KR100789091B1 - 횡전계 방식 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

횡전계 방식 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100789091B1
KR100789091B1 KR1020040050547A KR20040050547A KR100789091B1 KR 100789091 B1 KR100789091 B1 KR 100789091B1 KR 1020040050547 A KR1020040050547 A KR 1020040050547A KR 20040050547 A KR20040050547 A KR 20040050547A KR 100789091 B1 KR100789091 B1 KR 100789091B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
liquid crystal
substrate
alignment
crystal display
display device
Prior art date
Application number
KR1020040050547A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20060001424A (ko
Inventor
함용성
남미숙
박수현
Original Assignee
엘지.필립스 엘시디 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지.필립스 엘시디 주식회사 filed Critical 엘지.필립스 엘시디 주식회사
Priority to KR1020040050547A priority Critical patent/KR100789091B1/ko
Priority to JP2005142083A priority patent/JP2006018231A/ja
Priority to US11/156,651 priority patent/US7679704B2/en
Publication of KR20060001424A publication Critical patent/KR20060001424A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100789091B1 publication Critical patent/KR100789091B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134363—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/13378—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by treatment of the surface, e.g. embossing, rubbing or light irradiation
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/133749—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers for low pretilt angles, i.e. lower than 15 degrees
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/13378—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by treatment of the surface, e.g. embossing, rubbing or light irradiation
    • G02F1/133784—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by treatment of the surface, e.g. embossing, rubbing or light irradiation by rubbing
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/13378—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by treatment of the surface, e.g. embossing, rubbing or light irradiation
    • G02F1/133788—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by treatment of the surface, e.g. embossing, rubbing or light irradiation by light irradiation, e.g. linearly polarised light photo-polymerisation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로, 특히 수평 전계에 의해 액정을 구동하는 횡전계방식(IPS:In Plane Switching Mode) 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은 횡전계방식 액정 표시 장치에서 러빙 처리를 한 배향막 기판 전면에 넌러빙(non-rubbing)방식인 UV 조사 또는 이온 빔 조사 방법을 이용하여 기판 전면에 후처리함으로써 배향막의 프리틸트 각(pretilt angle)을 줄이고 시야각 특성을 개선하는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 러빙을 실시한 배향막에 광 조사시에 비편광된 광을 조사할 수 있어 별도의 편광 장비 없이 원하는 프리틸트 각을 확보할 수 있어 공정이 간단하고 제조 비용을 절감할 수 있다.
프리틸트, 러빙, 광 조사, 배향막, 시야각

Description

횡전계 방식 액정 표시 장치 및 그 제조 방법{In-Plane-Switching mode Liquid Crystal Display device and the fabrication method thereof}
도 1은 일반적인 횡전계 방식 액정 표시 장치의 단면도.
도 2a 및 도 2b는 일반적인 횡전계 방식 액정 표시 장치의 오프(off), 온(on) 상태의 동작을 각각 도시한 단면도.
도 3은 일반적인 횡전계 방식 액정 표시 장치의 제조 방법을 보여주는 순서도.
도 4는 본 발명에 따른 횡전계 방식 액정 표시 장치용 어레이 기판을 보여주는 평면도.
도 5a 내지 도 5e는 도 4에서 A-A'를 따라 절단하여 본 발명의 공정 순서에 따라 도시한 공정 순서도.
도 6은 횡전계 방식 액정 표시 장치에서 프리틸트 각에 따른 각 시뮬레이션 결과를 보여주는 도면.
<도면의 주요부분에 대한 부호 설명>
310 : 어레이 기판 312 : 게이트 배선
314 : 게이트 전극 317 : 공통 전극
319 : 게이트 절연막 324 : 데이터 배선
326 : 소스 전극 327 : 반도체층
328 : 드레인 전극 330 : 화소 전극
333 : 러빙포 338 : 보호막
365 : 스페이서 370 : 컬러 필터 기판
373 : 블랙 매트릭스 375 : 컬러 필터층
377 : 제 2 배향막 379 : 오버코트층
381 : 제 1 배향막 388 : 액정층
본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로, 특히 수평 전계에 의해 액정을 구동하는 횡전계방식(IPS:In Plane Switching Mode) 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 화상 정보를 화면에 나타내는 디스플레이 장치들 중에서 브라운관 표시 장치(혹은 CRT:Cathode Ray Tube)가 지금까지 가장 많이 사용되어 왔는데, 이것은 표시 면적에 비해 부피가 크고 무겁기 때문에 사용하는데 많은 불편함이 있었다.
그리고, 오늘날에는 전자산업의 발달과 함께 TV 브라운관 등에 제한적으로 사용되었던 디스플레이 장치가 개인용 컴퓨터, 노트북, 무선 단말기, 자동차 계기판, 전광판 등에 까지 확대 사용되고, 정보통신 기술의 발달과 함께 대용량의 화상 정보를 전송할 수 있게 됨에 따라 이를 처리하여 구현할 수 있는 차세대 디스플레이 장치의 중요성이 커지고 있다.
이와 같은 차세대 디스플레이 장치는 경박단소, 고휘도, 대화면, 저소비전력및 저가격화를 실현할 수 있어야 하는데, 그 중 하나로 최근에 액정 표시 장치가 주목을 받고 있다.
상기 액정 표시 장치(LCD:Liquid Crystal Display)는 표시 해상도가 다른 평판 표시 장치보다 뛰어나고, 동화상을 구현할 때 그 품질이 브라운관에 비할 만큼 응답 속도가 빠른 특성을 나타내고 있다.
현재 주로 사용되고 있는 액정 표시 장치 중 하나로 트위스트 네마틱(TN : twisted nematic) 방식의 액정 표시 장치를 들 수 있다. 상기 트위스트 네마틱 방식은 두 기판에 각각 전극을 설치하고 액정 방향자가 90°트위스트 되도록 배열한 다음 전극에 전압을 가하여 액정 방향자를 구동하는 방식이다.
그러나, 상기 TN방식(twisted nematic mode) 액정 표시 장치는 시야각이 좁다는 큰 단점이 있다.
그래서, 최근에 상기 협소한 시야각 문제를 해결하기 위하여 여러 가지 새로운 방식을 채용한 액정 표시 장치에 대한 연구가 활발하게 진행되고 있는데, 상기 방식으로 횡전계방식(IPS:in-plane switching mode) 또는 OCB방식(optically compensated birefrigence mode) 등이 있다.
이 가운데 상기 횡전계방식 액정 표시 장치는 액정 분자를 기판에 대해서 수평을 유지한 상태로 구동시키기 위하여 2개의 전극을 동일한 기판 상에 형성하고, 상기 2개의 전극 사이에 전압을 인가하여 기판에 대해서 수평방향으로 전계를 발생시킨다. 즉, 액정 분자의 장축이 기판에 대하여 일어서지 않게 된다.
이 때문에, 시각방향에 대한 액정의 복굴절율의 변화가 작아 종래의 TN방식 액정 표시 장치에 비해 시야각 특성이 월등하게 우수하다.
이하, 첨부된 도면을 참조로 하여 종래 기술에 따른 횡전계방식 액정 표시 장치의 구조를 구체적으로 설명한다.
도 1은 일반적인 횡전계방식 액정 표시 장치의 단면도이다.
일반적인 횡전계방식 액정 표시 장치는 제 1 기판(118)과 제 2 기판(119)을 대향 합착하여 상기 두 기판 사이에 액정층(130)을 주입하여 형성하는데, 먼저, 상기 제 1 기판(118) 상에 금속을 증착한 후 패터닝하여 복수개의 게이트 배선과, 상기 게이트 배선에서 분기되어 박막트랜지스터 위치에 게이트전극(109)을 형성한다.
다음으로, 상기 게이트 전극(109)을 포함한 전면에 게이트 절연막(120)을 형성하고, 상기 게이트 절연막(120) 상부에 액티브층(115a)과 오믹콘택층(115b)을 이루는 반도체층(115)을 형성한다.
그리고, 상기 게이트 절연막(120) 상부에 상기 게이트 배선과 매트릭스 구조를 이루도록 데이터 배선(110)을 형성한다.
이 때, 상기 데이터배선(110) 형성시, 박막트랜지스터의 소스/드레인 전극(116/117)을 동시에 형성한다.
그리고, 상기 게이트 배선에 평행하도록 공통배선과 공통전극(113)을 형성한다.
그리고, 상기와 같이 형성된 제 1 기판(118) 상의 전면에 보호막(128)을 형성시킨다.
이후, 상기 드레인 전극(117)과 전기적으로 연결되며 상기 데이터 배선(110)에 평행하도록 데이터전극(114)을 형성한다.
그리고, 상기와 같이 형성된 제 1 기판(118) 상의 전면에 제 1 배향막(129)을 형성한다.
한편, 상기 제 2 기판(119) 상에는 빛의 누설을 방지하는 블랙 매트릭스(121)을 형성하고, 상기 블랙 매트릭스(121) 사이에 적색(Red), 녹색(Green) 및 청색(Blue)의 칼라필터 패턴으로 이루어진 칼라필터층(122)을 형성한다.
그리고, 상기 컬러필터층 상부에는 표면을 평탄화하고 컬러필터층(122)을 보호하는 오버코트층(123)을 형성한다.
다음으로, 상기 오버코트층(123) 상부에 제 2 배향막(126)을 형성한다.
도 2a 및 도 2b는 일반적인 횡전계 방식 액정 표시 장치의 오프(off), 온(on) 상태의 동작을 각각 도시한 단면도이다.
도 2a에서는, 오프 상태로 수평 전계가 인가되지 않으므로 액정층(211)의 움직임이 없는 상태이다.
도 2b에서는, 전압이 인가된 온(on)상태에서의 액정의 배열 상태를 도시한 도면으로서, 상기 공통 전극(217) 및 화소 전극(230)과 대응하는 위치의 액정(211a)의 상변이는 없지만 공통 전극(217)과 화소 전극(230) 사이 구간에 위치 한 액정(211b)은 상기 공통 전극(217)과 화소 전극(230) 사이에 전압이 인가됨으로써 형성되는 수평 전계(K)에 의하여 상기 수평 전계(K)와 같은 방향으로 배열하게 된다.
즉, 상기 횡전계 방식 액정 표시 장치는 액정이 수평 전계에 의해 이동하므로 시야각이 넓어지는 특성이 있다.
도 3을 참고로 상기 횡전계방식 액정 표시 장치의 제조 방법을 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.
먼저, 도 1에서 설명된 바와 같은 구조를 가지고 있는 횡전계방식 액정 표시 장치의 상, 하 기판을 제작한다(S100).
그리고, 여러 패턴들이 형성된 기판 상의 이물질을 제거하기 위해 세정 공정(S110)을 행하고, 배향막 인쇄 장치를 이용하여 기판 상면에 배향막 원료액인 폴리이미드(PolyImide : PI)를 인쇄하는 배향막 인쇄 공정(S120)을 거친다.
다음으로, 상기 배향막 원료액에 고온의 열을 가하여 용매를 건조시키고 경화시키는 배향막 소성 공정(S130)을 행한다.
이어서, 러빙 장치를 이용하여 소성 처리된 배향막 표면을 일정한 방향으로 문질러 홈을 만들어주는 배향막 러빙 공정(S140)을 거친다.
상기의 배향막 형성공정이 끝난 후에는, 상부 기판의 가장자리에 접착제 역할을 하는 씰 패턴(seal pattern)을 액정 주입구를 제외한 나머지 영역에 형성시키고, 하부 기판에 스페이서(spacer)를 산포한다(S150).
다음, 상기 두 기판을 대향 합착시키는데, 주어진 마진을 벗어나면 빛이 새 어나오게 되므로 보통 수 마이크로미터(㎛) 정도의 정밀도가 요구된다(S160).
그리고, 상기와 같이 대향 합착된 기판을 단위셀로 절단하는 셀 절단 공정을 거치게 되는데(S170), 상기 셀 절단 공정은 완전히 합착된 두 기판을 필요한 크기로 절단하기 위한 것으로, 상, 하부 기판 표면에 라인을 형성하는 스크라이브 공정과 스크라이브된 라인에 충격을 주어 기판을 분리해내는 브레이크 공정으로 이루어진다.
최종적으로, 상기 단위셀로 절단된 두 기판 사이에 액정을 주입하고 액정이 흘러나오지 않도록 액정 주입구를 봉지하면 원하는 액정 표시 장치가 완성된다(S180).
여기서, 액정의 물리적 특성은 분자 배열 상태에 의해 변하고, 이로 인해 전계 등의 외력에 대한 응답에도 차이가 생긴다.
상기와 같은 액정 분자의 성질 때문에 액정 분자의 배열 제어는 액정 물성의 연구에는 물론 액정 표시 장치의 구성상에서도 필수적인 기술이다.
특히, 액정분자들이 일정한 방향으로 균일하게 배향될 수 있도록 하는 러빙 공정은 액정디스플레이의 정상적인 구동과 화면의 균일한 디스플레이 특성을 결정하는 중요한 요소로써 이에 대한 많은 연구들이 진행되어 왔다.
여기서, 종래 액정 분자의 초기 배열 방향을 결정하기 위한 배향막 형성 과정에 대해서 좀 더 상세히 설명하면 다음과 같다.
먼저, 배향막의 형성은 고분자 박막을 도포하고 배향막을 일정한 방향으로 배열시키는 공정으로 이루어진다.
상기 배향막에는 일반적으로 폴리이미드(polyimide) 계열의 유기물질이 주로 사용되고, 상기 배향막을 배열시키는 방법으로는 주로 러빙(rubbing) 방법이 이용되고 있다.
이와같은 러빙 방법은 먼저 기판 위에 폴리이미드 계열의 유기 물질을 도포하고, 60 ~ 80℃ 정도의 온도에서 용제를 날리고 정렬시킨 후, 80 ~ 200℃ 정도의 온도에서 경화시켜 폴리이미드 배향막을 형성한 후, 벨벳(velvet) 등을 감은 러빙포를 이용하여 상기 배향막을 일정한 방향으로 문질러 줌으로써 배향 방향을 형성시키는 방법이다.
이러한 러빙에 의한 방법은 배향 처리가 용이하여 대량 생산에 적합하고, 안정된 배향을 할 수 있는 장점이 있다.
그러나, 상기 러빙 방법은 러빙 진행시 결함이 있는 러빙포가 부착된 로울러를 사용할 경우에는 러빙의 불량이 생기게 된다.
즉, 상기와 같은 러빙포를 이용한 러빙 방법은 배향막과 러빙포의 직접적인 접촉을 통해 이루어지므로 먼지(particle) 발생에 의한 액정 셀(cell)의 오염, 정전기 발생에 의하여 미리 기판에 설치된 TFT 소자의 파괴, 러빙 후의 추가적인 세정 공정의 필요, 대면적 적용시의 배향의 비균일성(non-uniformity) 등과 같은 여러 가지 문제점이 발생하게 되어 액정 표시 장치의 제조시의 수율을 떨어뜨리는 문제점이 있다.
또한, TN 방식의 액정 표시 장치와 달리 횡전계 방식 액정 표시 장치는 작은 값의 프리틸트 각을 필요로 한다.
그 이유는 횡전계 방식 액정 표시 장치는 TN 방식의 액정 표시 장치에 비하여 모든 시야각에서 그레치 레벨에 따른 리타데이션(retardation)의 변화가 작기 때문에 시야각은 향상되지만 프리틸트 각의 값이 큰 경우에는 방향에 따른 시야각의 비대칭성이 생기게 되는 문제점이 있기 때문이다.
그러나, 일반적으로 사용되는 폴리이미드(polyimide) 등의 배향막에 러빙 처리만을 하여 배향막을 형성하게 되면 프리틸트 각의 값이 크고 액정의 배향 안정성을 확보할 수 없게 되며 시야각의 비대칭성이 발생하는 문제점이 있다.
본 발명은 횡전계방식 액정 표시 장치에서 러빙 처리를 한 배향막 기판 전면에 넌러빙(non-rubbing)방식인 UV 조사 또는 이온 빔 조사 방법을 이용하여 기판 전면에 후처리함으로써 배향막의 프리틸트 각(pretilt angle)을 줄이고 시야각 특성을 개선하기 위한 횡전계방식 액정 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 횡전계 방식 액정 표시 장치는, 제 1 기판 및 제 2 기판과; 상기 제 1 기판 상에 서로 종횡으로 교차되어 화소 영역을 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선과; 상기 게이트 배선 및 데이터 배선의 교차 영역에 형성된 박막 트랜지스터와; 상기 화소 영역에서 소정 간격 이격되어 엇갈려 형성된 화소 전극 및 공통 전극과; 상기 화소 전극 및 공통 전극 상에 프리틸트 각(pretilt angle)이 1°를 넘지 않도록 처리된 배향막과; 상기 제 1, 2 기판 사이에 형성된 액정층을 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다.
또한, 상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 횡전계 방식 액정 표시 장치의 제조 방법은, 제 1 기판 상에 수평 방향으로 서로 소정 간격 이격하여 게이트 배선과 공통 배선을 형성하는 단계와; 상기 게이트 배선과 수직한 방향으로 데이터 배선을 형성하는 단계와; 상기 데이터 배선에 평행하는 복수개의 공통 전극을 형성하고, 상기 공통 전극과 엇갈려 교차하는 화소 전극을 형성하는 단계와; 상기 화소 전극을 포함하는 제 1 기판 상에 제 1 배향막을 형성하는 단계와; 상기 제 1 배향막은 러빙 공정을 이용하여 1차 배향 처리되는 단계와; 상기 러빙된 제 1 배향막 전면에 소정량의 에너지를 가지는 빔(beam)이 조사되어 2차 배향 처리되는 단계와; 상기 제 1 기판에 대향된 제 2 기판 상에 칼라 필터층 및 블랙 매트릭스를 형성하는 단계와; 상기 제 2 기판 상에 제 2 배향막을 형성하는 단계와; 상기 제 2 배향막은 러빙 공정을 이용하여 1차 배향 처리되는 단계와; 상기 러빙된 제 1 배향막 전면에 소정량의 에너지를 가지는 빔(beam)이 조사되어 2차 배향 처리되는 단계와; 상기 제 1, 2 기판 사이에 액정층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 다른 실시예에 의한 횡전계 방식 액정표시장치 제조방법은,
복수개의 화소전극과 박막트랜지스터를 제공하는 제 1 기판을 형성하는 단계; 상기 제 1 기판에 대향하도록 컬러필터층과 블랙 매트릭스를 제공하는 제 2 기판을 형성하는 단계; 상기 제 1 기판과 제 2 기판 각각에 배향막을 형성하는 단계; 상기 제 1 기판과 제 2 기판 각각에 1차, 2차 배향처리하는 단계; 및 상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 액정을 공급하는 단계를 포함한다.
이하, 첨부한 도면을 참조로 하여 본 발명에 따른 횡전계 방식 액정 표시 장치에 대해서 구체적으로 설명한다.
삭제
도 4는 본 발명에 따른 횡전계 방식 액정 표시 장치용 어레이 기판을 보여주는 평면도이고, 도 5a 내지 도 5e는 본 발명의 공정 순서에 따라 도시한 공정 순서도이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 횡전계 방식 액정 표시 장치용 어레이 기판(310)은 소정간격 이격되어 평행하게 일 방향으로 구성된 다수의 게이트 배선(312)과, 상기 게이트 배선(312)에 근접하여 평행하게 일 방향으로 구성된 공통 배선(316)과, 상기 두 배선과 교차하며 특히 게이트 배선(312)과는 화소영역(P)을 정의하는 데이터 배선(324)이 구성된다.
상기 게이트 배선(312)과 데이터 배선(324)의 교차지점에는 게이트 전극(314)과 반도체층(도 5에서 327 참조)과 소스 전극(326)및 드레인 전극(328)을 포함하는 박막트랜지스터(T)가 구성되며, 상기 소스 전극(326)은 상기 데이터 배선(324)과 연결되고, 상기 게이트 전극(314)은 상기 게이트 배선(312)과 연결된다.
상기 화소영역(P)의 상부에는 상기 드레인 전극(328)과 연결되는 화소 전극(330)과, 상기 화소 전극(330)과 평행하게 구성되고 상기 공통 배선(316)과 연결되는 공통 전극(317)이 구성된다.
상기 화소 전극(330)은 상기 드레인 전극(328)에서 연장되어 데이터 배선(324)과 평행하게 형성되어 있고 서로 소정간격 이격된 다수의 수직부(330b)와, 상기 공통 배선(316)의 상부에서 수직부(330b)를 하나로 연결하는 수평부(330a)로 구성된다.
상기 공통 전극(317)은 상기 공통 배선(316)에서 아래로 수직하게 연장되고, 상기 화소 전극(330)의 수직부(330b)와 평행하게 엇갈려 구성되는 다수의 수직부(317b)와, 상기 각 수직부(317b)를 하나로 연결하는 수평부(317a)로 구성된 다.
이때, 상기 화소 전극(330)의 수평부(330a)는 공통 배선(316)의 수평부(317a) 상의 일부에 게이트 절연막(도 5에서 319 참조)을 사이에 두고 형성되어 있으며, 상기 공통 배선(316)과 함께 스토리지 캐패시터(C)를 구성한다.
여기서, 상기 데이터 배선(324), 화소 전극(330), 공통 전극(317)은 그 꺽이는 수가 하나 이상인 지그재그(zigzag) 구조로 이루어지는 것도 가능하다.
이와 같이 구성되는 횡전계방식 액정 표시 장치의 제조 방법을 설명하면 다음과 같다.
도 5a에 도시된 바와 같이, 어레이 기판(310) 상에 신호 지연의 방지를 위해 낮은 비저항을 가지는 저저항 금속을 증착한 후 포토 리쏘그라피(photo lithography) 방법으로 패터닝하여, 게이트 배선(도 4의 312 참조) 및 상기 게이트 배선(312)에서 분기되는 박막 트랜지스터의 게이트 전극(314)을 형성한다.
상기 저저항 금속으로는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 몰리브덴-텡스텐(MoW) 등을 사용한다.
상기 게이트 배선(312) 및 게이트 전극(314)을 형성할 때, 상기 게이트 배선(312)과 평행하는 공통 배선(도 4의 316 참조) 및 상기 공통 배선(316)에서 분기되는 복수개의 공통 전극(317)을 동시에 형성한다.
계속하여, 상기 게이트 배선(312)을 포함한 전면에 실리콘 질화물(SiNx) 또는 실리콘 산화물(SiOx) 등의 무기절연물질을 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 방법 등으로 증착하여 게이트 절연막(319)을 형성한다.
그리고, 상기 게이트 절연막(319) 위에 비정질 실리콘 등의 물질을 증착하고 선택적으로 제거하여 상기 게이트 전극(314) 상부의 게이트 절연막(319) 위에 섬(island) 모양으로 반도체층(327)을 형성한다.
이때, 도시하지는 않았으나, 상기 비정질 실리콘에 불순물 이온을 주입한 오믹콘택층을 더 형성하여 패터닝할 수 있다.
그리고, 도 5b에 도시된 바와 같이, 상기 게이트 절연막(319) 상부의 전면에 Cr, Al, Cu, Mo, Ti, Ta, MoW, Al 합금 등의 금속을 증착한 후 포토식각기술로 패터닝하여, 상기 게이트 배선(312)과 수직 방향으로 교차되어 화소 영역을 정의하는 데이터 배선(324)을 형성하고, 상기 데이터 배선(324)과 동시에 상기 반도체층(327) 양끝에 각각 배치되는 소스 전극 및 드레인 전극(326, 328)을 형성한다.
그리고, 상기 데이터 배선(324)을 포함한 어레이 기판(310) 전면에 실리콘 질화막 또는 유기 절연막인 BCB(벤조씨클로부틴)를 도포하여 보호막(338)을 형성하고, 상기 드레인 전극(328)에 콘택홀(도시되지 않음)을 형성한다.
그리고, 전면에 투명 도전 물질인 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)을 이용하여 투명 도전막을 증착하고 패터닝하여 상기 드레인 전극(328)과 연결되고 상기 데이터 배선(324)과 평행하면서 상기 공통 전극(317) 사이에 위치되어 상기 공통 전극(317)과 서로 교번되도록 복수의 화소 전극(330)을 형성한다.
여기서, 상기 화소 전극(330)을 금속 물질로 형성할 경우, 도면에 도시되지는 않았지만, 상기 보호막(338)을 형성하기 전에 상기 데이터 배선(324)과 동일 물질로 상기 데이터 배선(324)과 동시에 형성할 수도 있다.
도 5c에 도시된 바와 같이, 상기 화소 전극(330)을 포함한 전면에 내열성, 액정과의 친화성이 우수한 폴리이미드(polyimide) 수지를 기판 상에 인쇄하고 건조시켜 제 1 배향막(381)을 형성하고 러빙 공정을 이용하여 1차 배향 처리를 한다.
그리고, 도 5d에 도시된 바와 같이, 상기 1차 배향 처리가 이루어진 제 1 배향막(381)에 광 조사 또는 이온 빔 조사를 하여 2차 배향 처리를 한다.
보다 구체적으로 설명하면, 상기 1차 배향 처리는 폴리이미드(polyimide)로 이루어지는 상기 제 1 배향막(381) 상에 벨벳(velvet), 레이온, 나일론 등을 감은 러빙포(333)를 이용하여 상기 제 1 배향막(381)을 일정한 방향으로 문질러 줌으로써 배향 방향을 형성시키는 러빙 방법이다.
그리고, 상기와 같이 러빙된 제 1 배향막(381)에 광 조사 또는 이온 빔 조사를 이용하여 2차 배향 처리를 한다.
상기 광은 선편광(linearly polarized light), 부분 편광(partially polarized light), 또는 비편광된 광을 사용할 수 있다.
상기 광의 파장은 200nm ~ 450nm 범위의 광을 사용하고, 광 조사 에너지는 2J/㎠ 이하 정도로 한다.
그리고, 상기 광을 조사하는 방법은 경사 조사 또는 수직 조사 방법을 이용할 수 있다.
또한, 상기 이온 빔에 사용되는 이온은 아르곤 이온(argon ion)으로 한다.
그리고, 상기 이온 빔을 조사하는 장치 또는 광을 조사하는 장치는 기판 전면에 이온 또는 광을 조사하는 전면 조사 장치이거나 기판을 스캔하며 조사하는 스캔 타입(scan type) 장치가 있다.
이와 같이 1차 배향 처리를 실시한 제 1 배향막(381)에 광 조사 또는 이온 빔 조사와 같은 2차 배향 처리를 하면 1°이하의 프리틸트각(pretilt angle)을 안정적으로 확보할 수 있게 되므로 횡전계 방식 액정 표시 장치에서 방향에 따른 시야각의 대칭성이 개선되어 시야각 특성이 좋아진다.
이후, 도 5e에 도시된 바와 같이, 컬러 필터 기판(370) 상에 액정을 제어할 수 없는 부분, 즉, 게이트 배선, 데이터 배선, 박막 트랜지스터 부분에서의 빛샘을 방지하기 위하여 크롬(Cr), 크롬 산화물(CrOx) 등과 같은 반사율이 높은 금속 또는 블랙 레진(black resin)을 이용하여 블랙 매트릭스(373)를 형성한다.
이후, 상기 블랙 매트릭스(373) 사이에 전착법, 안료분산법, 도포법 등을 이용하여 색상 구현을 위한 적(R), 녹(G), 청(B)의 컬러필터층(375)을 형성하고, 도시하지는 않았으나 상기 컬러필터층(375)을 보호하기 위해 컬러필터층(375)을 포함한 전면에 오버코트층(379)을 형성할 수도 있다.
다음으로, 상기 오버코트층(379) 상부에 액정과의 친화성이 뛰어나고 감광 특성을 가진 폴리이미드 물질을 인쇄하여 제 2 배향막(377)을 형성하고 상기 제 1 배향막(381)과 서로 수직한 방향으로 배향 방향을 형성하며, 상기에서 설명한 제 1 배향막(381)의 배향 처리 방법과 같이 러빙 공정인 1차 배향 처리와 광 조사 또는 이온 빔 조사 방법인 2차 배향 처리를 통해 상기 제 2 배향막(377)을 형성한다.
계속하여, 상기 어레이 기판(310) 또는 컬러 필터 기판(370)에 칼럼 스페이서(도시되지 않음)를 형성한 후, 상기 어레이 기판(310) 또는 컬러 필터(370) 기판의 표시 영역에 액정 주입 방식 또는 액정 적하 방식으로 액정층(388)을 형성하고, 상기 어레이 기판(310) 또는 컬러 필터 기판(370)의 가장자리에 씨일재를 형성하여 상기 어레이 기판(310), 컬러 필터 기판(370)을 진공 상태에서 합착한다.
이와 같이, 상기 어레이 기판 및 컬러 필터 기판(310, 370)에 형성되는 제 1, 2 배향막(381, 377)에 러빙 공정으로 1차 배향 처리한 후에 광 조사 또는 이온 빔 조사 공정을 실시하여 2차 배향 처리하는 것은 배향막의 프리틸트각을 1°이하로 형성하여 횡전계 방식 액정 표시 장치의 방향에 따른 시야각 특성의 대칭성을 확보하기 위한 것으로서, 도 6에 도시된 시뮬레이션 결과와 같다.
도 6은 횡전계방식 액정 표시 장치에서 전극 구조가 지그재그 패턴으로 형성되어 있고, 셀갭(cell gap) 및 전극 구조를 일정하게 한 후에 콘트라스트가 10이상인 영역에서 배향막의 프리틸트 각을 0°~ 5°로 변화시켰을 때 방향에 따른 시야각의 대칭성을 보여주는 시뮬레이션 결과이다.
여기서, 지그재그 전극 패턴을 가지는 횡전계 방식 액정 표시 장치에서 프리틸트 각이 1°이하에서 대칭성이 뛰어남을 알 수 있다.
따라서, 이와 같이 시야각의 대칭성을 확보하기 위해서는 배향막의 프리틸트 각을 1°이하로 형성해야하며, 이를 위하여 배향막에 러빙 공정인 1차 배향 처리를 하여 약 1.5°~ 5.0°로 프리틸트 각이 형성된다.
이후, 상기 프리틸트 각이 형성된 배향막에 광 조사 또는 이온 빔 조사 공정을 이용한 2차 배향 처리를 실시함으로써 프리틸트 각을 1°이하로 형성할 수 있게 된다.
이때, 1차 배향 처리된 배향막에 전면적으로 광을 조사하는데 광 에너지는 2J/㎠ 이하로 하는 것이 바람직하다.
여기서, 사용되는 광은 선편광뿐 아니라, 부분 편광, 비편광된 광을 사용할 수 있으며, 특히 비편광된 광을 이용할 경우에 고가의 편광 시스템 장비가 필요없는 장점이 있다.
상기 광 대신에 이온 빔, 플라즈마 빔(plasma beam), 전자 빔(electron beam) 등을 사용할 수 있다.
이상 전술한 바와 같이, 본 발명에 따른 횡전계방식 액정 표시 장치는 프린팅 방법을 이용하여 간단한 패터닝 공정으로 제작할 수 있으며, 본 발명에 따른 횡전계방식 액정 표시 장치 및 그 제조 방법은 이에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함이 명백하다.
본 발명은 횡전계 방식 액정 표시 장치에서 배향막에 러빙 처리를 한 후에 배향막 전면에 광 조사 또는 이온 빔 조사를 하여 배향막의 프리틸트 각(pretilt angle)을 줄이고 시야각 특성을 개선하는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 러빙을 실시한 배향막에 광 조사시에 비편광된 광을 조사할 수 있어 별도의 편광 장비 없이 원하는 프리틸트 각을 확보할 수 있어 공정이 간단하고 제조 비용을 절감하는 효과가 있다.

Claims (18)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제 1 기판 상에 수평 방향으로 서로 소정 간격 이격하여 게이트 배선과 공통 배선을 형성하는 단계와;
    상기 게이트 배선과 수직한 방향으로 데이터 배선을 형성하는 단계와;
    상기 데이터 배선에 평행하는 복수개의 공통 전극을 형성하고, 상기 공통 전극과 엇갈려 교차하는 화소 전극을 형성하는 단계와;
    상기 화소 전극을 포함하는 제 1 기판 상에 제 1 배향막을 형성하는 단계와;
    상기 제 1 배향막은 러빙 공정을 이용하여 1차 배향 처리되는 단계와;
    상기 러빙된 제 1 배향막 전면에 소정량의 에너지를 가지는 빔(beam)이 조사되어 2차 배향 처리되는 단계와;
    상기 제 1 기판에 대향된 제 2 기판 상에 칼라 필터층 및 블랙 매트릭스를 형성하는 단계와;
    상기 제 2 기판 상에 제 2 배향막을 형성하는 단계와;
    상기 제 2 배향막은 러빙 공정을 이용하여 1차 배향 처리되는 단계와;
    상기 러빙된 제 1 배향막 전면에 소정량의 에너지를 가지는 빔(beam)이 조사되어 2차 배향 처리되는 단계와;
    상기 제 1, 2 기판 사이에 액정층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 횡전계형 액정 표시 장치의 제조 방법.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 1차 배향 처리되는 단계에 있어서,
    상기 제 1, 2 배향막은 1°~ 5°로 프리틸트 각이 형성되는 것을 특징으로 하는 횡전계 방식 액정 표시 장치의 제조 방법.
  6. 제 4항에 있어서,
    상기 2차 배향 처리되는 단계에 있어서,
    상기 제 1, 2 배향막의 프리틸트 각은 1°를 넘지 않는 것을 특징으로 하는 횡전계 방식 액정 표시 장치의 제조 방법.
  7. 제 4항에 있어서,
    상기 2차 배향 처리되는 단계에 있어서,
    상기 소정량의 에너지를 가지는 빔은 선편광, 부분 편광, 비편광된 광중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 횡전계 방식 액정 표시 장치의 제조 방법.
  8. 제 4항에 있어서,
    상기 2차 배향 처리되는 단계에 있어서,
    상기 소정량의 에너지를 가지는 빔은 이온 빔, 플라즈마 빔, 전자 빔중 어느하나인 것을 특징으로 하는 횡전계 방식 액정 표시 장치의 제조 방법.
  9. 제 4항에 있어서,
    상기 소정량의 에너지는 2J/㎠ 이하인 것을 특징으로 하는 횡전계 방식 액정 표시 장치의 제조 방법.
  10. 제 4항에 있어서,
    상기 빔은 제 1, 2 기판으로 수직 또는 경사지게 조사되는 것을 특징으로 하는 횡전계 방식 액정 표시 장치의 제조 방법.
  11. 복수개의 화소전극과 박막트랜지스터를 제공하는 제 1 기판을 형성하는 단계;
    상기 제 1 기판에 대향하도록 컬러필터층과 블랙 매트릭스를 제공하는 제 2 기판을 형성하는 단계;
    상기 제 1 기판과 제 2 기판 각각에 배향막을 형성하는 단계;
    상기 제 1 기판과 제 2 기판 각각에 러빙포를 사용하여 1차 배향처리하는 단계;
    상기 1차 배향처리된 제 1, 2 기판의 배향막의 전 영역에 광 또는 이온빔을 조사하여 상기 배향막의 프리틸트각이 1°이하가 되도록 2 차 배향처리하는 단계; 및
    상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 액정을 공급하는 단계를 포함하는 횡전계 방식 액정표시장치의 제조방법.
  12. 삭제
  13. 제 11 항에 있어서, 상기 러빙포는 벨벳(VELVET), 레이온 및 나일론중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 횡전계 방식 액정표시장치의 제조방법.
  14. 삭제
  15. 제 11 항에 있어서, 상기 광은 선편광, 부분 편광 및 비편광된 것들 중 어느 하나의 광인 것을 특징으로 하는 횡전계 방식 액정표시장치의 제조 방법.
  16. 제 11 항에 있어서, 상기 광은 200 ~ 450nm 범위의 광파장인 것을 특징으로 하는 횡전계 방식 액정표시장치의 제조방법.
  17. 제 11 항에 있어서, 상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 액정을 공급하는 방식은 배향처리후 제 1 기판 또는 제 2 기판 상에 액정을 적하한 후, 두기판을 합착하는 방식으로 수행되는 것을 특징으로 하는 횡전계 방식 액정표시장치의 제조방법.
  18. 제 11 항에 있어서, 상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 액정을 공급하는 방식은 배향처리후 제 1 기판과 제 2 기판을 합착한 후, 두기판 사이에 액정을 주입하는 방식으로 수행되는 것을 특징으로 하는 횡전계 방식 액정표시장치의 제조방법.
KR1020040050547A 2004-06-30 2004-06-30 횡전계 방식 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 KR100789091B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040050547A KR100789091B1 (ko) 2004-06-30 2004-06-30 횡전계 방식 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2005142083A JP2006018231A (ja) 2004-06-30 2005-05-16 横電界方式液晶表示装置及びその製造方法
US11/156,651 US7679704B2 (en) 2004-06-30 2005-06-21 Method of fabricating an in-plane switching mode liquid crystal display comprising rubbing and applying a beam to set pre-tilt angles

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040050547A KR100789091B1 (ko) 2004-06-30 2004-06-30 횡전계 방식 액정 표시 장치 및 그 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060001424A KR20060001424A (ko) 2006-01-06
KR100789091B1 true KR100789091B1 (ko) 2007-12-26

Family

ID=35513469

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040050547A KR100789091B1 (ko) 2004-06-30 2004-06-30 횡전계 방식 액정 표시 장치 및 그 제조 방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7679704B2 (ko)
JP (1) JP2006018231A (ko)
KR (1) KR100789091B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104637958B (zh) * 2015-03-11 2017-10-17 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及显示装置

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09197411A (ja) * 1996-01-17 1997-07-31 Japan Synthetic Rubber Co Ltd 液晶表示素子
JPH10195193A (ja) 1996-12-31 1998-07-28 Samsung Display Devices Co Ltd Ｎ−アラルキル置換芳香族ポリアミド配向剤及びその製造方法
KR19980042231A (ko) * 1996-11-08 1998-08-17 이데이노부유끼 액정 소자와 그 제조 방법 및 장치
KR19980051988A (ko) * 1996-12-24 1998-09-25 손욱 액정 표시 장치의 제조 방법
KR20020011054A (ko) * 2000-07-31 2002-02-07 구본준, 론 위라하디락사 액정표시장치의 제조방법
KR20020017047A (ko) * 2000-08-28 2002-03-07 구본준, 론 위라하디락사 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR20020053432A (ko) * 2000-12-27 2002-07-05 구본준, 론 위라하디락사 횡전계방식 액정표시소자의 제조방법
KR20030033833A (ko) * 2001-10-25 2003-05-01 엘지.필립스 엘시디 주식회사 멀티도메인 액정표시소자 및 그 제조방법

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2708382B2 (ja) * 1994-10-14 1998-02-04 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 液晶表示装置用基板の製造方法、液晶表示装置の製造方法及び液晶表示装置
JPH09297310A (ja) * 1996-05-01 1997-11-18 Stanley Electric Co Ltd 液晶表示素子とその製造方法
US5817743A (en) * 1996-03-29 1998-10-06 Alliant Techsystems Inc. Process and materials for inducing pre-tilt in liquid crystals and liquid crystal displays
US5731405A (en) * 1996-03-29 1998-03-24 Alliant Techsystems Inc. Process and materials for inducing pre-tilt in liquid crystals and liquid crystal displays
US6124914A (en) * 1996-05-10 2000-09-26 International Business Machines Corporation Method an apparatus for forming an alignment pattern on a surface using a particle beam useful for a liquid crystal
JP3567183B2 (ja) * 1996-08-19 2004-09-22 大林精工株式会社 液晶表示装置
JPH1073823A (ja) * 1996-09-02 1998-03-17 Hitachi Ltd アクティブマトリクス型液晶表示装置
JP3107534B2 (ja) * 1996-12-30 2000-11-13 三星エスディアイ株式会社 液晶表示素子及びその製造方法
TW451099B (en) * 1998-01-23 2001-08-21 Hitachi Ltd Liquid crystal display device
JP2001281671A (ja) * 2000-03-30 2001-10-10 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JP4802409B2 (ja) * 2000-07-21 2011-10-26 コニカミノルタホールディングス株式会社 光学補償フィルム、それを用いた偏光板及び液晶表示装置
JP2002072215A (ja) * 2000-08-31 2002-03-12 Sharp Corp 液晶表示装置
JP3639526B2 (ja) * 2000-12-19 2005-04-20 三洋電機株式会社 液晶表示装置
JP2004191832A (ja) * 2002-12-13 2004-07-08 Dainippon Printing Co Ltd 位相差素子、それを備えた表示素子及び位相差素子の製造方法
US7244627B2 (en) * 2003-08-25 2007-07-17 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Method for fabricating liquid crystal display device

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09197411A (ja) * 1996-01-17 1997-07-31 Japan Synthetic Rubber Co Ltd 液晶表示素子
KR19980042231A (ko) * 1996-11-08 1998-08-17 이데이노부유끼 액정 소자와 그 제조 방법 및 장치
KR19980051988A (ko) * 1996-12-24 1998-09-25 손욱 액정 표시 장치의 제조 방법
JPH10195193A (ja) 1996-12-31 1998-07-28 Samsung Display Devices Co Ltd Ｎ−アラルキル置換芳香族ポリアミド配向剤及びその製造方法
KR20020011054A (ko) * 2000-07-31 2002-02-07 구본준, 론 위라하디락사 액정표시장치의 제조방법
KR20020017047A (ko) * 2000-08-28 2002-03-07 구본준, 론 위라하디락사 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR20020053432A (ko) * 2000-12-27 2002-07-05 구본준, 론 위라하디락사 횡전계방식 액정표시소자의 제조방법
KR20030033833A (ko) * 2001-10-25 2003-05-01 엘지.필립스 엘시디 주식회사 멀티도메인 액정표시소자 및 그 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
US7679704B2 (en) 2010-03-16
KR20060001424A (ko) 2006-01-06
US20060001813A1 (en) 2006-01-05
JP2006018231A (ja) 2006-01-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5015434B2 (ja) 横電界方式の液晶表示装置及びその製造方法
US7940359B2 (en) Liquid crystal display comprising a dielectric layer having a first opening surrounding a patterned structure and exposing a portion of a first pixel electrode and a second pixel electrode formed on the dielectric layer
KR101001520B1 (ko) 횡전계 방식 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR19980037086A (ko) 액정표시소자
US20100259469A1 (en) Liquid crystal display panel and liquid crystal display device
KR101358328B1 (ko) 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP4469331B2 (ja) 液晶表示装置の配向膜形成方法
KR100587365B1 (ko) 멀티도메인 액정표시소자
US8284361B2 (en) Method of fabricating an IPS mode LCD using both a rubbing process and a light irradiation process
US8384864B2 (en) System for forming alignment layer of liquid crystal display device and operation method thereof
KR100789091B1 (ko) 횡전계 방식 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100882729B1 (ko) 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101057851B1 (ko) 액정 표시 장치의 제조 방법
CN108020965B (zh) 液晶显示装置
KR101202514B1 (ko) 액정 표시 장치의 제조 방법
KR101244528B1 (ko) 횡전계 방식 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100413485B1 (ko) 횡전계방식 액정표시소자 및 그 제조방법
KR100963029B1 (ko) 횡전계방식 액정 표시 장치 제조 방법
KR100769178B1 (ko) 멀티도메인 액정표시소자 및 그 제조방법
JP2006030920A (ja) イオンビームによる液晶表示パネルの配向処理方法及び液晶表示パネル

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
G170 Publication of correction
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120928

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130930

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141124

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161118

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171116

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181114

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191113

Year of fee payment: 13