KR100715840B1 - Method For Forming Of Carbon Nano Tube Array Pattern And Cabon Nano Tube Array Pattern Thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명은 탄소 나노 튜브를 일정한 방향으로 배열시켜 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 탄소 나노 튜브 어레이 패턴 형성 방법 및 그 방법에 의해 제조된 탄소 나노 튜브 어레이 패턴에 관한 것이다.The present invention relates to a method of forming a carbon nanotube array pattern capable of improving electrical characteristics by arranging carbon nanotubes in a predetermined direction, and a carbon nanotube array pattern produced by the method.

이를 위하여, 본 발명은 탄소 나노 튜브 어레이 패턴을 형성하는 방법에 있어서, 탄소 나노 튜브를 폴리머 용액에 혼합하는 단계와; 상기 혼합 용액을 기판 상에 도포하여 탄소 나노 튜브가 분산된 수지 필름을 형성하는 단계와; 상기 수지 필름의 하부에 전압을 인가하여 전기장을 발생시켜 상기 탄소 나노 튜브를 기판 상에 수직 방향으로 일정하게 배열시키는 단계와; 상기 수지 필름을 경화시키는 단계와; 상기 경화된 수지 필름을 세정 공정을 통해 일정 두께 제거하는 단계를 포함하여 이루어진다. To this end, the present invention provides a method of forming a carbon nanotube array pattern, comprising: mixing carbon nanotubes into a polymer solution; Coating the mixed solution on a substrate to form a resin film in which carbon nanotubes are dispersed; Applying a voltage to a lower portion of the resin film to generate an electric field to uniformly align the carbon nanotubes in a vertical direction on the substrate; Curing the resin film; And removing the cured resin film to a predetermined thickness through a cleaning process.

전기장, 배열, 경화, 탄소 나노 튜브 Electric field, arrangement, hardening, carbon nanotube

Description

탄소 나노 튜브 어레이 패턴 형성 방법 및 그 방법에 의해 형성된 탄소 나노 튜브 어레이 패턴{Method For Forming Of Carbon Nano Tube Array Pattern And Cabon Nano Tube Array Pattern Thereof}[0001] The present invention relates to a method of forming a carbon nanotube array pattern and a carbon nanotube array pattern formed by the method.

도 1a 내지 도 1d는 본 발명에 따른 탄소 나노 튜브 어레이 패턴 형성 방법을 순차로 도시한 공정도.FIGS. 1A to 1D are process drawings sequentially illustrating a method of forming a carbon nanotube array pattern according to the present invention.

도 2는 종래 기술에 따라 형성된 탄소 나노 튜브가 분산된 탄소 나노 튜브 어레이 패턴을 도시한 단면도.2 is a cross-sectional view showing a carbon nanotube array pattern in which carbon nanotubes formed according to the related art are dispersed.

도 3은 종래 기술에 따른 탄소 나노 튜브 어레이 패턴의 문제점을 도시한 단면도. 3 is a sectional view showing a problem of a carbon nanotube array pattern according to the related art.

<도면의 주요 부분에 대한 부호 설명>Description of the Related Art [0002]

1 : 기판1: substrate

2 : 수지 필름2: Resin film

21 : 탄소 나노 튜브    21: Carbon nanotubes

본 발명은 탄소 나노 튜브를 포함하는 탄소 나노 튜브 어레이 패턴을 형성하 는 방법 및 그 방법에 의해 형성된 탄소 나노 튜브 어레이 패턴에 관한 것으로, 보다 상세하게는 탄소 나노 튜브를 일정한 방향으로 배열시켜 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 탄소 나노 튜브 어레이 패턴 형성 방법 및 그 방법에 의해 형성된 탄소 나노 튜브 어레이 패턴에 관한 것이다.The present invention relates to a method of forming a carbon nanotube array pattern including carbon nanotubes and a carbon nanotube array pattern formed by the method. More particularly, the present invention relates to a carbon nanotube array pattern formed by arranging carbon nanotubes in a predetermined direction And a carbon nanotube array pattern formed by the method.

최근 나노 패턴 구조물은 새로운 물리적 특성을 가지는 신소재나 외부의 환경에 대응하여 반응하는 센서 혹은 능동 소자로서 널리 활용되고 있으며, 나노 패턴 구조물로는 DNA, 도전성 고분자, 탄소 나노 튜브(carbon nano tube : CNT)이 이용되고 있다. Recently, nanopattern structures have been widely used as new materials with new physical properties or as sensors or active devices responding to external environments. Nanopattern structures include DNA, conductive polymers, carbon nanotubes (CNTs) .

상기 탄소 나노 튜브는 하나의 탄소 원자가 3개의 다른 탄소 원자와 결합하여, 육각형 벌집 무늬를 이루고 있는 흑연판이 나노 크기의 직경으로 둥글게 감긴 구조의 물질로, 대롱의 벽을 구성하는 겹의 갯수에 따라, 단일벽 나노 튜브(singlewalled nanotube), 다중벽 나노 튜브(multiwalled nanotube) 또는 다발형 나노튜브(rope-type nanotube)로 구분되고, 상기 흑연판이 감기는 각도 및 감긴 직경에 따라, 상기 CNT의 전기적 특성은 도체 또는 반도체일 수 있다.The carbon nanotubes have a structure in which one carbon atom is bonded to three different carbon atoms and a graphite plate having a hexagonal honeycomb pattern is wound round a nanometer-sized diameter. Depending on the number of layers constituting the wall of the barrier, The CNTs are classified into singlewalled nanotubes, multiwalled nanotubes, or rope-type nanotubes, and depending on the angle at which the graphite sheet is wound and its winding diameter, Conductor or semiconductor.

상기 탄소 나노 튜브는 수 ㎛의 길이이면서 직경이 수 ㎚로 형성할 수 있기 때문에, 상기 CNT의 끝에서 전기장은 매우 강하게 증폭될 수 있고, 상술한 바와 같은 다양한 특성 때문에 각종 장치의 전자 방출원 (electron emitter), VFD(vacuum fluorescent display), 백색광원, FED (field emission display), 리튬이온 2차 전지전극, 수소저장 연료전지, 나노 와이어, 나노 캡슐, 나노 핀셋, AFM/STM 팁(tip), 단전자 소자, 가스센서 공학용 미세 부품, 고기능 복합체 등에서 무한한 응 용 가능성을 보여주고 있다.Since the carbon nanotubes can be formed to have a length of several micrometers and a diameter of several nanometers, the electric field can be amplified very strongly at the end of the CNTs. Due to various characteristics as described above, emitter, vacuum fluorescent display (VFD), white light source, field emission display (FED), lithium ion secondary battery electrode, hydrogen storage fuel cell, nanowire, nanocapsule, nano-tweezers, AFM / STM tip Electronic components, gas sensor engineering components, and high-performance complexes.

도 2는 종래 기술에 따라 형성된 탄소 나노 튜브가 분산된 탄소 나노 튜브 어레이 패턴을 도시한 단면도로, 기판(10) 상에 미리 성장된 탄소 나노 튜브(21)가 가용성 또는 불용해성 형태로 폴리메틸메타크릴레이트(polymethylmethacrylate : PMMA) 용액에 용해되어 상기 기판(10 )표면 상에 스핀 코팅함으로써 PMMA 수지층(20) 내에 탄소 나노 튜브(21)가 불규칙하게 분산된 필름 형태로 형성한다. FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a carbon nanotube array pattern in which carbon nanotubes are formed according to a conventional technique. In FIG. 2, carbon nanotubes 21 previously grown on a substrate 10 are polymethylmethacrylate Is dissolved in a polymethylmethacrylate (PMMA) solution and is spin-coated on the surface of the substrate 10 to form a film in which the carbon nanotubes 21 are irregularly dispersed in the PMMA resin layer 20.

도 3은 종래 기술에 따른 탄소 나노 튜브 어레이 패턴의 문제점을 도시한 단면도로, 탄소 나노 튜브(21)가 PMMA 수지층(20) 내에 불규칙하게 어레이 패턴된 소자에 전압이 인가되면 상기 탄소 나노 튜브(21)가 도 3에 도시된 바와 같이 PMMA 수지층의 하단부에 치우쳐 배열된다. FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a problem of a conventional carbon nanotube array pattern. When a voltage is applied to a device in which carbon nanotubes 21 are irregularly arrayed in the PMMA resin layer 20, 21 are biased toward the lower end of the PMMA resin layer as shown in Fig.

이에 따라, 소자를 센서 등에 이용할 경우 전계가 어느 한쪽에 집중되기 때문에 전류 밀도 분포가 균일하게 이루어지지 않아 소자의 전기적 특성이 저하되는 문제점이 있었다.Accordingly, when the device is used in a sensor or the like, the electric field is concentrated on one side, so that the current density distribution is not uniform, and the electric characteristics of the device are deteriorated.

본 발명은 상술한 종래 기술에 따른 문제점을 해결하기 위하여 발명된 것으로, 탄소 나노 튜브를 기판 상에 일정한 방향으로 배열하고 탄소 나노 튜브를 봉합하는 수지층을 일부 제거함으로써 전기적 특성이 우수한 탄소 나노 튜브 어레이 패턴의 형성 방법 및 그 방법에 의해 형성된 탄소 나노 튜브 어레이 패턴을 제공하기 위한 것이다. Disclosure of Invention Technical Problem [8] Accordingly, the present invention has been made in order to solve the above problems of the related art, and it is an object of the present invention to provide a carbon nanotube array having excellent electrical characteristics by arranging carbon nanotubes in a certain direction on a substrate, A method of forming a pattern, and a carbon nanotube array pattern formed by the method.

상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명은 탄소 나노 튜브 어레이 패턴을 형성하는 방법에 있어서, 탄소 나노 튜브를 폴리머 용액에 혼합하는 단계와; 상기 혼합 용액을 기판 상에 도포하여 탄소 나노 튜브가 분산된 수지 필름을 형성하는 단계와; 상기 수지 필름의 하부에 전압을 인가하여 전기장을 발생시켜 상기 탄소 나노 튜브를 기판 상에 수직 방향으로 일정하게 배열시키는 단계와; 상기 수지 필름을 경화시키는 단계와; 상기 경화된 수지 필름을 세정 공정을 통해 일정 두께 제거하는 단계를 포함하여 이루어진다. According to an aspect of the present invention, there is provided a method of forming a carbon nanotube array pattern, comprising: mixing carbon nanotubes into a polymer solution; Coating the mixed solution on a substrate to form a resin film in which carbon nanotubes are dispersed; Applying a voltage to a lower portion of the resin film to generate an electric field to uniformly align the carbon nanotubes in a vertical direction on the substrate; Curing the resin film; And removing the cured resin film to a predetermined thickness through a cleaning process.

또한, 본 발명은 탄소 나노 튜브 어레이 패턴에 있어서, 수지 필름과; 상기 수지 필름에 의해 그 하단부가 둘러싸여 지지되고 그 상단부가 상기 수지 필름의 상부로 돌출되어 상기 수직 필름의 수직 방향으로 배열되는 다수의 탄소 나노 튜브를 포함하여 구성된다.Further, the present invention provides a carbon nanotube array pattern comprising: a resin film; And a plurality of carbon nanotubes whose lower ends are surrounded by the resin film and whose upper ends protrude from the upper portion of the resin film and are arranged in the vertical direction of the vertical film.

본 발명은 본 발명은 첨부된 도면을 참조하여 후술하는 바람직한 실시예를 통하여 더욱 명백해질 것이다. 이하에서는 본 발명의 실시예를 통해 당업자가 용이하게 이해하고 재현할 수 있도록 상세히 설명하도록 한다. The present invention will become more apparent from the following description of the preferred embodiments with reference to the accompanying drawings. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1a 내지 도 1d는 본 발명에 따른 탄소 나노 튜브 어레이 패턴 형성 방법을 순차로 도시한 공정도이다. 1A to 1D are process diagrams sequentially illustrating a method of forming a carbon nanotube array pattern according to the present invention.

우선, 통상적인 방법을 이용하여 탄소 나노 튜브(11)를 형성한다. 상기 탄소 나노 튜브(21)는, 단일벽 나노 튜브(singlewalled nanotube), 다중벽 나노 튜브(multiwalled nanotube) 또는 다발형 나노튜브(rope-type nanotube) 중 어느 형태든 가능하다. First, the carbon nanotubes 11 are formed by a conventional method. The carbon nanotubes 21 may be in the form of a single walled nanotube, a multiwalled nanotube, or a rope-type nanotube.

그런 다음, 상기 탄소 나노 튜브(21) 폴리머 용액, 예를 들어 포토 리소그래피(photo lithograph)에 사용되는 PMMA(polymethylmethacrylate) 용액에 혼합하고 혼합 용액을 기판 상에 스핀 코팅 방식 등을 이용하여 코팅한다. Next, the carbon nanotube 21 is mixed with a polymer solution, for example, a polymethylmethacrylate (PMMA) solution used in a photolithography, and the mixed solution is coated on the substrate using a spin coating method or the like.

이에 따라, 도 1a에 도시된 바와 같이 상기 탄소 나노 튜브(21)가 분산된 PMMA 수지 필름(2)이 형성된다. 이때, PMMA 수지 필름(2)은 스핀 코팅 방식 이외의 스프레이 코팅 방식 등으로 형성할 수 있다. Thus, as shown in FIG. 1A, a PMMA resin film 2 in which the carbon nanotubes 21 are dispersed is formed. At this time, the PMMA resin film (2) can be formed by a spray coating method other than the spin coating method.

그리고 나서, 상기 PMMA 수지 필름(2)의 하부에 일정한 전압을 인가하여 전기장을 발생시켜 도 1b에 도시된 바와 같이 상기 탄소 나노 튜브(21)가 기판(1)의 상부에서 PMMA 수지 필름(2)과 수직 방향으로 일정하게 배열되도록 한다. 이때, 상기 탄소 나노 튜브는 그 끝 부분에서 전기장이 강하게 발생하기 때문에 전압이 인가되면 그 끝 부분이 전압이 인가된 방향으로 배열되는 것이다.
그런 다음, 도 1c에 도시된 바와 같이 상기 탄소 나노 튜브(21)가 일정 방향으로 배열된 구조를 갖는 PMMA 수지 필름(2)에 자외선(ultraviolet rays : UV)을 조사하여 PMMA 수지 필름(2)을 경화시킨다. 이때, 상기 PMMA 수지 필름(2)은 UV를 조사하여 경화시켰지만 경우에 따라 열 경화 공정으로 진행할 수도 있으며, UV 경화 공정을 진행할 경우 UV의 에너지 범위는 통상적인 UV 경화 조건 예를 들어 250mJ/cm2 내지 600mJ/cm2 의 에너지 조사량으로, 45초 내지 130초 동안 실시할 수 있다. Then, a constant voltage is applied to the lower part of the PMMA resin film 2 to generate an electric field to cause the carbon nanotubes 21 to move along the PMMA resin film 2 at the upper part of the substrate 1, In the vertical direction. At this time, since the electric field is strongly generated at the end portion of the carbon nanotube, when the voltage is applied, the end portion of the carbon nanotube is arranged in a direction in which the voltage is applied.
1C, ultraviolet rays (UV) are applied to the PMMA resin film 2 having a structure in which the carbon nanotubes 21 are arranged in a predetermined direction to form the PMMA resin film 2 Cure. In this case, the PMMA resin film (2) is cured by UV irradiation, but it may be thermally cured if necessary. When the UV curing process is carried out, the UV energy range is set to a range of 250 mJ / It can be performed at an energy irradiation dose of 600 mJ / cm &lt; 2 &gt; for 45 seconds to 130 seconds.

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이어서, 상기 UV 조사에 의해 경화된 PMMA 수지 필름(2)의 일정 부분을 세정(Cleaning) 공정을 이용하여 제거함으로써 도 1d에 도시된 바와 같이 상기 탄소 나노 튜브(21)가 일정한 방향으로 배열된 구조를 형성한다. Subsequently, a certain portion of the PMMA resin film 2 cured by the UV irradiation is removed using a cleaning process to form a structure in which the carbon nanotubes 21 are arranged in a predetermined direction as shown in FIG. .

이때, 상기 세정 용액으로는 PMMA 수지 필름을 녹일 수 있는 아세톤, 벤젠 등 유기 용제를 이용할 수 있다.At this time, as the cleaning solution, an organic solvent such as acetone or benzene which can dissolve the PMMA resin film can be used.

상기 세정 공정에서 세정 용액의 농도 및 시간의 조절에 따라 상기 PMMA 수지 필름(2)이 세정 용액에 의해 완전히 제거될 경우 상기 탄소 나노 튜브(21)가 방향성을 가지고 배열되지 못하고 쓰러질 수 있다.If the PMMA resin film 2 is completely removed by the cleaning solution in accordance with the concentration and time of the cleaning solution in the cleaning process, the carbon nanotubes 21 may not be aligned and collapse.

따라서, 상기 탄소 나노 튜브(21)가 쓰러지지 않고 PMMA 수지 필름(2)에 의해 지지되어 일정 방향으로 배열된 상태를 유지할 수 있도록 하는 것이 중요하다,Therefore, it is important that the carbon nanotubes 21 are supported by the PMMA resin film 2 without collapsing so that the carbon nanotubes 21 can be arranged in a predetermined direction.

이를 위하여, 상기 PMMA 수지 필름(21)이 완전히 제거되지 않고 일정 부분 남도록 하기 위하여 세정 용액의 농도 및 세정 시간을 적절하게 조절하도록 한다. For this purpose, the concentration of the cleaning solution and the cleaning time are appropriately adjusted so that the PMMA resin film 21 is not completely removed but remains at a certain portion.

이에, 본 발명의 탄소 나노 튜브 어레이 패턴 형성 방법에 따라 형성된 탄소 나노 튜브 어레이 패턴은 최종적으로 도 1d에 도시된 바와 같이 PMMA 수지 필름(2)이 구비되고, 다수의 탄소 나노 튜브(21)가 상기 수지 필름(2)에 의해 그 하단부가 둘러싸여 지지되고 그 상단부가 상기 수지 필름(2)의 상부로 돌출되어 일정 방향, 즉 수직 방향으로 배열된 형태가 된다. Thus, the carbon nanotube array pattern formed according to the method of forming a carbon nanotube array pattern of the present invention finally includes a PMMA resin film 2 as shown in FIG. 1d, and a plurality of carbon nanotubes 21 And the upper end portion thereof is protruded to the upper portion of the resin film 2 and is arranged in a certain direction, that is, in the vertical direction.

따라서, 탄소 나노 튜브 상단부의 수지 필름은 제거되고 수지 필름 상에서 탄소 나노 튜브가 일정 방향으로의 배열 구조를 갖기 때문에 소자에 적용시 전압이 인가되면 소자 내의 전류 밀도의 분포가 균일하게 이루어진다. Therefore, since the resin film at the upper end of the carbon nanotubes is removed and the carbon nanotubes are arranged in a predetermined direction on the resin film, when the voltage is applied to the device, the current density distribution in the device becomes uniform.

결국, 소자의 전기적 특성이 향상되어 우수한 민감성을 요구하는 센서에 적용할 경우 센서의 성능을 향상시킬 수 있게된다. As a result, the electrical characteristics of the device are improved, and when the sensor is applied to a sensor requiring high sensitivity, the performance of the sensor can be improved.

상술한 바와 같이 본 발명은, 탄소 나노 튜브를 기판 상에 일정한 방향으로 배열하고 탄소 나노 튜브를 봉합하는 수지층을 일부 제거하여 탄소 나노 튜브가 어 느 한 부분에 집중되는 것을 방지함으로써 소자 내의 전류 밀도 분포를 균일하게 하여 전기적 특성이 우수한 소자를 형성할 수 있다. As described above, according to the present invention, a carbon nanotube is arranged on a substrate in a predetermined direction, and a resin layer for sealing the carbon nanotubes is partially removed to prevent the carbon nanotubes from being concentrated in a certain region, Thereby making it possible to form a device having excellent electrical characteristics.

본 발명은 첨부된 도면을 참조하여 바람직한 실시예를 중심으로 기술되었지만 당업자라면 이러한 기재로부터 본 발명의 범주를 벗어남이 없이 많은 다양한 자명한 변형이 가능하다는 것은 명백하다. 따라서 본 발명의 범주는 이러한 많은 변형예들을 포함하도록 기술된 청구범위에 의해서 해석되어져야 한다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is evident that many obvious changes and modifications may be made without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. Accordingly, the scope of the present invention should be interpreted by the claims to include many such variations.

Claims (3)

탄소 나노 튜브 어레이 패턴을 형성함에 있어서, In forming the carbon nanotube array pattern, 탄소 나노 튜브를 폴리머 용액에 혼합하는 단계와;Mixing the carbon nanotubes with the polymer solution; 상기 혼합 용액을 기판 상에 도포하여 탄소 나노 튜브가 분산된 수지 필름을 형성하는 단계와;Coating the mixed solution on a substrate to form a resin film in which carbon nanotubes are dispersed; 상기 수지 필름의 하부에 전압을 인가하여 전기장을 발생시켜 상기 탄소 나노 튜브를 기판 상에 수직 방향으로 일정하게 배열시키는 단계와; Applying a voltage to a lower portion of the resin film to generate an electric field to uniformly align the carbon nanotubes in a vertical direction on the substrate; 상기 수지 필름을 경화시키는 단계와;Curing the resin film; 상기 경화된 수지 필름을 세정 공정을 통해 일정 두께 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄소 나노 튜브 어레이 패턴 형성 방법. And removing the cured resin film to a predetermined thickness through a cleaning process. 제 1항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 수지 필름을 경화시키는 단계는;The step of curing the resin film comprises: 상기 수지 필름에 자외선을 조사하여 실시함을 특징으로 하는 탄소 나노 튜브 어레이 패턴 형성 방법.Wherein the resin film is irradiated with ultraviolet light. 탄소 나노 튜브를 포함하는 탄소 나노 튜브 어레이 패턴에 있어서, In a carbon nanotube array pattern including carbon nanotubes, 수지 필름(2)과;A resin film (2); 상기 수지 필름(2)에 의해 그 하단부가 둘러싸여 지지되고 그 상단부가 상기 수지 필름(2)의 상부로 돌출되어 상기 수지 필름(2)의 수직 방향으로 배열되는 다수의 탄소 나노 튜브(21)를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 탄소 나노 튜브 어레이 패턴.A plurality of carbon nanotubes 21 which are surrounded by the resin film 2 and whose upper ends protrude above the resin film 2 and are arranged in the vertical direction of the resin film 2 Wherein the carbon nanotube array pattern is formed of a carbon nanotube.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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