KR100685424B1 - 유기전계 발광표시장치 및 그 제조방법 - Google Patents

유기전계 발광표시장치 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 유기 전계 발광표시장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기판 상부에 게이트전극 및 소오스/드레인 전극을 포함하는 박막트랜지스터와, 상기 기판 상부의 절연막 내에 형성된 비아홀을 통해 상기 소오스/드레인 전극 중 어느 하나에 접속되며, 하부화소전극, 반사 전극 및 상부화소전극의 적층 구조로 이루어진 3중 구조의 화소전극과, 상기 상부화소전극 상부에 구비되며 최소한 발광층을 구비하는 유기막층과, 상기 유기막층 상부에 구비되는 대향전극을 포함하여 형성된 유기 전계 발광표시장치에서 하부화소전극과 상부화소전극 사이에 Ag에 Sm, Tb, Au 및 Cu를 함유한 Ag합금 재료를 이용하여 반사 전극을 형성함으로써 고 반사율과 저 저항 및 고 효율 특성을 부여할 수 있다.
반사 전극 재료, Ag합금,

Description

유기전계 발광표시장치 및 그 제조방법{Organic electro luminescence display and methode for manufacturing the same}
도 1a 는 종래 기술에 의해 형성된 유기 전계 발광 표시장치의 단면도.
도 1b 는 다른 종래 기술에 의해 형성된 유기 전계 발광표시장치의 단면도.
도 2 는 본 발명에 따른 유기 전계 발광표시장치의 단면도.
도 3 은 반사 전극의 종류에 따른 반사 특성을 도시한 그래프.
<도면 주요부분에 대한 부호의 설명>
100, 200 : 기판 110, 210 : 완충막
120, 220 : 소오스/드레인영역 122, 222 : 다결정실리콘패턴
130, 230 : 게이트절연막 132, 232 : 게이트전극
140, 240 : 층간절연막 150, 250 : 소오스전극
152, 252 : 드레인전극 160, 260 : 보호막
170, 270 : 제1절연막 180a, 180b, 282 : 반사 전극
182 : 화소전극 280a : 하부화소전극
280b : 상부화소전극 190, 290 : 제2절연막패턴
192, 292 : 유기막층
본 발명은 유기 전계 발광 표시 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 Ag에 Sm, Tb, Au 및 Cu를 함유한 Ag합금을 제 1 전극의 반사막으로 사용하여 기존의 Ag가 고 반사율과 저 저항 및 고 효율의 특성을 지닌 유기전계 발광표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
통상, 평판표시장치(Flat panel display)중에서 유기전계 발광표시장치(Organic electro luminescence display ; OLED)는 다른 평판표시장치보다 사용온도 범위가 넓고, 충격이나 진동에 강하며, 시야각이 넓고, 응답속도가 빨라 깨끗한 동화상을 제공할 수 있다는 장점을 가지고 있어서 향후 차세대 평판표시장치로 주목받고 있다.
이와 같은 유기전계 발광표시장치는 구동방식에 따라 별도의 구동원이 필요한 패시브 매트릭스 타입(Passive matrix type)과 스위칭 소자로 기능하는 박막트랜지스터를 일체로 구비한 액티브 매트릭스 타입(Active matrix type)으로 구분할 수 있다.
여기서 액티브 매트릭스 타입의 유기전계 발광표시장치는 각 화소가 스위칭 소자인 박막트랜지스터에 의해서 간접적으로 구동되므로 각 화소에 공급되는 전압은 서로 완전히 독립적이고 지속적일 수 있어서 고해상도, 고화질 및 대면적화 등의 많은 장점을 가지고 있다.
이 외에도 유기전계 발광표시장치는 보다 세부적으로 발광층에서 발광된 빛 을 기판의 아래쪽 방향으로 방출하는 배면발광 구조(Bottom Emission Structure)와 기판의 위쪽으로 방출하는 전면발광 구조(Top Emission Structure) 등의 두 가지 형태로 나눌 수 있다.
도 1a 는 종래기술에 의해 형성된 유기 전계 발광 표시장치를 도시한 단면도이다.
먼저, 기판(100) 상부에 소정 두께의 완충막(110)을 형성하고, 다결정실리콘패턴(122), 게이트전극(132) 및 소오스/드레인 전극(150, 152)을 구비하는 박막트랜지스터를 형성한다. 이때, 상기 다결정실리콘패턴(122)의 양측에 불순물이 이온 주입된 소오스/드레인 영역(120)이 구비되고, 상기 다결정실리콘패턴(122)을 포함한 전체표면 상부에는 게이트 절연막(130)이 구비된다.
그 다음, 전체 표면 상부에 소정 두께의 보호막(160)을 형성하고, 포토리소그래피 공정으로 상기 보호막(160)을 식각하여 상기 소오스/드레인 전극(150, 152) 중 어느 하나, 예를 들어 드레인 전극(152)을 노출시키는 제1비아홀(도시 안됨)을 형성한다. 상기 보호막(160)은 무기 절연막으로서 실리콘질화물, 실리콘산화물 또는 그 적층 구조가 사용된다.
다음, 전체 표면 상부에 제1절연막(170)을 형성한다. 상기 제1절연막(170)은 폴리이마이드(polyimide), 벤조사이클로부틴계 수지(benzocyclobutene series resin), SOG(spin on glass) 및 아크릴레이트(acrylate)로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 물질로 형성할 수 있으며, 화소영역의 평탄화를 위해 형성된 것이다.
이어서, 포토리소그래피 공정으로 상기 제1절연막(170)을 식각하여 상기 제1 비아홀을 노출시키는 제2비아홀(도시 안됨)을 형성한다.
다음, 전체표면 상부에 반사 전극(도시 안됨)과 화소전극용 박막(도시안됨)의 적층구조를 형성한다. 이때, 상기 반사 전극은 알루미늄(Al) 또는 이들 금속의 합금 등과 같이 반사율이 높은 금속들 중하나를 사용하여 형성된다. 상기와 같이 반사 전극을 형성하는 경우 전면발광형 유기 전계 발광 소자가 형성되며, 상기 반사막을 후속 공정에서 형성하는 경우에는 배면발광형 유기 전계 발광 소자가 형성된다.
그리고, 상기 화소전극용 박막은 ITO(Indium Tin Oxide)와 같이 투명한 금속물질을 사용하여 형성된다.
이어서, 상기 적층 구조를 식각하여 화소전극(182) 및 반사 전극(180a)을 형성한다.
그 후, 전체표면 상부에 발광영역을 정의하는 제2절연막패턴(190)을 형성한다. 상기 제2절연막패턴(190)은 폴리이마이드(polyimide), 벤조사이클로부틴계 수지(benzocyclobutene series resin), 페놀계 수지(phenol resin) 및 아크릴레이트(acrylate)로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 물질로 형성할 수 있다.
이어서, 최소한 발광층을 포함하는 유기막층(192)과 대향전극(도시 안됨)을 형성하여 유기전계 발광표시장치를 완성한다.
상기한 바와 같은 전면발광형 유기 전계 발광 표시장치는 반사 전극과 화소전극을 적층 구조로 형성하는 경우 포토리소그래피 공정에 사용되는 전해질 용액에 동시에 노출되어 상기 적층 구조 중 기전력이 큰 물질이 부식되는 갈바닉 현상이 발생하여 화소전극을 손상시키고, 이로 인하여 휘도가 저하 등 광 특성이 저하되는 문제점이 발생하였다.
도 1b 는 다른 종래 기술에 의해 형성된 유기 전계 발광 표시장치의 단면도로서, 위의 문제점을 해결하기 위하여 반사 전극(180b)을 섬(island)구조로 형성한 것을 도시한다. 이로 인하여 반사 전극(180b)과 화소전극(182)이 포토리소그래피에 사용되는 전해질용액에 동시에 노출되는 것을 방지할 수 있다.
상기한 바와 같이 알루미늄을 이용하여 반사 전극을 형성하는 경우 화소전극과 반사 전극의 패터닝을 별도로 실시해야하는 번거로움이 있다. 또한, 전면발광형 유기 전계 발광 표시 소자는 광의 공진 효과를 이용하므로 화소전극의 두께를 가능한 최대로 얇게 형성하여 색좌표 조절을 용이하게 하는 것이 중요하다. 그러나, 화소전극의 두께를 얇게 형성하는 경우 비아홀의 단차에서 단락 되는 불량이 발생할 수 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 하부화소전극, 반사 전극 및 상부화소전극의 적층 구조로 되어 있는 화소전극의 재료를 Sm, Tb, Au 및 Cu가 미량 함유되어 있는 Ag합금을 사용함으로써 높은 접착력과 고 반사율 그리고 저 저항을 지니는 전극을 형성시켜 효율이 향상된 유기전계 발광 표시장치를 제공하는데 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명의 유기 전계 발광 표시장치는 기판 상부에 게이트전극 및 소오스/드레인 전극을 포함하는 박막트랜지스터와, 상기 기판 상부의 절연막 내에 형성된 비아홀을 통해 상기 소오스/드레인 전극 중 어느 하나에 접속되며, 하부화소전극, 반사 전극 및 상부화소전극으로 이루어지는 3중구조의 화소전극과, 상기 상부화소전극 상부에 구비되며 최소한 발광층을 구비하는 유기막층과, 상기 유기막층 상부에 구비되는 대향전극을 포함하는 것과, 상기 절연막은 보호막과 평탄화막의 적층 구조인 것과, 상기 절연막은 무기 절연막과 유기 절연막의 적층 구조인 것과, 상기 하부화소전극의 두께는 10 내지 300Å인 것과, 상기 반사 전극이 Ag합금 재료을 이용한 것과, 상기 반사 전극의 두께는 600 내지 1200Å인 것과, 상기 상부화소전극의 두께는 10 내지 300Å 인 것과, 상기 대향전극은 투명전극인 것을 특징으로 한다.
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이 때, 상기 Ag합금 재료의 조성이 0.1 내지 0.3원자%인 Sm과, 0.1 내지 0.5원자%인 Tb와, 0.1 내지 0.4원자%인 Au 및 0.4 내지 1.0원자%인 Cu로 구성되어 있다.
또한, 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 유기 전계 발광 표시장치의 제조방법은, 기판 상부에 게이트전극 및 소오스/드레인 전극을 포함하는 박막트랜지스터를 형성하는 공정과, 전체표면 상부에 절연막을 형성하는 공정과, 상기 절연막을 식각하여 상기 소오스/드레인 전극 중 어느 하나의 전극을 노출시키는 비아홀을 형성하는 공정과, 전체표면 상부에 하부화소전극용 박막, 반사 막 및 상부화소전극용 박막의 적층 구조를 형성하는 공정과, 상기 적층 구조를 식각하여 상기 비아홀을 통하여 상기 소오스/드레인 전극 중 어느 하나에 접속되며 하부화소전극, 반사 전극 및 상부화소전극으로 이루어지는 3중 구조의 화소전극을 형성하는 공정과, 상기 상부화소전극 상부에 최소한 발광층을 포함하는 유기막을 형성하는 공정과, 상기 유기막 상부에 대향전극을 형성하는 공정을 포함하고 것과, 상기 절연막은 보호막과 평탄화막의 적층 구조로 형성되는 것과, 상기 절연막은 무기절연막과 유기절연막의 적층 구조로 형성되는 것과, 상기 비아홀은 2차례에 걸친 포토리소그래피 공정으로 형성되는 것과, 상기 하부화소전극은 10 내지 300Å 두께로 형성되는 것과, 상기 반사 전극이 Ag합금 재료로 형성되는 것과, 상기 반사 전극의 두께는 600 내지 1200Å으로 형성되는 것과, 상기 상부화소전극의 두께는 10 내지 300Å으로 형성되는 것과, 상기 대향전극은 투명전극으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
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이 때, 상기 Ag합금 재료의 조성이 0.1 내지 0.3원자%인 Sm과, 0.1 내지 0.5원자%인 Tb와, 0.1 내지 0.4원자%인 Au 및 0.4 내지 1.0원자%인 Cu로 구성되어 있다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 2 는 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시장치의 단면도로서, 기판(200) 상부에 하부화소전극(280a), Ag합금 재료로 형성한 반사 전극(282) 및 상부화소전극(280b)으로 이루어지는 3중 구조의 화소전극이 구비되는 것을 도시한다.
본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시장치는 다음과 같은 방법으로 형성된다.
먼저, 유리, 석영, 플라스틱 및 금속으로 이루어진 기판(200)의 전면에 실리콘산화물을 플라즈마-강화 화학 기상 증착(plasma-enhanced chemical vapor deposition, PECVD)방법으로 소정 두께의 완충막(210)을 형성한다. 이때, 상기 완충막(210)은 후속 공정으로 형성되는 비정질 실리콘층의 결정화 공정 시 상기 기판(200) 내의 불순물이 확산되는 것을 방지하기 위한 것이나 형성되지 않을 수도 있다.
다음, 상기 완충막(210) 상부에 소정 두께의 비정질 실리콘층(도시안됨)을 증착하고, 상기 비정질 실리콘층을 ELA(Excimer Laser Annealing), SLS(Sequential Lateral Solidification), MIC(Metal Induced Crystallization) 또는 MILC(Metal Induced Lateral Crystallization)법을 사용하여 결정화하고, 패터닝하여 단위 화소 내의 박막 트랜지스터 영역에 다결정 실리콘패턴(222)을 형성한다. 상기 다결정 실리콘패턴(222)의 영역은 후속공정으로 형성되는 소오스/드레인 영역(220)까지 포함한다.
그 다음, 전체표면 상부에 소정 두께의 게이트 절연막(230)을 형성한다. 상기 게이트 절연막(230)은 실리콘산화물, 실리콘 질화물 또는 그 적층 구조로 형성될 수 있다.
상기 게이트절연막(230) 상부에 게이트전극물질로 사용되는 금속막(도시안됨)을 형성한다. 이어서, 상기 금속막을 식각하여 게이트전극(232)을 형성한다. 그 후, 상기 게이트전극(232) 양측 하부의 다결정실리콘패턴(222)에 불순물을 이온 주입하여 소오스/드레인 영역(220)을 형성한다.
다음, 전체표면 상부에 소정 두께의 층간 절연막(240)을 형성한다. 일반적으로 상기 층간 절연막(240)은 실리콘 질화막이 사용된다.
그 다음, 상기 층간 절연막(240) 및 게이트절연막(230)을 식각하여 상기 소오스/드레인영역(220)을 노출시키는 콘택홀(도시안됨)을 형성한다. 상기 콘택홀을 포함한 전체표면 상부에 전극물질을 형성하고, 포토리소그래피 공정으로 상기 전극물질을 식각하여 상기 소오스/드레인영역(220)에 접속되는 소오스/드레인전극(250, 252)을 형성한다. 이때, 상기 전극물질로는 몰리텅스텐(MoW), 알루미늄-네오디뮴(Al-Nd) 또는 Ti 및 Ag합금이 사용될 수 있고, 여러 층으로 이루어진 다층 구조가 사용될 수도 있다.
그런 다음, 전체표면 상부에 실리콘질화막, 실리콘산화막 또는 그 적층 구조를 소정 두께 증착하여 보호막(260)을 형성한다.
이어서, 상기 보호막(260)을 식각하여 상기 소오스/드레인전극(250, 252) 중 어느 하나, 예를 들어 드레인 전극(252)을 노출시키는 제1비아홀(도시 안됨)을 형성한다.
전체표면 상부에 제1절연막(270)을 형성한다. 상기 제1절연막(270)은 박막트랜지스터 영역이 완전히 평탄화 될 수 있을 정도의 두께로 형성되며, 폴리이마이드(polyimide), 벤조사이클로부틴계 수지(benzocyclobutene series resin), SOG(spin on glass) 및 아크릴레이트(acrylate)로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 물질로 형성될 수 있다.
다음, 상기 제1절연막(270)을 식각하여 상기 제1비아홀을 통하여 소오스/드레인전극(250, 252) 중 어느 하나를 노출시키는 제2비아홀(도시 안됨)을 형성한다.
그 다음, 전체표면 상부에 하부화소전극용 박막(도시 안됨)을 형성한다. 상기 하부화소전극용 박막은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO, In2O3 또는 Sn2O 3와 같이 투과 특성을 지니는 금속전극을 사용하여 10 내지 300Å의 두께로 형성되며, 바람직하게는 30 내지 130Å의 두께로 형성한다. 상기 하부화소전극용 박막은 후속 공정으로 형성되는 반사 전극과 제1절연막(270) 간의 계면 특성, 즉 접착성을 향상시키기 위하여 형성된다.
다음, 상기 하부화소전극용 박막 상부에 반사 전극용 박막(도시 안됨)을 형성한다. 이때, 상기 반사 전극은 광 반사 역할을 하여 휘도와 광 효율을 증가시키기 위해 형성된다. 상기 반사 전극용 박막은 Ag 또는 Ag에 Sm, Tb, Au 및 Cu를 함유한 Ag합금 재료로서 Ag와 0.1 내지 0.3원자%의 Sm의 합금이거나, Ag와 0.1 내지 0.5원자%의 Tb의 합금이거나, Ag와 0.1 내지 0.4원자%의 Au 및 0.4 내지 1.0원자%인 Cu로 구성된 Ag합금 재료를 이용하여 형성된다.
그 다음, 상기 반사전극용 박막 상부에 상부화소전극용 박막(도시 안됨)을 형성한다. 상기 상부화소전극용 박막은 10 내지 300Å의 두께로 형성되며, 바람직하게는 30 내지 130Å의 두께로 형성하여 색좌표 조절을 용이하게 한다.
다음, 상기 상부화소전극용 박막, 반사 전극용 박막 및 하부화소전극용 박막의 적층 구조를 식각하여 상부화소전극(280b), 반사 전극(282) 및 하부화소전극(280a)로 이루어진 3중 구조의 화소전극을 형성한다. 이때, 상기 하부화소전극(280a)의 일부는 제2비아홀을 통하여 상기 소오스/드레인 전극(250, 252) 중에 어느 하나, 예를 들어 드레인 전극(252)에 접속된다. 상기 식각 공정 시 사용되는 전해질 용액에 상기 화소전극용 박막과 반사 전극이 동시에 노출되어도 갈바닉 현상이 발생하지 않는다.
그 다음, 전체표면 상부에 제2절연막(도시 안됨)을 형성한다.
그 후, 상기 제2절연막을 식각하여 발광영역을 정의하는 제2절연막패턴(290)을 형성한다.
이어서, 상기 제2절연막패턴(290)에 의해 노출된 발광영역에 발광층(292)을 형성한다. 상기 유기막층(292)은 저분자 증착법 또는 레이저 열전사법에 의해 형성된다. 상기 유기막층(292)은 최소한 하나의 발광층을 포함하고 전자주입층, 전자수송층, 정공주입층, 정공수송층, 정공억제층 등을 하나이상 포함하는 박막으로 형성될 수 있다.
도시되어 있지는 않지만 상기 유기막층 상부에 대향전극을 형성하여 유기전계 발광장치를 완성한다. 이때, 상기 대향전극은 투명전극으로 형성된다.
도 3 은 반사 전극의 종류에 따른 반사도를 도시한 그래프도 이고, 반사 전극 재료로는 1000Å의 AlNd만 사용한 경우(X), 반사 전극 재료로 AlNd 상부에 ITO를 형성한 적층 구조를 사용한 경우(Y) 그리고 반사 전극재료로 Ag와 0.1 내지 0.3원자%의 Sm의 합금이거나, Ag와 0.1 내지 0.5원자%의 Tb의 합금이거나, Ag와 0.1 내지 0.4원자%의 Au 및 0.4 내지 1.0원자%인 Cu로 구성된 Ag합금을 사용한 경우(Z) 빛의 파장에 따른 반사도를 나타낸다. 여기서, 상기 반사 전극 재료로는 0.1 내지 0.3원자%인 Sm과, 0.1 내지 0.5원자%인 Tb와, 0.1 내지 0.4원자%인 Au 및 0.4 내지 1.0원자%인 Cu로 구성된 Ag합금이 사용된 경우(Z)에서 그래프에 도시된 바와 같이 반사 재료로 AlNd를 사용한 경우(X)와 반사 재료로 AlNd와 상부에 ITO를 형성한 경우(Y)에 비하여 반사율이 10% 정도 높아진 것을 알 수 있다.
상기한 바와 같은 이와 같이, Ag와 0.1 내지 0.3원자%의 Sm의 합금이거나, Ag와 0.1 내지 0.5원자%의 Tb의 합금이거나, Ag와 0.1 내지 0.4원자%의 Au 및 0.4 내지 1.0원자%인 Cu로 구성된 Ag합금을 반사 전극의 재료로 사용할 경우 기존의 유기전계 발광표시장치의 반사 전극으로 사용되던 Al 또는 Al합금 재료에 비해 반사율을 향상에 따른 효율을 20%정도 상승시킬 수 있고, 접착력 및 내화학적 안정성 그리고 저 저항 및 열 안정성을 지닌 유기 전계 발광표시장치를 구현할 수 있다.
상기에서 설명한 본 발명의 기술은 해당 기술 분야의 숙련된 당업자가 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (23)

  1. 기판 상부에 게이트전극 및 소오스/드레인 전극을 포함하는 박막트랜지스터와,
    상기 기판 상부의 절연막 내에 형성된 비아홀을 통해 상기 소오스/드레인 전극 중 어느 하나에 접속되며, 하부화소전극과 Ag합금막으로 이루어진 반사 전극 및 상부화소전극으로 이루어지는 3중구조의 화소전극과,
    상기 상부화소전극 상부에 발광층을 포함하는 유기막층과,
    상기 유기막층 상부에 구비되는 대향전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 Ag합금막은 Ag와 0.1 내지 0.3원자%의 Sm의 합금이거나, Ag와 0.1 내지 0.5원자%의 Tb의 합금이거나, Ag와 0.1 내지 0.4원자%의 Au 및 0.4 내지 1.0원자%인 Cu의 합금인 것을 특징으로 하는 유기전계 발광표시장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 하부 화소 전극이 10 내지 300Å의 두께를 지닌 유기전계 발광표시장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 반사 전극이 600 내지 1200Å의 두께를 지닌 유기 전계 발광 표시장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 상부화소전극이 10 내지 300Å의 두께를 지닌 유기 전계 발광 표시장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 절연막은 보호막과 평탄화막의 적층 구조인 유기전계 발광표시장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 절연막은 무기 절연막과 유기 절연막의 적층 구조인 유기 전계 발광 표시장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 대향전극은 투명전극인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치.
  9. 제 3 항에 있어서,
    상기 하부 화소 전극의 두께가 30 내지 130Å인 유기전계 발광표시장치.
  10. 제 4 항에 있어서,
    상기 반사 전극의 두께가 800 내지 1000Å인 유기 전계 발광 표시장치.
  11. 제 5 항에 있어서,
    상기 상부화소전극의 두께가 30 내지 130Å인 유기 전계 발광 표시장치.
  12. 기판 상부에 게이트전극 및 소오스/드레인전극을 포함하는 박막트랜지스터를 형성하는 공정과,
    전체표면 상부에 절연막을 형성하는 공정과,
    상기 절연막을 식각하여 상기 소오스/드레인전극 중 어느 하나의 전극을 노출시키는 비아홀을 형성하는 공정과,
    전체표면 상부에 하부화소전극용 박막, Ag합금으로 이루어진 반사전극용 박막 및 상부화소전극용 박막의 적층구조를 형성하는 공정과,
    상기 적층 구조를 식각하여 상기 비아홀을 통하여 상기 소오스/드레인전극 중 어느 하나에 접속되며 하부화소전극, 반사 전극 및 상부화소전극으로 이루어지는 3중 구조의 화소전극을 형성하는 공정과,
    상기 상부화소전극 상부에 발광층을 포함하는 유기막을 형성하는 공정과,
    상기 유기막 상부에 대향전극을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치의 제조방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 Ag 합금막은 Ag와 0.1 내지 0.3원자%의 Sm의 합금이거나, Ag와 0.1 내지 0.5원자%의 Tb의 합금이거나, Ag와 0.1 내지 0.4원자%의 Au 및 0.4 내지 1.0원자%인 Cu의 합금인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치의 제조방법.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 하부화소전극이 10 내지 300Å의 두께로 형성되는 유기 전계 발광 표시장치의 제조방법.
  15. 제 12 항에 있어서,
    상기 반사 전극이 600 내지 1200Å의 두께로 형성되는 유기 전계 발광 표시장치의 제조방법.
  16. 제 12 항에 있어서,
    상기 상부화소전극이 10 내지 300Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치의 제조방법.
  17. 제 12 항에 있어서,
    상기 절연막은 보호막과 평탄화막의 적층 구조로 형성되는 유기 전계 발광 표시장치의 제조방법.
  18. 제 12 항에 있어서,
    상기 절연막은 무기절연막과 유기절연막의 적층 구조로 형성되는 유기 전계 발광 표시장치의 제조방법.
  19. 제 12 항에 있어서,
    상기 비아홀은 2차례에 걸친 포토리소그래피 공정으로 형성되는 유기 전계 발광 표시장치의 제조방법.
  20. 제 12 항에 있어서,
    상기 대향전극은 투명전극으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치의 제조방법.
  21. 제 14 항에 있어서,
    상기 하부화소전극의 두께는 30 내지 130Å으로 형성되는 유기 전계 발광 표시장치의 제조방법.
  22. 제 15 항에 있어서,
    상기 반사 전극의 두께는 800 내지 1000Å으로 형성되는 유기 전계 발광 표 시장치의 제조방법.
  23. 제 16 항에 있어서,
    상기 상부화소전극의 두께는 30 내지 130Å으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치의 제조방법.
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