KR100688970B1 - Display device and manufacturing method of the same - Google Patents

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KR100688970B1 KR1020060004546A KR20060004546A KR100688970B1 KR 100688970 B1 KR100688970 B1 KR 100688970B1 KR 1020060004546 A KR1020060004546 A KR 1020060004546A KR 20060004546 A KR20060004546 A KR 20060004546A KR 100688970 B1 KR100688970 B1 KR 100688970B1
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하재국
차순욱
이주현
이수연
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Abstract

A display device and a manufacturing method thereof are provided to prevent reduction of brightness by removing an additional insulating film forming process between a pair of light emitting layers. In a display device, a thin film transistor is formed on a dielectric substrate(110). A first anode(161) is electrically connected to the thin film transistor. A first organic layer(220) is formed on the first anode(161). The first dielectric layer(220) includes the first light emitting layer(222). A second anode(230) is formed on the first organic layer(220). The second anode(230) is electrically connected to the thin film transistor. A second organic layer(240) is formed on the second anode(230). The second organic layer(240) includes a second light emitting layer(240). And, a cathode(250) is formed on the second organic layer(240).

Description

표시장치와 그 제조방법{DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME} DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME}

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치의 등가 회로도이고,1 is an equivalent circuit diagram of a display device according to a first exemplary embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치의 단면도이고,2 is a cross-sectional view of a display device according to a first exemplary embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 표시장치에서 제2애노드의 배치도이고,3 is a layout view of a second anode in the display device according to the first embodiment of the present invention;

도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 표시장치에서 캐소드의 배치도이고,4 is a layout view of a cathode in a display device according to a first embodiment of the present invention;

도 5는 본 발명의 제1실시예에 따른 표시장치에서 제2애노드와 캐소드의 관계를 나타낸 배치도이고,5 is a layout view illustrating a relationship between a second anode and a cathode in a display device according to a first embodiment of the present invention;

도 6은 본 발명의 제1실시예에 따른 표시장치에서 발광원리를 설명하기 위한 도면이고,6 is a view for explaining the principle of light emission in the display device according to the first embodiment of the present invention;

도 7 내지 도 15는 본 발명의 제1실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 도면이고,7 to 15 are views for explaining a method of manufacturing a display device according to a first embodiment of the present invention;

도 16은 본 발명의 제2실시예에 따른 표시장치의 단면도이고,16 is a cross-sectional view of a display device according to a second exemplary embodiment of the present invention.

도 17은 본 발명의 제3실시예에 따른 표시장치에서 제2애노드와 캐소드의 관계를 나타낸 배치도이고,FIG. 17 is a layout view illustrating a relationship between a second anode and a cathode in a display device according to a third exemplary embodiment of the present invention.

도 18은 본 발명의 제3실시예에 따른 표시장치에서 캐소드 제조 시 사용되는 쉐도우 마스크의 사시도이다.18 is a perspective view of a shadow mask used in the manufacture of a cathode in the display device according to the third embodiment of the present invention.

* 도면의 주요부분의 부호에 대한 설명 * Explanation of Signs of Major Parts of Drawings

110 : 절연기판 161 : 제1애노드110: insulating substrate 161: first anode

211 : 격벽 220 : 제1유기층211: partition 220: first organic layer

221 : 제1버퍼층 222 : 제1발광층221: first buffer layer 222: first light emitting layer

230 : 제2애노드 240 : 제2유기층230: second anode 240: second organic layer

241 : 제2버퍼층 242 : 제2발광층241: second buffer layer 242: second light emitting layer

250 : 캐소드250: cathode

본 발명은 표시장치와 그 제조방법에 관한 것으로서, 더 자세하게는, 복수의 발광층을 마련하여 발광효율을 증가시킨 표시장치와 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a display device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a display device and a method of manufacturing the same by providing a plurality of light emitting layers to increase luminous efficiency.

평판 디스플레이 장치(flat panel display) 중 저전압 구동, 경량 박형, 광시야각 그리고 고속응답 등의 장점으로 인하여, 최근 OLED(organic light emitting diode)가 각광 받고 있다. OLED는 구동방식에 따라 수동형(passive matrix)과 능동형(active matrix)으로 나누어진다. 이중 수동형은 제조과정은 간단하지만 디스플레이 면적과 해상도가 증가할수록 소비전력이 급격히 증가하는 문제가 있다. 따라서 수동형은 주로 소형 디스플레이에 응용되고 있다. 반면 능동형은 제조과정은 복잡하지만 대화면과 고해상도를 실현할 수 있는 장점이 있다.Among flat panel displays, organic light emitting diodes (OLEDs) have recently been in the spotlight due to advantages such as low voltage driving, light weight, wide viewing angle, and high speed response. OLEDs are classified into a passive matrix and an active matrix according to the driving method. The passive type has a simple manufacturing process, but the power consumption increases rapidly as the display area and resolution increase. Therefore, the passive type is mainly applied to small displays. Active type, on the other hand, has a complex manufacturing process but has the advantage of realizing a large screen and high resolution.

능동형 OLED는 박막트랜지스터가 각 화소 영역마다 연결되어, 각 화소 영역 별로 발광층의 발광을 제어한다. 각 화소 영역에는 화소전극이 위치하고 있는데, 각 화소전극은 독립된 구동을 위해 인접한 화소전극과 전기적으로 분리되어 있다. 화소전극 상에는 발광층 등의 유기층이 순차적으로 형성되어 있다. 발광층 상부에는 공통전극이 형성되어 있다.In the active OLED, a thin film transistor is connected to each pixel region to control light emission of the light emitting layer for each pixel region. Pixel electrodes are located in each pixel area, and each pixel electrode is electrically separated from adjacent pixel electrodes for independent driving. Organic layers such as a light emitting layer are sequentially formed on the pixel electrode. The common electrode is formed on the emission layer.

OLED에서 유기층은 습식방법 또는 건식방법으로 형성된다. 습식방법은 고분자계 유기층을 형성하는 방법으로 잉크젯, 스핀 코팅, 스프레이 코팅, 롤-투-롤, 노즐 코팅 등이 있다. 건식방법은 저분자계 유기층을 형성하는 방법으로 주로 증발법을 이용한다.In the OLED, the organic layer is formed by a wet method or a dry method. The wet method is a method of forming a polymer-based organic layer, such as inkjet, spin coating, spray coating, roll-to-roll, nozzle coating and the like. The dry method is a method of forming a low molecular organic layer mainly using an evaporation method.

그런데 습식방법은 대면적의 OLED를 제조하는데 적합하고 재료가 적게 소모되는 장점이 있으나 형성되는 유기층의 수가 제한되어 낮은 효율과 휘도를 나타내는 문제가 있다.By the way, the wet method is suitable for manufacturing a large area OLED and consumes less material, but there is a problem in that the number of organic layers to be formed is limited, resulting in low efficiency and brightness.

본 발명의 목적은 효율과 휘도가 우수한 표시장치를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a display device having excellent efficiency and brightness.

본 발명의 다른 목적은 효율과 휘도가 우수한 표시장치의 제조방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a display device having excellent efficiency and brightness.

상기 본 발명의 목적은 절연기판 상에 형성되어 있는 박막트랜지스터와; 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되어 있는 제1애노드와; 상기 제1애노드 상에 형성되어 있으며 제1발광층을 포함하는 제1유기층과; 상기 제1유기층 상에 형성되어 있으며 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되어 있는 제2애노드와; 상기 제 2애노드 상에 형성되어 있으며 제2발광층을 포함하는 제2유기층과; 상기 제2유기층 상에 형성되어 있는 캐소드를 포함하는 표시장치에 의하여 달성된다.An object of the present invention is a thin film transistor formed on an insulating substrate; A first anode electrically connected to the thin film transistor; A first organic layer formed on the first anode and including a first light emitting layer; A second anode formed on the first organic layer and electrically connected to the thin film transistor; A second organic layer formed on the second anode and including a second light emitting layer; The display device includes a cathode formed on the second organic layer.

상기 제2애노드는 상기 제1유기층과 직접 접해 있는 것이 바람직하다. Preferably, the second anode is in direct contact with the first organic layer.

상기 제1애노드와 상기 제2애노드는 동일한 전기적 신호를 인가 받는 것이 바람직하다.Preferably, the first anode and the second anode receive the same electrical signal.

상기 제2애노드와 상기 캐소드가 겹치는 영역에는 상기 제2유기층이 형성되어 있는 것이 바람직하다.Preferably, the second organic layer is formed in a region where the second anode and the cathode overlap.

상기 제1유기층과 상기 제2유기층은 고분자 물질로 이루어진 것이 바람직하다. Preferably, the first organic layer and the second organic layer are made of a polymer material.

상기 제1유기층과 상기 제2유기층을 둘러싸는 격벽을 더 포함하며, 상기 제1유기층과 상기 제2유기층은 잉크젯 방식으로 형성된 것이 바람직하다. It is preferable to further include a partition wall surrounding the first organic layer and the second organic layer, wherein the first organic layer and the second organic layer is formed by an inkjet method.

상기 제1유기층은 상기 제1발광층과 상기 제1애노드 사이에 위치하는 제1버퍼층을 더 포함하며, 상기 제2유기층은 상기 제2애노드와 상기 제2발광층 사이에 위치하는 제2버퍼층을 더 포함하는 것이 바람직하다. The first organic layer further includes a first buffer layer positioned between the first light emitting layer and the first anode, and the second organic layer further includes a second buffer layer positioned between the second anode and the second light emitting layer. It is desirable to.

상기 제1버퍼층 및 제2버퍼층은 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)과 폴리스티렌술폰산을 포함하는 것이 바람직하다. Preferably, the first buffer layer and the second buffer layer include poly (3,4-ethylenedioxythiophene) and polystyrenesulfonic acid.

상기 제2애노드는, 상기 제1유기층 상에 위치하는 제1부분과; 상기 격벽 상에 형성되어 있으며 상기 박막트랜지스터와 상기 제1부분을 연결하는 제2부분을 포함하는 것이 바람직하다. The second anode may include a first portion located on the first organic layer; It is preferable to include a second portion formed on the partition wall and connecting the thin film transistor and the first portion.

상기 제2애노드는 쉐도우 마스크를 이용하여 형성된 것이 바람직하다.The second anode is preferably formed using a shadow mask.

상기 제2애노드는 스퍼터링 방법에 의해 형성되는 것이 바람직하다.The second anode is preferably formed by a sputtering method.

상기 캐소드는, 상기 제2유기층 상에 위치하는 제1부분과; 상기 격벽 상에 형성되어 있으며 인접배치된 상기 제1캐소드 부분을 연결하는 제2부분을 포함하는 것이 바람직하다. The cathode comprises: a first portion located on the second organic layer; It is preferred to include a second portion formed on the partition wall and connecting the first cathode portion disposed adjacently.

상기 캐소드는 쉐도우 마스크를 이용하여 형성된 것이 바람직하다. The cathode is preferably formed using a shadow mask.

상기 제2애노드와 상기 캐소드는 스퍼터링 방법에 의해 형성되는 것이 바람직하다. Preferably, the second anode and the cathode are formed by a sputtering method.

상기 캐소드는 Ba/Al의 이중층, Ba/Ag의 이중층, Ca/Ag의 이중층, LiF/Ca/Ag의 삼중층, LiF/Ca/Al의 삼중층 중 어느 하나인 것이 바람직하다. The cathode is preferably any one of a double layer of Ba / Al, a double layer of Ba / Ag, a double layer of Ca / Ag, a triple layer of LiF / Ca / Ag, and a triple layer of LiF / Ca / Al.

상기 제1발광층과 상기 제2발광층은 동시에 발광되는 것이 바람직하다. Preferably, the first light emitting layer and the second light emitting layer emit light simultaneously.

상기 본 발명의 다른 목적은 절연기판 상에 박막트랜지스터를 형성하는 단계와; 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되는 제1애노드를 형성하는 단계와; 상기 제1애노드 상에 제1발광층을 포함하는 제1유기층을 형성하는 단계와; 상기 제1유기층 상에 상기 박막트랜지스터와 연결되는 제2애노드를 형성하는 단계와; 상기 제2애노드 상에 제2발광층을 포함하는 제2유기층을 형성하는 단계와; 상기 제2유기층 상에 캐소드를 형성하는 단계를 포함하는 표시장치의 제조방법에 의하여 달성된다.Another object of the present invention is to form a thin film transistor on an insulating substrate; Forming a first anode electrically connected to the thin film transistor; Forming a first organic layer including a first light emitting layer on the first anode; Forming a second anode connected to the thin film transistor on the first organic layer; Forming a second organic layer including a second light emitting layer on the second anode; The manufacturing method of the display device includes forming a cathode on the second organic layer.

상기 제1유기층과 상기 제2유기층은 잉크젯 방식으로 형성되는 것이 바람직하다. The first organic layer and the second organic layer are preferably formed by an inkjet method.

상기 제2애노드와 상기 캐소드의 형성은 쉐도우 마스크를 이용하여 수행되는 것이 바람직하다. Formation of the second anode and the cathode is preferably performed using a shadow mask.

상기 제2애노드 및 상기 캐소드의 형성은 스퍼터링 방법을 이용하여 수행되는 것이 바람직하다. Formation of the second anode and the cathode is preferably performed using a sputtering method.

이하 첨부된 도면을 참조로 하여 본발명을 더욱 상세히 설명하겠다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

설명에서‘상에’또는‘위에’는 두 층(막) 간에 다른 층(막)이 개재되거나 개재되지 않는 것을 의미하며,‘바로 위에’는 두 층(막)이 서로 접촉하고 있음을 나타낸다.In the description, 'on' or 'on' means that another layer (membrane) is interposed or not interposed between the two layers (membrane).

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치에서 화소에 대한 등가회로도이다. 1 is an equivalent circuit diagram of a pixel in a display device according to a first exemplary embodiment of the present invention.

하나의 화소에는 복수의 신호선이 마련되어 있다. 신호선은 주사신호를 전달하는 게이트선, 데이터 신호를 전달하는 데이터선 그리고 구동 전압을 전달하는 구동 전압선을 포함한다. 데이터선과 구동 전압선은 서로 인접하여 나란히 배치되어 있으며, 게이트선은 데이터선 및 구동 전압선과 수직을 이루며 연장되어 있다.A plurality of signal lines are provided in one pixel. The signal line includes a gate line for transmitting a scan signal, a data line for transmitting a data signal, and a driving voltage line for transmitting a driving voltage. The data line and the driving voltage line are adjacent to each other and disposed side by side, and the gate line extends perpendicular to the data line and the driving voltage line.

각 화소는 한 쌍의 유기발광소자(LD1, LD2), 스위칭 박막트랜지스터(Tsw), 구동 박막트랜지스터(Tdr), 축전기(C)를 포함한다.Each pixel includes a pair of organic light emitting diodes LD1 and LD2, a switching thin film transistor Tsw, a driving thin film transistor Tdr, and a capacitor C.

구동 박막트랜지스터(Tdr)는 제어 단자, 입력 단자 및 출력단자를 가지는데, 제어단자는 스위칭 박막트랜지스터(Tsw)에 연결되어 있고, 입력 단자는 구동 전압선에 연결되어 있으며, 출력 단자는 유기발광소자(LD1, LD2)에 연결되어 있다.The driving thin film transistor Tdr has a control terminal, an input terminal, and an output terminal. The control terminal is connected to the switching thin film transistor Tsw, the input terminal is connected to a driving voltage line, and the output terminal is an organic light emitting diode ( LD1, LD2).

한 쌍의 유기발광소자(LD1, LD2)는 구동 박막트랜지스터(Tdr)의 출력 단자에 연결되는 애노드(anode)와 공통전압(Vcom)에 연결되어 있는 캐소드(cathode)를 공 통으로 가진다. 한 쌍의 유기 발광 소자(LD1, LD2)는 구동 박막트랜지스터(Tdr)의 출력 전류에 따라 세기를 달리하여 발광함으로써 영상을 표시한다. 구동 박막트랜지스터(Tdr)의 전류는 제어 단자와 출력 단자 사이에 걸리는 전압에 따라 그 크기가 달라진다.The pair of organic light emitting diodes LD1 and LD2 commonly have an anode connected to the output terminal of the driving thin film transistor Tdr and a cathode connected to the common voltage Vcom. The pair of organic light emitting diodes LD1 and LD2 display an image by emitting light at different intensities according to the output current of the driving thin film transistor Tdr. The current of the driving thin film transistor Tdr varies in magnitude depending on the voltage applied between the control terminal and the output terminal.

스위칭 박막트랜지스터(Tsw)는 또한 제어 단자, 입력 단자 및 출력 단자를 가지는데, 제어 단자는 게이트선에 연결되어 있고, 입력 단자는 데이터선에 연결되어 있으며, 출력 단자는 구동 박막트랜지스터(Tdr)의 제어 단자에 연결되어 있다. 스위칭 박막트랜지스터(Tsw)는 게이트선에 인가되는 주사 신호에 따라 데이터선에 인가되는 데이터 신호를 구동 박막트랜지스터(Tdr)에 전달한다.The switching thin film transistor Tsw also has a control terminal, an input terminal and an output terminal, the control terminal is connected to the gate line, the input terminal is connected to the data line, and the output terminal of the driving thin film transistor Tdr. It is connected to the control terminal. The switching thin film transistor Tsw transfers a data signal applied to the data line to the driving thin film transistor Tdr according to a scan signal applied to the gate line.

축전기(C)는 구동 박막트랜지스터(Tdr)의 제어 단자와 입력단자 사이에 연결되어 있다. 축전기(C)는 구동 박막트랜지스터(Tdr)의 제어 단자에 입력되는 데이터 신호를 충전하고 유지한다.The capacitor C is connected between the control terminal and the input terminal of the driving thin film transistor Tdr. The capacitor C charges and maintains a data signal input to the control terminal of the driving thin film transistor Tdr.

본 발명의 제1 실시예에 따른 표시장치(1)를 도2를 참조하여 자세히 살펴보면 다음과 같다. 도 2에서는 구동트랜지스터(Tdr) 만을 도시하였다.The display device 1 according to the first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG. 2 as follows. In FIG. 2, only the driving transistor Tdr is illustrated.

유리, 석영, 세라믹 또는 플라스틱 등의 절연성 재질을 포함하여 만들어진 절연기판(110) 상에 게이트 전극(121)이 형성되어 있다. The gate electrode 121 is formed on an insulating substrate 110 made of an insulating material such as glass, quartz, ceramic, or plastic.

절연기판(110)과 게이트 전극(121) 위에는 실리콘 질화물(SiNx) 등으로 이루어진 게이트 절연막(131)이 형성되어 있다. A gate insulating layer 131 made of silicon nitride (SiNx) or the like is formed on the insulating substrate 110 and the gate electrode 121.

게이트 전극(121)이 위치한 게이트 절연막(131) 상에는 비정질 실리콘으로 이루어진 반도체층(132)과 n형 불순물이 고농도 도핑된 n+ 수소화 비정질 실리콘으 로 이루어진 저항성 접촉층(133)이 순차적으로 형성되어 있다.　여기서, 저항성 접촉층(133)은 게이트 전극(121)을 중심으로 양쪽으로 분리되어 있다.On the gate insulating layer 131 where the gate electrode 121 is positioned, a semiconductor layer 132 made of amorphous silicon and an ohmic contact layer 133 made of n + hydrogenated amorphous silicon heavily doped with n-type impurities are sequentially formed. Here, the ohmic contact layer 133 is separated from both sides with respect to the gate electrode 121.

저항 접촉층(133) 및 게이트 절연막(131) 위에는 소스 전극(141)과 드레인 전극(142)이 형성되어 있다. 소스 전극(141)과 드레인 전극(142)은 게이트 전극(121)을 중심으로 분리되어 있다.The source electrode 141 and the drain electrode 142 are formed on the ohmic contact layer 133 and the gate insulating layer 131. The source electrode 141 and the drain electrode 142 are separated around the gate electrode 121.

소스 전극(141)과 드레인 전극(142) 및 이들이 가리지 않는 반도체층(132)의 상부에는 보호막(151)이 형성되어 있다. 보호막(151)은 실리콘 질화물(SiNx)과 같은 무기막 또는 유기막으로 이루어질 수 있으며, 무기막과 유기막의 2층 구조도 가능하다. 유기막으로는 BCB(benzocyclobutene) 계열, 올레핀 계열, 아크릴 수지(acrylic resin)계열, 폴리 이미드(polyimide)계열, 테프론계열, 사이토프(cytop), FCB(perfluorocyclobutane) 중 어느 하나가 사용될 수 있다. The passivation layer 151 is formed on the source electrode 141, the drain electrode 142, and the semiconductor layer 132 which is not covered. The passivation layer 151 may be made of an inorganic layer or an organic layer, such as silicon nitride (SiNx), and may have a two-layer structure of an inorganic layer and an organic layer. As the organic layer, any one of a benzocyclobutene (BCB) series, an olefin series, an acrylic resin series, a polyimide series, a teflon series, a cytotop, and a perfluorocyclobutane (FCB) may be used.

보호막(151)은 드레인 전극(142) 상부에서 일부 제거되어 접촉구(152)를 형성한다.The passivation layer 151 is partially removed from the drain electrode 142 to form the contact hole 152.

보호막(151)의 상부에는 제1애노드(161)가 형성되어 있다. 제1애노드(161)는 제1발광층(222)에 정공을 공급한다. 제1애노드(161)는 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide)등의 투명한 전도물질로 이루어져 있으며 접촉구(152)를 통해 드레인 전극(142)과 연결되어 있다. The first anode 161 is formed on the passivation layer 151. The first anode 161 supplies holes to the first light emitting layer 222. The first anode 161 is made of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), and is connected to the drain electrode 142 through the contact hole 152.

제1애노드(161)와 보호막(151) 상에는 제1애노드(161)를 둘러싸고 있는 격벽(211)이 형성되어 있다. 격벽(211)은 아크릴 수지, 폴리이미드 수지 등의 내열성, 내용매성이 있는 감광물질이나 SiO2, TiO2와 같은 무기재료로 이루어질 수 있으며 유기층과 무기층의 2층 구조도 가능하다. 격벽(211)과 보호막(151)에는 드레인 전극(142)을 노출시키는 접촉구(153)가 마련되어 있으며, 이 접촉구(153)를 통해 제2애노드(230)는 드레인 전극(142)과 연결된다.The partition 211 surrounding the first anode 161 is formed on the first anode 161 and the passivation layer 151. The partition wall 211 may be formed of a photoresist having heat resistance and solvent resistance, such as an acrylic resin and a polyimide resin, or an inorganic material such as SiO 2 or TiO 2, and may have a two-layer structure of an organic layer and an inorganic layer. A contact hole 153 exposing the drain electrode 142 is provided in the barrier rib 211 and the passivation layer 151, and the second anode 230 is connected to the drain electrode 142 through the contact hole 153. .

제1애노드(161) 상에는 제1유기층(220)이 형성되어 있다. 제1유기층(220)은 고분자로 이루어져 있으며 제1버퍼층(221)과 제1 발광층(222)을 포함한다. 이 중 제1발광층(222)은 서로 다른 색상의 빛을 발광하는 3개의 서브층(222a, 222b, 222c)으로 이루어져 있다.The first organic layer 220 is formed on the first anode 161. The first organic layer 220 is made of a polymer and includes a first buffer layer 221 and a first light emitting layer 222. The first light emitting layer 222 is composed of three sub-layers (222a, 222b, 222c) that emit light of different colors.

제1버퍼층(221)은 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(PEDOT)과 폴리스티렌술폰산(PSS)과 같은 정공 주입 물질로 이루어져 있으며, 이들 정공 주입 물질을 물에 혼합시켜 수상 서스펜션 상태에서 잉크젯 방식으로 형성될 수 있다. The first buffer layer 221 is made of a hole injection material such as poly (3,4-ethylenedioxythiophene) (PEDOT) and polystyrenesulfonic acid (PSS). The hole injection material is mixed with water to inkjet in an aqueous suspension state. Can be formed in a manner.

제1발광층(222)은 폴리플루오렌 유도체, (폴리)파라페닐렌비닐렌 유도체, 폴리페닐렌 유도체, 폴리비닐카바졸, 폴리티오펜 유도체, 또는 이들의 고분자 재료에 페릴렌계 색소, 로더민계 색소, 루브렌, 페릴렌, 9,10-디페닐안트라센, 테트라페닐부타디엔, 나일 레드, 쿠마린 6, 퀴나크리돈 등을 도핑하여 사용할 수 있으며, 잉크젯 방식으로 형성될 수 있다.The first light emitting layer 222 is a polyfluorene derivative, a (poly) paraphenylene vinylene derivative, a polyphenylene derivative, a polyvinylcarbazole, a polythiophene derivative, or a perylene-based pigment or a rodin-based pigment in a polymer material thereof. , Rubrene, perylene, 9,10-diphenylanthracene, tetraphenylbutadiene, nile red, coumarin 6, quinacridone and the like can be used, and can be formed by an inkjet method.

제1유기층(220) 상에는 제2애노드(230)가 형성되어 있다. 제1애노드(161)와 제2애노드(230)는 동일한 박막트랜지스터(Tdr)에 연결되어 있기 때문에 동일한 데이터 신호를 인가받는다. 제2애노드(230)는 박막트랜지스터(230)에 연결되기 위해 격벽(211) 상부로 일부 연장되어 있다. 제2애노드(230)는 쉐도우 마스크를 이용하여 형성할 수 있는데, 이에 대하여는 뒤에 자세히 설명한다.The second anode 230 is formed on the first organic layer 220. Since the first anode 161 and the second anode 230 are connected to the same thin film transistor Tdr, they receive the same data signal. The second anode 230 partially extends above the partition 211 to be connected to the thin film transistor 230. The second anode 230 may be formed using a shadow mask, which will be described in detail later.

제2애노드(230) 상에는 제2유기층(240)이 형성되어 있다. 제2유기층(240)은 고분자로 이루어져 있으며 제2버퍼층(241)과 제2발광층(242)을 포함한다. 이 중 제2발광층(242)은 서로 다른 색상의 빛을 발광하는 3개의 서브층(242a, 242b, 242c)으로 이루어져 있다.The second organic layer 240 is formed on the second anode 230. The second organic layer 240 is made of a polymer and includes a second buffer layer 241 and a second light emitting layer 242. The second light emitting layer 242 is composed of three sub-layers 242a, 242b, and 242c that emit light of different colors.

제2버퍼층(241)은 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(PEDOT)과 폴리스티렌술폰산(PSS)과 같은 정공 주입 물질로 이루어져 있으며, 이들 정공 주입 물질을 물에 혼합시켜 수상 서스펜션 상태에서 잉크젯 방식으로 형성될 수 있다. The second buffer layer 241 is made of hole injection materials such as poly (3,4-ethylenedioxythiophene) (PEDOT) and polystyrenesulfonic acid (PSS). The hole injection materials are mixed with water to inkjet in an aqueous suspension state. Can be formed in a manner.

제2발광층(242)은 폴리플루오렌 유도체, (폴리)파라페닐렌비닐렌 유도체, 폴리페닐렌 유도체, 폴리비닐카바졸, 폴리티오펜 유도체, 또는 이들의 고분자 재료에 페릴렌계 색소, 로더민계 색소, 루브렌, 페릴렌, 9,10-디페닐안트라센, 테트라페닐부타디엔, 나일 레드, 쿠마린 6, 퀴나크리돈 등을 도핑하여 사용할 수 있으며, 잉크젯 방식으로 형성될 수 있다.The second light emitting layer 242 may be a perylene-based pigment or a rodin-based pigment in a polyfluorene derivative, a (poly) paraphenylene vinylene derivative, a polyphenylene derivative, a polyvinylcarbazole, a polythiophene derivative, or a polymer material thereof. , Rubrene, perylene, 9,10-diphenylanthracene, tetraphenylbutadiene, nile red, coumarin 6, quinacridone and the like can be used, and can be formed by an inkjet method.

제2유기층(240) 상부에는 캐소드(250)가 형성되어 있다. 캐소드(250)는 공통 전극으로서 모든 화소에 동일한 공통전압을 인가한다. 캐소드(250)는 Ba/Al의 이중층, Ba/Ag의 이중층, Ca/Ag의 이중층, LiF/Ca/Ag의 삼중층, LiF/Ca/Al의 삼중층 중 어느 하나일 수 있다. 캐소드(250)와 제2애노드(230) 사이에는 제2유기층(240)이 위치하고 있어 캐소드(250)와 제2애노드(230)는 직접 접촉하지 않는다. 캐소드(250)는 쉐도우 마스크를 이용하여 형성할 수 있는데, 이에 대하여는 뒤에 자세히 설명한다.The cathode 250 is formed on the second organic layer 240. The cathode 250 applies the same common voltage to all pixels as a common electrode. The cathode 250 may be any one of a double layer of Ba / Al, a double layer of Ba / Ag, a double layer of Ca / Ag, a triple layer of LiF / Ca / Ag, and a triple layer of LiF / Ca / Al. Since the second organic layer 240 is positioned between the cathode 250 and the second anode 230, the cathode 250 and the second anode 230 do not directly contact each other. The cathode 250 may be formed using a shadow mask, which will be described in detail later.

도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 표시장치에서 제2애노드의 배치도이다. 3 is a layout view of a second anode in the display device according to the first embodiment of the present invention.

제2애노드(230)는 서로 분리되어 있으며 일정한 간격으로 매트릭스 형상으로 배치되어 있다. 각 제2애노드(230)는 비교적 넓이가 큰 제1부분(230a)과 비교적 넓이가 작은 제2부분(230b)으로 이루어져 있다. 제1부분(230a)은 격벽(211)에 둘러싸여 있으며 대부분 제1유기층(220) 상부에 위치한다. 제2부분(230b)은 격벽(211) 상부로 연장되어 있으며 접촉구(153)를 통해 박막트랜지스터(Tdr)와 연결된다.The second anodes 230 are separated from each other and are arranged in a matrix at regular intervals. Each second anode 230 is composed of a relatively large first portion 230a and a relatively small second portion 230b. The first portion 230a is surrounded by the partition 211 and is mostly located above the first organic layer 220. The second portion 230b extends above the partition 211 and is connected to the thin film transistor Tdr through the contact hole 153.

도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 표시장치에서 캐소드의 배치도이다.4 is a layout view of a cathode in a display device according to a first exemplary embodiment of the present invention.

캐소드(250)는 일정한 간격으로 길게 형성되어 있다. 캐소드(250)는 비교적 폭이 큰 제1부분(250a)과, 인접한 제1부분(250a) 간을 연결하며 비교적 폭이 좁은 제2부분(250b)으로 이루어져 있다.The cathode 250 is formed long at regular intervals. The cathode 250 is composed of a relatively wide first portion 250a and a relatively narrow second portion 250b connecting the adjacent first portion 250a.

제1부분(250a)의 대부분은 격벽(211) 사이의 제2유기층(240) 상부에 위치하나, 일부는 격벽(211) 상부로 연장되어 있다. 여기서 제1부분(250a)의 좌측변은 격벽(211) 상부로 연장되어 있지 않다. 제2부분(250b)은 격벽(211) 상에 형성되어 있다.Most of the first portion 250a is positioned above the second organic layer 240 between the partitions 211, but part of the first portion 250a extends above the partitions 211. Here, the left side of the first portion 250a does not extend above the partition wall 211. The second portion 250b is formed on the partition 211.

도 5는 본 발명의 제1실시예에 따른 표시장치에서 제2애노드와 캐소드의 관계를 나타낸 배치도이다.5 is a layout view illustrating a relationship between a second anode and a cathode in a display device according to a first embodiment of the present invention.

도 5에서 빗금으로 처리한 부분은 제2애노드(230)와 캐소드(250)가 겹치는 오버랩 영역을 나타낸다. 도시한 바와 같이 제2애노드(230)와 캐소드(250)는 부분적으로 겹치고 있다. 오버랩영역의 좌측에는 제2애노드(230)가 연장되어 있으며, 오버랩영역의 상측, 하측 및 우측에는 캐소드(250)가 연장되어 있다. In FIG. 5, the portion treated with hatches represents an overlap region in which the second anode 230 and the cathode 250 overlap. As shown, the second anode 230 and the cathode 250 partially overlap. The second anode 230 extends on the left side of the overlap region, and the cathode 250 extends on the upper side, the lower side, and the right side of the overlap region.

여기서 오버랩 영역은 제2유기층(240) 영역 내에 위치하고 있다. 즉 제2애노 드(230)와 캐소드(250) 사이에는 제2유기층(240)이 위치하는 것으로, 제2유기층(240)에 의해 제2애노드(230)와 캐소드(250)는 절연되어 있다.The overlap region is located in the region of the second organic layer 240. That is, the second organic layer 240 is positioned between the second anode 230 and the cathode 250, and the second anode 230 and the cathode 250 are insulated by the second organic layer 240.

도 6은 본 발명의 제1실시예에 따른 표시장치에서 발광원리를 설명하기 위한 도면이다.6 is a view for explaining the principle of light emission in the display device according to the first embodiment of the present invention.

동일한 박막트랜지스터(Tdr)와 연결되어 있는 제1애노드(161)와 제2애노드(230)에는 동일한 전기적 신호(데이터 신호)가 입력된다. 이에 따라 제1애노드(161)와 제2애노드(230)는 각각 제1유기층(220)과 제2유기층(240)에 동일한 레벨의 정공을 공급한다. 캐소드(250)는 제1유기층(220)과 제2유기층(240)에 전자를 공급한다.The same electrical signal (data signal) is input to the first anode 161 and the second anode 230 which are connected to the same thin film transistor Tdr. Accordingly, the first anode 161 and the second anode 230 supply holes of the same level to the first organic layer 220 and the second organic layer 240, respectively. The cathode 250 supplies electrons to the first organic layer 220 and the second organic layer 240.

제1유기층(220)의 제1발광층(222)에서 제1애노드(161)에서 전달된 정공과 캐소드(250)에서 전달된 전자가 결합하여 여기자(exciton)가 된다. 여기자는 비활성화 과정에서 빛을 발생시킨다. 이와 유사하게 제2유기층(240)의 제2발광층(242)에서 제2애노드(230)에서 전달된 정공과 캐소드(250)에서 전달된 전자가 결합하여 여기자(exciton)가 된다. 여기자는 비활성화 과정에서 빛을 발생시킨다. In the first light emitting layer 222 of the first organic layer 220, holes transferred from the first anode 161 and electrons transferred from the cathode 250 combine to form an exciton. The excitons generate light during the deactivation process. Similarly, holes transferred from the second anode 230 and electrons transferred from the cathode 250 are combined in the second light emitting layer 242 of the second organic layer 240 to form excitons. The excitons generate light during the deactivation process.

이상의 제1실시예에 따른 표시장치(1)는 발광층(222, 242)이 한 쌍이기 때문에 종래의 표시장치에 비하여 효율과 휘도가 향상된다. 또한 한 쌍의 발광층(222, 242)이 캐소드(250)를 공동으로 사용하기 때문에 한 쌍의 발광층(222, 242) 사이에 별도의 절연막이 필요하지 않다. 이에 의해 별도의 절연막 형성공정을 생략할 수 있으며, 절연막에 의해 휘도가 감소하는 문제가 감소한다.Since the display device 1 according to the first embodiment has a pair of light emitting layers 222 and 242, the efficiency and brightness of the display device 1 are improved as compared with the conventional display device. In addition, since the pair of light emitting layers 222 and 242 share the cathode 250, a separate insulating layer is not required between the pair of light emitting layers 222 and 242. As a result, a separate insulating film forming process can be omitted, and the problem of decreasing luminance by the insulating film is reduced.

도 7 내지 도 15는 본 발명의 제1실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 설명 하기 위한 도면이다.7 to 15 are diagrams for describing a method of manufacturing a display device according to a first embodiment of the present invention.

먼저 도 7과 같이 절연기판(110) 상에 박막트랜지스터(Tdr)를 형성한다. 박막트랜지스터(Tdr)는 채널부가 비정질 실리콘으로 이루어져 있으며 공지의 방법으로 제조될 수 있다. First, as shown in FIG. 7, the thin film transistor Tdr is formed on the insulating substrate 110. The thin film transistor Tdr may include a channel portion made of amorphous silicon and may be manufactured by a known method.

다음 도 8과 같이 박막트랜지스터(Tdr) 상에 보호막(151) 및 제1애노드(161)를 형성한다. 보호막(151)이 실리콘 질화물인 경우 화학기상증착법을 사용할 수 있다. 보호막(151)이 유기막인 경우 슬릿 코팅, 스핀 코팅을 통해 형성되며 노광 및 현상을 통해 접촉구(152, 153)가 형성된다. 제1애노드(161)는 ITO, IZO와 같은 투명전도층을 스퍼터링 방법으로 형성한 후 사진식각을 통해 형성된다. Next, as shown in FIG. 8, the passivation layer 151 and the first anode 161 are formed on the thin film transistor Tdr. When the protective film 151 is silicon nitride, chemical vapor deposition may be used. When the protective layer 151 is an organic layer, the protective layer 151 is formed through slit coating or spin coating, and contact holes 152 and 153 are formed through exposure and development. The first anode 161 is formed through photolithography after forming a transparent conductive layer such as ITO or IZO by a sputtering method.

다음 도 9와 같이 박막트랜지스터(Tdr) 상에 제1애노드(161)를 둘러싸는 격벽(211)을 형성한다. 격벽(211)은 감광 물질층을 도포하고 노광, 현상을 통해 형성하는데, 박막트랜지스터(Tdr)를 노출시키는 접촉구(153)를 형성한다.Next, as shown in FIG. 9, the partition 211 surrounding the first anode 161 is formed on the thin film transistor Tdr. The barrier rib 211 is formed by applying a photosensitive material layer and exposing and developing the contact layer 153 to expose the thin film transistor Tdr.

다음 도 10과 같이 격벽(211) 사이에 정공주입물질을 포함하는 고분자 용액인 제1버퍼용액(225)을 제1애노드(161) 상에 잉크젯 방법을 사용하여 드로핑한 후 건조하여 형성한다. 제1버퍼용액(225)은 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(PEDOT) 등의 폴리티오펜 유도체와 폴리스틸렌 술폰산(PSS) 등의 혼합물과 이들 혼합물이 용해되어 있는 극성 용매를 포함할 수 있다. 극성 용매로는, 예를 들어 이소프로필알콜(IPA), n-부탄올, γ-부틸올락톤, N-메틸피를리돈(NMP), 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논(DMI) 및 그 유도체, 카비톨아세테이트, 부틸카비톨아세테이트 등의 글리콜에테류 등을 들 수 있다. Next, as shown in FIG. 10, the first buffer solution 225, which is a polymer solution including a hole injection material, is dropped on the first anode 161 by using an inkjet method and then dried. The first buffer solution 225 may include a mixture of polythiophene derivatives such as poly (3,4-ethylenedioxythiophene) (PEDOT) and polystyrene sulfonic acid (PSS), and a polar solvent in which these mixtures are dissolved. have. As a polar solvent, for example, isopropyl alcohol (IPA), n-butanol, γ-butylollactone, N-methylpyridone (NMP), 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone (DMI) And glycol ethers such as derivatives thereof, carbitol acetate and butyl carbitol acetate, and the like.

건조는 질소 분위기 하 실온에서 압력을 1Torr 정도로 낮추어 행할 수 있다. 압력이 너무 낮으면 제1버퍼용액(225)이 급격히 끊을 위험이 있다. 한편 온도를 실온 이상으로 하면 용매의 증발 속도가 높아져 균일한 두께의 막을 형성하기 어려워 바람직하지 않다.Drying can be performed by reducing the pressure to about 1 Torr at room temperature under a nitrogen atmosphere. If the pressure is too low, there is a risk that the first buffer solution 225 breaks rapidly. On the other hand, when the temperature is higher than or equal to room temperature, the solvent evaporation rate increases, which makes it difficult to form a film of uniform thickness, which is not preferable.

이후 도 11과 같이 제1버퍼층(221) 상에 발광 물질을 포함하는 고분자 용액인 제1발광용액을 잉크젯 방법을 사용하여 드로핑한 후 건조하여 제1 발광층(222)을 형성한다. 이로써 제1버퍼층(221)과 제1발광층(222)을 포함하는 제1유기층(220)이 완성된다.Thereafter, as shown in FIG. 11, the first light emitting solution, which is a polymer solution containing a light emitting material, is dropped on the first buffer layer 221 by using an inkjet method, and then dried to form a first light emitting layer 222. As a result, the first organic layer 220 including the first buffer layer 221 and the first light emitting layer 222 is completed.

이 후 도 12a과 같이 쉐도우 마스크(10a)를 이용해 제1유기층(220)과 접촉구(153) 상에 제2애노드(230)를 형성한다.Thereafter, as shown in FIG. 12A, the second anode 230 is formed on the first organic layer 220 and the contact hole 153 by using the shadow mask 10a.

제2애노드(230)에 사용되는 쉐도우 마스크(10a)에는 도 12b에 도시한 바와 같이 매트릭스 형태로 배열된 복수의 개구부(12)가 형성되어 있다. 개구부(12)는 제2애노드(230)에 대응하는 형태를 가지고 있다.In the shadow mask 10a used for the second anode 230, as shown in FIG. 12B, a plurality of openings 12 arranged in a matrix form are formed. The opening 12 has a shape corresponding to the second anode 230.

제2애노드(230)는 스퍼터링과 같은 방법으로 형성되는데, 쉐도우 마스크(10a)의 개구부(12)에 대응하는 부분에만 증착되고, 차단부(11)에 대응하는 부분에는 증착되지 않는다. 이러한 과정을 통해 제1유기층(220) 상에 형성되며 박막트랜지스터(Tdr)에 연결되어 있는 제2애노드(230)가 형성된다.The second anode 230 is formed in the same manner as sputtering, and is deposited only on a portion corresponding to the opening 12 of the shadow mask 10a and not on a portion corresponding to the blocking portion 11. Through this process, a second anode 230 formed on the first organic layer 220 and connected to the thin film transistor Tdr is formed.

다음 도 13과 같이 격벽(211) 사이에 정공주입물질을 포함하는 고분자 용액인 제2버퍼용액(245)을 제2애노드(230) 상에 잉크젯 방법을 사용하여 드로핑한 후 건조하여 형성한다. 제2버퍼용액(245)은 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(PEDOT) 등 의 폴리티오펜 유도체와 폴리스틸렌 술폰산(PSS) 등의 혼합물과 이들 혼합물이 용해되어 있는 극성 용매를 포함할 수 있다. 극성 용매로는, 예를 들어 이소프로필알콜(IPA), n-부탄올, γ-부틸올락톤, N-메틸피를리돈(NMP), 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논(DMI) 및 그 유도체, 카비톨아세테이트, 부틸카비톨아세테이트 등의 글리콜에테류 등을 들 수 있다. Next, as shown in FIG. 13, the second buffer solution 245, which is a polymer solution containing a hole injection material, is dropped on the second anode 230 by using an inkjet method and then dried. The second buffer solution 245 may include a mixture of polythiophene derivatives such as poly (3,4-ethylenedioxythiophene) (PEDOT) and polystyrene sulfonic acid (PSS), and a polar solvent in which these mixtures are dissolved. have. As a polar solvent, for example, isopropyl alcohol (IPA), n-butanol, γ-butylollactone, N-methylpyridone (NMP), 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone (DMI) And glycol ethers such as derivatives thereof, carbitol acetate and butyl carbitol acetate, and the like.

건조는 질소 분위기 하 실온에서 압력을 1Torr 정도로 낮추어 행할 수 있다. 압력이 너무 낮으면 제2버퍼용액(245)이 급격히 끊을 위험이 있다. 한편 온도를 실온 이상으로 하면 용매의 증발 속도가 높아져 균일한 두께의 막을 형성하기 어려워 바람직하지 않다. Drying can be performed by reducing the pressure to about 1 Torr at room temperature under a nitrogen atmosphere. If the pressure is too low, the second buffer solution 245 may break rapidly. On the other hand, when the temperature is higher than or equal to room temperature, the solvent evaporation rate increases, which makes it difficult to form a film of uniform thickness, which is not preferable.

이 후 도 14와 같이 제2버퍼층(241) 상에 발광 물질을 포함하는 고분자 용액인 제2발광용액을 잉크젯 방법을 사용하여 드로핑한 후 건조하여 제2발광층(242)을 형성한다. 이로써 제2버퍼층(241)과 제2발광층(242)을 포함하는 제2유기층(240)이 완성된다. 제1유기층(220)과 제2유기층(240)은 실질적으로 같은 영역에 걸쳐 형성되며 격벽(211)에 둘러싸여 있다.Thereafter, as shown in FIG. 14, the second light emitting solution, which is a polymer solution containing a light emitting material, is dropped on the second buffer layer 241 using an inkjet method, and then dried to form a second light emitting layer 242. As a result, the second organic layer 240 including the second buffer layer 241 and the second light emitting layer 242 is completed. The first organic layer 220 and the second organic layer 240 are formed over substantially the same area and are surrounded by the partition wall 211.

이 후 도 15a과 같이 쉐도우 마스크(10b)를 이용해 제2유기층(240)과 격벽(211) 상에 캐소드(250)를 형성하면 도 2의 표시장치(1)가 완성된다.Thereafter, as shown in FIG. 15A, when the cathode 250 is formed on the second organic layer 240 and the partition 211 using the shadow mask 10b, the display device 1 of FIG. 2 is completed.

캐소드(250)에 사용되는 쉐도우 마스크(10b)에는 도 15b에 도시한 바와 같이 길게 연장된 복수의 개구부(12)가 형성되어 있다. 개구부(12)는 캐소드(250)에 대응하는 형태를 가지고 있다.The shadow mask 10b used for the cathode 250 is formed with a plurality of elongated openings 12 as shown in FIG. 15B. The opening 12 has a form corresponding to the cathode 250.

캐소드(250)는 스퍼터링과 같은 방법으로 형성되는데, 쉐도우 마스크(10b)의 개구부(12)에 대응하는 부분에만 증착되고, 차단부(11)에 대응하는 부분에는 증착되지 않는다. 이러한 과정을 통해 제2유기층(240)을 사이에 두고 제2애노드(230)와 오버랩 영역을 가지는 캐소드(250)가 형성된다. The cathode 250 is formed in the same manner as sputtering, and is deposited only on a portion corresponding to the opening 12 of the shadow mask 10b, and not on a portion corresponding to the blocking portion 11. Through this process, the cathode 250 having the overlapping region with the second anode 230 is formed with the second organic layer 240 interposed therebetween.

도 16은 본 발명의 제2실시예에 따른 표시장치의 단면도이다.16 is a cross-sectional view of a display device according to a second embodiment of the present invention.

제1실시예와 달리 격벽(211)에 형성된 접촉구(154)는 제1애노드(161)를 노출시키고 있다. 제2애노드(230)는 접촉구(154)를 통해 제1애노드(161)와 연결되어 있다. 이러한 구성에서 제2애노드(230)는 제1실시예와 마찬가지로 제1애노드(161)와 동일한 신호(데이터 신호)를 인가받는다.Unlike the first embodiment, the contact hole 154 formed in the partition 211 exposes the first anode 161. The second anode 230 is connected to the first anode 161 through the contact hole 154. In this configuration, the second anode 230 receives the same signal (data signal) as the first anode 161 as in the first embodiment.

도 17은 본 발명의 제3실시예에 따른 표시장치에서 제2애노드와 캐소드의 관계를 나타낸 배치도이다.17 is a layout view illustrating a relationship between a second anode and a cathode in a display device according to a third exemplary embodiment of the present invention.

제1실시예와 달리 캐소드(250)가 접촉구(153) 주변을 제외한 전 영역에 걸쳐 형성되어 있다. Unlike the first embodiment, the cathode 250 is formed over the entire area except for the vicinity of the contact hole 153.

도 18은 본 발명의 제3실시예에 따른 표시장치에서 캐소드 제조시 사용되는 쉐도우 마스크의 사시도이다. 18 is a perspective view of a shadow mask used in the manufacture of a cathode in the display device according to the third embodiment of the present invention.

쉐도우 마스크(10c)는 접촉구(153) 주변의 제2애노드(230) 상에 캐소드(250)가 형성되지 않도록 하는 제1차단부(11a)와, 제1차단부(11a)를 연결 및 지지하기 위한 제2차단부(11a)를 제외하고는 모두 부분이 개구부(12)로 이루어져 있다.The shadow mask 10c connects and supports the first blocking portion 11a and the first blocking portion 11a to prevent the cathode 250 from being formed on the second anode 230 around the contact hole 153. Except for the second blocking portion 11a, all parts are formed of the opening 12.

절연기판(110)의 크기가 증가할수록 전체에 걸쳐 균일한 공통전압을 인가하기가 용이하지 않다. 제2실시예에 따르면 캐소드(250)가 비교적 넓은 영역에 걸쳐 형성되어 있어 저항을 줄일 수 있으며, 이에 의해 균일한 공통전압을 인가하기 용 이하다.As the size of the insulating substrate 110 increases, it is not easy to apply a uniform common voltage throughout. According to the second embodiment, since the cathode 250 is formed over a relatively large area, the resistance can be reduced, thereby making it easy to apply a uniform common voltage.

비록 본발명의 몇몇 실시예들이 도시되고 설명되었지만, 본발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 당업자라면 본발명의 원칙이나 정신에서 벗어나지 않으면서 본 실시예를 변형할 수 있음을 알 수 있을 것이다. 본발명의 범위는 첨부된 청구항과 그 균등물에 의해 정해질 것이다.Although some embodiments of the invention have been shown and described, those skilled in the art will recognize that modifications can be made to the embodiments without departing from the spirit or principles of the invention. . It is intended that the scope of the invention be defined by the claims appended hereto and their equivalents.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 효율과 휘도가 우수한 표시장치가 제공된다.As described above, the present invention provides a display device excellent in efficiency and brightness.

또한 본 발명에 따르면 효율과 휘도가 우수한 표시장치의 제조방법이 제공된다.According to the present invention, a method of manufacturing a display device having excellent efficiency and brightness is provided.

Claims (20)

절연기판 상에 형성되어 있는 박막트랜지스터와;A thin film transistor formed on the insulating substrate; 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되어 있는 제1애노드와;A first anode electrically connected to the thin film transistor; 상기 제1애노드 상에 형성되어 있으며 제1발광층을 포함하는 제1유기층과;A first organic layer formed on the first anode and including a first light emitting layer; 상기 제1유기층 상에 형성되어 있으며 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되어 있는 제2애노드와;A second anode formed on the first organic layer and electrically connected to the thin film transistor; 상기 제2애노드 상에 형성되어 있으며 제2발광층을 포함하는 제2유기층과;A second organic layer formed on the second anode and including a second light emitting layer; 상기 제2유기층 상에 형성되어 있는 캐소드를 포함하는 표시장치.And a cathode formed on the second organic layer. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제2애노드는 상기 제1유기층과 직접 접해 있는 것을 특징으로 하는 표시장치.And the second anode is in direct contact with the first organic layer. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1애노드와 상기 제2애노드는 동일한 전기적 신호를 인가받는 것을 특징으로 하는 표시장치.And the first anode and the second anode receive the same electrical signal. 제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 제2애노드와 상기 캐소드가 겹치는 영역에는 상기 제2유기층이 형성되 어 있는 것을 특징으로 하는 표시장치..And the second organic layer is formed in a region where the second anode and the cathode overlap each other. 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 제1유기층과 상기 제2유기층은 고분자 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 표시장치.And the first organic layer and the second organic layer are formed of a polymer material. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 제1유기층과 상기 제2유기층을 둘러싸는 격벽을 더 포함하며,Further comprising a partition wall surrounding the first organic layer and the second organic layer, 상기 제1유기층과 상기 제2유기층은 잉크젯 방식으로 형성된 것을 특징으로 하는 표시장치.And the first organic layer and the second organic layer are formed by an inkjet method. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 제1유기층은 상기 제1발광층과 상기 제1애노드 사이에 위치하는 제1버퍼층을 더 포함하며,The first organic layer further includes a first buffer layer positioned between the first light emitting layer and the first anode, 상기 제2유기층은 상기 제2애노드와 상기 제2발광층 사이에 위치하는 제2버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.And the second organic layer further comprises a second buffer layer positioned between the second anode and the second light emitting layer. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 제1버퍼층 및 제2버퍼층은 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)과 폴리스티렌술폰산을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.And the first buffer layer and the second buffer layer include poly (3,4-ethylenedioxythiophene) and polystyrenesulfonic acid. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 제2애노드는,The second anode, 상기 제1유기층 상에 위치하는 제1부분과;A first portion located on the first organic layer; 상기 격벽 상에 형성되어 있으며 상기 박막트랜지스터와 상기 제1부분을 연결하는 제2부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.And a second portion formed on the partition wall and connecting the thin film transistor and the first portion. 제9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 제2애노드는 쉐도우 마스크를 이용하여 형성된 것을 특징으로 하는 표시장치. And the second anode is formed using a shadow mask. 제10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 제2애노드는 스퍼터링 방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 표시장치. And the second anode is formed by a sputtering method. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 캐소드는,The cathode, 상기 제2유기층 상에 위치하는 제1부분과;A first portion located on the second organic layer; 상기 격벽 상에 형성되어 있으며 인접배치된 상기 제1부분을 연결하는 제2 부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치. And a second portion formed on the partition wall and connecting the first portions disposed adjacent to each other. 제12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 캐소드는 쉐도우 마스크를 이용하여 형성된 것을 특징으로 하는 표시장치. And the cathode is formed using a shadow mask. 제13항에 있어서,The method of claim 13, 상기 제2애노드와 상기 캐소드는 스퍼터링 방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 표시장치.And the second anode and the cathode are formed by a sputtering method. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 캐소드는 Ba/Al의 이중층, Ba/Ag의 이중층, Ca/Ag의 이중층, LiF/Ca/Ag의 삼중층, LiF/Ca/Al의 삼중층 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 표시장치.And the cathode is any one of a Ba / Al double layer, a Ba / Ag double layer, a Ca / Ag double layer, a LiF / Ca / Ag triple layer, and a LiF / Ca / Al triple layer. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1발광층과 상기 제2발광층은 동시에 발광되는 것을 특징으로 하는 표시장치. And the first light emitting layer and the second light emitting layer emit light at the same time. 절연기판 상에 박막트랜지스터를 형성하는 단계와;Forming a thin film transistor on the insulating substrate; 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결되는 제1애노드를 형성하는 단계와;Forming a first anode electrically connected to the thin film transistor; 상기 제1애노드 상에 제1발광층을 포함하는 제1유기층을 형성하는 단계와;Forming a first organic layer including a first light emitting layer on the first anode; 상기 제1유기층 상에 상기 박막트랜지스터와 연결되는 제2애노드를 형성하는 단계와;Forming a second anode connected to the thin film transistor on the first organic layer; 상기 제2애노드 상에 제2발광층을 포함하는 제2유기층을 형성하는 단계와;Forming a second organic layer including a second light emitting layer on the second anode; 상기 제2유기층 상에 캐소드를 형성하는 단계를 포함하는 표시장치의 제조방법.Forming a cathode on the second organic layer. 제17항에 있어서,The method of claim 17, 상기 제1유기층과 상기 제2유기층은 잉크젯 방식으로 형성되는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.And the first organic layer and the second organic layer are formed in an inkjet method. 제17항에 있어서,The method of claim 17, 상기 제2애노드와 상기 캐소드의 형성은 쉐도우 마스크를 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.Forming the second anode and the cathode is performed using a shadow mask. 제19항에 있어서,The method of claim 19, 상기 제2애노드 및 상기 캐소드의 형성은 스퍼터링 방법을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.Forming the second anode and the cathode is performed using a sputtering method.
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