KR100775086B1 - Apparatus and method for detecting foreign substance - Google Patents
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Abstract
Description
도 1은 일반적인 이물질 감지 장치가 설치된 슬릿 코터의 구조를 나타내는 사시도이다.1 is a perspective view illustrating a structure of a slit coater in which a general foreign matter sensing device is installed.
도 2는 도 1에 도시된 슬릿 코터에 의해 포토레지스트가 기판에 도포되는 상태를 도시한 측단면도이다.FIG. 2 is a side cross-sectional view illustrating a state in which photoresist is applied to a substrate by the slit coater shown in FIG. 1.
도 3은 도 1 및 도 2에 도시된 슬릿 코터에서 기판 상의 이물질을 감지하는 상태를 설명하기 위한 정면도이다.FIG. 3 is a front view for explaining a state of sensing foreign matter on a substrate in the slit coater shown in FIGS. 1 and 2.
도 4는 본 발명에 따른 이물질 감지 장치가 설치된 슬릿 코터의 구조를 나타내는 사시도이다.Figure 4 is a perspective view showing the structure of the slit coater is installed foreign matter detection apparatus according to the present invention.
도 5 및 도 6은 도 4에 도시된 슬릿 코터의 측단면도 및 평면도이다. 5 and 6 are side cross-sectional and top views of the slit coater shown in FIG. 4.
도 7 및 도 8은 본 발명에 따른 이물질 감지 장치가 설치된 슬릿 코터에서 기판 상의 이물질을 감지하는 상태를 설명하기 위한 정면도이다.7 and 8 are front views for explaining a state in which a foreign material on the substrate is detected in the slit coater is installed foreign matter detection apparatus according to the present invention.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
102: 기판 척 104: 이물질102: substrate chuck 104: foreign matter
110: 슬릿 노즐 120: 노즐 이송 유닛 110: slit nozzle 120: nozzle transfer unit
200: 슬릿 코터 232: 제1 발광부200: slit coater 232: first light emitting unit
233: 제1 광 234: 제1 수광부233: First light 234: First light receiver
242: 제2 발광부 233: 제2 광242: second light emitting unit 233: second light
244: 제2 수광부 GS: 기판 244: second light receiving unit GS: substrate
PR: 포토레지스트 PR: Photoresist
본 발명은 슬릿 코터에 로딩된 기판 상에 존재하는 이물질을 감지하는 이물질 감지 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 슬릿 코터를 이용하여 기판 상에 포토레지스트를 도포할 때 상기 기판 상에 존재하는 이물질을 감지하고 그의 정확한 위치까지 측정하는 이물질 감지 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a foreign matter detection apparatus and method for detecting a foreign matter present on a substrate loaded in a slit coater, and more particularly, when the photoresist is applied on a substrate using a slit coater. The present invention relates to a foreign matter sensing device and method for detecting a foreign matter and measuring its exact position.
일반적으로 액정표시소자를 제조할 때, 공정 오차는 주로 포토레지스트를 사용하는 포토 공정에서 발생한다. 상기 포토레지스트가 균일하게 도포되지 않으면 후공정에서 해상도, 회로선폭의 차이가 발생하고, 또한 반사율의 차이가 발생하여 화면에 그대로 나타나는 불량을 유발한다. In general, when manufacturing a liquid crystal display device, a process error occurs mainly in a photo process using a photoresist. If the photoresist is not uniformly applied, a difference in resolution and circuit line width may occur in a later process, and a difference in reflectance may also occur, causing a defect to appear on a screen as it is.
최근에는 포토레지스트를 기판 상에 코팅하는 데 필요한 공정 시간을 줄이려는 요구가 있다. 상기 포토레지스트를 짧은 시간 내에 균일하게 도포하고 건조시키는 방법에 대한 연구가 필요하다.Recently, there is a need to reduce the process time required to coat photoresist on a substrate. There is a need for a method of uniformly applying and drying the photoresist in a short time.
포토레지스트를 균일하게 도포하는 방법으로 포토레지스트를 둥근 롤의 외부에 적재한 후 상기 롤을 기판 상에서 일정 방향으로 구름 이동시켜 포토레지스트를 도포하는 롤 코팅 방법과, 원판의 지지체 위에 기판을 올려놓고 상기 기판의 중앙에 포토레지스트를 떨어뜨린 후 회전시켜 원심력에 의해 포토레지스트를 기판에 도포하는 스핀 코팅방법과, 슬릿 형태의 노즐을 통해 포토레지스트를 기판에 토출하면서 일정 방향으로 스캔하여 도포해가는 슬릿 코팅방법이 있다.The method of coating the photoresist uniformly by loading the photoresist on the outside of the round roll and rolling the roll in a predetermined direction on the substrate to apply a photoresist, a roll coating method, and placing the substrate on the support of the disc A spin coating method in which the photoresist is dropped on the center of the substrate and then rotated to apply the photoresist to the substrate by centrifugal force, and a slit coating which is scanned and applied in a predetermined direction while discharging the photoresist to the substrate through a slit nozzle. There is a way.
상기 코팅 방법들 중에서, 롤 코팅 방법은 포토레지스트 막의 균일성 및 막 두께 조정을 정밀하게 수행하기 어려워, 고정밀 패턴 형성용으로는 스핀 코팅 방법이 사용된다. 그러나, 스핀 코팅 방법은 웨이퍼와 같이 크기가 작은 기판에 감광물질을 코팅하는 데 적합하며, 액정 표시 패널용 유리 기판과 같이 크기가 크고 중량이 무거운 평판 표시장치용 기판에는 적합하지 않다. 이는 기판이 크고 무거울수록 기판을 고속으로 회전시키기 어려우며, 고속 회전 시 기판의 파손이나 에너지 소모가 큰 문제점이 있다. 이러한 이유로, 대형 유리 기판 상에 포토레지스트를 코팅하는 방법으로 슬릿 코팅 방법이 주로 사용되고 있다.Among the above coating methods, the roll coating method is difficult to precisely perform uniformity and film thickness adjustment of the photoresist film, and a spin coating method is used for forming a high precision pattern. However, the spin coating method is suitable for coating a photosensitive material on a substrate having a small size, such as a wafer, and is not suitable for a substrate having a large size and a heavy weight, such as a glass substrate for a liquid crystal display panel. This is because the larger and heavier the substrate is, the more difficult it is to rotate the substrate at high speed, and there is a problem in that breakage or energy consumption of the substrate is increased at high speed. For this reason, the slit coating method is mainly used as a method of coating a photoresist on a large glass substrate.
도 1은 일반적인 이물질 감지 장치가 설치된 슬릿 코터의 구조를 나타내는 사시도이고, 도 2는 도 1에 도시된 슬릿 코터에 의해 포토레지스트가 기판에 도포되는 상태를 도시한 측단면도이고, 도 3은 도 1 및 도 2에 도시된 슬릿 코터에서 기판 상의 이물질을 감지하는 상태를 설명하기 위한 정면도이다.1 is a perspective view illustrating a structure of a slit coater in which a general foreign matter sensing device is installed, FIG. 2 is a side cross-sectional view illustrating a state in which photoresist is applied to a substrate by the slit coater shown in FIG. 1, and FIG. 3 is FIG. 1. And a front view for explaining a state of sensing a foreign matter on the substrate in the slit coater shown in FIG. 2.
도 1을 참조하면, 일반적인 슬릿 코터(100)는 기판(GS)이 고정 안착되는 기판 척(102)과, 포토레지스트(PR)를 기판(GS) 상에 도포하는 슬릿 노즐(110)과, 상기 슬릿 노즐(110)의 양측을 지지하면서 그를 종방향으로 전진시키는 한 쌍의 노즐 이송 유닛(120)과, 상기 노즐 이송 유닛(120) 각각의 전방에 설치된 발광부(132)와 수광부(134)로 이루어진 이물질 감지 장치(130)와, 상기 노즐 이송 유닛의 일 측에 부착되는 포토레지스트 공급부(115)와, 상기 포토레지스트 공급부(115)로부터 상기 슬릿 노즐(110)로 포토레지스트(PR)를 이송하는 제1 포토레지스트 공급 라인(116)과, 상기 포토레지스트 공급부(115)에 포토레지스트(PR)를 공급하는 제2 포토레지스트 공급 라인(117)을 포함한다. Referring to FIG. 1, a
상기 슬릿 노즐(110)은 긴 바(bar) 형상의 노즐로, 기판(GS)과 대면하는 슬릿 노즐의 하단 중앙에는 미세한 슬릿 형상의 토출구(112)가 형성되며 상기 토출구(112)를 통해 일정 양의 포토레지스트(PR)가 기판에 토출되도록 한다. 상기 포토레지스트 공급부(115)는 상기 슬릿 노즐(110)에 포토레지스트(PR)를 공급하며, 공급되는 포토레지스트(PR)에 소정의 압력을 가하여 포토레지스트(PR)를 토출시키는 수단이다. 통상, 상기 포토레지스트 공급부(115)는 펌프가 포함되어 일정한 압력을 슬릿 노즐(110)에 가하고 그 압력에 의해 슬릿 노즐에 저장된 포토레지스트(PR)가 기판 상에 토출된다. The
도 2를 참조하면, 이와 같이 구성된 슬릿 코터는 상기 슬릿 노즐(110)이 기판의 일 단에서 일정한 속도를 갖고 종방향으로 전진하면서 포토레지스트(PR)를 기판(GS) 상에 토출시킴으로써 포토레지스트(PR)를 기판(GS) 상에 균일하게 도포하게 된다.Referring to FIG. 2, the slit coater configured as described above is configured to discharge photoresist PR onto the substrate GS while the
이와 같이 슬릿 노즐(110)이 전진하면서 기판(GS) 상에 포토레지스트(PR)를 도포할 때, 상기 슬릿 노즐(110) 전방에 설치된 이물질 감지 장치(130)는 기판(GS) 상부 또는 하부에 이물질이 존재하는가를 감지한다. 즉, 기판 상의 이물질을 감지 하는 상태를 정면도로 보여주는 도 3을 참조하면, 이물질 감지 장치(130)의 발광부(132)에서 출사된 레이저와 같은 광(133)을 수광부(134)가 수광하여 광량을 측정한다. 상기 발광부(132)와 수광부(134) 사이에 이물질(132)이 존재하지 않는다면 발광부(132)에서 출사된 광(133)은 모두 수광부(134)에 입사하게 되지만, 만일 상기 발광부(132)와 수광부(134) 사이에 이물질(132)이 존재하는 경우라면 발광부(132)에서 출사된 광(133)의 일부가 이물질(104)에 가려져 나머지 일부만이 수광부(134)에 입사하게 된다. 이와 같이, 수광부(134)에서 측정된 광량이 정상 상태보다 감소하면 발광부(132)와 수광부(134) 사이에 이물질(104)이 존재하는 것으로 판단한다. As described above, when the
그러나, 이러한 경우 이물질의 존재 여부와 종방향에 대한 이물질의 위치를 판단할 수 있으나 이물질이 존재하는 정확한 위치, 즉 슬릿 노즐(110)의 횡방향에 대한 이물질의 위치는 알 수 없게 된다. However, in this case, it is possible to determine the presence of foreign matter and the position of the foreign matter in the longitudinal direction, but the exact position of the foreign matter, that is, the position of the foreign matter in the transverse direction of the
이물질의 위치는 이물질을 제거하는 것을 용이하게 할 뿐만 아니라, 이물질의 발생 위치를 점검하여, 이물질이 어느 일정 위치에서 집중적으로 발견된다면, 이물질의 발생 원인을 파악하는 데 도움이 된다. 즉, 이물질이 검출되는 슬릿 코터 상의 위치와 함께 슬릿 코터 주변의 환경의 변화를 소정 기간에 걸쳐 누적 저장하여 이물질의 발생 위치를 모니터링한다. 만일 이물질이 검출되는 위치가 어느 한 쪽에 집중되어 있다면, 슬릿 코터가 설치된 공간 내부의 기류 흐름 또는 슬릿 코터 주변의 다른 장비의 영향 등을 파악하여 이물질 발생 원인을 밝혀낼 수 있다. The location of the foreign matter not only facilitates the removal of the foreign matter, but also checks the location of the foreign matter, and if the foreign matter is found intensively at a certain position, it helps to determine the cause of the foreign matter. That is, the position of the foreign matter is detected and the change of the environment around the slit coater is accumulated and stored over a predetermined time period to monitor the occurrence position of the foreign matter. If the location where the foreign matter is detected is concentrated on either side, the cause of the foreign matter can be identified by identifying the flow of air inside the space where the slit coater is installed or the influence of other equipment around the slit coater.
따라서, 이와 같이 기판 상에 존재하는 이물질을 검출하면서 그의 위치를 확 인하고자 하는 요청이 점차 증가하고 있다.Therefore, there is a growing demand for detecting the foreign matter present on the substrate and confirming its position.
본 발명의 목적은 전술된 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 슬릿 코터를 이용하여 기판 상에 포토레지스트를 도포할 때 상기 기판 상에 존재하는 이물질을 감지하고 그의 위치까지 측정할 수 있는 이물질 감지 장치 및 방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art, and when detecting a photoresist on a substrate by using a slit coater, detecting a foreign substance present on the substrate and detecting a foreign substance that can be measured up to its position. It is to provide an apparatus and method.
전술된 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 태양에 따른 이물질 감지 장치는 슬릿 코터의 기판 상부 또는 하부에 존재하는 이물질을 검출하기 위한 이물질 감지 장치로서, 상기 기판의 양 대향측에 대면 배치된 제1 발광부 및 수광부와, 상기 제1 발광부 및 수광부의 전방에서 상기 기판의 양 대향측에 대면 배치된 제2 발광부 및 수광부를 포함하고, 상기 제1 발광부와 제2 발광부는 상기 기판의 대향하는 일측 및 타측에 각각 위치된다. The foreign matter detection device according to an aspect of the present invention for achieving the above object is a foreign matter detection device for detecting the foreign matter present on the upper or lower substrate of the slit coater, the first disposed facing the opposite sides of the substrate A light emitting portion and a light receiving portion, and a second light emitting portion and a light receiving portion disposed to face opposite sides of the substrate in front of the first light emitting portion and the light receiving portion, wherein the first light emitting portion and the second light emitting portion are opposed to the substrate. It is located on one side and the other side.
상기 제2 발광부 및 수광부는 상기 제1 수광부 및 발광부에 각각 인접하게 배치된 것이 바람직하다.Preferably, the second light emitting portion and the light receiving portion are disposed adjacent to the first light receiving portion and the light emitting portion, respectively.
상기 제1 발광부 및 수광부와 제2 발광부 및 수광부는 상기 슬릿 코터의 슬릿 노즐의 전방에서 그와 함께 이동하는 것이 바람직하다.Preferably, the first light emitting portion and the light receiving portion and the second light emitting portion and the light receiving portion move with the front of the slit nozzle of the slit coater.
본 발명의 다른 일 태양에 따른 이물질 감지 방법은 슬릿 코터의 기판 상부 또는 하부에 존재하는 이물질을 검출하기 위한 이물질 감지 방법으로서, 상기 기판의 일측에서 광을 출사하고 상기 기판의 타측에서 상기 광을 수광하여 광량을 측량 하는 제1 측광 단계와, 상기 기판의 상기 타측에서 광을 출사하고 상기 기판의 상기 일측에서 상기 광을 수광하여 광량을 측량하는 제2 측광 단계와, 상기 제1 및 제2 측광 단계에서 측량된 광량을 비교하여 이물질의 위치를 산출하는 단계를 포함한다.The foreign matter detection method according to another aspect of the present invention is a foreign matter detection method for detecting a foreign matter present on the upper or lower substrate of the slit coater, and emits light from one side of the substrate and receives the light from the other side of the substrate A first metering step of measuring the amount of light, a second metering step of emitting light from the other side of the substrate, and receiving the light from the one side of the substrate to measure the amount of light; and the first and second metering steps Comparing the amount of light measured in the step of calculating the location of the foreign matter.
이하 도면을 참조하여 본 발명에 따른 이물질 감지 장치 및 방법의 바람직한 실시예를 설명하고자 한다. Hereinafter, exemplary embodiments of a foreign substance sensing apparatus and method according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
도 4는 본 발명에 따른 이물질 감지 장치가 설치된 슬릿 코터의 구조를 나타내는 사시도이고, 도 5 및 도 6은 도 4에 도시된 슬릿 코터의 측단면도 및 평면도이고, 도 7 및 도 8은 본 발명에 따른 이물질 감지 장치가 설치된 슬릿 코터에서 기판 상의 이물질을 감지하는 상태를 설명하기 위한 정면도이다.Figure 4 is a perspective view showing the structure of the slit coater is installed foreign matter detection apparatus according to the present invention, Figures 5 and 6 are a side cross-sectional view and a plan view of the slit coater shown in Figure 4, Figures 7 and 8 in the present invention The front view for explaining the state of detecting the foreign matter on the substrate in the slit coater is installed according to the foreign matter detection device.
도 4 내지 도 6을 참조하면, 본 발명에 따른 이물질 감지 장치가 설치된 슬릿 코터(200)는 기판(GS)이 고정 안착되는 기판 척(102)과, 포토레지스트(PR)를 기판(GS) 상에 도포하는 슬릿 노즐(110)과, 상기 슬릿 노즐(110)의 양측을 지지하면서 그를 종방향으로 전진시키는 한 쌍의 노즐 이송 유닛(120)과, 상기 노즐 이송 유닛(120)에 설치된 제1 및 제2 광센서(230, 240)로 이루어진 이물질 감지 장치와, 포토레지스트 공급부(115)와, 제1 및 제2 포토레지스트 공급 라인(116, 117)을 포함하는 것으로서, 상기 구성이 종래 기술에서 설명된 슬릿 코터(100)와 동일하고, 다만 그에 장착되는 이물질 감지 장치의 구성이 상이할 뿐이다. 더욱이, 기판 상에 포토레지스트(PR)를 도포하는 슬릿 코터(200) 자체의 작동 역시, 종래 기술에서 설명된 슬릿 코터(100)와 동일하다. 따라서, 이하에서는 본 발명에 따른 이물질 감지 장치의 구성 및 그에 대한 작동을 위주로 설명하고자 한다.4 to 6, the
본 발명에 따른 이물질 감지 장치는 상기 노즐 이송 유닛(120)의 전방에 설치되고 제1 발광부 및 수광부(232, 234)로 구성된 제1 광센서(230)와, 상기 제1 광센서(230)의 전방에 설치되고 제2 발광부 및 수광부(242, 244)로 구성된 제2 광센서(240)로 이루어져 있다. 즉, 상기 노즐 이송 유닛(120)의 어느 하나의 전방에 종방향으로 서로 소정 거리 이격되게 제1 발광부(232)와 제2 수광부(244)가 배치되고, 상기 노즐 이송 유닛(120)의 다른 하나의 전방에 종방향으로 서로 소정 거리 이격되게 제1 수광부(234)와 제2 발광부(242)가 배치된다. 이때, 상기 제1 발광부(232)와 제1 수광부(234)는 서로 마주보고, 제2 수광부(244)와 제2 발광부(242)도 서로 마주보게 배치된다. The foreign matter detection apparatus according to the present invention is installed in front of the
즉, 상기 기판(GS)의 횡방향 일측에 배치된 제1 발광부(232)에서 출사된 광은 상기 기판(GS)의 횡방향 타측에 배치된 제1 수광부(234)에서 수광하고, 상기 제1 발광부 및 수광부(232, 234)에서 종방향으로 소정 거리 이격된 위치에서 상기 기판(GS)의 상기 횡방향 타측에 배치된 제2 발광부(242)에서 출사된 광은 상기 기판(GS)의 상기 횡방향 일측에 배치된 제2 수광부(244)에서 수광하도록 배치된다.That is, light emitted from the first
이들 제1 및 제2 발광부와 수광부(232, 234, 242, 244)는 모두 슬릿 노즐(110)의 전방에 위치되어 상기 슬릿 노즐(110)과 함께 이동한다. 이를 위하여, 도시된 실시예에서는 이들 발광부와 수광부(232, 234, 242, 244)가 모두 상기 슬릿 노즐(110)을 기판(GS)의 종방향으로 전진시키는 한 쌍의 노즐 이송 유닛(120)에 고정 설치되어 있으나, 이와 달리 별도의 이동 수단에 구비되어 상기 슬릿 노즐(110) 의 전방에서 이들 발광부와 수광부(232, 234, 242, 244)를 상기 종방향으로 전진시킬 수도 있다.These first and second light emitting units and light receiving
다음은 도 7 및 도 8을 참조하여, 본 발명에 따른 이물질 감지 장치의 작동에 대해 설명하고자 한다. 이하에서는 슬릿 코터(200) 상에 고정 안착된 기판(GS) 상에 존재하는 이물질(104)이 도 6 내지 도 8에 도시된 바와 같이 기판(GS)의 횡방향 일측에 치우쳐져 위치하는 경우를 예로서 설명하고자 한다.Next, with reference to Figures 7 and 8, it will be described the operation of the foreign matter detection apparatus according to the present invention. Hereinafter, a case in which the
상기 발광부(232, 242)에서 출사되는 광으로 직진성이 우수한 레이저를 많이 사용하고 있으나, 일반적으로 광은 진행 거리에 따라 퍼져나가는 특성이 있어, 발광부에서 출사된 광의 단면 직경은 출광부와 수광부 사이의 거리에 따라 증가하게 된다. 더욱이, 현재 기판의 대형화로 인하여 기판(GS)의 횡방향 폭이 증가하여 상기 발광부와 수광부 사이의 거리가 멀어지고, 그에 따라 출광부에서 출사된 광의 횡단면과 수광부에 입사되는 광의 횡단면 사이에는 큰 차이가 발생한다.Although a lot of lasers having excellent straightness are used as the light emitted from the
먼저, 상기 슬릿 코터(200)의 기판 척(102) 상에 기판(GS)이 안착된 후, 상기 포토레지스트 공급부(115)가 작동하여 슬릿 노즐(110)을 통하여 포토레지스트(PR)가 기판 상에 토출된다. 이와 동시에, 상기 노즐 이송 유닛(120)이 종방향으로 전진하면서 기판(GS) 상에는 포토레지스트(PR)가 도포된다. 이때, 상기 이동하는 노즐 이송 유닛(120)에 설치된 발광부와 수광부 중에서 최전방에 배치된 제2 발광부 및 수광부(242, 244)가 상기 이물질(104)을 감지한다. 상기 제2 발광부 및 수광부(242, 244)가 이물질(104)을 감지하는 상태가 도시된 도 7을 참조하면, 상기 제2 발광부(242)에서 출사된 광(243)은 이물질(104)을 지나면서 일부가 상기 이물 질(104)에 가려져 광의 나머지 일부만이 상기 제2 수광부(244)에 입사하게 되는 데, 이때 제2 수광부(244)에 입사되는 광량이 도 7에서 S1로 표시되어 있다. First, after the substrate GS is seated on the
상기 제2 발광부 및 수광부(242, 244)에 의해 상기 이물질(104)의 존재가 감지된 후, 그 뒤를 이어 상기 노즐 이송 유닛(120)이 종방향으로 좀 더 이동하면서 제1 발광부 및 수광부(232, 234)가 상기 이물질(104)을 감지한다. 상기 제1 발광부 및 수광부(232, 234)가 이물질(104)을 감지하는 상태가 도시된 도 8을 참조하면, 상기 제1 발광부(232)에서 출사된 제1 광(233)은 이물질(104)을 지나면서 일부가 상기 이물질(104)에 가려져 광의 나머지 일부만이 상기 제1 수광부(234)에 입사하게 되는 데, 이때 제1 수광부(234)에 입사되는 광량이 도 8에서 S2로 표시되어 있다. After the presence of the
상기 이물질(104)이 제2 발광부(242)에 가까이 위치하고 제1 발광부(242)에서는 멀리 위치하고 있기 때문에, 광의 횡단면의 직경은 광의 진행거리에 비례하여 증가하는 사실을 고려한다면, 제2 발광부(242)에서 출사된 제2 광(243)은 조금 확산된 상태에서 그 일부가 이물질(104)에 의해 가려지고, 제1 발광부(232)에서 출사된 제1 광(233)은 상기 제2 광(243)보다 더 많이 확산된 후에 그 일부가 동일한 이물질(104)에 의해 가려진다. 따라서, 상기 이물질(104)을 통과한 후의 (제2 발광부(242)에서 출사된) 제2 광(243)이 제2 수광부(244)에서 수광된 광량(S1)은 상기 이물질(104)을 통과한 후의 (제1 발광부(232)에서 출사된) 제1 광(233)이 제1 수광부(234)에서 수광된 광량(S2)보다 작게 된다.Since the
이때, 제1 및 제2 수광부(234, 244)에서 측정된 광량의 차이는 이물질(104) 이 위치하는 거리에 대응하게 된다. 즉, 제2 수광부(244)에서 측량된 광량(S1)이 제1 수광부(234)에서 측량된 광량(S2)보다 크면 클수록 이물질(104)은 제1 수광부(234)보다는 제2 수광부(244)에 더 가까이 위치하고, 제1 및 제2 수광부(234, 244)에서 측정된 광량이 동일하면 이물질(104)은 기판(GS)의 횡방향 중심에 위치하는 것을 알 수 있다. 이와 같은 광량의 차이에 의한 이물질(104)의 위치는 제1 및 제2 수광부(234, 244)에서 계측된 광량을 계산하는 (도시되지 않은) 제어부에서 자동으로 산정하게 된다.At this time, the difference in the amount of light measured by the first and second
이와 같이, 두 쌍의 발광부 및 수광부를 기판의 횡방향 양측에 대면하도록 설치하되, 두 개의 발광부를 서로 대향하는 위치에 설치하여 서로 다른 방향에서 발광 및 수광하여 동일한 이물질을 검출함으로써 기판 상에 존재하는 이물질의 존재 여부뿐만 아니라 이물질의 횡방향에 대한 위치까지도 알 수 있다.As such, two pairs of light emitting parts and a light receiving part are disposed to face both sides in the transverse direction of the substrate, and two light emitting parts are disposed at positions facing each other to emit and receive light in different directions to detect the same foreign matter. In addition to the presence of the foreign matter can also know the position in the transverse direction of the foreign matter.
전술된 실시예에서는 상기 이물질(104)이 기판(GS)의 상부에 존재하는 경우에 해당하는 설명이지만, 이물질(104)이 기판(GS)의 하부, 즉 기판(GS)과 기판 척(102) 사이에 존재하는 경우에도 동일하게 적용된다. 즉, 이물질이 기판(GS)의 하부, 즉 기판(GS)과 기판 척(102) 사이에 존재하게 되면, 상기 이물질(104)로 인하여 기판의 해당 부분이 상부로 돌출되어 발광부(232, 242)에서 출사된 광의 일부가 기판(GS)의 돌출된 부분에 가려지게 되어, 전술된 바와 같이 광이 이물질에 가려지는 것과 동일하게 이물질을 검출할 수 있다.In the above-described embodiment, the
이상에서는 도면 및 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상으로부터 벗어 나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described above with reference to the drawings and embodiments, those skilled in the art can be variously modified and changed within the scope of the invention without departing from the spirit of the invention described in the claims below You will understand.
전술된 구성을 갖는 본 발명에 따른 이물질 감지 장치는 단순한 구조를 갖고 짧은 시간 내에 기판 상부 및/또는 하부에 이물질이 존재하는가 여부뿐만 아니라 이물질의 정확한 위치까지 측정할 수 있다. The foreign matter sensing device according to the present invention having the above-described configuration has a simple structure and can measure not only whether foreign matter is present on the upper and / or lower portions of the substrate in a short time but also the exact position of the foreign matter.
이와 같이 이물질의 위치를 측정함으로써, 기판 상부 또는 기판 척 상부에 존재하는 이물질을 제거하는 데 용이하게 할 뿐만 아니라, 이물질이 검출되는 슬릿 코터 상의 위치와 함께 슬릿 코터 주변의 환경의 변화를 소정 기간에 걸쳐 누적 저장하여 이물질의 발생 위치를 모니터링하여, 이물질이 어느 한 쪽에 집중적으로 나타나는 것을 발견하게 되면, 슬릿 코터가 설치된 공간 내부의 기류 흐름 또는 슬릿 코터 주변의 다른 장비의 영향 등을 고려하여 이물질 발생 원인을 밝혀낼 수 있다. 이에 따라, 슬릿 코터에서 발생되는 이물질의 발생 원인을 제거하여 기판 상에 포토레지스트를 도포할 때의 불량률을 감소시킬 수 있다. By measuring the position of the foreign matter in this way, it is not only easy to remove the foreign matter present on the substrate or the upper part of the substrate chuck, but also changes the environment around the slit coater in a predetermined period together with the position on the slit coater where the foreign matter is detected. By accumulating storage and monitoring the location of occurrence of foreign matters, if they are found to be concentrated on either side, the cause of foreign matters may be considered by considering the flow of air inside the space where the slit coater is installed or the influence of other equipment around the slit coater. Can be found. Accordingly, it is possible to reduce the defect rate when applying the photoresist on the substrate by eliminating the cause of the generation of foreign substances generated in the slit coater.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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