KR100741128B1 - Method of manufacturing organic transistor - Google Patents

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박용우
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Abstract

A method for fabricating an organic transistor is provided to remarkably increase a response speed by using an organic layer as a semiconductor layer of a transistor. A plasma treatment is performed on the surface of a substrate(100). A first conductive layer(121) is formed on the substrate. A first organic semiconductor layer is formed on the first conductive layer. A gate electrode(140) is formed on the first organic semiconductor layer by an ink-jet printing method, including a plurality of conductors. A second organic semiconductor layer is formed to cover the gate electrode, made of the same material as that of the first organic semiconductor layer. A second conductive layer(122) is formed on the second organic semiconductor layer. The conductors of the gate electrode can be made of Ag.

Description

유기 트랜지스터의 제조방법{Method of manufacturing organic transistor}Method of manufacturing organic transistor

도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따라 제조된 유기 트랜지스터를 개략적으로 도시하는 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing an organic transistor manufactured according to a preferred embodiment of the present invention.

도 2 내지 도 5는 도 1의 유기 트랜지스터의 제조공정을 개략적으로 도시하는 단면도들이다.2 to 5 are cross-sectional views schematically illustrating a manufacturing process of the organic transistor of FIG. 1.

도 6은 본 발명의 바람직한 다른 일 실시예에 따라 제조된 유기 트랜지스터를 개략적으로 도시하는 단면도이다.6 is a cross-sectional view schematically showing an organic transistor manufactured according to another preferred embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예에 따라 제조된 유기 트랜지스터를 개략적으로 도시하는 단면도이다.7 is a schematic cross-sectional view of an organic transistor manufactured according to another exemplary embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for main parts of the drawings>

100: 기판 121: 제 1 도전층100 substrate 121 first conductive layer

122: 제 2 도전층 130: 유기 반도체층 122: second conductive layer 130: organic semiconductor layer

140: 게이트 전극140: gate electrode

본 발명은 유기 트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 응 답속도가 향상된 유기 트랜지스터의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing an organic transistor, and more particularly, to a method of manufacturing an organic transistor with improved response speed.

반도체 특성을 나타내는 공액성 유기 고분자인 폴리아세틸렌이 개발된 이후, 유기물의 특징, 즉 합성 방법이 다양하고 섬유나 필름 형태로 용이하게 성형할 수 있다는 특징과, 유연성, 전도성 및 저렴한 생산비 등의 장점 때문에, 유기물을 이용한 트랜지스터에 대한 연구가 기능성 전자소자 및 광소자 등의 광범위한 분야에서 활발히 이루어지고 있다.After the development of polyacetylene, a conjugated organic polymer exhibiting semiconductor characteristics, the characteristics of organic matters, that is, various synthetic methods and easy molding into fibers or films, and advantages such as flexibility, conductivity, and low production cost Research into transistors using organic materials has been actively conducted in a wide range of fields such as functional electronic devices and optical devices.

종래의 실리콘 트랜지스터는 고농도의 불순물로 도핑된 소스 영역 및 드레인 영역과 이 두 영역의 사이에 형성된 채널 영역을 갖는 반도체층을 구비하며, 반도체층과 절연되어 채널 영역에 대응되는 영역에 위치하는 게이트 전극과, 소스 영역 및 드레인 영역에 각각 접하는 소스 전극 및 드레인 전극을 갖는다.Conventional silicon transistors include a semiconductor layer having a source region and a drain region doped with a high concentration of impurities and a channel region formed between the two regions, the gate electrode being insulated from the semiconductor layer and corresponding to the channel region. And a source electrode and a drain electrode in contact with the source region and the drain region, respectively.

그러나 상기와 같은 구조의 기존의 실리콘 트랜지스터에는 제조 비용이 많이 들고, 외부의 충격에 의해 쉽게 깨지며, 300℃ 이상의 고온 공정에 의해 생산되기 때문에 플라스틱 기판 등을 사용할 수 없다는 등의 문제점이 있었다.However, the conventional silicon transistor of the above structure has a problem such as high manufacturing cost, easily broken by external impact, and can not be used because the plastic substrate is produced by a high temperature process of more than 300 ℃.

특히 액정 디스플레이 장치나 유기 발광 디스플레이 장치 등의 평판 디스플레이 장치에는 각 화소의 동작을 제어하는 스위칭 소자 및 각 화소의 구동 소자로 트랜지스터가 사용되는 바, 이러한 평판 디스플레이 장치에 있어서 최근 요구되고 있는 대형화 및 박형화와 더불어 플렉서블(flexible) 특성을 만족시키기 위해, 기존의 글라스재가 아닌 플라스틱재 등으로 구비되는 기판을 사용하려는 시도가 계속되고 있다. 그러나 플라스틱 기판을 사용할 경우에는 전술한 바와 같이 고온 공정이 아닌 저온 공정을 사용해야 한다. 따라서, 종래의 실리콘 트랜지스터를 사용하 기가 어려운 문제가 있었다.In particular, a transistor is used as a switching element for controlling the operation of each pixel and a driving element for each pixel in a flat panel display device such as a liquid crystal display device or an organic light emitting display device. In addition, in order to satisfy the flexible (flexible) characteristics, attempts to use a substrate provided with a plastic material or the like instead of the existing glass material continues. However, when using a plastic substrate, it is necessary to use a low temperature process rather than a high temperature process as described above. Therefore, there is a problem that it is difficult to use a conventional silicon transistor.

반면, 트랜지스터의 반도체층으로 유기막을 사용할 경우에는 이러한 문제점들을 해결할 수 있기 때문에, 최근 유기막을 반도체층으로 사용하는 유기 트랜지스터(organic film transistor)에 대한 연구가 활발히 이루어지고 있다.On the other hand, when the organic film is used as the semiconductor layer of the transistor, these problems can be solved. Therefore, researches on organic film transistors using the organic film as the semiconductor layer have been actively conducted.

그러나 유기 트랜지스터의 경우 종래의 실리콘 트랜지스터에 비해 응답속도가 현저히 느리다는 문제점이 있었다.However, the organic transistor has a problem that the response speed is significantly slower than the conventional silicon transistor.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 응답속도가 향상된 유기 트랜지스터의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made to solve various problems including the above problems, and an object thereof is to provide a method of manufacturing an organic transistor having improved response speed.

본 발명은 기판 상에 제 1 도전층을 형성하는 단계와, 상기 제 1 도전층 상에 제 1 유기 반도체층을 형성하는 단계와, 상기 제 1 유기 반도체층 상에 잉크젯 프린팅법으로 복수개의 도전체들을 구비하는 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 게이트 전극을 덮도록 제 2 유기 반도체층을 형성하는 단계와, 상기 제 2 유기 반도체층 상에 제 2 도전층을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 트랜지스터의 제조방법을 제공한다.The present invention provides a plurality of conductors by forming a first conductive layer on a substrate, forming a first organic semiconductor layer on the first conductive layer, and inkjet printing on the first organic semiconductor layer. Forming a gate electrode including the gate electrode; forming a second organic semiconductor layer to cover the gate electrode; and forming a second conductive layer on the second organic semiconductor layer. It provides a method for producing an organic transistor.

이러한 본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 게이트 전극의 도전체들은 Ag로 형성되는 것으로 할 수 있다.According to another aspect of the present invention, the conductors of the gate electrode may be formed of Ag.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 게이트 전극을 형성하는 단계는, 상 기 제 1 유기 반도체층 상에 잉크젯 프린팅법으로 복수개의 도전체들을 형성한 후 이들을 건조 또는 소성시키는 단계인 것으로 할 수 있다.According to another feature of the present invention, the forming of the gate electrode may be a step of forming a plurality of conductors on the first organic semiconductor layer by inkjet printing and then drying or firing them. .

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 제 1 도전층을 형성하는 단계에 앞서, 상기 기판의 표면을 플라즈마 처리하는 단계를 더 구비하는 것으로 할 수 있다.According to another feature of the invention, prior to the step of forming the first conductive layer, it may be further provided to the step of plasma processing the surface of the substrate.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 게이트 전극에 구비된 각 도전체의 상기 기판 상으로의 정사영 이미지는 대략 1nm 내지 50nm의 너비를 갖는 스트라이프 형상인 것으로 할 수 있다.According to another feature of the invention, the orthogonal projection image of each conductor provided on the gate electrode onto the substrate may have a stripe shape having a width of approximately 1 nm to 50 nm.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 게이트 전극에 구비된 각 도전체는 대략 1nm 내지 50nm의 직경의 원형 단면을 갖는, 상기 제 1 도전층에 평행한 스트라이프 형상인 것으로 할 수 있다.According to still another feature of the present invention, each conductor provided in the gate electrode may have a stripe shape parallel to the first conductive layer having a circular cross section having a diameter of about 1 nm to 50 nm.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 게이트 전극에 구비된 각 도전체의 상기 기판 상으로의 정사영 이미지는 대략 1nm 내지 50nm의 직경을 갖는 원형인 것으로 할 수 있다.According to another feature of the invention, the orthogonal projection image of each conductor provided on the gate electrode onto the substrate may be a circular shape having a diameter of approximately 1nm to 50nm.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 게이트 전극에 구비된 각 도전체는 대략 1nm 내지 50nm의 직경의 구 형상인 것으로 할 수 있다.According to still another feature of the present invention, each conductor provided in the gate electrode may be a spherical shape having a diameter of approximately 1 nm to 50 nm.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 제 1 유기 반도체층을 형성하는 단계 또는 상기 제 2 유기 반도체층을 형성하는 단계는 스핀 코팅법을 이용하는 것으로 할 수 있다.According to still another feature of the present invention, the forming of the first organic semiconductor layer or the forming of the second organic semiconductor layer may be performed using a spin coating method.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명 하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 제조방법에 의해 제조된 유기 트랜지스터를 개략적으로 도시하는 단면도이며, 도 2 내지 도 5는 도 1의 유기 트랜지스터의 제조공정을 개략적으로 도시하는 단면도들이다.1 is a cross-sectional view schematically showing an organic transistor manufactured by a manufacturing method according to a preferred embodiment of the present invention, Figures 2 to 5 are cross-sectional views schematically showing a manufacturing process of the organic transistor of FIG.

도 1을 참조하면, 본 실시예에 따른 제조방법에 의해 제조된 유기 트랜지스터는 기판(100) 상에 구비된다. 기판(100)으로는 통상적인 글라스재 기판뿐만 아니라 아크릴과 같은 다양한 플라스틱재 기판을 사용할 수도 있으며, 더 나아가 금속판을 사용할 수도 있다.Referring to FIG. 1, an organic transistor manufactured by a manufacturing method according to the present embodiment is provided on a substrate 100. As the substrate 100, various plastic substrates such as acryl may be used as well as a conventional glass substrate, or a metal plate may be used.

유기 트랜지스터는 제 1 도전층(121)과 제 2 도전층(122)을 구비하는데, 이 도전층들은 소스 전극과 드레인 전극 역할을 한다. 이 제 1 도전층(121)과 제 2 도전층(122) 사이에는 유기 반도체층(130)과, 이 유기 반도체층(130) 내에 분산되어 있는 게이트 전극(140)이 구비된다.The organic transistor includes a first conductive layer 121 and a second conductive layer 122, which serve as source and drain electrodes. An organic semiconductor layer 130 and a gate electrode 140 dispersed in the organic semiconductor layer 130 are provided between the first conductive layer 121 and the second conductive layer 122.

이와 같은 유기 트랜지스터의 제조공정을 간략히 설명하면 다음과 같다.The manufacturing process of the organic transistor will be briefly described as follows.

먼저 도 2에 도시된 것과 같이 기판(100) 상에 제 1 도전층(121)을 형성하고, 이 제 1 도전층(121) 상에 제 1 유기 반도체층(131)을 형성한다.First, as shown in FIG. 2, the first conductive layer 121 is formed on the substrate 100, and the first organic semiconductor layer 131 is formed on the first conductive layer 121.

이때 제 1 도전층(121)을 형성하기에 앞서, 필요에 따라 기판(100)의 표면을 플라즈마 처리하는 단계를 더 거칠 수도 있다. 플라즈마 처리를 통해 제 1 도전층(121)과 기판(100) 사이의 접합을 더욱 확실히 할 수 있다.In this case, prior to forming the first conductive layer 121, the surface of the substrate 100 may be plasma-treated as necessary. Through the plasma treatment, the bonding between the first conductive layer 121 and the substrate 100 can be more secured.

제 1 도전층(121)은 다양한 도전성 물질로 형성될 수 있는데, 필요에 따라 투명한 물질 또는 불투명한 물질 등으로 형성될 수도 있다. 투명한 물질로 형성될 때에는 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3로 구비될 수 있고, 불투명한 물질로 형성될 때에는 Au, Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, W 또는 이들의 화합물 등으로 구비될 수 있다. 물론 필요에 따라 다층구조를 가질 수도 있다. 이러한 제 1 전극층은 마스크를 이용한 증착을 통해 형성될 수도 있고, 도전성 물질층을 기판(100) 상에 형성한 후 이를 패터닝하여 형성될 수도 있다.The first conductive layer 121 may be formed of various conductive materials. If necessary, the first conductive layer 121 may be formed of a transparent material or an opaque material. When formed of a transparent material may be provided with ITO, IZO, ZnO or In 2 O 3 , when formed of an opaque material Au, Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr , W or a compound thereof. Of course, you can have a multilayer structure as needed. The first electrode layer may be formed by deposition using a mask, or may be formed by forming a conductive material layer on the substrate 100 and then patterning it.

제 1 유기 반도체층(131)은 스핀 코팅법 또는 잉크젯 프린팅법 등의 방법으로 대략 100nm의 두께로 형성하는데, 반도체 특성을 갖는 유기물로 형성된다. 이러한 유기물의 예로는 펜타센(pentacene), 테트라센(tetracene), 안트라센(anthracene), 나프탈렌(naphthalene), 알파-6-티오펜, 알파-4-티오펜, 페릴렌(perylene) 및 그 유도체, 루브렌(rubrene) 및 그 유도체, 코로넨(coronene) 및 그 유도체, 페릴렌테트라카르복실릭디이미드(perylene tetracarboxylic diimide) 및 그 유도체, 페릴렌테트라카르복실릭디안하이드라이드(perylene tetracarboxylic dianhydride) 및 그 유도체, 폴리티오펜 및 그 유도체, 폴리파라페닐렌비닐렌 및 그 유도체, 폴리파라페닐렌 및 그 유도체, 폴리플로렌 및 그 유도체, 폴리티오펜비닐렌 및 그 유도체, 폴리티오펜-헤테로고리방향족 공중합체 및 그 유도체, 알파-5-티오펜의 올리고티오펜 및 이들의 유도체, 금속을 함유하거나 함유하지 않은 프탈로시아닌 및 이들의 유도체, 파이로멜리틱 디안하이드라이드 및 그 유도체, 파이로멜리틱 디이미드 및 이들의 유도체, 퍼릴렌테트라카르복시산 디안하이드라이드 및 그 유도체, 및 퍼릴렌테트라카르복실릭 디이미드 및 이들의 유도체 중 적어도 어느 하나를 구비하는 물질 등을 들 수 있다.The first organic semiconductor layer 131 is formed to a thickness of about 100 nm by a method such as spin coating or inkjet printing, and is formed of an organic material having semiconductor characteristics. Examples of such organics include pentacene, tetracene, anthracene, naphthalene, alpha-6-thiophene, alpha-4-thiophene, perylene and derivatives thereof, Rubrene and its derivatives, coronene and its derivatives, perylene tetracarboxylic diimide and its derivatives, perylene tetracarboxylic dianhydride and The derivatives thereof, polythiophene and derivatives thereof, polyparaphenylenevinylene and derivatives thereof, polyparaphenylene and derivatives thereof, polyfluorene and derivatives thereof, polythiophenvinylene and derivatives thereof, polythiophene-heterocycle Aromatic copolymers and derivatives thereof, oligothiophenes and derivatives thereof of alpha-5-thiophene, phthalocyanine and derivatives thereof with or without metals, pyromellitic dianhydrides and derivatives thereof, And pyromellitic diimides and derivatives thereof, perylenetetracarboxylic acid dianhydride and derivatives thereof, and substances having at least any one of perylenetetracarboxylic diimides and derivatives thereof.

이와 같이 제 1 도전층(131)과 제 1 유기 반도체층(131)을 형성한 후, 도 3에 도시된 바와 같이 게이트 전극(140)을 형성한다. 이 게이트 전극(140)은 복수개의 도전체(141)들을 구비하는데, 이 도전체(141)들은 잉크젯 프린팅법으로 형성할 수 있다.As such, after forming the first conductive layer 131 and the first organic semiconductor layer 131, the gate electrode 140 is formed as shown in FIG. 3. The gate electrode 140 includes a plurality of conductors 141, which may be formed by an inkjet printing method.

이 게이트 전극(140)의 도전체(141)들 역시 다양한 도전성 물질로 형성될 수 있는데, 특히 Ag로 형성되는 것이 바람직하다. 이러한 Ag의 경우 독립분산하는 성질이 있으므로, 게이트 전극(140)의 다수의 도전체(141)의 형성에 적합하다. 이 게이트 전극(140)의 도전체(141)들의 형상은 다양한 형상을 가질 수 있는데, 이에 대해서는 후술하도록 한다.The conductors 141 of the gate electrode 140 may also be formed of various conductive materials. In particular, the conductors 141 may be formed of Ag. Since Ag has a property of independent dispersion, it is suitable for forming a plurality of conductors 141 of the gate electrode 140. Shapes of the conductors 141 of the gate electrode 140 may have various shapes, which will be described later.

이 게이트 전극(140)을 잉크젯 프린팅법으로 형성할 경우, 제 1 유기 반도체층(131) 상에 잉크젯 프린팅법으로 복수개의 도전체(141)들을 형성한 후, 필요에 따라 이 도전체(141)들을 건조 또는 소성시키는 단계를 거칠 수도 있다.When the gate electrode 140 is formed by an inkjet printing method, a plurality of conductors 141 are formed on the first organic semiconductor layer 131 by an inkjet printing method, and then the conductors 141 are formed as necessary. Drying or firing them may be carried out.

그 후, 게이트 전극(140)을 덮도록 대략 100nm 두께의 제 2 유기 반도체층을 형성하여, 도 4에 도시된 것과 같이 유기 반도체층(130)과 그 내부에 분산된 도전체(141)들을 구비하는 게이트 전극(140)을 형성할 수 있다. 도 4에서는 유기 반도체층(130)에 제 1 유기 반도체층과 제 2 유기 반도체층 사이의 구분이 없는 것으로 도시되어 있으나, 그 사이에 계면이 존재할 수도 있음은 물론이다. 제 2 유기 반도체층을 위한 물질 및 그 형성 방법은 상술한 제 1 유기 반도체층을 위한 물질 및 그 형성 방법과 같다. 즉, 제 1 유기 반도체층과 제 2 유기 반도체층은 동일한 물질로 형성된다.Thereafter, a second organic semiconductor layer having a thickness of about 100 nm is formed to cover the gate electrode 140, and the organic semiconductor layer 130 and the conductors 141 dispersed therein are provided as shown in FIG. 4. The gate electrode 140 may be formed. In FIG. 4, although there is no distinction between the first organic semiconductor layer and the second organic semiconductor layer in the organic semiconductor layer 130, an interface may exist between them. The material for the second organic semiconductor layer and the method for forming the same are the same as the material for the first organic semiconductor layer and the method for forming the same. That is, the first organic semiconductor layer and the second organic semiconductor layer are formed of the same material.

이와 같이 유기 반도체층(130)과 그 내부에 분산된 도전체(141)들을 구비하는 게이트 전극(140)을 형성한 후, 유기 반도체층(130) 상에, 즉 제 2 유기 반도체층 상에 제 2 도전층(122)을 형성하여 도 5에 도시된 것과 같은 유기 트랜지스터를 완성한다. 제 2 도전층(122)을 위한 물질 및 그 형성 방법은 상술한 제 1 도전층(121)을 위한 물질 및 그 형성 방법과 같다.After forming the gate electrode 140 including the organic semiconductor layer 130 and the conductors 141 dispersed therein, the organic semiconductor layer 130 is formed on the organic semiconductor layer 130, that is, on the second organic semiconductor layer. 2 conductive layers 122 are formed to complete an organic transistor as shown in FIG. The material for the second conductive layer 122 and the method of forming the same are the same as the material for the first conductive layer 121 and the method of forming the same.

이와 같이 제조된 유기 트랜지스터의 경우 게이트 전극(140)이 복수개의 도전체(141)들을 구비하므로 게이트 전극(140)에 전기적 신호가 인가될 경우 효율적으로 유기 반도체층(130) 내에 채널이 형성된다. 또한, 종래의 트랜지스터의 두께가 수백 내지 수천 나노미터 이상으로 매우 두꺼운 반면, 본 실시예에 따른 방법에 의해 제조된 유기 트랜지스터는 박막 간격이 나노미터 오더(order)에 불과하여 유기 트랜지스터의 응답속도가 종래의 트랜지스터에 비해 획기적으로 빨라지는 등, 전기적 특성이 우수한 유기 트랜지스터를 구현할 수 있다. In the organic transistor manufactured as described above, since the gate electrode 140 includes a plurality of conductors 141, a channel is efficiently formed in the organic semiconductor layer 130 when an electrical signal is applied to the gate electrode 140. In addition, while the thickness of the conventional transistor is very thick, hundreds to thousands of nanometers or more, the organic transistor manufactured by the method according to the present embodiment has a thin film spacing of only nanometer order, so the response speed of the organic transistor is increased. It is possible to implement an organic transistor having excellent electrical characteristics, such as significantly faster than a conventional transistor.

도 6은 본 발명의 바람직한 다른 일 실시예에 따라 제조된 유기 트랜지스터를 개략적으로 도시하는 단면도이다.6 is a cross-sectional view schematically showing an organic transistor manufactured according to another preferred embodiment of the present invention.

전술한 바와 같이 유기 트랜지스터의 게이트 전극(140)이 구비하는 도전체(141)들은 다양한 형상 및 구조를 가질 수 있는 바, 예컨대 도 6에 도시된 바와 같이, 게이트 전극(140)에 구비된 각 도전체(141)의 기판(100) 상으로의 정사영 이미지가 대략 1nm 내지 50nm의 너비를 갖는 스트라이프 형상이 되도록 할 수도 있다. 특히, 도 6에 도시된 바와 같이 게이트 전극(140)에 구비된 각 도전체(141)가 대략 1nm 내지 50nm의 직경의 원형 단면을 갖는, 제 1 도전층(121)에 평행한 스트 라이프 형상인 것으로 할 수 있다. As described above, the conductors 141 included in the gate electrode 140 of the organic transistor may have various shapes and structures. For example, as illustrated in FIG. 6, each of the conductors provided in the gate electrode 140 is provided. The orthographic image of the sieve 141 onto the substrate 100 may be in the shape of a stripe having a width of approximately 1 nm to 50 nm. In particular, as shown in FIG. 6, each conductor 141 provided in the gate electrode 140 has a stripe shape parallel to the first conductive layer 121 having a circular cross section having a diameter of about 1 nm to 50 nm. It can be done.

물론 이와 다른 다양한 변형 역시 가능한데, 게이트 전극에 구비된 각 도전체의 기판 상으로의 정사영 이미지가 스트라이프 형상이 아니라 원형, 바람직하게는 대략 1nm 내지 50nm의 직경을 갖는 원형이 되도록 할 수도 있다. 그리고 도 7에 도시된 바와 같이 게이트 전극(140)에 구비된 각 도전체(141)는 대략 1nm 내지 50nm의 직경의 구 형상이 되도록 할 수도 있음은 물론이다.Of course, various other modifications are possible, and the orthogonal projection image of each conductor provided on the gate electrode onto the substrate may be circular rather than stripe-shaped, preferably having a diameter of approximately 1 nm to 50 nm. As shown in FIG. 7, each conductor 141 provided in the gate electrode 140 may have a spherical shape having a diameter of about 1 nm to 50 nm.

이와 같은 다양한 변형을 통해, 유기 반도체층(130) 내에 구비된 게이트 전극(140)에 소정의 전기적 신호가 인가될 시, 유기 반도체층(130) 내에 채널이 효과적으로 형성되도록 할 수 있다.Through such various modifications, when a predetermined electrical signal is applied to the gate electrode 140 provided in the organic semiconductor layer 130, a channel may be effectively formed in the organic semiconductor layer 130.

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 유기 트랜지스터의 제조방법에 따르면, 응답속도가 종래의 트랜지스터에 비해 획기적으로 빨라진 유기 트랜지스터를 구현할 수 있다.According to the manufacturing method of the organic transistor of the present invention made as described above, it is possible to implement an organic transistor that response time is significantly faster than the conventional transistor.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.Although the present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, these are merely exemplary, and those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical spirit of the appended claims.

Claims (9)

기판 상에 제 1 도전층을 형성하는 단계;Forming a first conductive layer on the substrate; 상기 제 1 도전층 상에 제 1 유기 반도체층을 형성하는 단계;Forming a first organic semiconductor layer on the first conductive layer; 상기 제 1 유기 반도체층 상에 잉크젯 프린팅법으로 복수개의 도전체들을 구비하는 게이트 전극을 형성하는 단계;Forming a gate electrode having a plurality of conductors on the first organic semiconductor layer by inkjet printing; 상기 게이트 전극을 덮도록, 상기 제 1 유기 반도체층을 이루는 물질과 동일한 물질로 제 2 유기 반도체층을 형성하는 단계; 및Forming a second organic semiconductor layer made of the same material as the material of the first organic semiconductor layer so as to cover the gate electrode; And 상기 제 2 유기 반도체층 상에 제 2 도전층을 형성하는 단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 트랜지스터의 제조방법.And forming a second conductive layer on the second organic semiconductor layer. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 게이트 전극의 도전체들은 Ag로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 트랜지스터의 제조방법.And the conductors of the gate electrode are formed of Ag. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 게이트 전극을 형성하는 단계는, 상기 제 1 유기 반도체층 상에 잉크젯 프린팅법으로 복수개의 도전체들을 형성한 후 이들을 건조 또는 소성시키는 단계인 것을 특징으로 하는 유기 트랜지스터의 제조방법.The forming of the gate electrode may include forming a plurality of conductors on the first organic semiconductor layer by inkjet printing and then drying or firing the plurality of conductors. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 1 도전층을 형성하는 단계에 앞서, 상기 기판의 표면을 플라즈마 처리하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 트랜지스터의 제조방법.And prior to forming the first conductive layer, plasma treating the surface of the substrate. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 4, 상기 게이트 전극에 구비된 각 도전체의 상기 기판 상으로의 정사영 이미지는 1nm 내지 50nm의 너비를 갖는 스트라이프 형상인 것을 특징으로 하는 유기 트랜지스터의 제조방법.The orthogonal projection image of each conductor provided on the gate electrode onto the substrate has a stripe shape having a width of 1 nm to 50 nm. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 4, 상기 게이트 전극에 구비된 각 도전체는 1nm 내지 50nm의 직경의 원형 단면을 갖는, 상기 제 1 도전층에 평행한 스트라이프 형상인 것을 특징으로 하는 유기 트랜지스터의 제조방법.Each conductor provided in the gate electrode has a circular cross section with a diameter of 1 nm to 50 nm in a stripe shape parallel to the first conductive layer. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 4, 상기 게이트 전극에 구비된 각 도전체의 상기 기판 상으로의 정사영 이미지는 1nm 내지 50nm의 직경을 갖는 원형인 것을 특징으로 하는 유기 트랜지스터의 제조방법.The orthogonal projection image of each conductor provided on the gate electrode onto the substrate has a circular shape with a diameter of 1 nm to 50 nm. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 4, 상기 게이트 전극에 구비된 각 도전체는 1nm 내지 50nm의 직경의 구 형상인 것을 특징으로 하는 유기 트랜지스터의 제조방법.Each conductor provided in the gate electrode has a spherical shape with a diameter of 1nm to 50nm. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 4, 상기 제 1 유기 반도체층을 형성하는 단계 또는 상기 제 2 유기 반도체층을 형성하는 단계는 스핀 코팅법을 이용하는 것을 특징으로 하는 유기 트랜지스터의 제조방법.The forming of the first organic semiconductor layer or the forming of the second organic semiconductor layer may be performed using a spin coating method.
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