KR100691238B1 - 서브 밴드 내장형 칩 안테나 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 서브 밴드 내장형 칩 안테나에 관한 것으로서, 유전물질로 사출 성형 또는 적층 기판으로 형성되는 몸체부와, 상기 몸체부의 일측 하부면과 측면에 형성되는 급전패턴 및 접지패턴과, 상기 급전패턴과 연결되어 상기 몸체부의 상부면에 형성되는 안테나 패턴 및 상기 안테나 패턴의 상부에 적층 연결되는 와이어 소자로 이루어지는 서브 밴드 내장형 칩 안테나는 상기 와이어 소자가 상기 안테나 패턴에 흐르는 전류의 양을 증가시켜 우수한 안테나 이득과 방사특성이 형성된다.
또한, 상기 안테나 패턴에 다수개의 비아 홀(via hole)이 형성되고, 상기 비아 홀(via hole)과 연결되는 소정 길이의 서브 방사패턴이 상기 몸체부의 내부면에 형성됨으로써, 상기 공진주파수 대역이 증가되어 다수의 공진주파수 대역을 얻을 수 있다.
안테나, 방사패턴, 공진주파수, 와이어, 사출 성형
Description
도 1은 종래의 무선랜용 다중대역 안테나 구성도
도 2a는 본 발명의 일실시예에 따른 서브 밴드 내장형 칩 안테나 조립도
도 2b는 본 발명의 일실시예에 따른 서브 밴드 내장형 칩 안테나 구성도
* 주요 도면부호에 대한 설명 *
101 : 기판 102 : 미앤더 라인
103 : 부분 접지 104 : 마이크로스트립 라인
200 : 서브 밴드 내장형 칩 안테나 210 : 몸체부
220 : 급전패턴 230 : 접지패턴
240 : 제 1 방사패턴 250 : 제 2 방사패턴 260 : 비아 홀(via hole) 270 : 서브 방사패턴 280 : 와이어 소자
본 발명은 서브 밴드 내장형 칩 안테나에 관한 것으로서, 유전물질로 사출 성형 또는 적층 기판으로 형성되는 몸체부의 내부면에 소정 길이의 서브 방사패턴이 형성됨으로써, 공진주파수 대역이 증가되어 다수의 공진주파수 대역을 얻을 수 있고, 와이어 소자가 안테나 패턴의 상부에 적층 연결되어 흐르는 전류의 양을 증가시켜 우수한 안테나 이득과 방사특성이 형성되는 서브 밴드 내장형 칩 안테나에 관한 것이다.
도 1은 종래의 무선랜용 다중대역 안테나 구성도이다.
상기 무선랜용 다중대역 안테나는 안테나 크기를 줄이는 기술로 공지된 기술이며, 미앤더 라인을 활용하고 응용한다.
도 1에 도시된 바와 같이, 절연성 기판(101)에 상면의 일부를 미앤더 라인(102)형상으로 패터닝한다. 이때, 상기 미앤터 라인(102)의 길이에 따라서 공진되는 주파수가 결정된다. 즉, 상기 미앤터 라인(102)의 길이가 길어질수록 낮은 주파수에서 공진이 이루어진다. 상기 미앤터 라인(102)은 제 1 주파수 대역에 대응되도록 설계된다.
상기 절연성 기판(101)에 하면의 일부를 접지(104)로 패터닝하여 제 3 주파수 대역(즉, 5.8 GHz)에서 공진하도록 유도한다. 이때, 상기 부분 접지(104)의 면적 즉, 길이와 크기에 따라서 주파수의 대역폭과 공진주파수의 값이 달라지게 된다. 상기 부분 접지의 면적이 커지면 공진 주파수가 상대적으로 저주파수에서 발생하게 되며 작아지면 높은 주파수에서 발생하게 된다. 이와 같이 상기 미앤더 라인 (102)과 부분 접지(104)를 사용하여 이중대역(2.4 GHz, 5.8 GHz)을 구현하고, 주파수의 대역폭을 넓히기 위하여 상기 부분 접지의 위쪽에 백 마이크로스트립 라인(Back Microstrip Line)(103)을 부착시킴으로써, 제 2 주파수(5.2 GHz), 제 3 주파수(5.8 GHz)를 수용하는 광대역이 형성된다.
이러한 종래의 무선랜용 다중대역 안테나는 이동통신 단말기에 내장이 가능하게 제작되었으나, 상기 미앤더 라인과 백 마이크로스트립 라인으로 흐르는 전류의 양이 제한되어 있어 상기 안테나의 이득과 방사특성이 나빠지는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 유전물질로 사출 성형 또는 적층 기판으로 형성되는 몸체부의 안테나 패턴에 다수개의 비아 홀(via hole)이 형성되고, 상기 비아 홀(via hole)과 연결되는 소정 길이의 서브 방사패턴이 상기 몸체부의 내부면에 형성됨으로써, 공진주파수 대역이 증가되어 다수의 공진주파수 대역을 얻을 수 있고, 상기 안테나 패턴의 상부에 적층 연결되는 와이어 소자가 상기 안테나 패턴에 흐르는 전류의 양을 증가시켜 우수한 안테나 이득과 방사특성이 형성되는 서브 밴드 내장형 칩 안테나를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 일실시예는 유전물질로 사출 성 형 또는 적층 기판으로 형성되는 몸체부와, 상기 몸체부의 일측 하부면과 측면에 형성되는 급전패턴 및 접지패턴과, 상기 급전패턴과 연결되어 상기 몸체부의 상부면에 형성되는 안테나 패턴 및 상기 안테나 패턴의 상부에 적층 연결되어 안테나 패턴에 흐르는 전류의 양을 증가시키기 위한 와이어 소자로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 일실시예에 의하면, 상기 몸체부는 사각형 형태의 일측 어느 한 부분이 90도 방향으로 굴곡 연장되어 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 일실시예에 의하면, 상기 안테나 패턴은 직선형의 회로 패턴이 90도 방향으로 굴곡 연장되어 길이에 따라 낮은 공진주파수 대역이 형성되는 제 1 방사패턴 및 상기 제 1 방사패턴과 평행하게 직선형으로 길이에 따라 높은 공진주파수 대역이 형성되는 제 2 방사패턴으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 일실시예에 의하면, 상기 제 1 및 제 2 방사패턴에 다수개의 비아 홀(via hole)이 형성되어 상기 비아 홀(via hole)과 연결되는 소정 길이의 서브 방사패턴이 상기 몸체부의 내부면에 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 일실시예에 의하면, 상기 제 1 및 제 2 방사패턴은 공진주파수 대역이 형성되도록 길이가 조정되는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 일실시예를 상세히 설명한다.
도 2a는 본 발명의 일실시예에 따른 서브 밴드 내장형 칩 안테나 조립도이고, 도 2b는 본 발명의 일실시예에 따른 서브 밴드 내장형 칩 안테나 구성도이다.
도 2a과 도 2b에 도시된 바와 같이, 상기 몸체부(210)는 유전물질로 사각형 형태의 일측 모서리 부분이 90도 방향으로 굴곡 연장된 금형에 사출 성형되고, 상부면에는 안테나 패턴이 도금되어 형성된다.
상기 몸체부(210)의 일측 하부면으로부터 측면에 표면 실장형으로 상기 굴곡 연장된 부분의 반대방향에 전류가 급전되는 급전패턴(220) 및 상기 급전패턴과 평행하게 타측 하부면으로부터 측면으로 접지패턴(230)이 형성되고, 상기 굴곡 연장된 부분의 방향에 표면 실장을 위하여 2개의 사각형 패턴이 형성된다.
상기 안테나 패턴은 상기 몸체부(210)의 측면에 형성된 상기 급전패턴(220) 및 접지패턴(230)과 연결되어 상기 몸체부(210)의 상부면에 낮은 공진주파수 대역(2.3 ㎓~2.6 ㎓)의 중심주파수에 해당하는 1/4파장 길이의 직선형 회로 패턴이 90도 방향으로 굴곡되어 제 1 방사패턴(240)이 형성되며, 상기 제 1 방사패턴(240)의 길이에 의하여 공진주파수 대역이 조정된다. 상기 제 1 방사패턴(240)과 평행하게 높은 공진주파수 대역(5.2 ㎓~5.8 ㎓)의 중심주파수에 해당하는 1/4파장의 직선형 길이로 형성되는 제 2 방사패턴(250)은 길이에 의하여 공진주파수 대역이 조정되며, 상기 각 방사패턴(240, 250)에 다수개의 비아 홀(via hole)(260)이 상기 몸체부(210)의 내부면에 증가시키고자 하는 공진주파수 대역에 해당 길이의 서브 방사패턴(270)이 형성되고, 상기 비아 홀(via hole)(260)에 의하여 상기 제 1 및 제 2 방사패턴(240, 250)과 연결된다.
상기 와이어 소자(280)는 직선 형태의 일정 길이로 상기 제 1 및 제 2 방사패턴(240, 250)에 연결되도록 상부에 적층되어 상기 각 방사패턴(240, 250)에 흐르 는 전류의 양을 증가시켜 안테나 이득과 방사특성을 향상 시킨다.
본 발명의 서브 밴드 내장형 칩 안테나(200)는 유전물질이 사각형 형태의 일측 모서리 부분이 90도 방향으로 굴곡 연장된 금형에 사출 성형되는 몸체부(210)의 상부면은 낮은 공진주파수 대역(2.3 ㎓~2.6 ㎓)의 중심주파수에 해당하는 1/4파장 길이로 상기 굴곡 연장된 형상을 따라 형성되는 제 1 방사패턴(240) 및 상기 제 1 방사패턴(240)과 평행하게 높은 공진주파수 대역(5.2 ㎓~5.8 ㎓)의 중심주파수에 해당하는 1/4파장 길이로 제 2 방사패턴(250)이 형성되며, 상기 각 방사패턴(240, 250)에 다수개의 비아 홀(via hole)(260)이 형성되어 증가시키고자 하는 공진주파수 대역의 해당 길이로 상기 몸체부(210)의 내부면에 형성된 서브 방사패턴(270)과 연결되고, 상기 몸체부(210)의 일측 하부면으로부터 측면에 형성된 급전패턴(220)을 통해 전류가 급전됨으로써, 상기 공진주파수의 대역폭을 넓혀주는 기능을 수행한다.
또한, 상기 제 1 및 제 2 방사패턴(240, 250)의 상부에 와이어 소자(280)가 연결되어 상기 각 방사패턴(240, 250)에 흐르는 전류의 양을 증가시켜 우수한 안테나 이득과 방사특성이 형성된다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구의 범위에 의해 정해져야만 할 것이다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명은 유전물질로 사출 성형 또는 적층 기판으로 형성되는 몸체부의 안테나 패턴에 다수개의 비아 홀(via hole)이 형성되고, 상기 비아 홀(via hole)과 연결되는 소정 길이의 서브 방사패턴이 상기 몸체부의 내부면에 형성됨으로써, 공진주파수 대역이 증가되어 다수의 공진주파수 대역을 얻을 수 있고, 상기 안테나 패턴의 상부에 적층 연결되는 와이어 소자가 상기 안테나 패턴에 흐르는 전류의 양을 증가시켜 우수한 안테나 이득과 방사특성이 형성되는 효과가 있다.
Claims (5)
- 유전물질로 사출 성형 또는 적층 기판으로 형성되는 몸체부와;상기 몸체부의 일측 하부면과 측면에 형성되는 급전패턴 및 접지패턴과;상기 급전패턴과 연결되어 상기 몸체부의 상부면에 형성되는 안테나 패턴; 및상기 안테나 패턴의 상부에 적층 연결되어 안테나 패턴에 흐르는 전류의 양을 증가시키기 위한 와이어 소자로 이루어지는 것을 특징으로 하는 서브 밴드 내장형 칩 안테나.
- 제 1 항에 있어서, 상기 몸체부는 사각형 형태의 일측 어느 한 부분이 90도 방향으로 굴곡 연장되어 형성되는 것을 특징으로 하는 서브 밴드 내장형 칩 안테나.
- 제 1 항에 있어서, 상기 안테나 패턴은 직선형의 회로 패턴이 90도 방향으로 굴곡 연장되어 길이에 따라 낮은 공진주파수 대역이 형성되는 제 1 방사패턴; 및상기 제 1 방사패턴과 평행하게 직선형으로 길이에 따라 높은 공진주파수 대역이 형성되는 제 2 방사패턴으로 형성되는 것을 특징으로 하는 서브 밴드 내장형 칩 안테나.
- 제 3 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 방사패턴에 다수개의 비아 홀이 형성되어 상기 비아 홀과 연결되는 소정 길이의 서브 방사패턴이 상기 몸체부의 내부면에 형성되는 것을 특징으로 하는 서브 밴드 내장형 칩 안테나.
- 제 3 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 방사패턴은 공진주파수 대역이 형성되도록 길이가 조정되는 것을 특징으로 하는 서브 밴드 내장형 칩 안테나.
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