KR100772699B1

KR100772699B1 - Method for forming semiconductor device

Info

Publication number: KR100772699B1
Application number: KR20050130471A
Authority: KR
Inventors: 정진기
Original assignee: 주식회사 하이닉스반도체
Priority date: 2005-12-27
Filing date: 2005-12-27
Publication date: 2007-11-02
Also published as: KR20070068632A

Abstract

본 발명은 미세 패턴 형성시 공정의 비정질 카본 하드마스크의 공정 단순화에 적합한 반도체 소자 제조 방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위한 본 발명의 반도체 소자 제조 방법은 반도체 기판 상에 도전층, 하드마스크용 물질막 및 포토레지스트를 차례로 형성하는 단계; 상기 포토레지스트의 소정 영역에 트렌치를 형성하는 단계; 상기 트렌치에 절연막을 매립하는 단계; 상기 절연막을 마스크로 상기 포토레지스트를 식각하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 절연막을 제거하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 식각 베리어로 상기 하드마스크용 물질막을 식각하여 하드마스크를 형성하는 단계; 및 상기 하드마스크를 베리어로 상기 도전층을 식각하는 단계가 제공되며, 이에 따라 본 발명은 하드마스크로 비정질 카본을 사용하지 않고, 포토레지스트 패턴을 부분 노광한 후, 노광된 영역에 SOD 마스크를 형성하여, SOD 마스크로 포토레지스트 패터닝 공정을 진행하고, 포토레지스트 패턴을 식각 베리어로 패턴 식각 공정을 진행하여 하드마스크 공정이 단순화를 꾀할 수 있다. 또한, 부분 노광 공정이 포함되기 때문에, 반사방지막을 사용하지 않아도 된다.The present invention is to provide a method for manufacturing a semiconductor device suitable for simplifying the process of the amorphous carbon hard mask of the process of forming a fine pattern, the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention for the conductive layer, the material layer for the hard mask on the semiconductor substrate And sequentially forming a photoresist; Forming a trench in a predetermined region of the photoresist; Filling an insulating film in the trench; Etching the photoresist using the insulating layer as a mask to form a photoresist pattern; Removing the insulating film; Forming a hard mask by etching the material layer for hard mask using the photoresist pattern as an etching barrier; And etching the conductive layer using the hard mask as a barrier, so that the present invention does not use amorphous carbon as a hard mask, and partially exposes a photoresist pattern, and then forms an SOD mask in the exposed area. The photoresist patterning process may be performed using an SOD mask, and the photomask pattern may be etched with an etching barrier to simplify the hard mask process. Moreover, since a partial exposure process is included, it is not necessary to use an antireflection film.

비정질 카본, SOD, 미세 패턴, 공정 단순화 Amorphous carbon, SOD, fine pattern, process simplification

Description

반도체 소자 제조 방법{METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE}Semiconductor device manufacturing method {METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE}

도 1a 내지 도 1c는 종래 기술에 따른 반도체 소자 제조 방법을 도시한 단면도,1A to 1C are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a semiconductor device according to the prior art;

도 2a 내지 도 2g는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 소자 제조 방법을 도시한 단면도. 2A to 2G are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a semiconductor device in accordance with an embodiment of the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings

21 : 반도체 기판 22 : 도전층21 semiconductor substrate 22 conductive layer

23a : 하드마스크 24 : 포토레지스트23a: hard mask 24: photoresist

25 : 트렌치 26a : SOD 하드마스크25: trench 26a: SOD hard mask

본 발명은 반도체 제조 기술에 관한 것으로, 특히 미세 패턴을 구비한 반도체 소자 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to semiconductor manufacturing technology, and more particularly, to a semiconductor device manufacturing method having a fine pattern.

반도체 소자가 고집적화됨에 따라 마스크 작업시 포토레지스트의 두께를 점차 감소시켜야 하고, 이로 인해 게이트 식각시 포토레지스트 만으로는 하부층 식각이 더욱더 어려워지는 문제가 있다.As the semiconductor device is highly integrated, the thickness of the photoresist should be gradually reduced during the masking operation, which makes it difficult to etch the lower layer using only the photoresist during gate etching.

도 1a 내지 도 1c는 종래 기술에 따른 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법을 도시한 단면도이다.1A to 1C are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a capacitor of a semiconductor device according to the prior art.

도 1a에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(11) 상에 도전층(12), 하드마스크용 물질막(13), SiON막(14) 및 반사방지막(Bottom Anti Reflective Coating, 15)을 차례로 증착한다. 이어서, 반사방지막(15)의 소정 영역 상에 포토레지스트 패턴(16)을 형성한다. 이 때, 하드마스크용 물질막(13)은 비정질 카본(Amorphous Carbon)을 사용한다.As shown in FIG. 1A, a conductive layer 12, a hard mask material film 13, a SiON film 14, and a bottom anti-reflective coating 15 are sequentially deposited on the semiconductor substrate 11. . Next, the photoresist pattern 16 is formed on the predetermined region of the antireflection film 15. At this time, the hard mask material film 13 uses amorphous carbon.

도 1b에 도시된 바와 같이, 포토레지스트 패턴(16)을 식각 베리어로 반사방지막(15)과 SiON막(14)을 차례로 건식 식각한다. 식각 후, 포토레지스트 패턴(16)의 일부 두께가 손실된다. 이하, 반사방지막(15)과 SiON막은 반사방지막(15a)과 SiON 하드마스크(14a)로 나타낸다.As shown in FIG. 1B, the anti-reflection film 15 and the SiON film 14 are sequentially dry-etched using the photoresist pattern 16 as an etching barrier. After etching, some thickness of the photoresist pattern 16 is lost. Hereinafter, the antireflection film 15 and the SiON film are represented by the antireflection film 15a and the SiON hard mask 14a.

도 1c에 도시된 바와 같이, 포토레지스트 패턴(16), 반사방지막(15a) 및 SiON 하드마스크(14a)를 식각 마스크로 하드마스크용 물질막(13a)을 식각하여 비정질 카본 하드마스크(13a)를 형성한다. 이 때, 비정질 카본 하드마스크(13a)는 O₂ 플라즈마 건식 식각으로 식각한다.As shown in FIG. 1C, the amorphous carbon hard mask 13a is etched by etching the material layer 13a for the hard mask using the photoresist pattern 16, the antireflection film 15a, and the SiON hard mask 14a as an etch mask. Form. At this time, the amorphous carbon hard mask 13a is etched by O ₂ plasma dry etching.

한편, 하드마스크용 물질막(13a)을 식각할 때, 포토레지스트 패턴(15) 및 반사방지막(15a)은 모두 소진된다.Meanwhile, when the hard mask material film 13a is etched, both the photoresist pattern 15 and the antireflection film 15a are exhausted.

이어서 도면에 도시하지 않았지만, SiON 하드마스크(14a) 및 비정질 카본 하드마스크(13a)를 식각 마스크로 도전층(12)을 식각하여 도전 패턴을 형성한다.Subsequently, although not shown in the drawing, the conductive layer 12 is etched using the SiON hard mask 14a and the amorphous carbon hard mask 13a as an etching mask to form a conductive pattern.

그러나, 상술한 바와 같이, 비정질 카본 하드마스크를 사용할 때에는 공정이 복잡한 문제가 있다. 먼저, 비정질 카본은 빛 흡수율이 크므로, 노광 장비에서 얼라인(Align)을 위해 얼라인 키 부분을 먼저 열어주어야 한다. 즉, 키 마스크와 키 식각 공정이 필요하다.However, as described above, the process is complicated when using an amorphous carbon hard mask. First, since amorphous carbon has a high light absorption rate, the alignment key portion must first be opened for alignment in the exposure apparatus. In other words, a key mask and a key etching process are required.

또한, 비정질 카본은 코팅(Coating)이 아닌 증착(Deposition)하여 형성함으로, 웨이퍼 전면에 증착되고, 이로 인해 베벨 식각(Bevel etch; 웨이퍼 엣지 부분의 카본 제거) 공정을 추가로 실시해야하는 문제가 있다.In addition, since amorphous carbon is formed by deposition rather than coating, it is deposited on the entire surface of the wafer, which causes a problem of additionally performing a bevel etch process.

본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로, 미세 패턴 형성시 공정의 비정질 카본 하드마스크의 공정 단순화에 적합한 반도체 소자 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been proposed to solve the above problems of the prior art, and an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a semiconductor device suitable for the process simplification of the amorphous carbon hard mask of the process when forming a fine pattern.

상기 목적을 달성하기 위한 특징적인 본 발명의 반도체 소자 제조 방법은 반도체 기판 상에 도전층, 하드마스크용 물질막 및 포토레지스트를 차례로 형성하는 단계, 상기 포토레지스트의 소정 영역에 트렌치를 형성하는 단계, 상기 트렌치에 절연막을 매립하는 단계, 상기 절연막을 마스크로 상기 포토레지스트를 식각하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 절연막을 제거하는 단계, 상기 포토레지스트 패턴을 식각 베리어로 상기 하드마스크용 물질막을 식각하여 하드마스크를 형성하는 단계, 및 상기 하드마스크를 베리어로 상기 도전층을 식각하는 단계를 포함한다.A semiconductor device manufacturing method of the present invention for achieving the above object comprises the steps of sequentially forming a conductive layer, a hard mask material film and a photoresist on a semiconductor substrate, forming a trench in a predetermined region of the photoresist, Embedding an insulating film in the trench, etching the photoresist using the insulating film as a mask to form a photoresist pattern, removing the insulating film, and etching the hardmask material film using the photoresist pattern as an etching barrier. Forming a hard mask, and etching the conductive layer using the hard mask as a barrier.

이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명하기로 한다.Hereinafter, the most preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily implement the technical idea of the present invention. .

도 2a 내지 도 2g는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법을 도시한 단면도이다.2A to 2G are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a capacitor of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

도 2a에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(21) 상에 게이트 절연막(도시하지 않음), 도전층(22) 및 하드마스크용 물질막(23)을 차례로 형성하고, 하드마스크용 물질막(23)의 전면에 포토레지스트(24)를 도포한다. 하드마스크용 물질막(23)은 질화막을 사용한다. As shown in FIG. 2A, a gate insulating film (not shown), a conductive layer 22, and a material layer 23 for hard mask are sequentially formed on the semiconductor substrate 21, and the material layer 23 for hard mask is formed. The photoresist 24 is applied to the entire surface of the film. The hard mask material film 23 uses a nitride film.

계속해서, 포토레지스트(24)를 도포하고, 노광 작업을 진행하여 부분 노광(Partial Exposure) 및 현상(Develop) 처리를 실시하여 트렌치(25)를 형성한다. 이 때, 트렌치(25)의 선폭(Critical Deminsion; CD)은 부분 노광 정도에 따라 결정되는데, 노광 시간을 증가시키거나 노광 에너지를 증가시킬수록 노광된 간격의 선폭(CD)은 커지게 되고, 상대적으로 라인의 선폭(CD)은 감소하게 된다. Subsequently, the photoresist 24 is applied, an exposure operation is performed, and partial exposure and development are performed to form the trench 25. In this case, the CD (Critical Deminsion) of the trench 25 is determined according to the degree of partial exposure. As the exposure time is increased or the exposure energy is increased, the line width (CD) of the exposed interval becomes larger, and the relative width is increased. As a result, the line width CD of the line is reduced.

아울러, 본 발명에서는, 부분 노광을 실시함으로써 포토레지스트(24) 하부에 반사방지막이 필요하지 않다.In addition, in the present invention, the antireflection film is not necessary under the photoresist 24 by performing partial exposure.

도 2b에 도시된 바와 같이, 트렌치(25)가 형성된 포토레지스트(24) 상에 트렌치(25)를 매립하는 두께의 SOD(Spin On Dielectric, 26)막을 도포한다. 이 때, SOD막(26) 대신에 SOG(Spin On Glass)막을 사용할 수 있다. SOD막 또는 SOG막은 유동 특성(Flowing)이 좋아 포토레지스트(24) 상의 트렌치(25) 사이를 모두 매운다.As shown in FIG. 2B, a SOD (Spin On Dielectric) 26 film having a thickness of filling the trench 25 is coated on the photoresist 24 having the trench 25 formed thereon. In this case, a SOG film may be used instead of the SOD film 26. The SOD film or SOG film has good flow characteristics and fills all of the trenches 25 on the photoresist 24.

도 2c에 도시된 바와 같이, 포토레지스트(24)가 드러나는 타겟으로 SOD막(26)을 전면 식각(Blanket etch)하여, 트렌치(25)내에 SOD막(26a)이 매립되게 한다. 이하, SOD막(26)을 SOD 마스크(26a)라고 나타낸다.As shown in FIG. 2C, the SOD film 26 is etched entirely with the target on which the photoresist 24 is exposed, so that the SOD film 26a is embedded in the trench 25. Hereinafter, the SOD film 26 is referred to as an SOD mask 26a.

도 2d에 도시된 바와 같이, SOD마스크(26a)를 사용하여 포토레지스트(24)를 식각하여 포토레지스트 패턴(24a)을 형성한다. 이 때, 포토레지스트(24) 식각은, N₂/O₂의 혼합 가스를 사용하며, 10∼100℃의 기판 온도를 유지하면서, N₂/O₂의 혼합 가스는 100:0.1의 비율을 갖고, 300∼1500Ｗ의 파워, 100∼500mT의 공정 압력을 갖는 조건으로 진행한다.As shown in FIG. 2D, the photoresist 24 is etched using the SOD mask 26a to form the photoresist pattern 24a. At this time, the photoresist 24 is etched, and a mixed gas of N _₂ / O _2, while maintaining a substrate temperature of 10~100 ℃, a mixed gas of N _₂ / O ₂ 100: has a ratio of 0.1 The process proceeds under conditions having a power of 300 to 1500 kPa and a process pressure of 100 to 500 mT.

또는, N₂/H₂의 혼합 가스를 사용하며, 10∼100℃의 기판 온도를 유지하면서, N₂/H₂의 혼합 가스는 1:0.1의 비율을 갖고, 300∼1500Ｗ의 파워, 100∼500mT의 공정 압력을 갖는 조건으로 진행한다.Alternatively, while using a mixed gas of N ₂ / H ₂ and maintaining a substrate temperature of 10 to 100 ° C., the mixed gas of N ₂ / H ₂ has a ratio of 1: 0.1, and a power of 300 to 1500 kW, 100 to Proceed under conditions with a process pressure of 500 mT.

도 2e에 도시된 바와 같이, 포토레지스트 패턴(24a)을 형성한 후, 불산(HF)을 포함하는 습식 케미컬을 사용하여 SOD 마스크(26a)를 제거한다. 이 때, 포토레지스트 패턴(24a) 및 하드마스크용 물질막(23)의 식각 손실은 없다.As shown in FIG. 2E, after the photoresist pattern 24a is formed, the SOD mask 26a is removed using a wet chemical including hydrofluoric acid (HF). At this time, there is no etching loss of the photoresist pattern 24a and the hard mask material film 23.

도 2f에 도시된 바와 같이, 포토레지스트 패턴(24a)을 식각 베리어로 하드마스크용 물질막(23)을 식각하여 하드마스크(23a)를 형성한다. 이어서, 포토레지스트 패턴(24a)을 O₂ 애싱 공정으로 스트립한다.As shown in FIG. 2F, the hard mask material layer 23 is etched using the photoresist pattern 24a as an etching barrier to form the hard mask 23a. Next, the photoresist pattern 24a is stripped by an O ₂ ashing process.

도 2g에 도시된 바와 같이, 하드마스크(23a)를 식각 베리어로 도전층(22)을 식각하여 도전 패턴(22a)을 형성한다.As illustrated in FIG. 2G, the conductive layer 22 is etched using the hard mask 23a as an etching barrier to form the conductive pattern 22a.

상술한 바와 같이, 기존의 포토레지스트로 패터닝을 실시함되, 하드마스크를 질화막으로 사용함으로써, 비정질 카본 하드마스크를 사용하여 발생하는 문제점을 해결할 수 있다. As described above, while patterning is performed with an existing photoresist, a problem caused by using an amorphous carbon hard mask can be solved by using a hard mask as a nitride film.

본 발명은 라인/간격의 패터닝 뿐만 아니라, 콘택홀 패터닝 공정에도 사용할 수 있다.The invention can be used for contact hole patterning processes as well as line / spacing patterning.

본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여 야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.Although the technical spirit of the present invention has been described in detail according to the above preferred embodiment, it should be noted that the above embodiment is for the purpose of description and not of limitation. In addition, those skilled in the art will understand that various embodiments are possible within the scope of the technical idea of the present invention.

상술한 본 발명은 하드마스크로 비정질 카본을 사용하지 않고, 포토레지스트 패턴을 부분 노광한 후, 노광된 영역에 SOD 마스크를 형성하여, SOD 마스크로 포토레지스트 패터닝 공정을 진행하고, 포토레지스트 패턴을 식각 베리어로 패턴 식각 공정을 진행하여 하드마스크 공정이 단순화를 꾀할 수 있다.In the present invention described above, after partially exposing the photoresist pattern without using amorphous carbon as a hard mask, a SOD mask is formed in the exposed area, a photoresist patterning process is performed with the SOD mask, and the photoresist pattern is etched. As a barrier, a pattern etching process may be performed to simplify the hard mask process.

또한, 부분 노광 공정이 포함되기 때문에, 반사방지막을 사용하지 않아도 된다.Moreover, since a partial exposure process is included, it is not necessary to use an antireflection film.

Claims

반도체 기판 상에 도전층, 하드마스크용 물질막 및 포토레지스트를 차례로 형성하는 단계;Sequentially forming a conductive layer, a hard mask material film, and a photoresist on the semiconductor substrate;

상기 포토레지스트의 소정 영역에 트렌치를 형성하는 단계;Forming a trench in a predetermined region of the photoresist;

상기 트렌치에 절연막을 매립하는 단계;Filling an insulating film in the trench;

상기 절연막을 마스크로 상기 포토레지스트를 식각하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;Etching the photoresist using the insulating layer as a mask to form a photoresist pattern;

상기 절연막을 제거하는 단계;Removing the insulating film;

상기 포토레지스트 패턴을 식각 베리어로 상기 하드마스크용 물질막을 식각하여 하드마스크를 형성하는 단계; 및Forming a hard mask by etching the material layer for hard mask using the photoresist pattern as an etching barrier; And

상기 하드마스크를 베리어로 상기 도전층을 식각하는 단계Etching the conductive layer using the hard mask as a barrier

를 포함하는 반도체 소자 제조 방법.Semiconductor device manufacturing method comprising a.

제1항에 있어서,The method of claim 1,

상기 트렌치에 절연막을 매립하는 단계는,Filling the insulating film in the trench,

상기 트렌치를 포함하는 전면에 상기 절연막을 형성하는 단계; 및Forming the insulating film on the entire surface including the trench; And

전면 식각 또는 CMP를 실시하여 상기 포토레지스트가 드러나는 타겟으로 상기 절연막을 평탄화하는 단계Planarizing the insulating film to a target where the photoresist is exposed by performing an entire surface etching or CMP process

제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2,

상기 절연막은, 실리콘을 함유한 절연물질로 형성하는 반도체 소자 제조 방법.And the insulating film is formed of an insulating material containing silicon.

제3항에 있어서,The method of claim 3,

상기 절연막은, SOD 또는 SOG로 형성하는 반도체 소자 제조 방법.The insulating film is a semiconductor device manufacturing method formed of SOD or SOG.

제1항에 있어서,The method of claim 1,

상기 절연막을 마스크로 상기 포토레지스트를 식각하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계는,Etching the photoresist using the insulating film as a mask to form a photoresist pattern,

N₂/O₂의 혼합 가스를 사용하며, 10∼100℃의 기판 온도를 유지하는 조건으로 진행하는 반도체 소자 제조 방법.A method of manufacturing a semiconductor device, using a mixed gas of N ₂ / O ₂ , and advancing under conditions that maintain a substrate temperature of 10 to 100 ° C.

제5항에 있어서,The method of claim 5,

상기 N₂/O₂의 혼합 가스는 100:0.1의 비율을 갖고, 300∼1500Ｗ의 파워, 100∼500mT의 공정 압력을 갖는 조건으로 진행하는 반도체 소자 제조 방법.The N ₂ / O ₂ mixed gas has a ratio of 100: 0.1, and proceeds under conditions having a power of 300 to 1500 kW and a process pressure of 100 to 500 mT.

제1항에 있어서,The method of claim 1,

N₂/H₂의 혼합 가스를 사용하며, 10∼100℃의 기판 온도를 유지하는 조건으로 진행하는 반도체 소자 제조 방법.A method of manufacturing a semiconductor device, using a mixed gas of N ₂ / H ₂ , and advancing on the conditions of maintaining a substrate temperature of 10 to 100 ° C.

제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein

상기 N₂/H₂의 혼합 가스는 1:0.1의 비율을 갖고, 300∼1500Ｗ의 파워, 100∼500mT의 공정 압력을 갖는 조건으로 진행하는 반도체 소자 제조 방법.The mixed gas of N ₂ / H ₂ has a ratio of 1: 0.1, and the semiconductor device manufacturing method proceeds under conditions having a power of 300 to 1500 kW and a process pressure of 100 to 500 mT.

제1항에 있어서,The method of claim 1,

상기 절연막은, 습식 케미컬로 제거하는 반도체 소자 제조 방법.The insulating film is a semiconductor device manufacturing method of removing with a wet chemical.

제9항에 있어서,The method of claim 9,

상기 습식 케미컬은, 불산 케미컬을 사용하는 반도체 소자 제조 방법.The wet chemical is a semiconductor device manufacturing method using a hydrofluoric acid chemical.

제10항에 있어서,The method of claim 10,

상기 하드마스크를 형성하는 단계는,Forming the hard mask,

상기 포토레지스트 패턴을 O₂ 스트립하는 단계를 더 포함하는 반도체 소자 제조 방법.Method of manufacturing a semiconductor device further comprising the step of the photoresist pattern O ₂ strip.

제11항에 있어서,The method of claim 11,

상기 하드마스크는, 질화막으로 형성하는 반도체 소자 제조 방법.The hard mask is a semiconductor device manufacturing method formed of a nitride film.

제1항에 있어서,The method of claim 1,

상기 트렌치를 형성하는 단계는,Forming the trench,

상기 포토레지스트를 도포하는 단계; 및Applying the photoresist; And

상기 포토레지스트에 부분 노광 및 현상 처리를 실시하여 형성하는 반도체 소자 제조 방법. A method of manufacturing a semiconductor device, wherein the photoresist is subjected to partial exposure and development.

제1항에 있어서,The method of claim 1,

상기 도전층은,The conductive layer,

폴리실리콘막, 텅스텐막 및 텅스텐실리사이드를 단일 또는 혼합하여 사용하는 반도체 소자 제조 방법.A semiconductor device manufacturing method using a polysilicon film, a tungsten film and a tungsten silicide in a single or mixed manner.