KR100726967B1 - Wireless Bonding Method in LED Packaging - Google Patents

Abstract

발명은 서브마운트위에 플립-칩 본딩 방식으로 실장된 발과 다이오드 소자를 배선 기판과 연결시 서브마운트로부터 와이어 본딩 방식을 적용하지 않고 시편 본딩 방식에 관한 것이다. 고출력 발광 다이오드에서 발생된 고온의 열은 본딩 와이어와 서브-마운트로 전달되면서 열에 의한 응력으로 인하여 단선이 되는 문제점을 시편 접착 방식을 적용함으로써 신뢰성을 향상 시킬 수 있으며, 서브마운트에 실장된 플립-칩 발광 다이오드만을 가지고도 와이어 본딩 장비를 이용하지 않고 패키징을 할 수 있다. 시편 본딩 방식을 위하여 측벽이 도금된 서브마운트, 서브마운트 위에 솔더 범핑 또는 스터드 방식으로 실장된 플립칩 발광다이오드, 서브마운트와 배선 기판을 전기적 연결을 하는 본딩 시편, 본딩 시편에 연결된 배선 기판에 형성된 본딩 패드, 서브마운트를 배선 기판위에 실장하기 위한 열 전도성이 높은 접착제, 배선 기판 내에 열 전도성 접착제를 담기 위해 형성된 열접착제컵, 열접착제컵 내에 발광 다이오드의 양극과 음극 본딩 패드 간의 시편에 의해 발생될 수 있는 단락을 방지하는 댐을 가지는 것을 그 특징으로 한다.  The present invention relates to a specimen bonding method without applying a wire bonding method from a submount when connecting a foot and a diode element mounted in a flip-chip bonding method on a submount with a wiring board. The high temperature heat generated from the high power light emitting diode is transferred to the bonding wire and the sub-mount, and the problem of disconnection due to heat stress can be improved by applying the specimen bonding method, and the flip-chip mounted on the submount Even light emitting diodes can be packaged without the use of wire bonding equipment. A submount with sidewalls plated for the specimen bonding method, a flip chip light emitting diode mounted with solder bumps or studs on the submount, a bonding specimen for electrically connecting the submount and the wiring board, and a bonding formed on the wiring board connected to the bonding specimen Pads, a thermally conductive adhesive for mounting the submount on the wiring substrate, a thermal adhesive cup formed to contain the thermal conductive adhesive in the wiring substrate, and a specimen between the anode and cathode bonding pads of the light emitting diode in the thermal adhesive cup. It is characterized by having a dam preventing a short circuit.

시편 접착, 발광 다이오드, 서브마운트, 와이어 본딩, 플립칩 본딩  Specimen Bonding, Light Emitting Diodes, Submount, Wire Bonding, Flip Chip Bonding

Description

와이어 본딩 방식을 적용하지 않는 발광 다이오드 패키징{Wireless Bonding Method in LED Packaging}Light emitting diode packaging without wire bonding method {Wireless Bonding Method in LED Packaging}

도 1은 종래 기술에 따른 와이어 본딩 방식의 사시도.1 is a perspective view of a wire bonding method according to the prior art.

도 2 내지 도 4는 종래 기술에 따른 와이어 본딩을 이용한 패키지 단면도.2 to 4 is a cross-sectional view of the package using the wire bonding according to the prior art.

도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 일 실시예에 따른 와이어 본딩 방식을 적용하지 않은 발광 다이오드 패키지 단면도.5A to 5C are cross-sectional views of a light emitting diode package not applying a wire bonding method according to an embodiment of the present invention.

도 6a 내지 도 6i는 본 발명의 일 실시예에 따른 와이어 본딩 방식을 적용하지 않은 발광 다이오드 패키지의 제작과정도6A to 6I are manufacturing process diagrams of a light emitting diode package not applying a wire bonding method according to an embodiment of the present invention.

도 7는 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 도 6i의 상세도FIG. 7 is a detailed view of FIG. 6I in accordance with an embodiment of the present invention. FIG.

도 8a 내지 도 8c는 본 발명의 일 실시예에 따른 금속 기판 또는 고방열 유전 세락믹의 다양한 형태8A through 8C illustrate various forms of a metal substrate or a high heat radiation dielectric ceramic according to an embodiment of the present invention.

{도면 주요 부분에 대한 부호의 설명}{Description of the symbols for the main parts of the drawing}

501 : 시편 접착(Fragment Bonding) 502 : 플립칩 발광 다이오드.501: Fragment Bonding 502: flip chip light emitting diode.

502a: 솔더(Solder) 및 스터드(Stud) 범프.502a: Solder and Stud bumps.

503 : 측벽이 도금된 서브마운트 504 : 도금된 서브마운트에 측벽.503: sidewall plated submount 504: sidewall to plated submount.

505 : 양극과 음극의 단락을 방지하기 위한 댐.505: Dam to prevent short circuit between anode and cathode.

506 : 절연층.506: insulation layer.

507 : 서브 마운트와 배선 기판을 접착하기 위한 열 특성을 향상 시킨 접착제와 그 접착제를 담고 있는 열접착제컵507: adhesive with improved thermal properties for bonding sub-mounts and wiring boards and thermal adhesive cups containing the adhesive

508 : 서브 마운트에 연결된 본드 시편이 배선 기판에 연결되는 본딩 패드.508: bonding pads to which a bond specimen connected to a submount is connected to a wiring board.

509 : 배선 기판의 절연층509: insulating layer of the wiring board

510 : 배선 기판의 배면의 외부로 신호를 연결하기 위한 패드와의 층간 연결 비아홀 510: interlayer via hole with pad for connecting signal to outside of back side of wiring board

511 : 반사컵 512 : 열접착제컵 바닥의 금속층 511: reflecting cup 512: metal layer on the bottom of the heat adhesive cup

본 발명은 서브마운트위에 플립-칩 본딩 방식으로 실장된 발광 다이오드 소자를 배선 기판과 연결시 서브마운트로부터 와이어 본딩 방식을 적용하지 않고 시편 본딩방식에 관한 것이다.The present invention relates to a specimen bonding method without applying a wire bonding method from a submount when a light emitting diode device mounted in a flip-chip bonding method on a submount is connected to a wiring board.

발광 다이오드(High Power Light Emission Diode, 이하 LED라 함.)는 고휘도, 고수명, 고신뢰성이 요구되고 있으며, 성능 및 특성은 색온도 및 휘도, 휘도 세기의 범위 등으로 결정된다. 1차적으로 광 추출 효율을 향상 위해 발광 다이오드 소자의 활성층과 전자 주입(N)층 및 전공 주입(P)층의 결정 성장 정도를 높이는 방 법이 있으며, 2차적으로는 열 방출의 원할 한 구조와 제어 가능한 배선 구조 및 소자와 배선 기판을 연결하기 위한 본딩 방식에 의하여 그 성능이 결정 된다. 고출력의 발광 특성을 구현하기 위해서 화합물 반도체의 재료 특성에 영향을 많이 받으나, 제작에 있어 여러 가지 제한을 받고 있으며, 이에 따라 패키지 구조에 대한 연구가 활발히 진행 중이다.High power light emission diodes (hereinafter referred to as LEDs) are required to have high brightness, high lifetime, and high reliability, and performance and characteristics are determined by color temperature, brightness, and luminance intensity range. In order to improve the light extraction efficiency, there is a method of increasing the crystal growth of the active layer, the electron injection (N) layer, and the hole injection (P) layer of the light emitting diode device. The performance is determined by the controllable wiring structure and the bonding method for connecting the device and the wiring board. In order to realize high light emission characteristics, the material properties of compound semiconductors are greatly influenced, but various limitations are imposed on fabrication. Accordingly, research on package structure is being actively conducted.

발광 다이오드는 그 특성을 유지하면서 고수명, 고신뢰성을 얻는 것이 무엇보다도 중요하다. 이를 위하여 고출력의 발광 다이오드는 광학적 특성을 향상 시키면서 열 방출을 개선시키기 위해 서브 마운트에 플립칩 본딩으로 방식으로 서브마운트에 실장을 하고, 그 서브마운트를 와이어 본딩을 통한 전기적 연결과 배선 기판에 접착제를 이용한 실장형 방식을 도 1과 같은 방법으로 개발이 되어 왔으며, 패키징 수준에서 열 방출 특성을 개선시키기 위해 표면 실장형 소자(Surface Mounted Device, SMD)로서 도 2,3,4와 같은 방법으로 개발이 되어 왔다.It is most important for the light emitting diode to obtain high life and high reliability while maintaining its characteristics. To this end, high-power LEDs are mounted on submounts by flip-chip bonding to submounts to improve heat dissipation while improving optical properties, and the submounts are electrically connected through wire bonding and adhesives are applied to the wiring board. The mounting method used has been developed in the same manner as in FIG. 1, and in order to improve the heat dissipation characteristics at the packaging level, the surface-mounted device (SMD) has been developed in the same manner as in FIGS. Has been.

도 1은 플립칩(Flip Chip) 발광 다이오드(101)에 전극 패드를 형성하고, 그 전극 패드를 솔더 범프 및 스터드 범프(102)를 이용하여 전극이 형성된 서브마운트(103)에 실장을 한 후에 서브 마운트를 배선 기판(107)의 본딩 패드(106)에 와이어 본딩(104)을 한 형태이다. 서브 마운트는 배선 기판 위에 열 전도성이 좋은 접착제(105)를 이용하여 접착하였다. 플립 칩 발광 다이오드에서 발생한 열은 솔더 범프를 통하여 서브 마운트의 전극 패드에 전달이 되고, 서브 마운트의 하단의 배선 기판으로 방출을 하게 되나, 결정 구조를 가진 서브 마운트에 비하여 서브 마운트에 금(Au) 도금 된 전극 패드로 먼저 전달을 하여 매질이 금으로 된 본드 와이어(104) 에 전달이 된다. 만약 빛의 고출력 신호를 얻고자 입력이 큰 전원을 주기적으로 on/off 하게 되면, 패키지 내에 존재하는 열 전달 장벽층에 의하여 열 전달의 역류(Backlash) 현상이 응력(Stress)으로 발생되어 TiW/Au로 된 서브 마운트 전극 패드의 계면에 접합된 본드 와이어와 Cu/Ni/Au로 된 배선 기판의 본드 패드의 계면에 접합된 본드 와이어가 열 응력으로 떨어지거나, 부가적인 현상으로 본드 와이어가 끊어져서 신호의 단선 현상이 발생하게 된다. 1 shows an electrode pad formed on a flip chip light emitting diode 101, and the electrode pad is mounted on a submount 103 on which electrodes are formed using solder bumps and stud bumps 102. The wire is bonded 104 to the bonding pad 106 of the wiring board 107 by mounting. The submount was bonded onto the wiring board using an adhesive 105 having good thermal conductivity. Heat generated from the flip chip light emitting diode is transferred to the electrode pad of the submount through the solder bumps, and is discharged to the wiring board at the bottom of the submount, but the gold in the submount is lower than that of the submount having the crystal structure. The transfer is first made to the plated electrode pads so that the medium is transferred to the bond wire 104 made of gold. If the input periodically turns on / off a large power source to obtain a high output signal of light, the backlash of heat transfer occurs as a stress due to the heat transfer barrier layer present in the package, causing TiW / Au. The bond wire bonded to the interface of the sub-mount electrode pads and the bond wires bonded to the interface of the bond pads of the wiring board of Cu / Ni / Au fall due to thermal stress, or the bond wire is broken by an additional phenomenon, thereby The disconnection phenomenon will occur.

도 2,3,4는 LED 소자(201a,301a,401a)를 열 방출용 슬러그(201c,301d,401d)에 솔더 및 열 전도성을 높인 접착제(201b,301b,401b)를 이용하여 부착한 후에 다시 배선 기판 위에 열전도성을 향상시킨 접착제 (301d,401e,501f)를 이용하여 부착한 형태이며, 상기 배선 기판은 알루미늄(Al) 또는 구리(Cu), 높은 열전도도를 가진 세라믹(SiC, AlN, AlSiC)과 같은 재질의 열 확산 기판(204,304,404)위에 배선층(203,302,402)과 도통이 되지 않도록 절연층(202,303,403)을 접착(Lamination)을 하였다. 상기 배선 기판과 열 방출용 슬러그(201c,301d,401d)와는 열전도성을 향상 시킨 접착제 또는 솔더(201d,301e,401f)를 이용하여 부착을 하며, 상기 반사컵은 발광 다이오드의 배광각과 휘도의 특성을 향상시키기 위하여 부착된다. 발광 다이오드에서 발생되는 열은 전도 및 대류, 복사 등의 3가지 방법에 의하여 동시에 방출되며, 발광 다이오드에 연결된 매개체들의 열전도도가 높은 순서로 열전달이 이루어지게 되므로, 열전도도가 0.024 W/mK(@0℃)인 공기로 이루어진 패키지의 외부로 대류 및 복사하는 양 보다 열전도도가 높은 도체 및 반도체로 구성된 패키지 내부로 전달하는 전도의 양이 훨씬 더 크다. 따라서 패키지에서 열 방출은 전도가 우 선하게 된다. 열 방출에 있어 일정 전달 영역으로 열이 전달되는 전도의 원리는 푸리에의 법칙을 따른다. 열전도율은 다음과 같다.2, 3, and 4 show the LED elements 201a, 301a, and 401a attached to the heat dissipating slugs 201c, 301d, and 401d using the adhesives 201b, 301b, and 401b having improved solder and thermal conductivity. It is attached on the wiring board using adhesives (301d, 401e, 501f) with improved thermal conductivity, and the wiring board is made of aluminum (Al) or copper (Cu), ceramics having high thermal conductivity (SiC, AlN, AlSiC). The insulating layers 202, 303, and 403 were laminated on the heat diffusion substrates 204, 304, and 404 of the same material as the wiring layers 203, 302, and 402 so as not to be conductive. The wiring board and the heat dissipating slugs 201c, 301d, and 401d are attached using adhesives or solders 201d, 301e, and 401f having improved thermal conductivity, and the reflecting cups have a light distribution angle and luminance of the light emitting diode. It is attached to improve the properties. Heat generated from the light emitting diode is simultaneously emitted by three methods such as conduction, convection, and radiation. Since the heat transfer is performed in the order of the high thermal conductivity of the medium connected to the light emitting diode, the thermal conductivity is 0.024 W / mK (@ The amount of conduction delivered into the package consisting of conductors and semiconductors with high thermal conductivity is much greater than the amount of convection and radiation out of the package consisting of air. Therefore, the heat dissipation in the package has priority over conduction. In heat dissipation, the principle of conduction in which heat is transferred to a constant transfer area follows Fourier's law. The thermal conductivity is as follows.

여기서, q는 열전도율(heat transfer rate)은 전도되는 매질의 열전도도(k )및 면적(A),거리에 따른 온도의 변화(dT/dx )와 비례하는 것을 알 수 있다. Here, q can be seen that the heat transfer rate is proportional to the thermal conductivity ( k ), area ( A ), and temperature change ( dT / dx ) according to the distance of the conducting medium.

열이 방출되는 경로(Path) 상에 열전도도가 낮은 물질과 좁은 공간을 가지게 되면 열전도율은 떨어지게 되며, 상기 LED내에 열적인 피로(thermal fatigue)가 쌓이게 된다. 상기 LED 내의 N층에 전자가 주입되는 과정에서 반도체의 격자(lattice)상에서 충돌로 인한 산란(scattering)이 발생하게 되는데, 온도가 증가함에 따라 격자 산란(lattice scattering)이 증가하게 된다. 이에 따라 전자의 이동도 및 순방향 전압과 전류의 크기를 감소시키게 되며, 정공과의 결합과 재결합을 감소시키게 되므로, 광 출력의 저하 및 상기 LED의 동작 유무에 크게 영향을 주게 된다. 이 때 전도를 통하여 열을 방출하는 경로 상에 있어 칩에 비하여 상대적인 두께가 두꺼운 층과 열 전도 계수가 낮은 매질은 장벽층의 역할을 하게 된다. 상기 다중 양자 우물 구조(MQW, Multi Quantum Well)의 상하에 위치한 P층과 N층은 0.1 ～ 4㎛로서 열 전도 계수는 130 W/m-K로 비교적 빠른 열 전달이 가능한 구조이나, 상기 솔더 범프의 두께와 열 전도 계수는 각각 20 ~ 60㎛, 50 W/m-K 으로 열 방출 경로가 상대적으로 길고 열 전도 계수도 낮다. 상기 서브 마운트는 상업적으로 Si을 가장 많이 적용하게 되는데 도핑 농도에 따라 열 전도 계수는 다르나, 일반적으 로 150 W/m-K으로 높은 특성을 가진 반면, 두께는 200 ~ 300㎛로서 열이 발생되는 칩의 면적 대비 열을 확산 및 방출하는 경로는 상대적으로 좁고 길다. 상기 도 2,3,4의 구조는 LED로부터 열 방출 확산 기판(204,304,404) 전달 과정에서 열전도도가 낮은 장벽층을 3개 이상 가지게 된다. 상기 첫 번째 장벽층은 도 2,3,4의 상기 LED소자(201a,301a,401a)와 상기 열 방출 슬러그(201c,301d,401d)를 부착하는 상기 열전도도를 높인 접착제 (201d,301e,401f)로서 열전도도는 0.3 W/mK ~ 1 W/mK의 범위를 가지며, 접합 두께는 50~150㎛이다. 두 번째 장벽층은 열 방출 슬러그와 배선 기판의 배선층(203,302,402)을 부착하기 위한 솔더 또는 접착제(201d,301e,401f)로서 솔더는 주석(Sn)과 납(Pb)의 비율에 따라 열전도도는 37 W/mK ~ 55 W/mK의 사이에 분포하고, 열전도도를 높인 접착제의 열전도도는 0.3 W/mK ~ 1 W/mK의 범위를 가지며, 접합 두께는 50~100㎛이다. 세 번째 장벽층은 배선 기판의 절연층(202,303,403)으로서 열전도도는 0.35 ~ 23 W/mK 범위의 재료이고, 두께는 50㎛ 이상이다. 전체적으로 열 전달에 있어 장벽층을 3 ~ 5개 층으로 열 전달 매체의 종류와 두께 및 구조에 따라 LED 소자의 접합 온도 상승에 지대한 영향을 주게 되며, 특히 열전도도가 낮은 접합층이 많고 전달 매질의 두께가 두껍고 면적이 작을 수록 열 전달 경로가 좁고 길어져 열 방출의 장벽으로서 작용하게 된다. 따라서 접합 온도의 상승과 장벽층에 의한 원활하지 않은 열 전달로 인하여 장벽층을 사이에 두고 있는 개체들과 전기적인 배선신호를 배선 기판으로 연결하는 와이어 본딩은 열 피로로 인하여 서브 마운트 및 배선 기판의 접합 계면과 본드 와이어 중간 지점이 상기 두 계면에서의 열 팽창 및 수축에 단선이 발생할 수 있다. 고출력 발광 다이오드에서는 열 방출에 대한 효과적인 대책 없이는 장기적인 구동에 대한 문제점 발생과 성능 및 신뢰성을 저하시키는 원인이 된다.If the material has a low thermal conductivity material and a narrow space on a path through which heat is released, the thermal conductivity decreases, and thermal fatigue accumulates in the LED. When electrons are injected into the N layer in the LED, scattering due to collision occurs on the lattice of the semiconductor, and lattice scattering increases as the temperature increases. Accordingly, the mobility of the electrons and the magnitude of the forward voltage and the current are reduced, and the coupling and recombination of the holes are reduced, which greatly affects the decrease in light output and the operation of the LED. At this time, a layer having a relatively thick thickness and a low thermal conductivity coefficient as a barrier layer acts as a barrier layer in the path of dissipating heat through conduction. The P layer and the N layer located above and below the multi quantum well structure (MQW, Multi Quantum Well) are 0.1 to 4 μm, and the heat conduction coefficient is 130 W / mK, which enables relatively fast heat transfer, but the thickness of the solder bumps And the heat conduction coefficients are 20 to 60㎛ and 50 W / mK, respectively, and the heat dissipation path is relatively long and the heat conduction coefficient is low. The sub-mount is commercially applied to Si the most, the thermal conductivity is different depending on the doping concentration, but generally has a high characteristic of 150 W / mK, while the thickness is 200 ~ 300㎛ of the chip that generates heat The path of spreading and dissipating heat to area is relatively narrow and long. 2, 3, and 4 have three or more barrier layers having low thermal conductivity during the transfer of the heat emission diffusion substrates 204, 304, and 404 from the LEDs. The first barrier layer is the thermally conductive adhesive 201d, 301e, 401f attaching the LED elements 201a, 301a, 401a and the heat dissipating slugs 201c, 301d, 401d of FIGS. ), The thermal conductivity is 0.3 W / mK ~ 1 W / mK range, the bonding thickness is 50 ~ 150㎛. The second barrier layer is solder or adhesive (201d, 301e, 401f) for attaching the heat dissipating slug and the wiring layer (203, 302, 402) of the wiring board. The solder has a thermal conductivity of 37 according to the ratio of tin (Sn) and lead (Pb). The thermal conductivity of the adhesive which was distributed between W / mK to 55 W / mK and increased the thermal conductivity was in the range of 0.3 W / mK to 1 W / mK, and the bonding thickness was 50 to 100 µm. The third barrier layer is an insulating layer 202, 303, 403 of the wiring board, and has a thermal conductivity of 0.35 to 23 W / mK and a thickness of 50 mu m or more. In general, the barrier layer is composed of three to five layers in heat transfer, which greatly influences the junction temperature rise of the LED device depending on the type, thickness, and structure of the heat transfer medium. In particular, there are many bonding layers with low thermal conductivity and The thicker and smaller the area, the narrower and longer the heat transfer path, which acts as a barrier to heat release. Therefore, due to the increase in junction temperature and poor heat transfer by the barrier layer, the wire bonding connecting the electrical wiring signal to the wiring board and the objects interposed between the barrier layer is caused by thermal fatigue. The junction interface and the bond wire intermediate point may cause a break in thermal expansion and contraction at the two interfaces. In high power light emitting diodes, problems with long-term operation and performance and reliability are deteriorated without effective measures for heat dissipation.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로써, 그 목적은 발광 다이오드로의 열 및 방출 과정의 장벽층에 의한 열 응력으로 인한 본드 와이어의 단선을 방지하여 패키지의 신뢰성을 향상시키며, 와이어 본딩 장비 없이 시편을 이용한 간단한 접합 방법을 적용함으로서 제작비용 및 공정비용을 줄일 수 있는 LED 패키지를 제공하는데 있다. The present invention has been made to solve the above problems, the object is to improve the reliability of the package by preventing the disconnection of the bond wire due to the thermal stress by the barrier layer of the heat and emission process to the light emitting diode, It is to provide an LED package that can reduce the manufacturing cost and the process cost by applying a simple bonding method using a specimen without wire bonding equipment.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 와이어 본딩 방식을 적용하지 않는 발광 다이오드 패키징은 측벽이 전기 전도성을 가질 수 있도록 도금된 서브마운트; 상기 서브마운트 상부에 플립칩 방식으로 실장되는 플립칩 발광 다이오드; 상기 서브마운트 실장을 위해 열 전도도가 높고 전기적 비전도성을 가진 접착체를 매립하기 위한 열 확산 접착제 컵이 구비된 배선기판; 상기 서브마운트의 측벽과 상기 배선기판의 본딩패드를 연결하기 위한 시편; 상기 열 확산 접착제 컵내에 형성된 양극과 음극의 단락을 방지하기 위한 댐; 상기 열 확산 접착제컵 하부에 형성된 금속층; 및 상기 배선기판의 배면의 외부로 신호를 연결하기 위한 비아홀을 포함한다.In order to achieve the above object, a light emitting diode packaging that does not apply the wire bonding method of the present invention may include a submount plated so that sidewalls may have electrical conductivity; A flip chip light emitting diode mounted on the submount in a flip chip manner; A wiring board having a heat diffusion adhesive cup for burying an adhesive having high thermal conductivity and electrical non-conductivity for mounting the submount; A specimen for connecting the sidewall of the submount and the bonding pad of the wiring board; A dam for preventing a short circuit between the positive electrode and the negative electrode formed in the heat spreading adhesive cup; A metal layer formed under the heat spreading adhesive cup; And a via hole for connecting a signal to the outside of the rear surface of the wiring board.

본 발명에서 상기 배선 기판의 상층과 하층 및 바닥의 금속층을 매립하는 절연층을 더 포함하고, 상기 절연층은 세라믹, FR-4, 에폭시 중 선택되는 1종 이상의 물질을 이용하는 것이 바람직하다.In the present invention, further comprising an insulating layer filling the upper and lower layers of the wiring board and the metal layer of the bottom, the insulating layer is preferably used at least one material selected from ceramic, FR-4, epoxy.

본 발명에서 상기 절연층은 50㎛이상의 두께를 가지는 것이 바람직하다.In the present invention, the insulating layer preferably has a thickness of 50㎛ or more.

본 발명에서 상기 배선기판에는 상기 배선 기판 배면으로 열 방출의 특성을 높이기 위하여 양각 형태로 가공한 열 방열판을 더 포함하는 것이 바람직하다.In the present invention, it is preferable that the wiring board further includes a heat dissipation plate processed in an embossed form in order to increase the heat dissipation characteristics to the back of the wiring board.

본 발명에서 상기 발광 다이오드와 상기 서브마운트는 솔더 및 스터드 범프를 이용하여 접착되는 것이 바람직하다.In the present invention, the light emitting diode and the submount are preferably bonded using solder and stud bumps.

본 발명에서 상기 열 확산 접착제 컵은 상기 배선기판에 단차가공을 통해 형성되는 것이 바람직하다.In the present invention, the heat diffusion adhesive cup is preferably formed by step machining on the wiring board.

본 발명에서 상기 시편의 형성은 점도가 높은 전도성 접착제를 토출하여 형성하는 것이 바람직하다.In the present invention, the specimen is preferably formed by discharging a conductive adhesive having a high viscosity.

본 발명에서 상기 시편 본딩의 형성은 솔더 페이스트를 이용한 솔더링 방법을 이용하는 것이 바람직하다.In the present invention, the specimen bonding is preferably formed using a soldering method using solder paste.

본 발명에서 방열 특성을 향상시키기 위하여 열 확산 접착제 컵의 하단 부에 캐비티가 형성된 배선 기판에 방열 기판의 돌출부가 삽입되는 것이 바람직하다.In the present invention, it is preferable that the protrusion of the heat dissipation substrate is inserted into the wiring board on which the cavity is formed at the lower end of the heat diffusion adhesive cup in order to improve the heat dissipation characteristics.

상기에서, 상기 서브 마운트에 형성된 전극 패드는 양극(Anode)과 음극(Cathode)이 분리되고, 도금되는 측벽의 사면 내에 제한을 두지 않으며, 단지 양극과 음극이 단락이 되지 않아야 한다. 도금 재질은 전기적 전도성을 가지면서 그 종류에 제한을 두지 않는다. In the above, the electrode pad formed in the sub-mount is separated from the anode and the cathode (Cathode), and is not limited in the slope of the side wall to be plated, only the anode and the cathode should not be a short circuit. The plating material has electrical conductivity and is not limited in kind.

상기 열접착제컵의 형성 방법은 본드 패드와 열접착제컵의 바닥을 형성하는 금속층을 절연 매질로 모두 매립한 상태에서 적외선 파장에 해당하는 레이져를 이용하여 열접착제컵의 형태 만을 남기고 절연 매질을 태워서 없앰으로서 댐과 본드 패드와 바닥 면에 금속층을 남겨서 형성하는 방법을 적용한다. 기계적인 가공을 방법으로 1차적으로 끓어낸 후에 레이져를 이용하여 가공하는 방식을 적용하는 것도 바람직하다.In the method of forming the thermal adhesive cup, both the bond pad and the metal layer forming the bottom of the thermal adhesive cup are filled with an insulating medium, and only the form of the thermal adhesive cup is burned using a laser corresponding to an infrared wavelength, and the insulating medium is burned off. As a method, the dam, the bond pads and the bottom metal layer are formed. It is also preferable to apply the method of processing by using a laser after the first boiling by mechanical processing method.

또한, 화학적인 방법과 기계적인 방식을 혼용하여서 열접착제컵 바닥의 금속층을 미리 매립하고, 시편과 본딩되는 본드 패드 위의 감광성 절연층을 도포를 한 후에 자외선으로 노광(Exposing)을 하여 본드 패드 부위와 열접착제가 매립되는 부위를 없애고, 열접착제컵 바닥의 금속층 위에 형성된 절연층은 레이져를 이용하여 태워내는 방식을 적용할 수 있다. In addition, by mixing a chemical method and a mechanical method, the metal layer at the bottom of the thermal adhesive cup is buried in advance, the photosensitive insulating layer on the bond pad bonded to the specimen is applied, and then exposed to ultraviolet light to expose the bond pad area. And a portion where the thermal adhesive is buried, and the insulating layer formed on the metal layer of the bottom of the thermal adhesive cup may be burned using a laser.

상기 열접착제는 서브마운트 측벽의 도금층과 단락이 발생되지 않도록 전기적으로 비전도성 이면서, 열전도도가 높은 특성을 가지고 있다.The thermal adhesive is electrically non-conductive and has high thermal conductivity so that a short circuit with the plating layer of the submount sidewall does not occur.

상기 시편은 서브마운트 측벽과 배선 기판의 본딩 패드와 단락이 되도록 높은 전기 전도도를 가지고 있으며, 형성 방법으로는 고점도의 접착제 원액을 투액 장비(Dispensing Machine) 이용하여 서브마운트의 측벽과 배선 기판의 본드패드 사이에 투액한 후에 건조를 하여 형성한다.The specimen has a high electrical conductivity so as to be short-circuit with the submount sidewall and the bonding pad of the wiring board, and the forming method is a high viscosity adhesive stock solution using a dispensing machine to bond the sidewall of the submount and the bonding pad of the wiring board. It forms by pouring after pouring in between.

솔더 페이스트를 이용하는 방법으로 열접착제컵 내에 형성된 댐과 열 접착제 위에 부착된 서브마운트의 공극 보다 큰 솔더볼로 구성된 솔더 페이스트를 투액 또는 인쇄하여 고온에서 솔더링을 하여 형성하는 것도 바람직하다.It is also preferable to form a solder paste at a high temperature by pouring or printing a solder paste composed of a solder ball larger than a gap formed in a thermal adhesive cup and a gap of a submount attached to the thermal adhesive.

또한, 고체 형태의 솔더 시편을 제작하여 서브 마운트 측벽과 배선 기판의 본딩 패드 사이에 놓고 고온에서 솔더링을 할 수 있다. In addition, a solid solder specimen may be fabricated and placed between the sub-mount sidewall and the bonding pad of the wiring board to be soldered at a high temperature.

상기 열접착제컵 내에 형성된 댐은 절연물질로서 상기 열접착제컵을 형성시에 동시 형성되며, 양측에 형성된 댐 간의 거리가 서브 마운트의 크기보다 크나, 솔더 페이스트를 구성하고 있는 여러 개의 솔더볼의 크기 보다는 작다.The dam formed in the thermal adhesive cup is formed at the same time as the insulating material as the thermal adhesive cup is formed, the distance between the dam formed on both sides is larger than the size of the sub-mount, but smaller than the size of several solder balls constituting the solder paste .

상기 열접착제컵의 바닥에 형성된 금속층은 배선 기판을 형성시 다층으로 접합(Lamination)되기 전에 미리 형성하여 레이져로 가공시에 금속층 하면이 가공되지 않도록 하는 레지스트(Resist) 역할을 하며, 금속층 상면에 도포 또는 접합되는 절연 물질의 두께로서 열접착제컵의 깊이를 조정할 수 있다. The metal layer formed on the bottom of the thermal adhesive cup is formed in advance before lamination in a multilayer when forming a wiring board, and serves as a resist to prevent the bottom of the metal layer from being processed during laser processing, and applied to the top of the metal layer. Alternatively, the depth of the thermal adhesive cup can be adjusted as the thickness of the insulating material to be bonded.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명하기로 한다. 하기의 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하며, 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In adding reference numerals to components of the following drawings, it is determined that the same components have the same reference numerals as much as possible even if displayed on different drawings, and it is determined that they may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention. Detailed descriptions of well-known functions and configurations will be omitted.

도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 일 실시예에 따른 LED 패키지의 사시도 및 단면도이다.5A to 5C are a perspective view and a cross-sectional view of the LED package according to an embodiment of the present invention.

상기 실시예에서, LED 패키지는 플립칩 발광 다이오드(502); 서브 마운트 위에 플립칩을 실장하기 위한 솔더(Solder) 및 스터드(Stud) 범프(502a); 배선 기판 의 본딩 패드와 서브 마운트의 측벽과 연결을 위한 시편 접착(Fragment Bonding)(501); 측벽이 도금된 서브마운트(503); 도금된 서브마운트에 측벽(504); 양극과 음극의 단락을 방지하기 위한 댐(505); 반사컵(511)과 상층의 본딩 패드 및 배선과의 단락을 방지하기 위한 절연층(506);서브 마운트와 배선 기판을 접착하기 위한 열 특성을 향상 시킨 접착제와 그 접착제를 담고 있는 열접착제컵(507);서브 마운트에 연결된 본드 시편이 배선 기판에 연결되는 본딩 패드(508); 배선 기판의 상층과 하층 및 열접착제컵 바닥의 금속층을 매립하고 있는 절연층(509); 배선 기판의 배면의 외부로 신호를 연결하기 위한 패드와의 층간 연결 비아홀(510); 발광 다이오드로부터 방출되는 빛을 반사하는 반사컵(511) 및 열접착제컵 바닥의 금속층을 포함한다.In this embodiment, the LED package includes a flip chip light emitting diode 502; Solder and stud bumps 502a for mounting flip chips on the sub-mounts; Fragment Bonding 501 for connection with the bonding pads of the wiring board and the sidewalls of the submount; A submount 503 with sidewalls plated thereon; Sidewalls 504 on the plated submount; A dam 505 for preventing a short circuit between the positive electrode and the negative electrode; An insulating layer 506 for preventing a short circuit between the reflective cup 511 and the bonding pad and wiring of the upper layer; an adhesive having improved thermal properties for bonding the sub mount and the wiring board, and a thermal adhesive cup containing the adhesive ( A bonding pad 508 to which a bond specimen connected to the sub mount is connected to the wiring board; An insulating layer 509 filling the upper and lower layers of the wiring board and the metal layer at the bottom of the heat adhesive cup; An interlayer connection via hole 510 with a pad for connecting a signal to the outside of the back surface of the wiring board; A reflective cup 511 reflects light emitted from the light emitting diode and a metal layer at the bottom of the thermal adhesive cup.

상기 실시예는, 발광다이오드가 와이어 없이 접착되는 구성을 개략적으로 나타낸 것이다.The above embodiment schematically shows a configuration in which the light emitting diodes are bonded without wires.

상기 배선 기판의 절연층(509)은 LTCC 및 HTCC, PCB의 층간 절연 물질인 세라믹, FR-4, 에폭시로서 50㎛ 이상의 두께를 가지며, 배선층은 양면, 다층 기판으로 형성이 모두 가능하다. The insulating layer 509 of the wiring board has a thickness of 50 μm or more as LTCC and HTCC, an interlayer insulating material of PCB, FR-4, and epoxy, and the wiring layer may be formed of both sides and a multilayer board.

상기 시편본딩은 높은 점도의 솔더 페이스트를 디스펜싱 머신을 이용하여 토출 및 모양을 유지하면서 리플로우한다. 일정크기의 Sn/Pb시편을 가공하여 Si서브마운트와 본딩 패드 사이에 위치하여 리플로우한다. 도전성 유기 페이스트를 디스펜싱 머신을 이용하여 토출 및 모양을 유지하면서 큐링(curing)하는 것도 바람직하다.The specimen bonding reflows the high viscosity solder paste while dispensing and maintaining the shape using a dispensing machine. Sn / Pb specimens of a certain size are processed and placed between the Si submount and the bonding pads for reflow. It is also preferable to cure the conductive organic paste while discharging and maintaining the shape using a dispensing machine.

상기 유전층은 일정 두께를 도포 또는 라미네이팅한다. 유기물질로는 에폭시 또는 PCB의 주재료인 에폭시로서의 유기물질을 사용하는 것이 바람직하며, 비유기물질로는 LTCC/HTCC에 적용될 수 있는 세라믹 물질이 바람직하다.The dielectric layer is applied or laminated to a certain thickness. As the organic material, it is preferable to use an organic material as epoxy, which is a main material of epoxy or PCB, and as the inorganic material, a ceramic material which can be applied to LTCC / HTCC is preferable.

상기 댐은 PCB 또는 LTCC를 이용하여 형성된다. 상기 PCB를 사용하는 경우 유전체층 하단에 레지스트 금속 P/T를 형성하여 레이저 드릴링을 하거나, SR 잉크를 사용하는 경우 포토 이미징 방식으로 경화 및 모양을 형성하여 본딩 패드를 형성한다.The dam is formed using a PCB or LTCC. In the case of using the PCB, a resist metal P / T is formed on the bottom of the dielectric layer to perform laser drilling, or in the case of using SR ink, curing and shape are formed by photo imaging to form a bonding pad.

상기 LTCC를 사용할 경우 그린 시트를 미리 가공하여 접합하거나, 레이저 드릴링을 이용한다.When the LTCC is used, the green sheet is processed in advance and bonded or laser drilling is used.

이하, 상기 LED 패키지의 제작방법을 통하여 본 발명의 구성을 보다 상세하게 살펴보도록 한다.Hereinafter, the configuration of the present invention through the manufacturing method of the LED package in more detail.

우선, PCB 또는 LTCC 로(raw) 물질(601)을 준비한다(도 6a). 이후, 상기 물질(601) 하부의 소정의 공간인 트렌치를 형성(602)한다(도 6b). 상기 트렌치 형성 방법으로는 핀을 이용한 펀칭 방법이나, 드릴 방식을 이용하는 것이 바람직하다. First, a raw material 601 is prepared by PCB or LTCC (FIG. 6A). A trench is then formed 602 which is a predetermined space underneath the material 601 (FIG. 6B). As the trench forming method, it is preferable to use a punching method using a pin or a drill method.

이후, 상기 물질 상부에 소정의 전극(603)을 패터닝 하고 상기 패터닝 된 전극 하부로 비아홀을 형성한다(도 6c). 상기 비아홀은 드릴링 또는 펀칭을 통하여 형성되는 것이 바람직하다.Thereafter, a predetermined electrode 603 is patterned on the material, and a via hole is formed below the patterned electrode (FIG. 6C). The via hole is preferably formed through drilling or punching.

다음으로, 상기 상부에 전극이 패터닝 된 물질 상부에 열 페이스트 컵(604)을 형성하고, 중앙에 홀 또는 트렌치를 형성한다(도 6d). 상기 페이스트 컵은 레이져 드릴링 방법에 의해서 형성되고, 상기 중앙의 홀 또는 트렌치는 레이져 또는 기 계적인 드릴 및 밀링 형성되는 것이 바람직하다.Next, a thermal paste cup 604 is formed on the material on which the electrode is patterned, and a hole or a trench is formed in the center (FIG. 6D). The paste cup is formed by a laser drilling method, and the central hole or trench is preferably formed by laser or mechanical drill and milling.

이후, 상기 PCB 또는 LTCC 물질을 제거하고, 상기 홀 또는 트렌치의 중심으로 금속기판(605)을 조립한다(도 6e). <삭제> 배선 기판 배면으로 열 방출의 특성을 높이기 위하여 배선 기판에 양각 형태로 가공한 열 방열판을 삽입하기 위하여 상기 열 방열판의 형상과 동일하게 형성을 하고 그 측벽은 도금을 하여 솔더를 이용한 솔더링(Soldering), 브래이징(Bragging)으로 접합을 하거나, 접착제를 이용하여 부착하는 방식을 적용하며, 이때 열접착제컵 바닥의 금속층은 배선 기판 제작시 형성하지 않아도 되며, 단지 열 방열판의 양각 부분의 높이를 조정함으로서 열접착제컵의 깊이를 조정할 수 있다. Thereafter, the PCB or LTCC material is removed, and a metal substrate 605 is assembled to the center of the hole or trench (FIG. 6E). <Deleted> In order to insert the heat radiating plate processed into the embossed shape on the wiring board to enhance the characteristics of heat dissipation on the back side of the wiring board, it is formed in the same shape as the heat radiating plate and the sidewalls are plated and soldered using solder ( Soldering, brazing, or bonding using an adhesive is applied. At this time, the metal layer of the bottom of the thermal adhesive cup does not need to be formed during the manufacture of the wiring board. By adjusting, the depth of the heat adhesive cup can be adjusted.

다음으로 상기 홀 또는 트렌치가 형성된 부분에 열 페이스트(607)를 도포한다(도 6f). 상기 열 페이스트는 전기적인 비전도성 재료이며 열전도도가 높은 물질로 이루어지는 것이 바람직하다.Next, a thermal paste 607 is applied to a portion where the hole or trench is formed (FIG. 6F). The thermal paste is preferably an electrically nonconductive material and is made of a material having high thermal conductivity.

이후, 상기 홀 또는 트렌치에 서브마운트를 포함한 플립칩 LED(608)를 실장한다(도 6g). 상기 서브마운트를 포함한 플립칩 LED와 상기 열 페이스트 상부에 적층되는 방법은 도 5b에 자세하게 도시되어 있다. 상기 플립칩 LED 하부와 서브 마운트 사이에는 솔더와 스터드 범프가 구비되고, 별도의 와이어 없이 부착된다.Thereafter, a flip chip LED 608 including a submount is mounted in the hole or trench (FIG. 6G). The flip chip LED including the submount and the method of stacking on top of the thermal paste are shown in detail in FIG. 5B. Solder and stud bumps are provided between the flip chip LED bottom and the sub-mount, and are attached without a separate wire.

상기 서브마운트를 포함한 플립칩 LED가 실장된 이후 상기 배선전극과의 연결을 위해 시편접착(609)이 이루어진다(도 6h). 상기 시편은 상기에서 형성된 비아홀과의 연결을 위해서 형성되며, 상기 시편을 본딩한 후 리플렉터(610)가 적층된다(도 6i).After the flip chip LED including the submount is mounted, a specimen adhesion 609 is performed for connection with the wiring electrode (FIG. 6H). The specimen is formed for connection with the via hole formed above, and the reflector 610 is laminated after the specimen is bonded (FIG. 6I).

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 리플렉터의 확대도이다. 상기 리플렉터는 상기 LED에서 방출되는 빛을 반사시켜 효율적으로 방사되도록 하기 위한 것으로 상기 열 페이스트 상부에 적층되는 것이 바람직하다. 솔더 페이스트를 이용시 솔더 페이스트가 고온 솔더링에 의하여 배선 기판의 본딩 패드와 서브 마운트의 사이에 매립되어진 형태이다.7 is an enlarged view of a reflector according to an embodiment of the present invention. The reflector is for reflecting the light emitted from the LED to be efficiently radiated and is preferably stacked on the thermal paste. When the solder paste is used, the solder paste is embedded between the bonding pad and the sub-mount of the wiring board by high temperature soldering.

도 8a 내지 도 8c는 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 도 6e에서 금속 기판 또는 고열 유전 세라믹이 형성된 단면도이다.8A to 8C are cross-sectional views of a metal substrate or a high temperature dielectric ceramic in FIG. 6E according to an embodiment of the present invention.

상기 실시예에서, 도 8a는 상기 도 6f에서 형성된 금속기판과 동일하다.8A is the same as the metal substrate formed in FIG. 6F.

도 8a 및 도 8c를 참조하면, 배선 기판 배면으로 열 방출의 특성을 높이기 위하여 배선 기판에 매립 비아홀을 가공하여 비아홀 내부를 열전도성이 높은 충진제로 채우고, 그 위에 도전층을 도금한 후에 상기 매립 비아홀 상,하층에 절연 물질을 도포 또는 접합(Lamination)하여 상층은 서브 마운트를 부착하기 위한 열접착제컵을 가공하고 하층은 외부로 열이 빠져 나갈 수 있도록 가공한 구조이다.Referring to FIGS. 8A and 8C, in order to improve heat dissipation characteristics on the back surface of a wiring board, a buried via hole is processed in the wiring board to fill the via hole with a high thermally conductive filler, and the conductive via hole is plated thereon. The upper and lower layers are coated or laminated with an insulating material, and the upper layer is processed to a heat adhesive cup for attaching a sub-mount, and the lower layer is processed to allow heat to escape to the outside.

상기와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.As described above, it has been described with reference to the preferred embodiment of the present invention, but those skilled in the art various modifications and changes of the present invention without departing from the spirit and scope of the present invention described in the claims below I can understand that you can.

상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 발광 다이오드로의 열 및 방출 과정의 장벽층에 의한 열 응력으로 인한 본드 와이어의 단선을 방지하여 패키지의 신뢰성을 향상 시키며, 와이어 본딩 장비 없이 시편을 이용한 간단한 접합 방법을 적용함으로서 제작 비용 및 공정 비용을 줄일 수 있다.As described above, according to the present invention, the reliability of the package is improved by preventing the disconnection of the bond wire due to the thermal stress caused by the barrier layer during the heat and emission to the light emitting diode, and the simple bonding method using the specimen without the wire bonding equipment. By applying this, manufacturing cost and process cost can be reduced.

Claims (10)

측벽이 전기 전도성을 가질 수 있도록 도금된 서브마운트; 상기 서브마운트 상부에 플립칩 방식으로 실장되는 플립칩 발광 다이오드; 상기 서브마운트 실장을 위해 전기적 비전도성을 가진 접착체를 매립하기 위한 열 확산 접착제 컵이 구비된 배선기판; 상기 서브마운트의 측벽과 상기 배선기판의 본딩패드를 연결하기 위해 전도성 접착제를 토출하여 형성된 시편; 상기 열 확산 접착제 컵내에 형성된 양극과 음극의 단락을 방지하기 위한 댐; 상기 열 확산 접착제컵 하부에 형성된 금속층; 및 상기 배선기판의 배면의 외부로 신호를 연결하기 위한 비아홀을 포함하는 와이어 본딩 방식을 적용하지 않는 발광 다이오드 패키징.A submount plated such that the sidewalls are electrically conductive; A flip chip light emitting diode mounted on the submount in a flip chip manner; A wiring board having a heat diffusion adhesive cup for burying an adhesive having electrical non-conductivity for mounting the submount; A specimen formed by discharging a conductive adhesive to connect the sidewall of the submount and the bonding pad of the wiring board; A dam for preventing a short circuit between the positive electrode and the negative electrode formed in the heat spreading adhesive cup; A metal layer formed under the heat spreading adhesive cup; And a via hole for connecting a signal to an outside of a rear surface of the wiring board. 제 1항에 있어서, 상기 배선 기판의 상층과 하층 및 바닥의 금속층을 매립하는 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩 방식을 적용하지 않는 발광 다이오드 패키징.The LED package of claim 1, further comprising an insulating layer filling the upper, lower, and bottom metal layers of the wiring board. 제 2항에 있어서, 상기 절연층은 세라믹, FR-4, 에폭시 중 선택되는 1종 이상의 물질을 이용하는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩 방식을 적용하지 않는 발광 다이오드 패키징.3. The LED package of claim 2, wherein the insulating layer uses at least one material selected from ceramic, FR-4, and epoxy. 제 2항에 있어서, 상기 절연층은 50㎛이상의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩 방식을 적용하지 않는 발광 다이오드 패키징.The light emitting diode packaging of claim 2, wherein the insulating layer has a thickness of 50 µm or more. 제 1항에 있어서, 상기 배선기판에는 상기 배선 기판 배면으로 열 방출의 특성을 높이기 위하여 양각 형태로 가공한 열 방열판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩 방식을 적용하지 않는 발광 다이오드 패키징.2. The LED package of claim 1, wherein the wiring board further comprises a heat dissipation plate processed in an embossed form in order to increase heat dissipation characteristics on the back surface of the wiring board. 제 1항에 있어서, 상기 배선 기판은 열 방출을 높이기 위한 열 확산 접착제 컵 하단 부에 형성된 매립된 비아 홀을 구비한 것을 특징으로 하는 와이어 본딩 방식을 적용하지 않는 발광 다이오드 패키징.The LED package of claim 1, wherein the wiring board is provided with a buried via hole formed in a lower end portion of a heat spreading adhesive cup to increase heat dissipation. 제 1항에 있어서, 상기 열 확산 접착제 컵은 상기 배선기판에 단차가공을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩 방식을 적용하지 않는 발광 다이오드 패키징.The light emitting diode packaging of claim 1, wherein the heat diffusion adhesive cup is formed on the wiring board through stepwise processing. 삭제delete 제 1항에 있어서, 상기 시편 본딩의 형성은 솔더 페이스트를 이용한 솔더링 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩 방식을 적용하지 않는 발광 다이 오드 패키징.2. The light emitting diode packaging of claim 1, wherein the specimen bonding is performed using a soldering method using solder paste. 제 1항에 있어서, 방열 특성을 향상시키기 위하여 열 확산 접착제 컵의 하단 부에 캐비티가 형성된 배선 기판에 방열 기판의 돌출부가 삽입되는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩 방식을 적용하지 않는 발광 다이오드 패키징.The LED package of claim 1, wherein a protrusion of the heat dissipation substrate is inserted into a wiring board having a cavity formed at a lower end portion of the heat spreading adhesive cup to improve heat dissipation characteristics.

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