KR100711876B1 - Light Emitting Display and Method for Fabricating the Same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 정공수송층의 뜯김을 방지할 수 있도록 한 발광표시장치의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a light emitting display device to prevent tearing of the hole transport layer.

본 발광표시장치의 제조방법은 기판 상에 적어도 하나의 박막 트랜지스터를 형성하는 단계와, 상기 박막 트랜지스터들 중 적어도 하나와 전기적으로 접속되도록 적어도 하나의 제 1 전극을 형성하는 단계와, 상기 제 1 전극 상에 제 2 평탄화막을 형성하는 단계와, 상기 제 2 평탄화막 상에 금속층을 형성하는 단계와, 상기 금속층 상에 상기 제 1 전극과 중첩되도록 발광소자를 형성하는 단계 및 상기 발광소자 상에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함한다.A method of manufacturing a light emitting display device includes forming at least one thin film transistor on a substrate, forming at least one first electrode to be electrically connected to at least one of the thin film transistors, and forming the first electrode. Forming a second planarization film on the surface, forming a metal layer on the second planarization film, forming a light emitting device on the metal layer to overlap the first electrode, and forming a second light emitting device on the light emitting device Forming an electrode.

이에 따라, 발광소자가 금속층 상에 더 밀착되어 형성되도록 할 수 있고, 발광층 형성시 발생할 수 있는 정공수송층의 뜯김을 방지할 수 있다. Accordingly, the light emitting device may be formed to be in close contact with the metal layer, and the tearing of the hole transport layer, which may occur when the light emitting layer is formed, may be prevented.

Description

발광표시장치 및 그 제조방법{Light Emitting Display and Method for Fabricating the Same}Light Emitting Display and Method for Fabricating the Same

도 1은 종래의 발광표시장치의 제조공정을 나타내는 블럭도이다.1 is a block diagram illustrating a manufacturing process of a conventional light emitting display device.

도 2a 내지 도 2e는 도 1의 제조공정에 따른 발광표시장치의 형성단계별 측단면도이다. 2A through 2E are side cross-sectional views of formation steps of the light emitting display device according to the manufacturing process of FIG. 1.

도 3은 본 발명의 일실시예에 의한 발광표시장치의 제조공정을 나타내는 블럭도이다.3 is a block diagram illustrating a manufacturing process of a light emitting display device according to an embodiment of the present invention.

도 4a 내지 도 4h는 도 3의 제조공정에 따른 발광표시장치의 형성단계별 측단면도이다.4A to 4H are side cross-sectional views of forming steps of the light emitting display device according to the manufacturing process of FIG. 3.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 의한 발광표시장치의 측단면도이다.5 is a side cross-sectional view of a light emitting display device according to another embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

400: 발광표시장치 410: 기판400: light emitting display device 410: substrate

420: 버퍼층 430: 박막 트랜지스터420: buffer layer 430: thin film transistor

440: 제 1 평탄화막 445: 비아홀440: first planarization film 445: via hole

450: 제 1 전극 460: 화소정의막450: first electrode 460: pixel defining layer

465: 제 2 평탄화막 470: 금속층465: second planarization film 470: metal layer

480: 발광소자 480a: 정공주입층480: light emitting element 480a: hole injection layer

480b: 정공수송층 480c: 발광층480b: hole transport layer 480c: light emitting layer

480d: 전자수송층 480e: 전자주입층480d: electron transport layer 480e: electron injection layer

490: 제 2 전극 490: second electrode

본 발명은 발광표시장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 정공수송층의 뜯김을 방지할 수 있도록 한 발광표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a light emitting display device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a light emitting display device and a method of manufacturing the same so as to prevent tearing of the hole transport layer.

최근, 음극선관과 비교하여 무게가 가볍고 부피가 작은 각종 평판 표시장치들이 개발되고 있으며 특히 발광효율, 휘도 및 시야각이 뛰어나고 응답속도가 빠른 발광표시장치가 주목받고 있다.Recently, various flat panel display devices having a lighter weight and a smaller volume than the cathode ray tube have been developed. In particular, a light emitting display device having excellent luminous efficiency, brightness, viewing angle, and fast response speed has been attracting attention.

이러한 발광표시장치로는 유기 발광소자를 이용한 유기 발광표시장치와 무기 발광소자를 이용한 무기 발광표시장치가 있다. 유기 발광소자는 유기 발광다이오드(Organic Light Emitting Diode, OLED)로도 호칭되며, 애노드 전극, 캐소드 전극 및 이들 사이에 위치하여 전자와 정공의 결합에 의하여 발광하는 유기 발광층을 포함한다. 무기 발광소자는 발광다이오드(Light Emitting Diode, LED)로도 호칭되며, 유기 발광다이오드와 달리 무기물인 발광층, 일례로 PN 접합된 반도체로 이루어진 발광층을 포함한다. Such light emitting display devices include an organic light emitting display device using an organic light emitting device and an inorganic light emitting display device using an inorganic light emitting device. The organic light emitting diode is also referred to as an organic light emitting diode (OLED), and includes an anode, a cathode, and an organic light emitting layer disposed between them to emit light by a combination of electrons and holes. The inorganic light emitting device is also referred to as a light emitting diode (LED) and, unlike an organic light emitting diode, includes an inorganic light emitting layer, for example, a light emitting layer made of a PN bonded semiconductor.

이하에서는 도면을 참조하여 종래의 발광표시장치의 제조공정을 구체적으로 설명한다. 도 1은 종래의 발광표시장치의 제조공정을 나타내는 블럭도이다. 그리고, 도 2a 내지 도 2e는 도 1의 제조공정에 따른 발광표시장치의 형성단계별 측단면도이다.Hereinafter, a manufacturing process of a conventional light emitting display device will be described in detail with reference to the accompanying drawings. 1 is a block diagram illustrating a manufacturing process of a conventional light emitting display device. 2A through 2E are side cross-sectional views of forming steps of the light emitting display device according to the manufacturing process of FIG. 1.

도 1 및 도 2a 내지 도 2e를 참조하면, 종래의 발광표시장치(200)를 제조하기 위해서는 우선, 기판(210)을 준비한다.(P1)Referring to FIGS. 1 and 2A to 2E, in order to manufacture a conventional light emitting display device 200, a substrate 210 is first prepared. (P1)

기판(210)이 준비되면, 기판(210) 상에 버퍼층(220)을 형성한다. 버퍼층(220)은 선택적 구성요소로 단일층 또는 다수의 층으로 형성될 수 있다. 이와 같은 버퍼층(220)으로는 질화막 또는 산화막 등이 이용된다.(P2)When the substrate 210 is prepared, the buffer layer 220 is formed on the substrate 210. The buffer layer 220 may be formed of a single layer or a plurality of layers as an optional component. As the buffer layer 220, a nitride film or an oxide film is used. (P2)

버퍼층(220)이 형성되면, 버퍼층(220) 상에 박막 트랜지스터(230)를 형성한다. 박막 트랜지스터(230)는 능동 매트릭스 전계발광소자의 트랜지스터를 형성하는 통상적인 방법에 의하여 형성된다. 이와 같은 박막 트랜지스터(230)는 반도체층, 게이트 전극, 소스 및 드레인 전극을 포함한다.(P3, 도 2a 참조)When the buffer layer 220 is formed, the thin film transistor 230 is formed on the buffer layer 220. The thin film transistor 230 is formed by a conventional method of forming a transistor of an active matrix electroluminescent device. The thin film transistor 230 includes a semiconductor layer, a gate electrode, a source and a drain electrode (see P3 and FIG. 2A).

박막 트랜지스터(230)가 형성되면, 박막 트랜지스터(230) 상에 평탄화막(240)을 형성한다.(P4)When the thin film transistor 230 is formed, the planarization film 240 is formed on the thin film transistor 230 (P4).

평탄화막(240)이 형성되면, 평탄화막(240)을 관통하는 비아홀(250)을 형성한다. 비아홀(250)은 박막 트랜지스터(230)의 소스 또는 드레인 전극을 노출시키도록 형성된다.(P5)When the planarization layer 240 is formed, the via hole 250 penetrating the planarization layer 240 is formed. The via hole 250 is formed to expose the source or drain electrode of the thin film transistor 230 (P5).

비아홀(250)이 형성되면, 평탄화막(240) 상에 발광소자(280)의 제 1 전극(260)을 형성한다. 발광소자(280)의 제 1 전극(260)은 비아홀(250)을 통해 박막 트랜지스터(230)의 소스 또는 드레인 전극과 전기적으로 접속되도록 형성된다.(P6, 도 2b 참조)When the via hole 250 is formed, the first electrode 260 of the light emitting device 280 is formed on the planarization film 240. The first electrode 260 of the light emitting element 280 is formed to be electrically connected to the source or drain electrode of the thin film transistor 230 through the via hole 250 (see P6 and FIG. 2B).

발광소자(280)의 제 1 전극(260)이 형성되면, 제 1 전극(260) 및 평탄화막(240) 상에 화소정의막(Pixel Define Layer, PDL)(270)을 형성한다. 화소정의막(270)은 제 1 전극(260)의 일부를 노출시키는 개구부를 갖도록 형성된다.(P7)When the first electrode 260 of the light emitting device 280 is formed, a pixel define layer (PDL) 270 is formed on the first electrode 260 and the planarization layer 240. The pixel definition layer 270 is formed to have an opening that exposes a portion of the first electrode 260 (P7).

화소정의막(270)이 형성되면, 화소정의막(270)의 개구부에 정공수송층(Hole Transport Layer, HTL)(280a)을 형성한다. 정공수송층(280a)은 열증착법에 의하여 형성된다.(P8, 도 2c 참조) When the pixel definition layer 270 is formed, a hole transport layer (HTL) 280a is formed in an opening of the pixel definition layer 270. The hole transport layer 280a is formed by thermal evaporation. (P8, see FIG. 2C)

정공수송층(280a)이 형성되면, 정공수송층(280a) 상에 발광층(Emission Layer, EL)(280b)을 형성한다. 발광층(280b)은 도너필름(285)을 이용한 레이저 전사법에 의하여 형성된다. 즉, 발광층(280b)은 도너필름(285)을 정공수송층(280a)의 상부에 위치시키고, 발광층(280b)을 형성하고자 하는 특정부분(즉, 정공수송층(280a)의 상부)에 레이저를 전사하여 형성된다.(P9, 도 2d 참조) When the hole transport layer 280a is formed, an emission layer (EL) 280b is formed on the hole transport layer 280a. The light emitting layer 280b is formed by a laser transfer method using a donor film 285. That is, the light emitting layer 280b places the donor film 285 on the hole transport layer 280a and transfers a laser to a specific portion (that is, the upper portion of the hole transport layer 280a) to form the light emitting layer 280b. (P9, see FIG. 2D).

발광층(280b)이 형성되면, 발광층(280b) 상에 전자수송층(Electron Transport Layer, ETL)(280c)을 형성한다. 전자수송층(280c)은 열증착법에 의하여 형성된다. 이와 같은 정공수송층(280a), 발광층(280b) 및 전자수송층(280c)은 하나의 발광소자(280)를 이룬다.(P10)When the emission layer 280b is formed, an Electron Transport Layer (ETL) 280c is formed on the emission layer 280b. The electron transport layer 280c is formed by thermal evaporation. The hole transport layer 280a, the light emitting layer 280b, and the electron transport layer 280c form one light emitting device 280. (P10)

전자수송층(280c)이 형성되면, 전자수송층(280c) 및 화소정의막(270) 상에 발광소자(280)의 제 2 전극(290)을 형성한다.(P11, 도 2e 참조)When the electron transport layer 280c is formed, the second electrode 290 of the light emitting element 280 is formed on the electron transport layer 280c and the pixel definition layer 270 (see P11 and FIG. 2E).

종래의 발광표시장치(200)는 전술한 P1 내지 P11의 공정을 통해 제조된다. 이와 같은 제조 공정을 이용하여 발광표시장치(200)를 제조하는 경우, 발광층(280b)을 형성하는 단계에서 레이저가 전사될 때 가해지는 열과 압력에 의하여 정공수송층(280a)의 뜯김 현상이 발생할 수 있다. 또한 개구부에 존재하는 화소정의막(270)의 단차로 인하여 발광소자(280)가 제 1 전극(260) 상에 제대로 밀착되지 않을 수도 있다. The conventional light emitting display device 200 is manufactured through the process of P1 to P11 described above. When manufacturing the light emitting display device 200 using the manufacturing process as described above, tearing of the hole transport layer 280a may occur due to heat and pressure applied when the laser is transferred in the step of forming the light emitting layer 280b. . In addition, the light emitting device 280 may not be in close contact with the first electrode 260 due to the step of the pixel defining layer 270 existing in the opening.

따라서, 본 발명의 목적은 정공수송층의 뜯김을 방지할 수 있도록 한 발광표시장치 및 그 제조방법을 제공하는 것이다. Accordingly, an object of the present invention is to provide a light emitting display device and a method of manufacturing the same, which can prevent the hole transport layer from being torn off.

본 발명의 다른 목적은 발광소자가 제 1 전극 상에 밀착되어 형성될 수 있도록 한 발광표시장치 및 그 제조방법을 제공하는 것이다. Another object of the present invention is to provide a light emitting display device and a method of manufacturing the light emitting device that can be formed in close contact with the first electrode.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 제 1측면은 기판 상에 적어도 하나의 박막 트랜지스터를 형성하는 단계와, 상기 박막 트랜지스터들 중 적어도 하나와 전기적으로 접속되도록 적어도 하나의 제 1 전극을 형성하는 단계와, 상기 제 1 전극 상에 제 2 평탄화막을 형성하는 단계와, 상기 제 2 평탄화막 상에 금속층을 형성하는 단계와, 상기 금속층 상에 상기 제 1 전극과 중첩되도록 발광소자를 형성하는 단계 및 상기 발광소자 상에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 발광표시장치의 제조방법을 제공한다.In order to achieve the above object, a first aspect of the present invention provides a method of forming at least one thin film transistor on a substrate and forming at least one first electrode to be electrically connected to at least one of the thin film transistors. And forming a second planarization film on the first electrode, forming a metal layer on the second planarization film, forming a light emitting device on the metal layer to overlap the first electrode, and Provided is a method of manufacturing a light emitting display device, including forming a second electrode on a light emitting device.

바람직하게, 상기 발광소자를 형성하는 단계는 상기 금속층 상에 정공수송층을 형성하는 단계와, 상기 정공수송층 상에 발광층을 형성하는 단계 및 상기 발광층 상에 전자수송층을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 정공수송층 및 상기 제 2 평탄화막은 유기물질로 형성된다. 상기 금속층은 상기 정공수송층과 상기 제 2 평탄화막 사이의 접착력이 강화되도록 크롬 또는 니켈로 형성된다. 상기 제 2 평탄화막은 700Å 내지 3000Å의 두께를 갖도록 형성된다. 상기 금속층은 열증착 또는 스퍼터링 방식으로 형성된다. 상기 금속층은 1000Å 내지 2000Å의 두께를 갖도록 형성된다.Preferably, forming the light emitting device includes forming a hole transport layer on the metal layer, forming a light emitting layer on the hole transport layer, and forming an electron transport layer on the light emitting layer. The hole transport layer and the second planarization layer are formed of an organic material. The metal layer is formed of chromium or nickel so as to enhance adhesion between the hole transport layer and the second planarization layer. The second planarization film is formed to have a thickness of 700 kPa to 3000 kPa. The metal layer is formed by thermal deposition or sputtering. The metal layer is formed to have a thickness of 1000 kPa to 2000 kPa.

본 발명의 제 2 측면은, 기판 상에 형성된 적어도 하나의 박막 트랜지스터와, 상기 박막 트랜지스터들 중 적어도 하나와 전기적으로 접속되는 적어도 하나의 제 1 전극과, 상기 제 1 전극 상에 형성된 제 2 평탄화막과, 상기 제 2 평탄화막 상에 형성된 금속층과, 상기 제 1 전극과 중첩되도록 상기 금속층 상에 형성된 발광소자 및 상기 발광소자 상에 형성된 제 2 전극을 구비하는 발광표시장치를 제공한다.A second aspect of the present invention provides at least one thin film transistor formed on a substrate, at least one first electrode electrically connected to at least one of the thin film transistors, and a second planarization film formed on the first electrode. And a metal layer formed on the second planarization layer, a light emitting element formed on the metal layer to overlap the first electrode, and a second electrode formed on the light emitting element.

바람직하게, 상기 발광소자는 상기 금속층 상에 형성된 정공수송층과, 상기 정공수송층 상에 형성된 발광층 및 상기 발광층 상에 형성된 전자수송층을 구비한다. 상기 정공수송층 및 상기 제 2 평탄화막은 유기물질로 형성된다. 상기 금속층은 상기 정공수송층과 상기 제 2 평탄화막 사이의 접착력이 강화되도록 크롬 또는 니켈로 형성된다. 상기 제 2 평탄화막은 700Å 내지 3000Å의 두께를 갖는다. 상기 금속층은 1000Å 내지 2000Å의 두께를 갖는다. Preferably, the light emitting device includes a hole transport layer formed on the metal layer, a light emitting layer formed on the hole transport layer, and an electron transport layer formed on the light emitting layer. The hole transport layer and the second planarization layer are formed of an organic material. The metal layer is formed of chromium or nickel so as to enhance adhesion between the hole transport layer and the second planarization layer. The second planarization film has a thickness of 700 kPa to 3000 kPa. The metal layer has a thickness of 1000 kPa to 2000 kPa.

이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있는 바람직한 실시예가 첨부된 도 3 내지 도 5를 참조하여 자세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to FIG. 3 to FIG. 5 to which preferred embodiments which can be easily implemented by those skilled in the art are described.

도 3은 본 발명의 일실시예에 의한 발광표시장치의 제조공정을 나타내는 블럭도이다.3 is a block diagram illustrating a manufacturing process of a light emitting display device according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 본 일실시예에 의한 발광표시장치의 제조공정은 미리 준비된 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계(S1, S2), 버퍼층 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계(S3), 박막 트랜지스터 상에 제 1 평탄화막을 형성하는 단계(S4), 제 1 평탄화막을 관통하는 비아홀을 형성하는 단계(S5), 제 1 평탄화막 상에 발광소자의 제 1 전극을 형성하는 단계(S6), 제 1 전극 및 제 1 평탄화막 상에 개구부를 갖는 화소정의막을 형성하는 단계(S7), 제 1 전극 및 화소정의막 상에 제 2 평탄화막을 형성하는 단계(S8), 제 2 평탄화막 상에 금속층을 형성하는 단계(S9), 금속층 상에 정공수송층을 형성하는 단계(S10), 정공수송층 상에 발광층을 형성하는 단계(S11), 발광층 상에 전자수송층을 형성하는 단계(S12) 및 금속층 및 전자수송층 상에 발광소자의 제 2 전극을 형성하는 단계(S13)를 포함한다.Referring to FIG. 3, in the manufacturing process of a light emitting display device according to the present embodiment, forming a buffer layer on a substrate prepared in advance (S1 and S2), forming a thin film transistor on a buffer layer (S3), and a thin film transistor Forming a first planarization layer on the substrate (S4), forming a via hole penetrating the first planarization layer (S5), forming a first electrode of the light emitting device on the first planarization layer (S6), and the first Forming a pixel definition layer having an opening on the electrode and the first planarization layer (S7), forming a second planarization layer on the first electrode and the pixel definition layer (S8), and forming a metal layer on the second planarization layer (S9), forming a hole transport layer on the metal layer (S10), forming a light emitting layer on the hole transport layer (S11), forming an electron transport layer on the light emitting layer (S12) and on the metal layer and the electron transport layer Forming a second electrode of the light emitting device in operation S1 Include 3).

이하에서는, 도 3의 제조공정에 따른 발광 표시장치의 형성단계별 측단면도인 도 4a 내지 도 4h를 결부하여 본 일실시예에 의한 발광표시장치의 제조공정을 보다 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the manufacturing process of the light emitting display device according to the present exemplary embodiment will be described in more detail with reference to FIGS. 4A to 4H, which are side cross-sectional views of forming steps of the light emitting display device according to the manufacturing process of FIG. 3.

도 4a 내지 도 4h를 참조하면, 본 발명의 일실시예에 의한 발광 표시장치(400)를 제조하기 위해서는 우선, 기판(410)을 준비한다.(S1)4A to 4H, in order to manufacture the light emitting display device 400 according to an exemplary embodiment of the present invention, a substrate 410 is first prepared (S1).

기판(410)이 준비되면, 기판(410) 상에 버퍼층(420)을 형성한다. 버퍼층(420)은 선택적 구성요소로 단일층 또는 다수의 층으로 형성될 수 있다. 이와 같은 버퍼층(420)으로는 질화막 또는 산화막 등이 이용된다.(S2)When the substrate 410 is prepared, the buffer layer 420 is formed on the substrate 410. The buffer layer 420 may be formed of a single layer or multiple layers as an optional component. As the buffer layer 420, a nitride film, an oxide film, or the like is used. (S2)

버퍼층(420)이 형성되면, 버퍼층(420) 상에 박막 트랜지스터(430)를 형성한다. 박막 트랜지스터(430)는 능동 매트릭스 전계발광소자의 트랜지스터를 형성하는 통상적인 방법에 의하여 형성된다. 이와 같은 박막 트랜지스터(430)는 반도체층, 게이트 전극, 소스 및 드레인 전극을 포함한다.(S3, 도 4a 참조)When the buffer layer 420 is formed, the thin film transistor 430 is formed on the buffer layer 420. The thin film transistor 430 is formed by a conventional method of forming a transistor of an active matrix electroluminescent device. The thin film transistor 430 includes a semiconductor layer, a gate electrode, a source and a drain electrode (see S3 and FIG. 4A).

박막 트랜지스터(430)가 형성되면, 박막 트랜지스터(430) 상에 제 1 평탄화막(440)을 형성한다. 제 1 평탄화막(440)은 아크릴과 같은 유기물질로 형성된다.(S4)When the thin film transistor 430 is formed, the first planarization layer 440 is formed on the thin film transistor 430. The first planarization layer 440 is formed of an organic material such as acrylic (S4).

제 1 평탄화막(440)이 형성되면, 제 1 평탄화막(440)을 관통하는 비아홀(445)을 형성한다. 비아홀(445)은 박막 트랜지스터(430)의 소스 또는 드레인 전극을 노출시키도록 형성된다.(S5)When the first planarization layer 440 is formed, a via hole 445 penetrating the first planarization layer 440 is formed. The via hole 445 is formed to expose the source or drain electrode of the thin film transistor 430 (S5).

비아홀(445)이 형성되면, 제 1 평탄화막(440) 상에 발광소자(480)의 제 1 전극(450)을 형성한다. 발광소자(480)의 제 1 전극(450)은 비아홀(445)을 통해 박막 트랜지스터(430)의 소스 또는 드레인 전극과 전기적으로 접속되도록 형성된다.(S6, 도 4b 참조)When the via hole 445 is formed, the first electrode 450 of the light emitting device 480 is formed on the first planarization layer 440. The first electrode 450 of the light emitting device 480 is formed to be electrically connected to the source or drain electrode of the thin film transistor 430 through the via hole 445. (S6, see FIG. 4B).

발광소자(480)의 제 1 전극(450)이 형성되면, 제 1 전극(450) 및 제 1 평탄화막(440) 상에 개구부를 갖는 화소정의막(460)을 형성한다. 화소정의막(460)은 제 1 전극(450)의 일부를 노출시키도록 형성된다. 즉, 화소정의막(460)은 제 1 전극(450)의 양단과 제 1 평탄화막(440)의 전면에 형성된다. 이와 같은 화소정의막(460)은 유기물질로 이루어진다.(S7, 도 4c 참조)When the first electrode 450 of the light emitting device 480 is formed, a pixel definition layer 460 having an opening is formed on the first electrode 450 and the first planarization layer 440. The pixel definition layer 460 is formed to expose a portion of the first electrode 450. That is, the pixel definition layer 460 is formed on both ends of the first electrode 450 and on the entire surface of the first planarization layer 440. The pixel definition layer 460 is formed of an organic material (S7, see FIG. 4C).

화소정의막(460)이 형성되면, 제 1 전극(450) 및 화소정의막(460) 상에 제 2 평탄화막(465)을 형성한다. 제 2 평탄화막(465)은 유기 절연물질로 이루어지며, 화소정의막(460)의 개구부의 단차를 줄이는 역할을 하게된다. 따라서, 다음 공정단계에서 발광소자(480)가 더 밀착되어 형성될 수 있도록 한다. 또한, 제 2 평탄화막(465)은 화소정의막(460)의 전면에 형성될 수 있고, 다음 공정단계에서 제 2 평탄화막(465)상에 금속층(470)이 형성된 후 발광소자(480)가 형성되기 때문에 발광층(480c) 형성시에도 뜯김이 잘 발생하지 않는다. 이와 같은 제 2 평탄화막(465)은 700Å 내지 3000Å의 두께를 갖도록 형성되는 것이 바람직하다.(S8, 도 4d 참조)When the pixel definition layer 460 is formed, a second planarization layer 465 is formed on the first electrode 450 and the pixel definition layer 460. The second planarization layer 465 is made of an organic insulating material, and serves to reduce the step difference of the opening of the pixel definition layer 460. Therefore, the light emitting device 480 may be formed in close contact with the next process step. In addition, the second planarization layer 465 may be formed on the entire surface of the pixel definition layer 460. In the next process step, the light emitting device 480 may be formed after the metal layer 470 is formed on the second planarization layer 465. Since it is formed, tearing does not occur well even when the light emitting layer 480c is formed. The second planarization film 465 is preferably formed to have a thickness of 700 GPa to 3000 GPa (S8, see FIG. 4D).

제 2 평탄화막(465)이 형성되면, 제 2 평탄화막(465) 상에 금속층(470)을 형성한다. 금속층(470)은 열증착 또는 스퍼터링 방식을 이용하여 금속을 약 1000Å 내지 2000Å의 두께로 증착하는 것이 바람직하다. 이와 같은 금속층(460)은 후속 공정과정에서 형성될 정공수송층(480b)이 발광층(480c) 형성시 가해지는 열과 압력에 의해 뜯기는 현상을 방지하기 위한 것이다. 따라서, 금속층(470)에 사용되는 금 속은 제 2 평탄화막(465)과 정공수송층(480b) 사이의 접착력을 강화시킬 수 있도록 산화가 잘 되지않는 금속이어야 한다. 이러한 금속으로는 크롬(Cr) 또는 니켈(Ni) 등의 금속이 이용될 수 있다. 산화가 잘 되지않는 금속은 금속의 특성을 그대로 지니고 있으므로, 내열성과 연성을 가진다. 또한, 유기물질 사이에 형성되면 이종물질로써 유기물질들 간의 접착력을 강화시키는 역할을 하게 된다.(S9, 도 4e 참조)When the second planarization layer 465 is formed, a metal layer 470 is formed on the second planarization layer 465. The metal layer 470 is preferably deposited to a thickness of about 1000 kPa to 2000 kPa by thermal deposition or sputtering. The metal layer 460 is intended to prevent a phenomenon in which the hole transport layer 480b to be formed in a subsequent process is torn by heat and pressure applied when the light emitting layer 480c is formed. Therefore, the metal used for the metal layer 470 should be a metal that is not easily oxidized to enhance the adhesion between the second planarization film 465 and the hole transport layer 480b. As such a metal, a metal such as chromium (Cr) or nickel (Ni) may be used. Metals that are not easily oxidized have the properties of metals, and thus have heat resistance and ductility. In addition, it is formed between the organic material serves to strengthen the adhesion between the organic material as a heterogeneous material (S9, see Fig. 4e).

금속층(470)이 형성되면, 금속층(470) 상에 정공수송층(480b)을 형성한다. 정공수송층(480b)은 제 1 전극(450)과 중첩되도록 금속층(470) 상에 형성된다. 여기서, 정공수송층(480b)은 제 1 전극(450)으로부터 발광층(480c)으로 공급되는 정공을 가속시킨다. 이와 같은 정공수송층(480b)은 유기물질로 이루어지며, 열증착법에 의하여 형성된다.(S10, 도 4f 참조) When the metal layer 470 is formed, the hole transport layer 480b is formed on the metal layer 470. The hole transport layer 480b is formed on the metal layer 470 so as to overlap the first electrode 450. Here, the hole transport layer 480b accelerates holes supplied from the first electrode 450 to the light emitting layer 480c. The hole transport layer 480b is made of an organic material and is formed by thermal deposition. (S10, see FIG. 4F).

정공수송층(480b)이 형성되면, 정공수송층(480b) 상에 발광층(480c)을 형성한다. 발광층(480c)은 도너필름(485)을 이용한 레이저 전사법에 의하여 형성된다. 좀 더 자세히 상술하면, 발광층(480c)은 도너필름(485)을 정공수송층(480b)의 상부에 위치시키고, 발광층(480c)을 형성하고자 하는 특정부분(즉, 정공수송층(480b)의 상부)에만 레이저를 전사하여 형성된다. 제 1 전극(450)으로부터 공급된 정공과 제 2 전극(490)으로부터 공급된 전자는 이와 같은 발광층(480c)에서 결합하여 발광하게 된다.(S11, 도 4g 참조)When the hole transport layer 480b is formed, the light emitting layer 480c is formed on the hole transport layer 480b. The light emitting layer 480c is formed by a laser transfer method using a donor film 485. In more detail, the light emitting layer 480c may locate the donor film 485 on the upper portion of the hole transport layer 480b, and only the specific portion (ie, the upper portion of the hole transport layer 480b) to form the light emitting layer 480c. It is formed by transferring a laser. Holes supplied from the first electrode 450 and electrons supplied from the second electrode 490 are combined in the light emitting layer 480c to emit light. (S11, see FIG. 4G).

발광층(480c)이 형성되면, 발광층(480c) 상에 전자수송층(480d)을 형성한다. 이와 같은 전자수송층(480d)은 열증착법에 의하여 형성된다. 여기서, 전자수송층(480d)은 제 2 전극(490)으로부터 발광층(480c)으로 공급되는 전자를 가속시킨다. 정공수송층(480b), 발광층(480c) 및 전자수송층(480d)은 하나의 발광소자(480)를 이룬다.(S12)When the emission layer 480c is formed, the electron transport layer 480d is formed on the emission layer 480c. The electron transport layer 480d is formed by the thermal evaporation method. Here, the electron transport layer 480d accelerates electrons supplied from the second electrode 490 to the light emitting layer 480c. The hole transport layer 480b, the light emitting layer 480c, and the electron transport layer 480d form one light emitting element 480. (S12)

전자수송층(480d)이 형성되면, 금속층(470) 및 전자수송층(480d) 상에 발광소자(480)의 제 2 전극(490)을 형성한다.(S13, 도 4h 참조)When the electron transport layer 480d is formed, the second electrode 490 of the light emitting element 480 is formed on the metal layer 470 and the electron transport layer 480d. (S13, see FIG. 4H).

본 실시예에 의한 발광표시장치(400)는 전술한 S1 내지 S13의 공정을 통해 제조된다. 즉, 본 실시예에 의한 발광표시장치(400)는 기판(410) 상에 형성된 적어도 하나의 버퍼층(420), 버퍼층(420) 상에 형성된 박막 트랜지스터(430), 박막 트랜지스터(430) 상에 형성된 제 1 평탄화막(440), 제 1 평탄화막(440) 상에 형성된 발광소자의 제 1 전극(450), 제 1 평탄화막(440)의 전면 및 제 1 전극(450)의 양단에 형성된 화소정의막(460), 화소정의막(460) 및 제 1 전극(450) 상에 형성된 제 2 평탄화막(465), 제 2 평탄화막(465) 상에 형성된 금속층(470), 금속층(470) 상에 형성된 발광소자(480) 및 발광소자(480) 상에 형성된 제 2 전극(490)을 구비한다. 여기서, 발광소자(480)는 금속층(470) 상에 형성된 정공수송층(480b), 정공수송층(480b) 상에 형성된 발광층(480c) 및 발광층(480c) 상에 형성된 전자수송층(480d)을 구비한다. 그리고, 제 1 평탄화막(440), 화소정의막(460), 제 2 평탄화막(465) 및 정공수송층(480b)은 유기물질로 이루어진다. 또한, 제 1 평탄화막(440)은 제 1 전극(450)이 박막 트랜지스터(430)의 소스 또는 드레인 전극과 전기적으로 접속되도록 하는 비아홀(445)을 갖는다. 그리고, 발광소자(480)는 제 2 전극(490)과 전기적으로 접속되도록 형성된다. 제 2 평탄화막(465)은 약 700Å 내지 3000Å의 두께로 형성되는 것이 바람직하며, 화소정의막(460)의 단차를 완화시키는 역할을 한다. 금속층(470)은 제 2 평탄화막(465)과 정공수송층(480b) 사이의 접착력을 강화시켜 정공수송층(480b)의 뜯김을 방지하는 역할을 한다. 이와 같은 금속층(470)은 산화가 잘 되지않는 크롬이나 니켈과 같은 금속을 열증착 또는 스퍼터링 방식으로 증착하여 형성된다. 금속층(470)은 1000Å 내지 2000Å의 두께를 갖도록 형성되는 것이 바람직하다. The light emitting display device 400 according to the present embodiment is manufactured through the above-described processes of S1 to S13. That is, the light emitting display device 400 according to the present embodiment is formed on at least one buffer layer 420 formed on the substrate 410, the thin film transistor 430 formed on the buffer layer 420, and the thin film transistor 430. Definition of pixels formed on the first planarization layer 440, the first electrode 450 of the light emitting device formed on the first planarization layer 440, the front surface of the first planarization layer 440, and both ends of the first electrode 450. On the second planarization film 465 formed on the film 460, the pixel definition film 460, and the first electrode 450, on the metal layer 470 and the metal layer 470 formed on the second planarization film 465. The light emitting device 480 and the second electrode 490 formed on the light emitting device 480 are provided. The light emitting device 480 includes a hole transport layer 480b formed on the metal layer 470, a light emitting layer 480c formed on the hole transport layer 480b, and an electron transport layer 480d formed on the light emitting layer 480c. In addition, the first planarization layer 440, the pixel definition layer 460, the second planarization layer 465, and the hole transport layer 480b may be formed of an organic material. In addition, the first planarization layer 440 has a via hole 445 that allows the first electrode 450 to be electrically connected to the source or drain electrode of the thin film transistor 430. The light emitting element 480 is formed to be electrically connected to the second electrode 490. The second planarization layer 465 is preferably formed to have a thickness of about 700 GPa to 3000 GPa, and serves to alleviate the step difference of the pixel defining layer 460. The metal layer 470 serves to prevent tearing of the hole transport layer 480b by strengthening the adhesive force between the second planarization layer 465 and the hole transport layer 480b. The metal layer 470 is formed by depositing a metal such as chromium or nickel which is not easily oxidized by thermal evaporation or sputtering. The metal layer 470 is preferably formed to have a thickness of 1000 kPa to 2000 kPa.

전술한 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 발광표시장치 및 그 제조방법에 의하면, 화소정의막(460) 상에 제 2 평탄화막(465)를 형성함으로써 화소정의막(460)의 단차를 줄여 발광소자(480)가 금속층(470) 상에 더 밀착되어 형성되도록 할 수 있다. 또한, 제 2 평탄화막(465)과 정공수송층(480b) 사이에 금속층(470)을 형성함으로써 후속 공정시 발생할 수 있는 정공수송층(480b)의 뜯김을 방지할 수 있다. As described above, according to the light emitting display device and the manufacturing method thereof according to the embodiment of the present invention, the step of the pixel definition layer 460 is formed by forming the second planarization layer 465 on the pixel definition layer 460. In short, the light emitting device 480 may be formed to be in close contact with the metal layer 470. In addition, the metal layer 470 may be formed between the second planarization layer 465 and the hole transport layer 480b to prevent tearing of the hole transport layer 480b that may occur in a subsequent process.

한편, 본 발명에 의한 발광표시장치(400)에서 발광소자(480)는 도 5와 같이 금속층(470)과 정공수송층(480b) 사이에 형성된 정공주입층(Hole Injection Layer, HIL)(480a) 및 전자수송층(480d)과 제 2 전극(490) 사이에 형성된 전자주입층(Electron Injection Layer, EIL)(480e)을 더 구비할 수 있다. 여기서, 정공주입층(480a)은 제 1 전극(450)으로부터 공급되는 정공을 정공수송층(480b)로 공급하고, 전자주입층(480e)은 제 2 전극(490)으로부터 공급되는 전자를 전자수송층(480d)으로 공급한다. 이 경우, 금속층(470)은 제 2 평탄화막(465)과 정공주입층(480a) 사이의 접착력을 강화시켜 발광층(480c) 형성시 발생할 수 있는 정공주입층(480a) 및 정공수송층(480b)의 뜯김을 방지할 수 있다. Meanwhile, in the light emitting display device 400 according to the present invention, the light emitting device 480 includes a hole injection layer (HIL) 480a formed between the metal layer 470 and the hole transport layer 480b as shown in FIG. 5. An electron injection layer (EIL) 480e formed between the electron transport layer 480d and the second electrode 490 may be further provided. Here, the hole injection layer 480a supplies holes supplied from the first electrode 450 to the hole transport layer 480b, and the electron injection layer 480e supplies electrons supplied from the second electrode 490 to the electron transport layer ( 480d). In this case, the metal layer 470 may enhance the adhesion between the second planarization layer 465 and the hole injection layer 480a to form the hole injection layer 480a and the hole transport layer 480b which may occur when the emission layer 480c is formed. It can prevent tearing.

본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 변형예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.Although the technical idea of the present invention has been described in detail according to the above preferred embodiment, it should be noted that the above-described embodiment is for the purpose of description and not of limitation. In addition, it will be understood by those skilled in the art that various modifications are possible within the scope of the technical idea of the present invention.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 발광표시장치 및 그 제조방법에 의하면, 제 1 전극 및 화소정의막 상에 유기 절연물질로 이루어진 제 2 평탄화막을 형성함으로써 화소정의막의 단차를 줄여 발광소자가 금속층 상에 더 밀착되어 형성될 수 있도록 한다. 또한, 제 2 평탄화막과 정공주입층 또는 제 2 평탄화막과 정공수송층 사이에 금속층을 증착함으로써 발광층 형성시 발생할 수 있는 정공주입층 및 정공수송층의 뜯김을 방지할 수 있다. As described above, according to the light emitting display device and the manufacturing method thereof according to the present invention, the second planarization film made of an organic insulating material is formed on the first electrode and the pixel definition layer to reduce the step difference of the pixel definition layer so that the light emitting device is formed on the metal layer. It can be formed in close contact with the. In addition, by depositing a metal layer between the second planarization layer and the hole injection layer or between the second planarization layer and the hole transport layer, tearing of the hole injection layer and the hole transport layer, which may occur when the emission layer is formed, may be prevented.

Claims (17)

기판 상에 적어도 하나의 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;Forming at least one thin film transistor on the substrate; 상기 박막 트랜지스터들 중 적어도 하나와 전기적으로 접속되도록 적어도 하나의 제 1 전극을 형성하는 단계;Forming at least one first electrode to be electrically connected to at least one of the thin film transistors; 상기 제 1 전극 상에 제 2 평탄화막을 형성하는 단계;Forming a second planarization layer on the first electrode; 상기 제 2 평탄화막 상에 금속층을 형성하는 단계;Forming a metal layer on the second planarization layer; 상기 금속층 상에 상기 제 1 전극과 중첩되도록 발광소자를 형성하는 단계; 및Forming a light emitting device on the metal layer to overlap the first electrode; And 상기 발광소자 상에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 발광표시장치의 제조방법.And forming a second electrode on the light emitting element. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 발광소자를 형성하는 단계는 Forming the light emitting device is 상기 금속층 상에 정공수송층을 형성하는 단계;Forming a hole transport layer on the metal layer; 상기 정공수송층 상에 발광층을 형성하는 단계; 및Forming a light emitting layer on the hole transport layer; And 상기 발광층 상에 전자수송층을 형성하는 단계를 포함하는 발광표시장치의 제조방법.A method of manufacturing a light emitting display device, the method comprising forming an electron transport layer on the light emitting layer. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 정공수송층 및 상기 제 2 평탄화막은 유기물질로 형성되는 발광표시장치의 제조방법.The hole transport layer and the second planarization layer are formed of an organic material. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 금속층은 상기 정공수송층과 상기 제 2 평탄화막 사이의 접착력이 강화되도록 크롬 또는 니켈로 형성되는 발광표시장치의 제조방법. And the metal layer is formed of chromium or nickel so as to enhance adhesion between the hole transport layer and the second planarization layer. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 금속층과 상기 정공수송층 사이에 정공주입층을 형성하는 단계 및 상기 전자수송층과 상기 제 2 전극 사이에 전자주입층을 형성하는 단계 중 적어도 하나를 더 포함하는 발광표시장치의 제조방법.And forming a hole injection layer between the metal layer and the hole transport layer and forming an electron injection layer between the electron transport layer and the second electrode. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 박막 트랜지스터와 상기 제 1 전극 사이에 상기 박막 트랜지스터와 상기 제 1 전극이 전기적으로 접속되도록 적어도 하나의 비아홀을 가지는 제 1 평탄화막을 형성하는 단계; 및Forming a first planarization layer having at least one via hole to electrically connect the thin film transistor and the first electrode between the thin film transistor and the first electrode; And 상기 제 1 평탄화막과 상기 제 2 평탄화막 사이에 상기 제 1 전극의 적어도 일부분을 노출시키는 화소정의막을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광표시장치의 제조방법. And forming a pixel definition layer exposing at least a portion of the first electrode between the first planarization layer and the second planarization layer. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 2 평탄화막은 700Å 내지 3000Å의 두께를 갖도록 형성되는 발광표시장치의 제조방법.And the second planarization film is formed to have a thickness of 700 Å to 3000 Å. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 금속층은 열증착 방식 또는 스퍼터링 방식으로 형성되는 발광표시장치의 제조방법.And the metal layer is formed by thermal deposition or sputtering. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 금속층은 1000Å 내지 2000Å의 두께를 갖도록 형성되는 발광표시장치의 제조방법.The metal layer is formed to have a thickness of 1000 ~ 2000Å. 기판 상에 형성된 적어도 하나의 박막 트랜지스터;At least one thin film transistor formed on the substrate; 상기 박막 트랜지스터들 중 적어도 하나와 전기적으로 접속되는 적어도 하나의 제 1 전극;At least one first electrode electrically connected to at least one of the thin film transistors; 상기 제 1 전극 상에 형성된 제 2 평탄화막;A second planarization film formed on the first electrode; 상기 제 2 평탄화막 상에 형성된 금속층;A metal layer formed on the second planarization film; 상기 제 1 전극과 중첩되도록 상기 금속층 상에 형성된 발광소자; 및A light emitting element formed on the metal layer to overlap the first electrode; And 상기 발광소자 상에 형성된 제 2 전극을 구비하는 발광표시장치.And a second electrode formed on the light emitting element. 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 발광소자는 The light emitting device 상기 금속층 상에 형성된 정공수송층;A hole transport layer formed on the metal layer; 상기 정공수송층 상에 형성된 발광층; 및An emission layer formed on the hole transport layer; And 상기 발광층 상에 형성된 전자수송층을 구비하는 발광표시장치.A light emitting display device comprising an electron transport layer formed on the light emitting layer. 제 11 항에 있어서,The method of claim 11, wherein 상기 정공수송층 및 상기 제 2 평탄화막은 유기물질로 형성된 발광표시장치.The hole transport layer and the second planarization layer are formed of an organic material. 제 12 항에 있어서,The method of claim 12, 상기 금속층은 상기 정공수송층과 상기 제 2 평탄화막 사이의 접착력이 강화되도록 크롬 또는 니켈로 형성된 발광표시장치. And the metal layer is formed of chromium or nickel to enhance adhesion between the hole transport layer and the second planarization layer. 제 11 항에 있어서,The method of claim 11, wherein 상기 금속층과 상기 정공수송층 사이에 형성된 정공주입층 및 상기 전자수송층과 상기 제 2 전극 사이에 형성된 전자주입층 중 적어도 하나를 더 구비하는 발광표시장치.And at least one of a hole injection layer formed between the metal layer and the hole transport layer, and an electron injection layer formed between the electron transport layer and the second electrode. 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 박막 트랜지스터와 상기 제 1 전극 사이에 상기 박막 트랜지스터와 상 기 제 1 전극을 전기적으로 접속시키는 적어도 하나의 비아홀을 갖도록 형성된 제 1 평탄화막; 및A first planarization layer formed to have at least one via hole electrically connecting the thin film transistor and the first electrode between the thin film transistor and the first electrode; And 상기 제 1 평탄화막과 상기 제 2 평탄화막 사이에 형성되며 상기 제 1 전극의 적어도 일부분을 노출시키는 화소정의막을 더 구비하는 발광표시장치. And a pixel definition layer formed between the first planarization layer and the second planarization layer and exposing at least a portion of the first electrode. 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 제 2 평탄화막은 700Å 내지 3000Å의 두께를 갖는 발광표시장치.The second flattening film has a thickness of 700 to 3000 mW. 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 금속층은 1000Å 내지 2000Å의 두께를 갖는 발광표시장치.The metal layer has a thickness of 1000 Å to 2000 Å.
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