KR100728132B1 - Light-emitting diode using current spreading layer - Google Patents

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KR100728132B1 KR1020050135764A KR20050135764A KR100728132B1 KR 100728132 B1 KR100728132 B1 KR 100728132B1 KR 1020050135764 A KR1020050135764 A KR 1020050135764A KR 20050135764 A KR20050135764 A KR 20050135764A KR 100728132 B1 KR100728132 B1 KR 100728132B1
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이상준
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Abstract

A light emitting diode using a current spreading layer is provided to improve the luminance of the diode by positioning the current diffusion layer between an N-electrode and an n-type semiconductor layer. A p-type semiconductor layer(50) is formed on one side of an active layer(40). A p-type electrode(60) is formed on one side of the p-type semiconductor layer, and an n-type semiconductor layer(30) is formed on the other side of the active layer. A current diffusion layer(80) is formed on one side of the n-type semiconductor layer, and an n-type electrode(70) is formed on one side of the current spreading layer. The current spreading layer contains a GaN layer doped with high concentration of silicon, a superlattice current spreading layer of InGaN/GaN, or SiGaN layer.

Description

전류 확산층을 이용한 발광 다이오드{LIGHT-EMITTING DIODE USING CURRENT SPREADING LAYER}Light Emitting Diode Using Current Diffusion Layer {LIGHT-EMITTING DIODE USING CURRENT SPREADING LAYER}

도 1a 내지 도 1b는 발광 다이오드의 전류 확산을 설명하기 위한 개념 단면도.1A to 1B are conceptual cross-sectional views illustrating current spreading of a light emitting diode.

도 2는 본 발명에 따른 발광 다이오드의 단면도.2 is a sectional view of a light emitting diode according to the present invention;

도 3a 내지 도 3c는 본 발명에 따른 발광 다이오드의 제조방법을 설명하기 위한 단면도.3A to 3C are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a light emitting diode according to the present invention.

도 4는 본 발명에 따른 자외선 발광 다이오드의 단면도.4 is a sectional view of an ultraviolet light emitting diode according to the present invention;

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

10: 기판 20: U-GaN10: substrate 20: U-GaN

30: n형 반도체층 40: 활성층30: n-type semiconductor layer 40: active layer

50: p형 반도체층 60: p-전극50: p-type semiconductor layer 60: p-electrode

70: n-전극 80: 전류 확산층70: n-electrode 80: current diffusion layer

90: 금속층 100: n형 AlGaN90: metal layer 100: n-type AlGaN

본 발명은 발광 다이오드에 관한 것으로서, p형 반도체층의 전류 확산을 증가시키기 위하여 전류 확산층을 삽입하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting diode, wherein the light emitting diode is characterized by inserting a current spreading layer to increase current spreading of the p-type semiconductor layer.

일반적으로 발광 다이오드 소자는 GaN/AlN 또는 InN의 혼합 결정과 같은 질화물계 반도체 재료를 사용하며, 상기 발광 다이오드 소자를 사용하여 가시광 영역으로부터 자외선 영역까지 발광하는 발광 다이오드가 실현된다. 상기 발광 다이오드 소자의 성장 기판으로는 사파이어 등이 통상 사용된다. 이때, 상기 기판은 절연 기판이므로 발광 다이오드 소자에 전원를 인가하기 위해서는 전극이 제공되어야 한다. 상기 목적을 위하여 기존의 다양한 청색 내지 자외선 영역의 발광 다이오드에 있어서, 수평형 발광 다이오드와 같이 동일 평면측에 n형 전극 및 p형 전극을 형성하거나, GaN을 사파이어에서 제거하여 상부에 p형 전극이, 하부에 n형 전극이 형성된 수직형 발광 다이오드와 같은 다양한 전극 구조가 제안되어 사용된다. 이때, 상기 수직형 발광 다이오드는 기존의 고 전도층인 사파이어를 제거하여 일반적인 수평형 발광 다이오드보다 고휘도 발광 다이오드 제작이 가능하다.In general, a light emitting diode element uses a nitride-based semiconductor material such as a mixed crystal of GaN / AlN or InN, and a light emitting diode that emits light from a visible region to an ultraviolet region using the light emitting diode element is realized. Sapphire or the like is usually used as a growth substrate of the light emitting diode element. In this case, since the substrate is an insulating substrate, an electrode must be provided to apply power to the LED device. For this purpose, in the conventional light emitting diodes of various blue to ultraviolet regions, the n-type electrode and the p-type electrode are formed on the same plane side as the horizontal light-emitting diode, or the GaN is removed from the sapphire, so that the p-type electrode is placed on the top. Various electrode structures, such as a vertical light emitting diode having an n-type electrode formed thereunder, have been proposed and used. In this case, the vertical light emitting diode may be manufactured with higher luminance than the conventional horizontal light emitting diode by removing sapphire, which is a conventional high conductive layer.

도 1a 내지 도1b는 발광 다이오드의 전류 확산을 설명하기 위한 개념 단면도이다.1A to 1B are conceptual cross-sectional views for describing current diffusion of a light emitting diode.

도 1a와 같이 전류 확산층이 없는 종래 수평형 발광 다이오드의 p-전극(60)에 전류를 인가하면 전류는 p형 반도체층(50)의 최단거리를 지나 활성층(40)을 거 쳐 n형 반도체층(30)으로 흐르게 된다.When current is applied to the p-electrode 60 of the conventional horizontal light emitting diode having no current spreading layer as shown in FIG. 1A, the current passes through the active layer 40 through the shortest distance of the p-type semiconductor layer 50 and then the n-type semiconductor layer. Flows to (30).

또한, 도 1b에 도시된 바와 같이 종래 수직형 발광 다이오드의 경우, p-전극(60)에 공급된 전류는 p형 반도체층(50)을 지나는 동안 확산되면서 활성층(40)에 도달하게 된다. 이때, p형 반도체층(50)이 충분히 두껍지 못하면 p형 반도체층(50) 내에서 전류가 충분히 확산되지 못하고 활성층(40)에 도달하게 되고, 휘도를 증가시키지 못하는 원인이 된다. 그러나, 상기 p형 반도체층(50)은 두께가 약 2㎛정도 밖에 성장되지 않기 때문에 공급되어진 전류가 p형 반도체층(50) 내에서 충분히 확산되지 못하고 활성층(40)에 도달한다.In addition, as shown in FIG. 1B, in the conventional vertical light emitting diode, the current supplied to the p-electrode 60 reaches the active layer 40 while being diffused while passing through the p-type semiconductor layer 50. At this time, if the p-type semiconductor layer 50 is not thick enough, the current does not sufficiently diffuse in the p-type semiconductor layer 50 and reaches the active layer 40, which causes a failure to increase the luminance. However, since the p-type semiconductor layer 50 is grown only about 2 μm in thickness, the supplied current does not sufficiently diffuse in the p-type semiconductor layer 50 and reaches the active layer 40.

상기와 같이 전류가 p형 반도체층(40) 내에서 충분히 확산 되지 않는다면, 활성층(40)의 일부분에서만 반응이 일어나므로 고휘도 발광 다이오드 제작은 불가능하게 된다. 이러한 문제를 해결하기 위해 p형 반도체층(40)의 두께를 증가시키면, 발광 다이오드의 생산 효율을 떨어뜨리고 생산 단가를 올리는 원인이 되기 때문에 좋은 방법이라고 할 수 없다. 또한, 같은 생산 시간 동안 p형 반도체층(40)의 성장 속도를 증가시켜 두꺼운 p형 반도체층을 성장할 수도 있지만, 이러한 방법으로 성장되는 p형 반도체층은 질이 떨어지기 때문에 소자 제작 시 활성층에서 만들어진 빛이 p형 반도체층에서 트랩되는 문제가 발생한다.If the current is not sufficiently diffused in the p-type semiconductor layer 40 as described above, the reaction occurs only in a portion of the active layer 40, it is impossible to manufacture a high-brightness light emitting diode. In order to solve this problem, increasing the thickness of the p-type semiconductor layer 40 is not a good method because it reduces the production efficiency of the light emitting diode and increases the production cost. In addition, although the p-type semiconductor layer may be grown by increasing the growth rate of the p-type semiconductor layer 40 during the same production time, the p-type semiconductor layer grown in this way is degraded in quality, so There is a problem that light is trapped in the p-type semiconductor layer.

본 발명의 목적은 상기의 문제점을 해결하고자 제안된 것으로서, 발광 다이오드의 n-전극과 n형 반도체 사이에 전류 확산층을 구비하여 발광 다이오드의 휘도를 향상시키는 데 있다.An object of the present invention is to solve the above problems, and to improve the brightness of the light emitting diode by providing a current diffusion layer between the n-electrode and the n-type semiconductor of the light emitting diode.

또한, 본 발명의 다른 목적은 발광 다이오드에 고전류가 인가되는 경우, n-전극과 인접한 금속 사이의 최단거리로 전류가 흘러 p형 반도체층에서 충분한 전류 확산이 일어나지 않는다. 따라서, 활성층의 일부 영역에서만 발광이 일어나는 것을 막기 위해 n-전극과 n형 반도체층 사이에 전류 확산층을 구비한다.In addition, another object of the present invention is that when a high current is applied to the light emitting diode, current flows in the shortest distance between the n-electrode and the adjacent metal so that sufficient current diffusion does not occur in the p-type semiconductor layer. Therefore, a current diffusion layer is provided between the n-electrode and the n-type semiconductor layer to prevent light emission from only a part of the active layer.

상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 질화 화합물 발광 다이오드에 있어서, 활성층과; 상기 활성층의 일측에 형성된 p-전극과; 상기 활성층의 타측에 형성된 n형 반도체층과; 상기 n형 반도체층의 일측에 형성된 n-전극;을 포함하되 상기 p-전극과 활성층 사이에 전류 확산층과 p형 반도체층을 포함한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a nitride compound light emitting diode, comprising: an active layer; A p-electrode formed on one side of the active layer; An n-type semiconductor layer formed on the other side of the active layer; And an n-electrode formed on one side of the n-type semiconductor layer, and including a current diffusion layer and a p-type semiconductor layer between the p-electrode and the active layer.

이때, 상기 전류 확산층은 고농도 실리콘이 도프된 질화갈륨(GaN)층 또는 질화인듐갈륨(InGaN)/질화갈륨(GaN) 초격자 전류 확산층 또는 질화실리콘갈륨(SiGaN)층을 포함하고, 상기 고농도 전류 확산층은 실란(SiH4) 또는 디실란(Si2H6) 또는 테트라에톡시실란을 사용한다.In this case, the current diffusion layer includes a gallium nitride (GaN) layer or an indium gallium nitride (InGaN) / gallium nitride (GaN) superlattice current diffusion layer or a silicon gallium nitride (SiGaN) layer doped with a high concentration of silicon. Silver silane (SiH 4 ) or disilane (Si 2 H 6 ) or tetraethoxysilane is used.

상기 고농도의 실리콘이 도프된 질화갈륨(GaN)층은 실리콘 도핑 레벨이 1×1020 ~ 1×1022cm-3인 반도체층을 30Å ~ 10㎛의 두께로 형성한다.The high concentration silicon-doped gallium nitride (GaN) layer forms a semiconductor layer having a silicon doping level of 1 × 10 20 to 1 × 10 22 cm -3 to a thickness of 30 μm to 10 μm.

상기 질화인듐갈륨(InGaN)/질화갈륨(GaN) 초격자 전류 확산층은 인듐소스로 트리메틸인듐과 트리에틸인듐을 사용한다.The indium gallium nitride (InGaN) / gallium nitride (GaN) superlattice current diffusion layer uses trimethylindium and triethylindium as indium sources.

상기 질화인듐갈륨(InGaN)/질화갈륨(GaN) 초격자 전류 확산층은 n형 질화인듐갈륨(InGaN)과 n형 질화갈륨(GaN)의 성장두께를 각각 10 ~ 1000Å으로 1 ~ 30쌍 으로 형성한다.The indium gallium nitride (InGaN) / gallium nitride (GaN) superlattice current diffusion layer forms a growth thickness of n-type indium gallium nitride (InGaN) and n-type gallium nitride (GaN) in 1 to 30 pairs, respectively, at 10 to 1000 Å. .

상기 질화실리콘갈륨(SiGaN)층은 실리콘소스로 테트라에톡시실란을 사용한다.The silicon gallium nitride (SiGaN) layer uses tetraethoxysilane as a silicon source.

상기 질화실리콘갈륨(SiGaN)층은 30Å ~ 2㎛의 두께로 형성한다.The silicon gallium nitride (SiGaN) layer is formed to a thickness of 30 ~ 2㎛.

상기 전류 확산층은 x는 0＜x≤1인 고농도로 도프된 n형 AlxGa(1-x)N; 또는 y는 0＜y＜1인 n형 AlxGa(1-y)N 및 n형 질화알루미늄(AlN)로 구성된 초격자 전류 확산층을 포함한다.The current spreading layer includes a highly doped n-type Al x Ga (1-x) N in which x is 0 <x≤1; Or y includes a superlattice current spreading layer composed of n-type Al x Ga (1-y) N and n-type aluminum nitride (AlN) with 0 <y <1.

또한, 상기 발광 다이오드는 p형 반도체층과 p-전극 사이에 형성되는 금속층을 포함한다. 이때, 상기 금속층은 니켈(Ni)/금(Au) 또는 은(Ag) 또는 구리(Cu)를 포함한다.In addition, the light emitting diode includes a metal layer formed between the p-type semiconductor layer and the p-electrode. In this case, the metal layer includes nickel (Ni) / gold (Au) or silver (Ag) or copper (Cu).

상기 n-전극은 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 금(Au), 산화인듐주석(Indium Tin Oxide, ITO) 중 적어도 하나를 포함한다.The n-electrode includes at least one of nickel (Ni), aluminum (Al), titanium (Ti), gold (Au), and indium tin oxide (ITO).

또한, 질화 화합물 발광 다이오드에 있어서, 기판 상에 전류 확산층, n형 반도체층, 활성층, p형 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 기판을 제거하는 단계; 상기 n형 반도체층과 p형 반도체층에 n-전극 및 p-전극을 각각 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법과,
기판 상에 n형 반도체층을 형성하는 단계; 상기 n형 반도체층 상에 전류 확산층, 활성층, p형 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 기판을 제거하는 단계; 상기 n형 반도체층과 p형 반도체층에 n-전극 및 p-전극을 각각 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법을 제공한다.Further, in the nitride compound light emitting diode, step of sequentially forming a current diffusion layer, n-type semiconductor layer, active layer, p-type semiconductor layer on the substrate; Removing the substrate; And forming an n-electrode and a p-electrode in the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer, respectively.
Forming an n-type semiconductor layer on the substrate; Sequentially forming a current spreading layer, an active layer, and a p-type semiconductor layer on the n-type semiconductor layer; Removing the substrate; It provides a method for manufacturing a light emitting diode comprising the step of forming an n-electrode and a p-electrode in the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer, respectively.

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상기 전류 확산층은 고농도 실리콘이 도프된 질화갈륨(GaN)층 또는 질화인듐갈륨(InGaN)/질화갈륨(GaN) 초격자 전류 확산층 또는 질화실리콘갈륨(SiGaN)층을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법을 제공한다.The current diffusion layer includes a gallium nitride (GaN) layer doped with a high concentration of silicon, an indium gallium nitride (InGaN) / gallium nitride (GaN) superlattice current diffusion layer, or a silicon gallium nitride (SiGaN) layer. It provides a manufacturing method.

이때, 상기 고농도의 실리콘이 도프된 질화갈륨(GaN)층으로 실리콘 도핑 레벨이 1×1020 ~ 1×1022cm-3인 질화갈륨(GaN)층을 섭씨 700 ~ 1200도에서 30Å ~ 10㎛의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법과,In this case, a gallium nitride (GaN) layer doped with a high concentration of silicon and a gallium nitride (GaN) layer having a silicon doping level of 1 × 10 20 to 1 × 10 22 cm -3 at 30 to 10 µm at 700 to 1200 degrees Celsius. Method for producing a light emitting diode, characterized in that formed to a thickness of,

상기 질화실리콘갈륨(SiGaN)층으로 섭씨 700 ~ 1200도에서 30Å ~ 2㎛의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법을 제공한다.The silicon gallium nitride (SiGaN) layer provides a method of manufacturing a light emitting diode, characterized in that to form a thickness of 30 ~ 2㎛ at 700 ~ 1200 degrees Celsius.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상의 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms, and only the embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention, and to those skilled in the art to fully understand the scope of the invention. It is provided to inform you. Like reference numerals in the drawings refer to like elements.

기판은 발광 다이오드를 제작하기 위한 통상의 웨이퍼를 지칭하는 것으로써, 도 2와 같은 수직형 발광 다이오드는 사파이어 또는 Si 또는 SiC 또는 실리콘ㆍ사파이어와 같은 기판 중 적어도 하나를 사용한다. 본 실시예에서는 사파이어로 구성된 결정 성장 기판을 사용한다.The substrate refers to a conventional wafer for fabricating a light emitting diode, and the vertical light emitting diode as shown in FIG. 2 uses at least one of sapphire or a substrate such as Si or SiC or silicon sapphire. In this embodiment, a crystal growth substrate made of sapphire is used.

반도체의 증착 및 성장 방법으로는 유기금속 화학 증착법(Metal Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD), 화학 증착법(Chemical Vapor Deposition, CVD), 플라즈마 화학 증착법(Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition, PCVD), 분자선 성장법(Molecular Beam Epitaxy, MBE), 수소화물 기상 성장법(Hydride Vapor Phase Epitaxy, HVPE)등을 포함한 다양한 방법이 있으나, 본 실시예에서는 유기금속 화학 증착법을 사용한다.The deposition and growth methods of semiconductors include metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), chemical vapor deposition (CVD), plasma-enhanced chemical vapor deposition (PCVD), and molecular beam growth (PCVD). There are various methods including Molecular Beam Epitaxy (MBE), Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE), and the like. In this embodiment, an organometallic chemical vapor deposition method is used.

발광 다이오드 제작에 있어서, p형 반도체층의 전류 확산이 휘도 향상에 있어 중요하다. 따라서, p형 반도체층의 전류 확산을 증가시킬 수 있는 층을 활성층과 p-전극 사이에 삽입한다. 즉, p-전극과 p형 반도체층 사이와, p형 반도체층과 활성층사이 등에 삽입될 수 있고, 활성층과 p-전극 사이에 기타 다른 층이 형성될 경우는 활성층과 기타 다른 층 사이에 형성될 수 있다. 본 발명에 따른 발광 다이오드의 실시예에서는 n-전극과 p형 반도체층의 경계면에 전류 확산층을 구비하여 n형 반도체층의 전류 확산을 증가시키고자 한다.In light-emitting diode fabrication, current diffusion of the p-type semiconductor layer is important for improving luminance. Thus, a layer is inserted between the active layer and the p-electrode which can increase the current spreading of the p-type semiconductor layer. That is, it may be inserted between the p-electrode and the p-type semiconductor layer, between the p-type semiconductor layer and the active layer, or the like, and if another layer is formed between the active layer and the p-electrode, it may be formed between the active layer and the other layer. Can be. In the embodiment of the light emitting diode according to the present invention, a current diffusion layer is provided at the interface between the n-electrode and the p-type semiconductor layer to increase the current diffusion of the n-type semiconductor layer.

도 2는 본 발명에 따른 발광 다이오드의 단면도이다.2 is a cross-sectional view of a light emitting diode according to the present invention.

도 2를 참조하면 본 발명의 발광 다이오드는, 전류 확산층(80)과, 상기 전류 확산층(80) 상에 형성된 n형 반도체층(30)과, 상기 n형 반도체층(30) 상에 형성된 활성층(40)과, 상기 활성층(40) 상에 형성된 p형 반도체층(50)과, 상기 p형 반도체층(50) 상에 형성된 금속층(90)과, 상기 금속층(90) 상에 형성된 p-전극(60)과, 상기 전류 확산층(80)의 하부에 형성된 n-전극(70)을 포함한다.Referring to FIG. 2, the light emitting diode of the present invention includes a current diffusion layer 80, an n-type semiconductor layer 30 formed on the current diffusion layer 80, and an active layer formed on the n-type semiconductor layer 30. 40, a p-type semiconductor layer 50 formed on the active layer 40, a metal layer 90 formed on the p-type semiconductor layer 50, and a p-electrode formed on the metal layer 90 ( 60 and an n-electrode 70 formed below the current spreading layer 80.

상기 전류 확산층(80)은 p-전극(60)에 인가된 외부전원을 p형 반도체층(50) 또는 활성층(40)과 같은 질화물 반도체층에 균일하게 확산하기 위한 것으로서, 고농도 실리콘이 도프된 질화갈륨(GaN)층 또는 질화인듐갈륨(InGaN)/질화갈륨(GaN) 초격자층 또는 질화실리콘갈륨(SiGaN)층 중 적어도 하나를 포함하는 질화갈륨(GaN)층을 사용하여 성장한다. 상기와 같이 전류 확산층(80)이 형성된 발광 다이오드에 전원을 인가하면, n-전극(70)의 전자는 전류 확산층(80)에 의해 n형 반도체층(30)에 전체적으로 균일하게 확산된다. 따라서, 활성층(40) 전체에서 균일하게 광이 발산된다. 이때, 전자가 이동하는 방향과 전류의 방향은 반대이므로, 결국 전자의 확산은 전류의 확산으로 볼 수 있다.The current diffusion layer 80 is for uniformly diffusing an external power source applied to the p-electrode 60 to a nitride semiconductor layer such as the p-type semiconductor layer 50 or the active layer 40. Nitride doped with a high concentration of silicon It is grown using a gallium nitride (GaN) layer including at least one of a gallium (GaN) layer, an indium gallium nitride (InGaN) / gallium nitride (GaN) superlattice layer, or a silicon gallium nitride (SiGaN) layer. When power is applied to the light emitting diode on which the current spreading layer 80 is formed as described above, electrons of the n-electrode 70 are uniformly diffused throughout the n-type semiconductor layer 30 by the current spreading layer 80. Therefore, light is uniformly emitted throughout the active layer 40. At this time, since the direction in which the electrons move and the direction of the current is reversed, the diffusion of the electrons can be seen as the diffusion of the current.

상기 n형 반도체층(30)은 전자가 생성되는 층으로서, n형 화합물 반도체층과 n형 클래드층으로 형성된다. 상기 n형 반도체층(30)은 도핑 레벨이 1×1019 ~ 1×1022cm-3인 실리콘이 도프된 질화갈륨(GaN) 또는 질화알루미늄갈륨(AlGaN) 및 질화인듐갈륨(InGaN) 중 적어도 하나를 포함하고, 단일층이거나 이들 각층의 조합이 초격자의 형태로 적층된 구조로 n형 반도체층(30)을 성장한다.The n-type semiconductor layer 30 is an electron generation layer, and is formed of an n-type compound semiconductor layer and an n-type cladding layer. The n-type semiconductor layer 30 has at least one of gallium nitride (GaN) or aluminum gallium nitride (AlGaN) and indium gallium nitride (InGaN) doped with silicon having a doping level of 1 × 10 19 to 1 × 10 22 cm -3 . The n-type semiconductor layer 30 is grown to have a structure including a single layer or a combination of these layers stacked in the form of a super lattice.

상기 p형 반도체층(50)은 정공이 생성되는 층으로서, p형 클래드층과 p형 화합물 반도체층으로 형성된다. 상기 p형 반도체층(50)은 p형 불순물이 도프된 질화갈륨(GaN) 또는 질화알루미늄갈륨(AlGaN) 및 질화인듐갈륨(InGaN)을 단일층이거나 이들 각층의 조합이 초격자의 형태로 적층된 구조로 p형 GaN(50)을 성장한다.The p-type semiconductor layer 50 is a layer in which holes are formed, and is formed of a p-type cladding layer and a p-type compound semiconductor layer. The p-type semiconductor layer 50 includes a single layer of gallium nitride (GaN) or aluminum gallium nitride (AlGaN) and indium gallium nitride (InGaN) doped with p-type impurities, or a combination of each of these layers stacked in a superlattice form. The p-type GaN 50 is grown as a structure.

상기 활성층(40)은 소정의 밴드갭과 양자 우물이 만들어져 전자 및 정공이 재결합되는 영역으로서, 질화인듐갈륨(InGaN) 또는 인듐(In)을 포함한 질화물과 같 은 재료를 사용하여 형성된다. 이때, 상기 활성층(40)을 이루는 물질의 종류에 따라 전자 및 정공이 결합하여 발생하는 발광 파장이 변화된다. 따라서, 목표로 하는 파장에 따라 조성이 제어된 반도체 재료를 활성층(40)으로 사용하는 것이 바람직하다.The active layer 40 is a region where a predetermined band gap and a quantum well are made to recombine electrons and holes, and is formed using a material such as nitride including indium gallium nitride (InGaN) or indium (In). In this case, the emission wavelength generated by the combination of electrons and holes is changed according to the type of material constituting the active layer 40. Therefore, it is preferable to use the semiconductor material whose composition was controlled according to the target wavelength as the active layer 40.

상기 n-전극(70)과 p-전극(60)은 외부에서 인가된 전원을 반도체층에 전달하기 위한 것이다. 상기 n-전극(70)은 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 금(Au), 투명 전도성 박막과 같은 산화인듐주석(Indium Tin Oxide, ITO) 또는 투명 금속 전극 등으로 형성된다. 또한, 상기 p-전극(60)은 크롬(Cr) 또는 금(Au) 또는 상기 금속의 합금인 크롬(Cr)/금(Au) 등을 사용하여 형성된다.The n-electrode 70 and the p-electrode 60 are for transferring power applied from the outside to the semiconductor layer. The n-electrode 70 is formed of nickel (Ni), aluminum (Al), titanium (Ti), gold (Au), an indium tin oxide (ITO) such as a transparent conductive thin film, a transparent metal electrode, or the like. do. In addition, the p-electrode 60 is formed using chromium (Cr) or gold (Au) or chromium (Cr) / gold (Au), which is an alloy of the metal.

상기 금속층(90)은 니켈(Ni)/금(Au) 또는 은(Ag) 또는 구리(Cu)와 같은 금속을 사용하여 형성한다.The metal layer 90 is formed using a metal such as nickel (Ni) / gold (Au) or silver (Ag) or copper (Cu).

이하 상기와 같은 발광 다이오드의 제조방법에 대해 살펴보고자 한다.Hereinafter, a method of manufacturing the light emitting diode as described above will be described.

도 3a 내지 도 3c는 본 발명에 따른 발광 다이오드의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다.3A to 3C are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a light emitting diode according to the present invention.

본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드의 제조방법은 도 3a내지 도 3c에 도시된 바와 같이 우선, 준비된 기판(10)에 질화갈륨(GaN) 또는 질화알루미늄(AlN)을 사용하여 버퍼층(미도시)을 성장하고, 고품질의 도핑되지 않은 질화갈륨(U-GaN)(20)을 버퍼층으로 성장하고, 도핑되지 않은 질화갈륨(U-GaN)(20)을 성장시킨다. 이후, 상기 도핑되지 않은 질화갈륨(U-GaN)(20) 상에 전류 확산층(80)을 성장시킨다.
이때, 상기 전류 확산층(80)은 고농도 실리콘이 도프된 질화갈륨(GaN)층 또는 질화인듐갈륨(InGaN)과 질화갈륨(GaN)으로 형성된 초격자층 또는 질화실리콘갈륨(SiGaN)층을 포함한다.
우선 상기 고농도 실리콘이 도프된 질화갈륨(GaN)층은 갈륨소스로는 트리메틸갈륨과 트리에틸갈륨과 트리이소프로필갈륨을 사용하고, 실리콘소스로는 실란(SiH4) 또는 디실란(Si2H6) 또는 테트라에톡시실란을 사용하고, 질화물소스로는 암모니아와 디메틸히드라진을 사용하여 고농도 실리콘이 도프된 질화갈륨(GaN)층을 성장시킨다. 상기 고농도 실리콘이 도프된 질화갈륨(GaN)층은 n형 반도체층(30) 보다 실리콘 도핑 레벨이 10 ~ 100배 높은 1×1020 ~ 1×1022cm-3 정도의 고농도 실리콘이 성장된 질화갈륨(GaN)을 섭씨 700 ~ 1200도에서 30Å ~ 10㎛로 성장시킨다.
다음으로, 상기 전류확산층(80)으로 질화인듐갈륨(InGaN)과 질화갈륨(GaN)을 포함하는 초격자층이 형성될 경우, 갈륨소스로 트리메틸갈륨과 트리에틸갈륨과 트리이소프로필갈륨을 사용하고, 인듐소스로 트리메틸인듐과 트리에틸인듐을 사용하고, 실리콘소스로 실란 또는 디실란 또는 테트라에톡시실란을 사용하고, 질화물소스로 암모니아와 디메틸히드라진을 사용하여 n형 InGaN/N-GaN 초격자층을 전류 확산층(80)으로 성장한다. 성장에 사용되는 n형 초격자층 중 InGaN의 두께는 10 ~ 1000Å이고, n형 초격자층 중 GaN의 두께는 10 ~ 1000Å이고, n형 InGaN / n형 GaN의 쌍은 1 ~ 30쌍까지 성장한다.
또한, 질화실리콘갈륨(SiGaN)층을 전류 확산층(80)으로 할 경우 갈륨소스로 트리메틸갈륨과 트리에틸갈륨과 트리이소프로필갈륨을 사용하고, 실리콘소스로 실란(SiH4) 또는 디실란(Si2H6) 또는 테트라에톡시실란을 사용하며, 질화물소스로 암모니아와 디메틸히드라진을 사용하여 섭씨 700 ~ 1200도 사이에서 SiGaN층을 30Å ~ 2㎛의 두께로 성장시켜 전류 확산층(80)을 형성한다. 한편, 상기 전류 확산층(80)은 활성층(40)을 성장하는 단계 후 형성하고, 전류 확산층(80) 상에 p형 반도체층을 성장할 수도 있다.
다음으로, 상기 전류 확산층(80) 상에 도핑 레벨이 1×1019 ~ 1×1022cm-3인 실리콘이 도프된 질화갈륨(GaN) 또는 질화알루미늄갈륨(AlGaN) 및 질화인듐갈륨(InGaN) 중 적어도 하나를 포함하고, 단일층이거나 이들 각층의 조합이 초격자의 형태로 적층된 구조로 n형 반도체층(30)을 0.5㎛ ~ 10㎛의 두께로 성장시킨다. 상기 n형 반도체층(30) 상에 질화인듐갈륨(InGaN) 또는 인듐(In)을 포함한 질화물등과 같은 재료를 사용하여 활성층(40)을 성장시키고, 상기 활성층(40) 상에 p형 불순물이 도프된 질화갈륨(GaN) 또는 질화알루미늄갈륨(AlGaN) 또는 질화인듐갈륨(InGaN)을 단일층이거나 이들 각층의 조합이 초격자의 형태로 적층된 구조로 p형 반도체층(50)을 성장시킨다. 위와 같은 조건으로 성장된 구조는 도 3a와 같다.In the method of manufacturing a light emitting diode according to an embodiment of the present invention, as shown in FIGS. 3A to 3C, first, a buffer layer (not shown) using gallium nitride (GaN) or aluminum nitride (AlN) on a prepared substrate 10 is used. Is grown, high quality undoped gallium nitride (U-GaN) 20 is grown as a buffer layer, and undoped gallium nitride (U-GaN) 20 is grown. Thereafter, the current diffusion layer 80 is grown on the undoped gallium nitride (U-GaN) 20.
In this case, the current diffusion layer 80 includes a gallium nitride (GaN) layer doped with a high concentration of silicon or a superlattice layer or gallium nitride (SiGaN) layer formed of indium gallium nitride (InGaN) and gallium nitride (GaN).
First, the gallium nitride (GaN) layer doped with high concentration silicon uses trimethylgallium, triethylgallium and triisopropylgallium as the gallium source, and silane (SiH 4 ) or disilane (Si 2 H 6 ) as the silicon source. Or tetraethoxysilane and ammonia and dimethylhydrazine are used as nitride sources to grow a gallium nitride (GaN) layer doped with a high concentration of silicon. The high concentration silicon-doped gallium nitride (GaN) layer has a high concentration of silicon having a concentration of about 1 × 10 20 to 1 × 10 22 cm -3, which is 10 to 100 times higher than the n-type semiconductor layer 30. Gallium (GaN) is grown from 30 to 10 µm at 700 to 1200 degrees Celsius.
Next, when a superlattice layer including indium gallium nitride (InGaN) and gallium nitride (GaN) is formed as the current diffusion layer 80, trimethylgallium, triethylgallium, and triisopropylgallium are used as a gallium source. N-type InGaN / N-GaN superlattice layer using trimethylindium and triethylindium as indium source, silane or disilane or tetraethoxysilane as silicon source, and ammonia and dimethylhydrazine as nitride source Grow to the current spreading layer 80. The thickness of InGaN in the n-type superlattice layer used for growth is 10-1000Å, the thickness of GaN in the n-type superlattice layer is 10-1000Å, and the pair of n-type InGaN / n-type GaN grows to 1-30 pairs do.
In addition, when the silicon gallium nitride (SiGaN) layer is used as the current diffusion layer 80, trimethylgallium, triethylgallium and triisopropylgallium are used as the gallium source, and silane (SiH 4 ) or disilane (Si 2 ) is used as the silicon source. H 6 ) or tetraethoxysilane is used, and a current diffusion layer 80 is formed by growing a SiGaN layer with a thickness of 30 μm to 2 μm between 700 ° C. and 1200 ° C. using ammonia and dimethyl hydrazine as a nitride source. The current diffusion layer 80 may be formed after the active layer 40 is grown, and the p-type semiconductor layer may be grown on the current diffusion layer 80.
Next, gallium nitride (GaN) or aluminum gallium nitride (AlGaN) and indium gallium nitride (InGaN) doped with silicon having a doping level of 1 × 10 19 to 1 × 10 22 cm −3 on the current spreading layer 80. The n-type semiconductor layer 30 is grown to a thickness of 0.5 μm to 10 μm, including a single layer, or a combination of these layers stacked in a superlattice. The active layer 40 is grown on the n-type semiconductor layer 30 by using a material such as nitride such as indium gallium nitride (InGaN) or nitride including indium (In), and the p-type impurity is deposited on the active layer 40. The p-type semiconductor layer 50 is grown in a structure in which a doped gallium nitride (GaN), aluminum gallium nitride (AlGaN), or indium gallium nitride (InGaN) is a single layer or a combination of these layers is stacked in the form of a superlattice. The structure grown under the above conditions is shown in FIG. 3A.

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이후, 상기 p형 반도체층(50) 상에 니켈(Ni)/금(Au) 또는 은(Ag) 또는 구리(Cu)와 같은 금속으로 금속층(90)을 형성한다. 이러한 공정을 거친 다음, 사파이어 기판 분리 기술(Laser lift-off, LLO)을 이용하여 기판(10)을 제거한다. 기판(10)을 제거하고 나면 도 3b와 같은 형태로 존재하게 되고, 광화학적 식각기술을 이용하여 도 3c와 같이 U-GaN(20)을 제거한 다음 n형 반도체층(30)에 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 금(Au), 산화인듐주석(Indium Tin Oxide, ITO) 중 적어도 하나를 사용하여 n-전극(70)을 형성하고, 상기 금속층(90) 상에 크롬(Cr) 또는 금(Au) 또는 크롬(Cr)/금(Au)과 같은 금속으로 p-전극(60)을 형성하면 도 2와 같은 형태의 수직형 발광 다이오드를 제작할 수 있다.Subsequently, the metal layer 90 is formed of a metal such as nickel (Ni) / gold (Au) or silver (Ag) or copper (Cu) on the p-type semiconductor layer 50. After this process, the substrate 10 is removed using a sapphire substrate lift-off technique (LLO). After removing the substrate 10, the substrate 10 is present as shown in FIG. 3B. The U-GaN 20 is removed as shown in FIG. 3C using photochemical etching, and then nickel (Ni) is formed on the n-type semiconductor layer 30. , N-electrode 70 is formed using at least one of aluminum (Al), titanium (Ti), gold (Au), and indium tin oxide (ITO), and chromium is formed on the metal layer 90. When the p-electrode 60 is formed of a metal such as (Cr) or gold (Au) or chromium (Cr) / gold (Au), a vertical light emitting diode having a shape as shown in FIG. 2 may be manufactured.

상기 발명의 기본은 질화갈륨(GaN)을 이용한 청색과 녹색 발광 다이오드를 수직형 발광 다이오드로 제작할 경우이다. 그러나, 이러한 경우뿐만 아니라 380㎚이하의 자외선 발광 다이오드를 제작할 때에도 동일하게 적용할 수 있다. 상기한 자외선 발광 다이오드를 수직형 발광 다이오드로 만들 경우에는 청색과 녹색 발광 다이오드에서 사용했던 고농도로 도프된 n형 질화갈륨(GaN) 또는 n형 질화인듐갈륨(InGaN) / n형 질화갈륨(GaN) 초격자 전류 확산층은 사용할 수 없다. 이러한 경우에는 실리콘과 같은 n형 불순물이 고농도로 도프된, x는 0＜x≤1인 n형 AlxGa(1-x)N 또는 x는 0＜x＜1인 n형 AlxGa(1-x)N/n-type AlN 초격자층을 전류 확산층(80)으로 사용한다. 또한, 활성층(40)으로 질화갈륨(GaN) 대신 질화알루미늄(AlN) 또는 질화알루미늄갈륨(AlGaN)을 사용하고, n형 질화갈륨(GaN) 대신 n형 질화알루미늄갈륨(AlGaN)(100)을 사용한다. p형 반도체층(50)과 금속층(90)과 n-전극(70)과 p-전극(60)은 상기 다른 실시예와 형성방법이 같으므로 생략하기로 한다. 이러한 물질로 발광 다이오드 웨이퍼를 성장하면, 도 4와 같은 에피 웨이퍼를 성장할 수 있다.The basis of the present invention is when a blue and green light emitting diode using gallium nitride (GaN) is manufactured as a vertical light emitting diode. However, the same can be applied not only to this case but also to fabricating an ultraviolet light emitting diode of 380 nm or less. When the ultraviolet light emitting diode is a vertical light emitting diode, a heavily doped n-type gallium nitride (GaN) or n-type indium gallium nitride (InGaN) / n-type gallium nitride (GaN) used in blue and green light emitting diodes is used. Superlattice current spreading layers cannot be used. In this case, n is a high concentration of n-type impurities such as silicon, where n is n <-> AlxGa (1-x) N, where 0 <x≤1, or x is n-type AlxGa (1-x) N, where 0 <x <1. The / n-type AlN superlattice layer is used as the current spreading layer 80. Also, aluminum nitride (AlN) or aluminum gallium nitride (AlGaN) is used as the active layer 40 instead of gallium nitride (GaN), and n-type aluminum gallium nitride (AlGaN) 100 is used instead of n-type gallium nitride (GaN). do. Since the p-type semiconductor layer 50, the metal layer 90, the n-electrode 70, and the p-electrode 60 are the same as those of the other embodiment, a description thereof will be omitted. When the light emitting diode wafer is grown with such a material, an epi wafer as shown in FIG. 4 can be grown.

본 발명의 권리는 위에서 설명된 실시예에 한정되지 않고 청구범위에 기재된 바에 의해 정의되며, 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 청구범위에 기재된 권리범위 내에서 다양한 변형과 개작을 할 수 있다는 것은 자명하다.The rights of the present invention are not limited to the embodiments described above, but are defined by the claims, and various changes and modifications can be made by those skilled in the art within the scope of the claims. It is self-evident.

상기에서 설명한 바와 같이 본 발명은, 발광 다이오드의 제작에 있어 n-전극과 n형 반도체층 사이에 전류 확산층을 삽입함으로써 발광 다이오드의 발광 효율을 향상 시킬 수 있다. 또한, 고전류를 인가해야 하는 경우에도 전류가 n-전극과 맞은편의 금속 사이의 최단거리가 아닌 전류 확산층에서 충분한 확산이 일어나므로 고전류 주입시 소자의 특성이 저하되는 문제가 감소하게 된다. 따라서, 조명용 대면적 발광 다이오드 제작시 신뢰성 및 발광 효율을 향상시킬 수 있다.As described above, the present invention can improve the luminous efficiency of the light emitting diode by inserting a current diffusion layer between the n-electrode and the n-type semiconductor layer in manufacturing the light emitting diode. In addition, even when a high current is to be applied, since the current is sufficiently diffused in the current diffusion layer rather than the shortest distance between the n-electrode and the opposite metal, the problem of deterioration of the characteristics of the device during high current injection is reduced. Therefore, reliability and luminous efficiency may be improved when manufacturing a large area light emitting diode for illumination.

Claims (16)

질화 화합물 발광 다이오드에 있어서,In the nitride compound light emitting diode, 활성층과;An active layer; 상기 활성층의 일측에 형성된 p형 반도체층과;A p-type semiconductor layer formed on one side of the active layer; 상기 p형 반도체층의 일측에 형성된 p-전극과;A p-electrode formed on one side of the p-type semiconductor layer; 상기 활성층의 타측에 형성된 n형 반도체층과;An n-type semiconductor layer formed on the other side of the active layer; 상기 n형 반도체층의 일측에 형성된 전류 확산층과;A current diffusion layer formed on one side of the n-type semiconductor layer; 상기 전류 확산층의 일측에 형성된 n-전극을 포함하고,An n-electrode formed on one side of the current spreading layer, 상기 전류 확산층은 고농도 실리콘이 도프된 질화갈륨(GaN)층 또는 질화인듐갈륨(InGaN)/질화갈륨(GaN) 초격자 전류 확산층 또는 질화실리콘갈륨(SiGaN)층을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The current diffusion layer includes a gallium nitride (GaN) layer doped with a high concentration of silicon, an indium gallium nitride (InGaN) / gallium nitride (GaN) superlattice current diffusion layer, or a silicon gallium nitride (SiGaN) layer. 삭제delete 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 전류 확산층은 실란(SiH4) 또는 디실란(Si2H6) 또는 테트라에톡시실란을 사용하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The current diffusion layer uses a silane (SiH 4 ), disilane (Si 2 H 6 ) or tetraethoxysilane, characterized in that the light emitting diode. 청구항 1 또는 청구항 3에 있어서,The method according to claim 1 or 3, 상기 고농도의 실리콘이 도프된 질화갈륨(GaN)층은 실리콘 도핑 레벨이 1×1020 ~ 1×1022cm-3인 질화갈륨(GaN)층을 30Å ~ 10㎛의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The high concentration silicon-doped gallium nitride (GaN) layer is characterized by forming a gallium nitride (GaN) layer having a silicon doping level of 1 × 10 20 ~ 1 × 10 22 cm -3 to a thickness of 30 ~ 10㎛ Light emitting diode. 청구항 1 또는 청구항 3에 있어서,The method according to claim 1 or 3, 상기 질화인듐갈륨(InGaN)/질화갈륨(GaN) 초격자 전류 확산층은 인듐소스로 트리메틸인듐과 트리에틸인듐을 사용하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The indium gallium nitride (InGaN) / gallium nitride (GaN) superlattice current diffusion layer is a light emitting diode using trimethyl indium and triethyl indium as an indium source. 청구항 5에 있어서,The method according to claim 5, 상기 질화인듐갈륨(InGaN)/질화갈륨(GaN) 초격자 전류 확산층은 n형 질화인듐갈륨(InGaN)과 n형 질화갈륨(GaN)의 성장두께를 각각 10 ~ 1000Å으로 1 ~ 30쌍으로 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The indium gallium nitride (InGaN) / gallium nitride (GaN) superlattice current diffusion layer forms a growth thickness of n-type indium gallium nitride (InGaN) and n-type gallium nitride (GaN) in 1 to 30 pairs, respectively, at 10 to 1000 Å. Light emitting diodes, characterized in that. 청구항 1 또는 청구항 3에 있어서,The method according to claim 1 or 3, 상기 질화실리콘갈륨(SiGaN)층은 30Å ~ 2㎛의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The silicon gallium nitride (SiGaN) layer is a light emitting diode, characterized in that formed to a thickness of 30 ~ 2㎛. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 전류 확산층은The current diffusion layer 고농도로 도프된 n형 AlxGa(1-x)N 또는 n형 AlxGa(1-y)N 및 n형 질화알루미늄(AlN)의 초격자층을 포함하고;A superlattice layer of heavily doped n-type Al x Ga (1-x) N or n-type Al x Ga (1-y) N and n-type aluminum nitride (AlN); 상기 x는 0＜x≤1이고;X is 0 <x≤1; 상기 y는 0＜y＜1인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.And y is 0 <y <1. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, p형 반도체층과 p-전극 사이에 형성되는 금속층을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.A light emitting diode comprising a metal layer formed between a p-type semiconductor layer and a p-electrode. 청구항 9에 있어서,The method according to claim 9, 상기 금속층은 니켈(Ni)/금(Au) 또는 은(Ag) 또는 구리(Cu)를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The metal layer comprises a nickel (Ni) / gold (Au) or silver (Ag) or copper (Cu). 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 n-전극은 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 금(Au), 산화인듐주석(Indium Tin Oxide, ITO) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The n-electrode includes at least one of nickel (Ni), aluminum (Al), titanium (Ti), gold (Au), and indium tin oxide (ITO). 질화 화합물 발광 다이오드에 있어서,In the nitride compound light emitting diode, 기판 상에 전류 확산층, n형 반도체층, 활성층, p형 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계;Sequentially forming a current spreading layer, an n-type semiconductor layer, an active layer, and a p-type semiconductor layer on the substrate; 상기 기판을 제거하는 단계;Removing the substrate; 상기 n형 반도체층과 p형 반도체층에 n-전극 및 p-전극을 각각 형성하는 단계를 포함하고,Forming an n-electrode and a p-electrode on the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer, respectively; 상기 전류 확산층은 고농도 실리콘이 도프된 질화갈륨(GaN)층 또는 질화인듐갈륨(InGaN)/질화갈륨(GaN) 초격자 전류 확산층 또는 질화실리콘갈륨(SiGaN)층을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법.The current diffusion layer includes a gallium nitride (GaN) layer doped with a high concentration of silicon, an indium gallium nitride (InGaN) / gallium nitride (GaN) superlattice current diffusion layer, or a silicon gallium nitride (SiGaN) layer. Manufacturing method. 삭제delete 삭제delete 청구항 12에 있어서,The method according to claim 12, 상기 고농도의 실리콘이 도프된 질화갈륨(GaN)층은 실리콘 도핑 레벨이 1×1020 ~ 1×1022cm-3인 질화갈륨(GaN)층을 섭씨 700 ~ 1200도에서 30Å ~ 10㎛의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법.The high concentration of silicon-doped gallium nitride (GaN) layer is a 30 ~ 10㎛ thickness of gallium nitride (GaN) layer having a silicon doping level of 1 × 10 20 ~ 1 × 10 22 cm -3 at 700 ~ 1200 degrees Celsius Method for manufacturing a light emitting diode, characterized in that formed. 청구항 12에 있어서,The method according to claim 12, 상기 질화실리콘갈륨(SiGaN)층은 섭씨 700 ~ 1200도에서 30Å ~ 2㎛의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법.The silicon gallium nitride (SiGaN) layer is a method of manufacturing a light emitting diode, characterized in that formed in a thickness of 30 ~ 2㎛ at 700 ~ 1200 degrees Celsius.
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