KR100779003B1 - Oganic light emitting display and manufacturing method thereof - Google Patents
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Abstract
Description
도 1은 일반적인 유기 전계 발광 소자의 구조를 도시한 개략도.1 is a schematic diagram showing the structure of a typical organic electroluminescent device.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치의 개략도.2 is a schematic diagram of an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention;
도 3은 도 2의 유기 전계 발광 표시 장치를 보다 상세하게 나타내는 단면도.3 is a cross-sectional view illustrating the organic light emitting display device of FIG. 2 in more detail.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법을 도시한 플로우 차트.4 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.
도 5a 내지 도 5e는 도 4의 순서에 따라 제조되는 유기 전계 발광 표시 장치를 도시한 단면도. 5A through 5E are cross-sectional views illustrating an organic light emitting display device manufactured in the order of FIG. 4.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>
1: 유기 전계 발광 표시 장치 10, 110: 기판1: organic
20: 소자층 30,210a210a': 무기막 보호층20: device layer 30,210a210a ': inorganic film protective layer
40,210b: 유기막 보호층 50,220: 경도 강화층40, 210b: organic film
A: 박막 트랜지스터 120: 버퍼층 A: thin film transistor 120: buffer layer
130: 반도체층 140: 게이트 절연막 130: semiconductor layer 140: gate insulating film
150: 게이트 전극 160: 층간 절연막 150: gate electrode 160: interlayer insulating film
170: 소스/드레인 전극 180: 절연막170: source / drain electrode 180: insulating film
190: 유기 전계 발광 소자층 200: 화소 정의막190: organic electroluminescent element layer 200: pixel defining layer
210: 보호 박막층 210: protective thin film layer
본 발명은 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 보호 박막층의 상면에 경도 강화층을 형성하여 내스크래치 특성이 향상되는 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
일반적으로 유기 전계 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display)는 캐소드(cathode)에서 공급되는 전자(eletron)와 애노드(anode)에서 공급되는 정공(hole)의 재결합에 의하여 빛을 발생하는 유기 전계 발광 소자(Organic Light Emitting Device:OLED)를 이용한 것으로 평판 표시 장치(Flat Panel Display)의 일종이다. In general, an organic light emitting display device is an organic light emitting display device that generates light by recombination of electrons supplied from a cathode and holes supplied from an anode. Organic Light Emitting Device (OLED) is a type of flat panel display.
도 1은 일반적인 유기 전계 발광 소자의 구조를 개략적으로 나타내는 도면이다. 1 is a view schematically showing the structure of a general organic electroluminescent device.
종래의 유기 전계 발광 소자는, 도 1을 참조하면, 애노드 전극(ITO), 유기 박막 및 캐소드 전극(metal)을 기본 구조로 한다. 상기 유기 박막은 전자와 정공이 만나 여기자(exciton)를 형성하여 발광하는 발광층(emitting layer, EML), 전자의 이동 속도를 적절히 조절하는 전자 수송층(electron transport layer, ETL), 정공의 이동 속도를 적절히 조절하는 정공 수송층(hole transport layer, HTL)으로 형 성된다. 이때, 상기 전자 수송층에는 전자의 주입 효율을 향상시키는 전자 주입층(electron injecting layer, EIL)이 형성되고, 상기 정공 수송층에는 정공의 주입 효율을 향상시키는 정공 주입층(hole injecting layer, HIL)이 더 형성될 수 있다.Referring to FIG. 1, a conventional organic electroluminescent device has a basic structure of an anode electrode (ITO), an organic thin film, and a cathode electrode (metal). The organic thin film has an electron emission layer (EML) emitting electrons and holes to form an exciton to emit light, an electron transport layer (ETL) for appropriately controlling the movement speed of electrons, and an appropriate movement speed of holes. It is formed as a hole transport layer (HTL) to regulate. In this case, an electron injecting layer (EIL) is formed in the electron transporting layer to improve the injection efficiency of electrons, and a hole injecting layer (HIL) is further formed in the hole transporting layer. Can be formed.
상기 유기 전계 발광 표시 장치는 두께가 얇고, 시야각이 넓으며, 응답속도가 빠른 장점이 있다. 또한 사용되는 온도 범위가 넓기 때문에 저온에서도 제조가 가능하며, 제조 공정이 단순하여 저가격화가 가능하다는 장점이 있다. 최근, 유기 박막 재료 기술 및 공정 기술이 급속도로 성장하여 기존의 평판 표시 장치를 대체할 기술로 각광받고 있다. The organic light emitting display device has advantages such as a thin thickness, a wide viewing angle, and a fast response speed. In addition, since the temperature range is wide, it is possible to manufacture at low temperatures, and the manufacturing process is simple, which has the advantage of low cost. Recently, the organic thin film material technology and the process technology has grown rapidly to attract attention as a technology to replace the existing flat panel display device.
상기 유기 전계 발광 표시 장치는 기판 위에 박막 트랜지스터가 형성되는 단계, 유기 전계 발광 소자층이 형성되는 단계를 통하여 형성된다. 이때, 유기 전계 발광 소자층이 형성되는 단계는 세정단계, 전처리 단계, 유기 박막층 증착 단계 및 캐소드 증착 단계를 포함한다. The organic light emitting display device is formed by forming a thin film transistor on a substrate and forming an organic light emitting device layer. In this case, the forming of the organic electroluminescent device layer includes a cleaning step, a pretreatment step, an organic thin film layer deposition step and a cathode deposition step.
한편, 유기 전계 발광 소자층의 캐소드는 활성이 높고 화학적으로 불안정한 특성이 있어서 외부의 수분이나 산소 등과 쉽게 반응하여 산화되거나 부식되기 쉽다. 또한, 유기 박막층은 수분이나 산소가 침투될 경우, 결정화에 따른 구조 변화로 인하여 발광 특성이 저하될 우려가 있다. On the other hand, the cathode of the organic electroluminescent device layer has high activity and chemically unstable characteristics, so that it easily reacts with external moisture or oxygen and easily oxidizes or corrodes. In addition, when the organic thin film layer penetrates moisture or oxygen, there is a concern that the luminescence property is lowered due to the structural change due to crystallization.
종래에는 상술한 문제점을 해결하기 위하여 유기층과 무기층을 교대로 증착하여 보호 박막층을 형성하는 방법이 이용되고 있다.(미국 특허 제6,268,695호 및 미국 특허 제6,570,352호)Conventionally, in order to solve the above-mentioned problems, a method of forming a protective thin film layer by alternately depositing an organic layer and an inorganic layer is used (US Pat. Nos. 6,268,695 and 6,570,352).
그러나 상술한 종래 기술을 이용한 유기 전계 발광 표시 장치는 보호 박막층의 총 두께가 수 ㎛ 정도로 얇아서 보호 박막층 표면에 스크래치가 쉽게 발생되는 문제점이 있다. However, the organic light emitting display device using the above-described conventional technology has a problem in that scratches are easily generated on the surface of the protective thin film layer because the total thickness of the protective thin film layer is as small as several μm.
본 발명은 상술한 종래 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법의 문제점을 해소하기 위한 것으로, 특히 보호 박막층 상면에 경도 강화층을 형성하여 내스크래치성이 향상되는 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다. The present invention is to solve the above problems of the conventional organic light emitting display device and a manufacturing method thereof, and in particular, to form a hardness reinforcing layer on the upper surface of the protective thin film layer and to improve scratch resistance, The purpose is to provide.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 유기 전계 발광 표시 장치는 기판, 상기 기판 상면에 형성되는 버퍼층, 상기 버퍼층 상면에 형성되는 반도체층, 상기 반도체층 상면에 형성되는 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막 상면에 형성되는 게이트 전극, 상기 게이트 전극 상면에 형성되는 층간 절연막, 상기 층간 절연막 상면에 형성되며 상기 반도체층과 전기적으로 연결되는 도전성 컨택을 포함하는 소스/드레인 전극, 상기 소스/드레인 전극 상면에 형성되는 절연막, 상기 절연막 상면에 형성되며 상기 소스/드레인 전극과 전기적으로 연결되는 도전성 비아를 포함하는 유기 전계 발광 소자층 및, 상기 유기 전계 발광 소자층 상면에 형성되는 보호 박막층;을 포함하는 유기 전계 발광 표시 장치에 있어서, 상기 보호 박막층 상면에 경도 강화층이 형성되는 것을 특징으로 한다. An organic electroluminescent display device of the present invention for achieving the above object is formed on a substrate, a buffer layer formed on the upper surface of the substrate, a semiconductor layer formed on the buffer layer upper surface, a gate insulating film formed on the semiconductor layer upper surface, the upper surface of the gate insulating film A gate electrode, an interlayer insulating film formed on an upper surface of the gate electrode, a source / drain electrode including a conductive contact formed on an upper surface of the interlayer insulating film and electrically connected to the semiconductor layer, an insulating film formed on an upper surface of the source / drain electrode, An organic electroluminescent device layer formed on an upper surface of the insulating layer and including conductive vias electrically connected to the source / drain electrodes, and a protective thin film layer formed on an upper surface of the organic electroluminescent device layer. In the above, the hardness reinforcing layer is formed on the protective thin film layer It is characterized by.
이때, 본 발명에 있어서 상기 경도 강화층은 실리카(SiO2)막인 것을 특징으 로 할 수 있다. 여기서, 상기 실리카막은 퍼하이드로 폴리실라잔(perhydro-polysilazane)으로부터 형성되는 것을 특징으로 할 수 있다. In this case, in the present invention, the hardness reinforcing layer may be characterized in that the silica (SiO 2) film. Here, the silica film may be formed from perhydro-polysilazane.
또한, 본 발명에 있어서, 상기 경도 강화층은 상기 보호 박막층의 측면을 덮도록 형성될 수 있다. 이때, 상기 경도 강화층은 상기 보호 박막층이 형성되지 않은 상기 기판의 상면을 덮도록 형성될 수 있다. In addition, in the present invention, the hardness reinforcing layer may be formed to cover the side of the protective thin film layer. In this case, the hardness reinforcing layer may be formed to cover the upper surface of the substrate on which the protective thin film layer is not formed.
또한, 본 발명에 있어서, 상기 보호 박막층은 적어도 하나의 유기막 보호층 및 적어도 하나의 무기막 보호층을 포함할 수 있다. 이때, 상기 보호 박막층은 상기 유기막 보호층 및 상기 무기막 보호층이 교대로 형성될 수 있다. In addition, in the present invention, the protective thin film layer may include at least one organic film protective layer and at least one inorganic film protective layer. In this case, the protective thin film layer may be formed by alternating the organic film protective layer and the inorganic film protective layer.
또한, 본 발명에서 상기 경도 강화층의 하면과 접하는 상기 보호 박막층의 최상층은 상기 무기막 보호층으로 형성될 수 있다. 이때, 상기 보호 박막층의 최상층의 하부층은 상기 유기막 보호층으로 형성될 수 있다. 이때, 상기 유기막 보호층은 0.5㎛ 내지 5㎛ 범위의 두께로 형성될 수 있다. In addition, the uppermost layer of the protective thin film layer in contact with the lower surface of the hardness reinforcing layer in the present invention may be formed of the inorganic film protective layer. In this case, the lower layer of the uppermost layer of the protective thin film layer may be formed of the organic layer protective layer. In this case, the organic layer protective layer may be formed to a thickness of 0.5㎛ to 5㎛ range.
또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법은 기판을 준비하는 단계, 상기 기판 위에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 유기 전계 발광 소자층을 형성하는 단계, 상기 유기 전계 발광 소자층을 보호하기 위한 보호 박막층을 형성하는 단계 및, 상기 보호 박막층에 경도 강화층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다. In addition, a method of manufacturing an organic light emitting display device according to the present invention for achieving the above object comprises the steps of preparing a substrate, forming a thin film transistor on the substrate, an organic electroluminescent device layer electrically connected to the thin film transistor Forming a step, forming a protective thin film layer for protecting the organic EL device layer, and forming a hardness reinforcing layer on the protective thin film layer; may be characterized in that it comprises a.
또한, 본 발명에서 상기 경도 강화층을 형성하는 단계는 상기 보호 박막층 상면에 퍼하이드로 폴리실라잔을 증착하는 퍼하이드로 폴리실라잔 증착 단계 및, 상기 퍼하이드로 폴리실라잔에 포함되는 유기물을 증발시키는 유기물 증발 단계를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다. 이때, 상기 퍼하이드로 폴리실라잔 증착 단계에서 상기 퍼하이드로 폴리실라잔은 스프레이법, 스핀 코팅법 및 디핑법 중에 선택되는 어느 하나의 방법으로 증착될 수 있다. 또한, 상기 유기물 증발 단계에서 상기 퍼하이드로 폴리실라잔은 대기 영역, 불활성 기체 영역 및, 수증기 영역 중에서 선택되는 어느 하나의 영역에서 반응하여 실리카(SiO2)로 전화되는 것을 특징으로 할 수 있다. In the present invention, the step of forming the hardness reinforcing layer is a perhydro polysilazane deposition step of depositing perhydro polysilazane on the upper surface of the protective thin film layer, and the organic material to evaporate the organic material contained in the perhydro polysilazane It may be characterized in that it comprises an evaporation step. In this case, in the perhydro polysilazane deposition step, the perhydro polysilazane may be deposited by any one method selected from spray method, spin coating method and dipping method. In addition, in the organic material evaporation step, the perhydro polysilazane may be converted into silica (SiO 2 ) by reacting in any one region selected from an atmospheric region, an inert gas region, and a steam region.
이하에서 첨부된 도면과 실시예를 참조하여 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 장치에 대해 상세히 설명하기로 한다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위하여 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 사용하여 설명하기로 한다. Hereinafter, an organic light emitting display device according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings and embodiments. In the drawings, parts irrelevant to the description are omitted in order to clearly describe the present invention, and like reference numerals designate like parts throughout the specification.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.2 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치(1)는 기판(10), 기판(10)의 상면에 형성되는 소자층(20), 소자층(20) 상면에 형성되는 무기막 보호층(30)과 유기막 보호층(40) 및 경도 강화층(50)을 포함한다. The organic light
상기 기판(10)은 상면과 하면 사이가 판상으로 형성된다. 기판(10)은 통상의 글래스, 플라스틱, 스테인레스 스틸, 나노복합재료 및 그 등가물 중에 선택되는 어느 하나의 로 형성될 수 있으나, 이러한 재질로 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 이러한 기판(10)의 상면에는 유기 전계 발광 표시 장치(1)의 화상을 구현하기 위해 필요한 소자들(예를 들어, 박막 트랜지스터, 유기 전계 발광 소자)이 형성되어 있는 소자층(20)이 형성된다. The
상기 소자층(20)은 상술한 바와 같이, 유기 전계 발광 표시 장치(1)의 화상을 구현하기 위해 필요한 소자들(도 3 참고)이 형성될 수 있다. 소자층(20)의 상세한 구조는 이하에서 첨부되는 도면(도 3 내지 도 5)을 통해 상세하게 설명하기로 한다. 이러한 소자층(20)은 외부의 요인(예를 들어, 산소, 수분 등)으로 인해 산화되거나 부식될 경우, 유기 전계 발광 표시 장치(1)의 품질에 적지 않은 영향을 끼치게 된다. 따라서 유기 전계 발광 표시 장치(1)는 소자층(20)의 상면에 무기막 보호층(30) 및 유기막 보호층(40)을 교대로 형성하여 소자층(20)의 산화 및 부식을 방지한다. As described above, the
상기 무기막 보호층(30) 및 유기막 보호층(40)은 소자층(190) 상면에 형성된다. 이때, 무기막 보호층(30) 및 유기막 보호층(40)은 소자층(20)의 교대로 형성되어 다층의 구조로 형성될 수 있다. The inorganic layer
상기 무기막 보호층(30)은 소자층(20), 유기막 보호층(40) 및 다른 무기막 보호층(30) 중에 선택되는 적어도 어느 하나의 층에 증착될 수 있다. 이때, 무기막 보호층(30)은 실리콘산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산화질화물, 실리콘 탄화물, 알루미늄 질화물, 알루미늄 산화질화물, 주석 산화물, 티타늄 산화물 및 티타늄 질화물 또는 이에 등가하는 재질 중에 선택되는 적어도 어느 하나의 재질로 형성될 수 있으나, 본 발명에서 사용되는 무기막 보호층(30)의 재질을 한정하는 것은 아니 다. The inorganic layer
상기 유기막 보호층(40)은 소자층(20) 또는 무기막 보호층(30) 중에 선택되는 어느 하나의 층에 증착될 수 있다. 또한, 유기막 보호층(40)은 동일한 재질로 형성되는 다른 유기막 보호층(40)에 형성될 수도 있다. 상기 유기막 보호층(40)은 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 패럴린(parylene), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN :polyethylene naphthalate), 폴리이미드(PI:Polyimide), 폴리카보네이트(PC :Polycarbonate), 폴리에테르술폰(PES :polyethersulfone), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET:polyethylene terephthalate) 등의 고분자 유기물이나 이들의 유도체에서 선택되는 적어도 어느 하나의 재질로 형성될 수 있으나, 본 발명에서 유기막 보호층(40)의 재질을 한정하는 것은 아니다.The organic layer
상기 무기막 보호층(30) 및 유기막 보호층(40) 중에서 최상층(경도 강화층(50)과 접하는 층)은 수분 또는 산소 등의 불순물에 대하여 보다 저항력이 우수한 무기막 보호층(30)으로 형성될 수 있다. 무기막 보호층(30)이 최상층에 위치하게 될 경우, 이하에서 설명되는 무기 재질로 형성되는 경도 강화층(50)과 쉽게 친화될 수 있기 때문에 무기막 보호층(30)과 경도 강화층(50)이 쉽게 분리되지 않는다는 장점이 있다. 또한, 상기 무기막 보호층(30) 및 유기막 보호층(40) 중에서 최하층(소자층(20)과 접하는 층)은 보호 박막층(210)과 유기 전계 발광 소자층(190)이 접하는 최하층 또한, 유기막 보호층(40)에 비하여 수분 또는 산소 등의 불순물에 대하여 비교적 저항력이 우수한 무기막 보호층(30)으로 형성될 수 있다. 그러나, 본 발명에서 최상부 및 최하부에 형성되는 층을 무기막 보호층(30)으로 한정하 는 것은 아니며, 필요에 따라서는 유기막 보호층(40)이 형성될 수도 있다. Among the inorganic film
상기 경도 강화층(50)은 무기막 보호층(30)의 상면에 형성된다. 또한, 경도 강화층(50)은 무기막 보호층(30) 및 유기막 보호층(40)의 측면을 덮도록 형성될 수 있다. 또한, 경도 강화층(50)은 무기막 보호층(30) 및 유기막 보호층(40)이 형성되지 않은 기판(10)의 상면에 형성될 수도 있다. 이에 따라, 경도 강화층(220)은 무기막 보호층(30) 및 유기막 보호층(40)이 형성되는 영역에 비하여 비교적 넓게 형성되어, 소자층(20) 상면에 무기막 보호층(30) 및 유기막 보호층(40)이 다층으로 형성되더라도 경도 강화층(50)이 무기막 보호층(30) 및 유기막 보호층(40)과 기판(10)을 감싸기 때문에 쉽게 박리되는 않는다는 장점이 있다. 또한, 경도 강화층(50)은 무기막 보호층(30) 및 유기막 보호층(40)이 형성되지 않은 영역의 수분 및 산소를 차폐하는 것이 가능하다는 장점이 있다. The
이러한 경도 강화층(50)의 재질 및 형성 방법에 관해서는 이하의 도면(도 3 내지 도 5e)을 통해서 보다 상세하게 설명하기로 한다. The material and the formation method of the
도 3은 도 2의 유기 전계 발광 표시 장치(1)를 보다 상세하게 나타내는 단면도이다. 3 is a cross-sectional view illustrating the organic light emitting
본 발명의 따른 유기 전계 발광 표시 장치(1)는, 도 3을 참조하면, 기판(110)과, 기판(110)상에 형성된 버퍼층(120)과, 버퍼층(120)상에 형성된 반도체층(130)과, 반도체층(130)상에 형성된 게이트 절연막(140)과, 게이트 절연막(140)상에 형성된 게이트 전극(150)과, 게이트 전극(150) 상에 형성된 층간 절연막(160)과, 층간 절연막(160)상에 형성된 소스/드레인 전극(170)과, 소스/드레인 전 극(170)상에 형성된 절연막(180)과, 절연막(180)상에 형성된 유기 전계 발광 소자층(190)과, 유기 전계 발광 소자층(190) 외주연의 절연막(180)상에 형성되는 화소 정의막(200)과, 유기 전계 발광 소자층(190)에 형성되는 보호 박막층(210) 및, 보호 박막층(210)에 형성되는 경도 강화층(220)을 포함한다. Referring to FIG. 3, the organic light emitting
상기 기판(110)은 상면과 하면을 갖는 판상으로 형성되며, 상면과 하면 사이의 두께는 0.05 내지 1mm 정도의 두께로 형성된다. 기판(110)의 두께가 0.05mm보다 얇은 경우에는 공정 중 세정, 식각 및 열처리 공정 등에 의해 손상되기 쉽고 또한 외력에 약한 단점이 있다. 반대로, 기판(110)의 두께가 1mm보다 두꺼운 경우에는 최근의 슬림화 추세에 있는 각종 표시 장치에 적용하기가 어려운 단점이 있다. 기판(110)은 통상의 글래스, 플라스틱, 스테인레스 스틸, 나노복합재료 및 그 등가물 중에 선택되는 어느 하나의 로 형성될 수 있으나, 이러한 재질로 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 이러한 기판(110)은 반도체층(130) 및 유기 전계 발광 소자층(190)을 포함하는 표시 영역과 각종 구동부가 형성되는 비표시 영역으로 구분될 수 있다. 그러나 본 발명에서는 유기 전계 발광 소자층(190)이 포함되는 표시 영역을 중심으로 설명하기로 한다. The
상기 버퍼층(120)은 기판(110)의 상면에 형성된다. 이러한 버퍼층(120)은 이하에서 서술할 반도체층(130)이나 유기 전계 발광 소자층(190)에 습기(H2O), 수소(H2) 또는 산소(O2) 등이 기판(110)을 관통하여 침투하지 않도록 하는 역할을 한다. 이를 위해, 버퍼층(120)은 반도체 공정 중 쉽게 형성할 수 있는 실리콘 산화 막(SiO2), 실리콘 질화막(Si3N4), 무기막 및 그 등가물 중 선택되는 적어도 어느 하나로 형성할 수 있으나, 이러한 재질로 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 물론, 이러한 버퍼층(120)은 필요에 따라 생략될 수도 있다.The
상기 반도체층(130)은 버퍼층(120)의 상면에 형성된다. 반도체층(130)은 상호 대향되는 양측에 형성된 소스 영역(131) 및 드레인 영역(132)과, 소스 영역(131) 및 드레인 영역(132) 사이에 형성되는 채널 영역(133)을 포함한다. 반도체층(130)은 이하에서 서술하는 게이트 전극(150)의 전계 작용에 의해 소스 영역(131)과 드레인 영역(132) 사이의 스위칭이 이루어진다. 반도체층(130)은 비정질 실리콘, 마이크로 실리콘(비정질 실리콘과 다결정실리콘 사의의 그레인 사이즈(grain size)를 갖는 실리콘), 유기물 및 그 등가물 중 선택되는 어느 하나일 수 있으며, 본 발명에서 반도체층(130)의 재질을 한정하는 것은 아니다.The
상기 게이트 절연막(140)은 반도체층(130)의 상면에 형성된다. 물론, 이러한 게이트 절연막(140)은 반도체층(130)의 외주연인 버퍼층(120) 위에도 형성될 수 있다. 게이트 절연막(140)은 반도체층(130)과 이하에서 설명할 게이트 전극(150)의 전기적 절연성을 얻기 위해 형성된다. 이러한 게이트 절연막 (140)은 반도체 공정 중 쉽게 얻을 수 있는 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 무기막 또는 그 등가물 중 선택되는 적어도 어느 하나로 형성될 수 있으며, 본 발명에서 사용되는 게이트 절연막(140)의 재질을 한정하는 것은 아니다.The
상기 게이트 전극(150)은 게이트 절연막(140)의 상면에 형성된다. 보다 상세 하게, 게이트 전극(150)은 반도체층(130)에 포함되는 채널 영역(133)과 대응되는 게이트 절연막(140) 상면에 형성될 수 있다. 주지된 바와 같이 이러한 게이트 전극(150)은 게이트 절연막(140) 하부의 채널 영역(133)에 전계를 인가함으로써, 채널 영역(133)에 정공 또는 전자의 채널이 형성되도록 한다. 게이트 전극(150)은 통상의 금속(Mo, MoW, Ti, Cu, Al, AlNd, Cr, Mo 합금, Cu 합금, Al 합금 등), 도핑된 다결정 실리콘 및 그 등가물 중 선택되는 적어도 어느 하나로 형성될 수 있으나, 본 발명에서 게이트 전극(150)의 재질을 한정하는 것은 아니다. The
상기 층간 절연막(160)은 게이트 전극(150)의 상면에 형성된다. 물론, 층간 절연막(160)은 게이트 전극(150)의 외주연에 형성되는 게이트 절연막(140) 위에도 형성될 수 있다. 층간 절연막(160)은 폴리머 계열, 플라스틱 계열, 유리 계열 또는 이에 등가하는 계열 중 선택되는 어느 하나로 형성될 수 있으나, 본 발명에서 층간 절연막(160)의 재질을 한정하는 것은 아니다.The interlayer insulating
상기 소스/드레인 전극(170)은 층간 절연막(160)의 상면에 형성될 수 있다. 이때, 소스/드레인 전극(170)과 반도체층(130) 사이에는 층간 절연막(160)을 관통하는 도전성 컨택(173)(electrically conductive contact)이 형성된다. 소스/드레인 전극(170)은 도전성 컨택(173)에 의해 반도체층(130)에 포함되는 소스 및 드레인 영역(131,132)과 상호 전기적으로 연결된다. 소스/드레인 전극(170)은 상술한 게이트 전극(150)과 같은 금속 재질로 형성될 수 있으며, 본 발명에서 소스/드레인 전극(170)의 재질을 한정하는 것은 아니다. The source /
상기 절연막(180)은 소스/드레인 전극(170) 및 층간 절연막(160)의 상면에 형성된다. 이때, 절연막(180)은 다시 전극 보호막(181)과 전극 보호막(181)의 상면에 형성된 평탄화막(182)을 포함하여 이루어질 수 있다. 전극 보호막(181)은 소스/드레인 전극(170) 및 층간 절연막(160)을 덮도록 형성되어, 소스/드레인 전극(170) 및 게이트 전극(150)을 보호하는 역할을 한다. 이러한 전극 보호막(181)은 통상의 무기막 및 그 등가물 중 선택된 어느 하나로 형성될 수 있으나, 본 발명에서 사용되는 전극 보호막(192)의 재질을 한정하는 것은 아니다. 더불어, 평탄화막(182)은 전극 보호막(181)을 덮도록 형성된다. 이러한 평탄화막(182)은 유기 전계 발광 소자층(190)의 전체 표면을 평탄하게 해주는 것으로서 벤조 사이클로 부텐(BCB:Benzo Cyclo Butene), 아크릴 및 그 등가물 중 선택되는 적어도 어느 하나로 형성될 수 있으나, 본 발명에서 사용되는 평탄화막(182)의 재질을 한정하는 것은 아니다.The insulating
상기 유기 전계 발광 소자층(190)은 절연막(190) 즉, 평탄화막(194)의 상면에 형성된다. 유기 전계 발광 소자(190)는 애노드(191), 애노드(191)의 상면에 형성되는 유기 전계 발광 박막(192) 및 유기 전계 발광 박막(192)의 상면에 형성되는 캐소드(193)를 포함한다. The organic
상기 애노드(191)는 ITO(Induim Tin Oxide), ITO(Induim Tin Oxide)/Ag, ITO(Induim Tin Oxide)/Ag/ITO(IZO:Indium Zinc Oxide) 또는 그 등가물중 선택된 적어도 어느 하나로 형성될 수 있으나, 본 발명에서 사용되는 애노드(191)의 재질을 한정하는 것은 아니다. 이때, ITO는 일함수가 균일하여 유기 전계 발광 박막(192)에 대한 정공 주입 장벽이 작은 투명 도전막에 해당되고, Ag는 전면 발광 방식에서 유기 전계 발광 박막(192)으로터의 빛을 상면으로 반사할 수 있는 막이 다. 애노드(191)는 절연막(180)을 관통하여 형성되는 도전성 비아(198)(electrically conductive via)에 의해 상호 전기적으로 연결될 수 있다. The
상기 유기 전계 발광 박막(192)은 전자와 정공이 만나 여기자(exciton)를 형성하여 발광하는 발광층, 전자의 이동 속도를 적절히 조절하는 전자 수송층, 정공의 이동 속도를 적절히 조절하는 정공 수송층을 포함한다. 전자 수송층에는 전자의 주입 효율을 향상시키는 전자 주입층이 더 형성되고, 정공 수송층에는 정공의 주입 효율을 향상시키는 정공 주입층이 더 형성될 수 있다. The organic electroluminescent
상기 캐소드(193)는 알루미늄(Al), 마그네슘은(MgAg) 합금, 마그네슘칼슘(MgCa) 합금 및 그 등가물 중에 선택되는 적어도 어느 하나일 수 있으나, 본 발명에서 사용되는 캐소드(193)의 재질을 한정하는 것은 아니다. 다만, 본 발명에서 전면 발광식을 택할 경우 알루미늄은 두께를 매우 얇게 해야 하는데, 그럴 경우 저항이 높아져 전자 주입 장벽이 커지는 단점이 있다. 마그네슘은 합금은 상기 알루미늄에 비해 전자 주입 장벽이 작고, 마그네슘칼슘 합금은 마그네슘은 합금에 비해 전자 주입 장벽이 더 낮다. 그러나, 이러한 마그네슘은 합금 및 마그네슘칼슘 합금은 주변 환경에 민감하고 산화되어 절연층을 형성할 수 있으므로 외부와의 차단을 완벽하게 해주어야 한다. The
상기 화소 정의막(200)은 유기 전계 발광 소자층(190)의 외주연으로서 절연막(180)의 상면에 형성될 수 있다. 이러한 화소 정의막(200)은 적색 유기 전계 발광 소자, 녹색 유기 전계 발광 소자, 청색 유기 전계 발광 소자 사이의 경계를 명확하게 하여 화소 사이의 발광 경계 영역이 명확해지도록 한다. 또한, 이러한 화소 정의막(200)은 폴리이미드 및 그 등가물 중 선택된 적어도 어느 하나로 형성될 수 있으나, 본 발명에서 사용되는 화소 정의막(200)의 재질을 한정하는 것은 아니다.The
상기 보호 박막층(210)은 유기 전계 발광 소자층(190) 상면에 형성된다. 물론, 보호 박막층(210)은 화소 정의막(200) 상면에 형성될 수도 있다. 이러한 보호 박막층(210)은 유기 전계 발광 소자층(190)이 수분이나 산소 등의 외부 요인으로 인해 손상(산화 또는 부식)되거나 발광 특성이 저하되는 것을 방지하기 위해 형성된다. 보호 박막층(210)은 적어도 하나의 무기막 보호층(210a) 및 유기막 보호층(210b)을 포함하는 다층의 구조로 형성될 수 있다. 예를 들어, 보호 박막층(210)은 유기 전계 발광 소자층(190)의 상면에 형성되는 제1무기막 보호층(210a), 제1무기막 보호층(210a) 상면에 형성되는 제1유기막 보호층(210b) 및 제1유기막 보호층(210b) 상면에 형성되는 제2무기막 보호층(210a')을 포함하여 형성될 수 있다. 이때, 제1 내지 제2무기막 보호층(210a,210a')과 제1유기막 보호층(210b) 사이에 유기막 보호층 및 무기막 보호층이 더 포함될 수도 있으며, 본 발명에서 보호 박막층(210)의 층 수를 한정하는 것은 아니다. The protective
상기 보호 박막층(210)의 최상층은 수분 또는 산소 등의 불순물에 대하여 보다 저항력이 우수한 무기막 보호층, 예를 들어, 제2무기막 보호층(210a')으로 형성될 수 있다. 보호 박막층(210)의 최상층에 위치하는 무기막 보호층(210a')은 또한, 이하에서 설명되는 경도 강화층(220)과 친화되어, 보호 박막층(210)과 경도 강화층(220)이 쉽게 분리되지 않을 수 있다. 이때, 보호 박막층(210)과 유기 전계 발광 소자층(190)이 접하는 최하층 또한, 유기막 보호층(210b)에 비하여 수분 또는 산소 등의 불순물에 대하여 비교적 저항력이 우수한 무기막 보호층, 예를 들어 제1무기막 보호층(210a)으로 형성될 수 있다. 보호 박막층(210)의 최하층에 위치하는 무기막 보호층(210a)은 유기 전계 발광 소자층(190)의 최상층에 위치하는 캐소드(193)가 산화되거나 부식되는 것을 비교적 효과적으로 방지할 수 있다. 그러나, 본 발명에서 보호 박막층(210)의 최상부 및 최하부에 형성되는 층을 한정하는 것은 아니며, 필요에 따라서는 유기막 보호층이 형성될 수도 있다. The uppermost layer of the protective
상기 무기막 보호층(210a)은 유기 전계 발광 소자층(190), 유기막 보호층(210b) 및 다른 무기막 보호층(210a) 중에 선택되는 적어도 어느 하나의 층에 증착될 수 있다. 이때, 무기막 보호층(210a)은 실리콘산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산화질화물, 실리콘 탄화물, 알루미늄 질화물, 알루미늄 산화질화물, 주석 산화물, 티타늄 산화물 및 티타늄 질화물 또는 이에 등가하는 재질 중에 선택되는 적어도 어느 하나의 재질로 형성될 수 있으나, 본 발명에서 사용되는 무기막 보호층(210a)의 재질을 한정하는 것은 아니다. 또한, 본 발명에서 무기막 제1보호층(210a) 및 제2무기막 보호층(210a')의 재질은 동일하게 형성될 수 있으나, 필요에 따라서 상술한 재질 중 서로 다른 재질로 선택되어 형성될 수도 있다. The inorganic film
상기 유기막 보호층(210b)은 유기 전계 발광 소자층(190) 또는 무기막 보호층(210a) 중에 선택되는 어느 하나의 층에 증착될 수 있다. 또한, 유기막 보호층(210b)은 동일한 재질로 형성되는 다른 유기막 보호층에 형성될 수도 있다. 상기 유기막 보호층(210b)은 폴리아크릴레이트, 패럴린, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리이미드, 폴리카보네이트, 폴리에테르술폰, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 등의 고분자 유기물이나 이들의 유도체에서 선택되는 적어도 어느 하나의 재질로 형성될 수 있으나, 본 발명에서 유기막 보호층(210b)의 형성 방법 및 재질을 한정하는 것은 아니다. The organic layer
상기 경도 강화층(220)은 보호 박막층(210)의 최상층의 상면에 형성된다. 이때, 경도 강화층(220)은 보호 박막층(210)을 덮을 수 있도록 보호 박막층(210)에 비하여 비교적 큰 면적을 갖도록 형성될 수 있다. 예를 들어 경도 강화층(220)은 보호 박막층(210)의 상면 이외에도 보호 박막층(210)의 측면에도 형성될 수 있다. 또한, 보호 박막층(210)이 형성되지 않은 기판(110)의 상면에도 형성될 수 있으며, 본 발명에서 이를 한정하지는 않는다. 이러한 경도 강화층(220)이 비교적 넓게 형성되면, 보호 박막층(210)이 다층으로 형성되더라도 박리되는 가능성을 줄일 수 있으며, 유기 전계 발광 표시 장치(1)를 수분 및 산소 등의 외부 요인으로부터 전체적으로 차폐할 수 있다는 장점이 있다. The
상기 경도 강화층(220)은 유기 전계 발광 표시 장치(1) 또는 유기 전계 발광 소자층(190)을 취급할 때, 보호 박막층(210) 표면에 스크래치(scratch)가 발생되는 것을 방지하기 위해 형성된다. 경도 강화층(220)은 내스크래치 특성이 뛰어난 산화물로 형성된다. 예를 들어, 경도 강화층(220)은 실리카(SiO2)막으로 형성된다. 실리카막은 퍼하이드로 폴리실라잔(Perhydro-Polysilazane)을 보호 박막층(210) 상면에 증착한 후 내부의 유기물을 증발시키는 방식을 통해 형성된다. The
상기 퍼하이드로 폴리실라잔은 실리콘(Si)을 포함하는 하이브리드 폴리머의 일종으로 -(SiH2NH)- 를 기본 유닛으로 하는 화합물의 물질명이다. 퍼하이드로 폴리실라잔은 유기물 용매에 용해되는 무기 폴리머로, 유기물 용매와 혼합되어 용액으로 취급이 가능하다. 유기물이 포함된 퍼하이드로 폴리실라잔은 불활성 가스 중에서 고온 소성되어, 탈수소 반응을 통하여 퍼하이드로 폴리실라잔 내부의 유기물 및 유기물 용매가 제거된 후, 실리카 산화물로 전화된다. 또한, 퍼하이드로 폴리실라잔은 대기 중 또는 수증기 함유 분위기에서 소성된 후, 건조 과정을 통해 유기물이 제거되어 실리카 산화물로 전화된다. The perhydro polysilazane is a kind of hybrid polymer containing silicon (Si) and is a substance name of a compound having-(SiH 2 NH)-as a basic unit. Perhydro polysilazane is an inorganic polymer that is dissolved in an organic solvent and can be mixed with an organic solvent and treated as a solution. The perhydro polysilazane containing the organic material is calcined at high temperature in an inert gas to remove the organic matter and the organic solvent in the perhydro polysilazane through dehydrogenation, and then converted into silica oxide. In addition, the perhydro polysilazane is calcined in the atmosphere or steam-containing atmosphere, the organic matter is removed through a drying process and converted to silica oxide.
한편, 상술한 본 발명에 따르면 최상부의 무기막 보호층(210a')에 경도 강화층(220)이 더 형성되어 잔여 응력으로 인하여 보호 박막층(210)에 크랙(crack)이 발생되어 수명이 짧아질 수 있다. 따라서 본 발명에서는 이를 방지하기 위하여 최상부 무기막 보호층(210a')의 바로 하부에 위치하는 유기막 보호층(210b)의 두께를 0.5㎛ 내지 5㎛의 범위 내로 형성할 수 있다. 만일, 유기막 보호층(210b)의 두께가 0.5㎛보다 얇을 경우, 유기막 보호층(210b)이 최상부 무기막 보호층(210a') 및 경도 강화층(220)의 두께 증가로 인한 잔여 응력이 충분히 감소되지 못할 수 있다. 반면에 유기막 보호층(210b)의 두께가 5㎛보다 두꺼운 경우, 보호 박막층(210)이 포함되는 유기 전계 발광 표시 장치의 슬림화 추세에 부합되지 못할 수 있다. Meanwhile, according to the present invention described above, a
상술한 과정을 통하여 보호 박막층(210) 상면에 경도 강화층(220)이 형성됨으로써 기존에 하이브리드 폴리머(또는 퍼하이드로 폴리실라잔)를 사용하지 않은 경우에 비하여 그 경도가 향상된다. 예를 들어 0.1㎛ 두께의 실리카막을 사용한 경 우에는 펜슬(Pencil)경도 실험 결과 1H의 경도를 갖는 것을 확인할 수 있다. 반면, 하이브리드 폴리머를 이용하지 않은 보호막, 예를 들어 알루미나(Al2O3)막을 사용한 경우에는 6B의 경도를 갖는다. 따라서 본 발명에 따르면, 실리콘을 포함하는 하이브리드 폴리머를 사용하여, 실리카막인 경도 강화층(220)을 형성하여, 보호 박막층(210)의 경도 강화를 통해 내스크래치 특성이 향상된다. The
한편, 본 발명은 기판(110)의 상부 방향으로 발광하는 전면 발광 방식을 중심으로 설명했으나, 이에 한정되지 않고 기판(110)의 하부 방향으로 발광하는 배면 발광 방식 또는 기판(110)의 상부와 하부 방향으로 동시에 발광하는 양면 발광에도 모두 적용 가능함은 물론이다. Meanwhile, the present invention has been described with reference to a top emission method emitting light in the upper direction of the
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법을 순서대로 나타내는 플로우 차트이고, 도 5a 내지 도 5e는 도 4의 순서에 따라 제조되는 유기 전계 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다. 4 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIGS. 5A to 5E are cross-sectional views illustrating an organic light emitting display device manufactured according to the order of FIG. 4. .
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법은, 도 4 내지 도 5e를 참조하면, 기판 준비 단계(S1), 박막 트랜지스터 형성 단계(S2), 유기 전계 발광 소자층 형성 단계(S3), 보호 박막층 형성 단계(S4) 및 경도 강화층 형성 단계(S5)를 포함한다. In the method of manufacturing an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention, referring to FIGS. 4 to 5E, a substrate preparation step S1, a thin film transistor forming step S2, and an organic EL device layer forming step ( S3), the protective thin film layer forming step (S4) and the hardness reinforcing layer forming step (S5).
상기 기판 준비 단계(S1)는, 도 5a를 참조하면, 상면과 하면을 갖는 판상으로 형성되고, 소정의 두께를 갖는 기판(110)이 제공된다. 기판(110)은 통상의 글래스, 플라스틱, 스테인레스 스틸, 나노복합재료 및 그 등가물 중에 선택되는 어느 하나의 재질로 형성될 수 있으나, 본 발명에서 사용되는 기판(110)의 재질을 한정하는 것은 아니다. 기판 준비 단계(S1)는 기판(110)에 이물질이 포함되지 않도록 세정되는 단계 및 이하의 제조 단계에서 열 또는 압력에 의해 기판(110)이 쉽게 변형되지 않도록 압밀(pre-compaction)되는 단계를 더 포함할 수 있다. 이러한 기판(110)은 0.05mm 내지 1mm의 두께를 갖도록 준비되는 것이 좋다. 만일, 기판(110)의 두께가 0.05mm보다 얇은 경우에는 제조 공정 중 세정, 식각 및 열처리 공정 등에 의해 손상되기 쉽고 취급이 어려우며 또한 외력에 파손되기 쉬운 단점이 있다. 기판(110)의 두께가 1mm보다 두꺼운 경우에는 최근의 슬림화 추세에 있는 각종 표시 장치에 적용하기 곤란한 단점이 있다.Referring to FIG. 5A, the substrate preparing step S1 is formed in a plate shape having an upper surface and a lower surface, and a
상기 박막 트랜지스터 형성 단계(S2)는, 도 5b를 참조하면, 버퍼층 형성 단계(S2a), 반도체층 형성 단계(S2b), 게이트 전극 형성 단계(S2c), 소스/드레인 전극 형성 단계(S2d) 및 절연막 형성 단계(S2e)를 포함한다. 이와 같은 과정으로 형성되는 박막 트랜지스터(A)는 형성되는 재질에 따라 비정질 실리콘(amorphous Si) 박막 트랜지스터, 폴리 실리콘(poly Si) 박막 트랜지스터, 유기 박막 트랜지스터, 마이크로 실리콘(micro Si) 박막 트랜지스터 또는 그 등가물 중에 선택되는 적어도 어느 하나일 수 있으나, 본 발명에서 사용되는 박막 트랜지스터(A)의 종류를 한정하는 것은 아니다. Referring to FIG. 5B, the thin film transistor forming step S2 may include a buffer layer forming step S2a, a semiconductor layer forming step S2b, a gate electrode forming step S2c, a source / drain electrode forming step S2d, and an insulating layer. Forming step (S2e). The thin film transistor A formed by the above process may be formed of an amorphous Si thin film transistor, a poly Si thin film transistor, an organic thin film transistor, a micro silicon thin film transistor, or an equivalent thereof. At least one selected from among, but is not limited to the type of thin film transistor (A) used in the present invention.
상기 버퍼층 형성 단계(S2a)에서는, 기판(110)의 상면에 일정한 두께를 갖는 버퍼층(120)을 형성한다. 버퍼층(120)은 기판(110)을 통하여 불순물이 박막 트랜지스터(A) 또는 유기 전계 발광 소자층(190)으로 전달되지 않도록 하는 역할을 한다. 또한, 버퍼층(120)은 그 표면에 반도체층(130)이 잘 형성되도록 돕는다. 이러한, 버퍼층(120)은 반도체 공정 중 쉽게 형성할 수 있는 실리콘 산화막(SiO2), 실리콘 질화막(Si3N4), 무기막 및 그 등가물 중 선택되는 적어도 어느 하나로 형성할 수 있으나, 본 발명에서 사용되는 버퍼층(120)의 재질을 한정하는 것은 아니다. 이때, 버퍼층(120)은 필요에 따라서, 다층의 구조로 형성될 수도 있다. 또한, 버퍼층(120)은 필요에 따라 생략될 수도 있다. In the buffer layer forming step S2a, a
상기 반도체층 형성 단계(S2b)에서는, 버퍼층(120)의 표면에 반도체층(130)을 형성한 후, 반도체층(130)의 표면에 게이트 절연막(140)을 형성한다. In the semiconductor layer forming step (S2b), after forming the
상기 반도체층(130)은 버퍼층(120)의 상면에 형성된다. 반도체층(130)은 상호 대향되는 양측에 형성된 소스 영역(131) 및 드레인 영역(132)과, 소스 영역(131) 및 드레인 영역(132) 사이에 형성되는 채널 영역(133)을 포함한다. 반도체층(130)은 비정질 실리콘, 마이크로 실리콘, 유기물 및 그 등가물 중 선택되는 어느 하나일 수 있으며, 본 발명에서 반도체층(130)의 재질을 한정하는 것은 아니다. The
상기 박막 트랜지스터(A)가 폴리 실리콘 박막 트랜지스터일 경우, 반도체층(130)은 버퍼층(120) 상에 비정질 실리콘 결정화 단계, 폴리 실리콘 패터닝(patterning) 단계를 통하여 원하는 위치와 모양으로 형성된다. When the thin film transistor A is a polysilicon thin film transistor, the
상기 비정질 실리콘 결정화 단계에서는 버퍼층(120) 상면에 비정질 실리콘을 증착한 후, 비정질 실리콘이 결정화되어 폴리 실리콘이 형성되는 것을 포함한다. 비정질 실리콘은 플라즈마 화학기상증착법(PECVD:Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition), 저압 화학기상증착법(LPCVD:Low Pressure Chemical Vapor Deposition), 스퍼터링법 및 그에 등가하는 방식 중에 선택되는 어느 하나의 방법에 의하여 버퍼층(120) 상면에 증착될 수 있다. 그러나 본 발명에서 비정질 실리콘의 형성 방법을 한정하는 것은 아니다. 버퍼층(120)에 비정질 실리콘이 증착되고 나면, 이하에서 서술되는 방법을 통하여 비정질 실리콘이 결정화되어 폴리 실리콘이 형성된다. In the amorphous silicon crystallization step, after the amorphous silicon is deposited on the
상기 비정질 실리콘은, 저온에서 레이저를 이용하여 결정화되는 방법, 금속을 이용하여 결정화되는 방법, 높은 압력을 이용하여 결정화되는 방법 및 그에 등가하는 방식 중에 선택되는 적어도 어느 하나의 방법에 의하여 결정화될 수 있다. 레이저를 이용하여 비정질 실리콘을 폴리 실리콘으로 결정화하는 방법으로 엑시머 레이저 결정화(ELA:Excimer Laser Annealing), 순차 측면 결정화(SLS:Sequential Lateral Solidification) 등의 방식이 사용된다. 또한, 금속 촉매를 이용하여 결정화하는 방법으로서는 SPC(Solid Phases Crystallization), MIC(Metal Induced Crystallization), MILC(Metal Induced Lateral Crystallization), SGS(Super Grained Silicon) 등의 방식이 가능할 수 있다. 그러나, 본 발명에서 비정질 실리콘을 결정화하는 방법을 한정하는 것은 아니다. 또한, 상술한 비정질 실리콘의 결정화 방법들은 일반적으로 공지된 기술로 당업자의 실시가 가능하기에, 본 발명에서 결정화 방법들의 상세한 설명은 생략하기로 한다. The amorphous silicon may be crystallized by at least one method selected from a method of crystallizing using a laser at a low temperature, a method of crystallizing using a metal, a method of crystallizing using a high pressure, and an equivalent thereof. . Excimer Laser Annealing (ELA) and Sequential Lateral Solidification (SLS) are used to crystallize amorphous silicon into polysilicon using a laser. In addition, as a method of crystallizing using a metal catalyst, methods such as Solid Phases Crystallization (SPC), Metal Induced Crystallization (MIC), Metal Induced Lateral Crystallization (MILC), and Super Grained Silicon (SGS) may be possible. However, the present invention does not limit the method of crystallizing amorphous silicon. In addition, the above-described crystallization method of the amorphous silicon can be carried out by those skilled in the art by generally known techniques, detailed description of the crystallization methods in the present invention will be omitted.
상기 폴리 실리콘 패터닝 단계에서는 포토레지스트 도포, 노광, 현상, 식각 및 포토레지스트 박리 등의 공정을 통하여 원하는 위치에 원하는 개수의 반도체 층(130)이 형성된다. In the polysilicon patterning step, a desired number of
상기 반도체층(130) 상면에는 일정한 두께로 형성되는 게이트 절연막(140)이 형성된다. 게이트 절연막(140)은 또한, 반도체층(130)의 외주연인 버퍼층(120) 상면에도 형성될 수 있다. 게이트 절연막(140)은 PECVD, LPCVD, 스퍼터링법 및 그에 등가하는 방식 중에 선택되는 적어도 어느 하나의 방법을 통하여 형성될 수 있다. 이때, 게이트 절연막(140)은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 무기막 또는 그에 등가물 중에 선택되는 적어도 어느 하나로 형성될 수 있으나, 본 발명에서 게이트 절연막(140)의 재질을 한정하는 것은 아니다. A
상기 게이트 전극 형성 단계(S2c)에서는 게이트 절연막(140) 상면에 게이트 전극(150) 및 게이트 전극(150) 및 게이트 전극(150) 외주연의 게이트 절연막(140)상면에 층간 절연막(160)이 형성된다. In the gate electrode forming step S2c, an
상기 게이트 전극(150)은 게이트 절연막(140) 상면에서 채널 영역(133)에 대응되는 위치에 형성된다. 게이트 전극(150)은 PECVD, LPCVD, 스퍼터링법 및 그에 등가하는 방식 중에 선택되는 적어도 어느 하나의 방법에 의해 게이트 절연막(140) 상면에 증착될 수 있다. 게이트 전극(150)은 게이트 절연막(140)에 증착된 후, 포토레지스트 도포, 노광, 현상, 식각 및 포토레지스트 박리 등의 공정을 통해 원하는 위치에 원하는 개수로 형성될 수 있다. 이러한 게이트 전극(150)은 통상의 금속(Mo, MoW, Ti, Cu, Al, AlNd, Cr, Mo 합금, Cu 합금, Al 합금 등), 도핑된 다결정 실리콘 및 그 등가물 중 선택되는 적어도 어느 하나로 형성될 수 있으나, 본 발명에서 게이트 전극(150)의 재질을 한정하는 것은 아니다. The
상기 층간 절연막(160)은 게이트 전극(150)의 상면에 형성된다. 물론, 층간 절연막(160)은 게이트 전극(150)의 외주연인 게이트 절연막(140) 위에도 형성될 수 있다. 이때, 층간 절연막(160)에는 소스 영역(131) 및 드레인 영역(132)과 이하에서 설명되는 소스/드레인 전극(170)을 연결하기 위한 컨택홀이 식각 공정을 통하여 형성될 수 있다. 층간 절연막(160)은 폴리머 계열, 플라스틱 계열, 유리 계열 또는 이에 등가하는 계열 중 선택되는 어느 하나로 형성될 수 있으나, 본 발명에서 층간 절연막(160)의 재질을 한정하는 것은 아니다. The interlayer insulating
상기 소스/드레인 전극 형성 단계(S2d)에서는 층간 절연막(160)의 상면에 소스/드레인 전극(170) 및 도전성 컨택(173)이 형성된다. In the source / drain electrode forming step S2d, a source /
상기 소스/드레인 전극(170)은 PECVD, LPCVD, 스퍼터링법 및 그에 등가하는 방식 중에 선택되는 적어도 어느 하나의 방법에 의해 증착된 후, 포토레지스트 도포, 노광, 현상, 식각 및 포토레지스트 박리 등의 공정을 통하여 원하는 위치에 원하는 개수로 패터닝된다. 이때, 게이트 전극 형성 단계(S2c)에서 형성된 컨택홀에 도전성 물질을 충진하여 도전성 컨택(173)이 형성된다. 도전성 컨택(173)은 게이트 전극(150) 및 소스/드레인 전극(170)과 동일한 재질로 형성될 수 있으며, 본 발명에서 도전성 컨택(173)의 재질은 한정하는 것은 아니다. The source /
상기 절연막 형성 단계(S2e)에서는, 소스/드레인 전극(170) 상면에 전극 보호막(181) 및 평탄화막(182)이 순차적으로 형성된다. In the insulating film forming step S2e, an
상기 전극 보호막(181)은 소스/드레인 전극(170) 및 소스/드레인 전극(170) 외주연의 층간 절연막(160)을 덮도록 형성된다. 이러한 전극 보호막(181)은 통상의 무기막 및 그 등가물 중 선택된 어느 하나로 형성될 수 있으나, 본 발명에서 사용되는 전극 보호막(181)의 재질을 한정하는 것은 아니다. 또한, 평탄화막(182)은 전극 보호막(181)을 덮도록 형성된다. 이러한 평탄화막(182)은 유기 전계 발광 소자층(190)의 전체 표면을 평탄하게 해주는 것으로서 BCB(Benzo Cyclo Butene), 아크릴 및 그 등가물 중 선택되는 적어도 어느 하나로 형성될 수 있으나, 본 발명에서 사용되는 평탄화막(182)의 재질을 한정하는 것은 아니다. 이때, 전극 보호막(181) 및 평탄화막(182)을 포함하는 절연막(180)에는 소스/드레인 전극(170)과 연결될 수 있는 비아홀이 식각 공정을 통해 미리 형성될 수 있다. The
한편, 상술한 제조 단계를 통하여 형성되는 박막 트랜지스터(A)는 통상 동일 평면 구조(coplanar structure)로 정의될 수 있다. 그러나, 본 발명에 사용되는 박막 트랜지스터(A)는 동일 평면 구조로만 한정되는 것은 아니고, 지금까지 알려진 모든 박막 트랜지스터의 구조 예를 들면, 반전 동일 평면 구조(inverted coplanar structure), 지그재그형 구조(staggered structure), 반전 지그재그형 구조(inverted staggered structure) 및 그 등가 구조 중 선택되는 적어도 어느 하나의 구조로 선택되어 형성될 수 있다. Meanwhile, the thin film transistor A formed through the above-described manufacturing step may be generally defined as a coplanar structure. However, the thin film transistor A used in the present invention is not limited to the coplanar structure, but the structure of all the thin film transistors known so far, for example, an inverted coplanar structure and a staggered structure. ), An inverted staggered structure and at least one structure selected from the equivalent structure may be selected and formed.
상기 유기 전계 발광 소자층 형성 단계(S3)는, 도 5c를 참조하면, 애노드 형성 단계(S3a), 유기 전계 발광 박막 형성 단계(S3b), 캐소드 형성 단계(S3c) 및, 화소 정의막 형성 단계(S3d)를 포함한다. Referring to FIG. 5C, the organic electroluminescent device layer forming step (S3) may include an anode forming step (S3a), an organic electroluminescent thin film forming step (S3b), a cathode forming step (S3c), and a pixel defining layer forming step ( S3d).
상기 애노드 형성 단계(S3a)에서는, 절연막(180)(또는 평탄화막(182)) 상면에 소스/드레인 전극(170)과 전기적으로 연결되는 애노드(191) 및 도전성 비 아(198)를 포함하여 형성된다. 애노드(191)는 RF 스퍼터링법, DC 스퍼터링법, 이온빔 스퍼터링법 및 진공 증착 방법 중에서 선택되는 어느 하나의 방법에 의하여 절연막(180)에 증착된 후, 포토레지스트 도포, 노광, 현상, 식각 및 포토레지스트 박리 공정을 통하여 원하는 위치에 원하는 개수만큼 패터닝된다. 이때, 절연막 형성 단계(S2e)에서 형성된 비아홀에 도전성 비아(198)가 충진되어 소스/드레인 전극(170)과 애노드(191)를 전기적으로 연결한다. 애노드(191) 및 도전성 비아(198)는 같은 재질로 형성될 수 있으며, ITO(Induim Tin Oxide)im Tin Oxide), ITO(Induim Tin Oxide)/Ag, ITO(Induim Tin Oxide)/Ag/ITO(IZO:Indium Zinc Oxide) 또는 그 등가물 중 선택되는 적어도 어느 하나로 형성될 수 있으나, 본 발명에서 애노드(191) 및 도전성 비아(198)의 재질을 한정하는 것은 아니다. In the anode forming step S3a, an
상기 유기 전계 발광 박막 형성 단계(S3b)에서는, 애노드(191)의 상면에 주지된 바와 같이, 발광층(emitting layer, EML), 전자 수송층(electron transport layer, ETL) 및, 정공 수송층(hole transport layer, HTL)이 순차적으로 형성된다. 이때, 전자 주입층(electron injecting layer, EIL) 및 정공 주입층(hole injecting layer, HIL)이 더 포함되어 형성될 수 있다. 그러나, 본 발명에서 사용되는 유기 전계 발광 박막(192)의 층 종류를 한정하는 것은 아니다. 이러한 유기 전계 발광 박막(192)은 습식 코팅 방법 또는 건식 코팅 방법으로 형성될 수 있다. 습식 코팅 방법은 유기 전계 발광 박막(192)을 용액 상태로 도포하는 방법으로 스핀 코팅, 딥 코팅, 스프레이법, 스크린 인쇄법, 잉크젯 프린팅법 등이 사용될 수 있으며, 건식 코팅 방법은 스퍼터링법 또는 진공 증착 등이 사용될 수 있다. In the organic electroluminescent thin film forming step (S3b), as known on the upper surface of the
상기 캐소드 형성 단계(S3c)는, 유기 전계 발광 박막(192)(또는 전자 주입층) 상면에 캐소드(193)가 형성되는 것을 포함한다. 캐소드(193)는 RF 스퍼터링법, DC 스퍼터링법, 이온빔 스퍼터링법 및 진공 증착 방법 중에서 선택되는 어느 하나의 방법에 의해서 형성될 수 있다. 이후, 캐소드(193)는 포토레지스트 도포, 노광, 현상, 식각 및 포토레지스트 박리 공정을 통해 원하는 위치의 원하는 개수만큼 패터닝될 수 있다. 캐소드(193)는 알루미늄, 마그네슘은 합금, 마그네슘칼슘 합금 및 그 등가물 중에 선택되는 적어도 어느 하나의 재질로 형성될 수 있으나, 본 발명에서 사용되는 캐소드(193)의 재질을 한정하는 것은 아니다. 본 발명에서 전면 발광식을 택할 경우 알루미늄은 두께를 매우 얇게 해야 하는데, 그럴 경우 저항이 높아져 전자 주입 장벽이 커지는 단점이 있다. 마그네슘은 합금은 알루미늄에 비해 전자 주입 장벽이 작고, 마그네슘칼슘 합금은 마그네슘은 합금에 비해 전자 주입 장벽이 더 낮다. 그러나, 이러한 마그네슘은 합금 및 마그네슘칼슘 합금은 주변 환경에 민감하고 산화되어 절연층을 형성할 수 있으므로 외부와의 차단을 완벽하게 해주어야 한다. The cathode forming step S3c may include forming a
상기 화소 정의막 형성 단계(S3d)에서는 캐소드(193)의 상면에 유기 전계 발광 소자층(190)과 도시되지 않은 다른 유기 전계 발광 소자층(190) 사이의 경계가 명확하기 하기 위한 화소 정의막(200)이 형성된다. 화소 정의막(200)은 폴리이미드(polyimide) 및 그 등가물 중에 선택되는 적어도 어느 하나를 코팅하거나 증착되는 단계를 통하여 형성된다. 그러나, 본 발명에서 사용되는 화소 정의막(200)의 재질 및 그 형성 방법을 한정하는 것은 아니다. In the pixel defining layer forming step (S3d), the pixel defining layer (not shown) may be formed on the upper surface of the
상기 보호 박막층 형성 단계(S4)에서는, 도 5d를 참조하면, 유기 전계 발광 소자층(190) 상면에 유기 전계 발광 소자층(190)이 수분이나 산소등의 불순물로 인해 손상되는 것을 보호하기 위한 보호 박막층(210)이 형성된다. 물론, 보호 박막층(210)은 화소 정의막(200) 상면에 형성될 수도 있다. 보호 박막층(210)은 불순물에 대한 최소한의 차단성을 확보하기 위하여 적어도 하나의 무기막 보호층(210a) 및 유기막 보호층(210b)이 교대로 형성되는 다층의 구조로 형성될 수 있다. 보호 박막층 형성 단계(S4)는, 예를 들어, 제1무기막 보호층 형성 단계(S4a), 제1유기막 보호층 형성 단계(S4b) 및 제2무기막 보호층 형성 단계(S4c)를 포함할 수 있다. 그러나 본 발명에서 보호 박막층(210)의 층을 제한하는 것은 아니며, 유기 전계 발광 소자층(190)을 불순물로부터 보호할 수 있는 층이 더 형성될 수도 있다. 이때, 보호 박막층(210)과 유기 전계 발광 소자층(190)이 접하는 최하층 또한, 유기막 보호층(210b)에 비하여 수분 또는 산소 등의 불순물에 대하여 비교적 저항력이 우수한 무기막 보호층(210a)을 형성하는 것이 좋다. 그러나, 본 발명에서 보호 박막층(210)의 최상부 및 최하부에 형성되는 층을 한정하는 것은 아니며, 필요에 따라서는 유기막 보호층(210b)이 형성될 수도 있다. In the protective thin film layer forming step (S4), referring to FIG. 5D, protection for protecting the organic
상기 제1무기막 보호층 형성 단계(S4a)에서는 유기 전계 발광 소자층(190)에 포함되는 캐소드(193) 및 화소 정의막(200)의 상면에 무기막 보호층(210a)이 형성된다. In the first inorganic film protective layer forming step (S4a), an inorganic film
상기 제1유기막 보호층 형성 단계(S4b)에서는 무기막 보호층(210a) 상면에 유기막 보호층(210b)이 형성된다. In the first organic film protective layer forming step (S4b), an organic film
상기 제2무기막 보호층 형성 단계(S4c)에서는 유기막 보호층(210b) 상면에 무기막 보호층(210a')이 형성된다. In the second inorganic film protective layer forming step (S4c), an inorganic film
상기 무기막 보호층(210a,210a')은 화학기상증착법(CVD), 스퍼터링법, 전자빔증착법(e-beam evaporation) 등의 진공 성막법 중에 선택되는 어느 하나의 방법으로 형성될 수 있다. 물론, 무기막 보호층(210a,210a')은 스핀 코팅법 등의 습식 성막법을 사용하여 형성될 수도 있다. 무기막 보호층(210a,210a')은 상술한 방법 중에 선택되는 어느 하나의 방법을 사용하여 유기 전계 발광 소자층(190), 유기막 보호층(210b) 및 다른 무기막 보호층 중에 선택되는 어느 하나의 층에 증착될 수 있다. 이때, 무기막 보호층(210a,210a')은 실리콘산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산화질화물, 실리콘 탄화물, 알루미늄 질화물, 알루미늄 산화질화물, 주석 산화물, 티타늄 산화물 및 티타늄 질화물 또는 이에 등가하는 재질 중에 선택되는 적어도 어느 하나의 재질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 무기막 보호층(210a,210a')은 SiO2, SiC, SiN, SiON, Al2O3,TiO2 , 등으로 형성될 수 있다. 그러나 본 발명에서 사용되는 무기막 보호층(210a,210a')의 형성 방법 및 재질을 한정하는 것은 아니다. The inorganic layer
상기 유기막 보호층(210b)은 스핀 코팅법, 디핑(dipping)법, 슬릿 코팅법 등의 습식 성막법으로 형성될 수 있다. 이러한 유기막 보호층(210b)은 유기 전계 발광 소자층(190) 또는 무기막 보호층(210a) 중에 선택되는 어느 하나의 층에 증착될 수 있다. 또한, 유기막 보호층(210b)은 동일한 재질로 형성되는 다른 유기막 보호층에 형성될 수도 있다. The organic layer
한편, 최상부 무기막 보호층( 예를 들어, 제2무기막 보호층(210a')) 하부에 형성되는 유기막 보호층(210b)은, 최상부 무기막 보호층( 예를 들어, 제2무기막 보호층(210a') 및 이하에서 설명될 경도 강화층(220)의 두께로 인하여 잔여 응력이 증가하여 보호 박막층(210)이 손상되고 수명이 짧아지는 것을 방지하기 위하여, 0.5㎛ 내지 5㎛ 범위 내의 두께로 형성될 수 있다. 만일, 유기막 보호층(210b)의 두께가 0.5㎛보다 얇을 경우, 유기막 보호층(210b)이 최상부 무기막 보호층(210a') 및 경도 강화층(220)의 두께 증가로 인해 잔여 응력이 충분히 감소되지 못할 수 있다. 반면에 유기막 보호층(210b)의 두께가 5㎛보다 두꺼운 경우, 보호 박막층(210)이 포함되는 유기 전계 발광 표시 장치의 슬림화 추세에 부합되지 못할 수 있다. 이러한 유기막 보호층(210)은 폴리아크릴레이트, 패럴린, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리이미드, 폴리카보네이트, 폴리에테르술폰, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 등의 고분자 유기물이나 이들의 유도체에서 선택되는 적어도 어느 하나의 재질로 형성될 수 있으나, 본 발명에서 유기막 보호층(210b)의 형성 방법 및 재질을 한정하는 것은 아니다.On the other hand, the organic film
상기 경도 강화층 형성 단계(S5)에서는, 도5e 참조하면, 보호 박막층(210)의 최상층 상면에 경도 강화층(220)이 형성된다. 경도 강화층(220)은 보호 박막층(210) 표면에 스크래치(scratch)가 발생되는 것을 방지하기 위해 형성되는 것으로, 내스크래치 특성이 뛰어난 산화물로 형성된다. 경도 강화층(220)은 예를 들어, 실리카(SiO2)막으로 형성된다. 이때, 경도 강화층(실리카막) 형성 단계(S5)는 퍼하 이드로 폴리실라잔 증착 단계(미도시)및, 유기물 증발 단계(미도시)를 포함한다. In the hardness reinforcing layer forming step (S5), referring to FIG. 5E, the
상기 퍼하이드로 폴리실라잔 증착 단계에서는, 유기물 용매가 섞어 액체화된 퍼하이드로 폴리실라잔 용액을 스프레이법을 사용하여 보호 박막층(210) 상면에 형성한다. 스프레이법은 습식 성막법의 일종으로서, 스프레이법을 사용하여 퍼하이드로 폴리실라잔을 증착할 경우, 비교적 단시간에 균일한 막의 증착이 가능하다는 장점이 있다. 그러나, 퍼하이드로 폴리실라잔은 상술한 방법 이외에도 스핀 코팅법, 디핑(dipping)법 및 이에 등가하는 적어도 하나의 방법에 의하여 형성될 수 있으며, 본 발명에서 이를 한정하는 것은 아니다. 퍼하이드로 폴리실라잔을 증착하기 위해 사용되는 방법(스프레이법, 스핀 코팅법, 디핑법)들은 일반적으로 사용되는 성막법의 일종이므로 상세한 설명은 생략하기로 한다. In the perhydro polysilazane deposition step, the organic solvent is mixed to form a liquefied perhydro polysilazane solution on the upper surface of the protective
상기 유기물 증발 단계에서는, 보호 박막층(210)에 증착된 퍼하이드로 폴리실라잔이 건조되어 퍼하이드로 폴리실라잔 내부의 유기물 및 유기물 용매가 증발한 후, 순수한 실리카 산화물로 전화된 실리카막이 형성된다. 퍼하이드로 폴리실라잔은 실리콘을 포함하는 하이브리드 폴리머의 일종으로 -(SiH2NH)- 를 기본 유닛으로 하는 화합물의 물질명이다. 퍼하이드로 폴리실라잔은 유기물 용매에 용해되는 무기 폴리머로, 유기물 용매와 혼합하여 용액으로 취급이 가능하다. 유기물 용매가 포함된 퍼하이드로 폴리실라잔은 불활성 기체 영역에서 고온 소성되어, 탈수소 반응을 통하여 유기물이 제거된 후, 실리카(SiO2)로 전화된다. 또한, 퍼하이드로 폴리실라잔은 대기 영역 또는 수증기가 함유된 영역 중에서 선택되는 어느 하나의 영역에서 소성된 후, 건조 과정을 통해 유기물이 제거되어 실리카로 전화된다. 상술한 과정에 의하여 생성된 실리카(SiO2)를 적용한 유기 전계 발광 표시 장치(1)는 펜슬 경도 실험 결과, 기존 박막의 경도가 6B에서 1H 이상으로 증가된다. In the organic material evaporation step, the perhydropolysilazane deposited on the protective
이때, 경도 강화층(220)은 보호 박막층(210)을 덮을 수 있도록 보호 박막층(210)에 비하여 비교적 큰 면적을 갖도록 형성될 수 있다. 경도 강화층(220)은 보호 박막층(210)의 최상층(예를 들어, 제2무기막 보호층(210a'))에 형성된다. 또한, 경도 강화층(220)은 보호 박막층(210)의 상면 이외에도 보호 박막층(210)의 측면에도 형성될 수 있다. 또한, 보호 박막층(210)이 형성되지 않은 기판(110)의 상면에도 형성될 수 있으며, 본 발명에서 이를 한정하지는 않는다. 경도 강화층(220)은 보호 박막층(210) 상면과 측면 및 기판(110)의 상면을 덮도록 비교적 넓게 형성됨으로써, 다층의 보호 박막층(210)이 유기 전계 발광 소자층(190) 또는 기판(110)으로부터 박리되는 가능성을 줄일 수 있으며, 유기 전계 발광 표시 장치(1)를 수분 및 산소로부터 전체적으로 차폐할 수 있다는 장점이 있다. In this case, the
본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시예에 한정되지 아니하며, 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형의 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 특허청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다. The present invention is not limited to the above-described specific preferred embodiments, and any person skilled in the art to which the present invention pertains may make various modifications without departing from the gist of the present invention as claimed in the claims. Of course, such changes are within the scope of the claims.
이상 설명한 바와 같이 본 발명에 의한 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법에 따르면 보호 박막층에 실리카막으로 형성되는 경도 강화층을 형성하여 펜슬(pencil) 경도를 6B에서 1H로 증가시킴으로써 내스크래치 특성이 향상되는 효과가 있다. As described above, according to the organic light emitting display device and the manufacturing method thereof, the scratch resistance is improved by forming a hardness reinforcement layer formed of a silica film on the protective thin film layer and increasing the pencil hardness from 6B to 1H. It is effective.
또한, 본 발명에 따르면, 보호 박막층에 비하여 경도 강화층의 면적을 비교적 크게 형성하여 보호 박막층과 유기 전계 발광 소자층 및 기판 사이의 박리 현상의 가능성을 줄이는 효과가 있다. In addition, according to the present invention, the area of the hardness reinforcing layer is relatively larger than that of the protective thin film layer, thereby reducing the possibility of the peeling phenomenon between the protective thin film layer, the organic electroluminescent device layer and the substrate.
또한, 본 발명에 따르면, 최상부 무기 보호층 하부에 형성되는 유기 보호층의 두께를 증가시켜서 경도 강화층 및 무기 보호층의 두께 증가로 인해 형성되는 잔여 응력을 감소시키는 효과가 있다. In addition, according to the present invention, by increasing the thickness of the organic protective layer formed under the uppermost inorganic protective layer has the effect of reducing the residual stress formed due to the increase in the thickness of the hardness reinforcing layer and the inorganic protective layer.
Claims (14)
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2006
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