KR100685582B1 - 포토레지스트 중합체 및 이를 함유하는 포토레지스트 조성물 - Google Patents

포토레지스트 중합체 및 이를 함유하는 포토레지스트 조성물 Download PDF

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Abstract

본 발명은 포토레지스트 중합체 및 이를 함유하는 포토레지스트 조성물에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 하기 화학식 1로 표시되는 중합체를 포함하는 신규한 포토레지스트 중합체 및 이를 함유하는 포토레지스트 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 포토레지스트 중합체는 종래의 포토레지스트 중합체에 비해 활성화 에너지가 높아 빛 에너지량의 변화에 덜 민감하므로, 반도체 제조 공정 중 패턴 형성시에 상대적으로 빛의 양이 많이 들어오는 필드 외곽 지역의 패턴이 얇아지는 현상을 별도의 더미 패턴 없이도 개선할 수 있고, 또한 내에칭성이 높아 높은 애스펙트 비(aspect ratio)에 의해 유발되는 패턴 콜랩스 문제를 해소할 수 있다.
[화학식 1]
Figure 112006086469913-pat00008
상기 식에서,
R1 내지 R12 및 a, b, c, d는 명세서에서 정의한 바와 같다.

Description

포토레지스트 중합체 및 이를 함유하는 포토레지스트 조성물{Photoresist Polymer and Photoresist Composition Containing It}
도 1은 종래의 포토레지스트 중합체를 이용하여 형성된 패턴도이다.
도 2는 본 발명의 포토레지스트 중합체를 이용하여 개선된 필드 외곽 지역의 패턴 프로파일을 얻을 수 있음을 보여주는 개략도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호 설명>
11 ; 반도체 기판, 12 ; 종래의 포토레지스트 패턴,
21 ; 필드나 블록의 최외곽 지역
본 발명은 포토레지스트 중합체 및 이를 함유하는 포토레지스트 조성물에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 제조 공정 중 패턴 형성 작업에 있어서 더미 노광(Dummy Shot)이나 더미 패턴 없이도 패턴의 프로파일(profile)을 개선함과 동시에 에칭 내성을 높여줄 수 있는 포토레지스트 중합체 및 이를 함유하는 포토레지스트 조성물에 관한 것이다.
반도체의 제조 공정이 복잡해지고 반도체 소자의 집적도가 증가함에 따라 미 세한 패턴을 형성하는 방법이 요구되면서, 기존의 KrF(248nm) 광원을 이용하던 포토리소그라피 공정으로는 이러한 효과를 얻는 것이 어려워 원적외선 광원, 예를 들면 ArF(193nm) 광원을 이용한 포토리소그라피 공정이 개발되었다. 그러나, 상기 ArF 광원을 이용한 포토리소그라피 공정에 사용되는 포토레지스트 물질은 기존의 포토레지스트 물질에 비해 상용화하기에 많은 문제점을 가지고 있다. 가장 큰 문제점으로는 반도체 소자의 고집적화로 인해 선폭(critical dimension; CD)이 감소되면서 패턴의 애스펙트 비가 증가하여 반도체 기판(11)상의 포토레지스트 패턴(12)이 붕괴되는 현상이 발생하는 것을 들 수 있다(도 1 참조).
반도체 제조 공정 중에는 많은 레이어(layer) 형성 공정이 있는데, 패턴의 크기가 작아지면서 필드(field)나 블록(block)의 최외곽 부분의 패턴이 유난히 작게 나타나는 현상이 발생한다. 이런 현상은 패턴들이 일정하고 조밀하게 모여 있는 필드나 블록의 내부에 비해 최외곽 지역의 패턴이 있는 부분이 상대적으로 빛 에너지를 더 많이 받기 때문에 일어난다.
상기와 같은 문제를 해결하기 위하여, 종래에는 에너지를 조절하거나 렌즈의 노광 조건(illumination mode)을 조절함으로써 이러한 패턴이 작아지는 현상을 보상하기도 하였지만 여전히 한계가 있었다.
또한, 필드나 블록 외곽부의 패턴이 작아지면서 DOF (Depth of Focus) 및 EL (Energy Latitude) 마진(margin)이 작아지는 문제도 발생하는데, 이 역시 노광 조건의 변화를 이용한 해결책으로는 한계가 있고, 콜랩스를 방지하기 위해 포토레지스트 막의 두께를 낮추다 보니 에칭 내성을 확보하는데도 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 종래 포토레지스트 공정상의 문제점을 해결하기 위하여 노광에너지나 조명계의 변화에 덜 민감한 물질을 포토레지스트 패턴 형성에 사용하고자 연구를 거듭한 끝에 안출된 것으로서, 패턴 형성시 상대적으로 빛의 양이 많이 들어오는 필드나 블록의 최외곽 지역 패턴의 프로파일을 좋게 하고 또한 에칭 내성을 높일 수 있는 포토레지스트 중합체 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 상기 포토레지스트 조성물을 이용하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 방법 및 이러한 방법에 의해 얻어진 반도체 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은
하기 화학식 1로 표시되는 중합체를 포함하는 포토레지스트 중합체를 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112006086469913-pat00009
상기 식에서,
R1, R2 및 R3은 수소 또는 CH3이고,
R4은 C3∼C10의 직쇄 또는 측쇄의 알킬렌이며,
R5, R6 및 R7은 C1∼C3의 알콕시기이고,
R8, R9 및 R10은 수소 또는 CH3이며,
R11은 C1∼C3의 직쇄 또는 측쇄의 알킬기이고,
R12는 수소이고,
a : b : c : d의 상대비는 20∼40mol% : 20∼35mol% : 15∼25mol% : 15∼20mol%이다.
이러한 본 발명에 따른 포토레지스트 중합체의 분자량은 1,000 내지 10,000이고, 바람직하게는 1,500 내지 4,000이다.
상기 화학식 1로 표시되는 중합체는 하기의 화학식 1a로 표시되는 중합체인 것이 바람직하다.
[화학식 1a]
Figure 112006086469913-pat00010
본 발명의 포토레지스트 중합체에 있어서, 중합 반복 단위를 구성하는 단량체 "a"는 말단기들 사이의 충돌을 피하기 위해 C3∼C10의 직쇄 또는 측쇄의 알킬렌 구조를 도입하여 체인을 길게 하였으므로 폴리머의 중합에 유리하고, CF4 플라즈마 가스를 이용한 식각 공정에서 에칭 내성을 높임으로써 낮은 두께의 포토레지스트에서도 식각 마스크의 역할을 효과적으로 할 수 있게 된다. 또한, 실리콘과 탄소의 함유량을 높여 포토레지스트의 경화도(hardness)를 높이고, 낮은 두께의 포토레지스트로도 식각 공정에서 강한 내에칭성을 가지게 된다.
또한, 중합 반복 단위를 구성하는 단량체 "b"는 폴리머의 에칭 내성을 높이기 위해 기본 골격에 메틸기를 첨가하였고, COO-기 다음에 위치하는 다른 탄소의 연결이 선형으로 되어 있지 않은 결합력이 강한 ESCAP 타입의 단량체이다. ESCAP 타입의 단량체는 활성화 에너지가 높아서 빛의 양이 많아짐에 따라 프로파일이 얇아지는 효과가 적으며, 따라서 여러 가지 노광 조건의 변화에 대한 민감도가 낮아 지게 된다.
또한, 중합 반복 단위를 구성하는 단량체 "c"는 에칭 내성을 높이고, 단량체 "d"는 웨이퍼에 대한 중합체의 접착력을 높이는 역할을 한다.
따라서, 상기와 같은 본 발명의 포토레지스트 중합체를 사용하면 애스펙트 비를 낮추기 위해 ArF용 포토레지스트의 두께를 4,000Å 이하로 낮게 형성하는 경우에도 패턴의 쓰러짐 현상을 방지할 수 있을 뿐만 아니라, 상기 경화된 층에 의하여 에칭 내성이 증가하여 하부 피식각층의 패턴을 형성하기가 용이해지므로, 고해상도의 패턴을 형성할 수 있다는 장점이 있다.
본 발명의 포토레지스트 중합체는 라디칼 중합반응을 이용하여 제조할 수 있는데, 상기 라디칼 중합은 벌크 중합반응 또는 용액 중합반응 등으로 수행된다.
상기 용액 중합반응의 경우, 중합용매는 테트라하이드로퓨란, 사이클로헥사논, 사이클로펜타논, 디메틸포름아미드, 디메틸술폭사이드, 메틸에틸케톤, 디옥산, 벤젠, 톨루엔 및 자일렌 등으로 이루어진 군으로부터 선택된 용매를 단독 또는 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 중합 반응은 2,2'-아조비스이소부티로니트릴 (AIBN), 벤조일퍼옥사이드, 아세틸퍼옥사이드, 라우릴퍼옥사이드, t-부틸퍼아세테이트, t-부틸하이드로퍼옥사이드 및 디-t-부틸퍼옥사이드 등으로 이루어진 군으로부터 선택된 중합개시제의 존재하에서 수행된다.
또한, 본 발명은 상기 화학식 1의 포토레지스트 중합체, 광산발생제 및 유기용매를 포함하는 포토레지스트용 조성물을 포함한다.
상기 광산발생제는 빛에 의해 산을 발생할 수 있는 화합물이면 무엇이든 사용가능하며, US 5,212,043 (1993. 5. 18), WO 97/33198 (1997. 9. 12), WO 96/37526 (1996. 11. 28), EP 0 794 458 (1997. 9. 10) EP 0 789 278 (1997. 8. 13), US 5,750,680 (1998. 5. 12), US 6,051,678 (2000. 4. 18), GB 2,345,286 A (2000. 7. 5), US 6,132,926 (2000. 10. 17), US 6,143,463 (2000. 11. 7), US 6,150,069 (2000. 11. 21), US 6.180.316 B1 (2001. 1. 30), US 6,225,020 B1 (2001. 5. 1), US 6,235,448 B1 (2001. 5. 22) 및 US 6,235,447 B1 (2001. 5. 22)등에 개시된 것을 포함하고, 주로 황화염계 또는 오니움염계 화합물을 사용한다. 특히, 157nm 및 193nm에서 흡광도가 적은 광산발생제가 바람직하며, 프탈이미도트리플루오로메탄술포네이트(phthalimidotrifluoromethane sulfonate), 디니트로벤질토실레이트(dinitrobenzyltosylate), n-데실디술폰(n-decyl disulfone), 나프틸이미도트리플루오로메탄술포네이트(naphthylimido trifluoromethane sulfonate), 디페닐요도염 헥사플루오로포스페이트, 디페닐요도염 헥사플루오로 아르세네이트, 디페닐요도염 헥사플루오로 안티모네이트, 디페닐파라메톡시페닐설포늄 트리플레이트, 디페닐파라톨루에닐설포늄 트리플레이트, 디페닐파라이소부틸페닐설포늄 트리플레이트, 디페닐파라-t-부틸페닐설포늄 트리플레이트, 트리페닐설포늄 헥사플루오르 포스페이트, 트리페닐설포늄 헥사플루오로 아르세네이트, 트리페닐설포늄 헥사플루오로 안티모네이트, 트리페닐설포늄 트리플레이트 및 디부틸나프틸설포늄 트리플레이트로 이루어진 군으로부터 선택된 광산발생제를 1 또는 2 이상 겸용할 수 있으며, 상기 포토레지스트 중합체에 대해 0.01 내지 5중량%의 비율로 사용되는 것이 바람직하다. 광산발생제가 0.01중량% 미만의 양으로 사용될 때에는 포토레지스트의 광에 대한 민감도가 취약하게 되고 5중량% 초과 사용될 때에는 광산발생제가 원자외선을 많이 흡수하고 산이 다량 발생되어 단면이 좋지 않은 패턴을 얻게 된다.
또한, 상기 유기용매는 무엇이든 사용가능하며, US 5,212,043 (1993. 5. 18), WO 97/33198 (1997. 9. 12), WO 96/37526 (1996. 11. 28), EP 0 794 458 (1997. 9. 10) EP 0 789 278 (1997. 8. 13), US 5,750,680 (1998. 5. 12), US 6,051,678 (2000. 4. 18), GB 2,345,286 A (2000. 7. 5), US 6,132,926 (2000. 10. 17), US 6,143,463 (2000. 11. 7), US 6,150,069 (2000. 11. 21), US 6.180.316 B1 (2001. 1. 30), US 6,225,020 B1 (2001. 5. 1), US 6,235,448 B1 (2001. 5. 22) 및 US 6,235,447 B1 (2001. 5. 22) 등에 개시된 것을 포함하고, 바람직하게는 디에틸렌글리콜디에틸에테르 (diethylene glycol diethyl ether), 메틸 3-메톡시프로피오네이트, 에틸 3-에톡시프로피오네이트, 프로필렌글리콜 메틸에테르아세테이트, 사이클로헥사논, 2-헵타논 또는 에틸락테이트 등을 단독으로 또는 혼합하여 사용할 수 있으며, 상기 포토레지스트 중합체에 대해 100 내지 1,500중량%로 사용될 수 있다.
또한, 본 발명은
(1) 상기 본 발명의 포토레지스트 조성물을 피식각층 상부에 도포하여 포토레지스트막을 형성하는 단계;
(2) 상기 포토레지스트막을 소프트 베이크하는 단계;
(3) 상기 베이크된 포토레지스트막을 노광원으로 노광하는 단계;
(4) 상기 노광된 포토레지스트막을 포스트 베이크하는 단계; 및
(5) 상기 결과물을 현상하여 포토레지스트 패턴을 얻는 단계를 포함하는 포토레지스트 패턴 형성방법을 제공한다:
상기 (1) 단계에서 포토레지스트막의 두께는 1,500 내지 3,000Å인 것이 바람직하고, (2) 단계의 소프트 베이크 공정은 80 내지 150℃의 온도에서 60 내지 120초간 수행되는 것이 바람직하고, (4) 단계의 포스트 베이크 공정은 90 내지 200℃에서 수행되는 것이 바람직하다.
상기 (3) 단계의 노광공정은 광원으로서 I-라인(365 nm), KrF(248 nm), ArF(193 nm), F2(157 nm), EUV(13 nm), E-빔, X-선 및 이온빔을 사용하여, 1 내지 100mJ/cm2의 노광 에너지로 수행되는 것이 바람직하다.
한편, 상기 (5)의 현상 단계는 알칼리 현상액을 이용하여 수행될 수 있으며, 알칼리 현상액은 0.01 내지 5중량%의 테트라메틸암모늄하이드록사이드(TMAH) 수용액인 것이 바람직하고, 2.38중량%의 TMAH 수용액인 것이 더욱 바람직하다.
또한, 상기 피식각층은 BPSG (boron phosphorous silicate glass) 등의 산화막, 질화막, 알루미늄, 텅스텐, 코발트, 티타늄 등의 금속막, 유기 난반사방지막 및 무기 난반사방지막으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것이 바람직하다.
도 2를 참조하면, 일반적인 ArF 감광제를 사용하는 경우, 여러 가지 레이어의 패턴을 형성할 때 전체 필드에 대해 동일한 양의 빛에너지를 조사하지만, 필드나 블록의 최외곽 지역(21)은 바깥쪽의 비어있는 지역에서 반사되는 빛이 많아 상 대적으로 더 많은 양의 빛 에너지를 받는 형태가 되고 그만큼 포토레지스트가 많이 깍여나가게 된다. 그런데, 본 발명의 포토레지스트 중합체를 사용하는 경우, 포토레지스트 중합체의 활성화 에너지가 높고 상대적으로 빛 에너지에 대한 민감도가 작기 때문에, 현재 사용되고 있는 방법인 최외곽 지역에 불필요한 더미 패턴을 만들거나 더미 노광을 하여야 하는 데서 오는 생산성 저하의 문제를 해결할 수 있다.
또한, 본 발명의 포토레지스트 중합체는 실리콘 기의 도입에 의한 에칭 내성의 증가로 낮은 두께의 포토레지스트막으로도 식각 마스크의 역할이 가능하기 때문에 패턴의 폭이 좁아지고 애스펙트 비가 커지면서 발생되는 패턴 콜랩스 문제를 해결할 수 있다.
본 발명에서는 또한 상기 본 발명의 포토레지스트 조성물을 이용하여 제조된 반도체 소자를 제공한다.
이하, 본 발명을 실시예에 의해 상세히 설명한다.
단, 하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
실시예 1 : 포토레지스트 중합체의 제조
3-(트리메톡시실릴)프로필 메타크릴레이트 5g, t-부틸 메타크릴레이트 4g, 메틸 5-노르보넨-2-카르복실레이트 3g 및 메타크릴레이트 1g을 테트라하이드로퓨란 25㎖가 담겨 있는 100㎖ 둥근 플라스크에 넣고 녹이고, 중합개시제인 AIBN(azobisisobutyronitrile) 0.13g을 넣어 준 후 질소 분위기하의 67℃의 온도에서 24시간 동안 반응시켰다. 다음, 상기 반응물을 상온에서 식힌 후 500㎖의 에틸 에테르가 담겨 있는 비이커에 쏟아 부어 반응물을 침전시켰다. 다음, 상기 침전물을 여과하여 상온에서 건조시킴으로써, 분자량이 1,900인 상기 화학식 1a로 표시되는 폴리(3-(트리메톡시실릴)프로필 메타크릴레이트/t-부틸 메타크릴레이트/메틸 5-노르보넨-2-카르복실레이트/메타크릴레이트)를 46%의 수율로 제조하였다.
실시예 2 : 포토레지스트 조성물의 제조
상기 실시예 1에서 얻은 폴리(3-(트리메톡시실릴)프로필 메타크릴레이트/t-부틸 메타크릴레이트/메틸 5-노르보넨-2-카르복실레이트/메타크릴레이트) 10g, 광산발생제인 트리페닐설포늄 트리플레이트 0.1g을 유기용매인 메틸 3-메톡시프로피오네이트 50g에 녹인 후 0.10㎛ 필터로 여과시켜 포토레지스트 조성물을 얻었다.
실시예 3 : 포토레지스트 패턴의 형성
상기 실시예 2에서 얻은 포토레지스트 조성물을 실리콘 웨이퍼 위에 스핀 코팅한 후 90℃에서 90초간 베이크 하였다. 베이크 후 KrF 노광장비를 이용하여 노광시킨 후 110℃ 에서 90초간 다시 베이크 하였다. 베이크 완료 후 2.38중량% 테트라메틸암모늄하이드록사이드 수용액에 40초간 현상하여 120nm L/S 패턴을 얻었다.
상기에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 포토레지스트 중합체 및 이를 포함하는 조성물은 종래의 포토레지스트 중합체에 비해 활성화 에너지가 높아 빛 에너지량의 변화에 덜 민감하므로, 반도체 제조 공정 중 패턴 형성시에 상대적으로 빛의 양이 많이 들어오는 필드 외곽 지역의 패턴이 얇아지는 현상을 별도의 더미 패턴 없이도 개선할 수 있고, 또한 내에칭성이 높아 높은 애스펙트 비에 의해 유발되는 패턴 콜랩스 문제도 해결할 수 있다. 아울러, 조명계 등의 일관성의 변화에 의해 Eop(마진 체크를 통해 정해진 적정한 양의 에너지)에서 벗어난 에너지가 전달되더라도 패턴의 프로파일에 미치는 영향은 상대적으로 적게 된다. 결과적으로, 본 발명의 포토레지스트 중합체 및 이를 포함하는 조성물을 이용하면 공정 마진 측면에서 적용할 수 있는 에너지 폭이 커지므로 좀더 쉽게 공정을 진행할 수 있고, 해상력(resolution)에 있어서도 좀더 개선된 특성을 나타내게 된다.

Claims (14)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 중합체를 포함하는 포토레지스트 중합체:
    [화학식 1]
    Figure 112006086469913-pat00011
    상기 식에서,
    R1, R2 및 R3은 수소 또는 CH3이고,
    R4은 C3∼C10의 직쇄 또는 측쇄의 알킬렌이며,
    R5, R6 및 R7은 C1∼C3의 알콕시기이고,
    R8, R9 및 R10은 수소 또는 CH3이며,
    R11은 C1∼C3의 직쇄 또는 측쇄의 알킬기이고,
    R12는 수소이고,
    a : b : c : d의 상대비는 20∼40mol% : 20∼35mol% : 15∼25mol% :15∼20mol% 이다.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 중합체의 분자량은 1,500 내지 4,000인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 중합체.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 중합체는 하기 화학식 1a로 표시되는 중합체인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 중합체.
    [화학식 1a]
    Figure 112006086469913-pat00012
  4. 제 1항 기재의 포토레지스트 중합체, 광산발생제 및 유기용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 광산발생제는 프탈이미도트리플루오로메탄술포네이트, 디니트로벤질토 실레이트, n-데실디술폰, 나프틸이미도트리플루오로메탄술포네이트, 디페닐요도염 헥사플루오로포스페이트, 디페닐요도염 헥사플루오로 아르세네이트, 디페닐요도염 헥사플루오로 안티모네이트, 디페닐파라메톡시페닐설포늄 트리플레이트, 디페닐파라톨루에닐설포늄 트리플레이트, 디페닐파라이소부틸페닐설포늄 트리플레이트, 디페닐파라-t-부틸페닐설포늄 트리플레이트, 트리페닐설포늄 헥사플루오르 포스페이트, 트리페닐설포늄 헥사플루오로 아르세네이트, 트리페닐설포늄 헥사플루오로 안티모네이트, 트리페닐설포늄 트리플레이트, 디부틸나프틸설포늄 트리플레이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 또는 2 이상의 화합물인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
  6. 제 4항에 있어서,
    상기 광산발생제는 상기 포토레지스트 중합체에 대해 0.01 내지 5중량%의 비율로 포함되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
  7. 제 4항에 있어서,
    상기 유기용매는 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 메틸 3-메톡시프로피오네이트, 에틸 3-에톡시프로피오네이트, 프로필렌글리콜 메틸에테르아세테이트, 사이클로헥사논, 2-헵타논 및 에틸락테이트로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 단독으로 또는 혼합하여 사용하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
  8. 제 4항에 있어서,
    상기 유기용매는 상기 포토레지스트 중합체에 대해 100 내지 1,500중량%로 포함되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물.
  9. (1) 제 4항 내지 제 8항 중 어느 한 항의 포토레지스트 조성물을 피식각층 상부에 도포하여 포토레지스트막을 형성하는 단계;
    (2) 상기 포토레지스트막을 소프트 베이크하는 단계;
    (3) 상기 베이크된 포토레지스트막을 노광원으로 노광하는 단계;
    (4) 상기 노광된 포토레지스트막을 포스트 베이크하는 단계; 및
    (5) 상기 결과물을 현상하여 포토레지스트 패턴을 얻는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴 형성방법.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 (2) 단계의 베이크 공정은 80 내지 150℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴 형성방법.
  11. 제 9항에 있어서,
    상기 (3) 단계의 노광원은 I-라인(365nm), KrF(248nm), ArF(193nm), F2(157nm), EUV (13nm), E-빔, X-선 및 이온빔으로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴 형성방법.
  12. 제 9항에 있어서,
    상기 (3) 단계의 노광공정은 1 내지 100mJ/㎠의 노광에너지에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴 형성방법.
  13. 제 9항에 있어서,
    상기 (4) 단계의 베이크 공정은 90 내지 200℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴 형성방법.
  14. 제 9항 기재의 방법을 이용하여 제조된 반도체 소자.
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