KR100702481B1 - 무격벽 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 특히 유기물층 및 금속 전극층을 다수의 구역들로 분리하는 격벽을 형성하지 않고, 그에 따라 소자에 대한 패시베이션 공정이 가능하도록 하는 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자의 제조 방법은 기판 상에 ITO층을 형성하는 단계; 상기 ITO층 상에 절연층을 형성하는 단계; 마스크를 전체 구조면 상에 위치시키는 단계; 상기 전체 구조면의 반대면에서 마스크 고정 수단으로 상기 마스크를 고정시키는 단계; 상기 절연층 사이에 형성된 공간에 유기물층을 형성하는 단계; 상기 유기물층 상에 금속 전극층을 형성하는 단계; 상기 마스크를 상기 전체 구조면에서 분리시키는 단계 및 상기 금속 전극층 및 절연층 상에 패시베이션 막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자는 기판 상에 형성된 ITO층; 상기 ITO층 상에 형성된 절연층; 상기 절연층 사이에 형성된 공간의 상기 ITO층 상에 형성된 유기물층; 상기 유기물층 상에 형성된 금속 전극층; 및 상기 금속 전극층 및 절연층 상에 형성된 패시베이션 막이 순차적으로 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
유기 전계 발광 소자, 격벽, 패시베이션

Description

무격벽 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법{Organic electroluminescent device without the walls and method of manufacturing the same}
도 1은 격벽이 존재하는 종래의 유기 전계 발광 소자의 기본적인 구조를 개략적으로 도시한 단면도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 소자를 형성하기 위하여 사용되는 금속 마스크의 사시도.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 형성하는 각 단계를 도시하는 도면.
본 발명은 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 특히 유기물층 및 금속 전극층을 다수의 구역들로 분리하는 격벽을 형성하지 않고, 그에 따라 소자에 대한 패시베이션 공정이 가능하도록 하는 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
유기 전계 발광은 유기물(저분자 또는 고분자) 박막에 음극과 양극을 통하여 주입된 전자(electron)와 정공(hole)이 재결합하여 여기자(exition)를 형성하고, 형성된 여기자로부터의 에너지에 의해 특정한 파장의 빛이 발생되는 현상이다.
이러한 현상을 이용한 유기 전계 발광 소자는 도 1에 도시된 바와 같은 기본적인 구조를 갖고 있다. 유기 전계 발광 소자는 기본적으로 유리 기판(1), 유리 기판 상부에 소정 간격으로 분리된 상태로 다수개가 형성되어 애노드(anode) 전극으로 사용되는 인듐 주석 산화물층(2; Indium Tin Oxide film ; 이하, "ITO층"이라 칭함), 셀 영역에 해당하는 간격을 갖는 상태로 분리되어 형성된 절연층(3), 절연층 상에 형성된 격벽(4), 유기물층(5) 및 캐소드(cathode) 전극인 금속 전극층(6)이 증착된 구조로 이루어진다.
여기서, 격벽(4)은 상단부가 하단부보다 넓은 폭을 가지게 되는 오버행(Overhang) 구조를 가지며 ITO층(2)을 가로지르는 방향으로 형성되어 금속 전극층(6) 및 유기물층(5)을 다수의 구역들로 분리한다.
상기 유기물층(5)은 소자 내에 정공의 주입이 원활하게 하기 위한 정공 주입층(hole injection layer); ITO층(2)으로부터 주입된 정공을 발광층으로 수송하는 정공 수송층(hole transport layer); 금속 전극층(6)과 ITO층(2)으로부터 공급된 전자와 정공의 재결합이 이루어지면서 발광이 일어나는 영역인 발광층(emitting layer); 및 금속 전극층(6)으로부터 공급되는 전자의 원활한 수송을 위한 전자 수송층(electron transport layer)이 순차적으로 적층된 구조를 갖는다.
이와 같은 구조의 소자를 구성하는 요소 중의 하나인 유기물층(5)이 수분과 열에 취약하다는 특성 때문에, 밀봉제(7; sealant)를 이용하여 밀봉 캡(10)을 ITO층(2)의 외곽부에 고정한다. 도 1에 도시된 바와 같이, 밀봉 캡(10)과 ITO층(2) 사 이에는 소정의 밀폐 공간이 형성되며, 이 밀폐 공간 내에 위치한 소자는 습기 등과 같은 외부의 환경에 영향을 받지 않는다.
이러한 구조를 갖는 유기 전계 발광 소자는 다음의 단계들을 거쳐 제조된다. 먼저, 유리 기판 상에 진공 증착법을 이용하여 ITO층(2)을 증착하고, 이 ITO층을 사진식각법(photolithography)으로 패터닝(patterning)하여 소정 간격으로 분리되도록 한다.
이후, 패터닝된 ITO층 상에 절연층(3)과 격벽(4)을 사진식각법으로 적층 형성하고, 유기물층(5) 및 금속 전극층(6)을 순차적으로 전면 증착함으로서 소자의 형성이 완료된다.
종래의 격벽이 존재하는 유기 전계 발광 소자는 격벽의 높이 때문에 외부의 습기 등으로부터 소자를 보호하기 위한 패시베이션 막을 형성하는 것이 불가능하다. 따라서, 소자를 보호하기 위해 패시베이션 막을 형성하는 대신에 밀봉 캡을 사용하여야 하며, 이에 따라 소자의 두께가 두꺼워지고, 밀봉 캡 내부의 수분이 격벽 주위로 침투하여 셀의 발광 면적이 축소되고 소자의 수명이 단축되는 문제점이 존재한다.
또한, 소자의 형상을 변경할 경우, 변경된 형상에 대한 밀봉 캡 및 밀봉 캡을 위한 툴(Tool)을 그에 맞추어 개발하여야 하므로, 이에 따라 개발비가 증가되고 개발 일정이 지연되며 생산 공정이 복잡해지는 문제점이 있다.
본 발명은 격벽이 존재하는 유기 전계 발광 소자를 밀봉 캡으로 밀봉하는 과 정에서 발생하는 상기한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 격벽이 없는 유기 전계 발광 소자를 제공함으로서 밀봉 캡 대신에 패시베이션 막을 형성하는 것이 가능하도록 하여, 소자의 두께를 감소시키고, 밀봉 캡 내부의 수분에 의한 소자 수명의 단축을 방지하며, 생산 공정을 단순화 할 수 있도록 구성된 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 실현하기 위한 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자의 제조 방법은, (a) 기판 상에 소정 간격으로 분리된 ITO층을 형성하는 단계; (b) 상기 ITO층 상에서 소정 간격으로 분리된 절연층을 형성하는 단계; (c) 마스크를 전체 구조면 상에 위치시키는 단계; (d) 상기 전체 구조면의 반대면에 위치한 마스크 고정 수단으로 상기 마스크를 상기 전체 구조면 상에 고정시키는 단계; (e) 상기 절연층 사이에 형성된 공간의 상기 ITO층 상에 유기물층을 형성하는 단계; (f) 상기 유기물층 상에 금속 전극층을 형성하는 단계; 및 (g) 상기 마스크를 상기 전체 구조면에서 분리시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 유기 전계 발광 소자의 제조 방법은 (h) 상기 금속 전극층 및 절연층 상에 패시베이션 막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.
상기 패시베이션 막은 PECVD 또는 PVD의 방법에 의해 형성된 것이 바람직하며, SiNx 또는 SiO2로 이루어진 것이 바람직하다.
상기 마스크는 셀 영역에 개구가 형성된 슬릿 형태인 것이 바람직하다.
또한, 상기 마스크는 금속으로 이루어지고, 상기 마스크 고정 수단은 마그네틱 척인 것이 바람직하다.
한편, 상기 다른 목적을 실현하기 위한 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자는, 기판 상에 소정 간격으로 분리되어 형성된 ITO층; 상기 ITO층 상에서 소정 간격으로 분리되어 형성된 절연층; 상기 절연층 사이에 형성된 공간의 상기 ITO층 상에 형성된 유기물층; 및 상기 유기물층 상에 형성된 금속 전극층이 순차적으로 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
상기 유기 전계 발광 소자는 상기 금속 전극층 및 절연층 상에 패시베이션 막이 형성되어 있는 것이 바람직하며, 상기 패시베이션 막은 SiNx 또는 SiO2로 이루어진 것이 바람직하다.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 여기서, 앞서 도시된 도면에서와 동일한 참조부호는 동일한 기능을 하는 동일한 부재를 가리킨다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 형성하기 위해 사용되는 슬릿(Slit)형 금속 마스크(104)를 도시하며, 상기 금속 마스크(104)는 개구(104a) 및 마스크 면(104b)으로 구성되어 있다. 도 3은 본 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자를 형성하는 각 단계를 도시하는 도면으로서, 각 단계별로 설명하면 다음과 같다.
종래의 공정에 따라 유리 기판(1) 상에 소정 간격으로 분리되도록 패터닝된 ITO층(2)을 형성하고(도 3a), ITO층(2) 상에 다수의 절연층(3)을 셀 영역(4)에 해당하는 간격을 갖는 상태로 분리하여 형성한다(도 3b).
상기 단계 후에 ITO층(2) 상의 셀 영역(4)과 금속 마스크의 개구(104a)가 일치되고, 절연층(3)과 마스크 면(104b)이 일치되도록 금속 마스크(104)를 전체 구조면 상에 위치시킨다(도 3c).
도 3d를 기준으로, 기판(1)의 하면에 마그네틱 척(105; Magnetic chuck)을 위치시켜 자력에 의해 금속 마스크(104)를 기판(1)의 상면에 견고히 고정시킨다. 여기서 마그네틱 척(105)에 의해 기판(1)에 고정된 금속 마스크의 마스크 면(104b)은 임시적으로 격벽의 역할을 수행하게 되고, 마그네틱 척이 아닌 다른 고정 수단에 의해 마스크가 기판(1)에 고정되는 경우에는 비금속 마스크가 사용되는 것이 가능하다.
상기 단계 후에 금속 마스크(104)가 고정된 기판(1)에 대하여 유기물층(5)이 전면 증착된다(도 3e). 여기서 유기물층(5)은 금속 마스크(104)의 개구(104a)를 통해 셀 영역(4)의 ITO층(2) 상에 증착된다.
유기물층(5)의 증착 후에 금속 마스크(104)를 그대로 유지한 상태로 금속 전극층(6)을 전면 증착한다(도 3f). 금속 전극층(6) 역시 금속 마스크(104)의 개구(104a)를 통해 셀 영역(4)의 유기물층(5) 상에 증착된다.
금속 전극층(6)의 증착 후 기판(1) 하면에 위치한 마그네틱 척(105)을 제거함으로서 금속 마스크(104)를 기판(1)의 상면에서 제거한다(도 3g). 임시적으로 격벽 역할을 수행한 금속 마스크(104)가 제거되면, 격벽없이 셀 영역(4)이 분리된 유 기 전계 발광 소자가 형성된다.
상기의 단계를 거쳐 형성된 유기 전계 발광 소자는 금속 전극층(6)과 절연층(3) 간의 높이 차가 크지 않기 때문에, 밀봉 캡에 의하지 않고 패시베이션 공정에 의해 소자를 밀봉하는 것이 가능하게 된다.
마지막의 패시베이션 공정에서는 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 방법에 의해 패시베이션 막(110)이 전면 증착된다. PECVD 방법은 비교적 낮은 공정 온도, 즉 400℃ 이하에서 수행되므로 이미 형성된 유기물층(5)에 영향을 미치지 않으며, 비교적 낮은 에너지를 가진 입자로 증착이 되기 때문에 금속 전극층(6)에 대한 손상도 최소화할 수 있다.
또한, PECVD 챔버가 유기물층(5) 및 금속 전극층(6)의 증착 챔버와 인라인(In-line)으로 구성되어 있는 경우에는 진공 중에서 모든 단계가 이루어질 수 있게 되어 소자에 미치는 손상을 최소화 할 수 있다.
상기 패시베이션 공정은 PECVD 방법 외에 PVD(Physical Vapor Deposition) 방법에 의해 수행되는 것도 가능하며, 패시베이션 막은 SiNx 또는 SiO2로 이루어진다.
도 3h에는 격벽없이 기판(1), ITO층(2), 절연층(3), 유기물층(5), 금속 전극층(6) 및 패시베이션 막(110)이 순차적으로 형성되어 있는 유기 전계 발광 소자가 도시되어 있다.
상기와 같은 본 발명은 격벽이 없는 유기 전계 발광 소자를 제공한다. 이에 따라 격벽 형성 공정이 사라지게 되어 생산 공정의 단순화가 이루어지며, 기판 상에 형성된 층의 높이 차가 크지 않으므로 패시베이션 공정이 가능하게 된다.
상기 패시베이션 공정이 가능하게 됨에 따라 소자 전체의 두께가 감소되고, 소자 내부의 공간이 사라지게 되어 수분에 의한 소자 수명의 단축이 방지된다.
또한, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자의 제조 방법은 밀봉 캡으로 소자를 밀봉하는 공정을 제거함으로서 새로운 소자를 개발하는 경우에 필요한 밀봉 캡, 지그(Jig) 및 게터(Getter) 등이 사용되지 않기 때문에 개발비 및 개발 일정이 줄어드는 효과가 있다.

Claims (9)

  1. (a) 기판 상에 소정 간격으로 분리된 ITO층을 형성하는 단계;
    (b) 상기 ITO층 상에서 소정 간격으로 분리된 절연층을 형성하는 단계;
    (c) 마스크를 전체 구조면 상에 위치시키는 단계;
    (d) 상기 전체 구조면의 반대면에 위치한 마스크 고정 수단으로 상기 마스크를 상기 전체 구조면 상에 고정시키는 단계;
    (e) 상기 절연층 사이에 형성된 공간의 상기 ITO층 상에 유기물층을 형성하는 단계;
    (f) 상기 유기물층 상에 금속 전극층을 형성하는 단계; 및
    (g) 상기 마스크를 상기 전체 구조면에서 분리시키는 단계를 포함하는 유기 전계 발광 소자의 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    (h) 상기 금속 전극층 및 절연층 상에 패시베이션 막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 패시베이션 막은 PECVD 또는 PVD의 방법에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조방법.
  4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 패시베이션 막은 SiNx 또는 SiO2로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 마스크는 셀 영역에 개구가 형성된 슬릿 형태인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조방법.
  6. 제 1 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 마스크는 금속으로 이루어지고, 상기 마스크 고정 수단은 마그네틱 척인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조방법.
  7. 기판 상에 소정 간격으로 분리되어 형성된 ITO층;
    상기 ITO층 상에서 소정 간격으로 분리되어 형성된 절연층;
    상기 절연층 사이에 형성된 공간의 상기 ITO층 상에 형성된 유기물층;
    상기 유기물층 상에 형성된 금속 전극층; 및
    상기 금속 전극층 및 절연층 상에 형성된 패시베이션 막을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  8. 삭제
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 패시베이션 막은 SiNx 또는 SiO2로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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KR20030012813A (ko) * 2001-07-30 2003-02-12 가부시키가이샤 도요다 지도숏키 유기 일렉트로루미네선스 디스플레이 패널
KR20030030084A (ko) * 2001-10-08 2003-04-18 엘지전자 주식회사 유기 전계발광소자와 그 제조방법

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000038014A (ko) * 1998-12-03 2000-07-05 김순택 유기 전자발광소자
KR20030012813A (ko) * 2001-07-30 2003-02-12 가부시키가이샤 도요다 지도숏키 유기 일렉트로루미네선스 디스플레이 패널
KR20030030084A (ko) * 2001-10-08 2003-04-18 엘지전자 주식회사 유기 전계발광소자와 그 제조방법

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