KR100752386B1 - Organic light emitting display device - Google Patents

Organic light emitting display device

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KR100752386B1
KR100752386B1 KR1020060106530A KR20060106530A KR100752386B1 KR 100752386 B1 KR100752386 B1 KR 100752386B1 KR 1020060106530 A KR1020060106530 A KR 1020060106530A KR 20060106530 A KR20060106530 A KR 20060106530A KR 100752386 B1 KR100752386 B1 KR 100752386B1
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light emitting
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KR1020060106530A
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고삼일
성연주
유병욱
이상봉
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삼성에스디아이 주식회사
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Abstract

An organic light emitting display device is provided to enhance a color representation property of the display device by using Al and Ag with high transmittance ratios as a second electrode and to generated white color by minimizing resonance effect. An organic light emitting display device includes a substrate(200), a first electrode(210), a pixel definition film(220), an organic film layer(230), and a second electrode(240). The first electrode is arranged on the substrate. The pixel definition film includes an aperture, which is a pixel region arranged on the first electrode. The organic film layer includes a white light emitting layer, which is arranged on the first electrode. The second electrode includes Al and Ag lamination films, which are arranged on the organic film layer. A red light emitting layer, a green light emitting layer, and a blue light emitting layer are laminated in the white light emitting layer.

Description

유기 전계 발광표시장치 {Organic Light Emitting Display Device}Organic Light Emitting Display Device

본 발명은 유기 전계 발광표시장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 제 2 전극을 투과율이 높은 Al과 Ag의 적층을 사용함으로써 공진효과를 최소화하여, 적색, 녹색, 청색을 이용하여 효과적으로 백색광을 구현하는 유기 전계 발광표시장치에 관한 것이다. The present invention relates to an organic light emitting display device, and more particularly, to minimize resonance effects by using a stack of Al and Ag having high transmittances as the second electrode, thereby effectively implementing white light using red, green, and blue. An organic electroluminescent display device.

일반적으로 유기 전계 발광표시장치는 기판, 상기 기판 상에 위치한 애노드(anode), 상기 애노드 상에 위치한 발광층(emission layer ;EML), 상기 발광층 상에 위치한 캐소드(cathode)로 이루어진다. 이러한 유기 전계 발광표시장치에 있어서, 상기 애노드와 캐소드 간에 전압을 인가하며, 정공과 전자가 상기 발광층 내로 주입되고, 상기 발광층 내로 주입된 정공과 전자는 상기 발광층에서 재결합하여 엑시톤(exiton)을 생성하고, 이러한 엑시톤이 여기상태에서 기저상태로 전이하면서 빛을 방출하게 된다.In general, an organic light emitting display device includes a substrate, an anode disposed on the substrate, an emission layer (EML) disposed on the anode, and a cathode disposed on the emission layer. In the organic light emitting display device, a voltage is applied between the anode and the cathode, holes and electrons are injected into the light emitting layer, and holes and electrons injected into the light emitting layer are recombined in the light emitting layer to generate excitons. In addition, these excitons emit light as they transition from the excited state to the ground state.

이러한 유기 전계 발광표시장치의 풀칼라화를 추진하기 위해서는 적색, 녹색 및 청색 각각에 해당하는 발광층을 형성하는 방법으로 상기 적색, 녹색 및 청색 각각에 해당하는 발광층을 형성하는 방법이 있다. 그러나 이 경우 상기 적색, 녹색 및 청색 각각에 해당하는 발광층은 서로 다른 수명 특성을 가지고 있어, 장시간 구동할 경우 화이트 밸런스를 유지하기 어려운 단점이 있다.In order to promote full colorization of the organic light emitting display device, there is a method of forming a light emitting layer corresponding to each of the red, green, and blue colors by forming a light emitting layer corresponding to each of red, green, and blue. However, in this case, the light emitting layers corresponding to each of the red, green, and blue colors have different life characteristics, which makes it difficult to maintain white balance when driven for a long time.

이를 해결하기 위해 상기 단일색의 광, 즉 백색 광을 방출하는 발광층을 형성하고, 상기 발광층으로부터 소정색에 해당하는 광을 추출하기 위한 칼라필터층 또는 상기 발광층으로부터 방출되는 광을 소정색의 광으로 변환하는 색 변환층을 형성하는 방법이 있다.In order to solve this problem, a light emitting layer emitting light of a single color, that is, white light is formed, and a color filter layer for extracting light corresponding to a predetermined color from the light emitting layer or light emitted from the light emitting layer is converted into light of a predetermined color. There is a method of forming a color conversion layer.

도 1은 종래의 백색 광을 방출하는 유기 전계 발광표시장치에 대한 단면도이다. 1 is a cross-sectional view of a conventional organic light emitting display device emitting white light.

도 1을 참조하면, 종래의 백색 광을 방출하는 유기 전계 발광표시장치는 기판(100) 및 상기 기판 상에 형성된 반사 전극인 제 1 전극(110)을 포함한다.Referring to FIG. 1, a conventional organic light emitting display device emitting white light includes a substrate 100 and a first electrode 110 that is a reflective electrode formed on the substrate.

여기서, 상기 기판(100)과 상기 제 1 전극(110) 사이에는 박막 트랜지스터, 캐패시터 및 절연막 등이 포함될 수 있다.Here, a thin film transistor, a capacitor, and an insulating film may be included between the substrate 100 and the first electrode 110.

상기 제 1 전극(110)상에는 화소 영역을 정의하는 다수의 개구부를 구비한 화소정의막(120)이 배치된다. 상기 제 1 전극(110) 상에는 청색발광층(B)인 제 1 발광층(133), 녹색발광층(G)인 제 2 발광층(134) 및 적색발광층(R)인 제 3 발광층(135)이 순서대로 적층된 유기막층(130)이 배치되고, 상기 유기막층(130)은 백색 광을 구현한다.A pixel definition layer 120 having a plurality of openings defining a pixel area is disposed on the first electrode 110. On the first electrode 110, a first light emitting layer 133, which is a blue light emitting layer B, a second light emitting layer 134, which is a green light emitting layer G, and a third light emitting layer 135, which is a red light emitting layer R, are sequentially stacked. The organic layer 130 is disposed, and the organic layer 130 implements white light.

상기 유기막층(130) 상에는 투과전극인 제 2 전극(140)이 배치되며,상기 제 2 전극(140) 상에는 투명보호막(150)이 배치된다. The second electrode 140, which is a transmissive electrode, is disposed on the organic layer 130, and the transparent protective layer 150 is disposed on the second electrode 140.

이와 같은 구조의 유기 전계 발광표시장치는 백색광을 구현하며, 칼라필터층(미도시)을 통하여 풀칼라를 구현할 수 있다.The organic light emitting display device having such a structure implements white light and can implement full color through a color filter layer (not shown).

한편, 전면발광형 유기 전계 발광 표시장치는 일반적으로 제 2 전극으로 강 공진구조를 가진 Mg와 Ag의 적층을 많이 사용한다. Mg와 Ag의 적층은 투과율은 매우 낮지만, 특정파장에 대하여 공진효과를 이용한 빛의 보강간섭을 일으켜 발광효과를 향상시킬 수 있다. 그러나 백색 광을 구현하고자 할 때에는 삼색의 파장이 모두 다르므로 강 공진구조를 적용하게 되면 발광 스펙트럼이 한쪽으로 치우치는 특성을 보이며 그로 인한 피크 균형이 무너진다. 그래서 이러한 강 공진구조로서는 백색 광을 구현하기가 힘들고 발광효율이 저하되는 문제점이 있다.On the other hand, a top emission type organic light emitting display device generally uses a stack of Mg and Ag having a strong resonance structure as a second electrode. The stack of Mg and Ag has a very low transmittance, but may cause reinforcing interference of light using a resonance effect with respect to a specific wavelength, thereby improving luminous effects. However, in order to realize white light, since all three colors have different wavelengths, when the strong resonance structure is applied, the emission spectrum is biased to one side, and thus the peak balance is broken. Therefore, such a strong resonant structure is difficult to implement white light and there is a problem that the luminous efficiency is lowered.

일반적으로 사용되는 ITO와 같은 TCO 등을 제 2 전극으로 사용할 수는 있으나 성막시 고온 및 고에너지에 디바이스가 노출되므로 백색 유기 전계 발광표시장치의 특성이 떨어질 염려가 있다. 또한, Ca와 Ag를 이용할 수 있으나 대면적으로 갈수록 소자 구동시 발생되는 열에 의해 Ca의 안정성 및 소자의 수명이 저하되는 단점이 있다. A TCO, such as ITO, which is generally used, may be used as the second electrode. However, since the device is exposed to high temperature and high energy during film formation, there is a concern that the characteristics of the white organic light emitting display device may deteriorate. In addition, although Ca and Ag may be used, the stability of Ca and the life of the device are deteriorated due to the heat generated when driving the device in larger areas.

따라서 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 균일하고 우수한 백색 광을 구현할 수 있는 유기 전계 발광표시장치를 제공한다.Accordingly, the present invention is to solve the above problems, and provides an organic light emitting display device that can implement a uniform and excellent white light.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 기판, 상기 기판 상에 위치하는 제 1 전극, 상기 제 1 전극 상에 위치하는 화소영역인 개구부를 갖는 화소정의막, 상기 제 1 전극 상에 위치하는 백색 발광층을 포함한 유기막층, 상기 유기막층 상에 Al과 Ag의 적층막을 포함하는 제 2 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광표시장치를 제공한다. In order to achieve the above object, the present invention provides a substrate, a pixel defining layer having an opening which is a first electrode positioned on the substrate, a pixel region positioned on the first electrode, and positioned on the first electrode. An organic film layer including a white light emitting layer and a second electrode including a stacked layer of Al and Ag on the organic film layer are provided.

이하, 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명한다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 도면들에 있어서, 층이 다른 층 또는 기판 "상"에 있다고 언급되어지는 경우에 그것은 다른 층 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 층이 개재될 수도 있다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings in order to describe the present invention in more detail. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein and may be embodied in other forms. In the figures, where a layer is said to be "on" another layer or substrate, it may be formed directly on the other layer or substrate, or a third layer may be interposed therebetween.

도 2 는 본 발명의 실시예에 따른 유기 전계 발광표시장치의 단면도이다.2 is a cross-sectional view of an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2 를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광표시장치는 기판(200)과 상기 기판(200)상에 형성된 제 1 전극(210)을 포함한다. 본 발명의 일 실시예에서, 제 1 전극(210)은 반사전극으로 구성할 수 있다. 또한, 상기 기판(200)과 상기 제 1 전극(210) 사이에는 반도체층, 게이트 전극, 소스/드레인 전극 등을 포함하는 박막트랜지스터, 캐패시터 및 절연막 등이 형성될 수 있다.Referring to FIG. 2, an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention includes a substrate 200 and a first electrode 210 formed on the substrate 200. In one embodiment of the present invention, the first electrode 210 may be configured as a reflective electrode. In addition, a thin film transistor, a capacitor, an insulating film, or the like including a semiconductor layer, a gate electrode, a source / drain electrode, and the like may be formed between the substrate 200 and the first electrode 210.

여기서 상기 제 1 전극(210)은 일함수가 높은 ITO 또는 IZO 및 Al, Ag 또는 이들의 합금으로 이루어진 반사막을 포함하는 2층 구조 또는 3중 구조로 형성될 수 있다.The first electrode 210 may be formed in a two-layer structure or a triple structure including a reflection film made of ITO or IZO having a high work function, and Al, Ag, or an alloy thereof.

이어서, 상기 제 1 전극(210) 상부에는 화소정의막(220)이 형성된다. 화소정의막(220)은 화소 영역을 정의하는 다수의 개구부를 구비한다. 상기 화소정의막(220)은 벤조사이클로부텐, 폴리이미드, 폴리아마이드, 아크릴계수지 등의 유기막 또는 무기막으로 형성될 수 있다.Subsequently, a pixel definition layer 220 is formed on the first electrode 210. The pixel definition layer 220 includes a plurality of openings defining pixel regions. The pixel definition layer 220 may be formed of an organic layer or an inorganic layer, such as benzocyclobutene, polyimide, polyamide, and acrylic resin.

이어서, 상기 제 1 전극(210) 상에는 백색 광을 발광하는 유기발광층을 포함한 유기막층(230)이 형성된다. 상기 유기막층(230)의 유기발광층은 적색 발광층, 녹색 발광층, 청색 발광층을 포함하며, 그 적층순서가 청색 발광층, 녹색 발광층, 적색 발광층인 것을 포함한다. 왜냐하면, 상기 유기발광층의 적층 순서가 호스트 물질 자체의 이동도 및 밴드갭 에너지, 도펀트 물질 자체의 밴드 갭 에너지가 재결합 영역에 영향을 미치기 때문이다. Subsequently, an organic layer 230 including an organic light emitting layer that emits white light is formed on the first electrode 210. The organic light emitting layer of the organic layer 230 may include a red light emitting layer, a green light emitting layer, and a blue light emitting layer, and the stacking order may include a blue light emitting layer, a green light emitting layer, and a red light emitting layer. This is because the stacking order of the organic light emitting layer affects the recombination region due to the mobility and band gap energy of the host material itself and the band gap energy of the dopant material itself.

또한, 상기 유기막층(230)은 정공수송층, 정공주입층, 전자수송층, 전자주입층에서 선택되는 단일층 또는 다중층을 더욱 포함할 수 있다.In addition, the organic layer 230 may further include a single layer or multiple layers selected from a hole transport layer, a hole injection layer, an electron transport layer, an electron injection layer.

상기 유기막층(230) 상에는 제 2 전극(240)이 배치된다. 상기 제 2 전극(240)으로는 Al과 Ag의 적층막을 사용할 수 있다. 상기 제 2 전극(240)의 두께는 본 기술분야에 숙달된 자라면 투과율, 반사율 그리고 전기 전도성을 고려하여 적절한 범위내에서 선택될 수 있을 것이다. 상기 제 2 전극(240)의 두께는 특별히 한정되지는 않지만, 80 내지 120Å인 것이 바람직하다. 제 2 전극(240)이 두꺼울 수록 저항은 감소하는 반면에 투과율이 저하하고 반사율이 상승하게 된다. 반대로 상기 제 2 전극(240)이 얇을수록 투과율이 증가하지만, 저항이 높아져 전극으로서 사용이 어렵다. The second electrode 240 is disposed on the organic layer 230. As the second electrode 240, a laminated film of Al and Ag may be used. The thickness of the second electrode 240 may be selected within an appropriate range by those skilled in the art in consideration of transmittance, reflectance and electrical conductivity. Although the thickness of the said 2nd electrode 240 is not specifically limited, It is preferable that it is 80-120 kPa. The thicker the second electrode 240, the lower the resistance, but the lower the transmittance and the higher the reflectance. On the contrary, the thinner the second electrode 240, the higher the transmittance, but the higher the resistance, it is difficult to use as an electrode.

Al과 Ag의 적층막은 투과율이 좋아 공진효과를 최소화하여 우수한 백색 광을 구현할 수 있으며 증착시 안정성 좋고, 재현성이 뛰어난 특성이 있으므로 제 2 전극으로 적용하기에 적당하다. The Al and Ag layered films have good transmittance, which can minimize the resonance effect, thereby realizing excellent white light, have good stability during deposition, and excellent reproducibility.

제 2 전극(240)상에는 투명보호막(250)이 형성될 수 있다. 상기 투명보호막(250)은 무기막, 유기막 또는 유-무기 복합막으로 형성할 수 있다. 바람직하게는 상기 무기막은 ITO, IZO, SiO2, SiNx, Y2O3 및 Al2O3로 이루어진 군에서 선택되는 하나이고, 상기 유기막은 파릴렌(parylene) 또는 HDPE이며, 상기 유-무기 복합막은 Al2O3와 유기고분자의 복합막이다.The transparent protective film 250 may be formed on the second electrode 240. The transparent protective film 250 may be formed of an inorganic film, an organic film, or an organic-inorganic composite film. Preferably, the inorganic film is one selected from the group consisting of ITO, IZO, SiO 2, SiNx, Y 2 O 3 and Al 2 O 3 , the organic film is parylene or HDPE, and the organic-inorganic composite film is Al 2 O. 3 and organic polymer composite film.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 제시한다. Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention.

다만, 하기의 제시된 실시예는 본 발명을 더욱 잘 이해하기 위해 제시된 것일 뿐 본 발명이 하기의 실시예에 한정되는 것은 아니다.However, the following presented examples are only presented to better understand the present invention, but the present invention is not limited to the following examples.

이하, 실시예 1 내지 실시예 5 및 비교예 1 내지 비교예 3을 참조하여 본 발명을 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 3.

<실시예 1><Example 1>

기판 상에 ITO를 사용하여 2mm×2mm 의 면적을 갖는 제 1 전극을 형성하고, 상기 기판을 세정 및 전처리(UV-03, 열처리) 하였다. 상기 전처리된 제 1 전극 상에 정공주입층과 정공수송층을 IDE406(이데미츠사)와 IDE320(이데미츠사)를 이용하여 750Å ,150Å의 두께로 진공 열증착법으로 형성하였다. 그 후, BH215(이데미츠사)에 BD052(이데미츠사)를 5%로 도핑하여 상기 정공수송층상에 80Å의 두께로 진공증착함으로써, 청색광을 방출하는 형광발광층을 형성하였다. 그리고 나서 상기 형광발광층 상에 TMM004(머크사) 호스트에 Ir(PPY)3(15%)와 TER021(15%)(머크사)을 도핑하여 220Å의 두께로 진공증착함으로써 각각 녹색과 적색 인광발광층을 얻었다. 상기 인광발광층 상에 Balq를 50Å의 두께로 진공증착한 후, Alq3를 200Å의 두께로 진공증착하고, 이어서 LiQ를 5Å의 두께로 진공증착함으로써, 정공억제층, 전자수송층, 전자주입층을 차례로 형성하였다. 그리고나서 상기 전자주입층 상에 Al을 10Å, Ag를 100Å의 두께로 진공증착함으로써 제 2 전극을 형성하였다. 상기 제 2 전극층 상에 공진효과를 최소로 하기 위하여 보호층을 400Å의 두께로 진공증착하였다.ITO was used on the substrate to form a first electrode having an area of 2 mm x 2 mm, and the substrate was cleaned and pretreated (UV-03, heat treatment). A hole injection layer and a hole transport layer were formed on the pretreated first electrode by vacuum thermal evaporation to a thickness of 750 kW and 150 kW using IDE406 (Idemitsu Co., Ltd.) and IDE320 (Idemitsu Co., Ltd.). Then, BH215 (Idemitsu Co., Ltd.) was doped with BD052 (Idemitsu Co., Ltd.) at 5% and vacuum-deposited at a thickness of 80 kPa on the hole transport layer to form a fluorescent light emitting layer emitting blue light. Then, a green and red phosphorescent layer was formed by doping TMM004 (Merck) host with Ir (PPY) 3 (15%) and TER021 (15%) (Merck) on a fluorescent layer to vacuum thickness of 220 Å. Got it. Balq was vacuum deposited to a thickness of 50 kPa on the phosphorescent layer, and Alq3 was vacuum deposited to a thickness of 200 kPa, followed by vacuum deposition of LiQ to a thickness of 5 kW, thereby forming a hole suppression layer, an electron transport layer, and an electron injection layer. It was. Then, on the electron injection layer, a second electrode was formed by vacuum evaporation of Al to 10 Å and Ag to 100 Å in thickness. In order to minimize the resonance effect on the second electrode layer, a protective layer was vacuum deposited to a thickness of 400 kPa.

<실시예 2><Example 2>

기판 상에 ITO를 사용하여 2mm×2mm 의 면적을 갖는 제 1 전극을 형성하고, 상기 기판을 세정 및 전처리(UV-03, 열처리) 하였다. 상기 전처리된 제 1 전극 상에 정공주입층과 정공수송층을 IDE406(이데미츠사)와 IDE320(이데미츠사)를 이용하여 750Å ,150Å의 두께로 진공 열증착법으로 형성하였다. 그 후, BH215(이데미츠사)에 BD052(이데미츠사)를 5%로 도핑하여 상기 정공수송층상에 80Å의 두께로 진공증착함으로써, 청색광을 방출하는 형광발광층을 형성하였다. 그리고 나서 상기 형광발광층 상에 TMM004(머크사) 호스트에 Ir(PPY)3(15%)와 TER021(15%)(머크사)을 도핑하여 220Å의 두께로 진공증착함으로써 각각 녹색과 적색 인광발광층을 얻었다. 상기 인광발광층 상에 Balq를 50Å의 두께로 진공증착한 후, Alq3를 200Å의 두께로 진공증착하고, 이어서 LiQ를 5Å의 두께로 진공증착함으로써, 정공억제층, 전자수송층, 전자주입층을 차례로 형성하였다. 그리고나서 상기 전자주입층 상에 Al을 10Å, Ag를 200Å의 두께로 진공증착함으로써 제 2 전극을 형성하였다. 상기 제 2 전극층 상에 공진효과를 최소로 하기 위하여 보호층을 400Å의 두께로 진공증착하였다.ITO was used on the substrate to form a first electrode having an area of 2 mm x 2 mm, and the substrate was cleaned and pretreated (UV-03, heat treatment). A hole injection layer and a hole transport layer were formed on the pretreated first electrode by vacuum thermal evaporation to a thickness of 750 kW and 150 kW using IDE406 (Idemitsu Co., Ltd.) and IDE320 (Idemitsu Co., Ltd.). Then, BH215 (Idemitsu Co., Ltd.) was doped with BD052 (Idemitsu Co., Ltd.) at 5% and vacuum-deposited at a thickness of 80 kPa on the hole transport layer to form a fluorescent light emitting layer emitting blue light. Then, a green and red phosphorescent layer was formed by doping TMM004 (Merck) host with Ir (PPY) 3 (15%) and TER021 (15%) (Merck) on a fluorescent layer to vacuum thickness of 220 Å. Got it. Balq was vacuum deposited to a thickness of 50 kPa on the phosphorescent layer, and Alq3 was vacuum deposited to a thickness of 200 kPa, followed by vacuum deposition of LiQ to a thickness of 5 kW, thereby forming a hole suppression layer, an electron transport layer, and an electron injection layer. It was. Then, on the electron injection layer, a second electrode was formed by vacuum evaporation of Al to 10 Å and Ag to 200 두께 in thickness. In order to minimize the resonance effect on the second electrode layer, a protective layer was vacuum deposited to a thickness of 400 kPa.

<실시예 3><Example 3>

기판 상에 ITO를 사용하여 2mm×2mm 의 면적을 갖는 제 1 전극을 형성하고, 상기 기판을 세정 및 전처리(UV-03, 열처리) 하였다. 상기 전처리된 제 1 전극 상에 정공주입층과 정공수송층을 IDE406(이데미츠사)와 IDE320(이데미츠사)를 이용하여 750Å ,150Å의 두께로 진공 열증착법으로 형성하였다. 그 후, BH215(이데미츠사)에 BD052(이데미츠사)를 5%로 도핑하여 상기 정공수송층상에 80Å의 두께로 진공증착함으로써, 청색광을 방출하는 형광발광층을 형성하였다. 그리고 나서 상기 형광발광층 상에 TMM004(머크사) 호스트에 Ir(PPY)3(15%)와 TER021(15%)(머크사)을 도핑하여 220Å의 두께로 진공증착함으로써 각각 녹색과 적색 인광발광층을 얻었다. 상기 인광발광층 상에 Balq를 50Å의 두께로 진공증착한 후, Alq3를 200Å의 두께로 진공증착하고, 이어서 LiQ를 5Å의 두께로 진공증착함으로써, 정공억제층, 전자수송층, 전자주입층을 차례로 형성하였다. 그리고나서 상기 전자주입층 상에 Al을 30Å, Ag를 200Å의 두께로 진공증착함으로써 제 2 전극을 형성하였다. 상기 제 2 전극층 상에 공진효과를 최소로 하기 위하여 보호층을 400Å의 두께로 진공증착하였다.ITO was used on the substrate to form a first electrode having an area of 2 mm x 2 mm, and the substrate was cleaned and pretreated (UV-03, heat treatment). A hole injection layer and a hole transport layer were formed on the pretreated first electrode by vacuum thermal evaporation to a thickness of 750 kW and 150 kW using IDE406 (Idemitsu Co., Ltd.) and IDE320 (Idemitsu Co., Ltd.). Then, BH215 (Idemitsu Co., Ltd.) was doped with BD052 (Idemitsu Co., Ltd.) at 5% and vacuum-deposited at a thickness of 80 kPa on the hole transport layer to form a fluorescent light emitting layer emitting blue light. Then, a green and red phosphorescent layer was formed by doping TMM004 (Merck) host with Ir (PPY) 3 (15%) and TER021 (15%) (Merck) on a fluorescent layer to vacuum thickness of 220 Å. Got it. Balq was vacuum deposited to a thickness of 50 kPa on the phosphorescent layer, and Alq3 was vacuum deposited to a thickness of 200 kPa, followed by vacuum deposition of LiQ to a thickness of 5 kW, thereby forming a hole suppression layer, an electron transport layer, and an electron injection layer. It was. Then, a second electrode was formed on the electron injection layer by vacuum evaporation of Al to 30 mW and Ag to a thickness of 200 mW. In order to minimize the resonance effect on the second electrode layer, a protective layer was vacuum deposited to a thickness of 400 kPa.

<비교예1>Comparative Example 1

기판 상에 ITO를 사용하여 2mm×2mm 의 면적을 갖는 제 1 전극을 형성하고, 상기 기판을 세정 및 전처리(UV-03, 열처리) 하였다. 상기 전처리된 제 1 전극 상에 정공주입층과 정공수송층을 IDE406(이데미츠사)와 IDE320(이데미츠사)를 이용하여 750Å ,150Å의 두께로 진공 열증착법으로 형성하였다. 그 후, BH215(이데미츠사)에 BD052(이데미츠사)를 5%로 도핑하여 상기 정공수송층상에 80Å의 두께로 진공증착함으로써, 청색광을 방출하는 형광발광층을 형성하였다. 그리고 나서 상기 형광발광층 상에 TMM004(머크사) 호스트에 Ir(PPY)3(15%)와 TER021(15%)(머크사)을 도핑하여 220Å의 두께로 진공증착함으로써 각각 녹색과 적색 인광발광층을 얻었다. 상기 인광발광층 상에 Balq를 50Å의 두께로 진공증착한 후, Alq3를 200Å의 두께로 진공증착하고, 이어서 LiQ를 5Å의 두께로 진공증착함으로써, 정공억제층, 전자수송층, 전자주입층을 차례로 형성하였다. 그리고나서 상기 전자주입층 상에 Mg와 Ag의 적층(10:1)을 120Å의 두께로 진공증착함으로써 제 2 전극을 형성하였다.ITO was used on the substrate to form a first electrode having an area of 2 mm x 2 mm, and the substrate was cleaned and pretreated (UV-03, heat treatment). A hole injection layer and a hole transport layer were formed on the pretreated first electrode by vacuum thermal evaporation to a thickness of 750 kW and 150 kW using IDE406 (Idemitsu Co., Ltd.) and IDE320 (Idemitsu Co., Ltd.). Then, BH215 (Idemitsu Co., Ltd.) was doped with BD052 (Idemitsu Co., Ltd.) at 5% and vacuum-deposited at a thickness of 80 kPa on the hole transport layer to form a fluorescent light emitting layer emitting blue light. Then, a green and red phosphorescent layer was formed by doping TMM004 (Merck) host with Ir (PPY) 3 (15%) and TER021 (15%) (Merck) on a fluorescent layer to vacuum thickness of 220 Å. Got it. Balq was vacuum deposited to a thickness of 50 kPa on the phosphorescent layer, and Alq3 was vacuum deposited to a thickness of 200 kPa, followed by vacuum deposition of LiQ to a thickness of 5 kW, thereby forming a hole suppression layer, an electron transport layer, and an electron injection layer. It was. Then, on the electron injection layer, a second electrode was formed by vacuum depositing a stack of Mg and Ag (10: 1) to a thickness of 120 kPa.

<비교예2>Comparative Example 2

기판 상에 ITO를 사용하여 2mm×2mm 의 면적을 갖는 제 1 전극을 형성하고, 상기 기판을 세정 및 전처리(UV-03, 열처리) 하였다. 상기 전처리된 제 1 전극 상에 정공주입층과 정공수송층을 IDE406(이데미츠사)와 IDE320(이데미츠사)를 이용하여 750Å ,150Å의 두께로 진공 열증착법으로 형성하였다. 그 후, BH215(이데미츠사)에 BD052(이데미츠사)를 5%로 도핑하여 상기 정공수송층상에 80Å의 두께로 진공증착함으로써, 청색광을 방출하는 형광발광층을 형성하였다. 그리고 나서 상기 형광발광층 상에 TMM004(머크사) 호스트에 Ir(PPY)3(15%)와 TER021(15%)(머크사)을 도핑하여 220Å의 두께로 진공증착함으로써 각각 녹색과 적색 인광발광층을 얻었다. 상기 인광발광층 상에 Balq를 50Å의 두께로 진공증착한 후, Alq3를 200Å의 두께로 진공증착하고, 이어서 LiQ를 5Å의 두께로 진공증착함으로써, 정공억제층, 전자수송층, 전자주입층을 차례로 형성하였다. 그리고나서 상기 전자주입층 상에 Mg와 Ag의 적층(10:1)을 140Å의 두께로 진공증착함으로써 제 2 전극을 형성하였다.ITO was used on the substrate to form a first electrode having an area of 2 mm x 2 mm, and the substrate was cleaned and pretreated (UV-03, heat treatment). A hole injection layer and a hole transport layer were formed on the pretreated first electrode by vacuum thermal evaporation to a thickness of 750 kW and 150 kW using IDE406 (Idemitsu Co., Ltd.) and IDE320 (Idemitsu Co., Ltd.). Then, BH215 (Idemitsu Co., Ltd.) was doped with BD052 (Idemitsu Co., Ltd.) at 5% and vacuum-deposited at a thickness of 80 kPa on the hole transport layer to form a fluorescent light emitting layer emitting blue light. Then, a green and red phosphorescent layer was formed by doping TMM004 (Merck) host with Ir (PPY) 3 (15%) and TER021 (15%) (Merck) on a fluorescent layer to vacuum thickness of 220 Å. Got it. Balq was vacuum deposited to a thickness of 50 kPa on the phosphorescent layer, and Alq3 was vacuum deposited to a thickness of 200 kPa, followed by vacuum deposition of LiQ to a thickness of 5 kW, thereby forming a hole suppression layer, an electron transport layer, and an electron injection layer. It was. Then, on the electron injection layer, a second electrode was formed by vacuum depositing a stack (10: 1) of Mg and Ag to a thickness of 140 kPa.

<비교예3>Comparative Example 3

기판 상에 ITO를 사용하여 2mm×2mm 의 면적을 갖는 제 1 전극을 형성하고, 상기 기판을 세정 및 전처리(UV-03, 열처리) 하였다. 상기 전처리된 제 1 전극 상에 정공주입층과 정공수송층을 IDE406(이데미츠사)와 IDE320(이데미츠사)를 이용하여 750Å ,150Å의 두께로 진공 열증착법으로 형성하였다. 그 후, BH215(이데미츠사)에 BD052(이데미츠사)를 5%로 도핑하여 상기 정공수송층상에 80Å의 두께로 진공증착함으로써, 청색광을 방출하는 형광발광층을 형성하였다. 그리고 나서 상기 형광발광층 상에 TMM004(머크사) 호스트에 Ir(PPY)3(15%)와 TER021(15%)(머크사)을 도핑하여 220Å의 두께로 진공증착함으로써 각각 녹색과 적색 인광발광층을 얻었다. 상기 인광발광층 상에 Balq를 50Å의 두께로 진공증착한 후, Alq3를 200Å의 두께로 진공증착하고, 이어서 LiQ를 5Å의 두께로 진공증착함으로써, 정공억제층, 전자수송층, 전자주입층을 차례로 형성하였다. 그리고나서 상기 전자주입층 상에 Mg와 Ag의 적층(10:1)을 160Å의 두께로 진공증착함으로써 제 2 전극을 형성하였다.ITO was used on the substrate to form a first electrode having an area of 2 mm x 2 mm, and the substrate was cleaned and pretreated (UV-03, heat treatment). A hole injection layer and a hole transport layer were formed on the pretreated first electrode by vacuum thermal evaporation to a thickness of 750 kW and 150 kW using IDE406 (Idemitsu Co., Ltd.) and IDE320 (Idemitsu Co., Ltd.). Then, BH215 (Idemitsu Co., Ltd.) was doped with BD052 (Idemitsu Co., Ltd.) at 5% and vacuum-deposited at a thickness of 80 kPa on the hole transport layer to form a fluorescent light emitting layer emitting blue light. Then, a green and red phosphorescent layer was formed by doping TMM004 (Merck) host with Ir (PPY) 3 (15%) and TER021 (15%) (Merck) on a fluorescent layer to vacuum thickness of 220 Å. Got it. Balq was vacuum deposited to a thickness of 50 kPa on the phosphorescent layer, and Alq3 was vacuum deposited to a thickness of 200 kPa, followed by vacuum deposition of LiQ to a thickness of 5 kW, thereby forming a hole suppression layer, an electron transport layer, and an electron injection layer. It was. Then, a second electrode was formed on the electron injection layer by vacuum depositing a stack of Mg and Ag (10: 1) to a thickness of 160 kPa.

<비교예4>Comparative Example 4

기판 상에 ITO를 사용하여 2mm×2mm 의 면적을 갖는 제 1 전극을 형성하고, 상기 기판을 세정 및 전처리(UV-03, 열처리) 하였다. 상기 전처리된 제 1 전극 상에 정공주입층과 정공수송층을 IDE406(이데미츠사)와 IDE320(이데미츠사)를 이용하여 750Å ,150Å의 두께로 진공 열증착법으로 형성하였다. 그 후, BH215(이데미츠사)에 BD052(이데미츠사)를 5%로 도핑하여 상기 정공수송층상에 80Å의 두께로 진공증착함으로써, 청색광을 방출하는 형광발광층을 형성하였다. 그리고 나서 상기 형광발광층 상에 TMM004(머크사) 호스트에 Ir(PPY)3(15%)와 TER021(15%)(머크사)을 도핑하여 220Å의 두께로 진공증착함으로써 각각 녹색과 적색 인광발광층을 얻었다. 상기 인광발광층 상에 Balq를 50Å의 두께로 진공증착한 후, Alq3를 200Å의 두께로 진공증착하고, 이어서 LiQ를 5Å의 두께로 진공증착함으로써, 정공억제층, 전자수송층, 전자주입층을 차례로 형성하였다. 그리고나서 상기 전자주입층 상에 Mg와 Ag의 적층(10:1)을 180Å의 두께로 진공증착함으로써 제 2 전극을 형성하였다.ITO was used on the substrate to form a first electrode having an area of 2 mm x 2 mm, and the substrate was cleaned and pretreated (UV-03, heat treatment). A hole injection layer and a hole transport layer were formed on the pretreated first electrode by vacuum thermal evaporation to a thickness of 750 kW and 150 kW using IDE406 (Idemitsu Co., Ltd.) and IDE320 (Idemitsu Co., Ltd.). Then, BH215 (Idemitsu Co., Ltd.) was doped with BD052 (Idemitsu Co., Ltd.) at 5% and vacuum-deposited at a thickness of 80 kPa on the hole transport layer to form a fluorescent light emitting layer emitting blue light. Then, a green and red phosphorescent layer was formed by doping TMM004 (Merck) host with Ir (PPY) 3 (15%) and TER021 (15%) (Merck) on a fluorescent layer to vacuum thickness of 220 Å. Got it. Balq was vacuum deposited to a thickness of 50 kPa on the phosphorescent layer, and Alq3 was vacuum deposited to a thickness of 200 kPa, followed by vacuum deposition of LiQ to a thickness of 5 kW, thereby forming a hole suppression layer, an electron transport layer, and an electron injection layer. It was. Then, on the electron injection layer, a second electrode was formed by vacuum depositing a stack of Mg and Ag (10: 1) to a thickness of 180 Å.

<비교예5>Comparative Example 5

기판 상에 ITO를 사용하여 2mm×2mm 의 면적을 갖는 제 1 전극을 형성하고, 상기 기판을 세정 및 전처리(UV-03, 열처리) 하였다. 상기 전처리된 제 1 전극 상에 정공주입층과 정공수송층을 IDE406(이데미츠사)와 IDE320(이데미츠사)를 이용하여 750Å ,150Å의 두께로 진공 열증착법으로 형성하였다. 그 후, BH215(이데미츠사)에 BD052(이데미츠사)를 5%로 도핑하여 상기 정공수송층상에 80Å의 두께로 진공증착함으로써, 청색광을 방출하는 형광발광층을 형성하였다. 그리고 나서 상기 형광발광층 상에 TMM004(머크사) 호스트에 Ir(PPY)3(15%)와 TER021(15%)(머크사)을 도핑하여 220Å의 두께로 진공증착함으로써 각각 녹색과 적색 인광발광층을 얻었다. 상기 인광발광층 상에 Balq를 50Å의 두께로 진공증착한 후, Alq3를 200Å의 두께로 진공증착하고, 이어서 LiQ를 5Å의 두께로 진공증착함으로써, 정공억제층, 전자수송층, 전자주입층을 차례로 형성하였다. 그리고나서 상기 전자주입층 상에 Mg와 Ag의 적층(10:1)을 200Å의 두께로 진공증착함으로써 제 2 전극을 형성하였다.ITO was used on the substrate to form a first electrode having an area of 2 mm x 2 mm, and the substrate was cleaned and pretreated (UV-03, heat treatment). A hole injection layer and a hole transport layer were formed on the pretreated first electrode by vacuum thermal evaporation to a thickness of 750 kW and 150 kW using IDE406 (Idemitsu Co., Ltd.) and IDE320 (Idemitsu Co., Ltd.). Then, BH215 (Idemitsu Co., Ltd.) was doped with BD052 (Idemitsu Co., Ltd.) at 5% and vacuum-deposited at a thickness of 80 kPa on the hole transport layer to form a fluorescent light emitting layer emitting blue light. Then, a green and red phosphorescent layer was formed by doping TMM004 (Merck) host with Ir (PPY) 3 (15%) and TER021 (15%) (Merck) on a fluorescent layer to vacuum thickness of 220 Å. Got it. Balq was vacuum deposited to a thickness of 50 kPa on the phosphorescent layer, and Alq3 was vacuum deposited to a thickness of 200 kPa, followed by vacuum deposition of LiQ to a thickness of 5 kW, thereby forming a hole suppression layer, an electron transport layer, and an electron injection layer. It was. Then, on the electron injection layer, a second electrode was formed by vacuum depositing a stack of Mg and Ag (10: 1) to a thickness of 200 kPa.

이하, 표 1 및 표2 와 도 3 내지 도 5를 참조하여 본 발명을 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to Tables 1 and 2 and FIGS. 3 to 5.

하기 표 1은 제 2 전극을 Al과 Ag의 적층으로 하여 두께에 따른 면저항을 측정한 것이고, 표 2는 제 2 전극을 Mg와 Ag의 적층으로 하여 두께에 따른 면저항을 측정한 것이다. Table 1 shows the sheet resistance according to the thickness of the second electrode as a stack of Al and Ag, and Table 2 measures the sheet resistance according to the thickness of the second electrode as the stack of Mg and Ag.

표1Table 1

Al/Ag 두께(Å)Al / Ag thickness 면저항(Ω/□) Sheet Resistance ( Ω / □)  평균Average 실시예1Example 1 10/10010/100 6.056.05 5.735.73 6.426.42 6.46.4 6.396.39 5.975.97 6.166.16 실시예2Example 2 10/20010/200 1.9031.903 1.8631.863 1.921.92 2.2552.255 2.1842.184 2.092.09 2.042.04 실시예3Example 3 30/20030/200 2.4062.406 2.6122.612 2.3722.372 2.6132.613 2.6012.601 2.6332.633 2.542.54

표2Table 2

Mg/Ag(10:1) 두께(Å)Mg / Ag (10: 1) Thickness 면저항(Ω/□) Sheet Resistance ( Ω / □)  평균Average 비교예1Comparative Example 1 120120 38.6738.67 38.3138.31 38.7438.74 40.5140.51 39.6239.62 40.140.1 39.3339.33 비교예2Comparative Example 2 140140 30.2430.24 30.1930.19 30.1630.16 31.1831.18 31.5431.54 32.1932.19 30.9230.92 비교예3Comparative Example 3 160160 25.2225.22 25.0325.03 25.3125.31 26.1426.14 25.6625.66 25.8525.85 25.5425.54 비교예4Comparative Example 4 180180 19.8619.86 20.2520.25 19.8919.89 20.0420.04 20.320.3 2020 20.0620.06 비교예5Comparative Example 5 200200 17.8517.85 17.6217.62 18.5518.55 18.3618.36 18.2818.28 18.1618.16 18.1418.14

표 1 및 표 2를 참조하면, 두께가 얇을수록 면저항이 증가하는 것을 알 수 있다. 그러나 표 1 과 표 2를 비교해보면, 실시예 1의 제 2 전극의 두께는 110Å이고 비교예 1의 제 2 전극의 두께는 120Å으로 실시예 1의 전극의 두께가 비교예 1의 제 2 전극의 두께보다 얇으나 면저항은 비교예의 면저항보다 낮은 것을 알 수 있다. Referring to Table 1 and Table 2, it can be seen that as the thickness is thin, the sheet resistance increases. However, when comparing Table 1 and Table 2, the thickness of the second electrode of Example 1 is 110Å and the thickness of the second electrode of Comparative Example 1 is 120Å and the thickness of the electrode of Example 1 is the thickness of the second electrode of Comparative Example 1 Although thinner than the thickness, the sheet resistance is lower than that of the comparative example.

도 3은 제 2 전극을 Al과 Ag의 적층으로 하여 두께에 따른 투과율을 측정한 것이고, 도 4는 제 2 전극을 Mg와 Ag의 적층으로 하여 두께에 따른 투과율을 측정한 것이다. FIG. 3 shows the transmittance according to the thickness of the second electrode as a stack of Al and Ag, and FIG. 4 shows the transmittance along the thickness of the second electrode as a stack of Mg and Ag.

도 3 및 도 4를 참조하면, 제 2 전극의 투과율은 두께가 두꺼울수록 좋지 않음을 알 수 있다. 또한, 도 5를 참조하여 실시예 2와 비교예 4를 비교해보면, 파장이 460nm 일 때 실시예 2인 Al과 Ag를 적층한 전극의 경우에는 투과율이 30%이고, 비교예 4인 Mg와 Ag를 적층한 전극의 경우에는 투과율이 24%임을 알 수 있다. 또한, 실시예 2의 제 2 전극의 두께가 210Å 이고, 비교예 4의 제 2 전극의 두께가 180Å으로 실시예 2의 전극의 두께가 두껍더라도 실시예 2의 투과율이 비교예 4의 투과율보다 더 우수함을 알 수 있다. 3 and 4, it can be seen that the transmittance of the second electrode is not as good as the thickness is thick. In addition, when comparing Example 2 with Comparative Example 4 with reference to FIG. 5, the electrode having Al and Ag laminated as Example 2 when the wavelength was 460 nm, the transmittance is 30%, Mg and Ag of Comparative Example 4 In the case of stacked electrodes, it can be seen that the transmittance is 24%. In addition, although the thickness of the second electrode of Example 2 is 210 kW, the thickness of the second electrode of Comparative Example 4 is 180 kV, and the thickness of the electrode of Example 2 is thick, the transmittance of Example 2 is more than that of Comparative Example 4 It can be seen that excellent.

그러므로 Al과 Ag의 적층의 면저항과 투과율은 Mg와 Ag의 면저항과 투과율보다 더 우수하므로 백색 발광을 위한 소자로써 더 적합하다. Therefore, the sheet resistance and transmittance of the stack of Al and Ag are better than the sheet resistance and transmittance of Mg and Ag, which makes it more suitable as a device for white light emission.

이상에서와 같이, 본 발명은 제 2 전극으로 투과율이 높은 Al과 Ag의 적층을 사용하므로써, 공진효과를 최소화하여 우수한 백색 광을 구현할 수 있도록 하였고, Al과 Ag의 적층은 안정성 및 증착시 재현성이 우수하므로 유기 전계 발광표시장치로서의 특성이 우수하다.  As described above, the present invention uses a stack of Al and Ag having a high transmittance as the second electrode, thereby minimizing the resonance effect to realize excellent white light, the stack of Al and Ag is stable and reproducible during deposition Since it is excellent, the characteristics as an organic electroluminescent display are excellent.

도 1 은 종래의 유기 전계 발광표시장치의 관한 단면도이고,1 is a cross-sectional view of a conventional organic light emitting display device;

도 2 는 본 발명에 따른 유기 전계 발광표시장치에 관한 단면도이고,2 is a cross-sectional view of an organic light emitting display device according to the present invention;

도 3 내지 도 5 는 본 발명에 따른 실시예와 비교예에 관한 도면이다.3 to 5 are views related to the examples and comparative examples according to the present invention.

Claims (6)

기판;Board; 상기 기판 상에 위치하는 제 1 전극;A first electrode on the substrate; 상기 제 1 전극 상에 위치하는 화소영역인 개구부를 갖는 화소정의막;A pixel definition layer having an opening that is a pixel region on the first electrode; 상기 제 1 전극 상에 위치하는 백색 발광층을 포함한 유기막층; 및An organic layer including a white light emitting layer on the first electrode; And 상기 유기막층 상에 Al과 Ag의 적층막을 포함하는 제 2 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광표시장치.And a second electrode including a lamination film of Al and Ag on the organic layer. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 백색 발광층은 적색 발광층, 녹색 발광층, 청색 발광층이 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광표시장치.And wherein the white light emitting layer is formed by stacking a red light emitting layer, a green light emitting layer, and a blue light emitting layer. 제 2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 적색 발광층, 녹색 발광층, 청색 발광층의 적층 순서가 청색, 녹색, 적색의 순서로 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광표시장치. And the red light emitting layer, the green light emitting layer, and the blue light emitting layer are stacked in the order of blue, green, and red. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 2 전극의 두께는 80 내지 120Å 인 것을 포함하는 유기 전계 발광표시장치.And a thickness of the second electrode of about 80 to about 120 microns. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제 2 전극 상에 형성된 보호막을 더 포함하는 것을 포함하는 유기 전계 발광표시장치.The organic light emitting display device further comprising a passivation layer formed on the second electrode. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 유기 전계 발광표시장치는 반도체층, 게이트 전극 및 소스/드레인 전극을 포함하는 박막트랜지스터를 더 포함하는 유기 전계 발광표시장치.The organic light emitting display device further comprises a thin film transistor including a semiconductor layer, a gate electrode, and a source / drain electrode.
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KR20050035618A (en) * 2003-10-14 2005-04-19 전자부품연구원 A transparent electrode for electronic device

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