KR100763553B1 - 포토레지스트 분석 장치 및 방법 - Google Patents
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Abstract
포토레지스트 분석 방법은 포토레지스트 샘플의 종류에 따라 샘플과 반응하는 자외선 영역의 레이저 광 및 엑스선 영역의 엑스선 광 중 어느 하나를 선택하고, 샘플을 노광하기 위해 샘플로 선택된 광을 조사하고, 광이 조사되는 동안 샘플의 성분 변화 및 특성을 분석한다. 포토레지스트 분석 장치는 광 발생기, 제어기 및 적외선 분광기를 포함한다. 광 발생기는 레이저 광 및 엑스선 광을 생성하며, 포토레지스트 샘플을 노광시키기 위해 광을 조사한다. 제어기는 포토레지스트 샘플의 종류에 따라 광 발생기가 샘플과 반응하는 파장의 광을 선택적으로 생성하여 조사하도록 제어한다. 적외선 분광기는 광이 조사되는 동안 포토레지스트 샘플의 성분 변화 및 특성을 분석한다.
Description
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 포토레지스트 분석 장치를 설명하기 위한 블록도이다.
도 2 내지 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 포토레지스트 분석 방법을 설명하기 위한 흐름도들이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
100 : 포토레지스트 분석 장치 102 : 광 발생기
104 : 적외선 분광기 106 : 제어기
107 : 레이저 발생 유닛 108 : X선 발생 유닛
109 : 조절 유닛 110 : 레이저 발생부
120 : 제1 가스 저장부 122 : 제2 가스 저장부
124 : 제3 가스 저장부 130 : 선택부
140 : 캐소드부 150 : 그리드 전극
160 : 포커스 전극 170 : 타겟부
180 : 적외선 광원부 190 : 검출부
200 : 프로세서부 S : 포토레지스트 샘플
본 발명은 포토레지스트 분석 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 포토레지스트가 노광되면서 발생하는 성분의 변화 및 특성을 분석하는 포토레지스트 분석 장치 및 방법에 관한 것이다.
디자인 룰(design rule)이 더욱 엄격해짐에 따라 반도체 장치 제조 공정에서는 미세 패턴을 형성하기 위한 미세한 포토레지스트 패턴이 요구된다. 상기와 같이 포토레지스트 패턴을 미세하게 형성하기 위해서는 광흡수가 적고 광감도가 높은 포토레지스트의 개발이 필요하다. 따라서, 노광 공정시 상기 포토레지스트의 성분 변화 및 특성에 대한 정보가 필요하다.
일반적으로, 물질의 특성을 분석에는 적외선 분광법(Fourier Transform Infrared Spectroscopy, FT-IR)이 사용된다. 상기 적외선 분광법은 분자의 작용기에 의한 특성적 스펙트럼을 비교적 쉽게 얻을 수 있다. 또한, 상기적외선 분광법은 광학 이성질체를 제외한 모든 물질의 스펙트럼이 서로 차이가 있어, 분자 구조를 용이하게 확인할 수 있다.
그러나, 상기 포토레지스트의 성분 변화 및 특성을 분석하기 위해서는 노광 수단이 필요하므로, 적외선 분광 장치만으로는 포토레지스트의 성분 변화 및 특성을 분석할 수 없다.
본 발명의 실시예들은 노광시 포토레지스트의 성분 변화 및 특성을 분석할 수 있는 포토레지스트 분석 방법을 제공한다.
본 발명의 실시예들은 노광시 포토레지스트의 성분 변화 및 특성을 분석할 수 있는 포토레지스트 분석 장치를 제공한다.
상기 본 발명의 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 포토레지스트 분석 방법은 포토레지스트 샘플의 종류에 따라 상기 샘플과 반응하는 파장의 광을 선택적으로 선택한다. 상기 샘플을 노광하기 위해 상기 샘플로 상기 선택된 광을 조사한다. 상기 광이 조사되는 동안 상기 샘플의 성분 변화 및 특성을 분석한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 광은 자외선 영역의 레이저 광 및 엑스선 영역의 엑스선 광 중 어느 하나일 수 있다. 상기 레이저 광이 선택되는 경우 상기 광을 조사는 다수의 레이저 소스 가스 중 상기 샘플의 포토레지스트를 노광하기 위한 레이저 소스 가스를 선택적으로 제공하고, 상기 레이저 소스 가스를 이용하여 레이저 광을 발생하여 이루어진다. 상기 레이저 소스 가스들은 불화 아르곤(ArF) 가스, 불화 크립톤(KrF) 가스 및 불소(F2) 가스를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 포토레지스트 샘플 분석은 노광이 이루어지는 포토레지스트로 적외선을 조사하고, 상기 포토레지스트를 투과한 적외선을 검출하며, 상기 검출 결과를 연산처리하는 것을 포함한다.
상기 포토레지스트 분석 방법은 상기 포토레지스트 샘플이 종류에 따라 상기 포토레지스트 시표를 노광할 수 있는 광을 생성하여 조사한다. 따라서, 상기 포토 레지스트 분석 방법은 여러 종류의 포토레지스트 샘플을 분석할 수 있다.
상기 본 발명의 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 포토레지스트 분석 장치는 광 발생기, 제어기 및 적외선 분광기를 포함한다. 상기 광 발생기는 다양한 파장의 광을 생성하며, 포토레지스트 샘플을 노광시키기 위해 상기 광을 조사한다. 상기 제어기는 상기 샘플의 종류에 따라 상기 광 발생기가 상기 샘플과 반응하는 파장의 광을 선택적으로 생성하여 조사하도록 제어한다. 상기 적외선 분광기는 상기 샘플을 향해 적외선을 조사하는 적외선 광원부과, 상기 샘플을 투과한 적외선을 검출하는 검출부와, 상기 검출부의 검출결과를 연산처리하여 출력하는 프로세서부를 포함하며, 상기 샘플이 노광되면서 발생하는 성분의 변화 및 특성을 분석한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 광 발생기는 자외선 영역의 특정 파장을 갖는 광들을 생성하여 조사하는 레이저 발생 유닛 및 엑스선 영역의 광을 생성하여 조사하는 엑스선 발생 유닛을 포함할 수 있다.
상기 레이저 발생 유닛은 서로 다른 레이저 소스 가스를 저장하는 다수의 가스 저장부들, 상기 가스 저장부들로부터 제공된 가스를 이용하여 레이저 광을 생성하며 상기 샘플을 향해 상기 레이저 광을 조사하는 레이저 광원부 및 상기 가스 저장부들과 상기 레이저 광원부를 연결하는 라인 상에 구비되며 상기 레이저 광원부로 상기 가스를 선택적으로 제공하기 위한 선택부를 포함할 수 있다. 상기 가스 저장부들은 불화 아르곤(ArF) 가스, 불화 크립톤(KrF) 가스 및 불소(F2) 가스를 각각 저장할 수 있다.
상기 엑스선 발생 유닛은 열 전자를 방출하는 캐소드, 상기 캐소드로부터 방 출된 열 전자를 제어하는 그리드 전극 및 열 전자가 충돌함으로써 X선을 발생시키는 타깃을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 광 발생기는 상기 레이저 발생 유닛 및 상기 엑스선 발생 유닛에서 조사된 광이 상기 샘플에만 조사되도록 상기 광의 경로를 조절하기 위한 조절 유닛을 더 포함할 수 있다.
상기 포토레지스트 분석 장치는 자외선 영역 및 엑스선 영역의 광을 선택적으로 조사할 수 있으므로, 여러 종류의 포토레지스트 샘플을 분석할 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 포토레지스트 분석 장치 및 방법에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 포토레지스트 분석 장치를 설명하기 위한 블록도이다.
도 1을 참조하면, 포토레지스트 분석 장치(100)는 자외선 영역 및 엑스선 영역의 광을 생성하며, 포토레지스트 샘플(S)을 행해 광을 조사하는 광 발생기(102), 상기 샘플(S)의 종류에 따라 상기 광 발생기(102)가 상기 샘플(S)과 반응하는 파장의 광을 선택적으로 생성하여 조사하도록 제어하는 제어기(104) 및 상기 샘플(S)이 노광되면서 발생하는 성분의 변화 및 특성을 분석하는 적외선 분광기(106)를 포함한다.
상기 포토레지스트는 광의 민감한 반응을 보이는 화합물로서, 광산발생제(photo acid generator)를 포함한다. 상기 포토레지스트는 양성 포토레지스트(positive photoresist)와 음성 포토레지스트(negative photoresist)로 분류할 수 있다. 상기 양성 포토레지스트는 광이 조사된 부분이 현상액에 녹으며, 이와 반대로, 음성 포토레지스트는 광이 조사되지 않은 부분이 현상액에 녹는다.
상기 광 발생기(102)는 상기 자외선 영역의 광을 발생하기 위한 레이저 발생 유닛(107), 상기 엑스선 영역의 광을 발생하기 위한 엑스선 발생 유닛(108) 및 상기 레이저 발생 유닛(107) 및 상기 엑스선 발생 유닛(108)에서 조사된 광이 상기 샘플(S)에만 조사되도록 상기 광의 경로를 조절하기 위한 조절 유닛(109)을 포함한다.
상기 레이저 발생 유닛(107)은 레이저 광원부(110), 제1, 제2 및 제3 가스 저장부(120, 122, 124) 및 선택부(130)를 포함한다.
상기 레이저 광원부(110)는 소스 가스를 이용하여 레이저를 발생한다. 일예로, 상기 레이저 광원부(110)는 고압의 전원이 인가되는 방전관과, 상기 방전관의 일측에 구비되는 미러 및 상기 방전관의 타측에 구비되는 하프 미러를 포함한다. 상기 방전관에 상기 소스 가스를 주입하고 고전압으로 방전시키면 상기 소스 가스는 들뜨게 된다. 상기 소스 가스가 들뜬 상태에서 안정 상태로 되면서 위상이 고른 파장을 갖는 빛을 연속적으로 발생한다. 상기 빛은 상기 미러와 하프 미러 사이를 왕복하고, 상기 빛 중 일부가 상기 하프 미러를 통해 외부로 출사된다.
상기 제1, 제2 및 제3 가스 저장부(120, 122, 124)는 상기 레이저 광원부(110)와 연결되며, 상기 레이저 광원부(110)로 상기 소스 가스를 제공한다. 상기 제1 가스 저장부(120)는 불화 크립톤(KrF) 가스을 제공한다. 상기 불화 크립톤 가스를 소스 가스로 사용하는 경우, 상기 레이저 광원부(110)는 248nm의 파장을 갖는 불화 크립톤 레이저 광을 방출한다. 제2 가스 저장부(122)는 불화 아르곤(ArF) 가스를 제공한다. 상기 불화 아르곤 가스를 소스 가스로 사용하는 경우, 상기 레이저 광원부(110)는 193nm의 파장을 갖는 불화 아르곤 레이저 광을 방출한다. 제3 가스 저장부(124)는 불소(F2) 가스을 제공한다. 상기 블소 가스를 소스 가스로 사용하는 경우, 상기 레이저 광원부(110)는 157nm의 파장을 갖는 불소 레이저 광을 방출한다.
상기 선택부(130)는 상기 제1, 제2 및 제3 가스 저장부(120, 122, 124)는 상기 레이저 광원부(110)를 연결하는 라인 상에 구비된다. 상기 샘플(S)이 자외선에 노광되는 경우, 상기 레이저 광원부(110)에서 상기 샘플(S)을 노광할 수 있는 광을 생성하도록 상기 선택부(130)는 상기 라인을 선택적으로 개방한다. 따라서, 상기 불화 크립톤 가스, 불화 아르곤 가스, 불소 가스 중 어느 하나의 가스가 선택적으로 상기 레이저 광원부(110)로 제공된다.
상기 엑스선 발생 유닛(108)은 캐소드부(140), 그리드 전극부(150), 포커스 전극부(160) 및 타켓부(170)를 포함한다.
상기 캐소드부(140)는 전자를 방출한다. 일예로, 상기 캐소드부(140)는 히터 의 열에 의해 가열되어 전자를 방출할 수 있다. 다른 예로, 상기 캐소드부(140)는 고전압을 인가되어 전자를 방출할 수 있다. 상기 그리드 전극부(150)는 방출된 전자를 가속한다. 상기 포커스 전극부(160)는 가속된 전자를 집속한다. 상기 타겟부(170)는 집속된 전자와 충돌한다. 상기 타겟부(170)와 충돌한 전자는 엑스선과 열로 변환되며, 상기 엑스선은 창을 통해 외부로 출사된다.
상기 조절 유닛(109)은 상기 레이저 발생 유닛(107) 또는 상기 엑스선 발생 유닛(109)에서 조사된 광이 상기 샘플(S)에만 조사되도록 상기 광의 경로를 조절한다. 상기 레이저 발생 유닛(107)에서 조사된 상기 레이저 광 또는 상기 엑스선 발생 유닛(109)에서 조사된 엑스선 등의 광은 강도가 세다. 그러므로, 상기 적외선 분광기(106)의 적외선 광원부(180) 및 검출부(190)에 상기 광이 직접 조사되어 상기 적외선 광원부(180) 및 상기 검출부(190)가 손상되는 것을 방지할 수 있다. 상기 조절 유닛(109)의 예로는 미러를 들 수 있다.
상기 제어기(104)는 상기 광 발생기(102)와 연결되며, 상기 샘플(S)의 종류에 따라 상기 광 발생기(102)에서 생성되어 조사되는 광을 조절한다. 상기 제어기(104)는 상기 레이저 발생 유닛(107) 및 상기 엑스선 발생 유닛(108)과 연결된다. 상기 샘플(S)이 상기 자외선 영역의 광에 의해 반응하는 샘플(S)인 경우, 상기 제어기(104)는 상기 레이저 발생 유닛(107)이 광을 생성하여 조사하도록 제어한다. 이때, 상기 샘플(S)이 반응하는 파장을 갖는 특정 레이저 광이 생성되도록 상기 제어기(104)는 상기 선택부(130)를 제어한다. 상기 샘플(S)이 상기 엑스선 영역의 광에 의해 반응하는 샘플(S)인 경우, 상기 제어기(104)는 상기 엑스선 발생 유 닛(108)이 광을 생성하여 조사하도록 제어한다.
상기 적외선 분광기(106)는 상기 적외선 광원부(180), 상기 검출부(190) 및 프로세서부(200)를 포함한다.
상기 적외선 광원부(180)는 상기 샘플(S)을 향해 적외선 영역의 광을 조사한다. 상기 적외선 광원부(180)는 상기 광 발생기(102)에서 조사된 자외선 영역 또는 엑스선 영역의 광이 조사되는 상기 샘플(S)의 면과 동일한 면에 상기 적외선 영역의 광을 조사된다.
도시되지는 않았지만, 상기 적외선 광원부(180)와 상기 샘플(S) 사이에는 상기 적외선 영역의 광을 집속하기 위한 집속 렌즈 및 상기 광을 간섭하기 위한 간섭계가 구비될 수 있다. 상기 간섭계의 예로는 마이켈슨 간섭계(Michelson interferometer)를 들 수 있다.
상기 검출부(190)는 상기 샘플(S)을 기준으로 상기 적외선 광원부(180)와 대칭되는 위치에 구비되며, 상기 샘플(S)을 투과한 적외선 영역의 광을 검출한다.
상기 프로세서부(200) 는 상기 검출부(190)와 연결되며, 상기 검출부(190)의 출력 신호에 따라 연산처리를 행하고, 그 결과를 도표 등으로 표시한다. 상기 프로세서부(200)의 예로는 컴퓨터를 들 수 있다.
상기 샘플(S)의 분자를 이루는 원자는 항상 기본진동을 하며, 상기 원자의 기본진동수는 적외선영역에 걸쳐 있다. 그러므로, 상기 적외선 분광기(106)에서 상기 분자에 그 기본진동수와 같은 진동수(즉, 주파수)를 가진 적외선을 조사하면, 상기 분자는 적외선 에너지를 흡수하여 기본진동의 진폭이 증가하게 되므로, 상기 샘플(S)을 통과한 적외선 투과율의 변화로부터 상기 샘플(S)의 분자구조를 파악할 수 있다.
상기 포토레지스트 분석 장치(100)는 상기 샘플(S)을 노광하면서 상기 샘플(S)을 분석할 수 있다. 그러므로, 상기 노광에 의한 상기 샘플(S)의 성분 변화 및 특성을 실시간으로 분석할 수 있다.
도 2는 포토레지스트 분석 방법을 설명하기 위한 흐름도이고, 도 3은 도 2의 레이저 광의 조사를 설명하기 위한 흐름도이며, 도 4는 도 2의 샘플 분석을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 2를 참조하면, 적외선 분광기(106)의 적외선 광로상에 포토레지스트 샘플(S)을 장착한다. 상기 샘플(S)의 종류에 따라 광 발생기(102)에서 생성할 광을 선택한다(S100).
구체적으로, 상기 샘플(S)이 반응하는 광의 파장 영역에 따라 자외선 영역의 레이저 광 및 엑스선 영역의 엑스선 광 중 어느 하나를 선택한다. 상기 샘플(S)이 상기 자외선 영역의 광에 반응하는 샘플(S)인 경우, 레이저 광이 선택되고, 상기 샘플(S)이 상기 엑스선 영역의 광에 반응하는 샘플(S)인 경우, 엑스선 광이 선택된다.
상기 광이 선택되면, 상기 광을 생성하여 상기 샘플(S)로 조사한다(S200).
도 3을 참조하면, 상기 레이저 광이 선택되면, 제어기(104)의 제어에 따라 선택부(130)는 상기 샘플(S)과 반응하는 레이저 광을 생성하기 위한 레이저 소스 가스를 레이저 광원부(110)로 제공한다(S210).
구체적으로, 상기 샘플(S)이 248nm의 파장의 레이저 광에 반응하는 경우, 상기 선택부(130)는 제1 가스 저장부(120)의 불화 크립톤 가스를 상기 레이저 광원부(110)로 제공한다. 상기 샘플(S)이 193nm의 파장의 레이저 광에 반응하는 경우, 상기 선택부(130)는 제2 가스 저장부(122)의 불화 아르곤 가스를 상기 레이저 광원부(110)로 제공한다. 상기 샘플(S)이 157nm의 파장의 레이저 광에 반응하는 경우, 상기 선택부(130)는 제3 가스 저장부(124)의 불소 가스를 상기 레이저 광원부(110)로 제공한다.
상기 레이저 소스 가스가 제공되면, 상기 레이저 광원부(110)는 레이저를 생성한다(S220).
구체적으로, 방전관에 상기 소스 가스가 주입하고 고압으로 방전하여 상기 소스 가스를 들뜨게 한다. 상기 소스 가스가 들뜬 상태에서 안정 상태로 되면서 위상이 고른 파장을 갖는 빛을 연속적으로 발생한다. 상기 빛은 미러와 하프 미러 사이를 왕복하고, 상기 빛 중 일부가 상기 하프 미러를 통해 외부로 출사된다.
상기 엑스선 광이 선택되면, 상기 제어기(104)의 제어에 상기 엑스선 발생 유닛(108)이 엑스선 광을 생성한다. 구체적으로, 캐소드부(140)에서 방출된 전자를 그리드 전극부(150)가 가속한다. 가속된 전자는 포커스 전극부(160)에서 집속되어 타겟부(170)와 충돌한다. 상기 타겟부(170)와 충돌한 전자는 엑스선과 열로 변환되며, 상기 엑스선은 창을 통해 외부로 출사된다.
상기 출사된 레이저 광 또는 엑스선은 조절 유닛에 의해 경로가 조절된다. 따라서, 상기 레이저 광 또는 엑스선은 상기 샘플(S)로만 조사된다.
상기 레이저 광 또는 엑스선이 상기 샘플(S)로 조사되는 동안 상기 샘플(S)의 성분 변화 및 특성을 분석한다(S300).
도 4를 참조하면, 상기 레이저 광 또는 엑스선에 의해 노광되는 샘플(S)로 적외선 광원부(180)에서 적외선을 조사한다(S310).
상기 적외선은 상기 샘플(S)을 투과한다. 상기 투과된 적외선을 검출부(190)에서 검출한다(S320).
상기 검출부(190)의 출력 신호에 따라 프로세서부(200)에서 연산처리를 수행하여 상기 샘플(S)의 성분 변화 및 특성을 분석한다.
상기 포토레지스트 분석 방법은 상기 샘플(S)의 종류에 따라 광을 선택적으로 생성하여 조사할 수 있다. 또한, 상기 포토레지스트 분석 방법은 상기 샘플(S)을 노광하면서 상기 노광에 따른 상기 샘플(S)의 성분 변화 및 특성을 실시간으로 분석할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 포토레지스트 분석 장치 및 방법은 상기 포토레지스트와 반응하는 광을 선택적으로 생성하여 조사할 수 있다. 또한, 상기 포토레지스트 분석 장치 및 방법은 상기 포토레지스트를 노광하면서 상기 노광에 따른 상기 포토레지스트의 성분 변화 및 특성을 실시간으로 분석할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역 으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
Claims (11)
- 포토레지스트 샘플의 종류에 따라 상기 샘플과 반응하는 파장의 광을 선택하는 단계;상기 샘플을 노광하기 위해 상기 샘플로 상기 선택된 광을 조사하는 단계; 및상기 광이 조사되는 동안 상기 샘플의 성분 변화 및 특성을 분석하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 분석 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 광은 자외선 영역의 레이저 광 및 엑스선 영역의 엑스선 광 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 분석 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 레이저 광이 선택되는 경우 상기 광을 조사하는 단계는,다수의 레이저 소스 가스 중 상기 샘플의 포토레지스트를 노광하기 위한 레이저 소스 가스를 선택적으로 제공하는 단계; 및상기 레이저 소스 가스를 이용하여 레이저 광을 발생하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 분석 방법.
- 제3항에 있어서, 상기 레이저 소스 가스들은 불화 아르곤(ArF) 가스, 불화 크립톤(KrF) 가스 및 불소(F2) 가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 분석 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 분석하는 단계는,노광이 이루어지는 상기 샘플로 적외선을 조사하는 단계;상기 샘플을 투과한 적외선을 검출하는 단계; 및상기 검출 결과를 연산처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 분석 방법.
- 다양한 파장의 광을 생성하며, 포토레지스트 샘플을 노광시키기 위해 상기 광을 조사하는 광 발생기;상기 샘플의 종류에 따라 상기 광 발생기가 상기 샘플과 반응하는 파장의 광을 선택적으로 생성하여 조사하도록 제어하는 제어기; 및적외선을 이용하여 상기 샘플이 노광되면서 발생하는 성분의 변화 및 특성을 분석하는 적외선 분광기를 포함하는 포토레지스트 분석 장치.
- 제6항에 있어서, 상기 광 발생기는,자외선 영역의 특정 파장을 갖는 광들을 생성하여 조사하는 레이저 발생 유닛; 및엑스선 영역의 광을 생성하여 조사하는 엑스선 발생 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 분석 장치.
- 제7항에 있어서, 상기 레이저 발생 유닛은,서로 다른 레이저 소스 가스를 저장하는 다수의 가스 저장부들;상기 가스 저장부들로부터 제공된 가스를 이용하여 레이저 광을 생성하며, 상기 샘플을 향해 상기 레이저 광을 조사하는 레이저 광원부; 및상기 가스 저장부들과 상기 레이저 광원부를 연결하는 라인 상에 구비되며, 상기 레이저 광원부로 상기 가스를 선택적으로 제공하기 위한 선택부를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 분석 측정 장치.
- 제8항에 있어서, 상기 가스 저장부들은 불화 아르곤(ArF) 가스, 불화 크립톤(KrF) 가스 및 불소(F2) 가스를 각각 저장하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 측정 장치.
- 제7항에 있어서, 상기 엑스선 발생 유닛은,열 전자를 방출하는 캐소드;상기 캐소드로부터 방출된 열 전자를 제어하는 그리드 전극; 및열 전자가 충돌함으로써 X선을 발생시키는 타깃을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 측정 장치.
- 제7항에 있어서, 상기 광 발생기는 상기 레이저 발생 유닛 및 상기 엑스선 발생 유닛에서 조사된 광이 상기 샘플에만 조사되도록 상기 광의 경로를 조절하기 위한 조절 유닛을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 측정 장치.
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