KR100721056B1 - Method of metal patterning on the surface by using magnetic material structure and device for the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 자성체가 적용되는 물리적 구조물을 이용하여 임의의 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 회로 패턴 정보를 갖는 마스크를 유리판이 아닌 자석 또는 금속 패턴으로 대체함으로써 현상 및 식각 과정과 같은 화학적이고, 광학적인 과정의 생략이 가능하여 웨이퍼의 표면에 금속 패턴을 형성할 수 있을 뿐만 아니라, 사진 감광 기법과 화학적 에칭을 생략하면서도 물리적 금속 패턴을 형성할 수 있어 감광막, 화학적 식각 장치를 이용하는 공정에서 필요로 하는 감광액, 화학 약품 등의 소모성 재료가 요구되지 않으며, 이로 인해 반도체 공정에서 높은 정밀도가 요구되는 기존의 리소그래피 공정을 적용할 필요가 없는 낮은 정밀도를 갖는 공정의 대체가 가능한 자성체가 적용되는 물리적 구조물을 이용하여 임의의 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 장치 및 방법을 제공하기 위한 것으로서, 그 기술적 구성은 반도체 공정 중 웨이퍼 기판에 패턴을 형성하기 위한 장치에 있어서, 패턴이 형성되기 위한 반도체 웨이퍼 기판; 상기 반도체 웨이퍼 기판의 상부에 위치하되, 반도체 웨이퍼 기판을 고정시키기 위한 고정 구조물; 상기 반도체 웨이퍼 기판의 하부에 위치하되, 그 중심부에 형성되는 패턴공과, 상기 패턴공 외주연의 근접되는 적소에 환형으로 형성되는 보조 패턴공으로 이루어지는 패턴 형성체; 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to an apparatus and method for forming an arbitrary metal film pattern on a surface of a material by using a physical structure to which a magnetic material is applied, and developing and etching by replacing a mask having circuit pattern information with a magnet or a metal pattern instead of a glass plate. It is possible to omit chemical and optical processes such as processes to form a metal pattern on the surface of the wafer, and to form a physical metal pattern while omitting photosensitive techniques and chemical etching. Consumable materials such as photoresist, chemicals, etc., which are required in the process using the same, are not required. As a result, a magnetic material capable of replacing a process having a low precision that does not need to apply a conventional lithography process requiring high precision in a semiconductor process is required. Using a physical structure to which Serves to provide an apparatus and method for forming a pattern on a material surface sokmak, the technical construction is a substrate for a semiconductor wafer is provided an apparatus for forming a pattern on a substrate wafer of a semiconductor process, a pattern is formed; A fixing structure positioned on the semiconductor wafer substrate to fix the semiconductor wafer substrate; A pattern forming body disposed below the semiconductor wafer substrate, the pattern forming body formed at a central portion thereof, and an auxiliary pattern hole formed in an annular shape at an adjacent position of an outer circumference of the pattern hole; Characterized in that comprises a.

반도체 웨이퍼 기판, 패턴 형성체, 고정 구조물, 자성체, 자성 반응 물질, 패턴공, 보조 패턴공, 고정 삽입물, 비자성 물질 Semiconductor wafer substrate, pattern forming body, fixed structure, magnetic material, magnetic reactant, pattern hole, auxiliary pattern hole, fixed insert, nonmagnetic material

Description

자성체가 적용되는 물리적 구조물을 이용하여 임의의 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 장치 및 방법{Method of metal patterning on the surface by using magnetic material structure and device for the same}Method and metal patterning on the surface by using magnetic material structure and device for the same}

도 1a, 1b는 본 발명에 의한 자성체가 적용되는 물리적 구조물을 이용하여 임의의 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 장치의 구성을 개략적으로 나타내는 도면,1A and 1B schematically show the configuration of an apparatus for forming an arbitrary metal film pattern on a surface of a material using a physical structure to which a magnetic material according to the present invention is applied;

도 2는 본 발명에 의한 자성체가 적용되는 물리적 구조물을 이용하여 임의의 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 장치의 사용예를 개략적으로 나타내는 도면,2 is a view schematically showing an example of use of the apparatus for forming an arbitrary metal film pattern on the surface of a material by using a physical structure to which the magnetic material according to the present invention is applied;

도 3은 본 발명에 의한 자성체가 적용되는 물리적 구조물을 이용하여 임의의 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 장치에 따른 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 방법을 나타내는 흐름도,3 is a flowchart illustrating a method of forming a metal film pattern on a material surface according to an apparatus for forming an arbitrary metal film pattern on a material surface using a physical structure to which the magnetic material according to the present invention is applied;

도 4a, 4b는 본 발명에 의한 자성체가 적용되는 물리적 구조물을 이용하여 임의의 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 장치의 구성에 따른 일 실시예를 개략적으로 나타내는 도면,4A and 4B schematically illustrate an embodiment according to the configuration of an apparatus for forming an arbitrary metal film pattern on a surface of a material by using a physical structure to which a magnetic material according to the present invention is applied;

도 5a, 5b는 본 발명에 의한 자성체가 적용되는 물리적 구조물을 이용하여 임의의 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 장치의 구성에 따른 다른 실시예를 개 략적으로 나타내는 도면,5a and 5b schematically show another embodiment according to the configuration of an apparatus for forming an arbitrary metal film pattern on a surface of a material using a physical structure to which a magnetic material according to the present invention is applied;

도 6은 본 실시예에 의한 장치의 사용예를 개략적으로 나타내는 도면,6 schematically shows an example of use of the apparatus according to the present embodiment;

도 7은 본 실시예에 의한 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 방법을 나타내는 흐름도,7 is a flowchart showing a method of forming a metal film pattern on a material surface according to the present embodiment;

도 8a, 8b는 본 실시예에 의한 장치의 일 실시예를 개략적으로 나타내는 도면.8a, 8b schematically show an embodiment of the apparatus according to the present embodiment;

** 도면 중 주요부분에 대한 부호의 설명 **** Explanation of symbols for main parts of the drawing **

1 : 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 장치,1: an apparatus for forming a metal film pattern on a material surface,

10 : 반도체 웨이퍼 기판, 30 : 고정 구조물,10: semiconductor wafer substrate, 30: fixed structure,

31 : 배열공, 33 : 보조 배열공,31: array hole, 33: auxiliary array hole,

35 : 고정 삽입물, 50 : 패턴 형성체,35: fixed insert, 50: pattern forming body,

51 : 패턴공, 53 : 보조 패턴공.51: pattern ball, 53: auxiliary pattern ball.

본 발명은 자성체가 적용되는 물리적 구조물을 이용하여 임의의 금속 패턴을 소재 표면에 형성하는 방법 및 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 회로 패턴 정보를 갖는 마스크를 유리판이 아닌 자석 또는 금속 패턴으로 대체함으로써 현상 및 식각 과정과 같은 화학적이고, 광학적인 과정의 생략이 가능하여 웨이퍼의 표면에 금속 패턴을 형성할 수 있을 뿐만 아니라, 사진 감광 기법과 화학적 에칭을 생략하면서도 물리적 금속 패턴을 형성할 수 있어 감광막, 화학적 식각 장치를 이용하는 공정에서 필요로 하는 감광액, 화학 약품 등의 소모성 재료가 요구되지 않으며, 이로 인해 반도체 공정에서 높은 정밀도가 요구되는 기존의 리소그래피 공정을 적용할 필요가 없는 낮은 정밀도를 갖는 공정의 대체가 가능한 자성체가 적용되는 물리적 구조물을 이용하여 임의의 금속 패턴을 소재 표면에 형성하는 방법 및 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a method and apparatus for forming an arbitrary metal pattern on a surface of a material using a physical structure to which a magnetic material is applied, and more particularly, by replacing a mask having circuit pattern information with a magnet or a metal pattern rather than a glass plate. It is possible to omit chemical and optical processes such as development and etching processes to form metal patterns on the surface of the wafer, and to form physical metal patterns without omitting photolithography and chemical etching. Consumable materials such as photoresist, chemicals, etc. are not required in the process using the chemical etching device, which is a substitute for low precision processes that do not require the application of conventional lithography processes requiring high precision in semiconductor processes. Physical structures to which magnetic materials are applied The present invention relates to a method and an apparatus for forming an arbitrary metal pattern on a material surface.

일반적으로, 반도체 공정 중 실리콘 웨이퍼의 표면에 원하는 패턴을 그대로 옮겨 집적하는 기술인 리소그래피(Lithography) 공정은 실리콘 칩의 표면에 만들고자 하는 패턴을 빛으로 촬영한 수지를 칩 표면에 고정한 후 화학 처리나 확산 처리하는 기술을 일컬으며, 이러한 리소그래피 공정의 핵심은 짧은 파장의 빛을 사용하여 높은 정밀도를 얻는 것이다.In general, a lithography process is a technology in which a desired pattern is transferred to a surface of a silicon wafer as it is and is integrated in a semiconductor process. The key to this lithography process is the use of short wavelengths of light to achieve high precision.

여기서, 리소그래피 공정에 필요한 주요 요소는 마스크, 감광막, 자외선, 식각 과정이다.Here, the main elements required for the lithography process are a mask, a photoresist, an ultraviolet ray, and an etching process.

즉, 마스크는 제작하고자 하는 패턴 정보를 가지고 있는 유리판으로서, 패턴이 있는 부분은 어둡게 형성되고, 나머지 부분은 투명하게 형성된다.That is, the mask is a glass plate having the pattern information to be produced, where the patterned part is formed dark, and the remaining part is formed transparent.

그리고, 감광막(Photoresist)이라 하는 감광 물질의 얇은 막을 웨이퍼에 도포(Coating)한 후 감광막이 도포되는 웨이퍼 기판의 상부에 패턴이 형성되는 마스 크를 정렬시키고, 마스크의 상부에서 자외선(UV : Ultra Violet)을 조사한다.Then, after coating a thin film of a photoresist material (Photoresist) on the wafer (Coating), the mask to form a pattern is arranged on the upper portion of the wafer substrate to which the photoresist is applied, and the ultraviolet (UV: Ultra Violet) in the upper portion of the mask ).

상술한 바와 같이, 마스크의 상부에서 자외선을 조사하면 웨이퍼에 패턴이 옮겨진다.As described above, when ultraviolet rays are irradiated from the top of the mask, the pattern is transferred to the wafer.

여기서, 감광액은 점착성의 유기 용액으로서, 웨이퍼 기판의 표면에 필요한 양 만큼의 감광액을 분사한 후 스피너(Spinner)로 웨이퍼 기판을 수천 rpm의 속도로 회전시키면 웨이퍼 기판의 표면상에 균일한 얇은 막이 형성된다.Here, the photosensitive liquid is a tacky organic solution, and after spraying the required amount of the photosensitive liquid on the surface of the wafer substrate, and rotating the wafer substrate at a speed of several thousand rpm with a spinner, a uniform thin film is formed on the surface of the wafer substrate. do.

이렇게 웨이퍼 기판의 표면상에 얇은 막 형태로 형성되는 감광액은 빛에 노출되면 그 물리적 특성이 변화하며, 이를 이용하여 마스크에 형성되는 패턴을 실리콘 웨이퍼 기판 상에 옮길 수 있다.The photoresist formed in the form of a thin film on the surface of the wafer substrate changes its physical properties when exposed to light, and the pattern formed on the mask can be transferred onto the silicon wafer substrate using the photoresist.

한편, 웨이퍼 기판의 상부에 마스크를 위치시킨 후 자외선을 조사하여 웨이퍼 기판에 패턴을 형성한 후 그 표면에 형성되는 감광액을 현상액 용매로 용해시키면 제작하고자 하는 회로 패턴의 웨이퍼 기판의 제작이 완료된다.On the other hand, after placing the mask on top of the wafer substrate and irradiated with ultraviolet rays to form a pattern on the wafer substrate, the photosensitive liquid formed on the surface is dissolved in a developer solvent to complete the manufacture of the wafer pattern of the circuit pattern to be produced.

상술한 바와 같이 웨이퍼 기판에 패턴을 형성하는 리소그래피 공정은 특정 패턴을 형성하기 위하여 여러 단계의 공정을 필요로 하며,As described above, a lithography process for forming a pattern on a wafer substrate requires several steps to form a specific pattern.

마스크, 에칭 등의 복잡한 광학적이며 화학적인 공정 등이 포함되어 있기 대문에 필요한 제작 시설 및 제작 공정이 복잡하다.Complex optical and chemical processes such as masks and etching are included, which makes the manufacturing facilities and manufacturing processes necessary.

다시 말하면, 웨이퍼 기판상에 패턴을 형성하기 위하여 사진 감광 기법과 화학적 에칭 공정, 즉 현상과 식각 공정이 포함되어 있어 제작 시설 및 제작 공정이 복잡하고, 제작을 위한 감광액 등의 소모성 화학 약품을 필요로 하기 때문에 제작 비용이 증대된다는 문제점이 있었다.In other words, in order to form a pattern on a wafer substrate, a photosensitive technique and a chemical etching process, that is, a development and an etching process are included, and thus a manufacturing facility and a manufacturing process are complicated, and a consumable chemical such as a photoresist for manufacturing is required. Therefore, there was a problem that the production cost is increased.

본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 회로 패턴 정보를 갖는 마스크를 유리판이 아닌 자석 또는 금속 패턴으로 대체함으로써 현상 및 식각 과정과 같은 화학적이고, 광학적인 과정의 생략이 가능하여 웨이퍼의 표면에 금속 패턴을 형성할 수 있을 뿐만 아니라, 사진 감광 기법과 화학적 에칭을 생략하면서도 물리적 금속 패턴을 형성할 수 있어 감광막, 화학적 식각 장치를 이용하는 공정에서 필요로 하는 감광액, 화학 약품 등의 소모성 재료가 요구되지 않으며, 이로 인해 반도체 공정에서 높은 정밀도가 요구되는 기존의 리소그래피 공정을 적용할 필요가 없는 낮은 정밀도를 갖는 공정의 대체가 가능하고, 방사선 반도체 검출기의 금속 전극 형성 시 노이즈 감소방법으로 사용하고 있는 가드링 구조를 형성하는 공정을 단순화시킬 수 있으며, 회로 패턴이 단순할 경우 기존의 화학적인 다단계 과정을 거치지 않아 작업이 매우 효과적이고, 다양한 금속막 형태를 형성할 수 있으며, 작업 시설을 감소시킬 뿐만아니라, 작업 공정을 간편화할 수 있는 자성체가 적용되는 물리적 구조물을 이용하여 임의의 금속 패턴을 소재 표면에 형성하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made to solve the above problems, and by replacing the mask having circuit pattern information with a magnet or metal pattern instead of a glass plate, it is possible to omit chemical and optical processes such as development and etching processes. Not only can the metal pattern be formed on the surface, but the physical metal pattern can be formed without the photosensitive technique and the chemical etching, and consumable materials such as the photoresist and chemicals required in the process using the photoresist and the chemical etching apparatus are used. It is not required, and thus it is possible to replace the low precision process that does not need to apply the conventional lithography process that requires high precision in the semiconductor process, and to use it as a noise reduction method when forming the metal electrode of the radiation semiconductor detector. To simplify the process of forming the guard ring structure If the circuit pattern is simple, the work is very effective because it does not go through the conventional chemical multi-step process, and it can form various metal films, reduce the work facility, and simplify the work process. It is an object of the present invention to provide a method of forming an arbitrary metal pattern on a surface of a material using a physical structure to which is applied.

상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 반도체 공정 중 웨이퍼 기판에 패턴을 형성하기 위한 장치에 있어서, 패턴이 형성되기 위한 반도체 웨 이퍼 기판; 상기 반도체 웨이퍼 기판의 상부에 위치하되, 반도체 웨이퍼 기판을 고정시키기 위한 고정 구조물; 상기 반도체 웨이퍼 기판의 하부에 위치하되, 그 중심부에 형성되는 패턴공과, 상기 패턴공 외주연의 근접되는 적소에 환형으로 형성되는 보조 패턴공으로 이루어지는 패턴 형성체; 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a device for forming a pattern on a wafer substrate during a semiconductor process, comprising: a semiconductor wafer substrate for forming a pattern; A fixing structure positioned on the semiconductor wafer substrate to fix the semiconductor wafer substrate; A pattern forming body disposed below the semiconductor wafer substrate, the pattern forming body formed at a central portion thereof, and an auxiliary pattern hole formed in an annular shape at an adjacent position of an outer circumference of the pattern hole; Characterized in that comprises a.

바람직하게는, 상기 고정 구조물 및 패턴 형성체가 자성체로 이루어진다.Preferably, the fixing structure and the pattern forming body is made of a magnetic material.

대안적으로는, 상기 고정 구조물이 자성체로 이루어지고, 상기 패턴 형성체가 자력에 반응하는 금속 재질의 자성 반응 물질로 이루어진다.Alternatively, the fixing structure is made of a magnetic body, and the pattern forming body is made of a magnetic reactant material of metal material reacting to magnetic force.

더불어, 상기 고정 구조물이 자력에 반응하는 금속 재질의 자성 반응 물질로 이루어지고, 상기 패턴 형성체가 자성체로 이루어진다.In addition, the fixed structure is made of a magnetic reaction material of a metal material reacting to the magnetic force, the pattern forming body is made of a magnetic material.

한편, 상기 패턴 형성체에 그물망 구조로 이루어지되, 인가되는 전기에 따라 다양한 패턴을 형성할 수 있는 전자석이 구비된다.On the other hand, the pattern forming body is made of a mesh structure, it is provided with an electromagnet that can form a variety of patterns according to the electricity applied.

여기서, 반도체 웨이퍼 기판과, 상기 반도체 웨이퍼 기판의 상부에 위치하되, 반도체 웨이퍼 기판을 고정시키기 위하여 자성체로 형성되는 고정 구조물과, 상기 반도체 웨이퍼 기판의 하부에 위치하고, 그 중심부 및 외주연 적소에 패턴공 및 환형의 보조 패턴공을 갖되, 자성체로 형성되는 패턴 형성체로 이루어져 반도체 웨이퍼 기판에 패턴을 형성하기 위한 자성체가 적용되는 물리적 구조물을 이용하여 임의의 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 장치에 따른 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 방법에 있어서, 임의의 금속막 패턴이 형성되는 패턴 형성체를 위치시키는 단계; 상기 패턴 형성체의 상부에 패턴을 형성하기 위한 반도체 웨이퍼 기판을 위치시키는 단계; 상기 반도체 웨이퍼 기판의 상부에 고정 구조물을 위치시키는 단계; 상기 반도체 웨이퍼 기판에 형성되는 금속막 패턴을 이루는 소재 금속을 기화시키기 위해 고온공정에 따른 고열을 조사시키는 단계; 상기 고온 공정에 따라 조사되는 고열에 의하여 기화된 금속입자들이 패턴 형성체에 형성되는 패턴공과 보조 패턴공에 도달하여 반도체 웨이퍼 기판의 하부에 금속막 패턴이 형성되는 단계; 상기 패턴공과 보조 패턴공에 형성되는 금속막 패턴에 따라 반도체 웨이퍼 기판에 패턴이 형성되는 단계; 를 포함하여 이루어진다.Here, a semiconductor wafer substrate, a fixing structure which is located on the semiconductor wafer substrate, but formed of a magnetic material for fixing the semiconductor wafer substrate, and located in the lower portion of the semiconductor wafer substrate, the pattern hole in the center and the outer peripheral place And a metal having a ring-shaped auxiliary pattern hole, the pattern forming body being formed of a magnetic material to form an arbitrary metal film pattern on a surface of a material using a physical structure to which a magnetic material is applied to form a pattern on a semiconductor wafer substrate. CLAIMS 1. A method for forming a film pattern on a material surface, the method comprising: positioning a pattern forming body on which an arbitrary metal film pattern is formed; Positioning a semiconductor wafer substrate for forming a pattern on the pattern forming body; Positioning a fixed structure on top of the semiconductor wafer substrate; Irradiating high heat according to a high temperature process to vaporize the raw metal forming the metal film pattern formed on the semiconductor wafer substrate; Forming metal film patterns on the lower portion of the semiconductor wafer substrate by reaching the pattern holes and the auxiliary pattern holes formed by the high temperature irradiated by the high temperature process on the pattern holes; Forming a pattern on the semiconductor wafer substrate according to the metal film pattern formed in the pattern hole and the auxiliary pattern hole; It is made, including.

바람직하게는, 상기 반도체 웨이퍼 기판의 상, 하부에 위치하는 고정 구조물과 패턴 형성체가 자력에 의하여 상호 고정되는 단계; 를 더 포함하여 이루어진다.Preferably, the fixing structure and the pattern formed on the upper and lower portions of the semiconductor wafer substrate is fixed to each other by a magnetic force; It further comprises.

한편, 반도체 공정 중 웨이퍼 기판에 패턴을 형성하기 위한 장치에 있어서, 패턴이 형성되기 위한 반도체 웨이퍼 기판; 상기 반도체 웨이퍼 기판의 상부에 위치하되, 반도체 웨이퍼 기판을 고정시키며, 그 중심부에 형성되는 정렬공과, 상기 정렬공 외주연의 근접되는 적소에 환형으로 형성되는 보조 정열공으로 이루어지는 고정 구조물; 상기 반도체 웨이퍼 기판의 하부에 위치하되, 상기 고정 구조물과 대응되는 형상으로 형성되고, 그 중심부에 형성되는 패턴공과, 상기 패턴공 외주연의 근접되는 적소에 환형으로 형성되는 보조 패턴공으로 이루어지는 패턴 형성체; 를 포함하여 이루어진다.An apparatus for forming a pattern on a wafer substrate during a semiconductor process, the apparatus comprising: a semiconductor wafer substrate on which a pattern is to be formed; A fixing structure positioned on an upper portion of the semiconductor wafer substrate, the fixing structure comprising an alignment hole formed at a center of the semiconductor wafer substrate and an auxiliary alignment hole formed in an annular shape at an adjacent position of an outer circumference of the alignment hole; Located in the lower portion of the semiconductor wafer substrate, and formed in a shape corresponding to the fixed structure, the pattern forming body consisting of a pattern hole formed in the center and the auxiliary pattern hole formed in an annular position in the vicinity of the outer periphery of the pattern hole ; It is made, including.

바람직하게는, 상기 고정 구조물 및 패턴 형성체가 자성체로 이루어진다.Preferably, the fixing structure and the pattern forming body is made of a magnetic material.

대안적으로는, 상기 고정 구조물이 자성체로 이루어지고, 상기 패턴 형성체가 자력에 반응하는 금속 재질의 자성 반응 물질로 이루어진다.Alternatively, the fixing structure is made of a magnetic body, and the pattern forming body is made of a magnetic reactant material of metal material reacting to magnetic force.

더불어, 상기 고정 구조물이 자력에 반응하는 금속 재질의 자성 반응 물질로 이루어지고, 상기 패턴 형성체가 자성체로 이루어진다.In addition, the fixed structure is made of a magnetic reaction material of a metal material reacting to the magnetic force, the pattern forming body is made of a magnetic material.

한편, 상기 고정 구조물의 정렬공과 보조 정렬공에 위치 고정을 위한 고정 삽입물이 채워진다.Meanwhile, the fixing insert for fixing the position is filled in the alignment hole and the auxiliary alignment hole of the fixing structure.

바람직하게는, 상기 고정 삽입물이 비자성 물질로 이루어진다.Preferably, the fixation insert is made of nonmagnetic material.

여기서, 반도체 웨이퍼 기판과, 상기 반도체 웨이퍼 기판의 상부에 위치하고, 반도체 웨이퍼 기판을 고정시키며, 그 중심부 및 외주연 적소에 정렬공 및 환형의 보조 정열공을 갖되, 자성체로 이루어지는 고정 구조물과, 상기 반도체 웨이퍼 기판의 하부에 위치하고, 그 중심부 및 외주연 적소에 패턴공 및 환형의 보조 패턴공을 갖되, 자성체로 형성되는 패턴 형성체로 이루어져 반도체 웨이퍼 기판에 패턴을 형성하기 위한 자성체가 적용되는 물리적 구조물을 이용하여 임의의 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 장치에 따른 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 방법에 있어서, 임의의 금속막 패턴이 형성되는 패턴 형성체를 위치시키는 단계; 상기 패턴 형성체의 상부에 패턴을 형성하기 위한 반도체 웨이퍼 기판을 위치시키는 단계; 상기 반도체 웨이퍼 기판의 상부에 고정 구조물을 위치시키는 단계; 상기 고정 구조물의 배열공 및 보조 배열공에 고정 삽입물로서 비자성 물질을 채워넣는 단계; 상기 반도체 웨이퍼 기판에 형성되는 금속막 패턴을 이루는 소재 금속을 기화시키기 위해 고온공정에 따른 고열을 조사시키는 단계; 상기 고온 공정에 따라 조사되는 고열에 의하여 기화된 금속입자들이 패턴 형성체에 형성되는 패턴공과 보조 패턴공에 도달하여 반도체 웨이퍼 기판의 하부에 금속막 패턴이 형성되는 단계; 상기 패턴공과 보조 패턴공에 형성되는 금속막 패턴에 따라 반도체 웨이퍼 기판에 패턴이 형성되는 단계; 를 포함하여 이루어진다.Here, the semiconductor wafer substrate, positioned on top of the semiconductor wafer substrate, is fixed to the semiconductor wafer substrate, and having an alignment hole and an annular auxiliary alignment hole in the center and the outer periphery thereof, the fixed structure made of a magnetic material, and the semiconductor Located in the lower part of the wafer substrate, having a pattern hole and an annular auxiliary pattern hole in the center and the outer periphery place, consisting of a pattern forming body formed of a magnetic material using a physical structure to which a magnetic material is applied to form a pattern on a semiconductor wafer substrate A method of forming a metal film pattern on a material surface according to a device for forming an arbitrary metal film pattern on a material surface, the method comprising: positioning a pattern forming body on which the metal film pattern is formed; Positioning a semiconductor wafer substrate for forming a pattern on the pattern forming body; Positioning a fixed structure on top of the semiconductor wafer substrate; Filling a nonmagnetic material as a fixing insert into the arranging hole and the auxiliary arranging hole of the fixing structure; Irradiating high heat according to a high temperature process to vaporize the raw metal forming the metal film pattern formed on the semiconductor wafer substrate; Forming metal film patterns on the lower portion of the semiconductor wafer substrate by reaching the pattern holes and the auxiliary pattern holes formed by the high temperature irradiated by the high temperature process on the pattern holes; Forming a pattern on the semiconductor wafer substrate according to the metal film pattern formed in the pattern hole and the auxiliary pattern hole; It is made, including.

바람직하게는, 상기 반도체 웨이퍼 기판의 상, 하부에 위치하는 고정 구조물과 패턴 형성체가 자력에 의하여 상호 고정되는 단계; 를 더 포함하여 이루어진다.Preferably, the fixing structure and the pattern formed on the upper and lower portions of the semiconductor wafer substrate is fixed to each other by a magnetic force; It further comprises.

이하, 본 발명에 따른 실시예를 첨부된 예시도면을 참고로 하여 상세하게 설명한다. 도 1a, 1b는 본 발명에 의한 자성체가 적용되는 물리적 구조물을 이용하여 임의의 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 장치의 구성을 개략적으로 나타내는 도면으로서, 도 1a는 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 장치의 단면도이고, 도 1b는 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 장치의 저면도이다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. 1A and 1B schematically show the configuration of an apparatus for forming an arbitrary metal film pattern on a material surface using a physical structure to which a magnetic body according to the present invention is applied, and FIG. 1A shows a metal film pattern formed on a material surface. Fig. 1B is a bottom view of the device for forming the metal film pattern on the material surface.

도면에서 도시하고 있는 바와 같이, 본 발명에 의한 자성체가 적용되는 물리적 구조물을 이용하여 임의의 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 장치(1)는 패턴이 형성되기 위한 반도체 웨이퍼 기판(10)과 고정 구조물(30) 및 패턴 형성체(50)로 구성된다.As shown in the drawings, an apparatus 1 for forming an arbitrary metal film pattern on a surface of a material by using a physical structure to which a magnetic material according to the present invention is applied is fixed with a semiconductor wafer substrate 10 for pattern formation. It consists of the structure 30 and the pattern formation body 50.

상기 패턴 형성체(50)는 소정의 패턴이 형성되는 판체형상체로서, 반도체 웨이퍼 기판(10)의 하부에 구비되어 반도체 웨이퍼 기판(10)에 소정의 금속막 패턴을 형성한다.The pattern forming body 50 is a plate-shaped body in which a predetermined pattern is formed, and is provided below the semiconductor wafer substrate 10 to form a predetermined metal film pattern on the semiconductor wafer substrate 10.

여기서, 상기 패턴 형성체(50)는 금속막 패턴이 형성되는 자성체로 이루어진다.Here, the pattern forming body 50 is formed of a magnetic material on which a metal film pattern is formed.

한편, 상기 패턴 형성체(50)는 그 중심부에 원형의 패턴공(51)이 형성되고, 상기 패턴공(51) 외주연의 근접되는 적소에 환형, 즉 도우넛 형태의 보조 패턴공(53)이 형성된다.On the other hand, the pattern forming body 50 has a circular pattern hole 51 is formed at the center thereof, and an auxiliary pattern hole 53 having an annular shape, that is, a donut shape, is formed at an adjacent position of the outer circumference of the pattern hole 51. Is formed.

여기서, 상기 패턴 형성체(50)는 금속막 패턴 자성체로 이루어지되, 가드링 실시의 예인 환형, 즉 도우넛 형태로 이루어진다. Here, the pattern forming member 50 is made of a metal film pattern magnetic material, but is made of an annular shape, that is, an example of a donut shape, of the guard ring.

한편, 도우넛 형태의 특성상 금속막 증착 시 열에 의해 기화되어 이동하는 금속 입자의 진행 경로를 방해하지 않으면서 고정할 수 있는 방법이 없기 때문에 일반적으로는 반도체 공정에서 감광막을 통한 회로 패턴의 형성 후 금속막을 증착시키는 작업을 행하고 있으나, 상기 고정 구조물(30)을 반도체 웨이퍼의 상부에 위치시켜 반도체 웨이퍼의 하부에 위치하는 패턴 형성체(50)를 고정시킨다.On the other hand, due to the nature of the doughnut shape, there is no method of fixing the metal film without disturbing the path of evaporation and movement of the metal particles vaporized by heat during the deposition of the metal film. Although the deposition is performed, the fixing structure 30 is positioned on the semiconductor wafer to fix the pattern forming member 50 positioned below the semiconductor wafer.

상기 고정 구조물(30)은 특정한 패턴이 없는 웨이퍼 형태의 판체형상체로서, 금속막 패턴을 형성하기 위한 반도체 웨이퍼 기판(10)의 상부에 구비되되, 상기 패턴 형성체(50)의 하부에 위치하는 반도체 웨이퍼 기판(10)을 고정시키는 역할을 담당한다.The fixed structure 30 is a wafer-shaped plate-shaped body without a specific pattern, and is provided on an upper portion of the semiconductor wafer substrate 10 for forming a metal film pattern, and is located below the pattern forming body 50. It serves to fix the semiconductor wafer substrate 10.

이를 위하여 상기 고정 구조물(30)은 패턴 형성체(50)를 고정하기 위하여 자성체로 이루어진다.To this end, the fixing structure 30 is made of a magnetic material to fix the pattern forming body 50.

즉, 상기 고정 구조물(30)은 판체형상으로 형성되되, 자성체로 이루어져 상기 패턴 형성체(50)의 자력에 반응하며, 이로 인해 고정 구조물(30)이 패턴 형성체(50)와 자력에 의하여 상호 접합되도록 이루어짐으로써 패턴 형성체(50)를 고정시킬 수 있을 뿐만 아니라, 고정 구조물(30)과 패턴 형성체(50) 사이에 개재되는 반도체 웨이퍼 기판(10)을 고정시킬 수 있다.That is, the fixing structure 30 is formed in the shape of a plate, made of a magnetic body reacts to the magnetic force of the pattern forming body 50, whereby the fixed structure 30 by the pattern forming body 50 and the magnetic force By being bonded to each other, not only the pattern forming body 50 can be fixed, but also the semiconductor wafer substrate 10 interposed between the fixing structure 30 and the pattern forming body 50 can be fixed.

여기서, 상기 반도체 웨이퍼 기판(10)은 상기 고정 구조물(30)과 패턴 형성체(50)의 사이에 개재되되, 상기 고정 구조물(30)과 패턴 형성체(50)를 자력에 의 하여 상호 고정되도록 그 두께가 대략 300 ~ 400㎛으로 이루어지며, 이로 인해 상기 고정 구조물(30)과 반도체 웨이퍼 기판(10)의 하부에 위치하는 패턴 형성체(50) 사이에 발생되는 자력에 의하여 상기 반도체 웨이퍼 기판(10)을 개재한 상태에서 고정 구조물(30)과 패턴 형성체(50)가 고정된다.Here, the semiconductor wafer substrate 10 is interposed between the fixing structure 30 and the pattern forming body 50, so that the fixing structure 30 and the pattern forming body 50 are mutually fixed by a magnetic force. The thickness of the semiconductor wafer substrate may be about 300 μm to about 400 μm, and thus, the semiconductor wafer substrate may be formed by a magnetic force generated between the fixed structure 30 and the pattern forming body 50 positioned under the semiconductor wafer substrate 10. The fixing structure 30 and the pattern formation body 50 are fixed in the state through 10).

한편, 금속막 패턴을 형성하는 소재금속에 고온공정에 의해 고열을 조사하고 열에 의해 기화된 금속 입자들은 패턴 형성체(50)에 형성되는 패턴공(51)과 보조 패턴공(53) 사이에 도달하여 금속막 패턴을 형성하게 된다. 즉, 열에 의해 기화된 금속 입자들이 패턴 형성체(50)의 중심부에 형성되는 패턴공(51)과 상기 패턴공(51)의 외주연에 근접되게 형성되는 환형, 즉 도우넛 형태의 보조 패턴공(53)에 도달하여 금속막을 형성한다.On the other hand, the material metal forming the metal film pattern is irradiated with high heat by a high temperature process and the metal particles vaporized by the heat reaches between the pattern hole 51 and the auxiliary pattern hole 53 formed in the pattern forming body 50. As a result, a metal film pattern is formed. That is, the patterned holes 51 formed in the center of the pattern forming body 50 and the metal particles vaporized by heat are formed to be close to the outer periphery of the pattern hole 51, that is, an auxiliary pattern hole having a donut shape ( 53) to form a metal film.

여기서, 상기 패턴 형성체(50)의 중심에 형성되는 패턴공(51)에 도달하는 금속막이 전극의 역할을 수행하고, 도우넛 형태의 보조 패턴공(53)에 도달하는 금속막이 노이즈를 감쇠시키기 위한 가드링 역할을 하게 된다.Here, the metal film reaching the pattern hole 51 formed at the center of the pattern forming body 50 serves as an electrode, and the metal film reaching the auxiliary pattern hole 53 in the form of donuts is used to attenuate noise. It will act as a guard ring.

본 발명의 일 실시예에서는 상기 패턴 형성체(50) 및 고정 구조물(30)이 영구 자석 형태로 이루어져 있으나, 상기 패턴 형성체(50)가 전자석으로 이루어지는 것도 가능하며, 이때, 상기 패턴 형성체(50)에 전자석을 그물망 구조로 구성함으로써 원하는 형상을 형성한 후 전기를 도통시킴으로써 짧은 시간 내에 다양한 형태 및 형상의 패턴을 갖는 패턴 형성체(50)를 구성할 수 있다.In the exemplary embodiment of the present invention, the pattern forming body 50 and the fixing structure 30 are formed in the form of a permanent magnet, but the pattern forming body 50 may be made of an electromagnet, and at this time, the pattern forming body ( By forming the desired shape by forming the electromagnet in the network structure 50), the pattern forming body 50 having patterns of various shapes and shapes can be configured within a short time by conducting electricity.

한편, 상기한 바와 같은 형태 및 구조를 갖는 본 발명에 의한 자성체가 적용되는 물리적 구조물(30)을 이용하여 임의의 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 장치(1)는 도 2에서 도시하고 있는 바와 같이, 패턴 형성체(50)를 다수개 배열하 고, 다수개로 배열되는 패턴 형성체(50)의 크기와 대응되도록 고정 구조물(30)의 크기를 형성함으로써 단일 공정에서 다수개의 반도체 웨이퍼 기판(10)을 제작 및 생산할 수 있다.Meanwhile, an apparatus 1 for forming an arbitrary metal film pattern on the surface of a material using the physical structure 30 to which the magnetic body according to the present invention having the shape and structure as described above is applied is as shown in FIG. 2. Likewise, by arranging a plurality of pattern forming bodies 50 and forming a size of the fixed structure 30 to correspond to the size of the plurality of pattern forming bodies 50 arranged in a plurality of semiconductor wafer substrates 10 in a single process. ) Can be produced and produced.

이때, 상기 패턴 형성체(50) 및 상기 패턴 형성체(50)를 고정하기 위한 고정 구조물(30)은 반복적인 형상을 갖으며, 단일 공정을 통하여 생산되는 제품은 후공정을 통하여 절단함으로써 최종 생산품을 얻을 수 있다.At this time, the pattern forming body 50 and the fixing structure 30 for fixing the pattern forming body 50 has a repetitive shape, the product produced through a single process is the final product by cutting through a post process Can be obtained.

본 발명의 일 실시예에서는 상기 고정 구조물(30)이 반도체 웨이퍼 기판(10)의 상부에 위치하고, 상기 패턴 형성체(50)가 반도체 웨이퍼 기판(10)의 하부에 위치하고 있으나, 상기 고정 구조물(30)이 반도체 웨이퍼 기판(10)의 하부에 위치하고, 상기 패턴 형성체(50)가 반도체 웨이퍼 기판(10)의 상부에 위치하는 구조 및 배열로 이루어지는 것도 가능하다.In one embodiment of the present invention, although the fixing structure 30 is positioned above the semiconductor wafer substrate 10 and the pattern forming body 50 is located below the semiconductor wafer substrate 10, the fixing structure 30 ) May be disposed under the semiconductor wafer substrate 10, and the pattern forming body 50 may be formed in a structure and an arrangement located above the semiconductor wafer substrate 10.

이하, 본 발명에 의한 자성체가 적용되는 물리적 구조물을 이용하여 임의의 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 장치(1)에 따른 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 방법을 도 3을 참조하여 설명한다.Hereinafter, a method of forming the metal film pattern on the material surface according to the apparatus 1 for forming an arbitrary metal film pattern on the material surface using the physical structure to which the magnetic body according to the present invention is applied will be described with reference to FIG. 3. .

먼저, 임의의 금속막 패턴이 형성되는 패턴 형성체(50)를 위치시킨 후(S11) 상기 패턴 형성체(50)의 상부에 패턴을 형성하기 위한 반도체 웨이퍼 기판(10)을 위치시킨다(S12).First, the pattern forming body 50 on which an arbitrary metal film pattern is formed is positioned (S11), and then the semiconductor wafer substrate 10 for forming the pattern is placed on the pattern forming body 50 (S12). .

이때, 상기 패턴 형성체(50)와 웨이퍼 기판(10)의 크기는 대략 동일하게 이루어진다.In this case, the size of the pattern forming body 50 and the wafer substrate 10 are substantially the same.

상기한 바와 같이, 상기 패턴 형성체(50)의 상부에 반도체 웨이퍼 기판(10)을 위치시킨 다음, 상기 웨이퍼 기판(10)의 상부에 고정 구조물(30)을 위치시킨다(S13).As described above, the semiconductor wafer substrate 10 is positioned on the pattern forming body 50, and then the fixing structure 30 is positioned on the wafer substrate 10 (S13).

이렇게 상기 패턴 형성체(50)의 상부에 반도체 웨이퍼 기판(10)을 위치시키고, 상기 반도체 웨이퍼 기판(10)에 고정 구조물(30)을 위치시키면, 상기 웨이퍼 기판(10)의 하부에 위치하되, 자성체로 이루어지는 패턴 형성체(50)와 상기 웨이퍼 기판(10)의 상부에 위치하되, 자성체로 이루어지는 고정 구조물(30)이 자력에 의하여 상호 고정된다(S13-1).When the semiconductor wafer substrate 10 is positioned above the pattern forming body 50 and the fixing structure 30 is positioned on the semiconductor wafer substrate 10, the semiconductor wafer substrate 10 is positioned below the wafer substrate 10. The pattern forming body 50 formed of a magnetic material and the upper portion of the wafer substrate 10 are positioned, and the fixing structure 30 made of the magnetic material is fixed to each other by magnetic force (S13-1).

상기한 바와 같이, 상기 패턴 형성체950) 및 고정 구조물(30)이 자성체로 이루어짐으로써 상기 패턴 형성체(50)와 고정 구조물(30) 사이에 발생하는 자력에 의하여 패턴 형성체(50) 및 고정 구조물(30)이 고정되고, 상기 패턴 형성체(50)와 고정 구조물(30) 사이에 개재되는 반도체 웨이퍼 기판(10)이 고정된다.As described above, since the pattern forming body 950 and the fixing structure 30 are made of a magnetic body, the pattern forming body 50 and the fixing body are formed by a magnetic force generated between the pattern forming body 50 and the fixing structure 30. The structure 30 is fixed, and the semiconductor wafer substrate 10 interposed between the pattern forming body 50 and the fixed structure 30 is fixed.

상기한 바와 같이, 자성체 및 자력에 반응하는 반응 물질로 이루어지는 패턴 형성체(50)와 고정 구조물(30) 사이에 개재되는 반도체 웨이퍼 기판(10)에 패턴을 형성하기 위하여 반도체 웨이퍼 기판에 형성되는 금속막 패턴을 이루는 소재금속을 기화시키기 위해 고온 공정을 실시하여 고열을 소재금속에 조사한다(S14).As described above, the metal is formed on the semiconductor wafer substrate to form a pattern on the semiconductor wafer substrate 10 interposed between the pattern forming body 50 and the fixed structure 30 made of a magnetic material and a reactive material reacting to the magnetic force. In order to vaporize the material metal forming the film pattern, a high temperature process is performed to irradiate the material metal with high heat (S14).

이렇게 고온 공정에 의하여 열에 기화된 금속 입자들은 패턴 형성체(50)에 형성되는 패턴공(51)과 보조 패턴공(53)에 도달하여 금속막 패턴을 형성하고(S15), 상기 패턴공(51)과 보조 패턴공(53)에 의해 형성되는 금속막 패턴에 따라 반도체 웨이퍼 기판(10)상에 패턴이 형성시킴으로써(S16) 반도체 웨이퍼 기판(10)에 패턴을 형성시키는 작업이 완료된다.The metal particles vaporized in the heat by the high temperature process reach the pattern hole 51 and the auxiliary pattern hole 53 formed in the pattern forming body 50 to form a metal film pattern (S15), and the pattern hole 51 ) And the pattern is formed on the semiconductor wafer substrate 10 according to the metal film pattern formed by the auxiliary pattern hole 53 (S16), thereby completing the operation of forming the pattern on the semiconductor wafer substrate 10.

여기서, 상기 패턴 형성체(50)의 패턴공(51)에 형성되는 금속막이 전극의 역할을 수행하고, 보조 패턴공(53)에 도달하는 금속막이 노이즈를 감쇠시키는 가드링 역할을 하게 된다.Here, the metal film formed in the pattern hole 51 of the pattern forming body 50 serves as an electrode, and the metal film reaching the auxiliary pattern hole 53 serves as a guard ring to attenuate noise.

본 발명의 일 실시예에서는 상기 패턴공(51)이 원형으로 형성되고, 상기 보조 패턴공(53)이 환형, 즉 도우넛 형태로 이루어져 있으나, 상기 패턴공(51) 및 보조 패턴공(53)의 형상은 가변가능하게 이루어지는 것이 바람직하다.In the exemplary embodiment of the present invention, the pattern hole 51 is formed in a circular shape, and the auxiliary pattern hole 53 is formed in an annular shape, that is, in a donut shape, but the pattern hole 51 and the auxiliary pattern hole 53 are formed. It is preferable that the shape is made variable.

도 4a, 4b는 본 발명에 의한 자성체가 적용되는 물리적 구조물을 이용하여 임의의 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 장치의 구성에 따른 일 실시예를 개략적으로 나타내는 도면으로서, 도 4a는 본 실시예에 의한 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 장치의 단면도이고, 도 4b는 본 실시예에 의한 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 장치의 저면도이다.Figures 4a, 4b schematically shows an embodiment according to the configuration of the device for forming an arbitrary metal film pattern on the surface of the material by using a physical structure to which the magnetic material according to the present invention is applied, Figure 4a is a embodiment Is a cross-sectional view of a device for forming a metal film pattern on the material surface, and FIG. 4B is a bottom view of the device for forming a metal film pattern on the material surface.

도면에서 도시하고 있는 바와 같이, 본 실시예에서는 상기 패턴 형성체(50)가 자력에 반응하는 금속 재질의 자성 반응 물질로 이루어진다.As shown in the figure, in the present embodiment, the pattern forming body 50 is made of a magnetic reactive material made of a metal material reacting to magnetic force.

즉, 상기 반도체 웨이퍼 기판(10)의 상, 하부에 위치하는 고정 구조물(30) 및 패턴 형성체(50) 중 상기 고정 구조물(30)가 자성체로 이루어지고, 상기 패턴 형성체(50)가 자력에 반응하는 금속 재질의 자성 반응 물질로 이루어짐으로써 고정 구조물(30)과 패턴 형성체(50) 사이에 자력이 발생되어 고정이 용이하고, 상기 고정 구조물(30)과 패턴 형성체(50) 사이에 개재되는 반도체 웨이퍼 기판(10)이 고정된다.That is, the fixing structure 30 is formed of a magnetic material among the fixing structure 30 and the pattern forming body 50 positioned above and below the semiconductor wafer substrate 10, and the pattern forming body 50 has a magnetic force. The magnetic force is generated between the fixing structure 30 and the pattern forming body 50 by being made of a magnetic reaction material of a metal material that reacts to and easily fixed between the fixing structure 30 and the pattern forming body 50. The interposed semiconductor wafer substrate 10 is fixed.

상기한 바와 같이, 상기 패턴 형성체(50)가 자력에 반응하는 금속 재질의 자성 반응 물질로 이루어질 경우, 상기 반도체 웨이퍼 기판(10)에 패턴을 형성하기 위하여 고온 공정을 실시함으로써 상기 패턴 형성체(50)가 고열의 방사에 노출되어 고열에 따라 자성체의 특성이 큐리 온도 이상에서 변하는 것을 방지할 수 있으며, 이로 인해 자기장의 강도가 감소하여 안정성이 보장되지 못하거나, 자력에 감소되어 그 고정력이 약해지는 것을 방지할 수 있다.As described above, when the pattern forming body 50 is made of a magnetic reacting material made of a metal that reacts to magnetic force, the pattern forming body may be formed by performing a high temperature process to form a pattern on the semiconductor wafer substrate 10. 50) is exposed to high heat radiation, which can prevent the magnetic properties from changing above the Curie temperature with high heat, which reduces the strength of the magnetic field and does not guarantee stability, or decreases in the magnetic force, thus weakening the fixing force. Can be prevented.

본 실시예에서는 상기 패턴 형성체(50)가 자력에 반응하는 자성 반응 물질로 이루어지고, 상기 고정 구조물(30)이 자성체로 이루어졌으나, 상기 패턴 형성체(50)가 자성체로 이루어지고 고정 구조물(30)이 자력에 반응하는 자성 반응 물질로 이루어지는 것도 가능하다.In the present embodiment, the pattern forming body 50 is made of a magnetic reaction material reacting to a magnetic force, and the fixed structure 30 is made of a magnetic body, but the pattern forming body 50 is made of a magnetic body and the fixed structure ( It is also possible that 30) is made of a magnetic reactant that reacts to magnetic force.

상기한 바와 같이, 상기 패턴 형성체(50)와 고정 구조물(30) 사이에 발생하는 자력에 의하여 패턴 형성체(50) 및 고정 구조물(30)이 고정되고, 상기 패턴 형성체(50)와 고정 구조물(30) 사이에 개재되는 반도체 웨이퍼 기판(10)이 고정된다.As described above, the pattern forming body 50 and the fixing structure 30 are fixed by the magnetic force generated between the pattern forming body 50 and the fixing structure 30 and fixed to the pattern forming body 50. The semiconductor wafer substrate 10 interposed between the structures 30 is fixed.

도 5a, 5b는 본 발명에 의한 자성체가 적용되는 물리적 구조물을 이용하여 임의의 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 장치의 구성에 따른 다른 실시예를 개략적으로 나타내는 도면으로서, 도 5a는 본 실시예에 의한 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 장치의 단면도이고, 도 5b는 본 실시예에 의한 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 장치의 저면도이다.5A and 5B schematically show another embodiment according to the configuration of an apparatus for forming an arbitrary metal film pattern on a surface of a material by using a physical structure to which a magnetic material according to the present invention is applied, and FIG. 5A is a present embodiment. Is a cross-sectional view of a device for forming a metal film pattern on a material surface, and FIG. 5B is a bottom view of the device for forming a metal film pattern according to the present embodiment.

도면에서 도시하고 있는 바와, 본 실시예에서는 상기 반도체 웨이퍼 기판 (10)의 상부에 위치하는 고정 구조물(30)의 형상을 일부 달리한 것으로서, 상기 고정 구조물(30)의 형상이 패턴 형성체(50)와 동일하게 이루어진다. 즉, 상기 반도체 웨이퍼 기판(10)의 상부에 위치하는 고정 구조물(30)이 반도체 웨이퍼 기판(10)의 하부에 위치하는 패턴 형성체(50)와 동일한 형상으로 동일하게 위치된다.As shown in the drawings, in this embodiment, the shape of the fixing structure 30 positioned on the upper portion of the semiconductor wafer substrate 10 is partially different, and the shape of the fixing structure 30 is a pattern forming body 50. Is the same as That is, the fixing structure 30 positioned on the upper portion of the semiconductor wafer substrate 10 is positioned in the same shape as the pattern forming member 50 positioned on the lower portion of the semiconductor wafer substrate 10.

이를 위하여 상기 고정 구조물(30)은 그 중심부에 정렬공이 형성되고, 상기 정렬공 외주연의 근접되는 적소에 보조 정렬공이 환형으로 형성된다. 즉, 상기 고정 구조물(30)의 그 중심부에 상기 패턴 형성체(50) 중심부에 형성되는 패턴공(51)과 동일한 형상의 정렬공이 형성되고, 상기 정렬공 외주연의 근접되는 적소에 환형, 즉 도우넛 형태로 형성되는 보조 패턴공(53)과 동일한 형상의 보조 정렬공이 형성된다.To this end, the fixing structure 30 has an alignment hole formed at a central portion thereof, and an auxiliary alignment hole is formed in an annular shape at an adjacent position of the outer circumference of the alignment hole. That is, an alignment hole having the same shape as the pattern hole 51 formed at the center of the pattern forming body 50 is formed at the center of the fixing structure 30, and is annular, that is, at an adjacent position of the outer periphery of the alignment hole. An auxiliary alignment hole having the same shape as the auxiliary pattern hole 53 formed in a donut shape is formed.

여기서, 상기 반도체 웨이퍼 기판(10)의 상, 하부에 위치하는 고정 구조물(30)과 패턴 형성체(50)는 자성체로 각각 이루어지되, 상기 반도체 웨이퍼의 하부에 위치하는 패턴 형성체(50)가 고정 형태가 아닌 상황에서 발생될 수 있는 정렬의 문제를 보완하기 위한, 즉 정렬을 보다 용이하게 하기 위하여 상기 패턴 형성체(50) 및 고정 구조물(30)이 상호 동일하게 제작된 자성체로 이루어짐으로써 반도체 웨이퍼 기판(10)의 상, 하부에 위치하는 고정 구조물(30)과 패턴 형성체(50) 사이의 자력에 의하여 상호 고정된다.Here, the fixing structure 30 and the pattern forming body 50 positioned on the upper and lower portions of the semiconductor wafer substrate 10 are made of magnetic materials, respectively, but the pattern forming body 50 positioned below the semiconductor wafer is formed. In order to compensate for the problem of alignment that may occur in a non-fixed form, that is, to facilitate alignment, the pattern forming member 50 and the fixing structure 30 are made of a magnetic material manufactured to be the same. It is fixed to each other by the magnetic force between the fixed structure 30 and the pattern forming body 50 positioned on the upper and lower portions of the wafer substrate 10.

한편, 고정 구조물(30)과 패턴 형성체(50) 및 상기 고정 구조물(30)과 패턴 형성체(50) 사이에 개재되는 반도체 와이퍼 기판(10)의 정렬을 보다 용이하게 하기 위하여 상기 반도체 웨이퍼의 상부에 위치하는 고정 구조물(30)의 정렬공 및 보조 정렬공에 비자성 물질을 채워 넣는 것도 가능하다.On the other hand, in order to more easily align the fixing structure 30 and the pattern forming body 50 and the semiconductor wiper substrate 10 interposed between the fixing structure 30 and the pattern forming body 50 of the semiconductor wafer It is also possible to fill the non-magnetic material in the alignment hole and the secondary alignment hole of the fixing structure 30 located at the upper portion.

상기한 바와 같은 형태 및 구조를 갖는 본 실시예에 의한 자성체가 적용되는 물리적 구조물(30)을 이용하여 임의의 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 장치(1)는 도 6에서 도시하고 있는 바와 같이, 패턴 형성체(50)를 다수개 배열하고, 다수개로 배열되는 패턴 형성체(50)의 크기와 대응되도록 고정 구조물(30)의 크기를 형성함으로써 단일 공정에서 다수개의 반도체 웨이퍼 기판(10)을 제작 및 생산할 수 있다.The apparatus 1 for forming an arbitrary metal film pattern on the surface of a material by using the physical structure 30 to which the magnetic material according to the present embodiment has the shape and structure as described above is shown in FIG. 6. The plurality of semiconductor wafer substrates 10 may be formed in a single process by arranging a plurality of pattern formers 50 and forming the size of the fixed structure 30 to correspond to the size of the plurality of pattern formers 50. Can be produced and produced.

이때, 상기 패턴 형성체(50) 및 상기 패턴 형성체(50)를 고정하기 위한 고정 구조물(30)은 반복적인 형상을 갖으며, 단일 공정을 통하여 생산되는 제품은 후공정을 통하여 절단함으로써 최종 생산품을 얻을 수 있으며, 상기 고정 구조물(30)이 패턴 형성체(50)와 동일한 형상을 이룰 경우, 고정 구조물(30)과 패턴 형성체(50) 및 상기 고정 구조물(30)과 패턴 형성체(50) 사이에 개재되는 반도체 웨이퍼 기판(10)을 고정시키기 위하여 고정 구조물(30)의 각 배열공(31) 및 보조 배열공(33)에 고정 삽입물(35)이 채워 고정시킴으로써 형상의 정밀도를 향상시킬 수 있다.At this time, the pattern forming body 50 and the fixing structure 30 for fixing the pattern forming body 50 has a repetitive shape, the product produced through a single process is the final product by cutting through a post process When the fixing structure 30 forms the same shape as the pattern forming body 50, the fixing structure 30 and the pattern forming body 50, and the fixing structure 30 and the pattern forming body 50 may be obtained. In order to fix the semiconductor wafer substrate 10 interposed therebetween, the fixing insert 35 is filled and fixed in each of the array holes 31 and the auxiliary array holes 33 of the fixing structure 30 to improve the accuracy of the shape. Can be.

여기서, 상기 고정 삽입물(35)은 비자성 물질로 이루어지는 것이 바람직하다.Here, the fixing insert 35 is preferably made of a nonmagnetic material.

이하, 본 실시예에 의한 자성체가 적용되는 물리적 구조물(30)을 이용하여 임의의 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 장치(1)에 따른 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 방법을 도 7을 참조하여 설명한다.Hereinafter, a method of forming the metal film pattern on the material surface according to the apparatus 1 for forming an arbitrary metal film pattern on the material surface using the physical structure 30 to which the magnetic material according to the present embodiment is applied will be described with reference to FIG. 7. It demonstrates with reference.

먼저, 임의의 금속막 패턴이 형성되는 패턴 형성체(50)를 위치시킨 후(S21) 상기 패턴 형성체(50)의 상부에 패턴을 형성하기 위한 반도체 웨이퍼 기판(10)을 위치시킨다(S22).First, the pattern forming body 50 on which an arbitrary metal film pattern is formed is positioned (S21), and then the semiconductor wafer substrate 10 for forming the pattern is placed on the pattern forming body 50 (S22). .

이때, 상기 패턴 형성체(50)와 웨이퍼 기판(10)의 크기는 대략 동일하게 이루어진다.In this case, the size of the pattern forming body 50 and the wafer substrate 10 are substantially the same.

상기한 바와 같이, 상기 패턴 형성체(50)의 상부에 반도체 웨이퍼 기판(10)을 위치시킨 다음, 상기 웨이퍼 기판(10)의 상부에 고정 구조물(30)을 위치시킨다(S23).As described above, the semiconductor wafer substrate 10 is positioned on the pattern forming body 50, and then the fixing structure 30 is positioned on the wafer substrate 10 (S23).

이렇게 상기 패턴 형성체(50)의 상부에 반도체 웨이퍼 기판(10)을 위치시키고, 상기 반도체 웨이퍼 기판(10)의 상부에 패턴 형성체(50)와 동일한 형상을 갖는 고정 구조물(30)을 위치시키면, 상기 웨이퍼 기판(10)의 하부에 위치하되, 자성체로 이루어지는 패턴 형성체(50)와 상기 웨이퍼 기판(10)의 상부에 위치하되, 자성체로 이루어지는 고정 구조물(30)이 자력에 의하여 상호 고정된다(S23-1).In this way, the semiconductor wafer substrate 10 is positioned on the pattern forming body 50, and the fixed structure 30 having the same shape as the pattern forming body 50 is disposed on the semiconductor wafer substrate 10. A lower portion of the wafer substrate 10 is disposed, and a pattern forming member 50 formed of a magnetic material and an upper portion of the wafer substrate 10 are fixed to each other by a magnetic force. (S23-1).

상기한 바와 같이, 자성체 및 자력에 반응하는 반응 물질로 이루어지는 패턴 형성체(50)와 고정 구조물(30) 사이에 개재되는 반도체 웨이퍼 기판(10)에 패턴을 형성하기 위하여 반도체 웨이퍼 기판에 형성되는 금속막 패턴을 이루는 소재금속을 기화시키기 위해 고온 공정을 실시하여 고열을 소재금속에 조사한다(S25).
이렇게 고온 공정에 의하여 열에 기화된 금속 입자들은 패턴 형성체(50)에 형성되는 패턴공(51)과 보조 패턴공(53)에 도달하여 금속막 패턴을 형성하고(S26), 상기 패턴공(51)과 보조 패턴공(53)에 의해 형성되는 금속막 패턴에 따라 반도체 웨이퍼 기판(10)상에 패턴이 형성시킴으로써(S27) 반도체 웨이퍼 기판(10)에 패턴을 형성시키는 작업이 완료된다.As described above, the metal is formed on the semiconductor wafer substrate to form a pattern on the semiconductor wafer substrate 10 interposed between the pattern forming body 50 and the fixed structure 30 made of a magnetic material and a reactive material reacting to the magnetic force. In order to vaporize the material metal forming the film pattern, a high temperature process is performed to irradiate the material metal with high heat (S25).
The metal particles vaporized in the heat by the high temperature process reach the pattern hole 51 and the auxiliary pattern hole 53 formed in the pattern forming body 50 to form a metal film pattern (S26), and the pattern hole 51 ) And the pattern is formed on the semiconductor wafer substrate 10 according to the metal film pattern formed by the auxiliary pattern hole 53 (S27), thereby completing the operation of forming the pattern on the semiconductor wafer substrate 10.

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이때, 상기 고정 구조물(30)의 배열공(31) 및 보조 배열공(33)에 비자성 물질을 삽입하여 반도체 웨이퍼 하부에 위치하는 패턴이 고정 형태가 아닌 것에 따른 정렬의 문제를 보완한다. 즉, 상기 고정 구조물(30)과 패턴 형성체(50)의 정렬을 보다 용이하게 하기 위하여 반도체 웨이퍼 기판(10)의 상부에 위치하는 고정 구조물(30)의 정렬공 및 보조 정렬공에 고정 삽입물(35)을 삽입하되, 비자성 물질로 이루어지는 고정 삽입물(35)을 채워 넣는다(S24).In this case, a nonmagnetic material is inserted into the array hole 31 and the auxiliary array hole 33 of the fixing structure 30 to compensate for the problem of alignment due to the non-fixed pattern of the semiconductor wafer. That is, in order to more easily align the fixing structure 30 and the pattern forming body 50, the fixing inserts may be inserted into the alignment holes and the auxiliary alignment holes of the fixing structure 30 positioned on the semiconductor wafer substrate 10. While inserting 35, the fixed insert 35 made of a nonmagnetic material is filled (S24).

여기서, 상기 패턴 형성체(50)의 패턴공(51)에 형성되는 금속막이 전극의 역할을 수행하고, 보조 패턴공(53)에 도달하는 금속막이 노이즈를 감쇠시키는 가드링 역할을 하게 된다.Here, the metal film formed in the pattern hole 51 of the pattern forming body 50 serves as an electrode, and the metal film reaching the auxiliary pattern hole 53 serves as a guard ring to attenuate noise.

본 발명의 일 실시예에서는 상기 패턴공(51)이 원형으로 형성되고, 상기 보조 패턴공(53)이 환형, 즉 도우넛 형태로 이루어져 있으나, 상기 패턴공(51) 및 보조 패턴공(53)의 형상은 가변가능하게 이루어지는 것이 바람직하다. In the exemplary embodiment of the present invention, the pattern hole 51 is formed in a circular shape, and the auxiliary pattern hole 53 is formed in an annular shape, that is, in a donut shape, but the pattern hole 51 and the auxiliary pattern hole 53 are formed. It is preferable that the shape is made variable.

도 8a, 8b는 본 실시예에 의한 장치의 일 실시예를 개략적으로 나타내는 도면으로서, 도 8a는 본 실시예에 의한 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 장치의 단면도이고, 도 8b는 본 실시예에 의한 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 장치의 저면도이다.8A and 8B schematically show an embodiment of the apparatus according to the present embodiment, and Fig. 8A is a cross-sectional view of the apparatus for forming the metal film pattern according to the present embodiment on the surface of the material, and Fig. 8B is the present embodiment. Is a bottom view of an apparatus for forming a metal film pattern on a material surface.

도면에서 도시하고 있는 바와 같이, 본 실시예에서는 상기 반도체 웨이퍼 기판(10)의 하부에 위치하는 패턴 형성체(50)가 자력에 반응하는 자성 반응 물질로 이루어진다.As shown in the figure, in the present embodiment, the pattern forming body 50 positioned below the semiconductor wafer substrate 10 is made of a magnetic reaction material that reacts to magnetic force.

즉, 상기 반도체 웨이퍼 기판(10)의 상, 하부에 위치하는 고정 구조물(30) 및 패턴 형성체(50) 중 상기 고정 구조물(30)가 자성체로 이루어지고, 상기 패턴 형성체(50)가 자력에 반응하는 금속 재질의 자성 반응 물질로 이루어짐으로써 고정 구조물(30)과 패턴 형성체(50) 사이에 자력이 발생되어 고정이 용이하고, 상기 고정 구조물(30)과 패턴 형성체(50) 사이에 개재되는 반도체 웨이퍼 기판(10)이 고정된다.That is, the fixing structure 30 is formed of a magnetic material among the fixing structure 30 and the pattern forming body 50 positioned above and below the semiconductor wafer substrate 10, and the pattern forming body 50 has a magnetic force. The magnetic force is generated between the fixing structure 30 and the pattern forming body 50 by being made of a magnetic reaction material of a metal material that reacts to and easily fixed between the fixing structure 30 and the pattern forming body 50. The interposed semiconductor wafer substrate 10 is fixed.

본 실시예에서는 상기 패턴 형성체(50)가 자력에 반응하는 자성 반응 물질로 이루어지고, 상기 고정 구조물(30)이 자성체로 이루어졌으나, 상기 패턴 형성체(50)가 자성체로 이루어지고 고정 구조물(30)이 자력에 반응하는 자성 반응 물질로 이루어지는 것도 가능하다.In the present embodiment, the pattern forming body 50 is made of a magnetic reaction material reacting to a magnetic force, and the fixed structure 30 is made of a magnetic body, but the pattern forming body 50 is made of a magnetic body and the fixed structure ( It is also possible that 30) is made of a magnetic reactant that reacts to magnetic force.

상기한 바와 같이, 상기 패턴 형성체(50)와 고정 구조물(30) 사이에 발생하는 자력에 의하여 패턴 형성체(50) 및 고정 구조물(30)이 고정되고, 상기 패턴 형성체(50)와 고정 구조물(30) 사이에 개재되는 반도체 웨이퍼 기판(10)이 고정된다.As described above, the pattern forming body 50 and the fixing structure 30 are fixed by the magnetic force generated between the pattern forming body 50 and the fixing structure 30 and fixed to the pattern forming body 50. The semiconductor wafer substrate 10 interposed between the structures 30 is fixed.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시적으로 설명하였으나, 본 발명의 범위는 이같은 특정 실시예에만 한정되지 않으며 해당분야에서 통상의 지식을 가진자라면 본 발명의 특허청구범위내에 기재된 범주내에서 적절하게 변경이 가능할 것이다.While the exemplary embodiments of the present invention have been described above by way of example, the scope of the present invention is not limited to the specific embodiments, and those skilled in the art are appropriate within the scope described in the claims of the present invention. It will be possible to change.

이상에서 설명한 바와 같이 상기와 같은 구성을 갖는 본 발명은 회로 패턴 정보를 갖는 마스크를 유리판이 아닌 자석 또는 금속 패턴으로 대체함으로써 현상 및 식각 과정과 같은 화학적이고, 광학적인 과정의 생략이 가능하여 웨이퍼의 표면에 금속 패턴을 형성할 수 있을 뿐만 아니라, 사진 감광 기법과 화학적 에칭을 생략하면서도 물리적 금속 패턴을 형성할 수 있어 감광막, 화학적 식각 장치를 이용하는 공정에서 필요로 하는 감광액, 화학 약품 등의 소모성 재료가 요구되지 않으며, 이로 인해 반도체 공정에서 높은 정밀도가 요구되는 기존의 리소그래피 공정을 적용할 필요가 없는 낮은 정밀도를 갖는 공정의 대체가 가능하고, 방사선 반도체 검출기의 금속 전극 형성 시 노이즈 감소방법으로 사용하고 있는 가드링 구조를 형성하는 공정을 단순화시킬 수 있으며, 회로 패턴이 단순할 경우 기존의 화학적인 다단계 과정을 거치지 않아 작업이 매우 효과적이고, 다양한 금속막 형태를 형성할 수 있으며, 작업 시설을 감소시킬 뿐만아니라, 작업 공정을 간편화할 수 있는 등의 효과를 거둘 수 있다.As described above, the present invention having the configuration as described above can replace chemical and optical processes such as development and etching by replacing a mask having circuit pattern information with a magnet or a metal pattern instead of a glass plate. Not only can the metal pattern be formed on the surface, but the physical metal pattern can be formed without the photosensitive technique and the chemical etching, and consumable materials such as the photoresist and chemicals required in the process using the photoresist and the chemical etching apparatus are used. It is not required, and thus it is possible to replace the low precision process that does not need to apply the conventional lithography process that requires high precision in the semiconductor process, and to use it as a noise reduction method when forming the metal electrode of the radiation semiconductor detector. Simplify the process of forming guard ring structure If the circuit pattern is simple, the work is very effective because it does not go through the conventional chemical multi-step process, and it can form various metal films, reduce the work facilities, and simplify the work process. It can achieve such effects.

Claims (15)

반도체 공정 중 웨이퍼 기판에 패턴을 형성하기 위한 장치에 있어서,An apparatus for forming a pattern on a wafer substrate during a semiconductor process, 패턴이 형성되기 위한 반도체 웨이퍼 기판(10);A semiconductor wafer substrate 10 for forming a pattern; 상기 반도체 웨이퍼 기판(10)의 상부에 위치하되, 반도체 웨이퍼 기판(10)을 고정시키기 위한 고정 구조물(30);A fixing structure (30) positioned above the semiconductor wafer substrate (10) for fixing the semiconductor wafer substrate (10); 상기 반도체 웨이퍼 기판(10)의 하부에 위치하되, 그 중심부에 형성되는 패턴공(51)과, 상기 패턴공(51) 외주연의 근접되는 적소에 환형으로 형성되는 보조 패턴공(53)으로 이루어지는 패턴 형성체(50);Located in the lower portion of the semiconductor wafer substrate 10, and consists of a pattern hole 51 formed in the central portion thereof, and an auxiliary pattern hole 53 formed in an annular shape in the vicinity of the outer periphery of the pattern hole 51 Pattern forming body 50; 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 자성체가 적용되는 물리적 구조물을 이용하여 임의의 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 장치.Apparatus for forming an arbitrary metal film pattern on the surface of the material using a physical structure to which the magnetic material is applied, characterized in that comprises a. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 고정 구조물(30) 및 패턴 형성체(50)가 자성체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자성체가 적용되는 물리적 구조물을 이용하여 임의의 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 장치.Apparatus for forming an arbitrary metal film pattern on the surface of the material using a physical structure to which the magnetic material is applied, characterized in that the fixed structure (30) and the pattern forming body (50) is made of a magnetic material. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 고정 구조물(30)이 자성체로 이루어지고, 상기 패턴 형성체(50)가 자력에 반응하는 금속 재질의 자성 반응 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자성체가 적용되는 물리적 구조물을 이용하여 임의의 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 장치.The fixed structure 30 is made of a magnetic material, and the pattern forming body 50 is formed of a magnetic reactant material made of a metal material that reacts to a magnetic force. Device to form the surface of the material. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 고정 구조물(30)이 자력에 반응하는 금속 재질의 자성 반응 물질로 이루어지고, 상기 패턴 형성체(50)가 자성체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자성체가 적용되는 물리적 구조물을 이용하여 임의의 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 장치.The fixed structure 30 is made of a magnetic reaction material made of a metal material that reacts to a magnetic force, and the pattern forming body 50 is made of a magnetic material. Device to form the surface of the material. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 패턴 형성체(50)에 그물망 구조로 이루어지되, 인가되는 전기에 따라 다양한 패턴을 형성할 수 있는 전자석이 구비되는 것을 특징으로 하는 자성체가 적용되는 물리적 구조물을 이용하여 임의의 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 장치.The pattern forming body 50 is made of a network structure, using a physical structure to which the magnetic material is applied, characterized in that the electromagnet is formed that is capable of forming a variety of patterns according to the applied electrical material of any metal film pattern Device forming on the surface. 반도체 웨이퍼 기판(10)과, 상기 반도체 웨이퍼 기판(10)의 상부에 위치하되, 반도체 웨이퍼 기판(10)을 고정시키기 위하여 자성체로 형성되는 고정 구조물(30)과, 상기 반도체 웨이퍼 기판(10)의 하부에 위치하고, 그 중심부 및 외주연 적소에 패턴공(51) 및 환형의 보조 패턴공(53)을 갖되, 자성체로 형성되는 패턴 형성체(50)로 이루어져 반도체 웨이퍼 기판(10)에 패턴을 형성하기 위한 자성체가 적용되는 물리적 구조물을 이용하여 임의의 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 장치에 따른 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 방법에 있어서,A semiconductor wafer substrate 10, a fixing structure 30 positioned above the semiconductor wafer substrate 10 and formed of a magnetic material to fix the semiconductor wafer substrate 10, and the semiconductor wafer substrate 10 of the semiconductor wafer substrate 10. Located in the lower portion, the pattern hole 51 and the annular auxiliary pattern hole 53 in the center and the outer periphery place, and consists of a pattern forming body 50 formed of a magnetic material to form a pattern on the semiconductor wafer substrate 10 In the method for forming a metal film pattern on the material surface according to the device for forming an arbitrary metal film pattern on the material surface by using a physical structure to which the magnetic material to be applied, 임의의 금속막 패턴이 형성되는 패턴 형성체(50)를 위치시키는 단계(S11);Positioning a pattern forming member 50 on which an arbitrary metal film pattern is formed (S11); 상기 패턴 형성체(50)의 상부에 패턴을 형성하기 위한 반도체 웨이퍼 기판(10)을 위치시키는 단계(S12);Positioning a semiconductor wafer substrate 10 for forming a pattern on the pattern former 50 (S12); 상기 반도체 웨이퍼 기판(10)의 상부에 고정 구조물(30)을 위치시키는 단계(S13);Positioning a fixing structure (30) on the semiconductor wafer substrate (10) (S13); 상기 반도체 웨이퍼 기판에 형성되는 금속막 패턴을 이루는 소재 금속을 기화시키기 위해 고온공정에 따른 고열을 조사시키는 단계(S14);Irradiating high heat according to a high temperature process to vaporize the material metal forming the metal film pattern formed on the semiconductor wafer substrate (S14); 상기 고온 공정에 따라 조사되는 고열에 의하여 기화된 금속입자들이 패턴 형성체(50)에 형성되는 패턴공(51)과 보조 패턴공(53)에 도달하여 반도체 웨이퍼 기판의 하부에 금속막 패턴이 형성되는 단계(S15);The metal particles vaporized by the high temperature irradiated by the high temperature process reach the pattern hole 51 and the auxiliary pattern hole 53 formed in the pattern forming body 50 to form a metal film pattern under the semiconductor wafer substrate. Step S15; 상기 패턴공(51)과 보조 패턴공(53)에 형성되는 금속막 패턴에 따라 반도체 웨이퍼 기판(10)에 패턴이 형성되는 단계(S16);Forming a pattern on the semiconductor wafer substrate 10 according to the metal film pattern formed in the pattern hole 51 and the auxiliary pattern hole 53 (S16); 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 자성체가 적용되는 물리적 구조물을 이용하여 임의의 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 장치에 따른 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 방법.Method of forming a metal film pattern on the material surface according to the device for forming an arbitrary metal film pattern on the material surface by using a physical structure to which the magnetic material is applied, characterized in that comprises a. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 반도체 웨이퍼 기판(10)의 상, 하부에 위치하는 고정 구조물(30)과 패턴 형성체(50)가 자력에 의하여 상호 고정되는 단계(13-1);A step (13-1) of fixing the structure 30 and the pattern forming body 50 which are located above and below the semiconductor wafer substrate 10 by magnetic force; 를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 자성체가 적용되는 물리적 구조물을 이용하여 임의의 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 장치에 따른 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 방법.Method for forming a metal film pattern on the material surface according to the device for forming an arbitrary metal film pattern on the material surface by using a physical structure to which the magnetic material is applied, characterized in that further comprises. 반도체 공정 중 웨이퍼 기판(10)에 패턴을 형성하기 위한 장치에 있어서,In the apparatus for forming a pattern on the wafer substrate 10 during the semiconductor process, 패턴이 형성되기 위한 반도체 웨이퍼 기판(10);A semiconductor wafer substrate 10 for forming a pattern; 상기 반도체 웨이퍼 기판(10)의 상부에 위치하되, 반도체 웨이퍼 기판(10)을 고정시키며, 그 중심부에 형성되는 정렬공과, 상기 정렬공 외주연의 근접되는 적소에 환형으로 형성되는 보조 정열공으로 이루어지는 고정 구조물(30);Located in the upper portion of the semiconductor wafer substrate 10, the fixing of the semiconductor wafer substrate 10, the alignment hole is formed in the center and the auxiliary alignment hole is formed in an annular position in close proximity to the outer periphery of the alignment hole Structure 30; 상기 반도체 웨이퍼 기판(10)의 하부에 위치하되, 상기 고정 구조물(30)과 대응되는 형상으로 형성되고, 그 중심부에 형성되는 패턴공(51)과, 상기 패턴공(51) 외주연의 근접되는 적소에 환형으로 형성되는 보조 패턴공(53)으로 이루어지는 패턴 형성체(50);Located in the lower portion of the semiconductor wafer substrate 10, and is formed in a shape corresponding to the fixing structure 30, the pattern hole 51 formed in the center thereof is in close proximity to the outer periphery of the pattern hole 51 A pattern forming body (50) consisting of auxiliary pattern holes (53) formed in an annular shape in place; 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 자성체가 적용되는 물리적 구조 물을 이용하여 임의의 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 장치.Apparatus for forming an arbitrary metal film pattern on the surface of the material using a physical structure to which the magnetic material is applied, characterized in that comprises a. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 고정 구조물(30) 및 패턴 형성체(50)가 자성체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자성체가 적용되는 물리적 구조물을 이용하여 임의의 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 장치.Apparatus for forming an arbitrary metal film pattern on the surface of the material using a physical structure to which the magnetic material is applied, characterized in that the fixed structure (30) and the pattern forming body (50) is made of a magnetic material. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 고정 구조물(30)이 자성체로 이루어지고, 상기 패턴 형성체(50)가 자력에 반응하는 금속 재질의 자성 반응 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자성체가 적용되는 물리적 구조물을 이용하여 임의의 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 장치.The fixed structure 30 is made of a magnetic material, and the pattern forming body 50 is formed of a magnetic reactant material made of a metal material that reacts to a magnetic force. Device to form the surface of the material. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 고정 구조물(30)이 자력에 반응하는 금속 재질의 자성 반응 물질로 이루어지고, 상기 패턴 형성체(50)가 자성체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자성체가 적용되는 물리적 구조물을 이용하여 임의의 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 장치.The fixed structure 30 is made of a magnetic reaction material made of a metal material that reacts to a magnetic force, and the pattern forming body 50 is made of a magnetic material. Device to form the surface of the material. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 고정 구조물(30)의 정렬공과 보조 정렬공에 위치 고정을 위한 고정 삽입물(35)이 채워지는 것을 특징으로 하는 자성체가 적용되는 물리적 구조물을 이용하여 임의의 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 장치.Device for forming an arbitrary metal film pattern on the surface of the material by using a physical structure to which the magnetic material is applied, characterized in that the fixing insert 35 for fixing the position in the alignment hole and the auxiliary alignment hole of the fixing structure 30 . 제12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 고정 삽입물(35)이 비자성 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자성체가 적용되는 물리적 구조물을 이용하여 임의의 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 장치.Device for forming an arbitrary metal film pattern on the surface of the material using a physical structure to which the magnetic material is applied, characterized in that the fixing insert (35) is made of a nonmagnetic material. 반도체 웨이퍼 기판(10)과, 상기 반도체 웨이퍼 기판(10)의 상부에 위치하고, 반도체 웨이퍼 기판(10)을 고정시키며, 그 중심부 및 외주연 적소에 정렬공 및 환형의 보조 정열공을 갖되, 자성체로 이루어지는 고정 구조물(30)과, 상기 반도체 웨이퍼 기판(10)의 하부에 위치하고, 그 중심부 및 외주연 적소에 패턴공(51) 및 환형의 보조 패턴공(53)을 갖되, 자성체로 형성되는 패턴 형성체(50)로 이루어져 반도체 웨이퍼 기판(10)에 패턴을 형성하기 위한 자성체가 적용되는 물리적 구조물을 이용하여 임의의 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 장치에 따른 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 방법에 있어서,Located on the semiconductor wafer substrate 10 and the semiconductor wafer substrate 10, the semiconductor wafer substrate 10 is fixed to the semiconductor wafer substrate 10, and has an alignment hole and an annular auxiliary alignment hole at the center and the outer periphery thereof, A pattern structure 51 formed at a lower portion of the semiconductor wafer substrate 10 and having a pattern hole 51 and an annular auxiliary pattern hole 53 at a central portion and an outer periphery thereof, and formed of a magnetic material. Forming a metal film pattern on the material surface according to the device for forming an arbitrary metal film pattern on the material surface using a physical structure consisting of a sieve 50 is applied a magnetic material for forming a pattern on the semiconductor wafer substrate 10 In the method, 임의의 금속막 패턴이 형성되는 패턴 형성체(50)를 위치시키는 단계(S21);Positioning the pattern former 50 on which an arbitrary metal film pattern is formed (S21); 상기 패턴 형성체(50)의 상부에 패턴을 형성하기 위한 반도체 웨이퍼 기판(10)을 위치시키는 단계(S22);Positioning a semiconductor wafer substrate 10 for forming a pattern on the pattern former 50 (S22); 상기 반도체 웨이퍼 기판(10)의 상부에 고정 구조물(30)을 위치시키는 단계(S23);Positioning a fixing structure (30) on the semiconductor wafer substrate (10) (S23); 상기 고정 구조물(30)의 배열공(31) 및 보조 배열공(33)에 고정 삽입물(35)로서 비자성 물질을 채워넣는 단계(S24);Filling a non-magnetic material as a fixing insert 35 into the arrangement hole 31 and the auxiliary arrangement hole 33 of the fixing structure 30 (S24); 상기 반도체 웨이퍼 기판에 형성되는 금속막 패턴을 이루는 소재 금속을 기화시키기 위해 고온공정에 따른 고열을 조사시키는 단계(S25);Irradiating high heat according to a high temperature process in order to vaporize the material metal forming the metal film pattern formed on the semiconductor wafer substrate (S25); 상기 고온 공정에 따라 조사되는 고열에 의하여 기화된 금속입자들이 패턴 형성체(50)에 형성되는 패턴공(51)과 보조 패턴공(53)에 도달하여 반도체 웨이퍼 기판의 하부에 금속막 패턴이 형성되는 단계(S26);The metal particles vaporized by the high temperature irradiated by the high temperature process reach the pattern hole 51 and the auxiliary pattern hole 53 formed in the pattern forming body 50 to form a metal film pattern under the semiconductor wafer substrate. Step S26; 상기 패턴공(51)과 보조 패턴공(53)에 형성되는 금속막 패턴에 따라 반도체 웨이퍼 기판(10)에 패턴이 형성되는 단계(S27);Forming a pattern on the semiconductor wafer substrate 10 according to the metal film pattern formed in the pattern hole 51 and the auxiliary pattern hole 53 (S27); 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 자성체가 적용되는 물리적 구조물을 이용하여 임의의 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 장치에 따른 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 방법.Method of forming a metal film pattern on the material surface according to the device for forming an arbitrary metal film pattern on the material surface by using a physical structure to which the magnetic material is applied, characterized in that comprises a. 제14항에 있어서,The method of claim 14, 상기 반도체 웨이퍼 기판(10)의 상, 하부에 위치하는 고정 구조물(30)과 패턴 형성체(50)가 자력에 의하여 상호 고정되는 단계(S23-1);A step (S23-1) of fixing the structure 30 and the pattern forming body 50 which are positioned above and below the semiconductor wafer substrate 10 by magnetic force; 를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 자성체가 적용되는 물리적 구조물을 이용하여 임의의 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 장치에 따른 금속막 패턴을 소재 표면에 형성하는 방법.Method for forming a metal film pattern on the material surface according to the device for forming an arbitrary metal film pattern on the material surface by using a physical structure to which the magnetic material is applied, characterized in that further comprises.
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