KR100788358B1 - Method of inspecting optical proximity correction - Google Patents

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Abstract

A method for inspecting an optical proximity correction is provided to form a desired semiconductor device by detecting correctly error in an optical proximity correction process. An error filtering region forming process is performed to form at least one error filtering region(300) which is separated in a predetermined distance from each of centers of points bent by a plurality of original patterns(100). An optical proximity correction process including the error filtering region is performed. An optical proximity correction verification is formed by preventing erroneous recognition of the data detected from each of the error filtering regions as false error. In the process for forming the error filtering region, the predetermined distance is shorter than a corner length of the original pattern.

Description

광 근접 보정의 검증 방법{Method of Inspecting Optical Proximity Correction}Method of Inspecting Optical Proximity Correction

도 1은 종래의 광 근접 보정 과정을 설명하기 위한 예시도. 1 is an exemplary view for explaining a conventional optical proximity correction process.

도 2는 종래의 광 근접 보정을 검증하는 과정의 문제점을 나타내기 위한 예시도. 2 is an exemplary diagram for illustrating a problem of a process of verifying a conventional optical proximity correction.

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 광 근접 보정의 검증 방법을 설명하기 위한 도면. 3 is a view for explaining a method of verifying optical proximity correction according to an embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 광 근접 보정의 검증 방법을 설명하기 위한 도면. 4 is a view for explaining a method of verifying optical proximity correction according to another embodiment of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명> <Description of the symbols for the main parts of the drawings>

10,100: 원본 패턴 20,200: 포토 레지스트 패턴 10,100: original pattern 20,200: photoresist pattern

30,300: 에러 필터링 영역 L1,L2: 코너 길이 30,300: Error filtering area L1, L2: Corner length

L3: 한 변 길이의 절반 L3: half the length of one side

본 발명은 광 근접 보정의 검증 방법에 관한 것으로, 특히 에러 데이터의 발 생을 최소화하여 정확하게 광 근접 보정을 검증하기 위한 광 근접 보정의 검증 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a method for verifying optical proximity correction, and more particularly, to a method for verifying optical proximity correction to accurately verify optical proximity correction by minimizing occurrence of error data.

근래 반도체 소자의 고집적화로 인하여 소자의 크기가 줄어들고 소자의 배치 밀도가 증가함에 따라 그에 대응하는 마스크 패턴의 임계치수가 광학 노광 장비의 분해능 한계에 접근하고 있어, 마스크 패턴의 광 근접 효과를 제대로 고려하지 못 하는 경우에는 리소그라피(Lithography) 본래의 노광 의도와 다르게 패턴 선폭 왜곡이 발생하게 되어 선폭 선형성(Linearity)이 왜곡되는 현상이 나타나 반도체 소자 특성에 나쁜 영향을 많이 주게 된다.Recently, as the size of the device decreases and the placement density of the device increases due to the high integration of the semiconductor device, the critical dimension of the corresponding mask pattern approaches the resolution limit of the optical exposure equipment, so that the optical proximity effect of the mask pattern may not be properly considered. In this case, pattern line width distortion occurs differently from lithography's original exposure intention, and line width linearity is distorted, which adversely affects semiconductor device characteristics.

그리고, 포토 리소그라피 기술은 마스크 설계를 정교하게 해 줌으로써, 마스크로 투광되어 나오는 빛의 양을 적절히 조정할 수 있게 되는데, 이것을 위해서 광 근접 보정(Optical Proximity Correction, 이하 OPC로 지칭함) 기술이 등장하였으며, 또한 해당 마스크에 그려진 패턴 형상에 의한 빛의 왜곡 현상을 최소화시킬 수 있는 여러 가지의 방법들이 모색되고 있는 실정이다.In addition, the photolithography technique allows precise adjustment of the mask design, so that the amount of light projected to the mask can be properly adjusted. For this purpose, optical proximity correction (OPC) technology has emerged. Various methods for minimizing the distortion of light due to the pattern shape drawn on the mask have been sought.

OPC 공정의 검증에서는 거짓 에러(false error) 데이터의 효과적인 제거가 가장 중요한 기술중 하나이다. In the validation of OPC processes, effective removal of false error data is one of the most important techniques.

OPC 공정 검증은 원본 패턴(original pattern)과 OPC를 수행한 결과의 OPC 패턴으로 만든 예상 포토 레지스트 패턴을 비교하여, 그 차이가 클 경우 에러로 검출하고 그 원인을 밝혀 개선하여 정확한 OPC 공정을 수행하는 작업을 말한다. 도 1은 종래의 광 근접 보정 과정을 설명하기 위한 예시도로서, 원본 패턴(2), OPC를 수행한 패턴(1) 및 OPC 패턴으로 만든 예상 포토 레지스트 패턴(3)의 예를 나타내 었다. OPC process verification compares the original pattern with the expected photoresist pattern made from the OPC pattern of the result of OPC, and detects the error if the difference is large and finds the cause and improves it to perform the correct OPC process. Say work. FIG. 1 is an exemplary view for explaining a conventional optical proximity correction process, and shows an example of an original pattern 2, an OPC pattern 1, and an expected photoresist pattern 3 made of an OPC pattern.

OPC 공정 검증 중 도 1에 도시된 "A"부분과 같이 꺾이는 형태의 패턴 부분에서 거짓 에러가 가장 많이 발생한다. 이러한 거짓 에러의 개수는 일반적인 OPC에서 백만개 이상으로 검출된다. 검출된 에러중 실제 에러를 구별하기 위해서는 일일이 육안으로 확인하여 판단을 하는데 수백 개 이상의 에러가 발생시 제대로 된 확인은 사실상 불가능하다. During the OPC process verification, the most false error occurs in the pattern portion of the bent shape such as the "A" portion shown in FIG. The number of such false errors is detected in more than one million in typical OPC. In order to distinguish the actual error among the detected errors, the visual inspection is made by hand. However, when more than hundreds of errors occur, it is impossible to properly identify them.

그래서, 종래의 기술에서는 "A"부분과 같이 꺾이는 부분에서 발생하는 거짓 에러를 제거하기 위해, 도 2에 도시된 바와 같이 꺾이는 점(B)으로부터 일정 영역(5)(이하, 에러 필터링 영역(error filtering area)으로 지칭함)에 대해 에러 점검을 하지 않게 한다. Thus, in the prior art, in order to eliminate false errors occurring in the portion that is bent like the "A" portion, the predetermined area 5 (hereinafter, referred to as an error filtering region (error) from the angle B as shown in FIG. error checking).

그러나, 이러한 점검을 하지 않는 에러 필터링 영역이 작을 경우 거짓 에러가 계속 검출하게 되고, 반대로 클 경우 OPC 공정에 문제가 있어 실제로 에러로 잡아야 하는 에러도 검출하지 않게 되어 OPC 공정 검증을 제대로 진행하지 못하게 된다. 또한, OPC 공정 검증이 정확하게 이루어 지지 않을 경우, 문제가 있는 상태로 포토 마스크가 제작되어 원하는 반도체 소자의 형성이 안 될 가능성이 크다. However, if the error filtering area without this check is small, false errors continue to be detected. If the error filtering area is large, the OPC process may have a problem. Therefore, the error that should be caught as an error may not be detected. . In addition, if the OPC process verification is not made correctly, there is a high possibility that a photomask is manufactured in a problematic state, and thus a desired semiconductor device is not formed.

본 발명은 OPC 공정 검증 작업에서 거짓 에러 데이터의 발생을 최소화하여 정확한 OPC 공정의 검증을 수행하는 검증 방법을 제공하는데 목적이 있다. An object of the present invention is to provide a verification method that performs verification of an accurate OPC process by minimizing occurrence of false error data in an OPC process verification operation.

이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은 다수의 원본 패턴에 의해 형성된 꺾이는 점을 각각 중심으로 소정 길이로 이격된 적어도 하나의 에러 필터링 영역을 구비하는 단계; 상기 에러 필터링 영역을 포함하여 OPC(Optical Proximity Correction)를 수행하는 단계; 및 상기 에러 필터링 영역 각각을 통해 검출되는 데이터를 거짓 에러 데이터로 인식하는 것을 방지하여 OPC 공정의 검증을 수행하는 단계를 포함하는 광 근접 보정의 검증 방법에 관한 것이다. The present invention for achieving the above object comprises the steps of having at least one error filtering region spaced apart by a predetermined length around each of the bending points formed by a plurality of original patterns; Performing optical prediction correction (OPC) including the error filtering region; And performing verification of the OPC process by preventing the data detected through each of the error filtering regions from being recognized as false error data.

본 발명에서 상기 소정 길이는 상기 원본 패턴의 코너 길이보다 짧은 것을 특징으로 한다. In the present invention, the predetermined length is shorter than the corner length of the original pattern.

본 발명에서 상기 에러 필터링 영역은 원형 또는 사각형인 것을 특징으로 한다. In the present invention, the error filtering region is characterized in that the circular or rectangular.

본 발명에서 상기 에러 필터링 영역 각각은 코너 길이별로 2개 내지 10개 구비하는 것을 특징으로 한다. In the present invention, each of the error filtering regions is provided with 2 to 10 per corner length.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 OPC의 검증 방법을 설명하기 위한 도면으로서, 다수의 원본 패턴(10), 이러한 다수의 원본 패턴(10)으로 이루어진 패턴에 대해 OPC를 수행하여 예상되는 포토 레지스트 패턴(20) 및 다수의 원본 패턴(10)에 의해 형성된 꺾이는 점(C1)을 중심으로 일정 거리로 이격된 에러 필터링 영역(30)을 구비한다. 여기서, 에러 필터링 영역(30)은 꺾이는 점(C1)을 중심으로 일정 거리로 이격된 원형으로 구비될 수도 있지만, 본 발명의 일실시예에서는 꺾이는 점(C1)을 중심으로 일정한 길이(L1)를 가지는 사각형으로 구비하여 설명한다. 3 is a view for explaining the OPC verification method according to an embodiment of the present invention, a plurality of original pattern 10, the photo is expected by performing OPC on the pattern consisting of a plurality of the original pattern 10 An error filtering area 30 spaced at a predetermined distance from the bending point C1 formed by the resist pattern 20 and the plurality of original patterns 10 is provided. Here, the error filtering area 30 may be provided in a circle spaced at a predetermined distance from the bending point C1, but in one embodiment of the present invention, the error filtering area 30 has a constant length L1 around the bending point C1. The branches are provided in a rectangle and described.

종래의 OPC 검증 방법에서는 원본 패턴(10)의 대한 코너 길이에 상관없이 에 러 필터링 영역이 설정되지만, 이러한 경우 에러 필터링 영역이 너무 크거나 너무 작아 OPC 공정 검증에 문제가 발생한다. In the conventional OPC verification method, the error filtering region is set regardless of the corner length of the original pattern 10, but in this case, the error filtering region is too large or too small, which causes problems in OPC process verification.

따라서, 본 발명의 일실시예에 따른 OPC의 검증 방법은 도 3에 도시된 바와 같이 코너 길이가 짧은 경우에는 에러 필터링 영역(30)이 작아야 하므로 코너 길이(L1)에 근접하여 에러 필터링 영역(30)을 설정한다. Accordingly, in the method of verifying the OPC according to the exemplary embodiment of the present invention, when the corner length is short as shown in FIG. 3, the error filtering region 30 should be small, so that the error filtering region 30 is closer to the corner length L1. ).

예를 들어, 코너의 길이(L1)가 50nm를 초과하는 경우 꺾이는 점(C1)을 중심으로 50nm의 코너 길이(L1) 이내로 설정하여 에러 필터링 영역(30)의 한 변의 길이가 80nm ~ 100nm인 정사각형이 가장 적합한 에러 필터링 영역이며, 이와 같이 설정된 에러 필터링 영역(30)을 통해 검출되는 데이터를 거짓 에러 데이터로 인식하는 것을 방지하여 정확한 OPC 공정의 검증을 수행한다. For example, when the length L1 of the corner exceeds 50 nm, a square having a length of one side of the error filtering area 30 within a range of 80 nm to 100 nm is set within a corner length L1 of 50 nm around the bending point C1. This is the most suitable error filtering region, and the data detected through the error filtering region 30 set as described above is prevented from being recognized as false error data, thereby performing verification of an accurate OPC process.

또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 OPC의 검증 방법은 도 4에 도시된 바와 같이 코너 길이(L2)가 긴 경우에, 코너 길이(L2)보다 짧은 길이로 이루어진 에러 필터링 영역(300)이 설정되어야 한다. In addition, in the method of verifying OPC according to another embodiment of the present invention, when the corner length L2 is long, as shown in FIG. 4, the error filtering region 300 having a length shorter than the corner length L2 is set. Should be.

따라서, 도 4에 도시된 바와 같이 코너 길이(L2)가 100nm ~ 150nm인 경우, 꺾이는 점(C2)을 중심으로 에러 필터링 영역(300)의 한 변 길이의 절반(L3)이 100nm ~ 150nm의 코너 길이(L2) 이내로 설정하여 에러 필터링 영역(300)의 한 변 길이가 100nm ~ 200nm인 정사각형으로 구비하는 것이 바람직하다. Therefore, as shown in FIG. 4, when the corner length L2 is 100 nm to 150 nm, the half L3 of one side length of the error filtering area 300 is about 100 nm to 150 nm around the bending point C2. It is preferable that the length L2 is set within the length L2 so that the length of one side of the error filtering region 300 is 100 nm to 200 nm.

코너의 길이에 가장 알맞는 에러 필터링 영역의 크기에 대해서 여기서는 예를 나타낸 것으로 정확한 값은 각각의 포토리소그래피 공정별로 OPC 공정 소프트웨어를 이용한 시뮬레이션을 통해 가장 적합한 수치가 결정될 수도 있다. Here is an example of the size of the error filtering region that best fits the length of the corner. The exact value may be determined by simulation using OPC process software for each photolithography process.

또한, 종래의 OPC 검증 방법에서는 하나의 에러 필터링 영역을 구비하는 것에 의해 문제가 되었으나, 본 발명에서는 코너 길이별로 에러 필터링 영역을 적게는 2~3개에서 많게는 10개 이상도 구비할 수 있도록 설정하여 거짓 에러와 실제 에러에 대한 검증력을 최대화할 수 있다. In addition, in the conventional OPC verification method, a problem is caused by having one error filtering area. However, in the present invention, the error filtering area is set to have as few as two or three to ten or more by corner length. Maximize the ability to verify false and real errors.

본 발명에 따른 OPC 공정 검증의 향상을 통해 OPC 공정의 잘못된 부분을 제대로 찾을 수 있게 되어 원하는 반도체 소자 형성이 가능해진다. 또한, 마스크의 제작 이전에 OPC 공정에 기인한 마스크의 에러 검증이 가능하여 반도체 소자가 완성되고 잘못된 부분의 검증을 통한 피드 백(feed-back) 보다 개발 혹은 양산 일정 단축이 가능하다. Through the improvement of the OPC process verification according to the present invention, it is possible to find the wrong part of the OPC process properly, thereby forming a desired semiconductor device. In addition, error verification of the mask due to the OPC process is possible prior to fabrication of the mask, so that the semiconductor device is completed and the development or mass production schedule can be shortened rather than the feed-back through verification of the wrong part.

본 발명의 기술사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 전술한 실시예들은 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. Although the technical spirit of the present invention has been described in detail according to the above-described preferred embodiment, it should be noted that the above-described embodiments are for the purpose of description and not of limitation.

또한, 본 발명의 기술분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술사상의 범위 내에서 다양한 실시가 가능함을 이해할 수 있을 것이다. In addition, those skilled in the art will understand that various implementations are possible within the scope of the technical idea of the present invention.

상기한 바와 같이 본 발명은 OPC 공정 검증 작업에서 거짓 에러 데이터의 발생을 최소화하여 정확한 OPC 공정의 검증을 수행하는 검증 방법을 제공하여 OPC 공정의 신뢰성을 향상시키고 OPC 공정의 에러 데이터 부분을 정확하게 찾을 수 있게 되어 원하는 반도체 소자를 형성할 수 있다. As described above, the present invention provides a verification method that performs verification of an accurate OPC process by minimizing occurrence of false error data in an OPC process verification operation, thereby improving reliability of the OPC process and accurately finding an error data portion of the OPC process. The desired semiconductor device can be formed.

Claims (6)

다수의 원본 패턴에 의해 형성된 꺾이는 점을 각각 중심으로 소정 길이로 이격된 적어도 하나의 에러 필터링 영역을 구비하는 단계; Providing at least one error filtering area spaced apart by a predetermined length from each of the bending points formed by the plurality of original patterns; 상기 에러 필터링 영역을 포함하여 OPC(Optical Proximity Correction)를 수행하는 단계; 및 Performing optical prediction correction (OPC) including the error filtering region; And 상기 에러 필터링 영역 각각을 통해 검출되는 데이터를 거짓 에러 데이터로 인식하는 것을 방지하여 OPC 공정의 검증을 수행하는 단계 Performing verification of the OPC process by preventing the data detected through each of the error filtering regions from being recognized as false error data. 를 포함하는 광 근접 보정의 검증 방법. Verification method of optical proximity correction comprising a. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 에러 필터링 영역을 구비하는 단계에서 In the step of providing the error filtering region 상기 소정 길이는 상기 원본 패턴의 코너 길이보다 짧은 것을 특징으로 하는 광 근접 보정의 검증 방법. And said predetermined length is shorter than a corner length of said original pattern. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 에러 필터링 영역은 원형 또는 사각형인 것을 특징으로 하는 광 근접 보정의 검증 방법. And the error filtering region is a circle or a quadrangle. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, The method according to claim 1 or 2, 상기 원본 패턴의 코너 길이가 50nm를 초과하는 경우, 상기 에러 필터링 영역은 상기 꺾이는 점을 중심으로 한 변의 길이가 80nm ~ 100nm인 정사각형인 것을 특징으로 하는 광 근접 보정의 검증 방법. And when the corner length of the original pattern exceeds 50 nm, the error filtering region is a square having a side length of about 80 nm to 100 nm around the bending point. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, The method according to claim 1 or 2, 상기 원본 패턴의 코너 길이가 100nm ~ 150nm 일 경우, 상기 에러 필터링 영역은 상기 꺾이는 점을 중심으로 한 변의 길이가 100nm ~ 200nm인 정사각형인 것을 특징으로 하는 광 근접 보정의 검증 방법. And when the corner length of the original pattern is 100 nm to 150 nm, the error filtering region is a square having a side length of 100 nm to 200 nm around the bending point. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, The method according to claim 1 or 2, 상기 에러 필터링 영역 각각은 코너 길이별로 2개 내지 10개 구비하는 것을 특징으로 하는 광 근접 보정의 검증 방법. And each of the error filtering areas includes two to ten corner widths for each corner length.
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