KR100741130B1 - 플라즈마 디스플레이 패널 - Google Patents

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KR100741130B1
KR100741130B1 KR1020060055405A KR20060055405A KR100741130B1 KR 100741130 B1 KR100741130 B1 KR 100741130B1 KR 1020060055405 A KR1020060055405 A KR 1020060055405A KR 20060055405 A KR20060055405 A KR 20060055405A KR 100741130 B1 KR100741130 B1 KR 100741130B1
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discharge
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zrti
substrate
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조태승
신혜원
김명섭
장태정
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삼성에스디아이 주식회사
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Abstract

전자 방출량을 증가시키기 위하여, 본 발명은 서로 대향되어 배치되는 전면기판 및 배면기판과, 상기 전면기판과 배면기판 사이에 배치되며, 복수 개의 방전셀들을 한정하는 격벽과, 상기 전면기판과 상기 격벽 사이에 배치되며, 상기 방전셀들에서 방전을 일으키는 방전전극쌍들과, 상기 전면기판과 상기 격벽 사이에 배치되며, 상기 방전전극쌍들 덮는 제1유전체층과, 상기 제1유전체층과 상기 격벽 사이에 배치되고, 강유전체를 포함하고, 개구부와 차폐부가 교번하여 형성되어 있는 제2유전체층과, 상기 격벽과 상기 배면기판 사이에 배치되며, 상기 방전전극쌍들과 교차하도록 연장되는 어드레스전극들과, 상기 격벽과 상기 배면기판 사이에 배치되며, 상기 어드레스전극들을 덮도록 배치되는 제3유전체층과, 상기 방전셀들 내에 배치되는 형광체층들을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공한다.

Description

플라즈마 디스플레이 패널{Plasma display panel}
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 부분 분리 사시도이다.
도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ선에 따라 취한 단면도이다.
도 3은 방전전극쌍들, 격벽 및 제2유전체층의 배치 위치를 나타내는 배치도이다.
도 4는 도 3과는 상이한 패턴을 가지는 제2유전체층이 도시된 배치도이다.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 간단한 설명 >
100: 플라즈마 디스플레이 패널 111: 전면기판
112: 방전전극쌍 114: 제1유전체층
115, 115': 제2유전체층 116: 보호층
121: 배면기판 122: 어드레스전극
125: 제3유전체층 130: 격벽
180: 방전셀
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 전자 방출량이 증가된 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다.
플라즈마 디스플레이 패널을 이용하는 플라즈마 디스플레이 장치는 가스 방전현상을 이용하여 화상을 표시하는 평판 디스플레이 장치로서, 휘도, 콘트라스트, 잔상 및 시야각 등의 각종 표시 능력이 우수하며, 박형이고 대화면 표시가 가능하여 차세대 대형 평판 디스플레이 장치로서 각광을 받고 있다.
일반적인 3전극 면방전 구조의 플라즈마 디스플레이 패널은 제1기판, 상기 제1기판 상에 배치된 유지전극들, 유지전극들을 덮는 제1유전체층, 및 제1유전체층을 덮는 보호층, 제1기판에 대향되어 배치되는 제2기판, 제2기판 상에 서로 평행하게 배치된 어드레스전극들, 어드레스전극들을 덮는 제2유전체층, 제2유전체층 상에 형성된 격벽, 제2유전체층의 상면과 격벽의 측면에 형성된 형광체층들을 구비한다.
상기에서 보호층은 약 0.7 내지 0.8㎛의 두께를 가지며, 제1유전체층을 보호함과 동시에, 플라즈마 방전 시 이차전자를 방출하는 기능을 수행한다. 그런데, 플라즈마 방전을 활발하게 발생하기 위해서는, 플라즈마 방전 시 방전 공간 내에 전자의 방출량이 많아야 한다. 하지만, 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널에서는, 보호층에 의하여 전자의 방출량을 증가시키는 데 한계가 있다.
본 발명은 전자 방출량이 증가된 플라즈마 디스플레이 패널을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 기판과, 상기 기판 상에 배치되어 있는 방전전극들과, 상기 방전전극들의 적어도 일 부분을 덮도록 배치되고, 강유전체를 포함하는 유전체층을 구비하고, 상기 유전체층은 개구부와 차폐부가 교번하여 형성되어 있는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공한다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 본 발명은 기판과, 상기 기판 상에 배치되어 있는 방전전극들과, 상기 방전전극들을 덮도록 배치되는 제1유전체층과, 상기 제1유전체층 상에 형성되며, 강유전체를 포함하는 제2유전체층을 포함하고, 상기 제2유전체층은 개구부와 차폐부가 교번하여 형성되어 있는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공한다.
본 발명의 또 다른 측면에 따르면, 본 발명은 서로 대향되어 배치되는 전면기판 및 배면기판과, 상기 전면기판과 배면기판 사이에 배치되며, 복수 개의 방전셀들을 한정하는 격벽과, 상기 전면기판과 상기 격벽 사이에 배치되며, 상기 방전셀들에서 방전을 일으키는 방전전극쌍들과, 상기 전면기판과 상기 격벽 사이에 배치되며, 상기 방전전극쌍들 덮는 제1유전체층과, 상기 제1유전체층과 상기 격벽 사이에 배치되고, 강유전체를 포함하고, 개구부와 차폐부가 교번하여 형성되어 있는 제2유전체층과, 상기 격벽과 상기 배면기판 사이에 배치되며, 상기 방전전극쌍들과 교차하도록 연장되는 어드레스전극들과, 상기 격벽과 상기 배면기판 사이에 배치되며, 상기 어드레스전극들을 덮도록 배치되는 제3유전체층과, 상기 방전셀들 내에 배치되는 형광체층들을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공한다.
본 발명에 있어서, 상기 유전체층 또는 제2유전체층은 전체적으로 강유전체로 형성될 수 있다. 상기 강유전체는 (Pa, La)-(ZrTi)O3, (Pa, Bi)-(ZrTi)O3, (Pa, La)-(HfTi)O3, (Pa, Ba)(ZrTi)O3, (Pa, Sr)-(ZrTi)O3, (Sr, Ca)-(LiNbTi)O3, LiTaO3, SrTiO3, La2Ti2O7, LiNbO3, (Pa, La)-(MgNbZrTi)O3, (Pa, Ba)-(LaNb)O3, (Sr, Ba)-Mb2O3, K(Ta, Nb)O3, (Sr, Ba, La)-(Nb2O6), NaTiO3, MgTiO3, BaTiO3, SrZrO3, KNbO3로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
또한 본 발명에 있어서, 상기 유전체층 또는 제2유전체층은 도트(dot) 형상 또는 스트라이프 형상으로 개구부와 차폐부가 교번하여 형성될 수 있다.
또한 본 발명에 있어서, 상기 유전체층 상 형성된 보호층을 더 포함할 수 있으며, 상기 보호층은 MgO를 포함할 수 있다.
이어서 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하도록 한다.
도 1 내지 도 3에 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널(100)이 도시되어 있다. 도 1은 플라즈마 디스플레이 패널(100)의 부분 분리 사시도이고, 도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ선에 따라 취한 단면도이고, 도 3은 방전전극쌍(112)들, 격벽(130) 및 제2유전체층(190)의 배치 위치를 나타내는 배치도이다.
도 1 및 도 2를 참고하면, 플라즈마 디스플레이 패널은 서로 대향되어 결합하는 전면패널(150) 및 배면패널(160)을 포함한다. 전면패널(110)은 전면기판(111), 방전전극쌍(112)들, 제1유전체층(114), 제2유전체층(115) 및 보호층(116)을 포함한다. 또한, 배면패널(160)은 배면기판(121), 어드레스전극(122)들, 제3유전체층(125), 격벽(130) 및 형광체층(126)들을 포함한다.
배면기판(121)과 전면기판(111)은 일정한 간격을 두고 서로 대향되게 배치되어 그 사이에 플라즈마 방전이 일어나는 방전공간을 형성한다. 전면기판(111) 및 배면기판(121)은 가시광 투과율이 우수한 유리를 이용하여 형성되는 것이 바람직하다. 하지만, 명실 콘트라스트의 향상을 위하여, 전면기판(111) 및/또는 배면기판(121)이 착색될 수도 있다.
전면기판(111)과 배면기판(121) 사이에는 격벽(130)이 배치되어 있는데, 보다 상세하게는 격벽(130)은 제3유전체층(125) 상에 배치되어 있다. 격벽(130)은 방전공간을 복수개의 방전셀(180)들로 구획하며, 방전셀(180)들 사이의 광학적/전기적 크로스토크를 방지하는 기능을 수행한다. 도 1을 참조하면, 격벽(130)은 어드레스전극(122)들이 연장되는 방향(y방향)으로 연장되는 제1격벽부(130a)들과, 상기 제1격벽부(130a)들을 연결하는 제2격벽부(130b)들을 포함한다.
도 1에는 격벽(130)이 사각형의 횡단면을 가지고 매트릭스 배열된 방전셀들을 구획하는 것으로 도시되었으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 즉, 격벽(130)은 방전셀(180)들이 삼각형, 오각형 등의 다각형, 또는 원형, 타원형 등의 횡단면을 가지도록 형성될 수도 있으며, 스트라이프 등과 같은 개방형으로 형성될 수도 있다. 또한, 격벽(130)은 방전셀(180)들을 델타 배열로 구획할 수도 있다.
배면기판(121)을 대향하는 전면기판(111) 상에는 방전전극쌍(112)들이 배치되어 있다. 방전전극쌍(112)들은 전면기판(111) 상에 서로 평행하게 배열되어 있다. 방전전극쌍(112)은 유지전극 작용을 하는 X전극(131)과 주사전극 작용을 하는 Y전극(132)을 포함한다.
X전극(131) 및 Y전극(132)의 각각은 투명전극(131a, 132a) 및 버스전극(131b, 132b)을 구비하고 있다. 투명전극(131a, 132a)은 방전을 일으킬 수 있는 도전체이면서 형광체층(126)으로부터 방출되는 빛이 전면기판(111)으로 나아가는 것을 방해하지 않는 투명한 재료로 형성되는데, 이와 같은 재료로서는 ITO(indium tin oxide) 등이 있다. 그러나 ITO와 같은 투명한 도전체는 일반적으로 그 저항이 크고, 따라서 투명전극으로만 방전전극을 형성하면 그 길이방향으로의 전압강하가 커서 구동전력이 많이 소비되고 응답속도가 늦어진다. 이러한 문제점을 개선하기 위하여, 투명전극 상에는 금속재질로 이루어지고 좁은 폭으로 형성되는 버스전극(131b, 132b)이 배치된다. 투명전극들(131a, 132a) 및 버스전극들(131b, 132b)은 포토에칭법, 포토리소그라피법 등을 이용하여 형성한다.
X전극(131) 및 Y전극(132)의 형상 및 배치를 상세하게 살펴보면, 버스전극들(131b, 132b)은 단위 방전셀(180)에서 소정의 간격으로 이격되어 평행하게 배치되며, 방전셀(180)들을 가로질러 연장된다. 전술한 바와 같이, 각 버스전극(131b, 132b)에는 투명전극(131a, 132a)이 전기적으로 접속되는데, 사각형의 투명전극(131a, 132a)은 단위 방전셀(180)마다 불연속적으로 배치된다. 투명전극(131a, 132a)의 일 측은 버스전극(131b, 132b)에 연결되고, 타 측은 방전셀(180)의 중심 방향으로 향하도록 배치된다.
전면기판(111) 상에는 방전전극쌍(112)들을 매립하도록 제1유전체층(114)이 형성되어 있다. 제1유전체층(114)은, 인접한 X전극(131)들과 Y전극(132)들이 서로 통전되는 것을 방지함과 동시에, 하전입자들 또는 전자가 X전극(131)들과 Y전 극(132)들에 직접 충돌하여 X전극(131)들과 Y전극(132)들을 손상시키는 것을 방지한다. 또한, 제1유전체층(111)은 전하를 유도하는 기능을 수행한다. 이러한 제1유전체층(114)은 PbO, B2O3, SiO2 등을 이용하여 형성된다.
제1유전체층(114) 상에는 제2유전체층(115)이 형성되어 있다. 제2유전체층(115)은 강유전체를 포함하는 소재로 형성된다. 강유전체(115)는 자연 상태에서 전기편극(電氣偏極)을 가지고 있는 물질로서, 전압 펄스를 인가하면 표면에서 많은 양의 전자가 방출되는 특성을 가지고 있다. 따라서, 외부로부터 X전극(131)들 및 Y전극(132)들에 전압 펄스가 인가되면, 제2유전체층(115)에서 전자가 방출되기 때문에, 방전셀(180)들 내에서 전자의 양이 증가하여, 플라즈마 방전이 활발하게 발생한다. 플라즈마 방전이 활발하게 발생하면, 진공자외선의 발생량이 증가하기 때문에, 휘도 및 발광효율이 향상되는 장점을 가진다. 제2유전체층(115)은 강유전체와 다른 유전체를 혼합한 물질로 형성될 수 있으나, 전자 방출량을 최대화하기 위하여 전체적으로 강유전체로 형성될 수 있다. 강유전체는 (Pa, La)-(ZrTi)O3, (Pa, Bi)-(ZrTi)O3, (Pa, La)-(HfTi)O3, (Pa, Ba)(ZrTi)O3, (Pa, Sr)-(ZrTi)O3, (Sr, Ca)-(LiNbTi)O3, LiTaO3, SrTiO3, La2Ti2O7, LiNbO3, (Pa, La)-(MgNbZrTi)O3, (Pa, Ba)-(LaNb)O3, (Sr, Ba)-Mb2O3, K(Ta, Nb)O3, (Sr, Ba, La)-(Nb2O6), NaTiO3, MgTiO3, BaTiO3, SrZrO3, KNbO3로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 강유전체에 대한 상세한 물성은 일본공개특허공보 특개2000-228149호를 참조하면 된다.
제2유전체층(115)은 다양한 형상으로 제1유전체층(114) 상에 형성될 수 있다. 도 1 내지 도 3을 참조하면, 제2유전체층(115)은 패턴 형성되어 있다. 다시 말하면, 제2유전체층(115)은 개구부와 차폐부가 주기적으로 반복되도록 형성되어 있다.
일반적으로 강유전체는 높은 비유전율을 가진다. 따라서, 제1유전체층(114)의 전면에 제2유전체(115)를 도포할 경우, 전면패널(150)의 커패시턴스가 증가할 수 있다. 하지만, 제2유전체층(115)을 제1유전체층(114) 상에 패턴 형성하면, 즉 제2유전체층(115)에서 개구부와 차폐부를 교번하여 형성하면, 전면 도포에 비하여 전면패널(150)의 커패시턴스의 상승을 감소시킬 수 있다. 특히, 제2유전체층(115)의 표면적을 최대화함과 동시에 커패시턴스의 최소화를 위하여, 제2유전체층(115)은 도트(dot) 형상으로 패턴 형성될 수 있다.
도 3을 참조하면, 도트 형상으로 개구부와 차폐부가 교번하여 형성되어 있는 제2유전체층(115)이 도시되어 있다. 하지만, 제2유전체층(115)은 다른 형상으로 패턴 형성될 수도 있으며, 도 4에는 스트라이프 형상으로 개구부와 차폐부가 교번하여 형성되어 있는 제2유전체층(115')이 도시되어 있다.
도 1의 플라즈마 디스플레이 패널(100)에서는, 방전전극쌍(112)들을 제1유전체층(114)이 덮도록 형성되어 있으나, 제1유전체층(114) 없이 제2유전체층(115)이 방전전극쌍(112)들을 직접 덮도록 형성될 수도 있다. 또한, 전면기판 상에 제1유전체층과 제2유전체층이 각각 패턴 형성될 수도 있다. 이 때, 방전전극쌍(112)의 일 부분은 제1유전체층(114)에 덮이고, 다른 부분은 제2유전체층(115)에 덮일 수 있다.
플라즈마 디스플레이 패널(100)은 제2유전체층(115) 상에 형성된 보호층(116)을 더 포함할 수 있다. 보호층(116)은, 방전시 하전입자와 전자가 제2유전 체층(115)에 충돌하여 제2유전체층(115)이 손상되는 것을 방지한다. 보호층(116)은 2차전자 방출 계수가 높고, 가시광 투과율이 높은 물질을 이용하여 형성된다. 보호층(116)의 형성방법은 스퍼터링, 전자빔 증착법이 있다.
전면기판(111)을 대향하는 배면기판(121) 상에는 어드레스전극(122)들이 배치되어 있다. 어드레스전극(122)들은 X전극(131)들 및 Y전극(132)들과 교차하도록 방전셀(180)들을 가로질러 연장된다. 어드레스전극(122)들은 X전극(131)과 Y전극(132) 간의 유지방전을 보다 용이하게 하기 위한 어드레스방전을 일으키기 위한 것으로서, 보다 구체적으로는 유지방전이 일어나기 위한 전압을 낮추는 역할을 한다. 어드레스방전은 Y전극(132)과 어드레스전극(132) 간에 일어나는 방전이다.
배면기판(121)과 격벽(130) 사이에는 어드레스전극(122)을 매립하도록 제3유전체층(125)이 형성되어 있다. 제3유전체층(125)은 방전 시 하전입자 또는 전자가 어드레스전극(122)들에 충돌하여 어드레스전극(122)들을 손상시키는 것을 방지하면서도 전하를 유도할 수 있는 유전체로서 형성되는데, 이와 같은 유전체로서는 PbO, B2O3, SiO2 등이 있다.
제3유전체층(125) 상에 형성된 격벽(130)의 양 측면과 격벽(130)이 형성되지 않은 제3유전체층(125)의 전면에는 적색, 녹색, 청색발광 형광체층(126)들이 배치되어 있다. 형광체층(126)들은 진공자외선을 받아 가시광선을 발생하는 성분을 가지는데, 적색발광 방전셀에 형성된 형광체층은 Y(V,P)O4:Eu 등과 같은 형광체를 포함하고, 녹색발광 방전셀에 형성된 형광체층은 Zn2SiO4:Mn, YBO3:Tb 등과 같은 형광 체를 포함하며, 청색발광 방전셀에 형성된 형광체층은 BAM:Eu 등과 같은 형광체를 포함한다.
또한, 상기 방전셀(180)들에는 네온(Ne), 크세논(Xe) 등이 혼합된 방전 가스가 채워지며, 상기와 같이 방전 가스가 채워진 상태에서, 전면기판 및 배면기판(111)(121)의 가장 가장자리에 형성된 프릿트 글라스(frit glass)와 같은 밀봉 부재(미도시)에 의해 전면기판 및 배면기판(111)(121)이 서로 봉합되어 결합된다.
도 1의 플라즈마 패널(100)의 작동을 설명하면 다음과 같다. 플라즈마 디스플레이 패널(100)에서 발생되는 플라즈마 방전은 크게 어드레스 방전과 유지 방전으로 나뉜다. 어드레스 방전은 어드레스전극(122)과 Y전극(132) 간에 어드레스방전 전압이 인가됨으로써 일어나고, 어드레스방전의 결과로 유지방전이 일어날 방전셀(180)이 선택된다. 그 후, 선택된 방전셀(180)의 X전극(131)과 Y전극(132) 사이에 유지전압 펄스가 인가되면, 방전셀(180)에서 유지방전이 발생한다. 유지방전 시, 제2유전체층(115)에서 전자가 발생하여 방전셀(180) 내로 공급되고, 보호층(116)에서도 이차전자가 발생하기 때문에, 유지방전이 더욱 활발하게 발생하는 장점을 가진다. 유지 방전 시에 여기된 방전가스의 에너지 준위가 낮아지면서 진공자외선이 방출된다. 그리고 진공자외선이 방전셀(180) 내에 도포된 형광체(126)를 여기시키는데, 이 여기된 형광체(126)의 에너지준위가 낮아지면서 가시광이 방출되며, 이 가시광이 전면기판(111)을 투과하여 출사되면서 사용자가 인식할 수 있는 화상을 형성하게 된다.
본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널에서는, 플라즈마 방전 시 강유전체를 포함하는 유전체층에 의하여 전자 방출량이 증가하게 된다. 따라서, 방전이 활발하게 발생하여, 휘도 및 발광 효율이 향상된다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.

Claims (17)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 배치되어 있는 방전전극들; 및
    상기 방전전극들의 적어도 일 부분을 덮도록 배치되고, 강유전체를 포함하는 유전체층을 구비하고,
    상기 유전체층은 개구부와 차폐부가 교번하여 형성되어 있는 플라즈마 디스플레이 패널.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 유전체층은 전체적으로 강유전체로 형성된 플라즈마 디스플레이 패널.
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 유전체층은 도트(dot) 형상으로 개구부와 차폐부가 교번하여 형성되어 있는 플라즈마 디스플레이 패널.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 유전체층은 스트라이프(stripe) 형상으로 개구부와 차폐부가 교번하여 형성되어 있는 플라즈마 디스플레이 패널.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 유전체층은 (Pa, La)-(ZrTi)O3, (Pa, Bi)-(ZrTi)O3, (Pa, La)-(HfTi)O3, (Pa, Ba)(ZrTi)O3, (Pa, Sr)-(ZrTi)O3, (Sr, Ca)-(LiNbTi)O3, LiTaO3, SrTiO3, La2Ti2O7, LiNbO3, (Pa, La)-(MgNbZrTi)O3, (Pa, Ba)-(LaNb)O3, (Sr, Ba)-Mb2O3, K(Ta, Nb)O3, (Sr, Ba, La)-(Nb2O6), NaTiO3, MgTiO3, BaTiO3, SrZrO3, KNbO3로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 유전체층 상 형성된 보호층을 더 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 보호층은 MgO를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  9. 기판;
    상기 기판 상에 배치되어 있는 방전전극들;
    상기 방전전극들을 덮도록 배치되는 제1유전체층; 및
    상기 제1유전체층 상에 형성되며, 강유전체를 포함하는 제2유전체층을 포함하고,
    상기 제2유전체층은 개구부와 차폐부가 교번하여 형성되어 있는 플라즈마 디스플레이 패널.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제2유전체층은 전체적으로 강유전체로 형성된 플라즈마 디스플레이 패널.
  11. 삭제
  12. 제9항에 있어서,
    상기 제2유전체층은 도트(dot) 형상으로 개구부와 차폐부가 교번하여 형성되어 있는 플라즈마 디스플레이 패널.
  13. 제9항에 있어서,
    상기 제2유전체층은 스트라이프(stripe) 형상으로 개구부와 차폐부가 교번하여 형성되어 있는 플라즈마 디스플레이 패널.
  14. 제9항에 있어서,
    상기 제2유전체층은 (Pa, La)-(ZrTi)O3, (Pa, Bi)-(ZrTi)O3, (Pa, La)-(HfTi)O3, (Pa, Ba)(ZrTi)O3, (Pa, Sr)-(ZrTi)O3, (Sr, Ca)-(LiNbTi)O3, LiTaO3, SrTiO3, La2Ti2O7, LiNbO3, (Pa, La)-(MgNbZrTi)O3, (Pa, Ba)-(LaNb)O3, (Sr, Ba)-Mb2O3, K(Ta, Nb)O3, (Sr, Ba, La)-(Nb2O6), NaTiO3, MgTiO3, BaTiO3, SrZrO3, KNbO3로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  15. 제9항에 있어서,
    상기 제2유전체층 상 형성된 보호층을 더 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 보호층은 MgO를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  17. 서로 대향되어 배치되는 전면기판 및 배면기판;
    상기 전면기판과 배면기판 사이에 배치되며, 복수 개의 방전셀들을 한정하는 격벽;
    상기 전면기판과 상기 격벽 사이에 배치되며, 상기 방전셀들에서 방전을 일으키는 방전전극쌍들;
    상기 전면기판과 상기 격벽 사이에 배치되며, 상기 방전전극쌍들 덮는 제1유전체층;
    상기 제1유전체층과 상기 격벽 사이에 배치되고, 강유전체를 포함하고, 개구부와 차폐부가 교번하여 형성되어 있는 제2유전체층;
    상기 격벽과 상기 배면기판 사이에 배치되며, 상기 방전전극쌍들과 교차하도록 연장되는 어드레스전극들;
    상기 격벽과 상기 배면기판 사이에 배치되며, 상기 어드레스전극들을 덮도록 배치되는 제3유전체층; 및
    상기 방전셀들 내에 배치되는 형광체층들을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널.
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