KR100740105B1 - 플라즈마 표시 장치 및 그 구동 방법 - Google Patents

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Abstract

플라즈마 표시 장치에서, 복수의 서브필드를 복수의 서브필드 그룹으로 나누고 표시 동작을 수행하는 복수의 행 전극을 복수의 행 그룹으로 나눈다. 그리고 제1 서브필드 그룹의 각 서브필드에서는 상기 복수의 행 그룹의 각 행 그룹에 대한 제1 어드레스 기간 동안 상기 각 행 그룹의 발광 셀 중 비발광 셀을 선택한다. 그리고 인접한 두 개의 상기 제1 어드레스 기간 사이에 위치하는 제1 유지 기간 동안 상기 복수의 행 그룹의 발광 셀 상태의 방전 셀을 유지 방전시킨다. 이때, 상기 제1 어드레스 기간의 길이를 20㎲ 이내로 설정한다. 그러면, 제1 어드레스 기간에서 복수의 행 전극에 인가되는 주사 펄스의 폭을 0.3㎲ 이하로 설정할 수 있어 고속 주사가 가능해진다.
PDP, 전극, 방전, 선택적 기입, 선택적 소거, 리셋, 계조, 고속 주사

Description

플라즈마 표시 장치 및 그 구동 방법{PLASMA DISPLAY AND DRIVING METHOD THEREOF}
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치를 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 방법을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 3은 도 2에 도시된 구동 방법에 대한 구체적인 플라즈마 표시 장치의 구동 파형을 나타낸 도면이다.
도 4a 내지 도 4c는 각각 R, G 및 B 방전 셀에서의 마지막 유지 방전 후에 Y 전극에 주사 펄스가 인가되기까지의 시간에 따른 소거 방전의 지연 시간을 나타낸 도면이다.
도 5 및 도 6은 각각 본 발명의 제2 및 제3 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 방법을 개략적으로 나타낸 도면이다.
본 발명은 플라즈마 표시 장치 및 그 구동 방법에 관한 것이다.
플라즈마 표시 장치는 기체 방전에 의해 생성된 플라즈마를 이용하여 문자 또는 영상을 표시하는 플라즈마 표시 패널을 이용한 표시 장치이다. 이러한 플라즈마 표시 패널에는 복수의 방전 셀이 매트릭스 형태로 배열되어 있다.
플라즈마 표시 장치에서는 한 필드(1TV 필드)가 각각의 가중치를 가지는 복수의 서브필드로 분할되어 구동되며, 복수의 서브필드 중 표시 동작이 일어나는 서브필드의 가중치의 조합에 의해 계조가 표시된다. 그리고 각 서브필드는 리셋 기간(reset period), 어드레스 기간(address period) 및 유지 기간(sustain period)으로 이루어진다. 리셋 기간은 다음의 어드레스 방전을 안정적으로 수행하기 위해 방전 셀의 상태를 초기화하는 기간이며, 어드레스 기간은 복수의 방전 셀 중 발광할 방전 셀과 발광하지 않을 방전 셀을 선택하는 기간이다. 그리고 유지 기간은 실제로 화상을 표시하기 위해서 어드레스 기간에서 선택된 방전 셀에 대해서 유지 방전을 수행하는 기간이다.
이때, 각 서브필드에서 모든 방전 셀에 대해서 어드레싱 동작을 완료한 후 모든 방전 셀에 대해서 유지 방전 동작을 수행하는 방법, 즉 어드레스 기간과 유지 기간을 시간적으로 분리하는 방법이 있다. 이를 일반적으로 ADS(address display period separation) 방법이라 한다. 이러한 ADS 방법은 쉽게 구현할 수 있지만, 모든 방전 셀에 대해서 순차적으로 어드레싱 동작이 수행되므로 시간적으로 뒤에 어드레싱이 되는 방전 셀에서는 방전 셀 내부의 프라이밍 입자의 부족으로 인해 어드레스 방전이 잘 일어나지 않을 수 있다. 따라서 안정적인 어드레스 방전을 위해 주사 전극에 순차적으로 인가되는 주사 펄스의 폭을 늘일 수밖에 없으므로 어드레스 기간의 길이가 길어진다. 그 결과, 서브필드의 길이가 길어져서 한 필드에서 사용 할 수 있는 서브필드의 개수가 제한된다.
이러한 ADS 방법과는 달리 연속되는 유지 방전 펄스 사이에 각 라인의 어드레스 펄스를 삽입하여, 어떤 라인에 대해서 유지 방전이 수행되는 중에 다른 라인에 대해서 어드레싱 동작을 수행하는 방법이 있다. 즉, 어드레스 기간과 유지 기간을 분리하지 않는 방법으로, 이를 일반적으로 AWD(address while display) 방법이라 한다. 이러한 AWD 방법에서는 어드레스 펄스와 유지 방전 펄스가 연속해서 진행되므로, 이러한 연속되는 펄스 사이에서 초기화를 위한 리셋 펄스가 들어가야 한다. 따라서 긴 시간을 필요로 하는 리셋 펄스를 사용할 수 없다. 즉, 리셋 방전을 강한 방전으로 수행하여야 하므로 블랙 화면이 밝게 보여서 명암비가 나빠진다.
또한, ADS 방법과 AWD 방법은 모두 계조 표현을 위해 서로 다른 가중치를 가지는 서브필드를 사용한다. 예를 들어, 2의 거듭제곱 형태로 가중치를 가지는 서브필드를 사용하는 경우에 한 방전 셀이 연속되는 두 프레임에서 각각 127 계조와 128 계조를 표현하는 경우에는 의사 윤곽이 발생하게 된다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 고속 어드레스가 가능하며, 명암비를 향상시킬 수 있는 플라즈마 표시 장치 및 그 구동 방법을 제공하는 것이다. 또한 의사 윤곽을 저감시키고, 서브필드의 조합으로 표현할 수 있는 계조 수를 증가시킬 수 있는 플라즈마 표시 장치 및 그 구동 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 한 특징에 따르면, 표시 동작을 수행하는 복수의 행 전극과 복수 의 열 전극, 그리고 상기 행 전극 및 상기 열 전극에 의해 각각 정의되는 복수의 방전 셀을 포함하는 플라즈마 표시 장치에서, 한 필드를 복수의 서브필드로 나누어 구동 방법이 제공된다. 이 구동 방법은, 상기 복수의 행 전극을 복수의 행 그룹으로 나누며, 상기 복수의 서브필드를 복수의 서브필드 그룹으로 나누며, 제1 서브필드 그룹의 각 서브필드에서, 상기 복수의 행 그룹의 각 행 그룹에 대한 제1 어드레스 기간 동안 상기 각 행 그룹의 발광 셀 중 비발광 셀을 선택하는 단계, 그리고 상기 제1 서브필드 그룹의 각 서브필드에서, 인접한 두 개의 상기 제1 어드레스 기간 사이에 위치하는 제1 유지 기간 동안 상기 복수의 행 그룹의 발광 셀 상태의 방전 셀을 유지 방전시키는 단계를 포함하며, 상기 복수의 행 그룹의 각 행 그룹에 대한 상기 제1 어드레스 기간의 길이는 20㎲ 이내이다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 표시 동작을 수행하는 복수의 행 전극과 복수의 열 전극, 그리고 상기 행 전극 및 상기 열 전극에 의해 각각 정의되는 복수의 방전 셀을 포함하는 플라즈마 표시 장치에서, 한 필드를 복수의 서브필드로 나누어 구동 방법이 제공된다. 이 구동 방법은 상기 복수의 행 전극을 복수의 행 그룹으로 나누며, 상기 복수의 서브필드를 복수의 서브필드 그룹으로 나누며, 제1 서브필드 그룹의 각 서브필드에서, 상기 복수의 행 그룹의 각 행 그룹에 대한 제1 어드레스 기간 동안 상기 각 행 그룹의 발광 셀 중 비발광 셀을 선택하는 단계, 그리고 상기 제1 서브필드 그룹의 각 서브필드에서, 인접한 두 개의 상기 제1 어드레스 기간 사이에 위치하는 제1 유지 기간 동안 상기 복수의 행 그룹의 발광 셀 상태의 방전 셀을 유지 방전시키는 단계를 포함하며, 상기 복수의 행 그룹의 각 행 그룹은 66개 이하의 행 전극을 포함한다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 플라즈마 표시 패널, 제어부, 그리고 구동부를 포함하는 플라즈마 표시 장치가 제공된다. 플라즈마 표시 패널은 표시 동작을 수행하는 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 복수의 행 전극 및 상기 행 전극에 교차하는 방향으로 형성되는 복수의 열 전극을 포함하며, 상기 복수의 행 전극 및 복수의 열 전극에 의해 복수의 방전 셀이 형성된다. 제어부는 상기 복수의 서브필드를 복수의 서브필드 그룹으로 나누고, 상기 복수의 행 전극을 복수의 행 그룹으로 나눈다. 그리고 구동부는 제1 서브필드 그룹의 각 서브필드에서, 상기 복수의 행 그룹의 각 행 그룹에 대한 제1 어드레스 기간 동안 상기 복수의 행 그룹의 각 행 그룹의 발광 셀 중 비발광 셀을 선택하고, 인접한 두 개의 상기 제1 어드레스 기간 사이에 위치하는 제1 유지 기간 동안 상기 복수의 행 그룹의 발광 셀 상태의 방전 셀을 유지 방전시킨다. 이때, 상기 구동부는 상기 각 행 그룹의 복수의 상기 행 전극에 0.3㎲ 이하의 폭을 가지는 주사 펄스를 순차적으로 인가하고, 상기 주사 펄스가 인가된 발광 셀의 상기 열 전극에 어드레스 펄스를 인가하여 상기 비발광 셀을 선택한다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였다.
그리고 본 발명에서의 벽 전하란 셀의 벽(예를 들어, 유전체층) 상에서 각 전극에 가깝게 형성되는 전하를 말한다. 그리고 벽 전하는 실제로 전극 자체에 접촉되지는 않지만, 여기서는 전극에 “형성됨”, “축적됨” 또는 “쌓임”과 같이 설명한다. 또한 벽 전압은 벽 전하에 의해서 셀의 벽에 형성되는 전위 차를 말한다.
먼저, 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치에 대해서 도 1을 참조하여 자세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치를 나타내는 도면이다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치는 플라즈마 표시 패널(100), 제어부(200), 어드레스 전극 구동부(300), 주사 전극 구동부(400) 및 유지 전극 구동부(500)를 포함한다.
플라즈마 표시 패널(100)은 열 방향으로 뻗어 있는 복수의 어드레스 전극(이하 “A 전극”이라 함)(A1∼Am), 그리고 행 방향으로 서로 쌍을 이루면서 뻗어 있는 복수의 유지 전극(이하, “X 전극”이라 함)(X1∼Xn) 및 주사 전극(이하 “Y 전극”이라 함)(Y1∼Yn)을 포함한다. 일반적으로 X 전극(X1∼Xn)은 각 Y 전극(Y1∼Yn)에 대응해서 형성되어 있으며, X 전극과 Y 전극이 유지 기간에서 화상을 표시하기 위한 표시 동작을 수행한다. Y 전극(Y1∼Yn)과 X 전극(X1∼Xn)은 A 전극(A1∼Am)과 직교하도록 배치된다. 이때, A 전극(A1∼Am)과 X 및 Y 전극(X1∼Xn, Y1∼Yn)의 교차부에 있는 방전 공간이 셀(12)을 형성한다. 이러한 플라즈마 표시 패널(100)의 구조는 일 예이며, 아래에서 설명하는 구동 파형이 적용될 수 있는 다른 구조의 패널도 본 발명에 적용될 수 있다.
제어부(200)는 외부로부터 영상 신호를 수신하여 A 전극 구동 제어 신호, X 전극 구동 제어 신호 및 Y 전극 구동 제어 신호를 출력한다. 이때, 제어부(200)는 한 프레임을 각각의 휘도 가중치를 가지는 복수의 서브필드로 분할하여 구동하며, 복수의 서브필드는 다시 복수의 그룹으로 분할하여 구동한다. 또한 복수의 X 전극과 Y 전극을 각각 복수의 그룹으로 분할하여 구동한다.
어드레스 전극 구동부(300)는 제어부(200)로부터 A 전극 구동 제어 신호를 수신하여 A 전극(A1∼Am)에 구동 전압을 인가한다.
주사 전극 구동부(400)는 제어부(200)로부터 Y 전극 구동 제어 신호를 수신하여 Y 전극(Y1∼Yn)에 구동 전압을 인가한다.
유지 전극 구동부(500)는 제어부(200)로부터 X 전극 구동 제어 신호를 수신하여 X 전극(X1∼Xn)에 구동 전압을 인가한다.
아래에서는 행 방향으로 서로 쌍을 이루면서 뻗어 있는 X 전극 및 Y 전극을 행 전극이라 하고, 열 방향으로 뻗어 있는 A 전극을 열 전극이라 한다.
다음, 도 2를 참조하여 본 발명의 제1 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 방법에 대해서 상세하게 설명한다. 그리고 본 발명의 제1 실시 예에서는 각 행 그룹의 어드레스 기간 이후에 인가되는 유지 기간의 길이가 동일하고, 이러한 유지 기간은 모든 서브필드에서 동일한 길이를 가지는 것으로 한다.
도 2는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 방법을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2에 나타낸 바와 같이, 한 필드는 복수의 서브필드(SF11-SF1L)로 이루어지며, 복수의 행 전극(X1∼Xn, Y1∼Yn)은 복수의 행 그룹으로 나누어진다. 도 2에서는 복수의 행 전극(X1∼Xn, Y1∼Yn)을 물리적인 배열 순서대로 묶어서 8개의 그룹으로 나누어지는 것으로 가정하였다. 이때, 1번째부터 j번째 행 전극이 제1 행 그룹(G1)으로 설정되고, (j+1)번째부터 (2j)번째 행 전극이 제2 행 그룹(G2)으로 설정된다. 이와 같은 식으로 (7j+1)번째부터 n번째 행 전극이 제8 행 그룹(G8)으로 설정된다(여기서, j=n/8). 한편, 이와는 달리 일정한 간격으로 떨어져 있는 행 전극을 하나의 그룹으로 설정할 수도 있으며, 필요에 따라 불규칙한 방식으로도 행 전극을 그룹화할 수도 있다.
그리고 제1 서브필드(SF11)는 리셋 기간(R11), 어드레스 기간(WA111∼WA118) 및 유지 기간(S111∼S118)으로 이루어지며, 제1 서브필드(SF11)의 어드레스 기간(WA111∼WA118)은 선택적 기입 방식(selective Write Address)으로 이루어진다. 제2 서브필드부터 마지막 서브필드(SF12∼SF1L)는 어드레스 기간(EA121∼EA1L8) 및 유지 기간(S121∼S1L8)으로 이루어지며, 제2 서브필드부터 마지막 서브필드(SF12∼SF1L)의 어드레스 기간(EA121∼EA1L8)은 선택적 소거 방식(selective Erase Address)으로 이루어진다. 이와 같이, 제1 실시 예에서 복수의 서브필드(SF11∼SF1L)는 선택적 기입 방식의 서브필드 그룹과 선택적 소거 방식의 서브필드 그룹으로 이루어진다.
복수의 방전 셀 중에서 발광할 방전 셀과 발광하지 않을 방전 셀을 선택하기 위한 방식으로 선택적 기입 방식과 선택적 소거 방식이 있다. 선택적 기입 방식은 발광할 방전 셀을 선택하여 일정한 벽 전압을 형성하는 방식이며, 선택적 소거 방식은 발광하지 않을 방전 셀을 선택하여 이미 형성되어 있는 벽 전압을 소거하는 방식이다. 즉, 선택적 기입 방식은 비발광 셀 상태의 셀을 어드레스 방전시켜서 벽 전하를 형성하여 발광 셀 상태로 설정하는 방식이고, 선택적 기입 방식은 발광 셀 상태의 셀을 어드레스 방전시켜서 이미 형성되어 있는 벽 전하를 소거시켜 비발광 셀 상태로 설정하는 방식이다. 그리고 선택적 기입 방식의 어드레스 기간을 가지는 서브필드에서는 어드레스 기간 직전에 발광 셀을 비발광 셀로 초기화하는 리셋 기간이 일반적으로 형성된다. 아래에서는 선택적 기입 방식에서 벽 전하를 형성하기 위한 어드레스 방전을 “기입 방전”이라 하고, 선택적 소거 방식에서 벽 전하를 소거하기 위한 어드레스 방전을 “소거 방전”이라 한다.
다시 도 2를 보면, 선택적 기입 방식의 어드레스 기간을 가지는 제1 서브필드(SF11)에서는 모든 방전 셀을 초기화하여 비발광 셀 상태로 설정하는 리셋 기간(R11)을 가진다. 즉, 제1 서브필드(SF11)의 리셋 기간(R11)에서는 먼저 모든 행 그룹(G1∼G8)의 방전 셀을 초기화하여 비발광 셀 상태로 설정하고 어드레스 기간(WA111∼WA118)에서 기입 방전이 가능한 상태로 설정한다.
이어서, 제1 서브필드(SF11)에서 제1 내지 제8 행 그룹(G1∼G8)의 어드레스 기간(WA111∼WA118) 및 유지 기간(S111∼S118)이 순차적으로 수행된다. 즉, 제i 행 그룹(Gi)의 어드레스 기간(WA11i)이 수행된 후, 제i 행 그룹(Gi)의 유지 기간(S11i)이 수행된다. 이어서, 제(i+1) 행 그룹(Gi+1)의 어드레스 기간(WA11i+1)과 유지 기간(S11i+1)이 수행된다.
구체적으로, 어드레스 기간(WA111)에서 제1 행 그룹(G1)의 방전 셀 중 발광 셀로 설정할 방전 셀을 기입 방전시켜서 벽 전하를 형성하고, 유지 기간(S111)에서 제1 행 그룹(G1)의 발광 셀을 유지 방전시킨다. 이어서, 어드레스 기간(WA112)에서 제2 행 그룹(G2)의 방전 셀 중 발광 셀로 설정할 방전 셀을 기입 방전시켜서 벽 전하를 형성하고, 유지 기간(S112)에서 제2 행 그룹(G2)의 발광 셀을 유지 방전시킨다. 이때, 제1 행 그룹(G1)의 발광 셀에서도 유지 방전이 일어난다. 이와 마찬가지로 나머지 행 그룹(G3∼G8)에 대해서도 어드레스 기간(WA113∼WA118) 및 유지 기간(S113∼S118)이 수행된다.
이때, 제i 행 그룹(Gi)의 유지 기간(S11i)에서는 제i 행 그룹(Gi)의 발광 셀 및 제1 내지 제(i-1) 행 그룹(G1∼Gi-1)의 발광 셀에서도 유지 방전이 일어난다. 그리고 제1 서브필드(SF11)에서 발광 셀로 설정된 제i 행 그룹(Gi)의 방전 셀은 제2 서브필드(SF12)의 제i 행 그룹(Gi)의 어드레스 기간(EA12i) 직전의 유지 기간(S11i ∼S118, S121∼S12i-1)까지 유지 방전된다. 즉, 제i 행 그룹(Gi)의 발광 셀에서는 총 8회의 유지 기간 동안 유지 방전이 일어난다.
다음, 선택적 소거 방식의 어드레스 기간을 가지는 제2 서브필드(SF12)에서 제1 내지 제8 행 그룹(G1∼G8)의 어드레스 기간(EA121∼EA128) 및 유지 기간(S121∼S128)이 순차적으로 수행된다. 즉, 제i 행 그룹(Gi)의 어드레스 기간(EA12i)이 수행된 후, 제i 행 그룹(Gi)의 유지 기간(S12i)이 수행된다. 이어서, 제(i+1) 행 그룹(Gi+1)의 어드레스 기간(EA12i+1)과 유지 기간(S12i+1)이 수행된다.
구체적으로, 어드레스 기간(EA121)에서는 제1 행 그룹(G1)의 발광 셀 중 비발광 셀로 설정할 방전 셀을 소거 방전시켜서 벽 전하를 소거하고, 유지 기간(S121)에서 제1 행 그룹(G1)의 나머지 발광 셀을 유지 방전시킨다. 이어서, 어드레스 기간(EA122)에서 제2 행 그룹(G2)의 발광 셀 중 비발광 셀로 설정할 방전 셀을 소거 방전시켜서 벽 전하를 소거하고, 유지 기간(S122)에서 제2 행 그룹(G2)의 나머지 발광 셀을 유지 방전시킨다. 이때, 제1 행 그룹(G1)의 발광 셀에서도 유지 방전이 일어난다. 이와 마찬가지로 나머지 행 그룹(G3∼G8)에 대해서도 어드레스 기간(EA123∼EA128) 및 유지 기간(S123∼S128)이 수행된다.
이때, 제i 행 그룹(Gi)의 유지 기간(S12i)에서는 제i 행 그룹(Gi)의 발광 셀 및 제1 내지 제(i-1) 행 그룹(G1∼Gi-1)의 발광 셀에서도 유지 방전이 일어난다. 그리고 제i 행 그룹(Gi)의 발광 셀은 제3 서브필드(SF13)의 제i 행 그룹(Gi)의 어드레스 기간(EA13i) 직전의 유지 기간(S11i∼S118, S121∼S12i-1)까지 유지 방전된다. 즉, 제i 행 그룹(Gi)의 발광 셀에서는 총 8회의 유지 기간 동안 유지 방전이 일어난다.
그리고 선택적 소거 방식의 어드레스 기간을 가지는 나머지 서브필드(SF13∼SF1L)도 앞서 설명한 제2 서브필드(SF12)와 마찬가지로 각 행 그룹(G1∼G8)에 대해서 어드레스 기간(EA131∼EA138, …, EA1L1∼EA1L8) 및 유지 기간(S131∼S138, …, S1L1∼S1L8)이 수행된다. 이와 같이 하면, 제1 서브필드(SF11)에서 기입 방전으로 발광 셀로 설정된 방전 셀은 이어지는 서브필드(SF12∼SF1L)의 어드레스 기간(EA12i∼EA1Li)에서 소거 방전으로 비발광 셀로 설정되기 전까지 계속 유지 방전을 수행하고, 소거 방전으로 비발광 셀이 되면 해당 서브필드부터 유지 방전되지 않는다.
그리고 마지막 서브필드(SF1L)에는 각 행 그룹(G1∼G8)에서의 유지 방전 횟수를 서로 동일하게 하기 위해, 제2 내지 제8 행 그룹(G2∼G8)에 대해 각각 1회 내지 7회의 유지 기간(SA12∼SA18)이 추가로 수행된다.
이를 위해, 마지막 서브필드(SF1L)에는 제2 내지 제8 행 그룹(G2∼G8)에 대해 각각 추가적인 유지 기간(SA12∼SA18)이 형성되어 있다. 그리고 추가적인 유지 기간(SA12∼SA18)에서 8회의 유지 기간이 수행된 행 그룹에서의 유지 방전을 방지하기 위해, 각 행 그룹(G2∼G8)의 추가 유지 기간(SA12∼SA18) 직전에는 직전 행 그룹(G1∼G7)에 형성된 벽 전하를 소거하기 위한 소거 기간(ER11∼ER17)이 형성되어 있다.
한편, 제8 행 그룹(G8)의 추가 유지 기간(SA18) 이후에도 제8 행 그룹(G8)의 벽 전하를 소거하기 위한 소거 기간(ER18)이 형성될 수도 있다. 또한 이어지는 필드의 제1 서브필드(SF11)에서 리셋 기간(R11)이 수행되므로, 제8 행 그룹(G8)의 소거 기간(ER18)은 형성되지 않을 수도 있다. 그리고 이러한 소거 기간(ER11∼ER18)에서의 소거 동작은 어드레스 기간처럼 각 행 그룹의 각 행 전극에 대해서 순차적으로 수행될 수도 있고, 각 행 그룹의 모든 행 전극에 대해서 동시에 수행될 수도 있다.
구체적으로, 마지막 서브필드(SF1L)의 제8 행 그룹(G8)의 유지 기간(S1L8)이 수행된 후, 소거 기간(ER11)에서 제1 행 그룹(G1)의 모든 방전 셀에 형성되어 있는 벽 전하를 소거한다. 그리고 나서 유지 기간(SA12)에서 제2 내지 제8 행 그룹(G2∼G8)의 발광 셀을 유지 방전시킨다. 그런 다음, 소거 기간(ER12)에서 제2 행 그룹(G2)의 모든 방전 셀에 형성되어 있는 벽 전하를 소거한 후, 유지 기간(SA13)에서 제3 내지 제8 행 그룹(G3∼G8)의 발광 셀을 유지 방전시킨다. 이와 같이 하여, 유지 기간(SA18)까지 수행한다. 이렇게 하면, 각 행 그룹(G1∼G8)의 발광 셀에서의 유지 방전 횟수가 동일해진다.
다음, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 방법에 사용되는 구동 파형에 대해서 도 3을 참고로 하여 상세하게 설명한다.
도 3은 도 2에 도시된 구동 방법에 대한 구체적인 플라즈마 표시 장치의 구동 파형을 나타낸 도면이다. 도 3에서는 설명의 편의상 제1 및 제2 행 그룹(G1, G2)과 제1 및 제2 서브필드(SF11, SF12)만을 도시하였으며, A 전극에 인가되는 구동 파형에 대해서는 도시하지 않았다. 또한 A 전극에 인가되는 구동 파형에 대한 설명도 생략하였다.
도 3에 나타낸 바와 같이, 제1 서브필드(SF11)의 리셋 기간(R11)에서는 X 전극에 기준 전압(도 3에서는 0V)을 인가한 상태에서, 모든 행 그룹(G1, G2)의 Y 전극의 전압을 Vs 전압에서 Vset 전압까지 점진적으로 증가시킨다. 그러면, Y 전극의 전압이 증가하는 중에 Y 전극과 X 전극 사이에서 미약한 리셋 방전이 일어나면서 모든 행 그룹(G1, G2)의 방전 셀에 벽 전하가 형성된다. 이어서 X 전극에 Vs 전압을 인가한 상태에서, 모든 행 그룹(G1, G2)의 Y 전극의 전압을 Vs 전압에서 Vnf 전압까지 점진적으로 감소시킨다. 그러면, Y 전극의 전압이 감소하는 중에 Y 전극과 X 전극 사이에서 미약한 리셋 방전이 일어나면서 모든 행 그룹(G1, G2)의 방전 셀에 형성된 벽 전하가 소거되어 비발광 셀로 초기화된다. 일반적으로 (Vnf-Vs) 전압의 크 기는 Y 전극과 X 전극 사이의 방전 개시 전압 근처로 설정된다. 그러면 Y 전극과 X 전극 사이의 벽 전압이 거의 0V가 되어, 어드레스 기간에서 기입 방전이 일어나지 않은 비발광 셀이 유지 기간에서 오방전하는 것을 방지할 수 있다.
어드레스 기간(WA111)에서는 X 전극에 Vs 전압을 인가한 상태에서, 먼저 제1 행 그룹(G1)의 복수의 Y 전극에 순차적으로 VscL1 전압의 주사 펄스를 인가한다. 이때, 주사 펄스가 인가된 Y 전극에 의해 형성되는 방전 셀 중 발광할 방전 셀의 A 전극에 양의 전압을 가지는 어드레스 펄스(도시하지 않음)를 인가한다. 그러면 주사 펄스의 VscL1 전압과 어드레스 펄스의 양의 전압이 인가된 방전 셀에 기입 방전이 일어나서 X 전극과 Y 전극에 벽 전압이 형성되어 발광 셀로 된다. 그리고 주사 펄스가 인가되지 않는 Y 전극은 주사 펄스의 전압보다 높은 VscH1 전압을 인가하고, 도시하지는 않았지만 어드레스 펄스가 인가되지 않는 A 전극에는 기준 전압을 인가한다. 이때, 제2 행 내지 제8 행 그룹(G2∼G8)의 Y 전극에도 VscH1 전압이 인가된다.
다음, 유지 기간(S111)에서 모든 행 그룹(G1, G2)의 Y 전극에 Vs 전압의 유지 방전 펄스를 인가하여 발광 셀을 유지 방전시킨다. 이어서 모든 행 그룹(G1, G2)의 X 전극에 Vs 전압의 유지 방전 펄스를 인가하여 발광 셀을 유지 방전시킨다. 이때, 제1 행 그룹(G1)의 어드레스 기간(WA111)에서 기입 방전이 일어난 셀만이 발광 셀로 되므로, 제1 행 그룹(G1)의 어드레스 기간(WA111)에서 기입 방전이 일어난 셀에서만 유지 방전이 일어난다.
그리고 X 전극에 유지 방전 펄스가 인가되는 동안, 어드레스 기간(WA112)에서는 X 전극에 Vs 전압을 인가한 상태에서 제2 행 그룹(G2)의 복수의 Y 전극에 순차적으로 VscL1 전압의 주사 펄스를 인가하고, 주사 펄스가 인가된 Y 전극에 의해 형성되는 방전 셀 중 발광할 방전 셀의 A 전극에 양의 전압을 가지는 어드레스 펄스를 인가하여, 비발광 셀 상태의 셀을 기입 방전시켜서 발광 셀로 설정한다.
다음, 유지 기간(S112)에서 모든 행 그룹(G1, G2)의 Y 전극에 Vs 전압의 유지 방전 펄스를 인가하여 발광 셀을 유지 방전시킨다. 이어서 모든 행 그룹(G1, G2)의 X 전극에 Vs 전압의 유지 방전 펄스를 인가하여 발광 셀을 유지 방전시킨다. 이때, 제1 및 제2 행 그룹(G1, G2)의 어드레스 기간(WA111, WA112)에서 기입 방전이 일어난 셀이 발광 셀이므로, 제1 및 제2 행 그룹(G1, G2)의 어드레스 기간(WA111, WA112)에서 기입 방전이 일어난 셀에서 유지 방전이 일어난다. 이와 같은 식으로 제1 서브필드(SF11)에서 각 행 그룹에 대해서 어드레스 기간과 유지 기간이 수행된다.
다음, 제2 서브필드(SF12)의 어드레스 기간(EA121)에서는 X 전극에 기준 전압을 인가한 상태에서 제1 행 그룹(G1)의 복수의 Y 전극에 순차적으로 VscL2 전압의 주사 펄스를 인가한다. 이때, 주사 펄스가 인가된 Y 전극에 의해 형성된 발광 셀(제1 서브필드에서 유지 방전이 일어난 셀) 중에서 비발광 셀로 선택할 셀의 A 전극에 양의 전압을 가지는 어드레스 펄스(도시하지 않음)를 인가한다. 그리고 주사 펄 스가 인가되지 않은 Y 전극에는 VscL2 전압보다 높은 VscH2 전압이 인가되고 어드레스 펄스가 인가되지 않은 A 전극에는 기준 전압이 인가된다. 그러면, 주사 펄스의 VscL2 전압과 어드레스 펄스의 양의 전압이 인가된 발광 셀에서 소거 방전이 일어나서, X 전극과 Y 전극에 형성된 벽 전하가 소거되어 비발광 셀로 설정된다.
그리고 제1 서브필드(SF11)의 발광 셀 중에서 제2 서브필드(SF12)의 어드레스 기간(EA121)에서 소거 방전이 일어나지 않은 셀이 제2 서브필드(SF12)의 발광 셀이므로, 제2 서브필드(SF12)의 유지 기간(S121)에서는 제1 및 제2 행 그룹(G1, G2)의 X 전극에 먼저 Vs 전압의 유지 방전 펄스가 인가되어 발광 셀에서 유지 방전이 일어나고, 이어서 제1 및 제2 행 그룹(G1, G2)의 Y 전극에 Vs 전압이 인가되어 발광 셀에서 유지 방전이 일어난다.
그러고 나서, 어드레스 기간(EA122)에서는 X 전극에 기준 전압을 인가한 상태에서 제2 행 그룹(G2)의 복수의 Y 전극에 순차적으로 음의 전압인 VscL2 전압의 주사 펄스를 인가하고, 주사 펄스가 인가된 Y 전극에 의해 형성된 발광 셀(제1 서브필드에서 유지 방전이 일어난 셀) 중에서 비발광 셀로 선택할 셀의 A 전극에 양의 전압을 가지는 어드레스 펄스(도시하지 않음)를 인가한다. 그러면, 주사 펄스의 VscL2 전압과 어드레스 펄스의 양의 전압이 인가된 발광 셀에서 소거 방전이 일어나서, X 전극과 Y 전극에 형성된 벽 전하가 소거되어 비발광 셀로 설정된다.
이어서 유지 기간(S122)에서는 제1 및 제2 행 그룹(G1, G2)의 X 전극에 먼저 Vs 전압의 유지 방전 펄스가 인가되어 발광 셀에서 유지 방전이 일어나고, 이어서 제1 및 제2 행 그룹(G1, G2)의 Y 전극에 Vs 전압이 인가되어 발광 셀에서 유지 방전이 일어난다. 이와 같은 식으로 나머지 행 그룹(G3∼G4)에 대해서 어드레스 기간과 유지 기간이 수행된다.
이와 같이, 본 발명의 제1 실시 예에서는 각 행 그룹의 유지 기간 사이에 어드레스 기간이 형성되어 유지 기간에서 형성된 프라이밍 입자를 어드레스 기간에서 충분히 활용할 수 있으므로, 주사 펄스의 폭을 짧게 하여 고속 주사를 할 수 있다. 그리고 리셋 기간에서 점진적으로 증가하는 전압과 점진적으로 감소하는 전압을 이용하므로 리셋 기간에서 강한 방전이 일어나지 않으며, 모든 행 그룹에 대해서 한 필드 동안 한 번의 리셋 기간이 수행되므로 명암비를 높일 수 있다.
그리고 제1 실시 예에서는 모든 서브필드의 길이가 동일하고 제1 서브필드부터 연속적으로 켜지는 서브필드에 의해 계조가 표현된다. 예를 들어, 본 발명의 제2 실시 예에서, 한 서브필드에서만 유지 방전이 일어나는 경우의 계조를 1이라 할 때, 제1 서브필드(SF11)의 어드레스 기간(WA11i)에서 비발광 셀로 되면, 유지 기간(S11i)에서 유지 방전이 일어나지 않고, 다음 서브필드(SF12∼SF1L)에서도 유지 방전이 일어나지 않으므로 0계조가 표현된다. 그리고 제1 서브필드(SF11)의 어드레스 기간(WA11i)에서 발광 셀로 되면 제1 서브필드(SF11)에서 유지 방전이 일어나므로 1계조를 표현할 수 있다. 다음, 제2 서브필드(SF12)에서 소거 방전이 일어나서 비발 광 셀로 되면 제2 서브필드(SF12)부터 유지 방전이 일어나지 않으므로 최종 1계조가 표현된다. 또한 제2 서브필드(SF12)에서 소거 방전이 일어나지 않으면 계속 발광 셀이므로 제2 서브필드(SF12)에서도 유지 방전이 일어나서 2계조가 표현된다. 즉, 제1 서브필드(SF11)에서 발광 셀로 된 후, 제K 서브필드(SF1K)에서 비발광 셀로 되는 방전 셀은 제1 서브필드(SF11)부터 제(K-1) 서브필드(SF1(K-1))에서 유지 방전이 계속 일어나므로, 최종적으로 (K-1) 계조가 표현된다.
한편, 본 발명의 제1 실시 예에서는 선택적 소거 방식의 서브필드 그룹의 각 서브필드(SF12∼SF1L)에서 각 행 그룹의 어드레스 기간(EA121∼EA122, EA131∼EA138, …, EA1L1∼EA1L8)에서 각 행 그룹의 Y 전극에 인가되는 주사 펄스의 폭을 0.3㎲ 정도로 설정한다.
앞서 설명한 것처럼, 제1 서브필드부터 연속적으로 켜지는 서브필드에 의해 계조가 표현되므로, 예를 들어, 64 계조를 표현하기 위해서는 63개의 서브필드가 필요하다. 이때, 마지막 서브필드에는 소거 기간과 추가 유지 기간이 형성되어 있으므로, 이 소거 기간과 추가 유지 기간을 1개의 서브필드로 가정하면, 총 64개의 서브필드가 필요하다. 그리고 소거 기간과 추가 유지 기간으로 이루어진 서브필드를 소거 방식을 사용하는 서브필드로 가정하면, 소거 방식을 사용하는 서브필드는 총 63개가 된다.
그리고 선택적 기입 방식에서 주사 펄스의 폭이 1.5㎲이고, 리셋 기간의 길이가 350㎲이며, 한 서브필드에서 20개의 유지 방전 펄스가 들어가고, 한 개의 유 지 방전 펄스가 들어가는 시간이 5㎲이며, 이 조건에서 480 개의 행 전극을 구동한다고 가정하면, 제1 서브필드(SF11)는 1170㎲(=350+(1.5*480)+(5*20))가 소요된다. 따라서, 선택적 소거 방식의 서브필드에 할당되는 시간은 15496㎲(=16666-1170)가 된다. 그리고 선택적 소거 방식의 서브필드는 총 63개이므로, 하나의 서브필드에는 246㎲(=15496/63)가 할당된다. 그리고 하나의 서브필드의 어드레스 기간에는 146㎲(=246-100)가 할당된다. 그리고 행 전극의 수가 480개이므로, 최소한 6비트의 계조를 서브필드의 조합으로 표현하려면 주사 펄스의 폭이 0.3㎲(=146/480) 이하가 되어야 한다.
이와 같이, 주사 펄스의 폭을 0.3㎲로 설정하면, 어드레스 기간에서의 소거 방전의 지연 시간이 0.3㎲ 이하가 되어야 소거 방전이 일어날 수 있다. 그런데 소거 방전의 지연 시간은 이전의 유지 방전에 의해 형성된 프라이밍 입자에 영향을 받는다. 따라서 유지 방전에 의해 형성된 프라이밍 입자가 충분히 남아 있는 시간 범위에서 주사 펄스가 인가되면, 소거 방전의 지연 시간이 0.3㎲보다 짧아질 수 있다.
아래에서는 도 4a 내지 도 4c를 참고로 하여 소거 방전의 지연 시간을 0.3㎲로 할 수 있는 유지 방전 이후의 시간 범위에 대해서 설명한다. 도 4a 내지 도 4c에서는 색상을 표현하기 위해 플라즈마 표시 패널(100)에 적색(R) 형광체가 형성된 방전 셀(이하, “R 방전 셀”이라 함), 녹색(G) 형광체가 형성된 방전 셀(이하, “G 방전 셀”이라 함) 및 청색(B) 형광체가 형성된 방전 셀(이하, “B 방전 셀”이라 함)이 형성되어 있는 것으로 가정한다.
도 4a 내지 도 4c는 각각 R, G 및 B 방전 셀에서의 마지막 유지 방전 후에 Y 전극에 주사 펄스가 인가되기까지의 시간에 따른 소거 방전의 지연 시간을 나타낸 도면이다. 도 4a 내지 도 4c에서 가록축은 소거 방전 지연 시간을 나타내며, 세로축은 소거 방전이 일어나지 않은 방전 셀의 비율을 나타낸다. 세로축에서 “1”은 모든 방전 셀에서 소거 방전이 일어나지 않은 것을 나타내며, “0”은 모든 방전 셀에서 소거 방전이 일어난 것을 나타낸다.
도 4a 내지 도 4c를 보면, 20㎲ 이내의 범위에서 주사 펄스가 인가되면 200㎱ 시간 이내에서 대다수의 방전 셀에서 소거 방전이 일어나는 것을 알 수 있다. 따라서 어느 한 행 그룹의 유지 기간에서 유지 방전이 일어난 후, 20㎲ 범위 안에서 다음 행 그룹의 모든 Y 전극에 주사 펄스가 인가되도록 설정되면, 300㎱ 이하에서 모든 방전 셀에서 소거 방전이 일어난다는 것을 알 수 있다. 즉, 한 행 그룹의 어드레스 기간의 길이를 20㎲ 이하로 설정하면, 소거 방식의 어드레스 기간에서 주사 펄스의 폭을 0.3㎲ 이하로 설정할 수 있다.
그리고 소거 방식의 서브필드에서 각 행 그룹의 Y 전극에 인가되는 주사 펄스의 폭이 0.3㎲이고, 한 행 그룹의 어드레스 기간이 20㎲인 경우, 한 행 그룹에는 66(=20/3)개 이하의 행 전극이 포함될 수 있다. 예를 들어, 480개의 행 전극이 존재하는 경우에는 한 행 그룹에 속하는 행 전극의 개수를 60개로 설정하고 모든 행 전극을 8개의 행 그룹으로 분할할 수 있다.
한편, 본 발명의 제1 실시 예에서는 제1 서브필드부터 연속적으로 켜지는 서브필드에 의해 계조가 표현되므로 의사 윤곽이 발생하지 않는다. 그러나 한 필드에 들어갈 수 있는 서브필드의 개수에 한계가 있으므로, 서브필드만으로 표현할 수 있는 계조 수가 제한된다.
아래에서는 한 필드에서 서브필드의 조합으로 표현할 수 있는 계조 수를 늘릴 수 있는 방법에 대해서 도 5를 참조하여 상세하게 설명한다.
도 5는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 방법을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 5에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 구동 방법은 복수의 서브필드(SF21∼SF2M)를 두 그룹의 서브필드로 분할한다. 도 5에서는 제1 그룹의 서브필드가 제1 내지 제3 서브필드(SF21∼SF23)로 이루어지는 것으로 도시하였다. 이때, 제1 그룹의 서브필드(SF21∼SF23)는 제2 그룹의 서브필드(SF24∼SF2M)보다 시간적으로 앞에 형성되어 있으며 각각의 가중치를 가지는 적어도 하나의 서브필드로 이루어진다. 그리고 제1 그룹의 서브필드는 제1 실시 예와 마찬가지로 복수의 행 전극을 복수의 행 그룹으로 분할하여 구동하며, 제1 그룹의 서브필드의 어드레스 기간(WA211∼WA238)은 선택적 기입 방식(selective Write Address)으로 이루어진다. 그리고 제2 그룹의 서브필드(SF24∼SF2M)는 본 발명의 제2 실시 예의 서브필드(SF11∼SF1L)와 동일하므로, 아래에서는 제2 그룹의 서브필드(SF24∼SF2M)에 대한 설명은 생략한다.
선택적 기입 방식의 어드레스 기간을 가지는 제1 그룹의 각 서브필드(SF21∼SF23)는 제2 실시 예에서 제1 서브필드(SF11)와 유사하다. 단, 제1 그룹의 각 서브 필드(SF21∼SF23)에서 각 행 그룹의 유지 기간 종료 시점에서 각 행 그룹의 방전 셀에 형성되어 있는 벽 전하를 소거하기 위한 소거 동작이 수행된다. 따라서, 제2 실시 예에서는 제i행 그룹(Gi)의 발광 셀을 유지 방전시킬 때, 제1 내지 제(i-1) 행 그룹(G1∼Gi-1)의 발광 셀에서도 유지 방전이 일어나지만, 본 발명의 제2 실시 예에서는 제i행 그룹(Gi)의 발광 셀은 자신의 유지 기간에서만 유지 방전이 일어난다. 따라서, 제1 그룹의 각 서브필드(SF21∼SF23)의 가중치는 한 행 그룹의 유지 기간의 길이에 대응한다.
구체적으로, 제1 서브필드(SF21)의 리셋 기간(R21)에서는 모든 행 그룹(G1∼G8)의 방전 셀을 초기화하여 비발광 셀 상태로 설정하고 어드레스 기간에서 기입 방전이 가능한 상태로 설정한다.
이어서, 어드레스 기간(WA211)에서 제1 행 그룹(G1)의 방전 셀 중 발광 셀로 설정할 방전 셀을 기입 방전시켜서 벽 전하를 형성하고, 유지 기간(S211)에서 제1 행 그룹(G1)의 발광 셀을 유지 방전시킨다. 그리고 나서, 제1 행 그룹(G1)의 발광 셀에 형성되어 있는 벽 전하를 소거한다. 그러면, 제1 행 그룹(G1)의 발광 셀은 제1행 그룹(G1)의 유지 기간(S311)에서만 발광한다.
다음, 어드레스 기간(WA212)에서 제2 행 그룹(G2)의 방전 셀 중 발광 셀로 설정할 방전 셀을 기입 방전시켜서 벽 전하를 형성하고, 유지 기간(S212)에서 제2 행 그룹(G2)의 발광 셀을 유지 방전시킨 후, 제2 행 그룹(G2)의 발광 셀에 형성되어 있는 벽 전하를 소거한다. 이와 같은 식으로 제3 행 그룹(G8)에서 제8 행 그룹(G8)까지 어드레스 기간(WA213∼WA218) 및 유지 기간(S213∼S218)을 수행하고, 제1 서브필드(SF21)와 동일한 방법으로 제2 및 제3 서브필드(SF22, SF23)를 수행한다.
한편, 제1 그룹의 각 서브필드(SF21∼SF23)에서 각 행 그룹(G1∼G8)의 유지 기간(S211∼S218) 이후에 각 행 그룹(G1∼G8)의 발광 셀에 형성되어 있는 벽 전하를 소거하기 위해서, 각 행 그룹(G1∼G8)의 유지 기간(S211∼S218)에서 유지 방전 펄스의 마지막 펄스 폭을 벽 전하가 형성되지 않도록 다른 유지 방전 펄스의 폭보다 좁게 하여 구현할 수 있다. 또는 마지막 유지 방전 펄스 직후에 점진적으로 행 전극의 전압을 변경할 수 있는 파형(예를 들어, 램프 형태로 변경되는 파형)을 사용하여 유지 방전에 의해 형성된 벽 전하를 소거할 수도 있다.
이러한 제1 그룹의 서브필드(SF21∼SF23)에서는 각각 리셋 기간(R21, R22, R23)을 가지므로, 직전 서브필드에서의 셀 상태에 관계없이 현재 셀을 발광 셀로 설정할 수 있다. 따라서, 제1 그룹의 서브필드(SF21∼SF23)에서의 방전 셀은 선택적으로 유지 방전될 수 있다. 이때, 제1 그룹의 서브필드(SF21∼SF23)의 상대적인 유지 기간(S21i∼S23i)의 길이 즉, 가중치가 각각 1, 2 및 4일 경우, 제1 그룹의 서브필드(SF21∼SF23)에서는 0에서 7계조 즉, 총 8 종류의 계조를 표현할 수 있다. 그리고 제2 그룹의 서브필드(SF24∼SF2M)에서는 앞서 설명한 바와 같이 제4 서브필드(SF24)부터 연속적으로 켜지는 서브필드에 의해 계조가 표현된다. 따라서, 한 필드에서의 계조는 제1 그룹의 서브필드(SF21∼SF23)에서 표현되는 계조와 제2 그룹의 서브필드(SF24∼SF2M)에서 표현되는 계조의 합에 의해 표현될 수 있다.
예를 들어, 제3 실시 예에서 제2 그룹의 서브필드(SF24∼SF2M)가 총 31개인 경우, 32개의 계조를 표현할 수 있다. 그리고 제2 그룹의 서브필드(SF24∼SF2M)의 각 유지 기간의 길이를 제1 그룹의 최소 가중치 서브필드(SF21)의 유지 기간(S21i)의 길이와 동일하게 설정하면, 제2 그룹의 각 서브필드(SF24∼SF2M)의 가중치는 8에 해당한다. 따라서 제2 그룹의 서브필드(SF24∼SF2M)로는 0계조부터 248(=8×31)계조 중에서 8의 배수에 해당하는 계조를 표현할 수 있다. 그리고 제1 그룹의 서브필드(SF21∼SF23)에 의해 0계조부터 7계조가 표현이 가능하므로, 제1 그룹과 제2 그룹의 서브필드(SF21∼SF2M)의 조합에 의해 0계조부터 255(=248+7)계조까지 표현이 가능하다.
그러나 제1 그룹의 각 서브필드(SF21∼SF23)에서 각각의 행 그룹에 대해 유지 기간을 각각 수행하게 되면, 총 행 그룹이 8개로 분할되었을 경우 총 8번의 유지 기간이 수행된다. 이로 인하여 한 서브필드에서 총 유지 기간의 길이가 길어져 한 필드에서 사용할 수 있는 서브필드의 개수가 제한된다.
아래에서는 제1 그룹의 각 서브필드(SF31∼SF33)에서 유지 기간의 횟수를 줄일 수 있는 방법에 대해 도 6을 참조로 하여 상세하게 설명한다.
도 6은 본 발명의 제3 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 방법을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 6에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 제3 실시 예에 따른 구동 방법은 제2 실시 예와 유사하다. 단, 제3 실시 예에서는 제2 실시 예와 달리, 제1 그룹의 각 서브필드(SF31∼SF33)에서 복수의 행 전극을 그룹화하지 않고 하나의 어드레스 기간 동안 복수의 행 전극에 의해 형성되는 방전 셀 중에서 발광 셀을 선택한다.
구체적으로, 제1 그룹의 각 서브필드(SF31∼SF33)의 어드레스 기간(WA31∼WA33)에서는 복수의 행 전극의 방전 셀 중 발광 셀로 설정할 방전 셀을 기입 방전시켜서 벽 전하를 형성한다. 즉, 각 어드레스 기간(WA31∼WA33)에서 복수의 행 전극에 대해서 순차적으로 기입 방전이 수행되어서 발광 셀이 선택된 후에, 각 유지 기간(S31∼S33)이 수행되어 유지 방전이 일어난다. 이렇게 하면, 제1 그룹의 각 서브필드(SF31∼SF33)에서는 한 번의 유지 기간(S31∼SF33)이 수행되므로, 제3 실시 예에 비해 각 서브필드(SF31∼SF33)에서 유지 기간(S31∼SF33)의 길이를 줄일 수 있다. 그리고 각 서브필드(SF31∼SF33)의 유지 기간(S31∼SF33)의 길이의 비를 1:2:4로 설정하고, 최소 가중치 서브필드(SF31)의 하나의 유지 기간의 길이와 동일하게 설정하면, 제3 실시 예와 동일하게 계조가 표현될 수 있다.
그리고 본 발명의 제2 및 제3 실시 예에서는 제1 그룹의 서브필드(SF21∼SF23, SF31∼SF33)에서 복수의 행 전극을 8개의 행 그룹으로 분할되거나 행 그룹으로 분할하지 않은 경우에 대해서 설명하였지만, 제1 그룹의 서브필드(SF21∼SF23, SF31∼SF33)에서 행 전극을 다른 개수의 행 그룹으로 분할할 수도 있다.
예를 들어, 복수의 행 전극을 2개의 행 그룹으로 분할하여, 제1 그룹의 각 서브필드에 각각의 행 그룹에 대응하는 2개의 어드레스 기간을 형성할 수도 있다. 또는, 제1 그룹의 서브필드에서 행 그룹의 개수를 각 서브필드의 가중치에 해당하는 개수로 분할할 수도 있다.
또한 본 발명의 제2 및 제3 실시 예에서는 제1 그룹의 서브필드(SF21∼SF23, SF31∼SF33)가 제2 그룹의 서브필드(SF24∼SF2M, SF34∼SF3M) 앞에 위치하는 것으로 도시하였지만, 제1 그룹의 서브필드(SF21∼SF23, SF31∼SF33)가 제2 그룹의 서브필드(SF24∼SF2M, SF34∼SF3M) 뒤에 위치할 수도 있다.
또한 본 발명의 제1 내지 제3 실시 예에서는 한 필드의 마지막 서브필드(SF1L, SF2M, SF3M)의 마지막 행 그룹에서 발광 셀을 유지 방전 시킨 후에, 소거 기간(ER12∼ER18, ER22∼ER28, ER32∼ER38) 및 추가 유지 기간(SA12∼SA18, SA22∼SA28, SA32∼SA38)이 형성되어 있지만, 이를 삭제할 수도 있다. 소거 기간(ER12∼ER18, ER22∼ER28, ER32∼ER38) 및 추가 유지 기간(SA12∼SA18, SA22∼SA28, SA32∼SA38)이 삭제되는 경우, 복수의 필드에 거쳐 각 행 그룹의 어드레싱 순서를 변경한다. 그러면, 각 행 그룹의 유지 방전 횟수를 동일하게 할 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시 예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명의 실시 예에 따르면, 한 필드에서 복수의 서브필드를 복수의 서브필드 그룹으로 나누고, 복수이 행 전극을 복수의 행 그룹으로 나누어 구동한다. 그리고 제1 서브필드 그룹의 서브필드 중 최초의 서브필드에서는 선택적 기입 방식으로 발광 셀을 선택하고 나머지 서브필드에서는 소거 방식으로 발광 셀에서 비발광 셀을 선택한다. 이때, 각 행 그룹의 유지 기간 사이에 어드레스 기간이 형성되어 유지 기간에서 형성된 프라이밍 입자를 어드레스 기간에서 충분히 활용할 수 있어 주사 펄스의 폭을 짧게 하여 고속 주사를 할 수 있다. 또한 선택적 소거 방식의 서브필드에서 어드레스 기간의 길이를 적절히 제한함으로써 고속의 소거 어드레스가 가능해진다.

Claims (15)

  1. 표시 동작을 수행하는 복수의 행 전극과 복수의 열 전극, 그리고 상기 행 전극 및 상기 열 전극에 의해 각각 정의되는 복수의 방전 셀을 포함하는 플라즈마 표시 장치에서, 한 필드를 복수의 서브필드로 나누어 구동 방법에 있어서,
    상기 복수의 행 전극을 복수의 행 그룹으로 나누며, 상기 복수의 서브필드를 복수의 서브필드 그룹으로 나누며,
    제1 서브필드 그룹의 각 서브필드에서, 상기 복수의 행 그룹의 각 행 그룹에 대한 제1 어드레스 기간 동안 상기 각 행 그룹의 발광 셀 중 비발광 셀을 선택하는 단계, 그리고
    상기 제1 서브필드 그룹의 각 서브필드에서, 인접한 두 개의 상기 제1 어드레스 기간 사이에 위치하는 제1 유지 기간 동안 상기 복수의 행 그룹의 발광 셀 상태의 방전 셀을 유지 방전시키는 단계를 포함하며,
    상기 복수의 행 그룹의 각 행 그룹에 대한 상기 제1 어드레스 기간의 길이는 20㎲ 이내인 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 각 행 그룹의 상기 제1 어드레스 기간 동안, 상기 각 행 그룹의 복수의 상기 행 전극에 순차적으로 주사 펄스를 인가하며,
    상기 주사 펄스의 폭은 0.3㎲ 이하인 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1 서브필드 그룹에서 시간적으로 마지막에 위치하는 서브필드에서, 상기 복수의 행 그룹 중 마지막 행 그룹의 발광 셀이 유지 방전된 후에,
    상기 복수의 행 그룹의 각 행 그룹에 대한 소거 기간 동안 상기 각 행 그룹의 발광 셀을 비발광 셀로 설정하는 단계, 그리고
    인접한 두 개의 상기 소거 기간 사이에 위치하는 추가 유지 기간 동안 상기 복수의 행 그룹의 발광 셀 상태의 방전 셀을 유지 방전시키는 단계를 더 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 제1 서브필드 그룹에 연속하여 시간적으로 앞에 있으며, 상기 제1 서브필드 그룹과 동일한 개수의 상기 복수의 행 그룹을 포함하는 제2 서브필드 그룹의 각 서브필드에서,
    상기 복수의 행 그룹의 각 행 그룹에 대한 제2 어드레스 기간 동안 상기 각 행 그룹의 방전 셀 중 발광 셀을 선택하는 단계, 그리고
    상기 제2 서브필드 그룹의 각 서브필드에서, 인접한 두 개의 상기 제2 어드레스 기간 사이에 위치하는 제2 유지 기간 동안 상기 복수의 행 그룹의 발광 셀 상태의 방전 셀을 유지 방전시키는 단계를 더 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제2 서브필드 그룹의 각 서브필드에서 상기 발광 셀을 선택하기 전에 상기 복수의 방전 셀을 비발광 셀로 리셋하는 단계를 더 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1 서브필드 그룹의 각 서브필드의 가중치와 상기 제2 서브필드 그룹의 각 서브필드의 가중치가 동일한 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 제2 서브필드 그룹보다 시간적으로 앞에 있으며 복수의 서브필드를 포함하는 제3 서브필드 그룹의 각 서브필드에서,
    제3 어드레스 기간 동안 상기 복수의 행 전극에 의해 형성되는 방전 셀 중 발광 셀을 선택하는 단계, 그리고
    제3 유지 기간 동안 상기 발광 셀을 유지 방전시키는 단계를 더 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  9. 제5항에 있어서,
    상기 제2 서브필드 그룹보다 시간적으로 앞에 있으며 각각의 가중치를 가지는 복수의 서브필드를 포함하는 제3 서브필드 그룹의 각 서브필드에서, 상기 복수의 행 전극을 복수의 행 그룹으로 나누고,
    상기 복수의 행 그룹 중 각 행 그룹에 대한 제4 어드레스 기간 동안 상기 각 행 그룹의 방전 셀 중 발광 셀을 선택하는 단계, 그리고
    상기 제3 서브필드 그룹의 각 서브필드에서, 인접한 상기 제4 어드레스 기간 사이에 위치하는 제4 유지 기간 동안 상기 복수의 행 그룹의 발광 셀 상태의 방전 셀을 유지 방전시키는 단계를 더 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제3 서브필드 그룹의 각 서브필드에서, 상기 각 행 그룹의 발광 셀을 유지 방전시킨 후에, 상기 각 행 그룹의 발광 셀을 비발광 셀로 설정하는 단계를 더 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제3 서브필드 그룹의 각 서브필드의 가중치의 총합은 상기 제1 및 제2 서브필드 그룹의 각 서브필드의 가중치보다 1이 작은 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  12. 표시 동작을 수행하는 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 복수의 행 전극 및 상기 행 전극에 교차하는 방향으로 형성되는 복수의 열 전극을 포함하며, 상기 복수의 행 전극 및 복수의 열 전극에 의해 복수의 방전 셀이 형성되는 플라즈마 표시 패널,
    상기 복수의 서브필드를 복수의 서브필드 그룹으로 나누고, 상기 복수의 행 전극을 복수의 행 그룹으로 나누는 제어부, 그리고
    제1 서브필드 그룹의 각 서브필드에서, 상기 복수의 행 그룹의 각 행 그룹에 대한 제1 어드레스 기간 동안 상기 복수의 행 그룹의 각 행 그룹의 발광 셀 중 비 발광 셀을 선택하고, 인접한 두 개의 상기 제1 어드레스 기간 사이에 위치하는 제1 유지 기간 동안 상기 복수의 행 그룹의 발광 셀 상태의 방전 셀을 유지 방전시키는 구동부를 포함하며,
    상기 구동부는 상기 각 행 그룹의 복수의 상기 행 전극에 0.3㎲ 이하의 폭을 가지는 주사 펄스를 순차적으로 인가하고, 상기 주사 펄스가 인가된 발광 셀의 상기 열 전극에 어드레스 펄스를 인가하여 상기 비발광 셀을 선택하는 플라즈마 표시 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 제1 어드레스 기간의 길이를 20㎲ 이내로 설정하는 플라즈마 표시 장치.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 복수의 행 그룹의 각 행 그룹에 66개 이하의 행 전극이 포함되도록 설정하는 플라즈마 표시 장치.
  15. 제12항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 구동부는,
    상기 제1 서브필드 그룹에 연속하여 시간적으로 앞에 있으며, 상기 제1 서브필드 그룹과 동일한 개수의 상기 복수의 행 그룹을 포함하는 제2 서브필드 그룹의 각 서브필드에서, 상기 복수의 행 그룹의 각 행 그룹에 대한 제2 어드레스 기간 동안 상기 각 행 그룹의 방전 셀 중 발광 셀을 선택하고,
    상기 제2 서브필드 그룹의 각 서브필드에서, 인접한 두 개의 상기 제2 어드레스 기간 사이에 위치하는 제2 유지 기간 동안 상기 복수의 행 그룹의 발광 셀 상태의 방전 셀을 유지 방전시키는 플라즈마 표시 장치.
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