KR100790208B1

KR100790208B1 - 이미지센서 제조 방법

Info

Publication number: KR100790208B1
Application number: KR1020010037451A
Authority: KR
Inventors: 이난이
Original assignee: 매그나칩 반도체 유한회사
Priority date: 2001-06-28
Filing date: 2001-06-28
Publication date: 2008-01-02
Also published as: KR20030001113A

Abstract

본 발명은 이미지센서에 관한 것으로, 특히 실리콘에 비해 밴드갭 에너지가 작은 게르마늄(Ge)을 이용하여 트렌치 식각을 통해 포토다이오드를 형성함으로써, 전자-정공 쌍(Electron-Hole Pair) 생성을 증가시켜 광감도를 향상시킬 수 있으며, 포토다이오드의 동일한 특성을 얻을 수 있으며 막 균일도를 향상시킬 수 있는 이미지센서 제조 방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은, 제1도전형의 반도체층을 선택적으로 식각하여 포토다이오드용 트렌치를 형성하는 제1단계; 제2도전형의 포토다이오드용 제1불순물 영역을 형성하기 위해 상기 트렌치에 제2도전형 물질이 도핑된 Ge을 매립 및 평탄화하는 제2단계; 상기 제1불순물 영역의 일측에 접하도록 필드 절연막을 형성하는 제3단계; 상기 제1불순물 영역의 타측에 접하도록 게이트전극을 형성하는 제4단계; 및 이온주입을 통해 상기 제1불순물 영역 상부의 표면에 제1도전형의 제2불순물 영역을 형성하는 제5단계를 포함하여 이루어지는 이미지센서 제조 방법을 제공한다.

트렌치, Ge, EHP, PD, FD, LDD.

Description

이미지센서 제조 방법{Fabricating method of Image sensor}

도 1a 내지 도 1c는 종래기술에 따른 이미지센서 제조 공정을 도시한 단면도,

도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 일실시예에 따른 이미지센서 제조 공정을 도시한 단면도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *

20 : 반도체층

21 : 제1불순물 영역

22 : 필드 절연막

23, 24 : 게이트전극

25 : 스페이서

본 발명은 반도체 소자에 관한 것으로 특히, 이미지센서에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 Ge을 이용하여 광감도를 향상시킬 수 있는 이미지센서 제조 방법에 관한 것이다.

일반적으로, 이미지센서라 함은 광학 영상(Optical image)을 전기 신호로 변환시키는 반도체소자로서, 이중 전하결합소자(CCD : Charge Coupled Device)는 개개의 MOS(Metal-Oxide-Silicon) 커패시터가 서로 매우 근접한 위치에 있으면서 전하 캐리어가 커패시터에 저장되고 이송되는 소자이며, CMOS(Complementary MOS; 이하 CMOS) 이미지센서는 제어회로(Control circuit) 및 신호처리회로(Signal processing circuit)를 주변회로로 사용하는 CMOS 기술을 이용하여 화소수만큼 MOS트랜지스터를 만들고 이것을 이용하여 차례차례 출력(Output)을 검출하는 스위칭 방식을 채용하는 소자이다.

이러한 다양한 이미지센서를 제조함에 있어서, 이미지센서의 감광도(Photo sensitivity)를 증가시키기 위한 노력들이 진행되고 있는 바, 그 중 하나가 집광기술이다. 예컨대, CMOS 이미지센서는 빛을 감지하는 포토다이오드와 감지된 빛을 전기적 신호로 처리하여 데이터화하는 CMOS 로직회로부분으로 구성되어 있는 바, 광감도를 높이기 위해서는 전체 이미지센서 면적에서 포토다이오드의 면적이 차지하는 비율(이를 통상 Fill Factor"라 한다)을 크게 하려는 노력이 진행되고 있다.

도 1a 내지 도 1c는 종래기술에 따른 이미지센서 제조 공정을 도시한 단면도이다.

이하, 도 1a 내지 도 1c를 참조하여 종래의 이미지센서 제조 공정을 살펴보 는 바, 여기서 반도체층(10)은 고농도인 P++ 층 및 P-Epi층이 적층된 것을 이용하는 바, 이하 도면의 간략화를 위해 반도체층(10)으로 칭한다.

먼저, 이후 열공정에 의한 측면 확산(Lateral Diffusion)을 통해 소스 팔로워(Source Follower) 역할을 하는 드라이브 게이트(Drive Gate, Dx)와 스위칭(Switching) 역할로 어드레싱(Addressing)을 할 수 있도록 하는 셀렉트 게이트(Select Gate, Sx)를 내포할 수 있도록 P-well(도시하지 않음)을 형성시키는 공정을 실시한다.

이어서, 도 1a에 도시된 바와 같이, 반도체층(10)에 국부적으로 필드 절연막(11)을 형성한 다음, 필드 절연막(11)과 떨어진 영역에 게이트전극(12, 13) 예컨대, 트랜스퍼 게이트(Transfer gate)를 형성하는 바, 이는 포토다이오드에서 플로팅 센싱 노드(Floating sensing node; 이하 FD라 함)로 광전자를 운반하기 위한 역할을 한다. 이어서, 이온주입 마스크(14)를 이용하여 필드 절연막(11)과 게이트전극(12, 13)에 접하는 포토다이오드용 불순물 영역(n-)을 반도체층(10) 내부에 소정의 깊이로 형성하는 바, 높은 에너지를 이용하여 저농도로 도핑한다.

다음으로 도 1b에 도시된 바와 같이, 피알 스트립(PR strip)을 통해 이온주입 마스크(14)를 제거한 다음, 산화막 또는 질화막 등을 전면에 증착한 후 전면식각을 통해 게이트전극(12, 13) 측벽에 스페이서(15)를 형성한다. 여기서, 스페이서는 후속 이온주입을 통한 얕은 드레인 접합(Lightly Doped Drain; 이하 LDD라 함)을 형성하여 핫 캐리어(Hot carrier) 효과 등을 억제하기 위한 것이다. 이어서, FD 형성을 위한 고농도의 N형 불순물을 이온주입하여 n+를 형성한다.

다음으로 도 1c에 도시된 바와 같이, 포토다이오드용 P형 전극 형성을 위한 이온주입을 실시하여 n- 영역의 상부와 반도체층(10) 표면에 접하는 불순물 영역(P0)을 형성함으로써, P/N/P 접합에 의해 공핍영역이 형성되면서 포토다이오드가 형성되고 P/N 접합의 FD(n+)가 형성된다.

그러나, 상술한 바와 같은 종래의 이미지센서는 반도체층으로 사용된 실리콘의 밴드갭 에너지가 커서 전자-정공 쌍(Electron-Hole Pair; 이하 EHP라 함)의 형성이 용이하지 않아 광감도가 떨어지게 되는 문제점이 발생하게 된다.

상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해 제안된 본 발명은, 실리콘에 비해 밴드갭 에너지가 작은 게르마늄(Ge)을 이용하여 트렌치 식각을 통해 포토다이오드를 형성함으로써, EHP 생성을 증가시켜 광감도를 향상시킬 수 있으며, 포토다이오드의 동일한 특성을 얻을 수 있으며 막 균일도를 향상시킬 수 있는 이미지센서 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 제1도전형의 반도체층을 선택적으로 식각하여 포토다이오드용 트렌치를 형성하는 제1단계; 제2도전형의 포토다이오드용 제1불순물 영역을 형성하기 위해 상기 트렌치에 제2도전형 물질이 도핑된 Ge을 매립 및 평탄화하는 제2단계; 상기 제1불순물 영역의 일측에 접하도록 필드 절 연막을 형성하는 제3단계; 상기 제1불순물 영역의 타측에 접하도록 게이트전극을 형성하는 제4단계; 및 이온주입을 통해 상기 제1불순물 영역 상부의 표면에 제1도전형의 제2불순물 영역을 형성하는 제5단계를 포함하여 이루어지는 이미지센서 제조 방법을 제공한다.

또한, 상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 제1도전형의 반도체층을 선택적으로 식각하여 포토다이오드용 트렌치를 형성하는 제1단계; 상기 트렌치에 도핑되지 않은 Ge층을 매립 및 평탄화 하는 제 2단계; 상기 Ge영역의 일측에 접하도록 필드산화막을 형성하는 제3단계; 상기 Ge영역의 타측에 접하도록 게이트전극을 형성하는 제 4단계; 이온주입을 통해 상기 포토다이오드용 Ge영역에 제2도전형 의 제1불순물 영역을 형성하는 제 5단계; 및 이온주입을 통해 상기 제1불순물 영역 상부의 표면에 제1도전형의 제2불순물 영역을 형성하는 제6단계를 포함하여 이루어지는 이미지센서 제조 방법을 제공한다.

이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명하기로 한다.

도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 일실시예에 따른 이미지센서 제조 공정을 도시한 단면도이다.

이하, 도 2a 내지 도 2d를 참조하여 종래의 이미지센서 제조 공정을 살펴보는 바, 여기서 반도체층(20)은 고농도인 P++ 층 및 P-Epi층이 적층된 것을 이용하 는 바, 이하 도면의 간략화를 위해 반도체층(20)으로 칭한다.

이어서, 도 2a에 도시된 바와 같이, 반도체층(20) 상에 포토다이오드(이하 PD라 함) 형성용 마스크를 이용하여 반도체층을 선택적으로 식각하여 PD용 트렌치(도시하지 않음)를 형성한 다음, 세정 공정 등을 통해 잔류물을 제거한다.

이어서, 저농도의 N형 불순물이 도핑된 Ge을 트렌치 내부를 충분히 메울수 있도록 증착한 다음, 화학 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing; 이하 CMP라 함) 등의 공정을 통해 트렌치 내에 매립되어 상부가 평탄한 n- 영역(21)을 형성한다.

다음으로 도 2b에 도시된 바와 같이, n- 영역(21)의 일측에 접하도록 필드 절연막(22)을 형성한 다음, n- 영역(21)의 타측에 접하도록 게이트전극(23, 24)을 형성한다.

여기서, 필드 절연막은 통상의 산화막 등을 이용하여 도시된 STI(Shallow Trench Isolation) 이외에 LOCOS(LOCal Oxidation of Silicon) 구조로 형성 할 수 있으며, 이는 상기 트렌치 형성 이전에 형성될 수도 있다. 이어서, 게이트전극(23, 24) 측벽에 산화막 또는 질화막 계열의 스페이서(25)를 형성하여 후속 이온주입을 통한 LDD 구조를 형성하여 핫 캐리어 효과 등을 억제하도록 한다.

다음으로 도 2c에 도시된 바와 같이, FD 형성을 위한 고농도의 N형 불순물을 이온주입하여 n+를 형성한다.

다음으로 도 2d에 도시된 바와 같이, 포토다이오드용 P형 전극 형성을 위한 이온주입을 실시하여 n- 영역(21)의 상부와 반도체층(20) 표면에 접하는 불순물 영역(P0)을 형성함으로써, P/N/P 접합에 의해 공핍영역이 형성되면서 포토다이오드가 형성되고 P/N 접합의 FD(n+)가 형성된다.

상기 실시 예에서는 저농도 N형 불순물이 도핑된 Ge층을 사용하므로써 이온주입 공정을 줄일수 있으나 게이트와의 정렬(Align)이 정교하게 진행되어야 하는 공정변수가 작용하게 된다. 이에 다른 실시예로서 상기 실시 예에서와 같이 PD용 트렌치(도시하지 않음)를 형성하는 공정까지 동일하게 진행한다. 다음, 세정 공정 등을 통해 잔류물을 제거한다.

이어서, 도핑이 되지 않은 Ge층을 트렌치 내부를 충분히 메울수 있도록 증착한 다음, 화학 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing; 이하 CMP라 함) 등의 공정을 통해 트렌치 내에 매립되도록 한다.

다음으로 필드 절연막을 형성한 다음, 게이트전극을 형성한다. 여기서, 필드 절연막은 통상의 산화막 등을 이용하여 도시된 STI(Shallow Trench Isolation) 이외에 LOCOS(LOCal Oxidation of Silicon) 구조로 형성 할 수 있으며, 이는 상기 트렌치 형성 이전에 형성될 수도 있다.

이어서, PD형성용 마스크를 사용하여 Ge-층에 저농도 N형 이온주입을 실시한 다. 이는 게이트와 PD용 트렌치간의 자동정렬을 만들어준다.

이어서, 게이트전극 측벽에 산화막 내지 질화막 계열의 스페이서를 형성하고 다음으로 FD 형성을 위한 고농도의 N형 불순물을 이온주입하여 n+를 형성한다.

다음으로 포토다이오드용 P형 전극 형성을 위한 이온주입을 실시하여 n- 영역의 상부와 반도체층 표면에 접하는 불순물 영역(P0)을 형성함으로써, P/N/P 접합에 의해 공핍영역이 형성되면서 포토다이오드가 형성되고 P/N 접합의 FD(n+)가 형성된다.

상기한 바와 같이 이루어지는 본 발명은, 실리콘에 비해 EHP 형성이 용이한 Ge를 이용하여 PD를 형성함으로써 광감도를 향상시킬 수 있으며, 종래의 PD 형성용 저농도 n- 영역의 이온주입은 고에너지로 진행하여야 하며 이온주입 장비의 상태에 따라 PD간 특성의 불균일한 문제가 있었으나, n- 영역 형성시 트렌치를 이용하여 직접 증착할 수 있어 PD 제조시 진행되던 2회의 이온주입 공정을 1회로 줄일 수 있는 부가적인 장점이 있음을 실시예를 통해 알아 보았다.

본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.

상술한 본 발명은, 이온주입에 따른 막의 불균일도를 방지할 수 있으며, Ge을 이용하여 포토다이오드를 형성함으로써 광감도를 향상시킬 수 있어, 궁극적으로 이미지센서의 성능을 크게 향상시킬 수 있는 탁월한 효과를 기대할 수 있다.

Claims

이미지센서 제조 방법에 있어서,

제1도전형의 반도체층을 선택적으로 식각하여 포토다이오드용 트렌치를 형성하는 제1단계;

제2도전형의 포토다이오드용 제1불순물 영역을 형성하기 위해 상기 트렌치에 제2도전형 물질이 도핑된 Ge을 매립 및 평탄화하는 제2단계;

상기 제1불순물 영역의 일측에 접하도록 필드 절연막을 형성하는 제3단계;

상기 제1불순물 영역의 타측에 접하도록 게이트전극을 형성하는 제4단계; 및

이온주입을 통해 상기 제1불순물 영역 상부의 표면에 제1도전형의 제2불순물 영역을 형성하는 제5단계

를 포함하여 이루어지는 이미지센서 제조 방법.
이미지센서 제조 방법에 있어서,

제1도전형의 반도체층을 선택적으로 식각하여 포토다이오드용 트렌치를 형성하는 제1단계;

상기 트렌치에 도핑되지 않은 Ge층을 매립 및 평탄화 하는 제 2단계;

상기 Ge영역의 일측에 접하도록 필드산화막을 형성하는 제3단계;

상기 Ge영역의 타측에 접하도록 게이트전극을 형성하는 제 4단계;

이온주입을 통해 상기 포토다이오드용 Ge영역에 제2도전형 의 제1불순물 영역을 형성하는 제 5단계; 및

이온주입을 통해 상기 제1불순물 영역 상부의 표면에 제1도전형의 제2불순물 영역을 형성하는 제6단계

를 포함하여 이루어지는 이미지센서 제조 방법.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

상기 제1도전형은 P형이며, 상기 제2도전형은 N형인 것을 특징으로 하는 이미지센서 제조 방법.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

상기 제1단계의 상기 트렌치 형성 전에 상기 제3단계의 필드 절연막 형성을 먼저 실시하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 제조 방법.
삭제
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

상기 제3단계의 상기 필드 절연막의 형성시, LOCOS(LOCal Oxidation of Silicon) 또는 STI(Shallow Trench Isolation) 중 어느 하나의 구조로 하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 제조 방법.