KR100778443B1 - Organic light emitting display - Google Patents

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KR100778443B1
KR100778443B1 KR1020060064410A KR20060064410A KR100778443B1 KR 100778443 B1 KR100778443 B1 KR 100778443B1 KR 1020060064410 A KR1020060064410 A KR 1020060064410A KR 20060064410 A KR20060064410 A KR 20060064410A KR 100778443 B1 KR100778443 B1 KR 100778443B1
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light emitting
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치바야스히로
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삼성에스디아이 주식회사
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Abstract

An organic light emitting display device is provided to prevent a second electrode of a light emitting region from being damaged from a high temperature in a forming process of a sub electrode by not forming the sub electrode on the light emitting region. An organic light emitting display device includes a substrate(110) and a light emitting unit(70). The substrate has a plurality of pixels which are divided into a light emitting region and a non-light emitting region near to the light emitting region. The light emitting unit is formed on the light emitting region of the substrate and emits a light based on a driving signal of a driving circuit unit. The light emitting unit includes a first electrode(710), an organic layer(720), a second electrode(730) and a sub electrode(740). The first electrode is electrically connected to the driving circuit unit. The organic layer is formed on the first electrode and is arranged on the light emitting region. The second electrode covers the organic layer and is arranged on the light emitting region and the non-light emitting region. The sub electrode is formed on the second electrode in the non-light emitting region. The driving circuit unit includes a gate electrode(155), an inter-insulation layer(160), a source electrode(176) and a drain electrode(177). The gate electrode is formed on the substrate. The inter-insulation layer covers the gate electrode. The source electrode and the drain electrode are formed on the inter-insulation layer. The first electrode is electrically connected to the drain electrode.

Description

유기 발광 표시 장치 {ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY}Organic Light Emitting Display {ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY}

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 레이아웃이다.1 is a layout of an organic light emitting diode display according to a first exemplary embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ선을 따라 도시한 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line II-II of FIG. 1.

도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 레이아웃이다.3 is a layout of an organic light emitting diode display according to a second exemplary embodiment of the present invention.

도 4는 도 3의 Ⅳ-Ⅳ선을 따라 도시한 단면도이다.4 is a cross-sectional view taken along line IV-IV of FIG. 3.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings

10 : 제1 박막 트랜지스터 20: 제2 박막 트랜지스터10: first thin film transistor 20: second thin film transistor

70 : 발광부 80 : 축전 소자70 light emitting unit 80 power storage element

110 : 기판 120 : 버퍼층110 substrate 120 buffer layer

132 : 반도체층 140 : 게이트 절연막132 semiconductor layer 140 gate insulating film

151 : 게이트 라인 155 : 게이트 전극151: gate line 155: gate electrode

158 : 하부 전극 160 : 층간 절연막158 lower electrode 160 interlayer insulating film

171 : 데이터 라인 172 : 공통 전원 라인171: data line 172: common power line

176 : 소스 전극 177 : 드레인 전극176: source electrode 177: drain electrode

178 : 상부 전극 180 : 평탄화막178: upper electrode 180: planarization film

190 : 화소 정의막 710 : 제1 전극190: Pixel defining layer 710: First electrode

720 : 유기층 730 : 제2 전극720: organic layer 730: second electrode

740 : 보조 전극740: auxiliary electrode

본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 제조 과정에서 불량의 발생을 억제한 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display device, and more particularly, to an organic light emitting display device in which generation of defects is suppressed in a manufacturing process.

근래에 음극선관(cathode ray tube, CRT)의 단점을 극복하여 경량화 및 소형화가 가능한 평판 표시 장치가 차세대 표시 장치로 각광 받고 있다. 이러한 평판 표시 장치의 대표적인 예로 플라즈마 디스플레이 패널(plama display panel, PDP), 액정 표시 장치(liguid crystal display, LCD), 유기 발광 표시 장치(organic luminescent display) 등이 있다.Recently, a flat panel display device that can be reduced in weight and size by overcoming a disadvantage of a cathode ray tube (CRT) has been spotlighted as a next generation display device. Representative examples of such flat panel displays include a plasma display panel (PDP), a liquid crystal display (LCD), and an organic luminescent display.

유기 발광 표시 장치는 유기 화합물을 발광시켜 화상을 표시하는 자발광형 표시 장치로서, 다른 평판 표시 장치에 비해 넓은 시야각 확보가 가능하며 고해상도 실현이 가능하다. 유기 발광 표시 장치는 구동 방법에 따라 능동 구동(active matrix, AM)형 유기 발광 표시 장치와 수동 구동(passive matrix, PM)형 유기 발광 표시 장치로 구분될 수 있으며, 발광 형식에 따라 전면 발광형, 배면 발광형 및 양면 발광형으로 구분될 수 있다.An organic light emitting display device is a self-luminous display device that emits an organic compound to display an image. The organic light emitting display device can secure a wider viewing angle than other flat panel display devices and realize high resolution. The organic light emitting diode display may be classified into an active matrix (AM) type organic light emitting display device and a passive matrix (PM) type organic light emitting display device according to a driving method. It may be classified into a bottom emission type and a double side emission type.

이 중에서 능동 구동형 유기 발광 표시 장치는 복수의 화소(화면을 표시하는 최소 단위를 말한다)를 구비하며, 각각의 화소는 화상을 표시하는 발광부와 발광부를 구동하는 회로부를 포함하는 것이 일반적이다.Among these, an active driving type organic light emitting display device includes a plurality of pixels (referring to a minimum unit for displaying a screen), and each pixel includes a light emitting unit for displaying an image and a circuit unit for driving the light emitting unit.

회로부는 통상적으로 두개의 이상의 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)와 하나의 축전 소자(capacitor)를 포함한다. 두개의 박막 트랜지스터 중에서 하나는 복수의 화소들 중에서 발광시키고자 하는 화소의 발광부를 선택하는 작용을 하는 스위칭 소자의 기능을 한다. 그리고 다른 하나의 박막 트랜지스터는 선택된 발광부의 유기층을 발광시키기 위한 구동 전원을 인가하는 구동 소자의 기능을 한다.The circuit portion typically includes two or more thin film transistors (TFTs) and one capacitor. One of the two thin film transistors functions as a switching element that selects a light emitting part of a pixel to emit light among a plurality of pixels. The other thin film transistor functions as a driving device for applying a driving power for emitting the organic layer of the selected light emitting unit.

발광부는 다이오드 특성을 가져서 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode)라고도 불리며, 이는 정공 주입 전극인 양(+)극과, 전자 주입 전극인 음(-)극 및 이들 전극 사이에 배치된 유기층을 포함하는 구조를 갖는다.The light emitting unit has a diode characteristic and is also called an organic light emitting diode, which includes a positive electrode as a hole injection electrode, a negative electrode as an electron injection electrode, and an organic layer disposed between these electrodes. Has a structure.

한편, 상기한 능동 구동형 유기 발광 표시 장치 중에서 전면 발광 방식의 표시 장치는 유기층에서 발광된 빛이 디스플레이되는 방향에 배치되는 전극(예컨대 음극)을 얇은 금속 박막으로 형성하고, 이를 보조하기 위해 보조 전극을 함께 형성한 경우가 있었다.Meanwhile, in the above-mentioned active driving type organic light emitting display device, a top emission type display device forms an electrode (for example, a cathode) disposed in a direction in which light emitted from an organic layer is displayed as a thin metal thin film, and supplements the auxiliary electrode to assist this. In some cases, they were formed together.

그러나 이러한 구조의 유기 발광 표시 장치는 금속 박막으로 형성된 전극이 상기 보조 전극을 형성하는 과정에서 높은 온도로 인해 손상되는 문제점이 있었다. 이에, 유기 발광 표시 장치의 발광부가 정상적으로 작동하지 않는 불량이 발생될 수 있다.However, the organic light emitting diode display having such a structure has a problem that an electrode formed of a metal thin film is damaged due to a high temperature in the process of forming the auxiliary electrode. As a result, a defect may occur in which the light emitting unit of the organic light emitting diode display does not operate normally.

본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 제조 과정에서 불량의 발생을 억제한 유기 발광 표시 장치를 제공하고자 한다.The present invention is to solve the above problems, and to provide an organic light emitting display device that suppresses the occurrence of defects in the manufacturing process.

전술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 발광 영역과 상기 발광 영역 주변의 비발광 영역으로 구분되는 화소가 복수개 구비되는 기판, 및 상기 기판 상의 발광 영역에 형성되며 구동 회로부의 구동 신호에 따라 발광하는 발광부를 포함하며, 상기 발광부는 상기 구동 회로부와 전기적으로 연결된 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 형성되며, 상기 발광 영역에 배치된 유기층, 상기 유기층을 덮으며, 상기 발광 영역과 상기 비발광 영역에 배치된 제2 전극, 그리고 상기 비발광 영역에서 상기 제2 전극 상에 형성된 보조 전극을 포함한다.In order to achieve the above object, an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention includes a substrate having a plurality of pixels divided into a light emitting area and a non-light emitting area around the light emitting area, and a driving circuit part formed in the light emitting area on the substrate. A light emitting part emitting light according to a signal, wherein the light emitting part is formed on a first electrode electrically connected to the driving circuit part, on the first electrode, and covers an organic layer disposed in the light emitting area, the organic layer, and the light emitting area And a second electrode disposed in the non-emitting region, and an auxiliary electrode formed on the second electrode in the non-emitting region.

상기 발광 영역에 대응하는 개구부를 가지고 상기 제2 전극 아래에 배치된 화소 정의막을 더 포함하며, 상기 유기층은 상기 화소 정의막의 개구부에 형성되고, 상기 보조 전극은 상기 화소 정의막 상에 형성될 수 있다.The display device may further include a pixel defining layer having an opening corresponding to the emission area and disposed under the second electrode, wherein the organic layer is formed in the opening of the pixel defining layer, and the auxiliary electrode is formed on the pixel defining layer. .

상기 제2 전극은 금속 박막으로 형성될 수 있다.The second electrode may be formed of a metal thin film.

상기 보조 전극은 투명한 도전성 물질을 포함하여 투광성으로 만들어질 수 있다.The auxiliary electrode may be made transparent by including a transparent conductive material.

상기 보조 전극은 불투명한 도전성 물질을 포함하여 비투광성으로 만들어질 수 있다.The auxiliary electrode may be made non-transmissive including an opaque conductive material.

상기 구동 회로부는 상기 기판 상에 형성된 게이트 전극, 상기 게이트 전극을 덮는 층간 절연막, 상기 층간 절연막 위에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하며, 상기 제1 전극은 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결될 수 있다.The driving circuit unit may include a gate electrode formed on the substrate, an interlayer insulating layer covering the gate electrode, a source electrode and a drain electrode formed on the interlayer insulating layer, and the first electrode may be electrically connected to the drain electrode.

상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 덮으며, 상기 드레인 전극의 일부를 드러내는 컨택홀을 갖는 평탄화막을 더 포함하고, 상기 제1 전극은 상기 평탄화막 위에 형성되며 상기 컨택홀을 통해 상기 드레인 전극과 연결될 수 있다.The planarization layer may further include a planarization layer covering the source electrode and the drain electrode and having a contact hole exposing a portion of the drain electrode. The first electrode may be formed on the planarization layer and may be connected to the drain electrode through the contact hole. have.

다른 예로, 상기 제1 전극은 상기 드레인 전극에서 연장되어 동일한 층에 형성될 수 있다.As another example, the first electrode may extend from the drain electrode and be formed on the same layer.

이에, 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 제조 과정에서 불량이 발생되는 것을 최소화할 수 있다.Thus, the organic light emitting diode display according to the exemplary embodiment of the present invention can minimize the occurrence of defects during the manufacturing process.

이하에서 본 발명의 여러 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.Hereinafter, an organic light emitting diode display according to various embodiments of the present disclosure will be described in detail with reference to the accompanying drawings. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention.

첨부 도면에서는, PMOS 구조의 박막 트랜지스터를 포함한 유기 발광 표시 장치를 도시하고 있다. 그러나 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, NMOS 구조 또는 CMOS 구조의 박막 트랜지스터에도 모두 적용될 수 있다.In the accompanying drawings, an organic light emitting display device including a thin film transistor having a PMOS structure is illustrated. However, the present invention is not necessarily limited thereto, and may be applied to both thin film transistors having an NMOS structure or a CMOS structure.

또한, 첨부 도면에서는, 하나의 화소에 두개의 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)와 하나의 축전 소자(capacitor)를 구비하는 2Tr-1Cap 구조의 능동 구동(active matrix, AM)형 유기 발광 표시 장치를 도시하고 있지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 유기 발광 표시 장치는 하나의 화소에 셋 이상의 박막 트랜지스터와 둘 이상의 축전 소자를 구비할 수 있으며, 별도의 배선이 더 형성되어 다양한 구조를 갖도록 형성할 수도 있다.In addition, in the accompanying drawings, an active matrix (AM) type organic light emitting display having a 2Tr-1Cap structure having two thin film transistors (TFTs) and one capacitor in one pixel. Although illustrated, the present invention is not limited thereto. Accordingly, the organic light emitting diode display may include three or more thin film transistors and two or more capacitors in one pixel, and may be formed to have various structures by further forming additional wires.

본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.In order to clearly describe the present invention, parts irrelevant to the description are omitted, and like reference numerals designate like elements throughout the specification.

또한, 설명에 앞서, 여러 실시예에 있어서, 동일한 구성을 가지는 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 사용하여 대표적으로 제1 실시예에서 설명하고, 그 외의 실시예에서는 제1 실시예와 다른 구성에 대해서만 설명하기로 한다.In addition, prior to description, in the various embodiments, components having the same configuration will be described in the first embodiment by using the same reference numerals, and in other embodiments, only the configuration different from the first embodiment will be described. Let's do it.

또한, 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.In addition, in the drawings, the thickness of layers, films, panels, regions, etc., are exaggerated for clarity. When a portion of a layer, film, region, plate, or the like is said to be "on" or "on" another portion, this includes not only when the other portion is "right over" but also when there is another portion in the middle. On the contrary, when a part is "just above" another part, there is no other part in the middle.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 복수의 화소를 갖는 유기 발광 표시 장치에서 하나의 화소를 개략적으로 도시한 레이아웃이다. 도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ선 을 따라 도시한 단면도이다.1 is a layout schematically illustrating one pixel in an organic light emitting diode display having a plurality of pixels according to a first exemplary embodiment of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line II-II of FIG. 1.

도 1을 참조하여 본 발명의 제1 실시예를 설명한다.A first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는 기판(110)(도 2에 도시) 상에 형성된 화소를 복수개 구비하며, 상기 화소를 이용하여 화면을 형성한다. 여기서, 복수의 화소는 각각 구동 회로부(10, 20, 80)와 발광부(70)를 포함한다. 또한, 복수의 화소는 각각 실제 화상을 표시하는 발광 영역과, 발광 영역 주변의 비발광 영역으로 구분된다.The organic light emitting diode display 100 according to the first exemplary embodiment includes a plurality of pixels formed on the substrate 110 (shown in FIG. 2), and forms a screen using the pixels. Here, each of the plurality of pixels includes driving circuit units 10, 20, and 80 and a light emitting unit 70. In addition, the plurality of pixels is divided into a light emitting area displaying an actual image and a non-light emitting area around the light emitting area.

즉, 유기 발광 표시 장치(100)는 발광 영역과 비발광 영역으로 구분되는 기판(110)과, 기판(110) 상에 형성된 구동 회로부(10, 20, 80)와, 구동 회로부(10, 20, 80)와 전기적으로 연결된 발광부(70)를 포함한다. 그리고 유기 발광 표시 장치(100)는 일 방향을 따라 배치되는 게이트 라인(151)과, 게이트 라인(151)과 절연 교차되는 데이터 라인(171) 및 공통 전원 라인(172)을 더 포함한다.That is, the organic light emitting diode display 100 includes a substrate 110 that is divided into a light emitting region and a non-light emitting region, driving circuit units 10, 20, and 80 formed on the substrate 110, and driving circuit units 10, 20, The light emitting unit 70 is electrically connected to the 80. The OLED display 100 further includes a gate line 151 disposed along one direction, a data line 171 and a common power line 172 that are insulated from and cross the gate line 151.

여기서, 구동 회로부는 제1 박막 트랜지스터(10), 제2 박막 트랜지스터(20), 그리고 축전 소자(80)를 포함한다.Here, the driving circuit unit includes a first thin film transistor 10, a second thin film transistor 20, and a power storage device 80.

발광부(70)는 유기 발광 다이오드(organic light emitting diode, OLED)를 포함한다. 유기 발광 다이오드는 정공 주입 전극인 양(+)극, 전자 주입 전극인 음(-)극, 양(+)극과 음(-)극 사이에 배치된 유기층을 포함하는 구조를 가지며, 각 전극으로부터 각각 정공과 전자를 유기층 내부로 주입시켜 주입된 정공과 전자가 결합한 엑시톤(exiton)이 여기상태로부터 기저상태로 떨어질 때 발광이 이루어진다.The light emitting unit 70 includes an organic light emitting diode (OLED). The organic light emitting diode has a structure including an organic layer disposed between a positive electrode, which is a hole injection electrode, a negative electrode, which is an electron injection electrode, and a positive and negative electrode, and from each electrode Each of the holes and electrons is injected into the organic layer to emit light when the exciton in which the injected holes and electrons are combined falls from the excited state to the ground state.

여기서, 양극은 제2 박막 트랜지스터(20)에 연결된 제1 전극(710)이며, 음극은 제2 전극(730)(도 2에 도시)과 보조 전극(740)이 된다.Here, the anode is the first electrode 710 connected to the second thin film transistor 20, and the cathode is the second electrode 730 (shown in FIG. 2) and the auxiliary electrode 740.

그리고 발광 영역은 유기층(720)(도 2에 도시)이 형성되는 영역을 말하며, 비발광 영역은 발광 영역의 주변 영역을 말한다.The light emitting region refers to a region where the organic layer 720 (shown in FIG. 2) is formed, and the non-light emitting region refers to a peripheral region of the light emitting region.

또한, 음극을 이루는 제2 전극(730)은 발광 영역과 비발광 영역 모두에 걸쳐 형성되며, 음극을 이루는 또 다른 전극인 보조 전극(740)은 비발광 영역에만 형성된다.In addition, the second electrode 730 constituting the cathode is formed over both the light emitting region and the non-light emitting region, and the auxiliary electrode 740 which is another electrode constituting the cathode is formed only in the non-light emitting region.

이와 같은 구조에 따라, 보조 전극(740)을 형성하는 과정에서 발광 영역 상의 제2 전극(730)이 손상되는 것을 방지할 수 있다. 즉, 발광 영역에는 보조 전 극(740)을 형성하지 않음으로써, 보조 전극(740)을 형성하는 과정에서 높은 온도로 인하여 발광 영역 상의 제2 전극(730)이 손상되는 것을 방지한다. 이에, 발광 영역 상의 제2 전극(730)이 손상되어 화소 불량이 일어나는 것을 억제할 수 있다.According to such a structure, it is possible to prevent the second electrode 730 on the emission region from being damaged in the process of forming the auxiliary electrode 740. That is, since the auxiliary electrode 740 is not formed in the emission area, the second electrode 730 on the emission area is prevented from being damaged due to the high temperature in the process of forming the auxiliary electrode 740. Accordingly, damage to the second electrode 730 on the emission region may be prevented.

축전 소자(80)는 층간 절연막을 사이에 두고 배치된 하부 전극(158)과 상부 전극(178)을 포함한다.The electrical storage device 80 includes a lower electrode 158 and an upper electrode 178 disposed with an interlayer insulating film therebetween.

제1 박막 트랜지스터(10) 및 제2 박막 트랜지스터(20)는 각각 게이트 전극(152, 155), 소스 전극(173, 176), 드레인 전극(174, 177) 및 반도체층(131, 132)을 갖는다.The first thin film transistor 10 and the second thin film transistor 20 have gate electrodes 152 and 155, source electrodes 173 and 176, drain electrodes 174 and 177, and semiconductor layers 131 and 132, respectively. .

제1 박막 트랜지스터(10)는 발광시키고자 하는 화소를 선택하는 스위칭 소자로 사용된다. 제1 박막 트랜지스터(10)의 제1 게이트 전극(152)은 게이트 라인(151)과 전기적으로 연결되고, 제1 소스 전극(173)은 데이터 라인(171)과 연결되며, 제1 드레인 전극(176)은 축전 소자(80)의 하부 전극(158)과 연결된다.The first thin film transistor 10 is used as a switching element for selecting a pixel to emit light. The first gate electrode 152 of the first thin film transistor 10 is electrically connected to the gate line 151, the first source electrode 173 is connected to the data line 171, and the first drain electrode 176. ) Is connected to the lower electrode 158 of the power storage element 80.

제2 박막 트랜지스터(20)는 선택된 발광부(70)의 유기층을 발광시키기 위한 구동 전원을 제1 전극(710)에 인가한다. 제2 박막 트랜지스터(20)의 제2 게이트 전극(155)은 축전 소자(80)의 하부 전극(158)과 연결되고, 제2 소스 전극(176)은 공통 전원 라인(172)과 연결된다. 그리고 제2 박막 트랜지스터(20)의 제2 드레인 전극(177)은 평탄화막(180)(도 2에 도시)을 사이에 두고 컨택홀(181)을 통해 발광부(70)의 제1 전극(710)과 연결된다. 여기서, 제1 전극(710)은 발광부(70)의 양극이 된다. 그러나 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 유기 발광 표시 장치(100)의 구동 방법에 따라 제1 전극(710)이 발광부(70)의 음극이 될 수도 있 다.The second thin film transistor 20 applies driving power to the first electrode 710 to emit light of the organic layer of the selected light emitting part 70. The second gate electrode 155 of the second thin film transistor 20 is connected to the lower electrode 158 of the power storage device 80, and the second source electrode 176 is connected to the common power line 172. The second drain electrode 177 of the second thin film transistor 20 has the planarization film 180 (shown in FIG. 2) interposed therebetween and the first electrode 710 of the light emitting part 70 through the contact hole 181. ). Here, the first electrode 710 becomes an anode of the light emitting part 70. However, the present invention is not necessarily limited thereto, and the first electrode 710 may be a cathode of the light emitting part 70 according to the driving method of the organic light emitting diode display 100.

이와 같은 구조에 의하여, 제1 박막 트랜지스터(10)는 게이트 라인(151)에 인가되는 게이트 전압에 의해 구동되어 데이터 라인(171)에 인가되는 데이터 전압을 제2 박막 트랜지스터(20)로 전달하는 역할을 한다. 공통 전원 라인(172)으로부터 제2 박막 트랜지스터(20)에 인가되는 공통 전압과 제1 박막 트랜지스터(10)로부터 전달된 데이터 전압의 차에 해당하는 전압이 축전 소자(80)에 저장되고, 축전 소자(80)에 저장된 전압에 대응하는 전류가 제2 박막 트랜지스터(20)를 통해 발광부(70)로 흘러 발광부(70)가 발광하게 된다.As a result, the first thin film transistor 10 is driven by the gate voltage applied to the gate line 151 to transfer the data voltage applied to the data line 171 to the second thin film transistor 20. Do it. The voltage corresponding to the difference between the common voltage applied to the second thin film transistor 20 from the common power supply line 172 and the data voltage transmitted from the first thin film transistor 10 is stored in the power storage device 80, and the power storage device A current corresponding to the voltage stored at 80 flows through the second thin film transistor 20 to the light emitting unit 70 so that the light emitting unit 70 emits light.

또한, 도 1에 도시하지는 않았으나, 발광 영역에 대응하는 개구부를 가지고 각각의 화소를 정의하는 화소 정의막(190)(도 2에 도시)을 더 포함한다. 화소 정의막(190)은 제2 전극(730) 아래에 배치되며, 화소 정의막(190)의 개구부에는 유기층(720)(도 2에 도시)이 배치된다. 그리고 보조 전극(740)은 화소 정의막(190) 상에 형성된다.Although not shown in FIG. 1, the device further includes a pixel defining layer 190 (shown in FIG. 2) having an opening corresponding to the emission area and defining each pixel. The pixel defining layer 190 is disposed under the second electrode 730, and an organic layer 720 (shown in FIG. 2) is disposed in the opening of the pixel defining layer 190. The auxiliary electrode 740 is formed on the pixel defining layer 190.

도 2를 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)의 구조에 대해 구체적으로 설명한다.The structure of the organic light emitting diode display 100 according to the first exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. 2.

도 2는 제2 박막 트랜지스터(20) 및 발광부(70)를 중심으로 도시하고 있다. 이하에서는 제2 박막 트랜지스터(20)를 중심으로 박막 트랜지스터의 구조에 대해 설명한다. 제1 박막 트랜지스터(10)는 그 구조가 제2 박막 트랜지스터(20)와 동일하므로 그 자세한 설명은 생략한다.2 illustrates the second thin film transistor 20 and the light emitting unit 70. Hereinafter, the structure of the thin film transistor will be described with reference to the second thin film transistor 20. Since the structure of the first thin film transistor 10 is the same as that of the second thin film transistor 20, a detailed description thereof will be omitted.

도 2에 도시한 바와 같이, 유리, 석영, 세라믹, 플라스틱 등으로 이루어진 절연성 기판 또는 스테인리스 강 등으로 이루어진 금속성 기판으로 형성되는 기판(110) 위에 버퍼층(120)이 형성된다. 버퍼층(120)은 불순 원소의 침투를 방지하며 표면을 평탄화하는 역할을 하는 것으로, 이러한 역할을 수행할 수 있는 다양한 물질로 형성될 수 있다. 그러나 버퍼층(120)은 반드시 필요한 것은 아니며, 기판(110)의 종류 및 공정 조건에 따라 생략될 수도 있다.As shown in FIG. 2, a buffer layer 120 is formed on a substrate 110 formed of an insulating substrate made of glass, quartz, ceramic, plastic, or the like, or a metallic substrate made of stainless steel or the like. The buffer layer 120 serves to prevent infiltration of impurities and planarize the surface, and may be formed of various materials capable of performing such a role. However, the buffer layer 120 is not necessarily required, and may be omitted depending on the type of substrate 110 and process conditions.

버퍼층(120) 위에는 반도체층(132)이 형성된다. 반도체층(132)은 다결정 규소로 형성될 수 있다. 반도체층(132)은 불순물이 도핑되지 않은 채널 영역(135)과, 채널 영역(135)의 양 옆으로 p+ 도핑되어 형성된 소스 영역(136) 및 드레인 영역(137)을 포함한다. 이 때, 도핑되는 이온 물질은 붕소(B)와 같은 P형 불순물이며, 주로 B2H6이 사용된다. 여기서, 이러한 불순물은 박막 트랜지스터의 종류에 따라 달라진다.The semiconductor layer 132 is formed on the buffer layer 120. The semiconductor layer 132 may be formed of polycrystalline silicon. The semiconductor layer 132 includes a channel region 135 in which impurities are not doped, and a source region 136 and a drain region 137 formed by p + doping on both sides of the channel region 135. At this time, the doped ionic material is a P-type impurity such as boron (B), and mainly B 2 H 6 is used. Here, such impurities vary depending on the type of thin film transistor.

반도체층(132) 위에는 규소 산화물 또는 규소 질화물로 형성된 게이트 절연막(140)이 형성된다. 게이트 절연막(140) 위에 게이트 전극(155)을 포함하는 게이트 배선이 형성된다. 그리고 도 2에 도시하지는 않았지만, 게이트 배선은 게이트 라인(151)(도 1에 도시), 하부 전극(158)(도 1에 도시) 및 그 밖에 배선을 더 포함한다. 이 때, 게이트 전극(155)은 반도체층(132)의 적어도 일부, 특히 채널 영역(135)과 중첩되도록 형성된다.A gate insulating layer 140 formed of silicon oxide or silicon nitride is formed on the semiconductor layer 132. A gate wiring including the gate electrode 155 is formed on the gate insulating layer 140. Although not shown in FIG. 2, the gate wiring further includes a gate line 151 (shown in FIG. 1), a lower electrode 158 (shown in FIG. 1), and other wiring. In this case, the gate electrode 155 is formed to overlap at least a portion of the semiconductor layer 132, particularly the channel region 135.

도 2에서 도시한 바와 달리, 게이트 배선은 다중층으로 형성될 수 있다. 일예를 들면, 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 하부층으로 사용하고 몰리브덴-텅스텐 또는 몰리브덴-텅스텐 나이트라이드를 상부층으로 사용하는 것이다. 이는 하부층으로 배선저항에 의한 신호저항을 막기 위해 비저항이 작은 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 사용하고, 상부층으로 화학약품에 의한 내식성이 약하며 쉽게 산화되어 단선이 발생되는 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 단점을 보완하기 위해 화학약품에 대한 내식성이 강한 몰리브덴-텅스텐 또는 몰리브덴-텅스텐 나이트라이드를 사용하는 것이다. 근래에는 몰리브덴, 알루미늄, 티타늄, 텅스텐 등이 배선재료로 각광받고 있다.Unlike in FIG. 2, the gate wirings may be formed in multiple layers. For example, aluminum or an aluminum alloy is used as the lower layer and molybdenum-tungsten or molybdenum-tungsten nitride is used as the upper layer. The lower layer uses aluminum or aluminum alloy with low specific resistance to prevent signal resistance due to wiring resistance, and the upper layer uses chemicals to compensate for the shortcomings of aluminum or aluminum alloy where corrosion resistance by chemicals is weak and easily oxidized to cause disconnection. It is to use molybdenum-tungsten or molybdenum-tungsten nitride which are highly corrosion-resistant to chemicals. In recent years, molybdenum, aluminum, titanium, tungsten, and the like have been spotlighted as wiring materials.

게이트 절연막(140) 상에는 게이트 전극(155)을 덮는 층간 절연막(160)이 형성된다. 게이트 절연막(140)과 층간 절연막(160)은 반도체층(132)의 소스 영역(136) 및 드레인 영역(137)을 드러내는 컨택홀들(166, 167)을 가지고 있다. 여기서, 소스 영역(136)을 드러내는 컨택홀을 제1 컨택홀(166)이라하고, 드레인 영역(137)을 드러내는 컨택홀을 제2 컨택홀(167)이라 한다.An interlayer insulating layer 160 covering the gate electrode 155 is formed on the gate insulating layer 140. The gate insulating layer 140 and the interlayer insulating layer 160 have contact holes 166 and 167 exposing the source region 136 and the drain region 137 of the semiconductor layer 132. The contact hole exposing the source region 136 is referred to as a first contact hole 166, and the contact hole exposing the drain region 137 is referred to as a second contact hole 167.

층간 절연막(160) 위에는 소스 전극(176) 및 드레인 전극(177)을 포함하는 데이터 배선이 형성된다. 그리고 도 2에 도시하지는 않았지만, 데이터 배선은 데이터 라인(171)(도 1에 도시), 공통 전원 라인(172)(도 1에 도시), 상부 전극(178)(도 1에 도시) 및 그 밖에 배선을 더 포함한다. 여기서, 소스 전극(176) 및 드레인 전극(177)은 각각 컨택홀들(166, 167)을 통해 반도체층(132)의 소스 영역(136) 및 드레인 영역(137)과 연결된다.A data line including a source electrode 176 and a drain electrode 177 is formed on the interlayer insulating layer 160. Although not shown in FIG. 2, the data wiring includes data line 171 (shown in FIG. 1), common power line 172 (shown in FIG. 1), upper electrode 178 (shown in FIG. 1), and the like. It further includes wiring. Here, the source electrode 176 and the drain electrode 177 are connected to the source region 136 and the drain region 137 of the semiconductor layer 132 through the contact holes 166 and 167, respectively.

또한, 데이터 배선은, 게이트 배선과 마찬가지로, 서로 다른 이종의 재질로 만들어진 다중층으로 형성하여 각 재질이 갖는 단점을 보완할 수 있다.In addition, like the gate wiring, the data wiring may be formed of multiple layers made of different heterogeneous materials to compensate for the disadvantage of each material.

또한, 게이트 배선 및 데이터 배선의 구조는 본 실시예에 반드시 한정되는 것은 아니다. 따라서 박막 트랜지스터(10, 20) 및 기타 회로 배선의 구조에 따라 다양하게 변형될 수 있다. 즉, 게이트 라인, 데이터 라인, 공통 전원 라인 및 그 밖의 구성이 본 실시예와 다른 층에 형성될 수도 있다.Note that the structures of the gate wirings and data wirings are not necessarily limited to this embodiment. Therefore, various modifications may be made depending on the structure of the thin film transistors 10 and 20 and other circuit wirings. That is, a gate line, a data line, a common power supply line, and other configurations may be formed in a layer different from this embodiment.

이와 같이 형성된 반도체층(132), 게이트 전극(155), 소스 전극(176) 및 드레인 전극(177)을 포함하여 박막 트랜지스터(20)가 만들어진다.The thin film transistor 20 is formed by including the semiconductor layer 132, the gate electrode 155, the source electrode 176, and the drain electrode 177 formed as described above.

층간 절연막(160) 상에는 데이터 배선을 덮는 평탄화막(180)이 형성된다. 평탄화막(180)은 그 위에 형성될 발광부(70)의 발광 효율을 높이기 위해 단차를 없애고 평탄화시키는 역할을 한다. 또한, 평탄화막(180)은 드레인 전극(177)의 일부를 노출시키는 컨택홀(181)을 갖는다. 이하에서 드레인 전극(177)의 일부를 노출시키는 컨택홀(181)은 제3 컨택홀이라 한다.The planarization layer 180 covering the data line is formed on the interlayer insulating layer 160. The planarization layer 180 serves to eliminate the step difference and planarize to increase the luminous efficiency of the light emitting unit 70 to be formed thereon. In addition, the planarization layer 180 has a contact hole 181 exposing a part of the drain electrode 177. Hereinafter, the contact hole 181 exposing a part of the drain electrode 177 is called a third contact hole.

이러한 평탄화막(180)은 평탄화 특성이 우수한 폴리아미드(polyamide)를 포함한 소재로 만들어진다. 이와 같이, 폴리아미드를 사용하여 평탄화막(180)의 평탄화 특성을 향상시킴으로써, 평탄화막(180) 상에 형성될 유기층(720)이 고른 두께를 갖도록 형성할 수 있게 된다. 따라서 균일한 휘도를 갖도록 유기층(720)을 형성할 수 있어 발광 효율을 높일 수 있다. 또한, 평탄화막(180) 상에 형성될 여러 도전층의 단선 및 단락과 같은 불량의 발생을 예방할 수 있다.The planarization layer 180 is made of a material including polyamide having excellent planarization characteristics. As such, by using the polyamide to improve the planarization property of the planarization layer 180, the organic layer 720 to be formed on the planarization layer 180 may be formed to have an even thickness. Therefore, the organic layer 720 may be formed to have a uniform brightness, thereby improving luminous efficiency. In addition, occurrence of defects such as disconnection and short circuit of the various conductive layers to be formed on the planarization layer 180 can be prevented.

평탄화막(180) 위에는 제1 전극(710)이 형성된다. 제1 전극(710)은 제3 컨택홀(181)을 통하여 드레인 전극(177)과 연결된다.The first electrode 710 is formed on the planarization layer 180. The first electrode 710 is connected to the drain electrode 177 through the third contact hole 181.

그리고 평탄화막(180) 상에는 화소 정의막(190)이 형성된다. 화소 정의 막(190)은 제1 전극(710)을 노출시키는 개구부를 갖는다. 그리고 개구부 내의 제1 전극(710) 상에는 유기층(720)이 형성되고, 화소 정의막(190) 및 유기층(720)상에는 제2 전극(730)이 형성된다. 이와 같이, 화소 정의막(190)의 개구부 내에 유기층(720)이 형성되므로, 화소 정의막(190)의 개구부는 실질적으로 발광 영역이 된다. 즉, 화소 정의막(190)은 발광 영역에 대응하는 개구부를 갖는다.The pixel defining layer 190 is formed on the planarization layer 180. The pixel defining layer 190 has an opening exposing the first electrode 710. The organic layer 720 is formed on the first electrode 710 in the opening, and the second electrode 730 is formed on the pixel defining layer 190 and the organic layer 720. As described above, since the organic layer 720 is formed in the opening of the pixel defining layer 190, the opening of the pixel defining layer 190 substantially becomes an emission region. That is, the pixel defining layer 190 has an opening corresponding to the emission area.

또한, 비발광 영역에서 제2 전극(730) 바로 위에 보조 전극(740)이 형성된다. 즉, 보조 전극(740)은 화소 정의막(190) 상에 형성된다.In addition, the auxiliary electrode 740 is formed directly on the second electrode 730 in the non-light emitting region. That is, the auxiliary electrode 740 is formed on the pixel defining layer 190.

이와 같이, 제1 전극(710), 유기층(720), 제2 전극(730) 및 보조 전극(740)은 발광부(70)인 유기 발광 다이오드(organic light emitting diode, OLED)를 형성한다.As such, the first electrode 710, the organic layer 720, the second electrode 730, and the auxiliary electrode 740 form an organic light emitting diode (OLED), which is the light emitting unit 70.

또한, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는 전면 발광형으로 제1 전극(710)은 반사형 물질로 형성된다. 반사형 물질로는 리튬(Li), 칼슘(Ca), 플루오르화리튬/칼슘(LiF/Ca), 플루오르화리튬/알루미늄(LiF/Al), 알루미뮴(Al), 은(Ag), 마그네슘(Mg) 등의 물질을 사용할 수 있다.In addition, the organic light emitting diode display 100 according to the first exemplary embodiment is a top emission type, and the first electrode 710 is formed of a reflective material. Reflective materials include lithium (Li), calcium (Ca), lithium fluoride / calcium (LiF / Ca), lithium fluoride / aluminum (LiF / Al), aluminium (Al), silver (Ag), magnesium ( Mg) and the like can be used.

그리고 제2 전극(730)은 도전성이 뛰어난 얇은 금속 박막으로 형성된다. 즉, 제2 전극(730)은 유기층(720)에서 발광되는 빛이 제2 전극을 통과해 표시될 수 있을 만큼 얇은 두께를 갖는다. 하지만, 얇은 두께로 인하여 단락 등의 불량이 발생할 수 있다. 이에, 제2 전극(730) 위에 보조 전극(740)을 형성하여 제2 전극(730)을 보완한다.The second electrode 730 is formed of a thin metal thin film having excellent conductivity. That is, the second electrode 730 has a thickness thin enough that light emitted from the organic layer 720 can be displayed through the second electrode. However, due to the thin thickness, defects such as short circuits may occur. Accordingly, the auxiliary electrode 740 is formed on the second electrode 730 to compensate for the second electrode 730.

보조 전극(740)은 투명한 도전성 물질로 형성한다. 이에, 보조 전극은 투광 성을 갖는다. 투명한 도전성 물질로는 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO(산화 아연) 또는 In2O3(Indium Oxide) 등의 물질을 사용할 수 있다.The auxiliary electrode 740 is formed of a transparent conductive material. As a result, the auxiliary electrode is transparent. As the transparent conductive material, materials such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), or indium oxide (In 2 O 3 ) may be used.

그러나 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 보조 전극(740)은 불투명한 도전성 물질로 형성할 수 있으며, 이 때에는 보조 전극(740)이 비투광성을 갖는다. 불투명한 도전성 물질로는 제1 전극(710) 또는 제2 전극(730)과 동일한 소재나, 그 밖에 금속성 물질, 또는 도전성 플라스틱 등이 사용될 수 있다.However, the present invention is not necessarily limited thereto. Therefore, the auxiliary electrode 740 may be formed of an opaque conductive material, and at this time, the auxiliary electrode 740 is non-transparent. As the opaque conductive material, the same material as the first electrode 710 or the second electrode 730 may be used, or a metallic material, a conductive plastic, or the like may be used.

그리고 보조 전극(740)은 비발광 영역에만 형성한다. 따라서 보조 전극(740)을 형성하는 과정에서 발광 영역 상의 제2 전극(730)이 손상되는 것을 방지한다.The auxiliary electrode 740 is formed only in the non-light emitting area. Therefore, the second electrode 730 on the emission area is prevented from being damaged in the process of forming the auxiliary electrode 740.

유기층(720)은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물로 이루어질 수 있다. 이러한 유기층(720)은 유기 발광층을 포함하며, 유기 발광층을 이루는 물질에 따라 이의 주위에 형성된 정공 주입층(hole-injection layer, HIL), 정공 수송층(hole-transporting layer, HTL), 정공 저지층(hole blocking layer), 전자 수송층(electron-transportiong layer, ETL), 전자 주입층(electron-injection layer, EIL), 전자 저지층(electron blocking layer, EBL) 등을 더 포함할 수 있다.The organic layer 720 may be formed of a low molecular weight organic material or a high molecular weight organic material. The organic layer 720 includes an organic light emitting layer, and includes a hole-injection layer (HIL), a hole-transporting layer (HTL), and a hole blocking layer (HIL) formed around the organic light emitting layer. and a hole blocking layer, an electron transport layer (ETL), an electron injection layer (EIL), an electron blocking layer (EBL), and the like.

또한, 도 2에는 도시하지 않았으나, 제2 전극(730) 위로 봉지 부재가 더 형성될 수 있다.In addition, although not shown in FIG. 2, an encapsulation member may be further formed on the second electrode 730.

이와 같은 구성에 의하여, 보조 전극(740)을 형성하는 과정에서 발광 영역 상의 제2 전극(730)이 손상되는 것을 방지할 수 있다. 즉, 발광 영역에는 보조 전극(740)을 형성하지 않음으로써, 보조 전극(740)을 형성하는 과정에서 높은 온도로 인하여 발광 영역 상의 제2 전극(730)이 손상되는 것을 방지한다. 이에, 발광 영역 상의 제2 전극(730)이 손상되어 화소 불량이 일어나는 것을 억제할 수 있다.By such a configuration, it is possible to prevent the second electrode 730 on the emission region from being damaged in the process of forming the auxiliary electrode 740. That is, since the auxiliary electrode 740 is not formed in the emission area, the second electrode 730 on the emission area is prevented from being damaged due to the high temperature in the process of forming the auxiliary electrode 740. Accordingly, damage to the second electrode 730 on the emission region may be prevented.

따라서 유기 발광 표시 장치의 제조 과정에서 불량의 발생을 최소화할 수 있다.Therefore, the occurrence of defects can be minimized in the manufacturing process of the OLED display.

도 3 및 도 4를 참조하여 본 발명의 제2 실시예를 설명한다.A second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 3 and 4.

본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(200)는 제2 박막 트랜지스터(20) 및 발광부(70)를 중심으로 하여 제1 실시예와 다른 구성을 위주로 설명한다. 본 발명의 제2 실시예에 따른 설명에서 특별하게 언급되지 않은 내용은 제1 실시예와 동일하다.The organic light emitting diode display 200 according to the second exemplary embodiment of the present invention focuses on the second thin film transistor 20 and the light emitting unit 70, with a configuration different from that of the first exemplary embodiment. The content not specifically mentioned in the description according to the second embodiment of the present invention is the same as the first embodiment.

기판(110) 위에 버퍼층(120)이 형성되고, 버퍼층(120) 위에 반도체층(132)이 형성된다. 여기서, 버퍼층(120)은 생략될 수 있다. 반도체층(132) 위에는 게이트 절연막(40)이 형성되고, 게이트 절연막(40) 위에 게이트 전극(155)을 포함하는 게이트 배선이 형성된다. 이 때, 게이트 전극(155)은 반도체층(132)의 적어도 일부, 특히 채널 영역(135)과 중첩되도록 형성된다.The buffer layer 120 is formed on the substrate 110, and the semiconductor layer 132 is formed on the buffer layer 120. Here, the buffer layer 120 may be omitted. A gate insulating film 40 is formed on the semiconductor layer 132, and a gate wiring including the gate electrode 155 is formed on the gate insulating film 40. In this case, the gate electrode 155 is formed to overlap at least a portion of the semiconductor layer 132, particularly the channel region 135.

게이트 절연막(140) 상에는 게이트 배선을 덮는 층간 절연막(160)이 형성된다. 여기서, 층간 절연막(160)은 평탄화 특성이 우수한 물질로 만들어진다. 이에, 층간 절연막(160)은 층간 절연막(160) 아래의 여러 막들을 형성하는 과정에서 발생한 단차를 없애어 층간 절연막(160) 상에 형성될 여러 배선의 단선 및 단락을 방지한다. 또한, 층간 절연막(160) 상에 형성될 발광부(70)의 발광 효율을 높일 수 있다. 이는 발광부(70)의 유기층(720)이 평탄한 면에 골고루 형성되어 안정적으로 발광될 수 있기 때문이다.An interlayer insulating layer 160 covering the gate line is formed on the gate insulating layer 140. Here, the interlayer insulating layer 160 is made of a material having excellent planarization characteristics. Thus, the interlayer insulating layer 160 eliminates the step difference generated in the process of forming the various layers under the interlayer insulating layer 160, thereby preventing the disconnection and the short circuit of the various lines to be formed on the interlayer insulating layer 160. In addition, the luminous efficiency of the light emitting part 70 to be formed on the interlayer insulating layer 160 may be increased. This is because the organic layer 720 of the light emitting unit 70 may be uniformly formed on a flat surface and thus emit light stably.

게이트 절연막(140)과 층간 절연막(160)은 반도체층(132)의 소스 영역(136) 및 드레인 영역(137)을 드러내는 컨택홀들(166, 167)을 가지고 있다.The gate insulating layer 140 and the interlayer insulating layer 160 have contact holes 166 and 167 exposing the source region 136 and the drain region 137 of the semiconductor layer 132.

층간 절연막(160) 위에는 소스 전극(176) 및 드레인 전극(177)을 포함하는 데이터 배선이 형성된다. 여기서, 소스 전극(176) 및 드레인 전극(177)은 각각 컨택홀(166, 167)을 통해 반도체층(132)의 소스 영역(136) 및 드레인 영역(137)과 연결된다.A data line including a source electrode 176 and a drain electrode 177 is formed on the interlayer insulating layer 160. The source electrode 176 and the drain electrode 177 are connected to the source region 136 and the drain region 137 of the semiconductor layer 132 through the contact holes 166 and 167, respectively.

또한, 발광부(70)의 제1 전극(710)이 데이터 배선, 특히 제2 박막 트랜지스터(20)의 드레인 전극(177)과 동일한 층에 형성되어 연결된다. 즉, 제2 박막 트랜지스터(20)의 드레인 전극(177)은 발광부(70)의 제1 전극(710)에서 일체로 연장 형성된다.In addition, the first electrode 710 of the light emitting unit 70 is formed and connected to the same layer as the drain electrode 177 of the data line, in particular, the second thin film transistor 20. That is, the drain electrode 177 of the second thin film transistor 20 extends integrally from the first electrode 710 of the light emitting part 70.

층간 절연막(160) 상에는 데이터 배선을 덮는 화소 정의막(190)이 형성된다. 화소 정의막(190)은 발광부(70)의 제1 전극(710)을 노출시키는 개구부를 갖는다. 그리고 개구부 내의 제1 전극(710) 상에는 유기층(720)이 형성되고, 화소 정의막(190) 및 유기층(720)상에는 제2 전극(730)이 형성된다. 즉, 유기층(720)은 화소 정의막(190)의 개구부 내에서 제1 전극(710)과 제2 전극(730) 사이에 배치된다.The pixel defining layer 190 covering the data line is formed on the interlayer insulating layer 160. The pixel defining layer 190 has an opening that exposes the first electrode 710 of the emission part 70. The organic layer 720 is formed on the first electrode 710 in the opening, and the second electrode 730 is formed on the pixel defining layer 190 and the organic layer 720. That is, the organic layer 720 is disposed between the first electrode 710 and the second electrode 730 in the opening of the pixel defining layer 190.

이와 같이, 화소 정의막(190)의 개구부 내에 유기층(720)이 형성되므로, 화소 정의막(190)의 개구부는 실질적으로 발광 영역이 된다. 즉, 화소 정의막(190)은 발광 영역에 대응하는 개구부를 갖는다.As described above, since the organic layer 720 is formed in the opening of the pixel defining layer 190, the opening of the pixel defining layer 190 substantially becomes an emission region. That is, the pixel defining layer 190 has an opening corresponding to the emission area.

또한, 비발광 영역에서 제2 전극(730) 바로 위에 보조 전극(740)이 형성된다. 즉, 보조 전극(740)은 화소 정의막(190) 상에 형성된다.In addition, the auxiliary electrode 740 is formed directly on the second electrode 730 in the non-light emitting region. That is, the auxiliary electrode 740 is formed on the pixel defining layer 190.

여기서, 발광 영역은 제1 전극(710)과 유기층(720)이 상호 중첩되는 영역을 말하며, 비발광 영역은 발광 영역의 주변 영역을 말한다.Here, the light emitting region refers to a region where the first electrode 710 and the organic layer 720 overlap each other, and the non-light emitting region refers to a peripheral region of the light emitting region.

이와 같이, 발광부(70)의 제1 전극(710)이 별도의 층을 이루지 않고, 데이터 배선, 특히 제2 박막 트랜지스터(20)의 드레인 전극(177)과 동일한 층에서 드레인 전극(177)과 일체로 형성되므로, 유기 발광 표시 장치(100)의 구조를 더욱 단순화 시킬 수 있다.As such, the first electrode 710 of the light emitting part 70 does not form a separate layer, and the drain electrode 177 and the drain electrode 177 are formed in the same layer as the drain electrode 177 of the data line, in particular, the second thin film transistor 20. Since it is formed integrally, the structure of the organic light emitting diode display 100 may be further simplified.

또한, 이와 같은 구성에 의하여도, 보조 전극(740)을 형성하는 과정에서 발광 영역 상의 제2 전극(730)이 손상되는 것을 방지할 수 있다. 즉, 발광 영역에는 보조 전극(740)을 형성하지 않음으로써, 보조 전극(740)을 형성하는 과정에서 높은 온도로 인하여 발광 영역 상의 제2 전극(730)이 손상되는 것을 방지한다. 이에, 발광 영역 상의 제2 전극(730)이 손상되어 화소 불량이 일어나는 것을 억제할 수 있다.In addition, even in such a configuration, it is possible to prevent the second electrode 730 on the emission region from being damaged in the process of forming the auxiliary electrode 740. That is, since the auxiliary electrode 740 is not formed in the emission area, the second electrode 730 on the emission area is prevented from being damaged due to the high temperature in the process of forming the auxiliary electrode 740. Accordingly, damage to the second electrode 730 on the emission region may be prevented.

따라서 유기 발광 표시 장치의 제조 과정에서 불량의 발생을 최소화할 수 있다.Therefore, the occurrence of defects can be minimized in the manufacturing process of the OLED display.

본 발명을 앞서 기재한 바에 따라 설명하였지만, 다음에 기재하는 특허청구범위의 개념과 범위를 벗어나지 않는 한, 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것을 본 발명이 속하는 기술 분야에 종사하는 자들은 쉽게 이해할 것이다.Although the present invention has been described above, it will be readily understood by those skilled in the art that various modifications and variations are possible without departing from the spirit and scope of the claims set out below.

이상 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 제조 과정에서 불량의 발생을 최소화할 수 있다.As described above, the organic light emitting diode display according to the present invention can minimize the occurrence of defects during the manufacturing process.

즉, 발광 영역에는 보조 전극을 형성하지 않음으로써, 보조 전극을 형성하는 과정에서 높은 온도로 인하여 발광 영역 상의 제2 전극이 손상되는 것을 방지할 수 있다.That is, by not forming the auxiliary electrode in the light emitting region, it is possible to prevent the second electrode on the light emitting region from being damaged due to the high temperature in the process of forming the auxiliary electrode.

따라서 발광 영역 상의 제2 전극이 손상되어 화소 불량이 일어나는 것을 억제할 수 있다.Therefore, damage to the second electrode on the light emitting region and occurrence of pixel defects can be suppressed.

Claims (8)

발광 영역과 상기 발광 영역 주변의 비발광 영역으로 구분되는 화소가 복수개 구비되는 기판, 및A substrate having a plurality of pixels which are divided into a light emitting area and a non-light emitting area around the light emitting area; 상기 기판 상의 발광 영역에 형성되며 구동 회로부의 구동 신호에 따라 발광하는 발광부A light emitting part formed in a light emitting area on the substrate and emitting light according to a driving signal of a driving circuit part; 를 포함하며,Including; 상기 발광부는,The light emitting unit, 상기 구동 회로부와 전기적으로 연결된 제1 전극,A first electrode electrically connected to the driving circuit unit; 상기 제1 전극 상에 형성되며, 상기 발광 영역에 배치된 유기층,An organic layer formed on the first electrode and disposed in the emission region; 상기 유기층을 덮으며, 상기 발광 영역과 상기 비발광 영역에 배치된 제2 전극, 그리고A second electrode covering the organic layer and disposed in the light emitting region and the non-light emitting region, and 상기 비발광 영역에서 상기 제2 전극 상에 형성된 보조 전극을 포함하며,An auxiliary electrode formed on the second electrode in the non-light emitting area, 상기 구동 회로부는,The driving circuit unit, 상기 기판상에 형성된 게이트 전극, A gate electrode formed on the substrate, 상기 게이트 전극을 덮는 층간 절연막,An interlayer insulating film covering the gate electrode, 상기 층간 절연막 위에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극Source and drain electrodes formed on the interlayer insulating film 을 포함하며,Including; 상기 제1전극은 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결된 유기 발광 표시 장치.The first electrode is electrically connected to the drain electrode. 제1항에서,In claim 1, 상기 발광 영역에 대응하는 개구부를 가지고 상기 제2 전극 아래에 배치된 화소 정의막을 더 포함하며,A pixel defining layer having an opening corresponding to the emission area and disposed under the second electrode; 상기 유기층은 상기 화소 정의막의 개구부에 형성되고, 상기 보조 전극은 상기 화소 정의막 상에 형성된 유기 발광 표시 장치.The organic layer is formed in the opening of the pixel defining layer, and the auxiliary electrode is formed on the pixel defining layer. 제2항에서,In claim 2, 상기 제2 전극은 금속 박막으로 형성된 유기 발광 표시 장치.The second electrode is formed of a metal thin film. 제2항에서,In claim 2, 상기 보조 전극은 투명한 도전성 물질을 포함하여 투광성으로 만들어진 유기 발광 표시 장치.The auxiliary electrode includes a transparent conductive material and is made of light transmissive organic light emitting display device. 제2항에서,In claim 2, 상기 보조 전극은 불투명한 도전성 물질을 포함하여 비투광성으로 만들어진 유기 발광 표시 장치.The auxiliary electrode is made of non-transparent organic light emitting display device including an opaque conductive material. 삭제delete 제1항에서,In claim 1, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 덮으며, 상기 드레인 전극의 일부를 드러내는 컨택홀을 갖는 평탄화막을 더 포함하고,A planarization layer covering the source electrode and the drain electrode and having a contact hole exposing a part of the drain electrode; 상기 제1 전극은 상기 평탄화막 위에 형성되며 상기 컨택홀을 통해 상기 드레인 전극과 연결된 유기 발광 표시 장치.The first electrode is formed on the planarization layer and is connected to the drain electrode through the contact hole. 제1항에서,In claim 1, 상기 제1 전극은 상기 드레인 전극에서 연장되어 동일한 층에 형성된 유기 발광 표시 장치.The first electrode extends from the drain electrode and is formed on the same layer.
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