) 2010-01-21 2010-08-05 프리시스 주식회사 Untouchable type etching apparatus of wafer
KR20170026198A (en) * 2015-08-26 2017-03-08 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Substrate processing apparatus
KR101901012B1 (en) * 2015-08-26 2018-09-20 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Substrate processing apparatus
US10283380B2 (en) 2015-08-26 2019-05-07 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
KR20040052363A (en) 2004-06-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100562502B1 (en) Apparatus and method for treating a substrate&#39;s edge
KR100790254B1 (en) Develop system in photolithography
CN101136319A (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP2004140345A (en) Semiconductor manufacturing device
JP2009224692A (en) Substrate processor and substrate processing method
KR100800964B1 (en) Develop system in photolithography
US6090534A (en) Device and method of decreasing circular defects and charge buildup integrated circuit fabrication
KR102636437B1 (en) Substrate processing device and substrate processing method
KR100848249B1 (en) Apparatus and method of develop in photolithography
KR100187442B1 (en) Back rinsing apparatus of semiconductor process
US6070601A (en) Jet-cleaning device for developing station
KR20050099333A (en) Develop apparatus for manufacturing semiconductor devices and nozzle cleaner used in the apparatus
KR100308207B1 (en) Knife edge ring, inner cup and wafer contamination prevention device of semiconductor development equipment
KR970000385Y1 (en) Drying apparatus of wafer rearface
KR0140088Y1 (en) Developing apparatus for resist
KR100826095B1 (en) Developement apparatus for fabricating semiconductor device
KR20000020585U (en) Apparatus for cleansing semiconductor wafer of coating system
KR100800961B1 (en) Develop system and develop method in photo lithography process
WO2006070621A1 (en) Method of development processing and development processing apparatus
JP3119616B2 (en) Developing device
KR0174990B1 (en) Developing apparatus for semiconductor manufacturing equipment
KR20000050312A (en) Photoresisit developing apparatus
KR20240005587A (en) Liquid processing apparatus
JPH10270318A (en) Method for cleaning splashproof cup and applying device
KR200267225Y1 (en) Develop and cleaning apparatus of wafer

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee