KR100782322B1 - an active matrix organic electroluminescence display and a manufacturing method of the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 능동행렬 유기전기발광소자 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an active matrix organic electroluminescent device and a method of manufacturing the same.

종래의 능동행렬 유기전기발광소자에서는 보호층의 콘택홀 상부에 형성되는 제 1 전극이 콘택홀의 단차를 따라 이루어지므로, 거칠기가 좋지 않은 막질을 이루게 된다. 따라서, 제 1 전극 상부에 형성되는 유기 발광층의 두께도 균일하지 않기 때문에, 두께가 얇은 곳에서 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 단락이 발생하게 된다.In the conventional active matrix organic electroluminescent device, since the first electrode formed on the contact hole of the protective layer is formed along the step of the contact hole, the film has poor roughness. Therefore, since the thickness of the organic light emitting layer formed on the first electrode is not uniform, a short circuit occurs between the first electrode and the second electrode at a thin thickness.

본 발명에 따른 능동행렬 유기전기발광소자에서는 제 1 전극이 콘택홀 내부를 매설하며 평탄한 표면을 가지도록 형성하여, 제 1 전극 상부의 유기 발광층의 두께가 균일하게 되도록 한다. 이에 따라, 유기 발광층의 표면 거칠기 및 두께 편차를 감소시키고, 제 1 전극과 제 2 전극 사이의 단락을 방지하여 소자의 수명을 향상시킬 수 있다.
In the active matrix organic electroluminescent device according to the present invention, the first electrode is formed to embed a contact hole and have a flat surface, so that the thickness of the organic light emitting layer on the first electrode is uniform. Accordingly, surface roughness and thickness variation of the organic light emitting layer can be reduced, and a short circuit between the first electrode and the second electrode can be prevented to improve the life of the device.

유기전기발광소자, 거칠기, 평탄화, 단락Organic electroluminescent element, roughness, planarization, short circuit

Description

능동행렬 유기전기발광소자 및 그의 제조 방법{an active matrix organic electroluminescence display and a manufacturing method of the same} Active matrix organic electroluminescence display and a manufacturing method of the same             

도 1은 일반적인 능동행렬 유기전기발광소자의 한 화소에 대한 회로도.1 is a circuit diagram of one pixel of a typical active matrix organic electroluminescent device.

도 2는 종래의 능동행렬 유기전기발광소자에 대한 단면도.2 is a cross-sectional view of a conventional active matrix organic electroluminescent device.

도 3은 도 2에서 A 부분을 확대한 단면도.3 is an enlarged cross-sectional view of a portion A in FIG. 2;

도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 능동행렬 유기전기발광소자에 대한 단면도.4 is a cross-sectional view of an active matrix organic electroluminescent device according to a first embodiment of the present invention.

도 5는 도 4에서 B 부분을 확대한 단면도.5 is an enlarged cross-sectional view of a portion B in FIG. 4.

도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 능동행렬 유기전기발광소자에 대한 단면도.6 is a cross-sectional view of an active matrix organic electroluminescent device according to a second embodiment of the present invention.

도 7은 도 6에서 C 부분을 확대한 단면도.
7 is an enlarged cross-sectional view of a portion C in FIG. 6.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

172 : 드레인 전극 180 : 보호층172: drain electrode 180: protective layer

181 : 콘택홀 190 : 제 1 전극181: contact hole 190: first electrode

200 : 유기 발광층 210 : 제 2 전극200 organic light emitting layer 210 second electrode

본 발명은 유기전기발광소자에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 박막 트랜지스터를 이용한 능동행렬 유기전기발광소자 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic electroluminescent device, and more particularly, to an active matrix organic electroluminescent device using a thin film transistor and a manufacturing method thereof.

현재 텔레비전이나 모니터와 같은 디스플레이 장치에는 음극선관(cathode ray tube : CRT)이 주된 장치로 이용되고 있으나, 이는 무게와 부피가 크고 구동전압이 높은 문제가 있다. 이에 따라, 박형화, 경량화, 저 소비전력화 등의 우수한 특성을 가지는 평판 표시 장치(flat panel display)의 필요성이 대두되었으며, 액정 표시 장치(liquid crystal display)와 플라즈마 표시 장치(plasma display panel), 전계 방출 표시 장치(field emission display), 그리고 전기 발광 표시 장치(또는 전기발광소자라고도 함 : electroluminescence display(ELD))와 같은 다양한 평판 표시 장치가 연구 및 개발되고 있다.Currently, a cathode ray tube (CRT) is used as a main device in a display device such as a television or a monitor, but this has a problem of weight and volume and high driving voltage. Accordingly, there is a need for a flat panel display having excellent characteristics such as thinness, light weight, and low power consumption, and has emerged, such as a liquid crystal display, a plasma display panel, and an electric field emission. Various flat panel display devices such as a field emission display and an electroluminescent display (or electroluminescence display (ELD)) have been researched and developed.

여기서, 전기발광소자는 형광체에 일정 이상의 전기장이 걸리면 빛이 발생하는 전기발광(electroluminescence : EL) 현상을 이용한 표시 소자로서, 캐리어들의 여기를 일으키는 소스에 따라 무기(inorganic) 전기발광소자와 유기전기발광소자(organic electroluminescence display : OELD 또는 유기 ELD)로 나눌 수 있다.Here, the electroluminescent device is a display device using an electroluminescence (EL) phenomenon in which light is generated when a certain electric field is applied to a phosphor, and an inorganic electroluminescent device and an organic electroluminescent light depending on a source causing excitation of carriers. It can be divided into an organic electroluminescence display (OELD or organic ELD).

이중, 유기전기발광소자가 청색을 비롯한 가시광선의 모든 영역의 빛이 나오므로 천연색 표시 소자로서 주목받고 있으며, 높은 휘도와 낮은 동작 전압 특성을 가진다. 또한 자체 발광이므로 명암대비(contrast ratio)가 크고, 초박형 디스플레이의 구현이 가능하며, 공정이 간단하여 환경 오염이 비교적 적다. 한편, 응답시간이 수 마이크로초(㎲) 정도로 동화상 구현이 쉽고, 시야각의 제한이 없으며 저온에서도 안정적이고, 직류 5V 내지 15V의 낮은 전압으로 구동하므로 구동회로의 제작 및 설계가 용이하다.Among them, the organic electroluminescent device is attracting attention as a natural color display device because it emits light in all regions of visible light including blue, and has high luminance and low operating voltage characteristics. In addition, because of self-luminous, the contrast ratio is high, the ultra-thin display can be realized, and the process is simple, so that environmental pollution is relatively low. On the other hand, the response time is easy to implement a moving picture with a few microseconds, there is no restriction on the viewing angle, it is stable even at low temperatures, it is easy to manufacture and design a drive circuit because it is driven at a low voltage of DC 5V to 15V.

이러한 유기전기발광소자는 구조가 무기전기발광소자와 비슷하나, 발광원리는 전자와 정공의 재결합에 의한 발광으로 이루어지므로 유기 LED(organic light emitting diode : OLED)라고 부르기도 한다.The organic electroluminescent device has a structure similar to that of an inorganic electroluminescent device, but the light emitting principle is called organic light emitting diode (OLED) because the light emission is achieved by recombination of electrons and holes.

다수의 화소를 매트릭스 형태로 배열하고 각 화소에 박막 트랜지스터를 연결한 능동행렬(active matrix) 형태가 평판 표시 장치에 널리 이용되는데, 이를 유기전기발광소자에 적용한 능동행렬(active matrix) 유기전기발광소자에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.An active matrix type in which a plurality of pixels are arranged in a matrix form and thin film transistors are connected to each pixel is widely used in a flat panel display device, and an active matrix organic electroluminescent device is applied to an organic electroluminescent device. It will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 능동행렬 유기전기발광소자의 한 화소에 대한 회로 구조를 도시한 것으로서, 도시한 바와 같이 능동행렬 유기전기발광소자의 한 화소는 스위칭(switching) 박막 트랜지스터(4)와 드라이빙(driving) 박막 트랜지스터(5), 스토리지 커패시터(6), 그리고 발광 다이오드(7)로 이루어진다. FIG. 1 illustrates a circuit structure of one pixel of an active matrix organic electroluminescent device, and as illustrated, one pixel of the active matrix organic electroluminescent device includes a switching thin film transistor 4 and a driving thin film. It consists of a transistor 5, a storage capacitor 6, and a light emitting diode 7.

여기서, 스위칭 박막 트랜지스터(4)의 게이트 전극은 게이트 배선(1)과 연결되고, 소스 전극은 데이터 배선(2)과 연결되어 있다. 스위칭 박막 트랜지스터(4)의 드레인 전극은 드라이빙 박막 트랜지스터(5)의 게이트 전극과 연결되어 있고, 드라이빙 박막 트랜지스터(5)의 드레인 전극은 발광 다이오드(7)의 애노드(anode) 전극 과 연결되어 있다. 드라이빙 박막 트랜지스터(5)의 소스 전극은 파워라인(3)과 연결되어 있고, 발광 다이오드(7)의 캐소드(cathode) 전극은 접지되어 있다. 다음, 스토리지 커패시터(6)가 드라이빙 박막 트랜지스터(5)의 게이트 전극 및 소스 전극과 연결되어 있다.Here, the gate electrode of the switching thin film transistor 4 is connected to the gate wiring 1, and the source electrode is connected to the data wiring 2. The drain electrode of the switching thin film transistor 4 is connected to the gate electrode of the driving thin film transistor 5, and the drain electrode of the driving thin film transistor 5 is connected to the anode electrode of the light emitting diode 7. The source electrode of the driving thin film transistor 5 is connected to the power line 3, and the cathode electrode of the light emitting diode 7 is grounded. Next, the storage capacitor 6 is connected to the gate electrode and the source electrode of the driving thin film transistor 5.

따라서, 게이트 배선(1)을 통해 신호가 인가되면 스위칭 박막 트랜지스터(4)가 온(on) 되고, 데이터 배선(2)으로부터의 화상 신호가 스위칭 박막 트랜지스터(4)를 통해 스토리지 커패시터(6)에 저장된다. 이 화상 신호는 드라이빙 박막 트랜지스터(5)의 게이트 전극에 전달되어 드라이빙 박막 트랜지스터(5)를 작동시켜 발광 다이오드(7)를 통해 빛이 출력되는데, 이때 발광 다이오드(7)에 흐르는 전류를 제어함으로써 휘도를 조절한다. 여기서, 스위칭 박막 트랜지스터(4)가 오프(off)되더라도 스토리지 커패시터(6)에 저장된 전압 값에 의해 드라이빙 박막 트랜지스터(5)를 구동하기 때문에, 다음 화면의 화상 신호가 들어올 때까지 계속적으로 전류가 발광 다이오드(7)로 흘러 빛을 발하게 된다.Therefore, when a signal is applied through the gate wiring 1, the switching thin film transistor 4 is turned on, and an image signal from the data wiring 2 is transferred to the storage capacitor 6 through the switching thin film transistor 4. Stored. The image signal is transmitted to the gate electrode of the driving thin film transistor 5 to operate the driving thin film transistor 5 to output light through the light emitting diode 7, wherein the luminance is controlled by controlling the current flowing through the light emitting diode 7. Adjust Here, since the driving thin film transistor 5 is driven by the voltage value stored in the storage capacitor 6 even when the switching thin film transistor 4 is turned off, the current is continuously emitted until the image signal of the next screen is input. It flows into the diode 7 and emits light.

이와 같이 박막 트랜지스터를 이용한 종래의 능동행렬 유기 LED의 단면을 도 2에 도시하였는데, 도 2는 드라이빙 박막 트랜지스터와 발광 다이오드 및 스토리지 커패시터에 대한 단면도이다.As such, a cross-section of a conventional active matrix organic LED using a thin film transistor is illustrated in FIG. 2, which is a cross-sectional view of a driving thin film transistor, a light emitting diode, and a storage capacitor.

도시한 바와 같이, 기판(10) 위에 버퍼층(buffer layer)(11)이 형성되어 있고, 그 위에 아일랜드(island) 형태를 가지는 제 1 및 제 2 다결정 실리콘층(12a, 12b, 12c, 13a)이 형성되어 있다. 제 1 다결정 실리콘층(12a, 12b, 12c)은 박막 트랜지스터의 액티브층(12a)과 불순물이 도핑된 드레인 영역(12b)과 소스 영역(12c) 으로 나누어지고, 제 2 다결정 실리콘층(13a)은 커패시터 전극이 된다.As shown, a buffer layer 11 is formed on the substrate 10, and the first and second polycrystalline silicon layers 12a, 12b, 12c, 13a having an island shape thereon are formed thereon. Formed. The first polycrystalline silicon layers 12a, 12b, and 12c are divided into the active layer 12a of the thin film transistor, the drain region 12b and the source region 12c doped with impurities, and the second polycrystalline silicon layer 13a is It becomes a capacitor electrode.

다음, 액티브층(12a) 상부에는 게이트 절연막(14)이 형성되어 있고, 그 위에 게이트 전극(15)이 형성되어 있다. Next, a gate insulating film 14 is formed on the active layer 12a, and a gate electrode 15 is formed thereon.

이어, 게이트 전극(15) 위에 제 1 층간 절연막(16)이 형성되어 게이트 전극(15)과 소스 및 드레인 영역(12c, 12b) 그리고 커패시터 전극(13a)을 덮고 있으며, 커패시터 전극(13a) 상부의 제 1 층간 절연막(16) 위에는 파워라인(17)이 형성되어 있다. 여기서, 파워라인(17)은 배선의 형태를 가지고 일 방향으로 길게 연장되어 있다. Subsequently, a first interlayer insulating layer 16 is formed on the gate electrode 15 to cover the gate electrode 15, the source and drain regions 12c and 12b, and the capacitor electrode 13a, and the upper portion of the capacitor electrode 13a. The power line 17 is formed on the first interlayer insulating film 16. Here, the power line 17 has a form of wiring and extends long in one direction.

다음, 파워라인(17) 상부에는 제 2 층간 절연막(18)이 형성되어 있는데, 제 2 층간 절연막(18)은 제 1 층간 절연막(16)과 함께 드레인 영역(12b)과 소스 영역(12c)의 일부를 각각 드러내는 제 1 및 제 2 콘택홀(18a, 18b)을 가지며, 또한 파워라인(17)을 일부 드러내는 제 3 콘택홀(18c)을 가진다.Next, a second interlayer insulating layer 18 is formed on the power line 17. The second interlayer insulating layer 18 is formed of the drain region 12b and the source region 12c together with the first interlayer insulating layer 16. The first and second contact holes 18a and 18b respectively reveal a part, and the third contact hole 18c partially exposes the power line 17.

다음, 제 2 층간 절연막(18) 상부에는 드레인 전극(19a)과 소스 전극(19b)이 형성되어 있다. 여기서, 드레인 전극(19a)은 제 1 콘택홀(18a)을 통해 드레인 영역(12b)과 연결되고, 소스 전극(19b)은 제 2 및 제 3 콘택홀(18b, 18c)을 통해 소스 영역(12c) 및 파워라인(17)과 각각 연결되어 있다. Next, a drain electrode 19a and a source electrode 19b are formed on the second interlayer insulating film 18. Here, the drain electrode 19a is connected to the drain region 12b through the first contact hole 18a, and the source electrode 19b is connected to the source region 12c through the second and third contact holes 18b and 18c. ) And power line 17, respectively.

이어, 드레인 전극(19a)과 소스 전극(19b) 상부에는 보호층(20)이 형성되어 있고, 보호층(20)은 드레인 전극(19a)을 일부 드러내는 제 4 콘택홀(20a)을 가진다. Subsequently, a passivation layer 20 is formed on the drain electrode 19a and the source electrode 19b, and the passivation layer 20 has a fourth contact hole 20a partially exposing the drain electrode 19a.

다음, 보호층(20) 상부에는 투명 도전 물질로 이루어진 애노드 전극(21)이 형성되어 있다. 애노드 전극(21)은 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide : 이하 ITO라고 한다)와 같은 물질로 이루어질 수 있다.Next, an anode 21 made of a transparent conductive material is formed on the passivation layer 20. The anode electrode 21 may be made of a material such as indium-tin-oxide (hereinafter referred to as ITO).

다음, 애노드 전극(21) 상부에는 유기 발광층(22)이 형성되어 있고, 그 위에 금속과 같은 불투명 도전 물질로 이루어진 캐소드 전극(23)이 형성되어 있다. 여기서, 캐소드 전극(23)은 기(10)판 전면에 형성되어 있다. Next, an organic emission layer 22 is formed on the anode electrode 21, and a cathode electrode 23 made of an opaque conductive material such as metal is formed thereon. Here, the cathode electrode 23 is formed on the entire surface of the substrate 10.

도 2의 능동행렬 유기 LED에서는 애노드 전극(21)이 투명 도전 물질로 이루어지고, 캐소드 전극(23)은 불투명 도전 물질로 이루어지므로, 유기 발광층(22)에서의 빛은 애노드 전극(21)을 통해 하부로 방출되게 된다. 따라서, 후면 발광(bottom emission)을 이루게 된다.In the active matrix organic LED of FIG. 2, since the anode electrode 21 is made of a transparent conductive material, and the cathode electrode 23 is made of an opaque conductive material, light in the organic light emitting layer 22 is transmitted through the anode electrode 21. Will be released to the bottom. Thus, bottom emission is achieved.

앞서 언급한 바와 같이, 능동행렬 유기전기발광소자에서는 데이터 신호를 애노드 전극(21)에 전달하기 위해 드레인 전극(19a) 상부의 보호층(20)에 콘택홀(20a)을 형성하게 된다. 이러한 콘택홀(20a)이 형성된 부분에 대하여 도 3에 도시하였는데, 도 3은 도 2에서 A 부분을 확대한 단면에 해당한다.As mentioned above, in the active matrix organic electroluminescent device, the contact hole 20a is formed in the passivation layer 20 on the drain electrode 19a in order to transfer the data signal to the anode electrode 21. 3 illustrates a portion in which the contact hole 20a is formed, and FIG. 3 corresponds to an enlarged cross section of the portion A in FIG. 2.

도 3에 도시한 바와 같이, 보호층(20)에 콘택홀(20a)을 형성할 경우 콘택홀(20a)은 측면이 경사를 이루게 되는데, 이러한 콘택홀(20a) 상부에 형성되는 애노드 전극(21)은 평탄한 면에 비해 거칠기(roughness)가 좋지 않은 막질을 이루게 된다. 따라서, 애노드 전극(21) 상부에 형성되는 유기 발광층(22)도 애노드 전극의 단차를 따라 막을 이루게 되므로, 위치마다 유기 발광층(22)의 두께가 달라지게 된다. 이때, 유기 발광층(22)의 두께가 얇은 곳에서는 전계의 집중 현상이 생기게 되어, 애노드 전극(21)과 캐소드 전극(23) 사이에 단락(short)이 일어날 수 있 다. 이로 인해 소자의 수명을 단축시키는 문제가 발생하게 된다.
As shown in FIG. 3, when the contact hole 20a is formed in the protective layer 20, the side surface of the contact hole 20a is inclined, and the anode electrode 21 is formed on the contact hole 20a. ) Has a poor film quality compared to the flat surface. Therefore, since the organic light emitting layer 22 formed on the anode electrode 21 also forms a film along the step of the anode electrode, the thickness of the organic light emitting layer 22 is changed for each position. In this case, where the thickness of the organic light emitting layer 22 is thin, a phenomenon of concentration of an electric field may occur, and a short may occur between the anode electrode 21 and the cathode electrode 23. This causes a problem of shortening the life of the device.

본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 유기 발광층의 두께 편차를 감소시켜 단락을 방지하고, 수명을 향상시킬 수 있는 능동행렬 유기전기발광소자 및 그의 제조 방법을 제공하는 것이다.
The present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems, an object of the present invention is to reduce the thickness variation of the organic light emitting layer to prevent short-circuit, and to improve the lifetime of the active matrix organic electroluminescent device and its manufacturing method To provide.

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 능동행렬 유기전기발광소자에서는 기판 상부에 박막 트랜지스터가 형성되어 있고, 그 위에 박막 트랜지스터를 덮고 있으며, 박막 트랜지스터의 일부를 드러내는 콘택홀을 가지는 보호층이 형성되어 있다. 보호층 상부에는 콘택홀을 통해 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 제 1 전극이 형성되어 있고, 제 1 전극 상부에는 유기 발광층이 형성되어 있다. 이어, 유기 발광층 상부에 제 2 전극이 형성되어 있다. 여기서, 제 1 전극 콘택홀을 채우며 평탄한 표면을 가진다.In the active matrix organic electroluminescent device according to the present invention for achieving the above object, a thin film transistor is formed on a substrate, a protective layer is formed on the thin film transistor, and has a contact hole exposing a part of the thin film transistor. It is. A first electrode connected to the thin film transistor through a contact hole is formed on the passivation layer, and an organic emission layer is formed on the first electrode. Subsequently, a second electrode is formed on the organic emission layer. Here, the first electrode contact hole is filled and has a flat surface.

본 발명에서 유기 발광층은 균일한 두께를 가진다.In the present invention, the organic light emitting layer has a uniform thickness.

또한, 제 1 전극은 투명 도전 물질로 이루어질 수 있으며, 인듐-틴-옥사이드로 이루어질 수 있다. 이때, 제 2 전극은 불투명 도전 물질로 이루어질 수 있는데, 알루미늄과 알루미늄 합금, 칼슘 중의 어느 하나로 이루어질 수 있다.In addition, the first electrode may be made of a transparent conductive material, and may be made of indium tin oxide. In this case, the second electrode may be made of an opaque conductive material, and may be made of any one of aluminum, aluminum alloy, and calcium.

한편, 제 2 전극은 투명 도전 물질로 이루어질 수 있고, 인듐-틴-옥사이드로 이루어질 수도 있다. 이때, 제 1 전극은 불투명 도전 물질로 이루어질 수 있으며, 알루미늄과 알루미늄 합금, 칼슘 중의 어느 하나로 이루어질 수 있다.On the other hand, the second electrode may be made of a transparent conductive material, it may be made of indium tin oxide. In this case, the first electrode may be made of an opaque conductive material, and may be made of any one of aluminum, aluminum alloy, and calcium.

본 발명에 따른 능동행렬 유기전기발광소자의 제조 방법에서는 기판 상부에 박막 트랜지스터를 형성하고, 그 위에 박막 트랜지스터의 일부를 드러내는 콘택홀을 가지는 보호층을 형성한다. 다음, 보호층 상부에 콘택홀을 매설하고 평탄한 표면을 가지며, 박막 트랜지스터와 연결되는 제 1 전극을 형성한다. 이어, 제 1 전극 상부에 유기 발광층을 형성하고, 유기 발광층 상부에 제 2 전극을 형성한다.In the method of manufacturing an active matrix organic electroluminescent device according to the present invention, a thin film transistor is formed on the substrate, and a protective layer having a contact hole exposing a part of the thin film transistor is formed thereon. Next, a contact hole is buried in the upper portion of the protective layer and has a flat surface to form a first electrode connected to the thin film transistor. Next, an organic light emitting layer is formed on the first electrode, and a second electrode is formed on the organic light emitting layer.

여기서, 제 1 전극을 형성하는 단계는 도금법으로 이루어질 수 있고, 섀도우 마스크를 이용한 스퍼터링 방법으로 이루어질 수도 있다.The forming of the first electrode may be performed by a plating method, or may be performed by a sputtering method using a shadow mask.

본 발명에서, 제 1 전극은 투명 도전 물질로 이루어질 수 있으며, 인듐-틴-옥사이드로 이루어질 수 있다. 이때, 제 2 전극은 불투명 도전 물질로 이루어질 수 있는데, 알루미늄과 알루미늄 합금, 칼슘 중의 어느 하나로 이루어질 수 있다.In the present invention, the first electrode may be made of a transparent conductive material, and may be made of indium tin oxide. In this case, the second electrode may be made of an opaque conductive material, and may be made of any one of aluminum, aluminum alloy, and calcium.

한편, 제 2 전극은 투명 도전 물질로 이루어질 수 있고, 인듐-틴-옥사이드로 이루어질 수도 있다. 이때, 제 1 전극은 불투명 도전 물질로 이루어질 수 있으며, 알루미늄과 알루미늄 합금, 칼슘 중의 어느 하나로 이루어질 수 있다.On the other hand, the second electrode may be made of a transparent conductive material, it may be made of indium tin oxide. In this case, the first electrode may be made of an opaque conductive material, and may be made of any one of aluminum, aluminum alloy, and calcium.

이와 같이, 본 발명에 따른 능동행렬 유기전기발광소자에서는 제 1 전극이 콘택홀 내부를 매설하며 평탄한 표면을 가지도록 형성하여, 제 1 전극 상부의 유기 발광층의 두께가 균일하게 되도록 한다. 이에 따라, 유기 발광층의 표면 거칠기 및 두께 편차를 감소시키고, 제 1 전극과 제 2 전극 사이의 단락을 방지하여 소자의 수명을 향상시킬 수 있다. As described above, in the active matrix organic electroluminescent device according to the present invention, the first electrode is formed to have a flat surface by embedding the inside of the contact hole, so that the thickness of the organic light emitting layer on the first electrode is uniform. Accordingly, surface roughness and thickness variation of the organic light emitting layer can be reduced, and a short circuit between the first electrode and the second electrode can be prevented to improve the life of the device.                     

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 능동행렬 유기전기발광소자에 대하여 상세히 설명한다.Hereinafter, an active matrix organic electroluminescent device according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

먼저, 도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 능동행렬 유기전기발광소자에 대한 단면도이다.4 is a cross-sectional view of an active matrix organic electroluminescent device according to a first embodiment of the present invention.

도시한 바와 같이, 절연 기판(100) 위에 실리콘 산화막과 같은 물질로 이루어진 버퍼층(110)이 형성되어 있고, 그 위에 아일랜드 형태를 가지는 제 1 및 제 2 다결정 실리콘층(121, 122, 123, 125)이 형성되어 있다. 제 1 다결정 실리콘층(121, 122, 123)은 박막 트랜지스터의 액티브층(121)과 불순물이 도핑된 드레인 영역(122)과 소스 영역(123)으로 나누어지고, 제 2 다결정 실리콘층(125)은 커패시터 전극이 된다.As shown, a buffer layer 110 made of a material such as a silicon oxide film is formed on the insulating substrate 100, and the first and second polycrystalline silicon layers 121, 122, 123, and 125 having an island shape thereon are formed thereon. Is formed. The first polycrystalline silicon layers 121, 122, and 123 are divided into an active layer 121 of the thin film transistor, a drain region 122 and a source region 123 doped with impurities, and the second polycrystalline silicon layer 125 is It becomes a capacitor electrode.

다음, 액티브층(121) 상부에는 실리콘 산화막과 같은 물질로 이루어진 게이트 절연막(130)이 형성되어 있고, 그 위에 게이트 전극(131)이 형성되어 있다. Next, a gate insulating layer 130 formed of a material such as a silicon oxide film is formed on the active layer 121, and a gate electrode 131 is formed thereon.

이어, 게이트 전극(131) 위에는 제 1 층간 절연막(140)이 형성되어 게이트 전극(131)과 소스 및 드레인 영역(122, 123) 그리고 커패시터 전극(125)을 덮고 있으며, 커패시터 전극(125) 상부의 제 1 층간 절연막(140) 위에는 파워라인(151)이 형성되어 있다. 여기서, 파워라인(151)은 배선의 형태를 가지고 일 방향으로 길게 연장되어 있으며, 커패시터 전극(125)과 함께 스토리지 커패시터를 이룬다.Subsequently, a first interlayer insulating layer 140 is formed on the gate electrode 131 to cover the gate electrode 131, the source and drain regions 122 and 123, and the capacitor electrode 125, and the upper portion of the capacitor electrode 125. The power line 151 is formed on the first interlayer insulating layer 140. Here, the power line 151 has a form of wiring and extends in one direction and forms a storage capacitor together with the capacitor electrode 125.

다음, 파워라인(151) 상부에는 제 2 층간 절연막(160)이 형성되어 있는데, 제 2 층간 절연막(160)은 제 1 층간 절연막(140)과 함께 제 1 및 제 2 콘택홀(161, 162)을 가지며, 또한 파워라인(151)을 일부 드러내는 제 3 콘택홀(163)을 가진다. 여기서, 제 1 콘택홀(161)은 소스 영역(123)을 드러내고, 제 2 콘택홀(162)은 드레인 영역(122)을 드러낸다.Next, a second interlayer insulating layer 160 is formed on the power line 151. The second interlayer insulating layer 160 is formed along with the first interlayer insulating layer 140 and the first and second contact holes 161 and 162. And a third contact hole 163 partially exposing the power line 151. Here, the first contact hole 161 exposes the source region 123, and the second contact hole 162 exposes the drain region 122.

다음, 제 2 층간 절연막(160) 상부에는 소스 전극(171)과 드레인 전극(172)이 형성되어 있다. 여기서, 소스 전극(171)은 제 1 콘택홀(161)을 통해 소스 영역(123)과 연결되고, 제 3 콘택홀(163)을 통해 파워라인(151)과 연결되며, 드레인 전극(172)은 제 2 콘택홀(162)을 통해 드레인 영역(122)과 연결되어 있다. Next, a source electrode 171 and a drain electrode 172 are formed on the second interlayer insulating layer 160. Here, the source electrode 171 is connected to the source region 123 through the first contact hole 161, and is connected to the power line 151 through the third contact hole 163, and the drain electrode 172 is It is connected to the drain region 122 through the second contact hole 162.

이어, 소스 및 드레인 전극(171, 172) 상부에는 제 1 보호층(180)이 형성되어 있고, 제 1 보호층(180)은 드레인 전극(172)을 일부 드러내는 제 4 콘택홀(181)을 가진다. Subsequently, a first passivation layer 180 is formed on the source and drain electrodes 171 and 172, and the first passivation layer 180 has a fourth contact hole 181 partially exposing the drain electrode 172. .

다음, 제 1 보호층(180) 상부에는 제 1 전극(190)이 형성되어 있는데, 제 1 전극(190)은 제 4 콘택홀(181)을 통해 드레인 전극(172)과 연결되어 있다. 여기서, 제 1 전극(190)은 ITO와 같은 투명 도전 물질로 이루어질 수 있다. Next, a first electrode 190 is formed on the first passivation layer 180, and the first electrode 190 is connected to the drain electrode 172 through the fourth contact hole 181. Here, the first electrode 190 may be made of a transparent conductive material such as ITO.

다음, 제 1 전극(190) 위에는 유기 발광층(200)이 형성되어 있고, 그 위에 제 2 전극(210)이 형성되어 있다. 여기서, 제 2 전극(210)은 기판(100) 전면에 형성되어 있으며, 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금, 또는 칼슘(Ca)과 같은 불투명 도전 물질로 이루어질 수 있다.Next, the organic emission layer 200 is formed on the first electrode 190, and the second electrode 210 is formed thereon. Here, the second electrode 210 is formed on the entire surface of the substrate 100 and may be made of an opaque conductive material such as aluminum (Al), aluminum alloy, or calcium (Ca).

이와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에서는 제 1 전극이 불투명 도전 물질로 이루어지고 제 2 전극은 투명 도전 물질로 이루어지므로, 유기 발광층에서의 빛이 제 1 전극을 통해 하부로 방출하는 후면 발광을 이루게 된다. As described above, in the first embodiment of the present invention, since the first electrode is made of an opaque conductive material and the second electrode is made of a transparent conductive material, back light emission of light emitted from the organic light emitting layer downward through the first electrode is prevented. Is achieved.

이러한 능동행렬 유기전기발광소자에서 제 4 콘택홀 부분에 대한 확대도를 도 5에 도시하였는데, 도 5는 도 4에서 B 부분을 확대한 도면에 해당한다. An enlarged view of the fourth contact hole portion in the active matrix organic electroluminescent device is illustrated in FIG. 5, which corresponds to an enlarged view of portion B in FIG. 4.

도시한 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에서는 제 1 전극(190)이 제 4 콘택홀(181) 내부를 모두 채우고 있으며, 제 4 콘택홀(181) 상부에 위치하는 제 1 전극(190)의 상부면이 제 1 보호층(180) 상부에 위치하는 상부면과 거의 동일한 높이를 가지므로, 제 1 전극(190)은 평탄도가 높은 면을 이룬다. 따라서, 제 1 전극(190) 상부에 위치하는 유기 발광층(200)도 균일한 두께를 가지게 되어, 표면 거칠기 및 두께 편차가 줄어 들고, 이에 따라 제 1 전극(190)과 제 2 전극(210) 사이의 단락도 방지할 수 있다.As shown, in the first embodiment of the present invention, the first electrode 190 fills all of the fourth contact hole 181, and the first electrode 190 positioned on the fourth contact hole 181. Since the upper surface of the first electrode 190 has substantially the same height as the upper surface positioned on the first protective layer 180, the first electrode 190 forms a surface having a high flatness. Therefore, the organic light emitting layer 200 positioned on the first electrode 190 also has a uniform thickness, thereby reducing surface roughness and thickness variation, and thus, between the first electrode 190 and the second electrode 210. The short circuit can also be prevented.

이러한 제 1 전극(190)으로 사용되는 ITO와 같은 물질은 일반적으로 스퍼터링(sputtering)과 같은 방법으로 증착하여 형성하는데, 본 발명에서와 같이 콘택홀(181) 부분을 매설하기 위해서는 제 4 콘택홀(181) 부분과 제 1 보호층(180) 상부의 제 1 전극(190) 두께가 달라져야 한다. 따라서, 도금(plating)법을 이용하거나, 새도우 마스크(shadow mask)를 이용하여 스퍼터링 방법으로 증착함으로써, 선택적으로 증착되는 박막 두께를 조절하여 평탄한 표면을 가지는 전극층을 형성할 수 있다.A material such as ITO used as the first electrode 190 is generally formed by depositing by a method such as sputtering. In order to embed the contact hole 181 as in the present invention, a fourth contact hole ( 181) the thickness of the first electrode 190 on the portion and the upper portion of the first passivation layer 180 should be different. Therefore, by depositing by a plating method or a sputtering method using a shadow mask, it is possible to form an electrode layer having a flat surface by controlling the thickness of the deposited film selectively.

앞선 실시예에서는 후면 발광되는 경우에 대하여 설명하였으나, 빛이 제 2 전극 방향으로 방출되는 전면 발광(top emission)에도 적용할 수 있다.In the above-described embodiment, the case in which the rear light is emitted has been described. However, the present invention may also be applied to top emission in which light is emitted toward the second electrode.

이러한 본 발명의 제 2 실시예에 따른 능동행렬 유기전기발광소자에 대하여 도 6 및 도 7에 도시하였는데, 도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 능동행렬 유기전기발광소자에 대한 단면도이고, 도7은 도 6에서 C부분을 확대한 단면도이다.6 and 7 illustrate an active matrix organic electroluminescent device according to a second embodiment of the present invention. FIG. 6 is a cross-sectional view of an active matrix organic electroluminescent device according to a second embodiment of the present invention. FIG. 7 is an enlarged cross-sectional view of part C in FIG. 6.

도시한 바와 같이, 절연 기판(300) 위에 버퍼층(310)이 형성되어 있고, 그 위에 다결정 실리콘으로 이루어진 박막 트랜지스터의 액티브층(321)과 불순물이 도핑된 드레인 영역(322)과 소스 영역(323) 및 커패시터 전극(325)이 형성되어 있다.As shown, a buffer layer 310 is formed on the insulating substrate 300, and the active layer 321 of the thin film transistor made of polycrystalline silicon, the drain region 322 and the source region 323 doped with impurities are formed thereon. And a capacitor electrode 325 is formed.

다음, 액티브층(321) 상부에는 게이트 절연막(330)이 형성되어 있고, 그 위에 게이트 전극(331)이 형성되어 있다. 게이트 전극(331) 위에는 제 1 층간 절연막(340)이 형성되어 게이트 전극(331)과 소스 및 드레인 영역(322, 323) 그리고 커패시터 전극(325)을 덮고 있으며, 커패시터 전극(325) 상부의 제 1 층간 절연막(340) 위에는 파워라인(351)이 형성되어 있다. 여기서, 파워라인(351)은 커패시터 전극(325)과 함께 스토리지 커패시터를 이룬다.Next, a gate insulating film 330 is formed on the active layer 321, and a gate electrode 331 is formed thereon. A first interlayer insulating layer 340 is formed on the gate electrode 331 to cover the gate electrode 331, the source and drain regions 322 and 323, and the capacitor electrode 325, and the first upper portion of the capacitor electrode 325. The power line 351 is formed on the interlayer insulating layer 340. Here, the power line 351 forms a storage capacitor together with the capacitor electrode 325.

다음, 파워라인(351) 상부에는 제 2 층간 절연막(360)이 형성되어 있는데, 제 2 층간 절연막(360)은 제 1 층간 절연막(340)과 함께 제 1 및 제 2 콘택홀(361, 362)을 가지며, 또한 파워라인(351)을 일부 드러내는 제 3 콘택홀(363)을 가진다. 여기서, 제 1 콘택홀(361)은 소스 영역(323)을 드러내고, 제 2 콘택홀(362)은 드레인 영역(322)을 드러낸다.Next, a second interlayer insulating layer 360 is formed on the power line 351, and the second interlayer insulating layer 360 is formed along with the first interlayer insulating layer 340 and the first and second contact holes 361 and 362. And a third contact hole 363 partially exposing the power line 351. Here, the first contact hole 361 exposes the source region 323, and the second contact hole 362 exposes the drain region 322.

다음, 제 2 층간 절연막(360) 상부에는 소스 전극(371)과 드레인 전극(372)이 형성되어 있다. 여기서, 소스 전극(371)은 제 1 콘택홀(361)을 통해 소스 영역(323)과 연결되고, 제 3 콘택홀(363)을 통해 파워라인(351)과 연결되며, 드레인 전극(372)은 제 2 콘택홀(362)을 통해 드레인 영역(322)과 연결되어 있다. Next, a source electrode 371 and a drain electrode 372 are formed on the second interlayer insulating layer 360. Here, the source electrode 371 is connected to the source region 323 through the first contact hole 361, the power line 351 through the third contact hole 363, and the drain electrode 372 is It is connected to the drain region 322 through the second contact hole 362.

이어, 소스 및 드레인 전극(371, 372) 상부에는 제 1 보호층(380)이 형성되어 있고, 제 1 보호층(380)은 드레인 전극(372)을 일부 드러내는 제 4 콘택홀(381)을 가진다. Subsequently, a first passivation layer 380 is formed on the source and drain electrodes 371 and 372, and the first passivation layer 380 has a fourth contact hole 381 partially exposing the drain electrode 372. .                     

다음, 제 1 보호층(380) 상부에는 제 1 전극(390)이 형성되어 있는데, 제 1 전극(390)은 제 4 콘택홀(381)을 통해 드레인 전극(372)과 연결되어 있다. 여기서, 제 1 전극(390)은 불투명한 도전 물질로 이루어지는 것이 바람직하고, 알루미늄이나 알루미늄 합금, 또는 칼슘과 같은 물질로 이루어질 수 있다.Next, a first electrode 390 is formed on the first passivation layer 380, and the first electrode 390 is connected to the drain electrode 372 through the fourth contact hole 381. Here, the first electrode 390 is preferably made of an opaque conductive material, and may be made of a material such as aluminum, an aluminum alloy, or calcium.

다음, 제 1 전극(390) 위에는 유기 발광층(400)이 형성되어 있고, 그 위에 제 2 전극(410)이 형성되어 있다. 여기서, 제 2 전극(410)은 기판 전면에 형성되어 있으며, ITO와 같은 투명 도전 물질로 이루어진다.Next, an organic emission layer 400 is formed on the first electrode 390, and a second electrode 410 is formed thereon. Here, the second electrode 410 is formed on the entire surface of the substrate, and is made of a transparent conductive material such as ITO.

여기서, 제 1 전극(390)은 제 4 콘택홀(381)을 채우고 있으며, 평탄한 표면을 가진다. 따라서, 상부의 유기 발광층(400) 두께도 균일하게 되므로, 제 1 및 제 2 전극(390, 410) 간의 단락을 방지하여 소자의 수명을 향상시킬 수 있다.Here, the first electrode 390 fills the fourth contact hole 381 and has a flat surface. Therefore, since the thickness of the upper organic light emitting layer 400 is also uniform, short circuit between the first and second electrodes 390 and 410 may be prevented, thereby improving the life of the device.

이때, 제 1 전극(390)은 앞선 제 1 실시예와 마찬가지로 도금법이나 섀도우 마스크를 이용한 스퍼터링 방법에 의해 형성할 수 있다.In this case, the first electrode 390 may be formed by a plating method or a sputtering method using a shadow mask as in the first embodiment.

이러한 본 발명의 제 2 실시예에서는 제 1 전극(390)이 불투명한 물질로 이루어지고 제 2 전극(410)이 투명한 물질로 이루어져, 유기 발광층(400)으로부터 나온 빛이 제 2 전극(410)을 통해 상부면으로 방출되는 전면 발광을 하게 된다.In the second embodiment of the present invention, the first electrode 390 is made of an opaque material and the second electrode 410 is made of a transparent material, so that the light emitted from the organic light emitting layer 400 is directed to the second electrode 410. Through the front emission emitted to the upper surface through.

본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 아니하며, 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 이상 다양한 변화와 변형이 가능하다.
The present invention is not limited to the above embodiments, and various changes and modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.

본 발명에 따른 능동행렬 유기전기발광소자에서는 제 1 전극이 콘택홀 내부 를 매설하며 표면을 평탄하게 형성하여, 제 1 전극 상부의 유기 발광층이 균일한 두께를 가지도록 한다. 따라서, 유기 발광층의 표면 거칠기 및 두께 편차가 줄어 들고, 제 1 전극과 제 2 전극 사이의 단락도 방지하여 소자의 수명을 향상시킬 수 있다.
In the active matrix organic electroluminescent device according to the present invention, the first electrode embeds the contact hole and has a flat surface, so that the organic light emitting layer on the first electrode has a uniform thickness. Therefore, surface roughness and thickness variation of the organic light emitting layer are reduced, and short circuit between the first electrode and the second electrode can be prevented, thereby improving the life of the device.

Claims (21)

기판;Board; 상기 기판 상부에 형성되어 있는 박막 트랜지스터;A thin film transistor formed on the substrate; 상기 박막 트랜지스터를 덮고 있으며, 상기 박막 트랜지스터의 일부를 드러내는 콘택홀을 가지는 보호층;A protective layer covering the thin film transistor and having a contact hole exposing a portion of the thin film transistor; 상기 보호층 상부에 형성되어 있고, 상기 콘택홀을 통해 상기 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 제 1 전극;A first electrode formed on the passivation layer and connected to the thin film transistor through the contact hole; 상기 제 1 전극 상부의 유기 발광층;An organic light emitting layer on the first electrode; 상기 유기 발광층 상부에 형성되어 있는 제 2 전극A second electrode formed on the organic emission layer 을 포함하며,Including; 상기 제 1 전극은 상기 콘택홀을 채우며 평탄한 표면을 가지는 능동행렬 유기전기발광소자.And the first electrode fills the contact hole and has a flat surface. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 유기 발광층은 균일한 두께를 가지는 능동행렬 유기전기발광소자.The organic light emitting layer has an active matrix organic electroluminescent device having a uniform thickness. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 1 전극은 투명 도전 물질로 이루어진 능동행렬 유기전기발광소자.The first electrode is an active matrix organic electroluminescent device made of a transparent conductive material. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 제 1 전극은 인듐-틴-옥사이드로 이루어진 능동행렬 유기전기발광소자.The first electrode is an active matrix organic electroluminescent device consisting of indium tin oxide. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 제 2 전극은 불투명 도전 물질로 이루어진 능동행렬 유기전기발광소자.The second electrode is an active matrix organic electroluminescent device made of an opaque conductive material. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, 상기 제 2 전극은 알루미늄과 알루미늄 합금, 칼슘 중의 어느 하나로 이루어진 능동행렬 유기전기발광소자.The second electrode is an active matrix organic electroluminescent device comprising any one of aluminum, aluminum alloy and calcium. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 2 전극은 투명 도전 물질로 이루어진 능동행렬 유기전기발광소자.The second electrode is an active matrix organic electroluminescent device comprising a transparent conductive material. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 제 2 전극은 인듐-틴-옥사이드로 이루어진 능동행렬 유기전기발광소자.The second electrode is an active matrix organic electroluminescent device consisting of indium tin oxide. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 제 1 전극은 불투명 도전 물질로 이루어진 능동행렬 유기전기발광소자.The first electrode is an active matrix organic electroluminescent device made of an opaque conductive material. 제 9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 제 1 전극은 알루미늄과 알루미늄 합금, 칼슘 중의 어느 하나로 이루어진 능동행렬 유기전기발광소자.The first electrode is an active matrix organic electroluminescent device comprising any one of aluminum, aluminum alloy and calcium. 기판 상부에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;Forming a thin film transistor on the substrate; 상기 박막 트랜지스터 상부에 상기 박막 트랜지스터의 일부를 드러내는 콘택홀을 가지는 보호층을 형성하는 단계;Forming a protective layer on the thin film transistor, the protective layer having a contact hole exposing a portion of the thin film transistor; 상기 보호층 상부에 상기 콘택홀을 매설하고 평탄한 표면을 가지며, 상기 박막 트랜지스터와 연결되는 제 1 전극을 형성하는 단계;Embedding the contact hole on the passivation layer and forming a first electrode having a flat surface and connected to the thin film transistor; 상기 제 1 전극 상부에 유기 발광층을 형성하는 단계;Forming an organic emission layer on the first electrode; 상기 유기 발광층 상부에 제 2 전극을 형성하는 단계Forming a second electrode on the organic emission layer 를 포함하는 능동행렬 유기전기발광소자의 제조 방법.Method for manufacturing an active matrix organic electroluminescent device comprising a. 제 11 항에 있어서,The method of claim 11, 상기 제 1 전극을 형성하는 단계는 도금법으로 이루어지는 능동행렬 유기전기발광소자의 제조 방법.Forming the first electrode is a method of manufacturing an active matrix organic electroluminescent device made of a plating method. 제 11 항에 있어서,The method of claim 11, 상기 제 1 전극을 형성하는 단계는 섀도우 마스크를 이용한 스퍼터링 방법으로 이루어지는 능동행렬 유기전기발광소자의 제조 방법.Forming the first electrode is a method of manufacturing an active matrix organic electroluminescent device comprising a sputtering method using a shadow mask. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR19990087667A (en) * 1996-03-12 1999-12-27 도미나가 가즈토 Organic voltage-emitting device and organic voltage-emitting display device

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