KR100734853B1 - 전도성 금속 기판을 양극으로 구성한 염료감응 태양전지 및 그 제조방법 - Google Patents

전도성 금속 기판을 양극으로 구성한 염료감응 태양전지 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

염료감응 태양전지 및 그 제조방법을 제공한다. 본 발명은 구부림이 가능한 전도성 기판에 나노입자 산화물층과 상기 나노입자 산화물층 상에 흡착된 염료분자를 포함하여 음극으로 작용하는 반도체 전극을 포함한다. 상기 반도체 전극에 대향하여 위치하고, 구부림이 가능한 전도성 금속 기판 상에, 상기 반도체 전극쪽을 향하여 형성된 백금 전극층을 포함하여 양극으로 작용하는 대향 전극을 포함하되, 상기 백금 전극층은 상기 전도성 금속 기판 상에 백금 이온 용액을 도포한 후에 400∼500℃에서 가열하여 형성한다. 상기 반도체 전극과 상기 대향 전극 사이에 전해질 용액을 게재한다. 이에 따라, 본 발명은 전도성 금속 기판을 양극으로 채용하고, 상기 전도성 금속 기판 상에 백금층을 고온에서 형성할 수 있어 구부림이 가능하면서도 광전환 효율 및 에너지 변화 효율 등의 성능을 향상시킬 수 있다.

Description

전도성 금속 기판을 양극으로 구성한 염료감응 태양전지 및 그 제조방법{Dye-sensitized solar cell using conducting metal substrates as an anode and fabrication method thereof}
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 염료감응 태양전지의 구성 및 그 제조방법을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 염료감응 태양전지의 구성 및 그 제조방법을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 제3 실시예에 따른 염료감응 태양전지의 구성 및 그 제조방법을 개략적으로 도시한 도면이다.
* 도면의 주요부분에 대한 설명 *
10: 전도성 기판, 12: 나노입자 산화물층, 20: 반도체 전극
30: 전도성 금속 기판, 32: 백금 전극층 40: 대향 전극
34: 전도성 박막 36: 반도체 박막
본 발명은 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 염료감응 태양전지 및 그 제조방법관한 것이다.
염료감응 태양전지는 실리콘 태양전지와는 달리, 가시광선을 흡수하여 전자-홀 쌍(electron-hole pair)을 생성할 수 있는 감광성 염료분자와, 생성된 전자를 전달하는 전이금속 산화물을 주된 구성 재료로 하는 광전기화학적 태양전지이다. 지금까지 알려진 염료감응 태양전지 중 대표적인 예로는 스위스의 그라첼(Gratzel) 등에 의하여 1990년 5월 20일자로 미합중국 특허 제 4,927,721호에 "Photo-electrochemical cell"이라는 명칭으로, 1994년 9월 27일자로 미합중국 특허 제5, 350, 644호에 "Photovoltaic cells"이라는 명칭으로 공개된 바 있다.
상기 그라첼 등에 의해 발표된 염료감응 태양전지는 염료 분자가 입혀진 나노입자 이산화티탄(TiO2)으로 이루어지고 음극으로 작용하는 반도체 전극, 백금 전극층을 포함하여 양극으로 작용하는 대향전극, 그리고 그 사이에 채워진 전해질 용액으로 구성되어 있다. 이 염료감응 태양전지는 기존의 실리콘 태양전지에 비하여 전력당 제조 원가가 저렴하기 때문에 기존의 태양전지를 대체할 수 있는 가능성이 있다는 점에서 주목받아 왔다.
상기 염료감응 태양전지는 전도성 유리 기판 위에 나노입자 산화물의 콜로이드 용액을 코팅하여 450∼500℃ 전기로에서 가열한 후 염료를 흡착한 반도체 전극(음극)과, 상기 반도체 전극과 전도성 유리 기판에 백금 전극층을 형성한 대향 전극(양극)을 서로 마주보게 결합하고, 상기 반도체 전극과 대양 전극 사이에 주입된 전해질로 구성된다. 상기 백금 전극층은 전도성 유리 기판 위에 백금 이온을 포함하는 용액을 코팅한 후에, 450∼500℃ 전기로에서 가열하여 형성하거나, 전도성 유리 기판 상에 스퍼터링(증착)에 의하여 형성한다.
그런데, 최근에는 구부림이 가능한 염료감응 태양전지를 구현하기 위해서, 상기 백금 전극층을 구부림이 가능한 전도성 고분자 필름에 백금 이온을 포함하는 용액을 코팅하고 화학적으로 환원시켜 형성한다. 그러나, 구부림이 가능한 고분자 필름 위에 상기 화학적 환원법에 의한 백금 전극층을 형성할 경우, 염료감응 태양전지의 광전환 효율 및 에너지 변환 효율 등의 성능이 저하되는 문제점이 발생한다.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 구부림이 가능하면서도 백금 전극층에 의한 광전환 효율 및 에너지 변화 효율 등의 성능을 향상시킬 수 있는 염료감응 태양전지를 제공하는 데 있다.
또한, 본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상기 염료감응 태양전지의 적합한 제조방법을 제공하는 데 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 염료감응 태양전지는 구부림이 가능한 전도성 기판에 형성된 나노입자 산화물층과 상기 나노입자 산화물층 상에 흡착된 염료분자를 포함하여 음극으로 작용하는 반도체 전극과, 상기 반도체 전극에 대향하여 위치하고, 구부림이 가능한 전도성 금속 기판 상에, 상기 반도체 전극쪽을 향하여 전도성 박막 및 백금 전극층이 순차적으로 형성되어 양극으로 작용하는 대향 전극과, 상기 반도체 전극과 대향 전극 사이에 개재된 전해질 용액을 포함하여 이루어지고, 상기 전도성 제2 기판 상에 형성된 전도성 박막으로 인해 상기 전해질 용액에 의한 전도성 제2 기판의 부식을 방지한다.
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상기 전도성 기판은 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리에틸렌나프탈레이트, 또는 폴리에테르설으로 이루어진 고분자 기판 상에 ITO 혹은 F 도핑된 이산화주석(FTO)과 같은 전도성 물질을 도포한 기판일 수 있다.
상기 전도성 박막은 ITO(indium tin oxide) 또는 F 도핑된 이산화주석(FTO)으로 이루어질 수 있다. 상기 백금 전극층은 상기 전도성 금속 기판 상에 백금 이온 용액을 도포한 후에 400∼500℃에서 가열하여 형성된 전극층일 수 있다. 상기 전도성 금속 기판과 상기 전도성 박막 사이에 반도체 박막이 더 형성되어, 상기 전도성 금속 기판 상에 형성된 반도체 박막으로 인해 상기 전해질 용액에 의한 전도성 금속 기판의 부식을 더욱 방지할 수 있다.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 따른 염료감응 태양전지의 제조방법은 구부림이 가능한 전도성 기판에 나노입자 산화물층과 상기 나노입자 산화물층 상에 흡착된 염료분자를 포함하여 음극으로 작용하는 반도체 전극을 준비한다. 상기 반도체 전극에 대향하여 위치하고, 구부림이 가능한 전도성 금속 기판 상에, 상기 반도체 전극쪽을 향하여 형성된 백금 전극층을 포함하여 양극으로 작용하는 대향 전극을 준비하되, 상기 백금 전극층은 상기 전도성 금속 기판 상에 백금 이온 용액을 도포한 후에 400∼500℃에서 가열하여 형성한다. 상기 반도체 전극과 상기 대향 전극 사이에 전해질 용액을 게재한다.
상기 전도성 금속 기판을 구성하는 금속은 철, 알루미늄, 티탄늄, 니켈, 구리 및 주석으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나일 수 있다. 상기 전도성 금속 기판은 스테인레스 스틸 기판 또는 알루미늄 기판일 수 있다. 상기 전도성 기판은 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리에틸렌나프탈레이트, 또는 폴리에테르설으로 이루어진 고분자 기판 상에 ITO 혹은 F 도핑된 이산화주석(FTO)과 같은 전도성 물질을 도포한 기판일 수 있다.
상기 전도성 금속 기판 상에, 상기 반도체 전극쪽을 향하여 전도성 박막을 더 형성하여 상기 전도성 금속 기판 상에 형성된 전도성 박막으로 인해 상기 전해질 용액에 의한 상기 전도성 금속 기판의 부식을 방지할 수 있다. 상기 전도성 금속 기판과 상기 전도성 박막 사이에 반도체 박막을 더 형성하여 상기 전도성 금속 기판 상에 형성된 반도체 박막으로 인해 상기 전해질 용액에 의한 전도성 금속 기판의 부식을 방지할 수 있다.
이상과 같은 본 발명은 염료감응 태양전지는 전도성 금속 기판을 양극으로 채용하고, 상기 전도성 금속 기판 상에 백금층을 고온에서 형성할 수 있어 구부림이 가능하면서도 광전환 효율 및 에너지 변화 효율 등의 성능을 향상시킬 수 있다.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 그러나, 다음에 예시하는 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 상술하는 실시예에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되어지는 것이다. 도면에서 막 또는 영역들의 크기 또는 두께는 명세서의 명확성을 위하여 과장되어진 것이다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 염료감응 태양전지의 구성 및 그 제조방법을 개략적으로 도시한 도면이다.
구체적으로, 본 발명의 염료감응 태양전지는 음극으로 작용하는 반도체 전극(20)과, 상기 반도체 전극(20)의 하부에 위치하여 양극으로 작용하는 대향 전극(40)과, 상기 반도체 전극(20)과 대향 전극(40) 사이에 개재된 전해질 용액(60)을 포함한다. 상기 반도체 전극(20)과 대향 전극(40) 사이의 양단부에는 상기 전해질 용액(50)이 새어나오지 않게(밀봉시키기 위해) surlyn 1702(Du Pont(듀퐁)사제의 상품명)과 같은 열가소성 고분자 재료로 이루어진 밀봉 부재(80)가 형성되어 있다.
상기 반도체 전극(20)은 전도성 기판(10)과, 상기 전도성 기판(10) 상에 형성된 나노입자 산화물층(12)과 상기 나노입자 산화물층(12)에 흡착된 염료분자(나노입자 산화물층에 점으로 해칭 표시)를 포함한다. 상기 전도성 기판(10)은 폴리에틸렌테레프탈레이트(줄여서 PET, 다른 말로 폴리테레프탈산에틸렌), 폴리카보네이트(다른 말로 폴리탄산에스테르), 폴리이미드, 폴리에틸렌나프탈레이트, 또는 폴리에테르설폰(PES)과 같은 투명한 고분자 기판 상에 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 F 가 도핑된 이산화주석(FTO, F doped SnO2)과 같은 투명 전도성 물질을 도포한 기판이다.
상기 나노 입자 산화물층(12)은 5∼15㎛ 두께로 구성한다. 상기 나노입자 산화물층(12)은 이산화티탄(TiO2), 이산화주석(SnO2) 또는 산화아연(ZnO)층일 수 있다. 상기 나노입자 산화물층(12)에는 염료 분자, 예컨대 Ru 착체(錯體)로 이루어지는 염료분자가 화학적으로 흡착되어 있다.
상기 대향 전극(40)은 상기 반도체 전극(20)의 하부에 대향하여 위치하고, 구부림이 가능한 전도성 금속 기판(30)과, 상기 전도성 금속 기판(30) 상에 상기 반도체 전극(10)쪽을 향하여 형성된 백금 전극층(32)으로 구성한다. 상기 백금 전극층(32)은 상기 나노입자 산화물층(12)과 대향하게 위치한다.
상기 전도성 금속 기판(30)을 이루는 금속은 철, 알루미늄, 티탄늄, 니켈, 구리 및 주석으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것이 바람직하다. 가장 바람직하게는, 상기 전도성 금속 기판(30)은 스테인리스 스틸(stainless steel) 기판 혹은 알루미늄 기판으로 구성한다.
상기 백금 전극층(32)은 상기 전도성 금속 기판(30) 상에 5mM 헥사클로로플라티늄산(H2PtCl6·xH2O) 에탄올 용액을 분산하고 건조하여 백금 이온을 입힌 다음, 400~500 ℃ 전기로에서 가열하여 형성한다.
특히, 본 발명은 백금 이온 용액을 전도성 금속 기판(30)에 도포한 후에 400 ~ 500 ℃ 전기로에서 가열할 수 있기 때문에, 종래와 같이 고분자 기판 상에 백금 전극층을 형성하는 종래의 염료감응 태양전지에 비하여 광전환 효율 및 에너지 변환 효율을 현저히 향상시킬 수 있고, 에너지 손실도 감소시킬 수 있다.
다시 말해, 본 발명과 같이 전도성 금속 기판(30) 상에 고온 가열로 형성한 백금 전극층(32)이 고분자 전도성 기판 위에 상기 화학적 환원법에 의해 형성된 백금 전극층에 비하여 전자 전달 작용이 향상되어 염료감응 태양전지의 광전환 효율을 대폭 향상시킬 수 있다. 더하여, 본 발명의 백금 전극층(32)은 고온에서 형성하여 안정하기 때문에 구부림 동작에 의한 막질의 변형이나 박리 형상이 발생하지 않는다.
본 발명과 같이 전도성 금속 기판(30)을 사용함으로써 반도체 전극(20)을 투과한 빛이 상기 전도성 금속 기판(30)에서 반사하여 추가적인 빛의 이용을 극대화할 수 있다. 이에 따라, 본 발명은 투명한 고분자 전도성 기판을 사용하는 종래의 염료감응 태양 전지에 비하여 에너지 변환 효율을 향상시킬 수 있다.
그리고, 본 발명의 염료감응 태양전지를 구성하는 전도성 금속 기판(30)이 저항이 낮아 면저항이 높은 기존의 고분자 전도성 기판에 비하여 저항에 의한 에너지 손실도 현저히 감소시킬 수 있다.
상기 반도체 전극(20)과 대향 전극(40) 사이에는 전해질 용액(60)이 개재된다. 상기 전해질 용액(60)은 요오드계 산화-환원 액체 전해질, 예를 들어 0.8M의 1,2-디메틸-3-옥틸-이미다졸륨 아이오다이드(1,2-dimethyl-3-octyl-imidazolium iodide)와 40mM의 I2(Iodine)를 3-메톡시프로피오니트릴(3-Methoxypropionitrile)에 용해시킨 I3 -/I-의 전해질 용액을 이용한다.
도 2는 본 발명의 제2 실시예에 따른 염료감응 태양전지의 구성 및 그 제조방법을 개략적으로 도시한 도면이다.
구체적으로, 도 2에서, 도 1과 동일한 참조번호는 동일한 부재를 나타낸다. 본 발명의 제2 실시예에 의한 염료감응 태양전지는 제1 실시예와 비교하여 대향 전극(40)의 구성이 다른 것을 제외하고는 다 동일하다.
본 발명의 제2 실시예의 염료감응 태양전지의 대향 전극(40)은 구부림이 가능한 전도성 금속 기판(30) 상에 전도성 박막(34)이 더 형성되어 있다. 즉, 본 발명의 제2 실시예의 염료감응 태양전지의 대향전극(40)은 전도성 금속 기판(30) 상에 전도성 박막(34) 및 백금 전극층(32)을 순차적으로 형성하여 구성한다. 상기 전도성 박막(34)은 ITO(indium tin oxide) 또는 F 도핑된 이산화주석(FTO)을 약 1000~2000Å 도포하여 구성할 수 있다.
상기 제2 실시예와 같이, 상기 전도성 박막(34)이 전도성 금속 기판(30) 위에 도포된 경우에는, 상기 전도성 박막(34)에 의하여 전해질 용액(60)이 전도성 금속 기판(30)을 구성하는 금속과의 접촉을 차단함으로써 전해질 용액(60)의 산화/환원제에 의한 금속의 부식을 제거하여 염료감응 태양전지의 안정성을 크게 향상시킬 수 있다.
도 3은 본 발명의 제3 실시예에 따른 염료감응 태양전지의 구성 및 그 제조방법을 개략적으로 도시한 도면이다.
구체적으로, 도 3에서, 도 1 및 도 2와 동일한 참조번호는 동일한 부재를 나타낸다. 본 발명의 제3 실시예에 의한 염료감응 태양전지는 제2 실시예와 비교하여 대향 전극(40)의 구성이 다른 것을 제외하고는 다 동일하다.
본 발명의 제3 실시예의 염료감응 태양전지의 대향 전극(40)은 제2 실시예와 비교하여 구부림이 가능한 전도성 금속 기판(30) 상에 반도체 박막(36, 혹은 절연박막)이 더 형성되어 있다. 즉, 본 발명의 제2 실시예의 염료감응 태양전지의 대향 전극(40)은 전도성 금속 기판(30) 상에 반도체 박막(36), 전도성 박막(34) 및 백금 전극층(32)을 순차적으로 형성하여 구성한다. 상기 반도체 박막(36)은 산화실리콘막(SiOx)을 약 1000~2000 Å 도포하여 구성할 수 있다.
상술한 제2 실시예에서와 같이, 전도성 박막(34)을 전도성 금속 기판(30)의 위에 도포한 경우에도 전해질 용액(60)이 전도성 금속 기판(30)을 구성하는 금속으로부터 장기적으로는 침투하는 것을 완전히 차단하기 어렵다. 특히, 장기적으로 전해질 용액(50)이 전도성 금속 기판(30)의 금속에 침투하게 되면 에너지 효율을 감소시킬 수 있다.
따라서, 제3 실시예와 같이 전도성 제2 기판(30)의 금속 위에 전해질을 완전히 차단할 수 있는 반도체 박막(36, 혹은 절연 박막)을 도포함으로써 전해질에 의한 전도성 금속 기판의 금속 부식을 방지하여 장기적 안정성을 향상시킴과 동시에 에너지 변환 효율도 크게 증가시킬 수 있다.
이하에서는, 본 발명의 제1 실시예에 따른 염료감응 태양전지의 작동 방법을 설명한다.
구체적으로, 반도체 전극(20)의 투명한 전도성 기판(10)을 투과한 빛은 나노입자 산화물층(12)에 흡착된 염료분자에서 태양 빛을 흡수한다. 상기 태양 빛을 흡수한 염료분자는 기저상태에서 여기상태로 전자 전이하여 전자-홀 쌍을 이루며 여기상태의 전자는 나노입자 산화물층(12)의 전도대로 주입된다.
나노입자 산화물층(12)으로 주입된 전자는 입자간 계면을 통하여 나노입자 산화물층(12)에 접하고 있는 전도성 기판(10)에 전달되고 외부전선(미도시)을 통하여 대향 전극(40)으로 이동된다. 전자 전이의 결과로 산화된 염료분자는 전해질 용액(60) 내의 요오드 이온의 산화(3I--> I3 -+2e-)에 의해 제공되는 전자를 받아 다시 환원된다. 산화된 요오드 이온(I3 -)은 백금 전극층(32)에 도달한 전자에 의해 다시 환원되어 염료감응 태양전지의 작동과정이 완성된다.
상술한 바와 같이 본 발명은 전도성 금속 기판 상에 고온 가열로 형성한 백금 전극층은 고분자 전도성 기판 위에 상기 화학적 환원법에 의해 형성된 백금 전극층에 비하여 전자전달작용이 향상되어 염료감응 태양전지의 광전환 효율을 대폭 향상시킬 수 있다.
본 발명은 전도성 금속 기판을 사용함으로써 반도체 전극의 염료가 빛을 흡수하고 투과되는 빛을 상기 전도성 금속 기판에서 반사한다. 이에 따라, 본 발명의 염료감응 태양 전지는 반사하는 빛을 이용함으로써 고분자 전도성 기판을 사용하는 기존의 염료감응 태양전지에 비하여 에너지 변환 효율을 향상시킬 수 있다.
본 발명은 전도성 금속 기판의 저항이 낮아 면저항이 높은 기존의 전도성 고분자 기판에 비하여 저항에 의한 에너지 손실도 현저히 감소시킬 수 있다.
본 발명의 염료감응 태양전지는 전도성 기판과 전도성 금속 기판을 구부림이 가능한 기판을 사용하면 구부림이 가능하게 할 수 있다.

Claims (13)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 구부림이 가능한 전도성 기판에 형성된 나노입자 산화물층과 상기 나노입자 산화물층 상에 흡착된 염료분자를 포함하여 음극으로 작용하는 반도체 전극;
    상기 반도체 전극에 대향하여 위치하고, 구부림이 가능한 전도성 금속 기판 상에, 상기 반도체 전극쪽을 향하여 전도성 박막 및 백금 전극층이 순차적으로 형성되어 양극으로 작용하는 대향 전극; 및
    상기 반도체 전극과 대향 전극 사이에 개재된 전해질 용액을 포함하여 이루어지고, 상기 전도성 금속 기판 상에 형성된 상기 전도성 박막으로 인해 상기 전해질 용액에 의한 상기 전도성 금속 기판의 부식을 방지하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지.
  6. 제5항에 있어서, 상기 전도성 박막은 ITO(indium tin oxide) 또는 F 도핑된 이산화주석(FTO)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지.
  7. 제5항에 있어서, 상기 전도성 금속 기판과 상기 전도성 박막 사이에 반도체 박막이 더 형성되어, 상기 전도성 금속 기판 상에 형성된 반도체 박막으로 인해 상기 전해질 용액에 의한 전도성 금속 기판의 부식을 방지하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지.
  8. 제5항에 있어서, 상기 백금 전극층은 상기 전도성 금속 기판 상에 백금 이온 용액을 도포한 후에 400∼500℃에서 가열하여 형성된 전극층인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지.
  9. 구부림이 가능한 전도성 기판에 나노입자 산화물층과 상기 나노입자 산화물층 상에 흡착된 염료분자를 포함하여 음극으로 작용하는 반도체 전극을 준비하는 단계;
    상기 반도체 전극에 대향하여 위치하고, 구부림이 가능한 전도성 금속 기판 상에, 상기 반도체 전극쪽을 향하여 형성된 백금 전극층을 포함하여 양극으로 작용하는 대향 전극을 준비하되, 상기 백금 전극층은 상기 전도성 금속 기판 상에 백금 이온 용액을 도포한 후에 400∼500℃에서 가열하여 형성하는 단계; 및
    상기 반도체 전극과 상기 대향 전극 사이에 전해질 용액을 게재하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 전도성 금속 기판을 구성하는 금속은 철, 알루미늄, 티탄늄, 니켈, 구리 및 주석으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조방법.
  11. 제9항에 있어서, 상기 전도성 금속 기판은 스테인레스 스틸 기판 또는 알루미늄 기판인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조방법.
  12. 제9항에 있어서, 상기 전도성 금속 기판 상에, 상기 반도체 전극쪽을 향하여 전도성 박막을 더 형성하여 상기 전도성 금속 기판 상에 형성된 상기 전도성 박막으로 인해 상기 전해질 용액에 의한 상기 전도성 금속 기판의 부식을 방지하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 전도성 금속 기판과 상기 전도성 박막 사이에 반도체 박막을 더 형성하여 상기 전도성 금속 기판 상에 형성된 상기 반도체 박막으로 인해 상기 전해질 용액에 의한 상기 전도성 금속 기판의 부식을 방지하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 제조방법.
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