KR100727269B1 - Method for forming microlens in image sensor - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 17
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims abstract description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 8
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 abstract description 6
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 abstract description 6
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 abstract 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
Description
도 1 및 도 2는 종래 기술에 의한 이미지 센서의 마이크로 렌즈 형성 방법을 설명하기 위한 단면도이다.1 and 2 are cross-sectional views illustrating a method for forming a micro lens of an image sensor according to the prior art.
도 3 내지 도 6은 본 발명에 의한 이미지 센서의 마이크로 렌즈 형성 방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 3 to 6 are cross-sectional views illustrating a method for forming a micro lens of an image sensor according to the present invention.
본 발명은 이미지 센서의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 이미지 센서의 마이크로 렌즈 형성 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a method for manufacturing an image sensor, and more particularly, to a method for forming a micro lens of an image sensor.
일반적으로, 이미지 센서는 광학 영상을 전기적인 신호로 변환시키는 반도체 소자이다. 이미지 센서는 씨씨디(CCD, charge coupled device) 이미지 센서와 씨모스 이미지 센서(complementary metal oxide semiconductor) 이미지 센서가 있다. In general, an image sensor is a semiconductor device that converts an optical image into an electrical signal. Image sensors include a charge coupled device (CCD) image sensor and a complementary metal oxide semiconductor (CMOS) image sensor.
이미지 센서를 제조함에 있어서, 이미지 센서의 광감도를 증가시키기 위한 노력들이 진행되고 있는바, 그중 하나가 집광기술이다. 상기 집광 기술은 광 감지부분 이외의 영역으로 입사하는 빛의 경로를 바꿔서 광 감지부분으로 모아주는 것 이다. 상기 집광 기술의 하나로써 이미지 센서의 칼라필터 상부에 마이크로 렌즈를 형성하는 것이다.In manufacturing an image sensor, efforts are being made to increase the light sensitivity of an image sensor, one of which is a condensing technology. The condensing technology changes the path of light incident to an area other than the light sensing part and collects the light into the light sensing part. One condensing technique is to form a micro lens on the color filter of the image sensor.
도 1 및 도 2는 종래 기술에 의한 이미지 센서의 마이크로 렌즈 형성 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.1 and 2 are cross-sectional views illustrating a method for forming a micro lens of an image sensor according to the prior art.
도 1을 참조하면, 포토 다이오드(photo diode, P/D) 및 트랜치 분리 절연층(10)을 포함하는 반도체 기판(12) 상에 하지층(under layer, 14)이 형성되어 있다. 상기 하지층(14)은 다양한 복수개의 층들로 구성되며, 산화막, 질화막, 평탄화층, 칼라필터 어레이, 전극층 등을 모두 포함한다. 상기 하지층(14)은 다양한 물질층으로 구성되므로 편의상 생략한다. Referring to FIG. 1, an under
상기 하지층(14) 상에 사진노광공정을 이용하여 마이크로 렌즈용 감광막 패턴들(16)을 형성한다. 상기 마이크로 렌즈용 감광막 패턴들(16)의 형성시에 노광기(예컨대 스텝퍼)의 해상도(resolution) 한계로 인하여 상기 감광막 패턴들(16) 사이에는 0.2∼0.5㎛의 갭(18)이 발생한다.
도 2를 참조하면, 상기 마이크로 렌즈용 감광막 패턴들(16)에 열적 스트레스를 주어 상기 감광막 패턴들(16)을 플로우시켜 둥근 형태의 마이크로 렌즈들(20)을 형성한다. 상기 마이크로 렌즈들(20)도 앞서의 감광막 패턴들(16)의 갭(18)으로 인하여 0.2∼0.5㎛의 동일한 갭(18)이 발생한다. Referring to FIG. 2, the
이와 같이, 종래의 이미지 센서의 마이크로 렌즈 형성 방법은 상기 마이크로 렌즈들(20) 사이에는 갭(18)이 발생하기 때문에 집광효율이 떨어져 이미지 센서의 광감도가 떨어지게 된다. As described above, in the method of forming a microlens of the conventional image sensor, since a
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상술한 문제를 해결하기 위하여 창안한 것으로서, 마이크로 렌즈들 사이의 갭을 줄여 집광효율을 높일 수 있는 이미지 센서의 마이크로 렌즈 형성 방법을 제공하는 데 있다. Accordingly, an object of the present invention is to solve the above-mentioned problem, and to provide a method for forming a microlens of an image sensor that can increase the light collecting efficiency by reducing the gap between the microlenses.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 포토 다이오드를 포함하는 반도체 기판 상에 하지층을 형성한 후, 상기 하지층 상에 형성되고, 그 사이에 갭을 갖는 마이크로 렌즈용 감광막 패턴들을 형성한다. In order to achieve the above technical problem, the present invention forms a base layer on a semiconductor substrate including a photodiode, and then formed on the base layer, and forms photoresist patterns for microlenses having a gap therebetween.
상기 감광막 패턴들을 플로우시켜 형성되고, 그 사이에 갭을 갖는 둥근 형태의 제1 마이크로 렌즈들을 형성한다. 상기 제1 마이크로 렌즈들이 형성된 상기 하지층 전면에 열경화성 수지층을 형성한다. The photoresist patterns are formed by flowing the first micro lenses having a round shape with a gap therebetween. A thermosetting resin layer is formed on the entire base layer on which the first micro lenses are formed.
상기 열경화성 수지층를 블랑킷 식각하여 상기 제1 마이크로 렌즈들 사이에 갭이 없게 제2 마이크로 렌즈들을 형성하여, 상기 제1 마이크로 렌즈들과 제2 마이크로 렌즈들로 이루어진 마이크로 렌즈를 형성한다.The thermosetting resin layer is blanket-etched to form second micro lenses without a gap between the first micro lenses, thereby forming a micro lens including the first micro lenses and the second micro lenses.
상기 블랑킷 식각은 이방성 식각일 수 있다. 상기 블랑킷 식각시에 상기 제1 마이크로 렌즈들의 측벽에 형성된 열경화성 수지층은 식각이 덜되게 수행할 수 있다. 상기 제1 마이크로 렌즈들 사이의 갭은 0.2∼0.5㎛이고, 상기 열경화성 수지층은 0.1 내지 0.4㎛의 두께로 형성할 수 있다.The blanket etching may be anisotropic etching. When the blanket is etched, the thermosetting resin layer formed on sidewalls of the first micro lenses may be less etched. The gap between the first micro lenses may be 0.2 to 0.5 μm, and the thermosetting resin layer may have a thickness of 0.1 to 0.4 μm.
이상의 본 발명의 이미지 센서의 마이크로 렌즈 형성 방법은 상기 마이크로 렌즈들 사이에 갭이 발생하지 않아 집광효율을 높일 수 있고, 이에 따라 이미지 센 서의 광감도를 향상시킬 수 있다. In the method of forming a microlens of the image sensor of the present invention, a gap does not occur between the microlenses, thereby increasing light condensing efficiency, thereby improving the light sensitivity of the image sensor.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 3 내지 도 6은 본 발명에 의한 이미지 센서의 마이크로 렌즈 형성 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.3 to 6 are cross-sectional views illustrating a method for forming a micro lens of an image sensor according to the present invention.
도 3을 참조하면, 포토 다이오드(photo diode, P/D) 및 트랜치 분리 절연층(100)을 포함하는 반도체 기판(102) 상에 하지층(under layer, 104)이 형성되어 있다. 상기 하지층(104)은 다양한 복수개의 층들로 구성되며, 산화막, 질화막, 평탄화층, 칼라필터 어레이, 전극층 등을 모두 포함한다. 상기 하지층(104)은 다양한 물질층으로 구성되므로 편의상 생략한다. Referring to FIG. 3, an under
상기 하지층(104) 상에 사진노광공정을 이용하여 마이크로 렌즈용 감광막 패턴들(106)을 형성한다. 상기 마이크로 렌즈용 감광막 패턴들(106)의 형성시에 노광기(예컨대 스텝퍼)의 해상도(resolution) 한계로 인하여 상기 감광막 패턴들(106) 사이에는 0.2∼0.5㎛의 갭(108)이 발생한다.
도 4를 참조하면, 상기 마이크로 렌즈용 감광막 패턴들(106)에 열적 스트레스를 주어 상기 감광막 패턴들(106)을 플로우시켜 둥근 형태의 제1 마이크로 렌즈들(110)을 형성한다. 상기 제1 마이크로 렌즈들(110)은 상기 포토 다이오드(100)에 대응되게 상기 하지층(104) 상에 형성한다. 상기 제1 마이크로 렌즈들(110)도 앞서의 감광막 패턴(106)의 갭(108)으로 인하여 0.2∼0.5㎛의 동일한 갭(108)이 발생한다. Referring to FIG. 4, the
도 5를 참조하면, 상기 제1 마이크로 렌즈들(110)이 형성된 하지층(104) 전 면에 열경화성 수지층(112)을 형성한다. 상기 열경화성 수지층(112)은 상기 둥근형태의 제1 마이크로 렌즈들(110)의 토폴로지(topology)를 따라 코팅된다. 상기 열경화성 수지층(112)은 0.1 내지 0.4㎛의 두께로 형성한다. Referring to FIG. 5, the
도 6을 참조하면, 상기 열경화성 수지층(112)을 블랑킷 식각(blanket etch, 전면식각(에치백, etch-back))하여 상기 제1 마이크로 렌즈들(110) 사이에 갭이 없게 균일한 두께의 제2 마이크로 렌즈들(114)을 형성한다. 상기 블랑킷 식각은 이방성 식각이며, 제1 마이크로 렌즈들(114)의 측벽에 형성된 열경화성 수지층(112)이 상기 제1 마이크로 렌즈들(114)의 표면에 형성된 열경화성 수지층(112)보다 식각이 덜되게 실시한다. 이에 따라서, 상기 제1 마이크로 렌즈들(110)과 제2 마이크로 렌즈들(114)로 이루어진 마이크로 렌즈들(116) 사이의 갭이 없게 된다. 이렇게 캡이 없게 되면, 집광 효율을 높일 수 있어 이미지 센서의 광감도를 향상시킬 수 있다. Referring to FIG. 6, the
상술한 바와 같이 본 발명은 이미지 센서의 마이크로 렌즈 형성 방법은 상기 마이크로 렌즈들 사이에 갭이 발생하지 않아 집광효율을 높일 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 이미지 센서는 광감도를 향상시킬 수 있다.As described above, in the method of forming the microlens of the image sensor, a gap does not occur between the microlenses and thus the light collecting efficiency may be improved. Accordingly, the image sensor of the present invention can improve the light sensitivity.
Claims (4)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050134066A KR100727269B1 (en) | 2005-12-29 | 2005-12-29 | Method for forming microlens in image sensor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050134066A KR100727269B1 (en) | 2005-12-29 | 2005-12-29 | Method for forming microlens in image sensor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR100727269B1 true KR100727269B1 (en) | 2007-06-11 |
Family
ID=38359087
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020050134066A KR100727269B1 (en) | 2005-12-29 | 2005-12-29 | Method for forming microlens in image sensor |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100727269B1 (en) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
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