KR100734771B1 - Plasma Processing apparatus - Google Patents

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Abstract

본 발명은 플라즈마 처리장치에 관한 것으로, 그 구성은 상부전극과 하부전극을 포함하는 진공챔버 내부에서 플라즈마를 발생시켜 기판에 소정의 처리를 실시하는 플라즈마 처리장치에 있어서, 상기 상부전극 또는 하부전극에 연결되어 서로 다른 주파수를 가진 전원을 인가하는 제 1 RF전원공급기 및 제 2 RF전원공급기와;BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma processing apparatus, the configuration of which generates a plasma in a vacuum chamber including an upper electrode and a lower electrode, and performs a predetermined treatment on a substrate. A first RF power supply and a second RF power supply connected to each other to apply power having different frequencies;

상기 제 1 RF전원공급기 및 제 2 RF전원공급기에서 인가된 전원을 합성하여 상기 상부전극 또는 하부전극에 공급하는 혼합기와;A mixer for synthesizing the power applied from the first RF power supply and the second RF power supply to the upper electrode or the lower electrode;

상기 제 1 RF전원공급기 및 제 2 RF전원공급기에서 인가하는 전원의 주파수를 검출하는 한쌍의 검출부와;A pair of detectors detecting a frequency of power applied by the first RF power supply and the second RF power supply;

상기 제 1 RF전원공급기 및 제 2 RF전원공급기에서 각각 인가되는 전원이 상호 간섭되지 않도록 필터링하되, 상기 검출부로부터 검출된 주파수에 따라 가변가능한 한쌍의 가변필터;를 포함하여 이루어지는 플라즈마 처리장치에 관한 것이다.And a pair of variable filters for filtering the powers applied from the first RF power supply and the second RF power supply so as not to interfere with each other, and varying according to a frequency detected from the detection unit. .

본 발명은 RF전원공급기에 의해 공급되는 다중 주파수를 수시로 체크하여 상호 간섭되지 않고 진공챔버에 공급함으로써 RF전원공급기의 손상을 방지할 수 있는 효과가 있다.The present invention has the effect of preventing damage to the RF power supply by supplying a vacuum chamber without interfering with each other by frequently checking the multiple frequencies supplied by the RF power supply.

RF전원, 가변필터, 검출부, 제어부, 공급장치, 플라즈마 처리장치 RF power supply, variable filter, detector, control part, supply device, plasma processing device

Description

플라즈마 처리장치{Plasma Processing apparatus}Plasma Processing Apparatus

도 1은 본 발명의 플라즈마 처리장치를 나타내는 개략도.1 is a schematic view showing a plasma processing apparatus of the present invention.

도 2는 도 1에 도시된 플라즈마 처리장치의 제어수단을 나타내는 개략도.2 is a schematic diagram showing control means of the plasma processing apparatus shown in FIG. 1;

도 3은 본 발명의 플라즈마 처리장치의 다른 실시예를 나타내는 개략도.3 is a schematic view showing another embodiment of the plasma processing apparatus of the present invention.

도 4는 본 발명의 플라즈마 처리장치의 또 다른 실시예를 나타내는 개략도.4 is a schematic view showing another embodiment of the plasma processing apparatus of the present invention.

<도면 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

100 : 에칭장치 110 : 진공챔버100: etching apparatus 110: vacuum chamber

120 : 상부전극 130 : 하부전극120: upper electrode 130: lower electrode

200 : 공급장치 210a : 제1RF전원공급기200: supply device 210a: first RF power supply

210b : 제2RF전원공급기 222a,222b : 검출부210b: second RF power supply 222a, 222b: detection unit

224a,224b : 제어부 230a,230b : 가변필터224a, 224b: control unit 230a, 230b: variable filter

240a,240b : 정합기 250 : 혼합기240a, 240b: Matching machine 250: Mixer

300 : 피처리기판300: substrate to be processed

본 발명은 플라즈마 처리장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 RF전원공급기 에 의해 공급되는 다중 주파수를 실시간 검출하여 상호 간섭되지 않고 전극에 공급함으로써 RF전원공급기의 손상을 방지할 수 있는 플라즈마 처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma processing apparatus, and more particularly, to a plasma processing apparatus capable of preventing damage to an RF power supply by detecting multiple frequencies supplied by an RF power supply in real time and supplying them to electrodes without mutual interference. will be.

최근 정보화 사회로 시대가 급진전함에 따라, 대량의 정보를 처리하고 이를 표시하는 디스플레이(Display)분야가 발전하고 있다.Recently, as the information society has progressed rapidly, the display field for processing and displaying a large amount of information is developing.

최근 들어 박형화, 경량화, 저 소비전력화 등의 시대상에 부응하기 위해 평판표시장치(Plate Panel Display)의 필요성이 대두되었다. 이에 따라 색 재현성이 우수하고 박형인 박막트랜지스터형 액정표시장치(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display: 이하 TFT-LCD라 한다)가 개발되었다.In recent years, the need for a flat panel display (Plate Panel Display) has emerged to meet the era of thinning, light weight, low power consumption, and the like. Accordingly, a thin film transistor type liquid crystal display device (hereinafter referred to as TFT-LCD) having excellent color reproducibility and thinness has been developed.

통상적으로 액정표시장치(Liquid Crystal Display;LCD)에서는 액정패널 상에 메트릭스 형태로 배열된 액정셀들의 광투과율을 그에 공급되는 비디오 데이터 신호로 조절함으로써 데이터 신호에 해당하는 화상을 패널 상에 표시하게 된다.In general, a liquid crystal display (LCD) displays an image corresponding to a data signal on a panel by adjusting light transmittance of liquid crystal cells arranged in a matrix form on a liquid crystal panel with a video data signal supplied thereto. .

이를 위하여 액정표시장치(LCD)는 액정층에 전계를 인가하기 위한 전극들, 액정셀 별로 데이터 공급을 절환하기 위한 박막트랜지스터(Thin Film Transistor;TFT), 외부에서 공급되는 데이터를 액정셀들에 공급하는 신호배선 및 TFT의 제어신호를 공급하기 위한 신호배선 등을 구비하게 된다.To this end, a liquid crystal display (LCD) supplies electrodes for applying an electric field to the liquid crystal layer, a thin film transistor (TFT) for switching data supply for each liquid crystal cell, and externally supplied data to the liquid crystal cells. And signal wiring for supplying control signals of the TFTs and the like.

이러한 TFT-LCD 패널 제조 공정중에 전극을 형성하기 의한 공정을 보면, 게이트 전극 생성, 절연막 및 반도체막 생성, 데이터 전극 생성, 보호막 생성, 화소 전극 생성 등이 있다. 상기 공정들을 통해 일반적으로 알고 있는 얇은 기판(Glass) 상에 특정 패턴을 형성함으로써 신호 배선을 형성하는 것이다.In the process of forming the electrode during the TFT-LCD panel manufacturing process, there are gate electrode generation, insulating film and semiconductor film generation, data electrode generation, protective film generation, pixel electrode generation, and the like. Through the above processes, a signal line is formed by forming a specific pattern on a thin glass which is generally known.

상기 패턴 형성은 진공챔버 상에서 이루어지는데 진공챔버 내부에 기판을 배치한 후 플라스마 가스를 주입하고 상기 플라스마 가스와 반응할 수 있게 전원을 인가함으로써 기판상에 증착막을 형성하거나 특정 패턴으로 식각하여 형성되는 것이다.The pattern is formed on a vacuum chamber, which is formed by placing a substrate in the vacuum chamber, injecting plasma gas, and applying power to react with the plasma gas to form a deposition film on the substrate or by etching in a specific pattern. .

상기 패턴 형성을 위한 전원공급장치의 종래 기술을 보면, 미국특허 제6485602, 미국특허 제6770166 등을 들 수 있는데, 각각의 기술을 보면, 제6485602는 진공챔버 상에 상부전극과 하부전극을 가지고, 상기 상부전극과 하부전극에 각각 전원을 공급함으로써 플라스마 가스와 반응을 촉진하고 있으며, 그 선로 상에 각각 필터를 구비시켜 각각 의해 공급되는 전원에 대해 상호 간섭되는 것을 방지하고 있다.In the prior art of the power supply for forming the pattern, there is a U.S. Pat.No.6485602, U.S. Pat.No.6770166, etc., each of which has a top electrode and a bottom electrode on the vacuum chamber, By supplying power to the upper electrode and the lower electrode, respectively, the reaction with the plasma gas is promoted, and a filter is provided on the line to prevent interference with each other.

또한, 상기 제6770166을 보면, 상부전극과 인접한 곳에 다수개의 필터를 구비함으로써 사용되지 않는 전원에 대해 선택적으로 필터링할 수 있게 하였다.In addition, according to the above 6770166, by providing a plurality of filters adjacent to the upper electrode, it is possible to selectively filter for the unused power.

그러나, 상기 제6485602와 제6770166은 각각 특정 전원에 대해서만 필터링할 수 있으며, 선로 상에서 손상되는 값에 대해서는 대처할 수 없는 문제점이 있으며, 수동 조작에 의해 작동되어 효율성이 떨어지는 문제점이 있었다.However, the 65605602 and 6770166 can be filtered only for a specific power, respectively, there is a problem that can not cope with the value that is damaged on the line, there is a problem that the efficiency is lowered by operating by manual operation.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명은 RF전원공급기에 의해 공급되는 다중 주파수를 실시간 검출하여 상호 간섭되지 않고 전극에 공급함으로써 RF전원공급기의 손상을 방지할 수 있는 플라즈마 처리장치를 제공하는데 있다.The present invention has been made to solve the above problems, the present invention is to detect the multi-frequency supplied by the RF power supply in real time to prevent the damage to the RF power supply by supplying to the electrode without mutual interference plasma It is to provide a processing device.

본 발명은 앞서 본 목적을 달성하기 위하여 다음과 같은 구성을 가진 실시예에 의해 구현된다.The present invention is implemented by the embodiment having the following configuration in order to achieve the above object.

본 발명의 플라즈마 처리장치는, 상부전극과 하부전극을 포함하는 진공챔버 내부에서 플라즈마를 발생시켜 기판에 소정의 처리를 실시하는 플라즈마 처리장치에 있어서,The plasma processing apparatus of the present invention is a plasma processing apparatus for generating a plasma inside a vacuum chamber including an upper electrode and a lower electrode to perform a predetermined treatment on a substrate.

상기 상부전극 또는 하부전극에 연결되어 서로 다른 주파수를 가진 전원을 인가하는 제 1 RF전원공급기 및 제 2 RF전원공급기와;A first RF power supply and a second RF power supply connected to the upper electrode or the lower electrode to apply power having different frequencies;

상기 제 1 RF전원공급기 및 제 2 RF전원공급기에서 인가된 전원을 합성하여 상기 상부전극 또는 하부전극에 공급하는 혼합기와;A mixer for synthesizing the power applied from the first RF power supply and the second RF power supply to the upper electrode or the lower electrode;

상기 제 1 RF전원공급기 및 제 2 RF전원공급기에서 인가하는 전원의 주파수를 검출하는 한쌍의 검출부와;A pair of detectors detecting a frequency of power applied by the first RF power supply and the second RF power supply;

상기 제 1 RF전원공급기 및 제 2 RF전원공급기에서 각각 인가되는 전원이 상호 간섭되지 않도록 필터링하되, 상기 검출부로부터 검출된 주파수에 따라 가변가능한 한쌍의 가변필터;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.And a pair of variable filters that filter each of the powers applied by the first RF power supply and the second RF power supply so as not to interfere with each other, and which are variable according to the frequency detected by the detection unit.

본 발명의 플라즈마 처리장치에 있어서, 상기 플라즈마 처리장치는 상기 검출부로부터 검출된 주파수값에 상응하도록 상기 가변필터를 가변시키는 제어부가 더 구비된다.In the plasma processing apparatus of the present invention, the plasma processing apparatus is further provided with a controller for varying the variable filter so as to correspond to the frequency value detected from the detection unit.

본 발명의 플라즈마 처리장치에 있어서, 상기 한쌍의 검출부는 각각 상기 제 1 RF전원공급기 및 제 2 RF전원공급기와 연결된 전원공급라인과 상기 가변필터가 연결되는 접점에 위치한다.In the plasma processing apparatus of the present invention, the pair of detection units are located at a contact point between the power supply line connected to the first RF power supply and the second RF power supply and the variable filter, respectively.

본 발명의 플라즈마 처리장치에 있어서, 상기 한쌍의 검출부는 각각 상기 가변필터와 제 1 RF전원공급기, 상기 가변필터와 제 2 RF전원공급기 사이에 위치한다.In the plasma processing apparatus of the present invention, the pair of detection units are located between the variable filter and the first RF power supply, and between the variable filter and the second RF power supply, respectively.

본 발명의 플라즈마 처리장치에 있어서, 상기 한쌍의 검출부는 각각 상기 가변필터와 혼합기 사이에 위치한다.In the plasma processing apparatus of the present invention, the pair of detection units are located between the variable filter and the mixer, respectively.

본 발명의 플라즈마 처리장치에 있어서, 상기 검출부는 스펙트럼 애널라이져(spectrum analyzer)이다.In the plasma processing apparatus of the present invention, the detection unit is a spectrum analyzer.

본 발명의 플라즈마 처리장치에 있어서, 상기 제 1 RF전원공급기 및 제 2 RF전원공급기는 하부전극에 연결된다.In the plasma processing apparatus of the present invention, the first RF power supply and the second RF power supply are connected to the lower electrode.

본 발명의 플라즈마 처리장치에 있어서, 상기 제 1 RF전원공급기 및 제 2 RF전원공급기는 상부전극에 연결된다.In the plasma processing apparatus of the present invention, the first RF power supply and the second RF power supply are connected to an upper electrode.

본 발명의 플라즈마 처리장치에 있어서, 상기 제 1 RF전원공급기는 상부전극에 연결되고, 상기 제 2 RF전원공급기는 하부전극에 연결된다.In the plasma processing apparatus of the present invention, the first RF power supply is connected to an upper electrode, and the second RF power supply is connected to a lower electrode.

본 발명의 플라즈마 처리장치에 있어서, 상기 제 1 RF전원공급기 및 제 2 RF전원공급기 중 어느 하나는 저주파 전원을 인가하고, 다른 하나는 고주파 전원을 인가한다.In the plasma processing apparatus of the present invention, one of the first RF power supply and the second RF power supply applies low frequency power, and the other applies high frequency power.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1 또는 도 2에 도시된 바에 의하면, 플라즈마 처리장치(100)는 진공챔버 (110), 상부전극(120)과 하부전극(130)으로 이루어지며, 상기 상부전극(120) 또는 하부전극(130)에 전원을 공급하는 공급장치(200)를 포함한다.As shown in FIG. 1 or FIG. 2, the plasma processing apparatus 100 includes a vacuum chamber 110, an upper electrode 120, and a lower electrode 130, and the upper electrode 120 or the lower electrode 130. It includes a supply device for supplying power to ().

상기 진공챔버(110)는 소정의 공간을 가지며, 그 일측에 진공챔버(110)의 내부를 고진공으로 유지하기 위한 펌핑장치(미도시)를 구비하고 있다.The vacuum chamber 110 has a predetermined space, and has a pumping device (not shown) for maintaining the inside of the vacuum chamber 110 at a high vacuum on one side thereof.

상기 상부전극(120)은 상기 진공챔버(110) 상부에 위치하여 진공챔버(110) 내부로 인입되며, 상기 상부전극(120)에 구비된 가스공급장치(미도시)에 의해 상기 진공챔버(110)에 내부에 플라스마 가스를 공급할 수 있게 한 것이다.The upper electrode 120 is positioned above the vacuum chamber 110 and introduced into the vacuum chamber 110. The vacuum chamber 110 is provided by a gas supply device (not shown) provided in the upper electrode 120. Plasma gas can be supplied inside.

상기 하부전극(130)은 상기 진공챔버(110) 하부에 위치하여, 상기 진공챔버(110)와 밀폐 결합되며, 그 내부에는 높낮이를 조절할 수 있는 지지대(미도시)를 구비하고 있다.The lower electrode 130 is positioned below the vacuum chamber 110, is hermetically coupled to the vacuum chamber 110, and has a support (not shown) for adjusting height of the lower electrode 130.

또한, 상기 하부전극(130)은 상면부에 기판(300)을 안착할 수 있게 하였으며, 상기 기판(300)이 유동하지 않도록 흡착장치를 구비하고 있다.In addition, the lower electrode 130 allows the substrate 300 to be seated on an upper surface thereof, and has an adsorption device so that the substrate 300 does not flow.

상기 공급장치(200)는 RF전원공급기(210a,210b), 검출부(222a,222b), 제어부(224a,224b), 가변필터(230a,230b), 정합기(240a,240b)와 혼합기(250)를 포함하여 이루어진다.The supply device 200 includes RF power supplies 210a and 210b, detectors 222a and 222b, controllers 224a and 224b, variable filters 230a and 230b, matchers 240a and 240b and mixers 250, and the like. It is made, including.

상기 RF전원공급기(210a,210b)는 제1RF전원공급기(210a)와 제2RF전원공급기(210b)로 이루어지며, 상기 제1RF전원공급기(210a)는 저주파 또는 고주파를 발생시키는 장치를 가지고 있으며, 상기 제1RF전원공급기에서 발생시킨 주파수를 신호배선을 통해 하부전극(130)에 인가할 수 있게 한다.The RF power supply (210a, 210b) is composed of a first RF power supply (210a) and a second RF power supply (210b), the first RF power supply (210a) has a device for generating a low frequency or high frequency, the The frequency generated by the first RF power supply may be applied to the lower electrode 130 through signal wiring.

상기 제2RF전원공급기(210b)는 저주파 또는 고주파를 발생시키는 장치를 가 지고 있으며, 상기 제2RF전원공급기에서 발생시킨 주파수를 신호배선을 통해 하부전극(130)에 인가할 수 있게 한다.The second RF power supply 210b has a device for generating a low frequency or a high frequency, and allows the second RF power supply 210 to apply the frequency generated by the second RF power supply to the lower electrode 130 through signal wiring.

상기 RF전원공급기(210a,210b)는 일반적으로 널리 알려진 특정 주파수를 발생시킬 수 있는 공지 기술로써 그 구성의 구체적인 설명은 생략하기로 한다.The RF power supply (210a, 210b) is a publicly known technique that can generate a specific frequency, which is generally known, the detailed description of the configuration will be omitted.

또한, 상기 RF전원공급기(210a,210b)는 주파수 발생의 바람직한 실시예로 저주파와 고주파는 각각 100㎑와 13.56㎒를 들 수 있다.In addition, the RF power supply (210a, 210b) is a preferred embodiment of the frequency generation, low frequency and high frequency may be 100 kHz and 13.56 MHz, respectively.

상기 검출부(222a,222b)는 상기 RF전원공기(210a,210b)에서 공급되는 각각의 주파수값을 검출하여, 상기 검출된 신호를 제어부(224a,224b)에 각각 인가하여 상기 검출된 주파수 값을 통해 검출부(222)와 제어부(224)가 상호 연동함으로써 상기 RF전원공급기(210a,210b)가 각각의 주파수에 의해 손상되는 것을 방지한다.The detectors 222a and 222b detect respective frequency values supplied from the RF power air 210a and 210b, and apply the detected signals to the controllers 224a and 224b, respectively, through the detected frequency values. The detection unit 222 and the control unit 224 interoperate to prevent the RF power supplies 210a and 210b from being damaged by their respective frequencies.

상기 가변필터(230a,230b)는 상기 검출부(222a,222b) 의해 검출된 제1RF전원공급기와 제2RF전원공급기 주파수값이 제1RF전원공급기(210a)와 제2RF전원공급기(210b) 대해 각각 인가되는 주파수 값과 다른 경우 필터링 시킬 수 있게 한다.The variable filters 230a and 230b are configured to apply frequency values of the first RF power supply and the second RF power supply detected by the detectors 222a and 222b to the first RF power supply 210a and the second RF power supply 210b, respectively. If it is different from the frequency value, it can be filtered.

예컨데, 상기 도 2에 도시된 바에 의하면, 제1RF전원공급기(210a)에서 발생되는 저주파 값"A"를 검출부(222a)에 인가하고 그리고 상기 제2RF전원공급기(210b)에서 발생되는 고주파 값"B"를 검출부(222a)에 각각 인가하였을 때, 상기 각각의 검출 값"A,B"를 제어부(224a)에 인가하여 상기 제2RF전원공급기(210b)에서 인가된 주파수가 상기 제1RF전원공급기에서 인가된 주파수보다 큰 경우 상기 제어부(224a)가 검출부(222a)에서 고주파 값"B"를 가변필터(230a)로 인가하도록 함으로써 상기 제1RF전원공급기에 제2RF전원공급기의 주파수가 인가되는 것을 방지한다.For example, as shown in FIG. 2, the low frequency value “A” generated by the first RF power supply 210a is applied to the detector 222a and the high frequency value “B” generated by the second RF power supply 210b. Is applied to the detection unit 222a, the respective detection values " A, B " are applied to the control unit 224a so that the frequency applied from the second RF power supply 210b is applied from the first RF power supply. The controller 224a prevents the frequency of the second RF power supply from being applied to the first RF power supply by allowing the control unit 224a to apply the high frequency value “B” to the variable filter 230a in the detector 222a.

여기서, 상기 가변필터(230a)의 주파수 값을 상기 제1RF전원공급기(210a)에서 발생되는 저주파 값과 동일한 값을 가질 수 있도록, 상기 검출부(222a)가 제1RF전원공급기의 주파수를 상기 제어부(224a)를 통해 상기 가변필터(230a)로 인가하여 설정하고 그 설정값을 통해 제어함으로써 상기 가변필터(230a)는 제1RF전원공급기와 동일한 값을 갖게 되어 저주파 값이 변경되더라도 설정값 이외의 주파수는 모두 필터링할 수 있게 된다.Here, the detector 222a controls the frequency of the first RF power supply so that the frequency value of the variable filter 230a may have the same value as the low frequency value generated by the first RF power supply 210a. By applying to the variable filter 230a and setting through the control value and controlling through the setting value, the variable filter 230a has the same value as that of the first RF power supply so that all frequencies other than the setting value are changed even if the low frequency value is changed. You can filter.

또한, 상기 검출부(222b) 및 제어부(224b)는 상술 것과 반대로 제2RF전원공급기(210b)에서 발생하는 주파수에 의해 가변필터(230b)를 제어함으로써 제1RF전원공급기에서 인가되는 주파수를 방출할 수 있게 된다.In addition, the detection unit 222b and the control unit 224b may control the variable filter 230b by the frequency generated by the second RF power supply 210b to emit the frequency applied from the first RF power supply as opposed to the above. do.

본 발명의 검출부(222a,222b)의 바람직한 실시예로는 공지 기술인 스펙트럼 애널라이져(spectrum analyzer)를 들 수 있다.Preferred embodiments of the detectors 222a and 222b of the present invention include known spectrum analyzers.

상기 정합기(240a,240b)는 상기 RF전원공급기(210a,210b)에서 발생하는 주파수를 안전화시켜 상기 하부전극(130) 상에 인가하는 것이며, 상기 정합기는 종래의 공지 기술인 Matching Network를 말하는 것이다.The matchers 240a and 240b secure the frequency generated by the RF power supplies 210a and 210b and apply the same to the lower electrode 130. The matcher refers to a matching network, which is known in the art.

상기 혼합기(250)는 제1RF전원공급기(210a)와 제2RF전원공급기(210b)에서 발생하는 주파수를 혼합하여 하부전극(130)에 상에 인가하는 것이며, 상기 혼합기는 종래의 공지 기술인 Combiner를 말하는 것이다.The mixer 250 mixes the frequencies generated by the first RF power supply 210a and the second RF power supply 210b and applies them to the lower electrode 130, and the mixer refers to a conventionally known combiner. will be.

도 3은 본 발명에 따른 제 2 실시예로서 이를 참조하면, 상기 공급장치(200')을 상부전극(120) 상에 접점되도록 할 수도 있다.Referring to FIG. 3 as a second embodiment according to the present invention, the supply device 200 ′ may be contacted on the upper electrode 120.

도 4는 본 발명에 따른 제 3 실시예로서 이를 참조하면, 상기 제1RF전원공급기(210a')의 신호배선은 상부전극(120')에 접점되도록 하고 그리고 상기 제2RF전원공급기(210b')의 신호배선은 하부전극(130')에 접점되도록 함으로써 본 발명을 달리할 수도 있다.4 is a third embodiment according to the present invention, referring to this, the signal wiring of the first RF power supply 210a 'is brought into contact with the upper electrode 120' and the second RF power supply 210b ' The signal wiring may be contacted with the lower electrode 130 ′ to vary the present invention.

이상의 본 발명은 상기에 기술된 실시예들에 의해 한정되지 않고, 당업자들에 의해 다양한 변형 및 변경을 가져올 수 있으며, 이는 첨부된 청구항에서 정의되는 본 고안의 취지와 범위에 포함된다.The present invention is not limited to the embodiments described above, and various modifications and changes can be made by those skilled in the art, which are included in the spirit and scope of the present invention as defined in the appended claims.

본 발명은 앞서 본 구성에 의해 다음과 같은 효과를 가진다.The present invention has the following effects by the above configuration.

본 발명은 RF전원공급기에 의해 공급되는 다중 주파수를 수시로 체크하여 상호 간섭되지 않고 진공챔버에 공급함으로써 RF전원공급기의 손상을 방지할 수 있는 효과가 있다.The present invention has the effect of preventing damage to the RF power supply by supplying a vacuum chamber without interfering with each other by frequently checking the multiple frequencies supplied by the RF power supply.

본 발명은 제어수단과 가변필터를 상호 연동시켜 환경변화에 따른 전원값 변화에 유동적으로 대처함으로써 RF전원공급기의 손상을 방지하는 효과가 있다.The present invention has the effect of preventing damage to the RF power supply by interlocking the control means and the variable filter to flexibly cope with the change in power value according to environmental changes.

본 발명은 다양한 주파수를 진공챔버 상에 공급함으로써 플라스마 가스와의 반응을 더욱 촉진할 수 있는 효과가 있다.The present invention has the effect of further promoting the reaction with the plasma gas by supplying various frequencies on the vacuum chamber.

본 발명은 RF전원공급기간의 간섭을 방지함으로써 RF 전원의 전달 효율을 높일 수 있는 효과가 있다.The present invention has the effect of increasing the transmission efficiency of the RF power supply by preventing the interference of the RF power supply period.

Claims (10)

상부전극과 하부전극을 포함하는 진공챔버 내부에서 플라즈마를 발생시켜 기판에 소정의 처리를 실시하는 플라즈마 처리장치에 있어서,A plasma processing apparatus for generating a plasma in a vacuum chamber including an upper electrode and a lower electrode to perform a predetermined treatment on a substrate. 상기 상부전극 또는 하부전극에 연결되어 서로 다른 주파수를 가진 전원을 인가하는 제 1 RF전원공급기 및 제 2 RF전원공급기와;A first RF power supply and a second RF power supply connected to the upper electrode or the lower electrode to apply power having different frequencies; 상기 제 1 RF전원공급기 및 제 2 RF전원공급기에서 인가하는 전원의 주파수를 검출하는 한쌍의 검출부와;A pair of detectors detecting a frequency of power applied by the first RF power supply and the second RF power supply; 상기 제 1 RF전원공급기 및 제 2 RF전원공급기에서 각각 인가되는 전원이 상호 간섭되지 않도록 필터링하되, 상기 검출부로부터 검출된 주파수에 따라서 가변가능한 한쌍의 가변필터와;A pair of variable filters for filtering the powers applied from the first RF power supply and the second RF power supply so as not to interfere with each other, and varying according to a frequency detected from the detection unit; 상기 검출부로부터 검출된 주파수값에 상응하도록 상기 가변필터를 가변시키는 제어부를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.And a control unit for varying the variable filter to correspond to the frequency value detected by the detection unit. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 플라즈마 처리장치는 The plasma processing apparatus 상기 제 1 RF전원공급기 및 제 2 RF전원공급기에서 인가된 전원을 합성하여 상기 상부전극 또는 하부전극에 공급하는 혼합기가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치. And a mixer for synthesizing the power applied from the first RF power supply and the second RF power supply to the upper electrode or the lower electrode. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 한쌍의 검출부는 각각 상기 제 1 RF전원공급기 및 제 2 RF전원공급기와 연결된 전원공급라인과 상기 가변필터가 연결되는 접점에 위치하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.And the pair of detectors are located at a contact point between a power supply line connected to the first RF power supply and a second RF power supply and the variable filter, respectively. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 한쌍의 검출부는 각각 상기 가변필터와 제 1 RF전원공급기, 상기 가변필터와 제 2 RF전원공급기 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.And the pair of detectors are positioned between the variable filter, the first RF power supply, and the variable filter and the second RF power supply, respectively. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 한쌍의 검출부는 각각 상기 가변필터와 혼합기 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치. And the pair of detectors are located between the variable filter and the mixer, respectively. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 검출부는 스펙트럼 애널라이져(spectrum analyzer)인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치. The detection unit is a plasma processing apparatus, characterized in that the spectrum analyzer (spectrum analyzer). 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 1 RF전원공급기 및 제 2 RF전원공급기는 하부전극에 연결되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.And the first RF power supply and the second RF power supply are connected to a lower electrode. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 1 RF전원공급기 및 제 2 RF전원공급기는 상부전극에 연결되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.And the first RF power supply and the second RF power supply are connected to an upper electrode. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 1 RF전원공급기는 상부전극에 연결되고, 상기 제 2 RF전원공급기는 하부전극에 연결되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.The first RF power supply is connected to an upper electrode, and the second RF power supply is connected to a lower electrode. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 1 RF전원공급기 및 제 2 RF전원공급기 중 어느 하나는 저주파 전원을 인가하고, 다른 하나는 고주파 전원을 인가하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.And one of the first RF power supply and the second RF power supply applies low frequency power, and the other applies high frequency power.
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