KR100768333B1 - Protective materials and their method of manufacturing for pdp - Google Patents

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KR100768333B1
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정석
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박경현
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(주)씨앤켐
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Abstract

A protective layer material of a plasma display panel and a manufacturing method of the same are provided to enhance discharge efficiency and to reduce a discharge time by using a magnesium oxide including BeO, CaO, and hydrogen. A protective layer material of a plasma display panel includes magnesium oxide as a main component and is formed by performing a vacuum deposition process under hydrogen or moisture atmosphere by using one or more deposition sources selected from a group including BeO and CaO. The BeO is used as the deposition source. The BeO is between 50 ppm and 8,000 ppm when the magnesium oxide is 1 weight percent. In the deposition process, partial pressure of hydrogen or moisture is 1x10^-4Pa to 10^0Pa.

Description

피디피 보호막 재료 및 그 제조방법{PROTECTIVE MATERIALS AND THEIR METHOD OF MANUFACTURING FOR PDP}PD protective film material and its manufacturing method {PROTECTIVE MATERIALS AND THEIR METHOD OF MANUFACTURING FOR PDP}

도 1은 플라즈마 디스플레이 소자의 구조를 개략적으로 도시한 단면 사시도이고;1 is a cross-sectional perspective view schematically showing the structure of a plasma display element;

도 2는 Auger 중화 과정을 통하여 전자 방출 과정을 개략적으로 도시한 공정도이고;2 is a process diagram schematically illustrating an electron emission process through an Auger neutralization process;

도 3은 BeO가 도핑된 MgO 증착원과 도핑되지 않은 MgO 증착원을 이용하여 제조한 패널의 방전 효율을 비교하여 나타낸 실험 결과이고;3 is an experimental result comparing discharge efficiency of a panel manufactured using a BeO-doped MgO deposition source and an undoped MgO deposition source;

도 4는 BeO가 도핑된 MgO 증착원을 이용하여 수소 분위기에서 형성된 보호막을 이용한 패널의 방전 효율과 도핑되지 않은 MgO 증착원을 이용하여 진공 분위기에서 제조된 보호막을 이용한 패널의 방전 효율을 비교하여 나타낸 실험 결과 이고; 4 shows a comparison of the discharge efficiency of a panel using a protective film formed in a hydrogen atmosphere using a BeO-doped MgO deposition source and the discharge efficiency of a panel using a protective film prepared in a vacuum atmosphere using an undoped MgO deposition source. Experimental results;

도 5는 BeO가 도핑된 MgO 증착원을 이용하여 수소 분위기에서 형성된 보호막을 이용한 패널의 방전 지연 시간과 도핑되지 않은 MgO 증착원을 이용하여 진공 분위기에서 제조된 보호막을 이용한 패널의 방전 지연 시간을 비교하여 나타낸 실험 결과이고;5 compares the discharge delay time of a panel using a protective film formed in a hydrogen atmosphere using a BeO-doped MgO deposition source and the discharge delay time of a panel using a protective film manufactured in a vacuum atmosphere using an undoped MgO deposition source. Experimental results shown;

도 6는 CaO가 도핑된 MgO 증착원을 이용하여 진공 또는 수소 분위기에서 형 성된 보호막을 이용한 패널의 방전 효율과 도핑되지 않은 MgO 증착원을 이용하여 진공 분위기에서 제조된 보호막을 이용한 패널의 방전 효율을 비교하여 나타낸 실험 결과 이다.FIG. 6 shows the discharge efficiency of a panel using a protective film formed in a vacuum or hydrogen atmosphere using a CaO doped MgO deposition source and a discharge efficiency of a panel using a protective film manufactured in a vacuum atmosphere using an undoped MgO deposition source. The experimental results are shown in comparison.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

10 : 전면 기판 20 : 전면 기판 유전체10: front substrate 20: front substrate dielectric

30 : MgO 보호층 40 : 서스테인 전극30: MgO protective layer 40: sustain electrode

50 : 어드레스 전극 60 : 격벽 50: address electrode 60: partition wall

70 : 형광체 80 : 배면 기판70 phosphor 80 back substrate

90 : 배면 기판 유전층90 back substrate dielectric layer

본 발명은 플라스마 디스플레이 소자(Plasma Display Panel: PDP)의 전면판에 사용되는 MgO 보호막 재료 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는 BeO, CaO가 50ppm내지 8,000ppm까지 도핑된 MgO 펠렛을 전자빔 증착(e-beam evaporation), 이온플레이팅(ion-plating), 스퍼터링(sputtering) 등의 수소 분위기의 박막 형성 공정을 이용하여 PDP용 보호막을 형성하는 방법을 제공한다.The present invention relates to a M g O protective film material used in the front panel of a plasma display panel (PDP) and a method of manufacturing the same, and more specifically, MgO pellets doped with BeO and CaO from 50 ppm to 8,000 ppm Provided is a method for forming a PDP protective film using a hydrogen atmosphere thin film formation process such as e-beam evaporation, ion-plating, sputtering, or the like.

PDP는 평판형 표시 소자로서 화질이 우수하고, 두께가 얇으며, 무게가 가볍기 때문에 40 인치 이상의 대형 표시장치에 주로 사용되고 있다. 플라즈마 디스플 레이 소자는 배면판에 형성된 다수의 격벽과 다수의 어드레스 전극, 전면판에 형성되어 있는 다수의 서스테인 전극이 수직으로 교차하는 지점에서 화소가 형성되어 화상을 구현하게 된다.  PDP is a flat panel display device, and is mainly used for large display devices of 40 inches or more because of its excellent image quality, thin thickness, and light weight. In the plasma display device, a pixel is formed at a point where a plurality of partition walls formed on the rear plate, a plurality of address electrodes, and a plurality of sustain electrodes formed on the front plate vertically intersect to form an image.

이러한 PDP의 개략적인 구조를 나타내면 도 1과 같다. 유리 또는 금속 기판을 소재로 한 전면판(80)상에 투명 유전층(90)이 코팅되어 있고, 어드레스 전극(50)이 배면판(80) 또는 배면 유전층(90)상에 형성되어 있다. 어드레스 전극(50)을 사이에 두고 길다란 스트라이프(stripe) 형상의 격벽(60)이 존재하며 상기 격벽(60) 사이의 공간상 표면에 형광체가 도포되어 있어 서브 화소(sub pixel)를 구성한다. 유리로 이루어진 전면판(10) 상에는 다수의 서스테인 전극 및 스캔(40)이 형성되어 있으며, 그 아래에 상부 유전체(20)와 MgO 보호층(30)이 존재한다. 따라서, 이들 전면판(10)과 배면판(80)이 결합되게 되면, 상기 격벽(60)에 의해 격리된 다수의 화소 공간이 생기게 된다. 이러한 격리 공간상에는 Ne/Xe 가스 또는 Ne/He/Xe 가스 등이 봉입되어 있어서, 서스테인 전극(40)과 어드레스 전극(50)에 전압이 인가되면 상기 공간상에서 글로우 방전에 의하여 플라즈마가 형성되고, 서스테인 전극과 스켄 전극 간에 서스테인 전압을 인가하면 어드레스 과정에서 벽 전압이 형성된 방전셀의 서스테인 전극간에 글로우 방전이 발생하고, 이때 발생된 플라즈마로부터 생성된 진공 자외선(vacuum ultra vilolet)이 격벽 측면 및 격벽 간 하저면에 코팅되어 있는 형광체를 여기시켜, 적색, 녹색 및 청색 가시광선이 발생하게 된다.A schematic structure of such a PDP is shown in FIG. 1. A transparent dielectric layer 90 is coated on the front plate 80 made of a glass or metal substrate, and an address electrode 50 is formed on the back plate 80 or the back dielectric layer 90. A long stripe-shaped partition wall 60 exists with the address electrode 50 interposed therebetween, and phosphors are coated on the spaced surface between the partition walls 60 to form a sub pixel. A plurality of sustain electrodes and scans 40 are formed on the front plate 10 made of glass, and an upper dielectric 20 and an MgO protective layer 30 are present below. Therefore, when the front plate 10 and the back plate 80 are combined, a plurality of pixel spaces separated by the partition wall 60 are created. Ne / Xe gas or Ne / He / Xe gas is enclosed in such an isolation space. When voltage is applied to the sustain electrode 40 and the address electrode 50, plasma is formed by glow discharge in the space, and sustain is performed. When a sustain voltage is applied between the electrode and the scan electrode, a glow discharge is generated between the sustain electrodes of the discharge cells in which the wall voltage is formed during the addressing process. The phosphor coated on the bottom surface is excited to generate red, green and blue visible light.

MgO 보호막은 PDP의 글로우 방전에서 2차 전자 방출(secondary electron emission) 및 exo-electron emission을 발생시키어 방전 전압을 저하시키고, 방전 지연을 개선하는 특성을 가지고 있기 때문에, PDP의 개발 초기부터 전자 방출 재료로서 사용되어 왔다. 그러나 PDP의 소비 전력을 절감하기 위해서는 MgO로 부터의 2차 전자 방출 계수를 더욱 향상시켜 방전 개시 전압을 감소시키고, single scan 구동에 의한 부품 원가를 절감하기 위해서는 exo-electron emission 특성 개선에 의한 방전 지연을 더욱 감소시켜야 할 필요성이 대두되고 있다.Since the MgO protective film has characteristics of generating secondary electron emission and exo-electron emission in glow discharge of PDP to lower the discharge voltage and improving the discharge delay, the electron emission material has been developed since the beginning of PDP development. It has been used as. However, in order to reduce the power consumption of the PDP, the secondary electron emission coefficient from MgO is further improved to reduce the discharge start voltage, and in order to reduce the component cost by the single scan operation, the discharge delay is improved by improving the exo-electron emission characteristics. There is a need for further reduction.

MgO의 2차 전자 방출 계수에 영향을 미치는 인자로서는 MgO 박막의 우선 배향(orientation), 불순물(impurities), stoichiometry(화학 당량)등이 있다. 즉 우선 배향을 (111)방향으로 조절함으로서 2차 전자 방출 계수의 향상 및 이온에 의한 내 스퍼터링 특성을 향상시킨 예가 한국 특허출원 제2003-0074670호 등에 상세히 개시되어 있다. 또한 MgO의 불순물의 농도를 최소화시켜 2차 전자의 방출 계수를 향상시킨 예가 한국 특허출원 제2004-0057543호 등에 상세히 개시되어 있다. 화학 당량을 일정 범위내로 조절하여 MgO의 전자 방출 특성을 향상시킨 예 또한 한국 특허출원 제2004-0065886호 등에 상세히 개시되어 있다. Factors affecting the secondary electron emission coefficient of MgO include preferential orientation, impurities, stoichiometry (chemical equivalents) of the MgO thin film. That is, an example of improving the secondary electron emission coefficient and improving the sputtering resistance by ions by first adjusting the orientation in the (111) direction is disclosed in detail in Korean Patent Application No. 2003-0074670. In addition, an example of improving the emission coefficient of secondary electrons by minimizing the concentration of impurities in MgO is disclosed in detail in Korean Patent Application No. 2004-0057543. An example of improving the electron emission characteristics of MgO by adjusting the chemical equivalent within a certain range is also disclosed in detail in Korean Patent Application No. 2004-0065886.

이와 같은 MgO 내의 본질적인(intrinsic) 결함을 최소화하여 MgO의 전자 방출 특성을 향상시키기 위한 접근 방법과는 다르게 MgO 내에 전자 방출 특성에 긍정적인 영향을 미치는 산화물을 도핑(doping)함으로써 MgO 전자 방출 특성을 개선하고자 하는 특허가 다수 출원되었다. 즉 도핑 원소를 이용하여 MgO의 결함 에너지 레벨 및 농도를 조절함으로써, MgO의 전자 방출 특성을 적극적으로 조절하고자 하는 방법이다. MgO에서 2차 전자 방출은 오거(Auger) 중화 과정을 통하여 발생하는 것으로 알려져 있는데 이를 모식적으로 나타내면, 도 2와 같다. MgO의 표면에 PDP의 방전에 의하여 생성된 이온이 접근하면, MgO의 산소 이온의 2P 전자 괘도에 있는 전자가 터넬링에 의하여 이온과 중화 반응을 일으키고, 이때 발생되는 에너지가 밸런스(valence) 밴드 내에 존재하는 전자에 전달되어 외부로 방출되는 것이다. 이와 같은 방전 가스의 이온화 에너지 뿐만이 아니라 방전 가스의 준안정 상태(metastable) 에너지, 광자 에너지(photon energy), 표면 전하(wall charge)등에 의한 전기장등이 이차 전자의 방출에 필요한 에너지를 공급하는 것이 가능하다. 따라서 PDP 방전 시 발생하는 다양한 에너지원을 이용하여 전자를 방출하기 위해서는 MgO 밴드갭 내에 결함 레벨을 형성하여 전자 방출을 용이하게 하는 것이 필요하다.Unlike the approach for minimizing such intrinsic defects in MgO to improve the electron emission characteristics of MgO, doping of oxides that positively affect the electron emission characteristics in MgO improves MgO electron emission characteristics. Many patents have been filed. That is, the doping element is used to actively control electron emission characteristics of MgO by controlling the defect energy level and concentration of MgO. Secondary electron emission in MgO is known to occur through auger neutralization process, which is shown in FIG. When the ions generated by the discharge of the PDP approach the surface of the MgO, electrons in the 2P electron trajectory of the oxygen ions of the MgO cause a neutralization reaction with the ions by tunneling, and the energy generated at this time is within the balance band. It is transmitted to existing electrons and emitted to the outside. Not only the ionization energy of the discharge gas but also the electric field by the metastable state of the discharge gas, the photon energy, the wall charge, etc. can supply the energy required for the emission of the secondary electrons. Do. Therefore, in order to emit electrons using various energy sources generated during PDP discharge, it is necessary to form a defect level in the MgO band gap to facilitate electron emission.

이와 같은 도핑 원소 첨가에 의한 MgO의 전자 방출 특성을 향상시키기 위한 방법은 일본 특허 제2003-00331163호, 일본 특허 제2003-00335271호, 한국 특허출원 제2004-0037268호, 한국 특허출원 제2004-0108075호, 한국 특허출원 제2005-0061426호, 미국 특허 출원 제 2006-0145614호 등에 자세히 개시되어 있다. The method for improving the electron emission characteristics of MgO by the addition of such a doping element is Japanese Patent No. 2003-00331163, Japanese Patent No. 2003-00335271, Korean Patent Application No. 2004-0037268, Korean Patent Application No. 2004-0108075 Korean Patent Application No. 2005-0061426, US Patent Application No. 2006-0145614, and the like.

일본 특허 제2003-00331163호에서는 Si, Ge, C, Sn중의 적어도 하나의 원소와 주기율표의 4족, 5족, 6족, 7족의 원소중의 하나를 도핑원소로 사용하는 MgO 재료를 제공하고 있다. Si, Ge, C, Sn중의 원소는 도핑 농도가 20중량ppm~8000중량 ppm이고 주기율표의 4족, 5족, 6족, 7족 중의 원소는 10중량ppm~10000중량 ppm의 범위를 제시하고 있다. Japanese Patent No. 2003-00331163 provides an MgO material using at least one element of Si, Ge, C, Sn and one of Group 4, 5, 6 and 7 elements of the periodic table as a doping element. have. Elements in Si, Ge, C, and Sn have a doping concentration of 20 ppm by weight to 8000 ppm by weight, and elements in Groups 4, 5, 6 and 7 of the periodic table have a range of 10 ppm by weight to 10,000 ppm by weight. .

일본 특허 제2003-00335271호에서는 MgC2, Mg2C3, Mg3C4와 같은 탄화 마그네슘 이 포함되어 있는 MgO 재료를 제공하고 있다. 이 탄화 마그네슘은 50중량ppm~7000중량ppm의 농도 범위를 제안하고 있다. Japanese Patent No. 2003-00335271 provides a MgO material containing magnesium carbide such as MgC 2 , Mg 2 C 3 , Mg 3 C 4 . This magnesium carbide has proposed the concentration range of 50 ppm by weight to 7000 ppm by weight.

한국 특허출원 제2005-0061426호에서는 Si이 도핑된 보호막 성분을 제공하고 있는데, 이 경우 Si의 함량이 20ppm~500ppm의 범위에서 방전 지연이 가장 작은 특성이 낮은 조성을 제공하고 있다. 이 경우 Ca이 50ppm이하, Fe가 50ppm이하, 알루미늄이 250ppm이하, 5ppm이하의 니켈, 5ppm이하의 나트륨, 칼륨이 5ppm이하로 불순물의 함량을 제한하고 있다.In Korean Patent Application No. 2005-0061426, a Si-doped protective film component is provided. In this case, a composition having a smallest discharge delay is provided in a Si content of 20 ppm to 500 ppm. In this case, the content of impurities is limited to 50 ppm or less of Ca, 50 ppm or less of Fe, 250 ppm or less of aluminum, 5 ppm or less of nickel, 5 ppm or less of sodium, or potassium to 5 ppm or less.

한국 특허출원 제2004-0037268호에서는 Ca, Al, Fe 및 Si를 도펀트로서 사용한 MgO 보호막 재료를 개시하여, 이와 같은 도펀트 원소들의 상호작용에 의하여 PDP 방전 지연 시간을 최소화 할 수 있는 재료를 제공하고 있다. Ca의 함량은 100내지 300ppm, Al의 함량은 60내지 90ppm, Fe의 함량은 60내지 90ppm, Si의 함량은 40내지 100ppm의 조성을 제공하고 있다.Korean Patent Application No. 2004-0037268 discloses a MgO protective film material using Ca, Al, Fe, and Si as dopants, and provides a material capable of minimizing PDP discharge delay time by interaction of such dopant elements. . Ca content of 100 to 300ppm, Al content of 60 to 90ppm, Fe content of 60 to 90ppm, Si content of 40 to 100ppm is provided.

한국 특허출원 제2004-0108075호에서는 희토류 원소로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 원소 및 Al, Ca, Si에서 선택된 하나의 원소를 포함하고 있는 MgO 조성을 제공하고 있다. 희토류 원소로서 Sc의 함량이 마그네슘 산화물 1중량부당 50내지 600ppm인 조성을 제공하고 있으며, Ca의 함량은 50내지 400ppm, Al의 함량은 50내지 400ppm, Si의 함량은 50내지 400ppm의 조성을 제공하고 있다. 또한 이 조성은 Mn, Na, K, Cr, Fe, Zn, Bi, Ni 및 Zr으로 이루어진 불순물에서 Mn은 마그네슘 산화물 1중량부당 50ppm미만, Na는 30ppm미만, K는 30ppm미만, Cr은 10ppm미만, Fe는 20ppm미만의 순도를 가진 조성을 제공한다. Korean Patent Application No. 2004-0108075 provides an MgO composition containing at least one element selected from the group consisting of rare earth elements and at least one element selected from Al, Ca, and Si. As a rare earth element, Sc has a composition of 50 to 600ppm per 1 part by weight of magnesium oxide, Ca to 50 to 400ppm, Al to 50 to 400ppm, Si to 50 to 400ppm. In addition, the composition of Mn, Na, K, Cr, Fe, Zn, Bi, Ni and Zr, Mn is less than 50ppm per weight part of magnesium oxide, Na is less than 30ppm, K is less than 30ppm, Cr is less than 10ppm, Fe provides a composition with a purity of less than 20 ppm.

미국 특허 출원 제 2006-0145614호에서는 Sc, Ca, Si이 도핑된 MgO 조성을 제공하고 있다. 본 발명에 의하면, Sc의 함량이 50ppm에서 2,000ppm이고, Ca의 함량이 100ppm에서 1,000ppm, Si의 함량이 30ppm에서 500ppm일 때 방전 지연이 획기적으로 감소하는 것으로 게시하고 있다. US patent application 2006-0145614 provides a composition of MgO doped with Sc, Ca, Si. According to the present invention, when the content of Sc is 50ppm to 2,000ppm, the content of Ca is 100ppm to 1,000ppm, and the content of Si is 30ppm to 500ppm, the discharge delay is significantly reduced.

또한 MgO 증착 공정에서 증착 시 분위기를 조절하여 MgO 보호막의 전자 방출 특성을 개선하기 위한 방법은 일본 특허 제2003-00197158호에 개시되어 있다. 즉 MgO막의 물성이 성막 과정에서 산소 결손이나 불순물 혼입에 의하여 변화하기 때문에 성막된 MgO 박막의 미결합 본드(dangling bond)를 안정화시키기 위한 방법으로 산소가스를 성막 분위기에 도입하거나, 이와는 반대로 물, 수소, 일산화 탄소, 이산화탄소중에서 하나를 선택하여 미결합 본드를 증가시키는 적극적인 방법을 제공하고 있다. 이와 같이 증착시의 분위기 조절은 분압의 조절을 통하여 이루어지는데, 산소 분압이 1x10-3~5x10-2 Pa, 물의 분압이 1x10-4~5x10-3 Pa, 수소 가스 분압이 1x10-3~5x10-2 Pa, 일산화탄소 분압이 1x10-3~5x10-2 Pa인 방법을 게시하고 있다. In addition, a method for improving the electron emission characteristics of the MgO protective film by controlling the atmosphere during deposition in the MgO deposition process is disclosed in Japanese Patent No. 2003-00197158. That is, since the physical properties of the MgO film are changed by oxygen deficiency or impurity in the film formation process, oxygen gas is introduced into the film formation atmosphere to stabilize the dangling bonds of the formed MgO thin film or, conversely, water and hydrogen It offers an active way to increase the unbonded bond by selecting from carbon monoxide, carbon monoxide and carbon dioxide. As described above, the atmosphere is controlled by adjusting the partial pressure. The partial pressure of oxygen is 1x10 -3 to 5x10 -2 Pa, the partial pressure of water is 1x10 -4 to 5x10 -3 Pa, and the partial pressure of hydrogen gas is 1x10 -3 to 5x10- . 2 Pa, carbon monoxide partial pressure is 1x10 -3 ~ 5x10 -2 Pa.

이와 같은 도핑된 MgO의 사용 또는 MgO 증착 시의 분위기 조절은 MgO 박막의 특성을 향상시켜, 방전 효율의 향상 및 방전 지연시간을 단축시켜 PDP의 성능을 개선하는데 기여하고 있다. 그러나 Sc을 포함한 MgO 증착재의 경우에는 원재료 가격이 상승하며, Mg에 비하여 원자량이 큰 도핑 원소의 경우에는 증착 분위기내에서 이동도(mobility)가 낮아 박막 내로 도핑되는 분률이 감소하는 문제점이 있다. 또한 MgO내의 도핑 원소의 용해도는 이온의 반경, 원자가등에 의하여 좌우된다. 즉 Mg 이온대비 도핑 원소의 이온 반경 차이가 클수록, 원자가의 차이가 클수록 MgO내의 용해도가 감소한다. 따라서 도펀트 중에서 이온 반경의 차이가 크거나 원가가의 차이가 큰 재료의 경우에는 MgO 박막의 성막 공정 중에 용해도가 너무 낮게 되어 도핑이 되지 못하고 제 2상으로 석출하여, 도핑에 의한 방전 특성의 개선 효과를 얻을 수 없게 된다. The use of the doped MgO or the atmosphere control during MgO deposition improves the characteristics of the MgO thin film, and contributes to improving the performance of the PDP by improving the discharge efficiency and shortening the discharge delay time. However, in the case of MgO deposition material including Sc, the raw material price increases, and in the case of a doping element having a larger atomic weight than Mg, there is a problem in that the fraction of doping into the thin film is reduced due to low mobility in the deposition atmosphere. In addition, the solubility of the doping element in MgO depends on the radius of the ion, the valence, and the like. In other words, the larger the difference in the ion radius of the doping element compared to the Mg ion, the larger the difference in valence decreases the solubility in MgO. Therefore, in the case of a material having a large difference in ion radius or a high cost difference among dopants, the solubility becomes too low during the film forming process of the MgO thin film to precipitate as a second phase without doping, thereby improving the discharge characteristics by doping. You will not be able to get it.

도핑되지 않은 MgO 증착원을 이용하여 수소 분위기에서 진공 증착하는 경우, 증착과정에서 생성된 결함은 온도 안정성이 낮다. 따라서 보호막을 소성, 배기 봉착 등의 제조 공정 중에서 이들 결함이 분해되어 안정한 MgO 구조로 천이하게 된다. 따라서 이와 같은 분위기의 효과를 패널상태에서 구현하는데 한계가 있다. In the case of vacuum deposition in a hydrogen atmosphere using an undoped MgO deposition source, defects generated during the deposition process have low temperature stability. Therefore, these defects are decomposed during the manufacturing process such as firing, exhaust sealing, and the like to transition to a stable MgO structure. Therefore, there is a limit in implementing such an effect in the panel state.

따라서, 본 발명은 새로운 원소의 도핑에 의한 MgO 내에 결함을 인위적(extrinsically)으로 유발시키고, 이들 결함의 열적 안정성(thermal stability)을 개선하여, 종래 기술의 문제점과 과거로부터 요망되어 온 MgO의 전자 방출 특성을 개선하는 것을 목적으로 한다. 이를 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.Accordingly, the present invention artificially causes defects in MgO by doping of new elements and improves the thermal stability of these defects, thereby preventing the problems of the prior art and the electron emission of MgO which has been desired from the past. It aims at improving a characteristic. Looking at this in detail.

첫째, 기존의 특허에서 제공하고 있는 Sc등과 같은 고가의 도핑 원소를 대체하여 Mg와 동일한 원자가를 갖으며, 이온 반경의 차이가 상대적으로 적은 Be 및 Ca을 도핑 원소를 도핑 원소(BeO 및 CaO)로 첨가함으로써 재료 내에 정공(hole) 결함을 유도하고, 이들 이용하여 MgO의 발광 효율의 향상 및 방전 지연 시간을 단축할 수 있는 MgO 펠렛(pellet) 재료 성분을 제공한다.  First, Be and Ca, which have the same valence as Mg and have a relatively small difference in ion radius, are replaced with expensive doping elements such as Sc and the like provided by the existing patents. The addition provides an MgO pellet material component that can induce hole defects in the material and can be used to improve the luminous efficiency of MgO and shorten the discharge delay time.

둘째, 상기 펠렛을 증착원으로 사용하여 MgO 박막을 형성 시, 증착 분위기를 수소 또는 수분 분위기로 유지여 정공 결함의 열적 안정성을 향상시키는 기술을 제공한다. BeO 도핑에 의한 정공 결함은 180K에서 정공이 결함으로부터 해리되어(release) 분해되는데 비하여, 수소 분위기 하에서 형성된 Be2+-O--VMg-OH- 정공 결함의 경우는 335K까지 안정한 것으로 보고되고 있다 (Radiation Effects & Defects in Solids, 2003, Vol. 158, pp163-166). 따라서 Be 및 Ca의 도핑 효과를 극대화하기 위해서는 도핑 성분과 수소 또는 수분 분위기를 동시에 유지하는 방법의 제공이 필수적이다.Second, when forming the MgO thin film using the pellet as a deposition source, it provides a technique for maintaining the deposition atmosphere in a hydrogen or moisture atmosphere to improve the thermal stability of hole defects. Hole defects due to BeO doping are reported to be stable up to 335K in the case of Be 2+ -O -- V Mg -OH - hole defects formed under hydrogen atmosphere, whereas holes are released from the defect at 180K. (Radiation Effects & Defects in Solids, 2003, Vol. 158, pp 163-166). Therefore, in order to maximize the doping effect of Be and Ca, it is essential to provide a method of simultaneously maintaining the doping component and hydrogen or moisture atmosphere.

셋째, 전자 방출 특성의 향상에 의한 방전 효율이 증가하여 소비 전력이 감소된 PDP를 제조하는 기술을 제공하며, 방전 지연이 감소되여 single scan에 의한 full HD PDP를 구현할 수 있는 기술을 제공한다.Third, the present invention provides a technology for manufacturing a PDP with reduced power consumption due to an increase in discharge efficiency due to an improvement in electron emission characteristics, and a technology for realizing a full HD PDP using a single scan with a reduced discharge delay.

이러한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에서 제공하는 보호막 재료 및 제조방법이 적용되는 플라즈마 디스플레이 소자(PDP)는 전면 기판의 표시 영역상에 형성된 다수의 전극이 싱글 스캔 구동 방식으로 구동되고, 방전 공간에 제논(Xe) 가스를 포함하는 방전가스가 봉입된 PDP에 있어서, 상기 전면 기판상에 형성된 다수의 스캔 전극을 코팅하고 있는 전면 유전체층을 덮고 있는 보호막과; 상기 전면 기판과 대향하는 배면 기판, 배면 기판 상에 형성된 다수의 어드레스 전극, 어드레스 전극을 덮고 있는 배면 유전체층, 상기 배면 유전체층 상에 형성된 격벽, 상기 배면 유전체층과 격벽 표면에 형성되어 있는 형광체층을 가지는 배면 기판을 구비한다. In order to achieve this object, in the plasma display device (PDP) to which the protective film material and the manufacturing method provided by the present invention are applied, a plurality of electrodes formed on the display area of the front substrate are driven by a single scan driving method, A PDP in which a discharge gas containing xenon (Xe) gas is enclosed, the PDP comprising: a protective film covering a front dielectric layer coating a plurality of scan electrodes formed on the front substrate; A rear substrate facing the front substrate, a plurality of address electrodes formed on the rear substrate, a back dielectric layer covering the address electrodes, a partition formed on the back dielectric layer, a back dielectric layer and a phosphor layer formed on the partition wall surface A substrate is provided.

상기 보호막은 산화 마그네슘(MgO)를 주성분으로 하고 BeO 및/또는 CaO를 포함하는 마그네슘 산화물로 이루어지고, 상기 BeO, CaO의 도핑 함량이 상기 마그네슘 산화물 중량부당 50ppm~8,000ppm 첨가된 보호막을 제공한다. The protective film is made of magnesium oxide containing magnesium oxide (MgO) as a main component and BeO and / or CaO, and provides a protective film in which a doping content of BeO and CaO is added in an amount of 50 ppm to 8,000 ppm per weight part of the magnesium oxide.

또한 본 발명의 또 따른 과제를 이루기 위하여, 마그네슘 산화물 및 마그네슘 염으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 마그네슘 함유 화합물; 및 Be 산화물 및 Be의 염으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 Be 원소 함유 화합물; 및/또는 Ca 산화물 및 Ca의 염으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 Ca 원소 함유 화합물; 을 균일하게 혼합하는 단계; 상기 혼합 결과물을 하소(calcination)하는 단계; 상기 하소 결과물을 소결하여 보호막 형성용 증착원 펠렛을 형성하는 단계; 및 상기 보호막 증착원 펠렛을 이용하여 수소 분위기에서 보호막을 형성하는 단계를 포함하는 보호막 제조 방법을 제공한다. In addition, to achieve another object of the present invention, at least one magnesium-containing compound selected from the group consisting of magnesium oxide and magnesium salt; And at least one Be element-containing compound selected from the group consisting of Be oxides and salts of Be; And / or at least one Ca element-containing compound selected from the group consisting of Ca oxides and salts of Ca; Uniformly mixing; Calcination of the mixed product; Sintering the calcined product to form a deposition source pellet for forming a protective film; And forming a protective film in a hydrogen atmosphere using the protective film deposition source pellets.

또한 상기 보호막에는 불순물로서 Fe가 30ppm, Al이 50ppm, Si가 50ppm, Ni이 5ppm, Na가 5ppm, K가 5ppm이하로 유지하여 Be, Ca의 도핑에 poisoning 효과를 억제한다. 이하에 본 발명의 바람직한 실시 예들에 대하여 설명하기로 한다.In addition, the protective film maintains 30ppm of Fe, 50ppm of Al, 50ppm of Si, 5ppm of Ni, 5ppm of Na, and 5ppm of K or less as an impurity to suppress the poisoning effect on the doping of Be and Ca. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described.

본 발명에서 제공하는 보호막은 BeO, CaO을 도핑 물질로 포함하는 마그네슘 산화물을 증착원으로 이용하여 형성된다. 증착원 재질은 단결정 또는 다결정 BeO, CaO를 포함하는 산화 마그네슘을 이용하여 형성된다. BeO, CaO 포함 단결정 마그네 슘 산화물은 고순도 MgO를 원료로 하여 전융(arc fusion)법을 이용하여 제조하는 것이 가능하며, 상기 통상적인 불순물을 함유할 수 있다. BeO, CaO 포함 다결정 마그네슘 산화물은 상기의 하소, 소결 공정을 거쳐 펠렛 형태로 제조될 수 있다. The protective film provided in the present invention is formed by using magnesium oxide including BeO and CaO as a doping material as a deposition source. The deposition source material is formed using magnesium oxide containing monocrystalline or polycrystalline BeO, CaO. BeO, CaO-containing single crystal magnesium oxide can be prepared by using the high purity MgO using an arc fusion method, and may contain the above-mentioned conventional impurities. BeO, CaO-containing polycrystalline magnesium oxide may be prepared in the form of pellets through the above calcination, sintering process.

본 발명에 따른 보호막은 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition), 전자빔 증착(electron-beam evaporation), 이온 플레이팅(ion-plating), 스퍼터링(sputtering)등의 진공 증착법을 이용하여 다수의 서스테인 전극이 유전체층에 덮혀있는 PDP 전면 기판의 유전층 표면에 형성된다. 또한 증착시 수소 가스 또는 수분을 진공 증착 챔버내에 도입하여 10-4 Pa~100 Pa의 분압을 유지하여, 도핑에 의하여 형성된 결함의 열적 안정성을 확보한다. The protective film according to the present invention is a dielectric layer of a plurality of sustain electrodes using a vacuum deposition method such as chemical vapor deposition, electron-beam evaporation, ion plating, sputtering, etc. The PDP is formed on the surface of the dielectric layer of the front substrate covered with. In addition, during deposition, hydrogen gas or moisture is introduced into the vacuum deposition chamber to maintain a partial pressure of 10 −4 Pa to 10 0 Pa, thereby ensuring thermal stability of defects formed by doping.

도 3은 BeO이 도핑된 산화 마그네슘을 증착원으로 하고, 전자빔 증착법을 이용하여 제조된 패널과 도핑되지 않은 산화마그네슘을 증착원으로 사용하여 형성된 보호막을 이용하여 제조된 패널의 발광 효율을 비교하여 나타낸 것이다. 이 때, 증착 분위기는 수소가 도입되지 않은 진공 분위기를 유지하였다. BeO가 도핑됨으로써 도핑되지 않은 경우에 비하여 PDP의 발광 효율이 향상되는 것을 알 수 있다. 이러한 현상은 BeO가 도핑됨으로써 인위적인 결함레벨이 형성되고, 이것이 특성향상에 기여한 것이다. FIG. 3 shows a comparison of the luminous efficiency of a panel manufactured using a BeO-doped magnesium oxide as a deposition source, a panel manufactured using an electron beam deposition method, and a protective film formed using undoped magnesium oxide as a deposition source. will be. At this time, the vapor deposition atmosphere maintained a vacuum atmosphere in which hydrogen was not introduced. As the BeO is doped, it can be seen that the luminous efficiency of the PDP is improved as compared with the case where the BeO is not doped. This phenomenon is caused by the doping of BeO to create an artificial defect level, which contributes to the improvement of properties.

도 4는 BeO이 도핑된 산화 마그네슘 펠렛을 증착원으로 하고, 전자빔 증착법을 이용하여 수소 분위기에서 제조된 보호막을 이용하여 얻어진 패널과 도핑되지 않은 산화 마그네슘을 증착원으로 사용하여 진공 분위기에서 제조된 보호막을 이용 하여 얻어진 패널의 발광 효율을 비교하여 나타낸 것이다. BeO이 도핑된 산화 마그네슘 펠렛을 증착할 때 수소 분압은 1.3x10-2Pa로 유지하였고, 도핑되지 않은 산화 마그네슘 펠렛을 증착할 때 진공 분위기는 1.3x10-4Pa로 유지하였다. 도 3과 도4를 비교하여 보면, BeO이 도핑된 산화마그네슘을 수소 분위기에서 증착할 경우, 방전 효율의 향상이 더욱 두드러짐을 알 수 있다.4 is a protective film manufactured in a vacuum atmosphere using a BeO-doped magnesium oxide pellet as a deposition source, a panel obtained by using a protective film prepared in a hydrogen atmosphere using an electron beam evaporation method, and an undoped magnesium oxide as a deposition source. It shows by comparing the luminous efficiency of the panel obtained by using a. The hydrogen partial pressure was maintained at 1.3 × 10 −2 Pa when the BeO doped magnesium oxide pellets were deposited, and the vacuum atmosphere was maintained at 1.3 × 10 −4 Pa when the undoped magnesium oxide pellets were deposited. Comparing FIG. 3 with FIG. 4, it can be seen that when BeO-doped magnesium oxide is deposited in a hydrogen atmosphere, an improvement in discharge efficiency is more noticeable.

도 5는 BeO이 도핑된 산화 마그네슘 펠렛을 증착원으로 하고, 전자빔 증착법을 이용하여 수소 분위기에서 제조된 보호막을 이용하여 얻어진 패널과 도핑되지 않은 산화 마그네슘을 증착원으로 사용하여 진공 분위기에서 제조된 보호막을 이용하여 얻어진 패널의 방전 지연 시간을 나타내는 Laue plot을 비교하여 나타낸 것이다. BeO이 도핑된 산화 마그네슘 펠렛을 증착할 때 수소 분압은 1.3x10-2Pa로 유지하였고, 도핑되지 않은 산화 마그네슘 펠렛을 증착할 때 진공 분위기는 1.3x10-4Pa로 유지하였다. 도 5에서 보면, BeO이 도핑된 산화마그네슘을 수소 분위기에서 증착할 경우, 방전 지연 시간이 획기적으로 감소하는 것을 알 수 있다. FIG. 5 is a protective film prepared in a vacuum atmosphere using a magnesium oxide pellet doped with BeO as a deposition source, a panel obtained using a protective film prepared in a hydrogen atmosphere using an electron beam deposition method, and an undoped magnesium oxide as a deposition source. The Laue plot showing the discharge delay time of the panel obtained by using a comparison is shown. The hydrogen partial pressure was maintained at 1.3 × 10 −2 Pa when the BeO doped magnesium oxide pellets were deposited, and the vacuum atmosphere was maintained at 1.3 × 10 −4 Pa when the undoped magnesium oxide pellets were deposited. 5, it can be seen that when the BeO-doped magnesium oxide is deposited in a hydrogen atmosphere, the discharge delay time is significantly reduced.

또 하나의 실시 예로서 도 6에 CaO 도핑된 산화 마그네슘 펠렛을 증착원으로 하고, 전자빔 증착법을 이용하여 진공 또는 수소 분위기에서 제조된 보호막을 이용하여 얻어진 패널 과 도핑되지 않은 산화 마그네슘을 증착원으로 사용하여 진공 분위기에서 제조된 보호막을 이용하여 얻어진 패널의 발광 효율을 비교하여 나타낸 것이다. 이때 CaO이 도핑된 산화 마그네슘 펠렛을 증착할 때 수소 분압은 1.3x10- 2Pa로 유지하였고, 도핑되지 않은 산화 마그네슘 펠렛을 증착할 때 진공 분위기는 1.3x10-4Pa로 유지하였다. 도 6에서보면 CaO이 도핑된 산화마그네슘을 진공 분위기에서 증착하면 도핑되지 않은 산화 마그네슘을 증착원으로 사용한 경우보다 방전 효율이 증가하고, 수소 분위기에서 CaO이 도핑된 산화마그네슘을 증착할 경우, 방전 효율의 향상이 더욱 두드러짐을 알 수 있다.As another embodiment, CaO doped magnesium oxide pellets are used as a deposition source, and a panel obtained using a protective film prepared in a vacuum or hydrogen atmosphere using an electron beam deposition method and an undoped magnesium oxide are used as a deposition source. To compare the luminous efficiency of the panel obtained using the protective film produced in a vacuum atmosphere. The hydrogen partial pressure was maintained at 1.3 × 10 −2 Pa when CaO-doped magnesium oxide pellets were deposited, and the vacuum atmosphere was maintained at 1.3 × 10 −4 Pa when the undoped magnesium oxide pellets were deposited. Referring to FIG. 6, when CaO-doped magnesium oxide is deposited in a vacuum atmosphere, the discharge efficiency is increased compared to when undoped magnesium oxide is used as a deposition source, and when CaO-doped magnesium oxide is deposited in a hydrogen atmosphere, the discharge efficiency is increased. It can be seen that the improvement is more noticeable.

따라서, 본 발명에 따른 보호막은 PDP 패널에 적용하면 효율이 상승함과 동시에 고속 구동이 가능하여 PDP의 소비 전력을 감소시키고, single scan 적용에 따른 제조 부품 원가를 감소시키는 것이 가능하게 된다. Therefore, when the protective film according to the present invention is applied to a PDP panel, the efficiency is increased and at the same time, the high-speed driving is possible, thereby reducing the power consumption of the PDP, and it is possible to reduce the manufacturing part cost according to the single scan application.

본 발명은 또한 이러한 보호막이 형성된 전면판을 사용하여 제조된 플라즈마 디스플레이 소자(PDP)에 관한 것이다. 보호막이 형성된 전면판을 사용하여 PDP를 제조하는 방법은 당업계에 이미 잘 알려져 있으므로 그에 대한 상세한 설명은 생략한다. The present invention also relates to a plasma display device (PDP) manufactured using such a front plate on which a protective film is formed. Since a method for manufacturing a PDP using a front plate having a protective film is well known in the art, a detailed description thereof will be omitted.

본 발명에 의한 보호막은 특정 함량의 BeO, CaO 및 수소를 포함하는 마그네슘 산화물로 이루어져 있는바, 이를 구비한 패널은 방전 효율이 상승되며, 방전 시간이 단축되는 등 우수한 방전 특성을 갖는다. 따라서 본 발명에 따르는 보호막은 HD(high definition) 및 Full HD등의 고해상도 PDP를 제조하는데 적용할 수 있다. The protective film according to the present invention is composed of magnesium oxide containing a specific content of BeO, CaO and hydrogen, the panel having the same has excellent discharge characteristics such as the discharge efficiency is increased, the discharge time is shortened. Therefore, the protective film according to the present invention can be applied to manufacturing high resolution PDP such as HD (high definition) and Full HD.

본 발명이 속한 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기 내용을 바탕으로 하여 본 발명의 범주 내에서 다양한 응용 및 변형이 가능할 것이다. 따라서 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여 져야 할 것이다.Those skilled in the art to which the present invention pertains will be capable of various applications and modifications within the scope of the present invention based on the above contents. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification but should be defined by the claims.

Claims (13)

산화 마그네슘을 주성분으로 하고, BeO 및 CaO로 구성된 그룹에서 선택된 하나 이상의 증착원을 이용하여 수소 또는 수분 분위기내서 진공 증착 공정을 이용하여 형성된 것을 특징으로 하는 AC PDP용 보호막.A protective film for an AC PDP, comprising magnesium oxide as a main component and formed by a vacuum deposition process in a hydrogen or moisture atmosphere using at least one deposition source selected from the group consisting of BeO and CaO. 제 1 항에 있어서, 증착원은 BeO이고, BeO의 산화마그네슘 1중량부당 함량이 50ppm내지 8,000ppm이고, 증착 시 수소 또는 수분 분압이 1x10-4Pa 내지 100Pa인 것을 특징으로 하는 AC PDP용 보호막.The method of claim 1, wherein the deposition source is BeO, the content of BeO per magnesium oxide 50ppm to 8,000ppm, hydrogen or moisture partial pressure during deposition is characterized in that for 1x10 -4 Pa to 10 0 Pa Shield. 제 2 항에 있어서, BeO의 산화마그네슘 1중량부당 함량이 500ppm내지 2,000ppm이고, 증착 시 수소 또는 수분 분압이 1x10-3Pa 내지 10-1Pa인 것을 특징으로 하는 AC PDP용 보호막.The protective film for an AC PDP according to claim 2, wherein the content of BeO is in the range of 500 ppm to 2,000 ppm per 1 part by weight of magnesium oxide, and the hydrogen or water partial pressure during deposition is 1 × 10 −3 Pa to 10 −1 Pa. 제 1 항에 있어서, 증착원은 CaO이고, CaO의 산화마그네슘 1중량부당 함량이 50ppm내지 8,000ppm이고, 증착시 수소 또는 수분 분압이 1x10-4Pa 내지 100Pa인 것을 특징으로 하는 AC PDP용 보호막.The method of claim 1, wherein the evaporation source is CaO, the content of CaO per 1 part by weight of magnesium oxide is 50ppm to 8,000ppm, hydrogen or moisture partial pressure during deposition is 1x10 -4 Pa to 10 0 Pa for AC PDP Shield. 제 4 항에 있어서, CaO의 산화마그네슘 1중량부당 함량이 500ppm내지 2,000ppm이고, 증착 시 수소 또는 수분 분압이 1x10-3Pa 내지 10-1Pa인 것을 특징으로 하는 AC PDP용 보호막.The protective film for AC PDP according to claim 4, wherein the content of CaO per magnesium oxide is 500 ppm to 2,000 ppm, and hydrogen or water partial pressure is 1 × 10 −3 Pa to 10 −1 Pa during deposition. 제 1 항에 있어서, 증착원은 BeO 및 CaO이고, BeO의 산화마그네슘 1중량부당 함량이 50ppm내지 8,000ppm이며, CaO의 산화마그네슘 1중량부당 함량은 50ppm내지 8,000ppm이고, 증착 시 수소 또는 수분의 분압이 1x10-4Pa 내지 100Pa인 것을 특징으로 하는 AC PDP용 보호막.The method of claim 1, wherein the evaporation sources are BeO and CaO, the content of BeO per magnesium oxide is 50ppm to 8,000ppm, the CaO content of magnesium oxide is 50ppm to 8,000ppm, and the deposition of hydrogen or moisture A protective film for AC PDP, wherein the partial pressure is 1 × 10 −4 Pa to 10 0 Pa. 제 6 항에 있어서, BeO의 산화마그네슘 1중량부당 함량이 500ppm내지 2,000ppm이며, CaO의 산화마그네슘 1중량부당 함량은 500ppm내지 2,000ppm이고, 증착시 수소 또는 수분의 분압이 1x10-3Pa 내지 10-1Pa인 것을 특징으로 하는 AC PDP용 보호막.The content of magnesium oxide of BeO is in the range of 500 ppm to 2,000 ppm, and the content of CaO in magnesium oxide is 500 ppm to 2,000 ppm, and the partial pressure of hydrogen or moisture during deposition is 1 × 10 -3 Pa to 10 ppm. A protective film for AC PDP, which is -1 Pa. 제 1 항에 있어서, 상기 보호막에는 불순물로서 Fe가 30ppm, Al이 50ppm, Si가 50ppm, Ni이 5ppm, Na가 5ppm, K가 5ppm이하로 유지되는 것을 특징으로 하는 AC PDP용 보호막.2. The protective film for AC PDP according to claim 1, wherein said protective film is held at 30 ppm of Fe, 50 ppm of Al, 50 ppm of Si, 5 ppm of Ni, 5 ppm of Na, and 5 ppm of K. 증착원인 마그네슘 수화물 (Mg(OH)2); BeO 및 CaCO3로 구성된 그룹에서 선택된 하나 이상의 화합물을 균일하게 혼합하는 단계; Magnesium hydrate (Mg (OH) 2 ) as a deposition source; Uniformly mixing one or more compounds selected from the group consisting of BeO and CaCO 3 ; 상기 혼합하는 단계에서 혼합된 혼합물을 몰드 내에서 가압하여 펠렛 형태로 제조하는 단계; Pressing the mixture mixed in the mixing step in a mold to prepare pellets; 상기 펠렛을 하소하는 단계; Calcining the pellets; 상기 펠렛을 소결하여 보호막 형성용 증착원 펠렛을 형성하는 단계; Sintering the pellets to form deposition source pellets for forming a protective film; 및 상기 보호막 증착원 펠렛을 이용하여 수소 분위기에서 진공 증착하여 보호막을 형성하는 단계를 포함하는 AC PDP용 보호막 제조 방법.And vacuum deposition in a hydrogen atmosphere using the protective film deposition source pellets to form a protective film. 제 9 항에 있어서, 진공 증착법은 전자빔 증착(e-beam evaporation), 이온플레이팅(ion-plating), 스퍼터링(sputtering), 화학증착(chemical vapor deposition)을 포함하는 AC PDP용 보호막 제조 방법.The method of claim 9, wherein the vacuum deposition method includes e-beam evaporation, ion-plating, sputtering, and chemical vapor deposition. 증착원인 마그네슘 수화물 (Mg(OH)2); BeO 및 CaCO3로 구성된 그룹에서 선택된 하나 이상의 화합물을 균일하게 혼합하는 단계; Magnesium hydrate (Mg (OH) 2 ) as a deposition source; Uniformly mixing one or more compounds selected from the group consisting of BeO and CaCO 3 ; 상기 혼합하는 단계에서 생성된 혼합물을 전융 공정(arc fusion)을 통하여 단결정을 제조하는 단계; Preparing a single crystal through an arc fusion of the mixture produced in the mixing step; 및 상기 단결정을 이용하여 수소 분위기에서 진공 증착하여 보호막을 형성하는 단계를 포함하는 AC PDP용 보호막 제조 방법.And vacuum deposition in a hydrogen atmosphere using the single crystal to form a protective film. 제 11 항에 있어서, 진공 증착법은 전자빔 증착(e-beam evaporation), 이온플레이팅(ion-plating), 스퍼터링(sputtering), 화학증착(chemical vapor deposition)을 포함하는 AC PDP용 보호막 제조 방법.The method of claim 11, wherein the vacuum deposition method includes electron beam evaporation, ion-plating, sputtering, and chemical vapor deposition. 제 1 항의 보호막을 사용한 ac-플라즈마 디스플레이(ac-PDP) 소자.An ac-plasma display (ac-PDP) device using the protective film of claim 1.
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