KR100682256B1 - 발광 다이오드 및 그 제조방법 - Google Patents
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- 기판 위에 형성된 N-GaN층;상기 N-GaN층 위에 파장이 각각 다른 자외선을 각각 방출하는 복수의 활성층을 포함하여 이루어진 다층활성층; 및상기 다층활성층위에 형성된 P-GaN층을 포함하는 발광 다이오드.
- 제 1 항에 있어서,상기 다층활성층은 제 1 내지 제 3 활성층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
- 제 1 항에 있어서,상기 다층활성층이 둘 이상 연속으로 적층되어 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
- 제 1 항에 있어서,상기 다층활성층과 P-GaN층 사이에 P-AlGaN층이 더 형성되고,상기 N-GaN층과 다층활성층 사이에 N-AlGaN층이 더 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
- 기판 위에 제 1 N-GaN층, 제 1 자외선을 방출할 수 있는 제 1 활성층, 제 1 P-GaN층, 제 2 자외선을 방출할 수 있는 제 2 활성층, 제 2 N-GaN층, 제 2 P-GaN층, 제 3 자외선을 방출할 수 있는 제 3 활성층 및 제 3 N-GaN층이 순차적으로 적층되어 이루어진 발광 다이오드.
- 제 5 항에 있어서,상기 제 1 N-GaN층과 제 1 활성층 사이, 제 2 활성층과 제 2 N-GaN층 사이 및 제 3 활성층 및 제 3 N-GaN층 사이에 각각 N-AlGaN층이 더 형성되고,상기 제 1 활성층과 제 1 P-GaN층 사이, 제 1 P-GaN층과 제 2 활성층 사이 및 제 2 P-GaN층과 제 3 활성층 사이에 각각 P-AlGaN층을 더 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
- 제 2 항 또는 제 5 항에 있어서,상기 제 1 내지 3 활성층은 순차적으로 긴 파장부터 짧은 파장의 자외선을 방출하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
- 삭제
- 기판 위에 제 1 N-GaN층, 제 1 활성층, 제 1 P-GaN층, 제 2 활성층, 제 2 N-GaN층, 제 2 P-GaN층, 제 3 활성층과 제 3 N-GaN층을 순차적으로 적층하여 발광구조물을 형성하는 적층 단계;상기 제 1 N-GaN의 상면의 일부가 드러나도록 상기 발광구조물을 메사 식각하는 제 1 식각 단계;상기 제 1 P-GaN층의 상면의 일부가 드러나도록 상기 발광구조물을 메사 식각하는 제 2 식각 단계;상기 제 2 N-GaN층의 상면의 일부가 드러나도록 상기 발광구조물을 메사 식각하는 제 3 식각 단계;상기 제 2 P-GaN층의 상면의 일부가 드러나도록 상기 발광구조물을 메사 식각하는 제 4 식각 단계;상기 제 3 N-GaN층, 상기 메사 식각된 제 1 및 2 N-GaN층 위에 제1 내지 3 N전극을 형성하고, 상기 메사 식각된 제 1 및 2 P-GaN층 위에 제 1 및 2 P전극을 형성하는 전극 형성 단계로 이루어진 발광 다이오드의 제조방법.
- 전도성 기판 위에 제 1 N-GaN층, 제 1 활성층, 제 1 P-GaN층, 제 2 활성층, 제 2 N-GaN층, 제 2 P-GaN층, 제 3 활성층과 제 3 N-GaN층을 순차적으로 적층하여 발광구조물을 형성하는 적층 단계;상기 제 1 P-GaN층의 상면의 일부가 드러나도록 상기 발광 구조물을 메사 식각하는 제 1 식각 단계;상기 제 2 N-GaN층의 상면의 일부가 드러나도록 상기 발광 구조물을 메사 식각하는 제 2 식각 단계;상기 제 2 P-GaN층의 상면의 일부가 드러나도록 상기 발광 구조물을 메사 식각하는 제 3 식각 단계;상기 제 3 N-GaN층 및 상기 메사 식각된 제 2 N-GaN층 위에 제 1 및 2 N전극을 형성하고, 상기 메사 식각된 제 1 및 2 P-GaN층 위에 제 1 및 2 P전극을 형성하는 전극 형성 단계로 이루어진 발광 다이오드의 제조방법.
- 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,상기 발광 구조물은 상기 제 1 N-GaN층과 제 1 활성층 사이, 제 2 활성층과 제 2 N-GaN층 사이 및 제 3 활성층 및 제 3 N-GaN층 사이에 각각 N-AlGaN층이 더 형성되고,상기 제 1 활성층과 제 1 P-GaN층 사이, 제 1 P-GaN층과 제 2 활성층 사이 및 제 2 P-GaN층과 제 3 활성층 사이에 각각 P-AlGaN층을 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법.
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