KR100778836B1 - Liquid crystal display and manufacturing method of the same - Google Patents

Liquid crystal display and manufacturing method of the same Download PDF

Info

Publication number
KR100778836B1
KR100778836B1 KR1020000086665A KR20000086665A KR100778836B1 KR 100778836 B1 KR100778836 B1 KR 100778836B1 KR 1020000086665 A KR1020000086665 A KR 1020000086665A KR 20000086665 A KR20000086665 A KR 20000086665A KR 100778836 B1 KR100778836 B1 KR 100778836B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
forming
black matrix
layer
conductive metal
Prior art date
Application number
KR1020000086665A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20020058555A (en
Inventor
장윤경
연덕철
Original Assignee
엘지.필립스 엘시디 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지.필립스 엘시디 주식회사 filed Critical 엘지.필립스 엘시디 주식회사
Priority to KR1020000086665A priority Critical patent/KR100778836B1/en
Publication of KR20020058555A publication Critical patent/KR20020058555A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100778836B1 publication Critical patent/KR100778836B1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133514—Colour filters
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136204—Arrangements to prevent high voltage or static electricity failures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134318—Electrodes characterised by their geometrical arrangement having a patterned common electrode

Abstract

본 발명은 칼라필터층 상에 박막트랜지스터가 형성되는 이른바 TOC(Thin film transistor On Color filter) 구조를 갖는 액정표시장치에 있어서, 블랙매트릭스층을 도전성 금속을 매개로 하여 상판의 공통전극 라인과 연결시킴으로써 정전기 발생을 방지할 수 있는 액정표시장치 및 그 제조방법을 제공하는데 목적이 있다.The present invention provides a liquid crystal display device having a so-called thin film transistor on color filter (TOC) structure in which a thin film transistor is formed on a color filter layer, wherein the black matrix layer is connected to the common electrode line of the upper plate through a conductive metal. It is an object of the present invention to provide a liquid crystal display device and a method of manufacturing the same, which can prevent the occurrence.

TOC, 정전기TOC, static electricity

Description

액정표시장치 및 그 제조방법{Liquid crystal display and manufacturing method of the same}Liquid crystal display and manufacturing method of the same

도 1은 종래 기술에 따른 액정표시장치의 구조단면도.1 is a structural cross-sectional view of a liquid crystal display device according to the prior art.

도 2a는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치의 구조평면도.2A is a structural plan view of a liquid crystal display according to a first embodiment of the present invention.

도 2b는 도 2a의 A-A` 선에 따른 구조단면도.Figure 2b is a cross-sectional view taken along the line A-A 'of Figure 2a.

도 3a 내지 3d는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 공정단면도.3A to 3D are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.

도 4a 내지 4d는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 공정단면도.4A through 4D are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention.

도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for the main parts of the drawings

201, 201a : 절연기판 202 : 블랙매트릭스201, 201a: Insulation substrate 202: Black matrix

203 : 칼라필터층 204 : 평탄화막203: color filter layer 204: planarization film

205 : 콘택홀 206 : 도전성 금속205: contact hole 206: conductive metal

207 : 게이트 절연막 208 : 데이터 라인207: gate insulating film 208: data line

209 : 보호막 210 : 화소전극209 protective film 210 pixel electrode

211 : 공통전극 라인 212 : Ag(은) 페이스트211 common electrode line 212 Ag (silver) paste

본 발명은 디스플레이 장치에 관한 것으로 특히, 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a display device, and more particularly, to a liquid crystal display device and a manufacturing method thereof.

21세기 고도 정보화 사회에서는 소비 패턴의 다양화가 추구되면서 저소비전력, 경량박형화, 고화질 구현이 가능하여 공간 활용을 극대화하고 휴대가 용이한 디스플레이가 필요하게 되었다.In the 21st century high information society, as the consumption pattern is diversified, low power consumption, light weight, and high quality can be realized, maximizing space utilization and requiring a portable display.

TFT-LCD는 이러한 조건을 대부분 만족시킬 수 있는 디스플레이로서 대형 분야의 PDP(Plasma Display Panel)을 포함한 평판 디스플레이의 선두주자로 기존의 음극선관(CRT)을 대체할 핵심 소자가 될 것으로 예상된다.TFT-LCD is a display that can satisfy most of these conditions, and is expected to become a key device to replace the existing cathode ray tube (CRT) as a leader in flat panel displays including plasma display panels (PDPs) in large fields.

TFT-LCD는 CRT 대비하여 경량박형, 저소비전력, 고정세 구형 등 휴대성이 용이하여 휴대용 디스플레이 및 인체에 유해한 전자파 발생이 없고 첨단 인텔리전트 빌딩에서 24시간 사용 가능한 21세기형 첨단 디스플레이지만, 높은 제조원가, 좁은 시야각, 낮은 휘도 및 대형화에 상대적인 불리 등 아직까지 보완해야할 기술분야가 남아 있지만 이에 대한 기술개발도 상당한 수준으로 진척되고 있다.TFT-LCD is a 21st century high-tech display that can be used 24 hours in a high-tech intelligent building without generating harmful electromagnetic waves. Although there are still technical fields to be supplemented, such as narrow viewing angles, low luminance, and relative disadvantages of enlargement, technology development for them is progressing to a considerable level.

이하, 종래 기술을 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the prior art will be described with reference to the drawings.

도 1은 종래 기술에 따른 액정표시장치의 구조단면도이다.1 is a structural cross-sectional view of a liquid crystal display device according to the prior art.

도 1에 도시된 바와 같이, 두 장의 절연기판(101, 101a)을 대향시켜 그 사이에 액정(111)을 봉입한 것으로, 상판에는 색상을 표현하기 위한 적, 청, 녹색의 칼라필터층(102)이 형성되고, 하판에 형성된 화소전극을 제외한 부분으로 빛의 투과 를 차단하기 위한 블랙매트릭스(103)가 매트릭스 형태로 형성된다.As shown in FIG. 1, the two insulating substrates 101 and 101a are opposed to each other, and the liquid crystal 111 is enclosed therebetween. The red, blue, and green color filter layers 102 for expressing color are formed on the upper plate. The black matrix 103 is formed in a matrix form to block light transmission to portions other than the pixel electrode formed on the lower plate.

그리고, 칼라필터층(102)과 블랙매트릭스(103)에 걸쳐 공통전극(105)이 형성되며, 상기 공통전극 형성 전에 보호막(Over coat)(104)을 형성하는 것도 가능하다.The common electrode 105 is formed over the color filter layer 102 and the black matrix 103, and an overcoat 104 may be formed before the common electrode is formed.

하판에는 게이트라인으로부터 연장되는 게이트전극(106)과, 상기 게이트라인과 교차 배치되는 데이터라인으로부터 연장되는 소스전극(107)과 드레인전극(108)으로 구성되는 박막트랜지스터가 일정한 간격을 갖고 형성된다. 그리고, 드레인전극(108)과 비아홀을 통해 연결되는 화소전극이 형성되며 하판의 배면에는 백라이트(112)가 구비된다.In the lower plate, a thin film transistor including a gate electrode 106 extending from the gate line and a source electrode 107 and a drain electrode 108 extending from the data line intersecting the gate line is formed at regular intervals. A pixel electrode connected to the drain electrode 108 and the via hole is formed, and a backlight 112 is provided on the bottom of the lower plate.

또, 칼라필터기판과 박막트랜지스터기판 사이에는 셀갭(Cell gap)을 유지하도록 스페이서(Spacer)가 산포되어 있으며, 액정주입 후 상기 두 기판을 밀봉하기 위해 액티브영역 둘레를 따라 실(seal)(110)이 도포되어 있다.In addition, a spacer is dispersed between the color filter substrate and the thin film transistor substrate so as to maintain a cell gap, and a seal 110 is formed along the circumference of the active region to seal the two substrates after liquid crystal injection. Is applied.

도면에 도시하지 않았지만, 상기 실(Seal)영역 외곽에는 상하판을 전기적으로 연결하는 은(Ag) 페이스트(Paste)가 형성되어 있다.Although not shown, silver paste is formed on the outer side of the seal area to electrically connect the upper and lower plates.

그러나 상기와 같은 종래 액정표시장치 및 그 제조방법은 다음과 같은 문제점이 있었다.However, the conventional liquid crystal display device and its manufacturing method have the following problems.

상판에 형성되어 있는 블랙매트릭스의 형성물질에 의해 정전기가 발생되어 화면 불균일 등의 문제점이 있었다.The static electricity is generated by the material of the black matrix formed on the top plate, there is a problem such as screen unevenness.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, 블랙매트릭 스층을 공통전극 라인과 전기적으로 연결시킴으로써 정전기 발생을 방지할 수 있는 액정표시장치 및 그 제조방법을 제공하는데 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a liquid crystal display device and a method of manufacturing the same, which can prevent the generation of static electricity by electrically connecting the black matrix layer with the common electrode line.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치는 액티브 영역과 패널외곽부로 정의된 제 1 기판 및 제 2 기판을 구비한 액정표시장치에 있어서, 상기 제 1 기판상에 일정간격을 두고 형성되어 있는 블랙매트릭스층과, 상기 블랙매트릭스 사이의 공간에 형성되어 있는 칼라필터층과, 상기 칼라필터층을 포함한 기판전면에 형성되어 있는 평탄화막과, 상기 패널 외곽부의 블랙매트릭스층의 표면이 드러나도록 상기 평탄화막을 식각하여 형성되어 있는 콘택홀과, 상기 콘택홀 하부 및 측부에 상기 블랙매트릭스층과 접속되도록 형성되어 있는 도전성 금속과, 상기 액티브 영역 전면에 형성되어 있는 게이트 절연막과, 상기 게이트 절연막상에 일정 간격을 두고 형성되어 있는 데이터라인과, 상기 데이터라인을 포함한 기판상에 형성된 보호막과, 상기 보호막상에 형성되어 있는 화소전극과, 제 2 기판의 패널외곽부에 형성되어 있는 공통전극 라인과, 제 1 기판의 도전성 금속과 제 2 기판의 공통전극 라인을 전기적으로 연결하는 Ag(은) 페이스트를 포함하여 이루어지며, 그 제조방법은 상기 제 1 기판상에 블랙매트릭스층을 일정간격을 두고 형성하는 공정과, 상기 블랙매트릭스 사이의 공간에 칼라필터층을 형성하는 공정과, 상기 칼라필터층을 포함한 기판 전면에 평탄화막을 형성하는 공정과, 상기 패널외곽부의 블랙매트릭스층의 표면이 드러나도록 상기 평탄화막을 식각하여 콘택홀을 형성하는 공정과, 상기 콘택홀 하부 및 측부에 상기 블랙매트릭스층과 접속되도록 도전성 금속을 형성하는 공정과, 상기 액티브 영역 전면에 게이트 절연막을 형성하는 공정과, 상기 게이트 절연막상에 데이터라인을 일정 간격을 두고 형성하는 공정과, 상기 데이터라인을 포함한 기판상에 보호막을 형성하는 공정과, 상기 보호막상에 화소전극을 형성하는 공정과, 상기 제 2 기판상의 패널 외곽부에 공통전극 라인을 형성하는 공정과, 상기 제 1 기판상의 도전성 금속과 제 2 기판상의 공통전극 라인을 전기적으로 연결하는 Ag(은) 페이스트를 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.A liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention for achieving the above object is a liquid crystal display device having a first substrate and a second substrate defined by an active region and a panel outer portion, the predetermined on the first substrate The surface of the black matrix layer formed at intervals, the color filter layer formed in the space between the black matrices, the planarization film formed on the front surface of the substrate including the color filter layer, and the black matrix layer at the outer portion of the panel A contact hole formed by etching the planarization layer so as to be exposed, a conductive metal formed to be connected to the black matrix layer on the bottom and side of the contact hole, a gate insulating film formed on the entire surface of the active region, and the gate insulation Data lines formed on the film at regular intervals and formed on a substrate including the data lines. Ag which electrically connects the passivation film, the pixel electrode formed on the passivation film, the common electrode line formed on the outside of the panel of the second substrate, and the conductive metal of the first substrate and the common electrode line of the second substrate. (Silver) paste, the manufacturing method comprising the steps of forming a black matrix layer on the first substrate at a predetermined interval, forming a color filter layer in the space between the black matrix, and the color Forming a contact hole by forming a planarization film on the entire surface of the substrate including a filter layer, etching the planarization film so that the surface of the black matrix layer of the panel outer part is exposed, and forming the contact hole under the contact hole and the side of the black matrix layer; Forming a conductive metal so as to be connected, forming a gate insulating film over the active region, and insulating the gate. Forming a data line at regular intervals on the substrate; forming a protective film on the substrate including the data line; forming a pixel electrode on the protective film; and forming an outer portion of the panel on the second substrate. And forming a Ag (silver) paste that electrically connects the conductive metal on the first substrate and the common electrode line on the second substrate to form a common electrode line.

본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치는 패널 외곽부의 블랙매트릭스의 표면이 노출되도록 형성되어 있는 콘택홀의 하부 및 측부에 도전성 금속을 증착시킴으로써 상판과 전기적으로 연결하여 블랙매트릭스로 인한 정전기 발생을 방지할 수 있다.The liquid crystal display according to the first exemplary embodiment of the present invention is electrically connected to the upper plate by depositing a conductive metal on the lower and side portions of the contact hole formed so that the surface of the black matrix of the panel outer portion is exposed, thereby preventing static electricity generated by the black matrix. You can prevent it.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치 및 그 제조방법을 상세히 설명한다.Hereinafter, a liquid crystal display and a manufacturing method thereof according to the first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 2a는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치의 구조평면도이며, 도 2b는 도 2a의 A-A` 선에 따른 구조단면도이다.FIG. 2A is a structural plan view of a liquid crystal display according to a first exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 2B is a structural cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 2A.

도 2a에 도시된 바와 같이, 복수개의 게이트라인(221) 및 데이터라인(222)이 형성되어 있으며, 상기 게이트라인과 데이터라인의 교차지점에는 박막트랜지스터(도시하지 않음)가 형성되어 있다. 그리고, 패널 외곽부에는 상판과 전기적으로 연결시키기 위한 콘택홀(205)이 형성되어 있고, 상기 콘택홀을 통하여 하부층에 형성되어 있는 블랙매트릭스 표면이 드러나 있으며(도시하지 않음), 상기 콘택홀의 하부 및 측부에 도전성 금속(도시하지 않음)이 증착되어 있다. 도면에 도시하지 않았 지만, 상기 도전성 금속은 Ag(은) 페이스트를 통해 상판의 공통전극 라인과 전기적으로 연결되어 있다.As shown in FIG. 2A, a plurality of gate lines 221 and data lines 222 are formed, and a thin film transistor (not shown) is formed at the intersection of the gate lines and the data lines. In addition, a contact hole 205 is formed at the outer edge of the panel to electrically connect with the top plate, and a black matrix surface formed on the lower layer is exposed through the contact hole (not shown), and the lower portion of the contact hole is A conductive metal (not shown) is deposited on the side. Although not shown, the conductive metal is electrically connected to the common electrode line of the upper plate through Ag (silver) paste.

상기와 같은 액정표시장치의 단면을 보면 도 2b에 도시된 바와 같이, 액티브 영역과 패널 외곽부로 정의된 제 1 기판과 제 2 기판을 구비한 액정표시장치에 있어서, 상기 제 1 기판(201)상에 일정간격을 두고 블랙매트릭스층(202)이 형성되어 있으며, 상기 블랙매트릭스층(202) 사이의 공간에 색표현을 구현하기 위한 R, G, B의 칼라필터층(203)이 형성되어 있다. 그리고, 상기 칼라필터층(203)을 포함한 기판 전면상에 평탄화막(204)이 도포되어 있다.As shown in FIG. 2B, the liquid crystal display device having a first substrate and a second substrate defined by an active region and a panel outline portion is formed on the first substrate 201. The black matrix layer 202 is formed at predetermined intervals, and the color filter layers 203 of R, G, and B for implementing color expression are formed in the spaces between the black matrix layers 202. The planarization film 204 is coated on the entire substrate including the color filter layer 203.

그리고, 패널 외곽부에 있어서 평탄화막(204)의 소정부위가 식각되어 상기 블랙매트릭스층(202)이 드러나도록 콘택홀(205)이 형성되어 있고, 상기 콘택홀(205)의 하부 및 측부에는 상판과 전기적으로 연결시키기 위한 도전성 금속(206)이 형성되어 있다. 그리고, 패널 외곽부를 제외한 액티브 영역 전면상에는 게이트 절연막(207)이 형성되어 있다. 상기 게이트 절연막(207) 상에는 일정 간격을 두고 박막트랜지스터(도시하지 않음)의 소스/드레인 전극과 연결되는 데이터라인(208)이 형성되어 있고, 상기 데이터라인(208)을 포함한 기판 전면에는 보호막(209)이 형성되어 있다. 상기 보호막상에는 화소전극(210)이 형성되어 있다.In addition, a contact hole 205 is formed in the outer portion of the panel so that a predetermined portion of the planarization layer 204 is etched to expose the black matrix layer 202, and upper and lower surfaces of the contact hole 205 are formed. A conductive metal 206 is formed for electrically connecting with it. The gate insulating film 207 is formed on the entire active region except for the panel outer portion. Data lines 208 are formed on the gate insulating layer 207 to be connected to source / drain electrodes of a thin film transistor (not shown) at predetermined intervals, and a passivation layer 209 is formed on the entire surface of the substrate including the data lines 208. ) Is formed. The pixel electrode 210 is formed on the passivation layer.

한편, 제 2 기판(201a)상의 패널외곽부 소정부위에는 공통전극 라인(211)이 형성되어 있으며, 상기 제 1 기판의 도전성 금속(206)과 제 2 기판상의 공통전극 라인(211)을 전기적으로 연결하는 Ag(은) 페이스트(212)가 형성되어 있다.Meanwhile, a common electrode line 211 is formed at a predetermined portion of the panel outer portion on the second substrate 201a, and electrically connects the conductive metal 206 of the first substrate and the common electrode line 211 on the second substrate. Ag (silver) paste 212 to connect is formed.

상기 도전성 금속은 게이트라인 형성 물질과 동일한 재료로서 게이트라인 형 성시에 형성된다.The conductive metal is formed in the gate line formation as the same material as the gate line forming material.

도 3a 내지 3d는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 공정단면도이다.3A to 3D are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.

도 3a에 도시한 바와 같이, 액티브 영역과 패널 외곽부로 정의되는 제 1 기판과 제 2 기판을 구비한 액정표시장치에 있어서, 제 1 기판(201) 상에 블랙매트릭스 물질을 적층한 후 선택적으로 패터닝하여 일정 간격을 두고 블랙매트릭스층(202)을 형성시키고, 상기 블랙매트릭스층(202) 사이의 공간에 색표현을 구현하기 위한 R, G, B의 칼라필터층(203)을 형성한다.As shown in FIG. 3A, in a liquid crystal display device having a first substrate and a second substrate defined by an active region and a panel outer portion, a black matrix material is laminated on the first substrate 201 and then selectively patterned. Thus, the black matrix layer 202 is formed at regular intervals, and the color filter layers 203 of R, G, and B for implementing color expression in the spaces between the black matrix layers 202 are formed.

도 3b에 도시한 바와 같이, 상기 칼라필터층(203)을 포함한 기판 전면상에 평탄화막(204)을 도포한 후, 패널 외곽부에 있어서 상기 평탄화막(204)의 소정 부위를 식각하여 상기 블랙매트릭스층(202)의 표면이 드러나도록 콘택홀(205)을 형성한다. 이어, 상기 콘택홀(205)의 하부 및 측부에 도전성 금속(206)을 증착한다. 상기 도전성 금속(206)은 게이트라인 형성물질과 동일한 재료로서 게이트라인(도시하지 않음) 형성시에 형성되며, 도면에 도시하지 않았지만, 후속 상하판 합착시 Ag(은) 페이스트를 통해 상판의 공통전극 라인과 전기적으로 연결된다.As shown in FIG. 3B, after applying the planarization film 204 on the entire surface of the substrate including the color filter layer 203, a predetermined portion of the planarization film 204 is etched in the outer portion of the panel to etch the black matrix. The contact hole 205 is formed to expose the surface of the layer 202. Subsequently, a conductive metal 206 is deposited on the lower and side portions of the contact hole 205. The conductive metal 206 is formed of the same material as the gate line forming material, and is formed at the time of forming the gate line (not shown), but is not shown in the drawing. It is electrically connected to the line.

도 3c에 도시한 바와 같이, 패널 외곽부를 제외한 액티브 영역 전면에 게이트 절연막(207)을 형성시키고 상기 게이트 절연막(207)상에 일정 간격을 두고 박막트랜지스터(도시하지 않음)의 소스/드레인 전극과 연결되는 데이터라인(208)을 형성시킨다. 이어, 상기 데이터라인(208)을 포함한 기판 전면에(패널 외곽부 제외) 보호막(209)을 형성하고, 상기 보호막(209) 상에는 일정 간격을 두고 화소전극(210)을 형성한다.As shown in FIG. 3C, a gate insulating film 207 is formed on the entire surface of the active region excluding the panel outer portion, and is connected to the source / drain electrodes of a thin film transistor (not shown) at regular intervals on the gate insulating film 207. The data line 208 is formed. Subsequently, a passivation layer 209 is formed on the entire surface of the substrate including the data line 208 (except for the outside of the panel), and the pixel electrode 210 is formed on the passivation layer 209 at a predetermined interval.

도 3d에 도시한 바와 같이, 상기 제 2 기판(201a)상의 패널외곽부 소정부위에 공통전극 라인(211)을 형성한 후, 상기 제 1 기판상의 도전성 금속(206)과 제 2 기판상의 공통전극 라인(211)을 전기적으로 연결하는 Ag(은) 페이스트(212)를 형성한다.As shown in FIG. 3D, after the common electrode line 211 is formed at a predetermined portion of the panel outer portion on the second substrate 201a, the conductive metal 206 on the first substrate and the common electrode on the second substrate are formed. Ag (silver) paste 212 that electrically connects line 211 is formed.

이후, 도면에 도시하지 않았지만, 상기 칼라필터층 및 데이터라인이 형성된 기판과 그에 대향되는 상판을 합착하여 액정을 봉입하면 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치의 제조공정은 완료된다.Subsequently, although not shown in the drawings, when the substrate on which the color filter layer and the data line are formed and the upper plate opposite to each other are sealed, the liquid crystal is sealed and the manufacturing process of the liquid crystal display according to the first embodiment of the present invention is completed.

본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시장치는 제 1 실시예와 그 구조는 동일하며 제조방법에 차이가 있다.The liquid crystal display according to the second embodiment of the present invention has the same structure as that of the first embodiment and has a different manufacturing method.

본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시장치의 제조방법은 액티브 영역과 패널외곽부로 정의된 제 1 기판과 제 2 기판을 구비한 액정표시장치 제조에 있어서, 제 1 기판상에 블랙매트릭스층을 일정간격을 두고 형성하는 공정과, 상기 블랙매트릭스 사이의 공간에 칼라필터층을 형성하는 공정과, 상기 칼라필터층을 포함한 기판전면에 평탄화막을 형성하는 공정과, 상기 패널외곽부의 블랙매트릭스층의 표면이 드러나도록 상기 평탄화막을 식각하여 콘택홀을 형성하는 공정과, 상기 액티브 영역 전면에 게이트 절연막을 형성하는 공정과, 상기 게이트 절연막상에 데이터라인을 일정 간격을 두고 형성하는 공정과, 상기 데이터라인을 포함한 기판상에 보호막을 형성하는 공정과, 상기 보호막상에 화소전극을 형성함과 동시에 상기 콘택홀 하부 및 측부에 상기 블랙매트릭스층과 접속되도록 도전성 금속을 증착하는 공정과, 상기 제 2 기판상의 패널외곽부에 공통전극 라인을 형성하는 공정과, 상기 제 1 기판상의 도전성 금속과 제 2 기판상의 공통전극 라인을 전기적으로 연결하는 Ag(은) 페이스트를 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.In the manufacturing method of the liquid crystal display device according to the second embodiment of the present invention, in manufacturing a liquid crystal display device having a first substrate and a second substrate defined by an active region and a panel outer portion, a black matrix layer is formed on the first substrate. Forming at regular intervals, forming a color filter layer in the space between the black matrices, forming a planarization film on the entire surface of the substrate including the color filter layer, and exposing the surface of the black matrix layer at the outer portion of the panel. Forming a contact hole by etching the planarization layer to form a contact hole, forming a gate insulating layer on the entire surface of the active region, forming a data line on the gate insulating layer at a predetermined interval, and a substrate including the data line. Forming a protective film on the protective film; forming a pixel electrode on the protective film; Depositing a conductive metal so as to be connected to the black matrix layer, forming a common electrode line on the outside of the panel on the second substrate, and electrically connecting the conductive metal on the first substrate and the common electrode line on the second substrate. It characterized in that it comprises a step of forming an Ag (silver) paste to be connected to.

본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시장치는 제 1 실시예와 마찬가지로 패널 외곽부의 블랙매트릭스층상에 도전성 금속을 증착시켜 상판의 공통전극 라인과 전기적으로 연결시켜 블랙매트릭스로 인한 정전기 발생을 방지할 수 있다. In the liquid crystal display according to the second exemplary embodiment of the present invention, as in the first exemplary embodiment, the conductive metal is deposited on the black matrix layer of the outer panel of the panel to be electrically connected to the common electrode line of the upper plate to prevent the generation of static electricity due to the black matrix. Can be.

이하, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시장치 그 제조방법을 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing the liquid crystal display device according to the second embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 4a 내지 4c는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 공정단면도이다.4A through 4C are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention.

도 4a에 도시된 바와 같이, 액티브 영역과 패널 외곽부로 정의된 제 1 기판과 제 2 기판을 구비한 액정표시장치에 있어서, 상기 제 1 기판(201) 상에 블랙매트릭스 물질을 적층한 후 선택적으로 패터닝하여 일정 간격을 두고 블랙매트릭스층(202)을 형성시키고, 상기 블랙매트릭스층(202) 사이의 공간에 색표현을 구현하기 위한 R, G, B의 칼라필터층(203)을 형성한다.As shown in FIG. 4A, in a liquid crystal display having a first substrate and a second substrate defined by an active region and a panel outer portion, a black matrix material is selectively stacked on the first substrate 201. By patterning, the black matrix layer 202 is formed at regular intervals, and the color filter layers 203 of R, G, and B for implementing color expression in the spaces between the black matrix layers 202 are formed.

도 4b에 도시한 바와 같이, 상기 칼라필터층(203)을 포함한 기판 전면상에 평탄화막(204)을 도포한 후, 패널 외곽부에 있어서 상기 평탄화막(204)의 소정 부위를 식각하여 상기 블랙매트릭스층(202)의 표면이 드러나도록 콘택홀(205)을 형성한다. 이어, 패널 외곽부를 제외한 액티브 영역 전면에 게이트 절연막(207)을 형성시키고 상기 게이트 절연막(207)상에 일정 간격을 두고 박막트랜지스터(도시하지 않음)의 소스/드레인 전극과 연결되는 데이터라인(208)을 형성시킨다. 상기 데이터라인을 포함한 기판 전면에(패널 외곽부 제외) 보호막(209)을 형성한다.As shown in FIG. 4B, after applying the planarization film 204 on the entire surface of the substrate including the color filter layer 203, a predetermined portion of the planarization film 204 is etched in the outer portion of the panel to etch the black matrix. The contact hole 205 is formed to expose the surface of the layer 202. Next, a data line 208 is formed on the entire surface of the active region excluding the outside of the panel, and is connected to the source / drain electrodes of a thin film transistor (not shown) at regular intervals on the gate insulating layer 207. To form. A protective film 209 is formed on the entire surface of the substrate including the data line (except the outside of the panel).

도 4c에 도시한 바와 같이, 상기 콘택홀(205)의 하부 및 측부에는 도전성 금속(206)을 증착시킨다. 한편, 상기 도전성 금속(206)을 형성할 때, 상기 보호막(209) 상에는 화소전극(210)을 형성한다. 상기 도전성 금속(205)과 화소전극(210)은 동일 물질이며 동일 공정으로 형성된다. As shown in FIG. 4C, conductive metal 206 is deposited on the lower and side portions of the contact hole 205. In the meantime, when the conductive metal 206 is formed, the pixel electrode 210 is formed on the passivation layer 209. The conductive metal 205 and the pixel electrode 210 are made of the same material and formed in the same process.

도 4d에 도시한 바와 같이, 상기 제 2 기판(201a)상의 패널외곽부의 소정부위에 공통전극 라인(211)을 형성한 후, 상기 제 1 기판상의 도전성 금속(206)과 제 2 기판상의 공통전극 라인(211)을 전기적으로 연결하는 Ag(은) 페이스트(212)를 형성한다.As shown in FIG. 4D, after the common electrode line 211 is formed at a predetermined portion of the panel outer portion on the second substrate 201a, the conductive metal 206 on the first substrate and the common electrode on the second substrate are formed. Ag (silver) paste 212 that electrically connects line 211 is formed.

이후, 도면에 도시하지 않았지만, 상기 칼라필터층 및 데이터라인이 형성된 기판과 그에 대향되는 상판을 합착하여 액정을 봉입하면 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시장치의 제조공정은 완료된다.Subsequently, although not shown in the drawings, when the substrate on which the color filter layer and the data line are formed and the upper plate opposite to each other are sealed, the liquid crystal is sealed and the manufacturing process of the liquid crystal display according to the second embodiment of the present invention is completed.

이상 상술한 바와 같이, 본 발명의 액정표시장치 및 그 제조방법은 다음과 같은 효과가 있다.As described above, the liquid crystal display of the present invention and its manufacturing method have the following effects.

제 1 기판 상에 형성되어 있는 블랙매트릭스층을 도전성 금속을 매개로 하여 Ag(은) 페이스트(paste)를 통해 제 2 기판의 공통전극 라인과 연결시킴으로써 종래 블랙매트릭스로 인해 야기되었던 정전기 발생을 방지함으로써 제품의 안정성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.By connecting the black matrix layer formed on the first substrate with the common electrode line of the second substrate through Ag (silver) paste through the conductive metal, it is possible to prevent the generation of static electricity caused by the conventional black matrix. There is an advantage to improve the stability of the product.

Claims (6)

액티브 영역과 패널 외곽부로 정의된 제 1 기판 및 제 2 기판을 구비한 액정표시장치에 있어서, A liquid crystal display device having a first substrate and a second substrate defined by an active region and a panel outline, 상기 제 1 기판상에 일정간격을 두고 형성되어 있는 블랙매트릭스층;A black matrix layer formed on the first substrate at a predetermined interval; 상기 블랙매트릭스 사이의 공간에 형성되어 있는 칼라필터층;A color filter layer formed in a space between the black matrices; 상기 칼라필터층을 포함한 기판전면에 형성되어 있는 평탄화막;A planarization film formed on the front surface of the substrate including the color filter layer; 상기 패널외곽부의 블랙매트릭스층의 표면이 드러나도록 상기 평탄화막을 식각하여 형성되어 있는 콘택홀;A contact hole formed by etching the planarization layer so that the surface of the black matrix layer of the panel outer portion is exposed; 상기 콘택홀 하부 및 측부에 상기 블랙매트릭스층과 접속되도록 형성되어 있는 도전성 금속;A conductive metal formed to contact the black matrix layer at lower and side portions of the contact hole; 상기 액티브 영역 전면에 형성되어 있는 게이트 절연막;A gate insulating film formed over the active region; 상기 게이트 절연막상에 일정 간격을 두고 형성되어 있는 데이터라인;Data lines formed on the gate insulating layer at predetermined intervals; 상기 데이터라인을 포함한 기판상에 형성된 보호막;A protective film formed on the substrate including the data line; 상기 보호막상에 형성되어 있는 화소전극;A pixel electrode formed on the protective film; 상기 제 2 기판상의 패널 외곽부에 형성되어 있는 공통전극 라인;A common electrode line formed at an outer portion of the panel on the second substrate; 상기 제 1 기판상의 도전성 금속과 제 2 기판상의 공통전극을 전기적으로 연결시키는 Ag(은) 페이스트를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And an Ag (silver) paste for electrically connecting the conductive metal on the first substrate and the common electrode on the second substrate. 제 1 항에 있어서, 상기 도전성 금속은 게이트라인 형성 물질과 동일한 것을 특징으로 하는 액정표시장치.The liquid crystal display of claim 1, wherein the conductive metal is the same as a gate line forming material. 제 1 항에 있어서, 상기 도전성 금속은 화소전극 형성 물질과 동일한 것을 특징으로 하는 액정표시장치.The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the conductive metal is the same as the pixel electrode forming material. 액티브 영역과 패널 외곽부로 정의된 제 1 기판 및 제 2 기판을 구비한 액정표시장치의 제조에 있어서, In the manufacture of a liquid crystal display device having a first substrate and a second substrate defined by an active region and a panel outline, 상기 제 1 기판상에 블랙매트릭스층을 일정간격을 두고 형성하는 공정;Forming a black matrix layer on the first substrate at predetermined intervals; 상기 블랙매트릭스 사이의 공간에 칼라필터층을 형성하는 공정;Forming a color filter layer in a space between the black matrices; 상기 칼라필터층을 포함한 기판전면에 평탄화막을 형성하는 공정;Forming a planarization film on the entire surface of the substrate including the color filter layer; 상기 패널외곽부의 블랙매트릭스층의 표면이 드러나도록 상기 평탄화막을 식각하여 콘택홀을 형성하는 공정;Forming a contact hole by etching the planarization layer so that the surface of the black matrix layer of the panel outer portion is exposed; 상기 콘택홀 하부 및 측부에 상기 블랙매트릭스층과 접속되도록 도전성 금속을 형성하는 공정;Forming a conductive metal under the contact hole and connected to the black matrix layer; 상기 액티브 영역 전면에 게이트 절연막을 형성하는 공정;Forming a gate insulating film over the active region; 상기 게이트 절연막상에 데이터라인을 일정 간격을 두고 형성하는 공정;Forming data lines on the gate insulating film at regular intervals; 상기 데이터라인을 포함한 기판상에 보호막을 형성하는 공정;Forming a protective film on the substrate including the data line; 상기 보호막상에 화소전극을 형성하는 공정;Forming a pixel electrode on the protective film; 상기 제 2 기판상의 패널 외곽부에 공통전극 라인을 형성하는 공정;Forming a common electrode line on an outer portion of the panel on the second substrate; 상기 제 1 기판상의 도전성 금속과 제 2 기판상의 공통전극 라인을 전기적으로 연결시키는 Ag(은) 페이스트를 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법.And forming an Ag (silver) paste electrically connecting the conductive metal on the first substrate and the common electrode line on the second substrate. 제 4 항에 있어서, 상기 콘택홀 하부 및 측부에 도전성 금속을 형성하는 공정은 게이트라인 형성공정과 동시에 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.The method of claim 4, wherein the forming of the conductive metal under the contact hole and at the side of the contact hole is performed at the same time as the gate line forming process. 액티브 영역과 패널 외곽부로 정의된 제 1 기판 및 제 2 기판을 구비한 액정표시장치 제조에 있어서,In the manufacturing of a liquid crystal display device having a first substrate and a second substrate defined by an active region and a panel outer portion, 상기 제 1 기판상에 블랙매트릭스층을 일정간격을 두고 형성하는 공정;Forming a black matrix layer on the first substrate at predetermined intervals; 상기 블랙매트릭스 사이의 공간에 칼라필터층을 형성하는 공정;Forming a color filter layer in a space between the black matrices; 상기 칼라필터층을 포함한 기판전면에 평탄화막을 형성하는 공정;Forming a planarization film on the entire surface of the substrate including the color filter layer; 상기 패널외곽부의 블랙매트릭스층의 표면이 드러나도록 상기 평탄화막을 식각하여 콘택홀을 형성하는 공정;Forming a contact hole by etching the planarization layer so that the surface of the black matrix layer of the panel outer portion is exposed; 상기 액티브 영역 전면에 게이트 절연막을 형성하는 공정;Forming a gate insulating film over the active region; 상기 게이트 절연막상에 데이터라인을 일정 간격을 두고 형성하는 공정;Forming data lines on the gate insulating film at regular intervals; 상기 데이터라인을 포함한 기판상에 보호막을 형성하는 공정;Forming a protective film on the substrate including the data line; 상기 보호막상에 화소전극을 형성함과 동시에 상기 콘택홀 하부 및 측부에 상기 블랙매트릭스층과 접속되도록 도전성 금속을 증착하는 공정;Forming a pixel electrode on the passivation layer and depositing a conductive metal so as to be connected to the black matrix layer at the bottom and side of the contact hole; 상기 제 2 기판상의 패널 외곽부에 공통전극 라인을 형성하는 공정;Forming a common electrode line on an outer portion of the panel on the second substrate; 상기 제 1 기판상의 도전성 금속과 제 2 기판상의 공통전극 라인을 전기적으로 연결시키는 Ag(은) 페이스트를 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조방법.And forming an Ag (silver) paste electrically connecting the conductive metal on the first substrate and the common electrode line on the second substrate.
KR1020000086665A 2000-12-30 2000-12-30 Liquid crystal display and manufacturing method of the same KR100778836B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020000086665A KR100778836B1 (en) 2000-12-30 2000-12-30 Liquid crystal display and manufacturing method of the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020000086665A KR100778836B1 (en) 2000-12-30 2000-12-30 Liquid crystal display and manufacturing method of the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20020058555A KR20020058555A (en) 2002-07-12
KR100778836B1 true KR100778836B1 (en) 2007-11-22

Family

ID=27689647

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020000086665A KR100778836B1 (en) 2000-12-30 2000-12-30 Liquid crystal display and manufacturing method of the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100778836B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101623188B1 (en) * 2009-11-20 2016-05-20 엘지디스플레이 주식회사 Liquid crystal display device and Method of fabricating the same

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100843478B1 (en) * 2002-06-15 2008-07-03 엘지디스플레이 주식회사 Liquid crystal panel of line on glass type and method of fabricating the same
KR20040009858A (en) * 2002-07-26 2004-01-31 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 Liquid crystal display
KR100852832B1 (en) * 2002-08-01 2008-08-18 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 An liquid crystal display and method for fabricating it
KR100954334B1 (en) * 2003-11-26 2010-04-21 엘지디스플레이 주식회사 Liquid Crystal Display Device
KR101140020B1 (en) * 2005-04-15 2012-05-02 엘지디스플레이 주식회사 Liquid crystal display device for preventing electrostatic and fabrication method thereof
KR101222537B1 (en) * 2005-12-10 2013-01-15 엘지디스플레이 주식회사 Liquid Crystal Display Pane And Method for Fabricating Thereof
KR101291911B1 (en) * 2006-06-30 2013-07-31 엘지디스플레이 주식회사 Liquid Crystal Display Apparatus of Horizontal Electronic Field Applying Type and Fabricating Method Thereof
KR101354434B1 (en) * 2007-03-29 2014-01-22 엘지디스플레이 주식회사 Display device and method of manufacturing the same
KR101356594B1 (en) * 2011-11-11 2014-02-05 엘지디스플레이 주식회사 Liquid Crystal Display Device
KR101366916B1 (en) * 2013-01-28 2014-02-25 엘지디스플레이 주식회사 Liquid Crystal Display Device
CN105445998A (en) * 2015-12-31 2016-03-30 武汉华星光电技术有限公司 LTPS display panel and making process thereof
KR102526508B1 (en) * 2016-06-30 2023-04-26 티씨엘 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 Liquid display device
CN105954919A (en) * 2016-07-11 2016-09-21 京东方科技集团股份有限公司 Liquid crystal display panel, manufacturing method thereof and display apparatus

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02287435A (en) * 1989-04-28 1990-11-27 Seiko Epson Corp Liquid crystal display device
KR940022142A (en) * 1993-03-30 1994-10-20 이헌조 LCD
JPH09269504A (en) * 1996-03-29 1997-10-14 Hosiden Corp Liquid crystal display element
JP2000147482A (en) * 1998-11-13 2000-05-26 Nec Corp Liquid crystal display device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02287435A (en) * 1989-04-28 1990-11-27 Seiko Epson Corp Liquid crystal display device
KR940022142A (en) * 1993-03-30 1994-10-20 이헌조 LCD
JPH09269504A (en) * 1996-03-29 1997-10-14 Hosiden Corp Liquid crystal display element
JP2000147482A (en) * 1998-11-13 2000-05-26 Nec Corp Liquid crystal display device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101623188B1 (en) * 2009-11-20 2016-05-20 엘지디스플레이 주식회사 Liquid crystal display device and Method of fabricating the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20020058555A (en) 2002-07-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100778836B1 (en) Liquid crystal display and manufacturing method of the same
TWI290643B (en) Liquid crystal display device and method of fabricating the same
KR100778838B1 (en) Liquid crystal display and manufacturing method of the same
KR100595299B1 (en) Liquid Crystal Panel and Method for fabricating the same
US20030122978A1 (en) Liquid crystal display device having single bodied compensating pattern and method of fabricating the same
CN105161499A (en) Display substrate, manufacturing method thereof and display device
CN105742299A (en) Pixel unit as well as manufacturing method, array substrate and display device thereof
CN104020621B (en) A kind of array base palte and preparation method thereof, display device
US7884915B2 (en) Method of manufacturing liquid crystal display device
CN107797352A (en) Array base palte, display panel, the preparation method of display device and array base palte
KR100698059B1 (en) The liquid crystal display device and the method for fabricating the same
JP2000338514A (en) Liquid crystal display device
KR100731035B1 (en) Liquid crystal display and method for manufacturing the same
KR20020054870A (en) Liquid crystal display and method for manufacturing the same
KR100648218B1 (en) High aperture ratio color liquid crystal display
KR100710158B1 (en) Method for fabricating of liquid crystal display device
US5392141A (en) Multi-layered liquid crystal device having columns supporting insulating layers therebetween and method of production
CN215183963U (en) Array substrate, display panel and display device
CN217386080U (en) Array substrate and display panel
KR100983579B1 (en) Liquid crystal display device and method for fabricating the same
WO2023115507A1 (en) Display substrate and manufacturing method therefor, display panel, and display apparatus
KR100928488B1 (en) LCD and its manufacturing method
KR101333609B1 (en) Liquid crystal display device and method for fabricating the same
KR100640985B1 (en) Liquid crystal display and method for fabricating the same
KR100698043B1 (en) Method for Forming Liquid Crystal Display Device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
G170 Publication of correction
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120928

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130930

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141021

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151028

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161012

Year of fee payment: 10

LAPS Lapse due to unpaid annual fee