KR100720995B1 - Substrate processing apparatus - Google Patents

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KR100720995B1
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박용성
이성광
김동렬
김기훈
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국제엘렉트릭코리아 주식회사
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Abstract

본 발명은 수직형 확산로 설비에 관한 것으로, 본 발명의 확산로 설비는 웨이퍼 보우트가 로딩/언로딩되는 공정튜브, 공정튜브 하단에 설치되어 공정튜브를 지지하는 그리고 일측면에 노즐포트가 형성된 플랜지 및 플랜지의 제1관통공을 통해 공정튜브 내부에 위치되는 노즐부재를 포함하되, 노즐부재는 제1관통공이 삽입되어 고정되는 그리고 외주면에 적어도 하나의 평면을 갖는 지지부를 포함한다. The present invention relates to a vertical diffusion furnace, and a diffusion furnace of the present invention includes a process tube in which a wafer boat is loaded / unloaded, a flange which is installed at a lower end of the process tube and supports a process tube, And a nozzle member positioned inside the process tube through a first through hole of the flange, wherein the nozzle member includes a support having a first through hole inserted therein and having at least one plane on the outer circumferential surface thereof.

상술한 구성을 갖는 확산로 설비는 노즐부재를 작업자의 숙련도와는 관계없이 한번에 플랜지의 노즐포트에 삽입 고정시킬 수 있어 작업성이 매우 뛰어난 이점이 있다.  The diffusion furnace apparatus having the above-described configuration has an advantage in that the nozzle member can be inserted and fixed to the nozzle port of the flange at one time regardless of the skill of the operator, and thus the workability is extremely excellent.

확산로, 보우트, 플랜지, 노즐 Diffusion furnaces, boats, flanges, nozzles

Description

기판 처리 설비{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS} [0001] SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS [0002]

도 1은 일반적인 확산로 설비를 개략적으로 도시한 구성도이다.1 is a schematic view showing a general diffusion furnace facility.

도 2는 도 1에 도시된 확선로 설비의 노즐을 보여주는 사시도이다.Fig. 2 is a perspective view showing a nozzle of the line drawing equipment shown in Fig. 1. Fig.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 확산로 설비의 개략적인 구성을 보여주는 단면도이다. 3 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a diffusion furnace apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 4는 도 2에 도시된 노즐부재의 사시도이다. 4 is a perspective view of the nozzle member shown in Fig.

도 5는 노즐부재와 플랜지의 장착 구조를 설명하기 위한 요부 단면도이다. 5 is a cross-sectional view of the main part for explaining the mounting structure of the nozzle member and the flange.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 * Description of the Related Art [0002]

110 : 공정 튜브110: process tube

120 : 플랜지120: Flange

127 : 노즐포트127: nozzle port

130 : 웨이퍼 보우트 130: wafer boat

170 : 노즐부재170: nozzle member

172 : 지지부172:

174 : 연결부174:

176 : 보강부176:

178 : 분사부 178:

본 발명은 반도체 제조 장치에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 수직형 확산로 설비(DIFFUSION FURNACE APPARATUS)에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly, to a vertical diffusion furnace apparatus (DIFFUSION FURNACE APPARATUS).

일반적으로 웨이퍼는 사진, 확산, 식각, 화학 기상 증착 및 금속 증착 등의 반도체 제조 공정을 반복하여 수행한 후 소정의 반도체 소자로 제작된다. Generally, a wafer is manufactured by a predetermined semiconductor device after repeatedly performing a semiconductor manufacturing process such as photography, diffusion, etching, chemical vapor deposition, and metal deposition.

상술한 반도체 제조 공정 중 확산 공정은 웨이퍼 상에 불순물 입자를 확산시켜 상기 웨이퍼가 요구되는 전기적 특성을 지니게 하는 공정으로, 농도가 높은 곳에서 낮은 곳으로 농도 평형상태를 이룰 때까지 물질이 이동하는 확산 현상을 이용하는 공정이다.The diffusion process in the semiconductor manufacturing process described above is a process for diffusing impurity particles on a wafer so that the wafer has required electrical characteristics. The diffusion process is a process in which a material moves from a high concentration to a low concentration until a concentration equilibrium state is achieved .

이러한 상기 확산 공정은 일반적으로 수직형 또는 수평형 확산로 내부에 웨이퍼들을 위치시키고, 불순물 입자가 포함된 공정 가스를 확산로의 내부에 분사하여 웨이퍼 상에 불순물 입자를 확산시킴으로써 이루어진다.The diffusion process is generally performed by vertically or horizontally spreading the wafers and diffusing the impurity particles on the wafer by injecting the process gas containing the impurity particles into the diffusion furnace.

도 1은 종래 기술에 따른 확산로 설비를 개략적으로 도시한 구성도이고, 도 2는 도 1에 사용되는 롱 노즐을 보여주는 도면이다. FIG. 1 is a schematic view showing a diffusion furnace apparatus according to the prior art, and FIG. 2 is a view showing a long nozzle used in FIG.

도 1 및 도 2를 참조하면, 종래 기술에 따른 확산로 설비(10)는 외부와 밀폐되어 복수의 웨이퍼 상에 확산 공정을 수행하기 위한 공간을 제공하는 외측 및 내측 튜브(11a, 11b)로 이루어지는 공정 튜브(11), 공정 튜브를 지지하는 플랜지(12), 복수의 웨이퍼가 일정한 간격으로 층을 이루며 적재되어 있는 웨이퍼 보우트 (13) 등을 포함한다. Referring to FIGS. 1 and 2, a diffusion furnace apparatus 10 according to the related art includes outer and inner tubes 11a and 11b which are hermetically sealed to the outside to provide a space for performing a diffusion process on a plurality of wafers A process tube 11, a flange 12 for supporting the process tube, a wafer boat 13 in which a plurality of wafers are layered at regular intervals, and the like.

상기와 같은 구성을 갖는 확산로 설비(10)에서, 공정가스는 플랜지(12)에 설치된 롱 노즐(12b)을 통해 보우트(13)측으로 분사됨으로써 확산이 이루어지게 된다. 이때 확산된 공정 가스는 보우트(13)의 내측에 안착된 웨이퍼들의 표면에 막질을 증착시키게 되고, 잔류 가스는 내측 튜브(11b)의 상단에서 외측 튜브(11a)의 내측과 내측 튜브(11b)의 외측과의 사이 통로를 통하여 이동된 후 배기포트(12a)를 통하여 배출이 이루어지게 된다. In the diffusion furnace system 10 having the above-described structure, the process gas is diffused by being sprayed toward the boat 13 through the long nozzle 12b provided on the flange 12. At this time, the diffused process gas deposits the film quality on the surfaces of the wafers placed on the inner side of the boat 13, and the residual gas flows from the upper end of the inner tube 11b to the inner side of the outer tube 11a and the inner side of the inner tube 11b And then discharged through the exhaust port 12a.

그러나, 상기와 같이 구성되어 있는 확산로 설비(10)에서는 롱 노즐(12b)의 단면 형상이 원형으로 되어 있어, 플랜지(12)에 설치하는 작업이 어렵다. 또한, 롱 노즐(12b)은 시간이 경과함에 따라 일측으로(도 1에서 점선으로 표시됨) 기울어지는 현상이 발생된다. 이렇게 기울어진 롱 노즐(12b)은 가스 분사 위치가 변경됨으로써 막 생성 품질을 저하시키는 원인이 되며, 특히 보우트(13)와 충돌하면서 파티클이 발생되어 제품 불량의 원인이 된다.However, in the diffusion furnace system 10 configured as described above, the long nozzle 12b has a circular cross-sectional shape, so that it is difficult to install the long nozzle 12b on the flange 12. Also, the long nozzle 12b tilts to one side (indicated by a dotted line in Fig. 1) as time elapses. The tilted long nozzle 12b causes the film production quality to deteriorate due to the change of the gas injection position. Particularly, particles collide with the boat 13 and cause defective products.

본 발명의 목적은 롱 노즐의 설치가 용이한 기판 처리 설비를 제공하는데 있다. SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus which is easy to install a long nozzle.

본 발명의 목적은 롱 노즐의 기울어짐을 방지할 수 있는 기판 처리 설비를 제공하는데 있다. An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of preventing inclination of a long nozzle.

상술한 목적을 달성하기 위한 확산로 설비는 웨이퍼 보우트가 로딩/언로딩되 는 공정튜브; 상기 공정튜브 하단에 설치되어 공정튜브를 지지하는 그리고 일측면에 제1관통공이 형성된 플랜지; 및 상기 플랜지의 제1관통공을 통해 상기 공정튜브 내부에 위치되는 노즐부재를 포함하되; 상기 노즐부재는 제1관통공이 삽입되어 고정되는 그리고 외주면에 적어도 하나의 평면을 갖는 지지부를 포함한다.In order to achieve the above object, a diffusion furnace system includes a process tube in which a wafer boat is loaded / unloaded; A flange installed at the lower end of the process tube to support the process tube and having a first through hole formed on one side thereof; And a nozzle member positioned within the process tube through a first through-hole of the flange; The nozzle member includes a support having a first through hole inserted therein and having at least one plane on an outer circumferential surface thereof.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 노즐부재는 상기 지지부의 일단으로부터 상기 플랜지의 제1관통공을 통해 외측으로 연장되며 외부의 가스공급라인과 연결되는 연결부를 더 포함한다. According to an embodiment of the present invention, the nozzle member further includes a connection portion extending outward from one end of the support portion through the first through-hole of the flange and connected to an external gas supply line.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 노즐부재는 상기 지지부의 타단으로부터 상기 플랜지의 내측면을 따라 수직하게 연장되며 상기 공정튜브의 웨이퍼 보우트로 가스를 분사하는 분사구들을 갖는 분사부와, 상기 지지부와 상기 분사부 사이의 절곡된 부분에 상기 분사부의 처짐을 방지하기 위한 보강부를 더 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the nozzle member includes a jetting portion extending perpendicularly from the other end of the support portion along the inner surface of the flange and having jetting ports for jetting gas into the wafer boat of the process tube, And a reinforcing portion for preventing deflection of the jetting portion at a bent portion between the jetting portions.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제1관통공은 상기 지지부의 형상과 대응되는 형상으로 이루어진다. According to an embodiment of the present invention, the first through hole has a shape corresponding to the shape of the support portion.

예컨대, 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어 지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다. For example, the embodiments of the present invention may be modified into various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described below. The present embodiments are provided to enable those skilled in the art to more fully understand the present invention. Therefore, the shapes and the like of the elements in the drawings are exaggerated in order to emphasize a clearer explanation.

본 발명의 실시예를 첨부된 도면 도 3 내지 도 5에 의거하여 상세히 설명한다. 또, 상기 도면들에서 동일한 기능을 수행하는 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 번호를 병기한다. Embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 3 to 5 attached hereto. In the drawings, the same reference numerals are used to denote elements performing the same function.

본 발명의 기본적인 의도는 공정 튜브 안쪽에 위치되는 노즐(롱노즐)의 안정적인 설치와 고정이 이루어지도록 하기 위한 것으로, 이를 달성하기 위하여 본 발명의 확산로 설비는 플랜지에 다각형의 장착홀을 형성하고, 그 다각형의 장착홀에 끼워져 고정되도록 노즐의 외주면을 다각형으로 형성함으로써, 노즐이 플랜지의 장착홀에 안정적으로 기울어짐 없이 장착 고정된다는데 그 특징이 있다. The basic intention of the present invention is to stably install and fix a nozzle (long nozzle) located inside a process tube. To achieve this, the diffusion furnace apparatus of the present invention has a polygonal mounting hole formed in a flange, And the outer circumferential surface of the nozzle is formed in a polygonal shape so as to be fitted and fixed in the mounting hole of the polygon, whereby the nozzle is mounted and fixed without stably tilting in the mounting hole of the flange.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 확산로 설비의 개략적인 구성을 보여주는 단면도이다. 도 4는 도 3에 도시된 노즐부재의 사시도이다. 도 5는 노즐부재와 플랜지의 장착 구조를 설명하기 위한 요부 단면도이다. 3 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a diffusion furnace apparatus according to an embodiment of the present invention. 4 is a perspective view of the nozzle member shown in Fig. 5 is a cross-sectional view of the main part for explaining the mounting structure of the nozzle member and the flange.

도 3 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 확산로 설비(100)는 공정 튜브(110), 플랜지(120), 웨이퍼 보우트(130), 캡 플랜지(140), 구동부(150), 히터(160) 그리고 노즐부재(170)를 포함한다. 3 to 5, the diffusion furnace apparatus 100 of the present invention includes a process tube 110, a flange 120, a wafer boat 130, a cap flange 140, a driving unit 150, (160) and a nozzle member (170).

공정 튜브(110)는 외측 튜브(112)와, 외측 튜브(112)의 내측에 소정간격 이격되어 수용되는 내측 튜브(114)를 포함한다. 내측 튜브(114)는 석영으로 된 원통관 형상으로, 내측 튜브(114)는 웨이퍼(w)가 적재된 웨이퍼 보우트(130)가 로딩되어 웨이퍼들 상에 화학기상증착이 진행되는 내부 공간을 제공한다. 내측 튜브(114)는 플랜지(120)의 내측벽(122a)에 형성된 제1받침단(128a)에 지지된다. 외측 튜브(112)는 내측 튜브(114)의 외측에 설치되어 그 내부를 밀폐시키도록 밀폐된 원통관으로 형성되며, 플랜지(120)의 상단의 제2받침단(128b)에 지지된다. The process tube 110 includes an outer tube 112 and an inner tube 114 that is spaced apart and spaced apart within the outer tube 112. The inner tube 114 is in the form of a cylindrical tube made of quartz and the inner tube 114 is loaded with the wafer boat 130 loaded with the wafer w to provide an internal space in which chemical vapor deposition proceeds on the wafers . The inner tube 114 is supported by a first support end 128a formed on the inner wall 122a of the flange 120. [ The outer tube 112 is formed at the outer side of the inner tube 114 and is formed as a circular tube sealed to close the inside of the inner tube 114 and is supported by the second supporting end 128b at the upper end of the flange 120. [

히터(160)는 공정 튜브(110) 외부에서 공정 튜브(110)에 소정의 열을 제공하 여, 확산 공정에 요구되는 공정 튜브(110) 내부 온도를 유지시킨다. 이를 위해 히터(160)는 확산로 설비(100) 외부에는 제어부(미도시됨)가 구비되며, 상기 제어부는 상기 제어부는 공정 튜브(110)의 온도를 감지한 후 공정 튜브(110)의 온도가 공정상 요구되는 온도 밑으로 내려가면 히터(160)가 공정 튜브(110)를 가열하도록 제어한다. The heater 160 provides predetermined heat to the process tube 110 outside the process tube 110 to maintain the internal temperature of the process tube 110 required for the diffusion process. The controller 160 controls the temperature of the process tube 110 and the temperature of the process tube 110 so that the temperature of the process tube 110 is lower than the temperature of the process tube 110. [ If the temperature falls below the required temperature in the process, the heater 160 controls the heating of the process tube 110.

플랜지(120)는 공정 튜브(110)의 하측에 구비되어 공정 튜브(110)를 지지한다. 플랜지(120)와 공정 튜브(110)가 접촉하는 부분에는 오링(O-Ring)과 같은 밀폐 부재가 제공되어 공정 가스가 공정 튜브(110)와 플랜지(120) 사이에서 새어나가지 않도록 한다. 플랜지는 공정 튜브(110)를 지지하기 위하여, 내측튜브를 받치는 제1받침단(128a) 및 외측튜브(112)를 받치는 제2받침단(128b)이 제공된다. 제1받침단(128a)는 플랜지(120)의 내측면으로부터 연장되며, 내측 튜브(114)는 연장된 상부면에 고정설치된다. 또한, 제2받침단(128b)은 플랜지(120)의 상부에 형성되고, 외측 튜브(112)는 제2받침단(128b)의 상부에 고정 설치된다. A flange 120 is provided below the process tube 110 to support the process tube 110. A sealing member, such as an O-ring, is provided in the area where the flange 120 and the process tube 110 are in contact to prevent the process gas from leaking between the process tube 110 and the flange 120. The flange is provided with a first support end 128a for supporting the inner tube and a second support end 128b for supporting the outer tube 112 to support the process tube 110. [ The first abutment end 128a extends from the inner surface of the flange 120 and the inner tube 114 is secured to the extended upper surface. The second support end 128b is formed on the upper portion of the flange 120 and the outer tube 112 is fixed on the upper portion of the second support end 128b.

한편, 플랜지(120)는 일측에 내측 튜브(114) 내부로 공정 가스를 주입하기 위한 노즐부재(170)의 장착을 위한 노즐포트(127)와, 공정 튜브(110) 내부를 감압시키기 위해 내부 공기를 강제 흡입하여 배기하기 위한 배기포트(126)가 마련된다. 배기포트(126)는 공정시 공정 튜브(110) 내 공기를 외부로 배출시키기 위해 제공된다. 배기포트(126)는 공정시 공정 튜브(110)로 공급되는 공정 가스의 배기 및 공정시 공정 튜브(110) 내부를 감압시킬 수 있다. The flange 120 includes a nozzle port 127 for mounting the nozzle member 170 for injecting a process gas into the inner tube 114 at one side and a nozzle port 127 for mounting the nozzle member 170 for injecting the process gas into the inner tube 114. [ An exhaust port 126 for forcedly sucking and exhausting the exhaust gas is provided. The exhaust port 126 is provided for exhausting the air in the process tube 110 to the outside during the process. The exhaust port 126 may reduce the pressure inside the process tube 110 during the process of exhausting the process gas supplied to the process tube 110 during the process and during the process.

노즐부재(170)는 공정 튜브(110) 내부에 수직한 방향으로 외측튜브(112) 상 단부근까지 확장된 롱 노즐 타입으로써, 플랜지(120)의 노즐포트(127)에 장착 고정된다. The nozzle member 170 is mounted and fixed to the nozzle port 127 of the flange 120 as a long nozzle type extending to the vicinity of the end of the outer tube 112 in a direction perpendicular to the inside of the process tube 110.

도 4 및 도 5를 참조하면, 노즐부재(170)는 지지부(172), 연결부(174), 보강부(176) 그리고 분사부(178)로 구분될 수 있으며, 전체적으로 "L"자 형상으로 이루어진다. 먼저, 지지부(172)는 노즐포트(127)에 삽입되어 고정되는 부분으로, 외주면이 4각 형상으로 이루어진다. 당연히, 노즐포트(127)는 지지부(172)가 삽입될 수 있는 4각 형상으로 가공하여 지지부(172)의 임의 회전을 방지하고 설치 작업의 편의성을 도모하였다. 예컨대, 지지부(172)는 적어도 하나의 평면을 갖거나 또는 5각, 6각 등의 다각구조로 형상화하는 것이 바람직하다. 연결부(174)는 지지부(172)의 일단으로부터 플랜지(120)의 노즐포트(127)를 통해 외측으로 연장되며 외부의 가스공급라인(190)과 연결된다. 그리고 분사부(178)는 지지부(172)의 타단으로부터 플랜지(120)의 내측면(122a)을 따라 수직하게 연장되며, 최상단에는 공정튜브(110)의 웨이퍼 보우트(130)로 가스를 분사하는 분사구(179)가 형성되어 있다. 한편, 보강부(176)는 지지부(172)와 분사부(178) 사이의 절곡된 부분에 설치되어 분사부(178)의 처짐을 방지한다. 본 실시예에서, 보강부(176)는 지지부(172)와 동일한 4각 형상의 외주면을 갖으며, 플랜지(120)의 내측면(122a)와 수평하게 형성되어 분사부(178)의 처짐을 방지하는 보강대 역할을 하며, 특히 웨이퍼 보우트(130) 방향으로 처짐을 방지하게 된다. 4 and 5, the nozzle member 170 may be divided into a supporting portion 172, a connecting portion 174, a reinforcing portion 176, and a jetting portion 178, . First, the support portion 172 is inserted and fixed to the nozzle port 127, and has an outer peripheral surface of a quadrangular shape. Naturally, the nozzle port 127 is formed into a quadrangular shape into which the support portion 172 can be inserted, thereby preventing any rotation of the support portion 172 and facilitating the installation work. For example, the support portion 172 may have at least one plane or be formed into a polygonal structure such as a pentagon, a hexagon, or the like. The connection portion 174 extends outwardly from one end of the support portion 172 through the nozzle port 127 of the flange 120 and is connected to an external gas supply line 190. The jetting portion 178 extends vertically from the other end of the support portion 172 along the inner side surface 122a of the flange 120 and has an uppermost portion of the jetting portion 178 for jetting gas to the wafer boat 130 of the process tube 110. [ (Not shown). The reinforcing portion 176 is provided at the bent portion between the supporting portion 172 and the jetting portion 178 to prevent the jetting portion 178 from sagging. The reinforcing portion 176 has a quadrangular outer peripheral surface that is the same as the support portion 172 and is formed horizontally with the inner side surface 122a of the flange 120 to prevent deflection of the jetting portion 178 And in particular to prevent sagging in the direction of the wafer boat 130.

상술한 바와 같이, 노즐부재는 플랜지에 고정되는 부분 및 직각으로 절곡된 부분을 다각형으로 가공처리하여, 작업자의 숙련도와는 관계없이 한번에 플랜지의 노즐포트에 삽입 고정시킬 수 있을 뿐만 아니라, 자체 하중 및 설치 불량에 의한 기울어짐 현상을 근본적으로 방지할 수 있는 것이다. As described above, the nozzle member is processed into a polygonal shape by a portion fixed to the flange and a portion bent at a right angle, so that the nozzle member can be inserted and fixed to the nozzle port of the flange at one time irrespective of the skill of the operator, It is possible to fundamentally prevent the tilting phenomenon caused by the installation failure.

이상에서, 본 발명에 따른 확산로 설비의 구성 및 작용을 상기한 설명 및 도면에 따라 도시하였지만 이는 예를 들어 설명한 것에 불과하며 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능함은 물론이다.While the invention has been shown and described with reference to certain preferred embodiments thereof, it will be understood by those skilled in the art that various changes and modifications may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. Of course.

상술한 바와 같이, 본 발명은 노즐부재를 작업자의 숙련도와는 관계없이 한번에 플랜지의 노즐포트에 삽입 고정시킬 수 있어 작업성이 매우 뛰어난 이점이 있다.As described above, the present invention is advantageous in that the nozzle member can be inserted and fixed to the nozzle port of the flange at once, regardless of the skill of the operator, and thus the workability is very excellent.

본 발명은 노즐부재의 지지부(플랜지에 고정되는 부분) 및 보강부(직각으로 절곡된 부분)를 다각형으로 가공처리함으로써, 자체 하중 및 설치 불량에 의한 기울어짐 현상을 방지할 수 있는 각별한 이점이 있다.The present invention has particular advantages in that it can prevent tilting due to its own load and installation failure by processing the supporting portion (portion fixed to the flange) and the reinforcing portion (the bent portion at right angle) of the nozzle member into a polygonal shape .

Claims (6)

기판 처리 설비에 있어서:A substrate processing facility comprising: 웨이퍼 보우트가 로딩/언로딩되는 공정튜브; 및A process tube in which the wafer boat is loaded / unloaded; And 상기 공정튜브 하단에 설치되어 공정튜브를 지지하는 그리고 일측면에 제1관통공이 형성된 플랜지;A flange installed at the lower end of the process tube to support the process tube and having a first through hole formed on one side thereof; 상기 플랜지의 제1관통공을 통해 상기 공정튜브 내부에 위치되는 노즐부재를 포함하되;A nozzle member positioned within the process tube through a first through-hole of the flange; 상기 노즐부재는 The nozzle member 제1관통공이 삽입되어 고정되는 그리고 외주면에 적어도 하나의 평면을 갖는 지지부;A support having a first through hole inserted therein and having at least one plane on an outer circumferential surface thereof; 상기 지지부의 타단으로부터 상기 플랜지의 내측면을 따라 수직하게 연장되며 상기 공정튜브의 웨이퍼 보우트로 가스를 분사하는 분사구들을 갖는 분사부;A jetting portion extending from the other end of the support portion along the inner surface of the flange and having injection ports for injecting gas into the wafer boat of the process tube; 상기 지지부와 상기 분사부 사이의 절곡된 부분에 상기 분사부의 처짐을 방지하기 위한 보강부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 설비. And a reinforcing portion for preventing deflection of the jetting portion at a bent portion between the support portion and the jetting portion. 제1항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 노즐부재는The nozzle member 상기 지지부의 일단으로부터 상기 플랜지의 제1관통공을 통해 외측으로 연장되며 외부의 가스공급라인과 연결되는 연결부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 설비.Further comprising a connection portion extending outward from one end of the support portion through the first through hole of the flange and connected to an external gas supply line. 삭제delete 삭제delete 제1항 또는 제2항에 있어서,3. The method according to claim 1 or 2, 상기 제1관통공은 상기 지지부의 형상과 대응되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 설비.Wherein the first through hole corresponds to the shape of the support portion. 제1항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 기판 처리 설비는 화학 기상 증착 설비인 것을 특징으로 하는 기판 처리 설비.Wherein the substrate processing facility is a chemical vapor deposition facility.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000026275A (en) * 1998-10-19 2000-05-15 윤종용 Shaft furnace in semiconductor manufacturing equipment
KR20020010304A (en) * 2000-07-29 2002-02-04 윤종용 Vertical diffusion furnace for manufacturing semiconductor device
US6435865B1 (en) 2001-07-30 2002-08-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus and method for positioning gas injectors in a vertical furnace
KR20050011061A (en) * 2003-07-21 2005-01-29 삼성전자주식회사 Vertical furnace used to manufacture semiconductor device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000026275A (en) * 1998-10-19 2000-05-15 윤종용 Shaft furnace in semiconductor manufacturing equipment
KR20020010304A (en) * 2000-07-29 2002-02-04 윤종용 Vertical diffusion furnace for manufacturing semiconductor device
US6435865B1 (en) 2001-07-30 2002-08-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus and method for positioning gas injectors in a vertical furnace
KR20050011061A (en) * 2003-07-21 2005-01-29 삼성전자주식회사 Vertical furnace used to manufacture semiconductor device

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