KR100682256B1 - 발광 다이오드 및 그 제조방법 - Google Patents

발광 다이오드 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 본 발명의 발광 다이오드는 기판 위에 형성된 형성된 N-GaN층, 상기 N-GaN층 위에 파장이 각각 다른 자외선을 각각 방출하는 복수의 활성층을 포함하여 이루어진 다층활성층 및 상기 다층활성층위에 형성된 P-GaN층을 포함하여 구성되며, 본 발명의 발광 다이오드 제조방법은 기판 위에 N-GaN층, 제 1 활성층, 제 2 활성층, 제 3 활성층과 P-GaN층을 순차적으로 적층하여 발광구조물을 형성하는 적층 단계, 상기 N-GaN의 상면의 일부가 드러나도록 상기 발광 구조물을 메사(Mesa) 식각하는 식각 단계 및 상기 메사 식각된 N-GaN층 상부에 N전극을 형성하고, 상기 P-GaN층의 식각되지 않은 상부에 P전극을 형성하는 단계로 이루어진다.
따라서, 본 발명에 따른 발광 다이오드 및 그 제조방법에 의하면, 각 형광체의 최적 효율 파장의 자외선을 방출하는 다층활성층을 이용함으로써 우수한 광효율을 가지며, 다층활성층을 연속으로 적층할 경우, 광출력을 크게 증가시킬 수 있다. 또, 본 발명은 단일 LED 칩에 다층활성층을 구현함으로써 공간상의 제약을 받지 않으며, 각 활성층이 독립적으로 구동되도록 구성함으로써 광출력의 조절이 용이하며, 백색광의 색온도를 조절할 수 있다.
발광 다이오드, 다층활성층

Description

발광 다이오드 및 그 제조방법{LED and process for fabricating the same}
도 1은 본 발명에 따른 발광 다이오드의 일실시예를 나타내는 단면도,
도 2는 본 발명에 따른 발광 다이오드의 다른 실시예를 나타내는 단면도,
도 3은 본 발명에 따른 발광 다이오드의 또다른 실시예를 나타내는 단면도,
도 4는 본 발명에 따른 발광 다이오드 제조 방법의 일실시예를 나타내는 공정도,
도 5는 본 발명에 따른 발광 다이오드 제조 방법의 일실시예에 의하여 제조된 발광 다이오드를 나타내는 개략적인 단면도,
도 6은 본 발명에 따른 발광 다이오드 제조 방법의 다른 실시예를 나타내는 공정도,
도 7은 본 발명에 따른 발광 다이오드 제조 방법의 다른 실시예에 의하여 제조된 발광 다이오드를 나타내는 개략적인 단면도,
도 8은 본 발명에 따른 발광 다이오드 제조방법의 또다른 실시예에 의하여 제조된 발광 다이오드를 나타내는 개략적인 단면도이다.
본 발명은 발광 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 개별 다이오드 칩들의 조합이 아닌 단일 다이오드 칩으로 구성하여 제조 효율을 높일 수 있도록 다층활성층을 갖는 발광 다이오드를 제공하고, 각각 파장이 다른 자외선을 발생시키는 다층활성층을 포함하여 광효율이 우수한 발광 다이오드 및 다양한 색온도를 가질수 있도록 각 활성층이 독립적으로 구동되는 발광 다이오드를 제공한다.
일반적으로, 백색 발광소자는 조명장치 또는 디스플레이 장치의 백라이트로 널리 사용된다. 이러한 백색 발광소자에는 개별 발광 다이오드로 제조된 청색, 적색 및 녹색의 발광 다이오드를 조합하는 방식 및 형광체를 이용하는 방식이 알려져 있다.
먼저, 개별 발광 다이오드를 조합하는 방식의 백색 발광소자는 이미 완성된 청색, 적색 및 녹색 각각의 발광 다이오드를 와이어를 통해 하나의 인쇄회로기판에 실장하여, 각 발광 다이오드로부터 발산된 다른 색의 광이 합성되어 백색광을 생성하게 된다.
상기와 같이 개별 발광 다이오드를 조합하는 경우에는 우수한 색감을 얻을 수 있다. 그러나, 각각의 발광 다이오드 칩을 별도로 제조하여야 하므로 제조 원가가 상승할 뿐만 아니라, 원하는 백색광을 얻기 위해서, 각 발광 다이오드 칩의 전류를 조절해야 하고, 이를 위한 복잡한 회로 구성이 요구되는 문제가 있다. 또, 복수의 발광 다이오드 칩을 사용한다는 점에서 공간상의 제약이 발생하므로 디스플레이의 해상도를 높이는데 장애가 된다.
다음으로 형광체를 이용하여 백색 발광소자를 제조하는 방법으로는, 청색 발광 다이오드를 이용하는 방법과 자외선 발광 다이오드를 이용하는 방법이 있다.
청색 발광소자를 이용하는 경우에는 YAG(yittrium aluminum garnet) 형광체를 이용하여 청색광을 백색광으로 파장 변환한다. 즉, 청색 발광 다이오드로부터 발생된 청색파장이 YAG 형광체를 여기시켜 최종으로 백색광을 발광시킬 수 있다.
예를 들어, 청색 발광소자에 전원이 인가되어 InGaN계 청색 발광 다이오드로부터 청색광이 발광되면, 그 일부의 청색광은 YAG 형광체를 여기시킨다. 이 때, YAG 형광체는 InGaN 청색 LED로부터 직접 발산되는 다른 일부의 청색광과 합성되어, 최종적으로 백색광을 발광하게 된다.
상기와 같이 청색 발광 다이오드를 통한 형광체의 파장변조를 이용하는 경우에는, 개별 LED를 조합하는 경우에 비하여 제조 공정이 간단하며 제조 비용이 감소한다. 그러나, 형광체 여기시 광효율이 감소하거나, 색보정 지수가 저하되는 단점이 있다.
한편, 자외선 발광소자를 이용하는 방식은 상기 청색 발광 다이오드를 이용하는 방식과 유사하다. 즉, 자외선 발광 다이오드로부터 발생된 자외선이 개별 형광체(예 : R, G, B)를 여기시켜 최종으로 백색광을 발광시킬 수 있다. 그러나, 상기 방식은 각 형광체에 따라서 가장 효율이 우수한 여기광원이 다르기 때문에 광효율이 낮다는 단점이 있다.
본 발명은 상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서,
개별 다이오드 칩들의 조합이 아닌 단일 다이오드 칩으로 구성하여 제조 효율을 높일 수 있도록 다층활성층을 갖는 발광 다이오드를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 다른 목적은 각각 파장이 다른 자외선을 발생시키는 다층활성층을 포함하여 광효율이 우수한 발광 다이오드를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 다른 목적은 다양한 색온도를 가질수 있도록 각 활성층이 독립적으로 구동되는 발광 다이오드를 제공하기 위한 것이다.
본 발명이 제안하는 발광 다이오드는 기판 위에 형성된 N-GaN층, 상기 N-GaN층 위에 파장이 각각 다른 자외선을 각각 방출하는 복수의 활성층을 포함하여 이루어진 다층활성층 및 상기 다층활성층위에 형성된 P-GaN층을 포함하여 구성된다.
상기 각 활성층은 자외선을 방출하여 개별 형광체(예 : R, G, B)를 여기시킨다. 개별 형광체는 서로 다른 물질로 이루어지므로 각각 다른 광효율을 가진다. 본 발명의 특징은 상기와 같은 점에 착안하여 각 활성층이 방출하는 자외선의 파장이 개별 형광체의 광효율에 따라 서로 다르게 구성하는 것이다.
본 발명이 제안하는 발광 다이오드는 상기와 같이, 다파장 다층활성층을 포 함하여 구성됨으로써, 종래 기술의 단일파장 자외선 다이오드가 갖는 광효율 저하의 문제점을 해결할 수 있다. 또, 복수의 다이오드 칩이 아닌 단일 다이오드 칩에서 다파장 자외선을 방출할 수 있도록 구성함으로써, 공간상의 제약을 받지 않는다. 또, 상기 다층활성층을 연속으로 적층할 경우, 광출력을 두배이상 향상시킬 수 있다.
본 발명이 제안하는 다른 발광 다이오드는 기판 위에 순차적으로 형성된 제 1 N-GaN층, 제 1 자외선을 방출할 수 있는 제 1 활성층, 제 1 P-GaN층, 제 2 자외선을 방출할 수 있는 제 2 활성층, 제 2 N-GaN층, 제 2 P-GaN층, 제 3 자외선을 방출할 수 있는 제 3 활성층, 제 3 N-GaN층을 포함하는 것이다.
본 발명은 전술한 각 활성층을 독립적으로 구동되도록 각 활성층 사이에 전도층을 포함하여 구성된 것이다.
본 발명이 제안하는 발광 다이오드의 제조 방법은 기판 위에 N-GaN층, 제 1 활성층, 제 2 활성층, 제 3 활성층과 P-GaN층을 순차적으로 적층하여 발광구조물을 형성하는 제 1 단계, 상기 N-GaN층의 상면의 일부가 드러나도록 상기 발광구조물을 메사(Mesa) 식각하는 제 2 단계 및 상기 메사 식각된 N-GaN층 상부에 N전극을 형성하고, 상기 P-GaN층 상부에 P전극을 형성하는 단계로 이루어진다.
본 발명이 제안하는 다른 발광 다이오드의 제조 방법은 기판 위에 제 1 N- GaN층, 제 1 활성층, 제 1 P-GaN층, 제 2 활성층, 제 2 N-GaN층, 제 2 P-GaN층, 제 3 활성층과 제 3 N-GaN층을 순차적으로 적층하여 발광구조물을 형성하는 적층단계, 상기 제 1 N-GaN층의 상면의 일부가 드러나도록 상기 발광구조물을 메사 식각하는 제 1 식각 단계, 상기 제 1 P-GaN층의 상면의 일부가 드러나도록 상기 발광구조물을 메사 식각하는 제 2 식각 단계, 상기 제 2 N-GaN층의 상면의 일부가 드러나도록상기 발광구조물을 메사 식각하는 제 3 식각 단계, 상기 제 2 P-GaN층의 상면의 일부가 드러나도록 상기 발광구조물을 메사 식각하는 제 4 식각 단계 및 상기 제 3 N-GaN층 상부, 상기 메사 식각된 제 1 및 2 N-GaN층 상부에 제 1 내지 3 N전극을 형성하고, 상기 메사 식각된 제 1 및 2 P-GaN층 상부에 제 1 및 2 P전극을 형성하는 전극 형성 단계로 이루어진다.
상기 발명은 각 활성층이 독립적으로 구동할 수 있도록 각 활성층 사이에 구동 전극이 연결된 전도층을 형성한 것이다.
이하에서는 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명의 기술적 특징을 상세하게 설명하기로 한다. 본 발명은 실시예에 의하여 보다 잘 이해될 수 있으며, 하기의 실시예는 본 발명의 예시 목적을 위한 것이고, 첨부된 특허청구범위에 의하여 한정되는 보호범위를 제한하고자 하는 것은 아니다.
본 발명에 따른 발광 다이오드의 일실시예는 도 1에 나타난 바와 같이, 기판 (6)위에 형성된 N-GaN층(5), 상기 N-GaN층 위에 제 1 자외선을 방출시킬 수 있는 제 1 활성층(4), 제 2 자외선을 방출시킬 수 있는 제 2 활성층(3) 및 제 3 자외선을 방출시킬 수 있는 제 3 활성층(2)이 순차적으로 형성된 다층활성층 및 상기 다층활성층위에 형성된 P-GaN층(1)을 포함하여 구성된다.
상기 기판은 사파이어, GaN, 또는 SiC재질인 것이 사용될 수 있으며, 본 실시예에서는 P-GaN층 및 N-GaN층으로 Mg-GaN 및 Si-GaN이 사용되었으나, P 도핑 및 N 도핑이 가능한 어떠한 금속이라도 도펀트로 사용될 수 있다.
상기 활성층은 InGaN으로 이루어지며, 인듐의 함량비를 조절함으로써 방출하는 자외선의 파장을 조절할 수 있다. 상기 각 활성층은 상기 각 형광체의 최적 여기 파장인 378~382nm, 398~402nm, 348~352nm의 자외선을 방출할 수 있도록 인듐의 조성비를 달리하여 형성되는 것이 바람직하다. 이는 현재 많이 사용되고 있는 B, G, R 형광체는 각각 (Sr,Ca,Ba,Mg)10(PO4)6Cl:Eu2+, ZnS:Cu,Al 및 L2O2S:Eu3+이며, 각 형광체에 대하여 광효율이 가장 높은 여기 파장은 각각 380nm, 400nm, 350nm 이기 때문이다.
본 실시예와 같이, 서로 다른 파장의 자외선을 방출하는 경우에는, 활성층으로부터 발생된 자외선이 상부를 향해 쉽게 투과될 수 있도록 보다 긴 파장을 방출하는 활성층이 상기 기판에 가깝게 배치되는 것이 바람직하다.
본 발명은 캐리어의 효율을 높이기 위하여 상기 다층활성층과 P-GaN층 사이에 P-AlGaN층이 더 형성되고, 상기 N-GaN층과 다층활성층 사이에 N-AlGaN층이 더 형성된 것을 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 발광 다이오드의 다른 실시예는 도 2에 나타난 바와 같이, 상기 다층활성층이 연속으로 적층되어, 제 1 활성층 - 제 2 활성층 - 제 3 활성층 의 단위구조가 반복되는 구조(9)로 형성된다. 상기와 같은 구조는 다이오드의 광출력을 두배이상 상승시킬 수 있다.
본 발명에 따른 발광 다이오드의 또 다른 실시예는 도 3에 나타난 바와 같이, 기판(6) 위에 순차적으로 형성된 제 1 N-GaN층(51), 제 1 자외선을 방출할 수 있는 제 1 활성층(4), 제 1 P-GaN층(11), 제 2 자외선을 방출할 수 있는 제 2 활성층(3), 제 2 N-GaN층(52), 제 2 P-GaN층(12), 제 3 자외선을 방출할 수 있는 제 3 활성층(2), 제 3 N-GaN층(53)을 포함하는 것이다.
본 발명은 상기 각 활성층이 독립적으로 구동되도록 구성된 것이다. 상기의 다이오드는 각각의 활성층의 발광을 제어할 수 있고, 그 발광의 조합에 의하여 다양한 색온도를 갖는 백색 발광소자를 구현할 수 있다.
상기의 실시예는 캐리어의 효율을 높이기 위하여 각 활성층과 각 P-GaN층 사이에 P-AlGaN층이 더 형성되고, 각 활성층과 각 N-GaN층 사이에 N-AlGaN층을 더 형 성되는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 발광 다이오드의 제조방법의 일실시예는 도 4에 나타난 바와 같이, 적층단계(S 10), 식각 단계(S 20) 및 전극 형성 단계(S 30)를 포함하여 이루어진다. 도 5는 상기 방법으로 제조된 자외선 발광 다이오드의 개략적인 단면도이다.
먼저 상기 적층단계(S 10)는 기판(6)위에 N-GaN층(5), 제 1 활성층(4), 제 2 활성층(3), 제 3 활성층(2)과 P-GaN층(1)을 순차적으로 적층하여 발광구조물을 형성한다. 전술한 바와 같이, 상기 기판은 사파이어, GaN, 또는 SiC재질인 것이 사용될 수 있고, 상기 P-GaN층 및 N-GaN층은 P 도핑 및 N 도핑이 가능한 어떠한 금속이라도 도펀트로 사용될 수 있으며, 상기 각 활성층은 상기 각 형광체의 최적 여기 파장인 378~382nm, 398~402nm, 348~352nm의 자외선을 방출할 수 있도록 인듐의 조성비를 달리하여 형성되는 것이 바람직하다.
상기 식각 단계(S 20)는 상기 N-GaN층의 상면의 일부가 드러나도록 상기 발광구조물을 메사(Mesa) 식각한다. 이는 이후의 단계에서 상기 N-GaN층에 N전극을 형성하기 위한 것이다.
메사 식각이란, 인접한 지역의 위에서 투사하여 원표면의 평면 부분만 남기는 선택적 식각이며, 전기적 활성 물질이 메사 지역으로 확장되는 것을 막는데 사 용된다. 메사 식각에 대하여는 널리 알려져 있는 바, 자세한 설명은 생략한다.
상기 전극 형성 단계(S 30)는 상기 메사 식각된 N-GaN층 상부에 N전극(7)을 형성하고, 상기 P-GaN층 상부에 P전극(8)을 형성한다. 상기 각 전극은 저항성 금속을 증착하여 형성된다.
본 발명에 따른 발광 다이오드의 제조방법의 다른 실시예는 도 6에 나타난 바와 같이, 적층 단계(S 100), 제 1 식각 단계(S 220), 제 2 식각 단계(S 240), 제 3 식각 단계(S 260), 제 4 식각 단계(S 280) 및 전극 형성 단계(S 300)를 포함하여 이루어진다. 도 7은 상기 방법으로 제조된 자외선 발광 다이오드의 개략적인 단면도이다.
상기 실시예는 상기 각 활성층이 독립적으로 구동되도록 구성된 자외선 발광 다이오드를 제조하기 위한 것으로, 먼저 상기 적층 단계(S 100)는 기판(6) 위에 제 1 N-GaN층(51), 제 1 활성층(4), 제 1 P-GaN층(11), 제 2 활성층(3), 제 2 N-GaN층(52), 제 2 P-GaN층(12), 제 3 활성층(2)과 제 3 N-GaN층(53)을 순차적으로 적층하여 발광구조물을 형성한다.
상기 제 1 식각 단계(S 220)는 제 1 N전극(71)을 형성할 영역을 확보하기 위한 것으로, 상기 제 1 N-GaN층의 상면의 일부가 드러나도록 상기 발광구조물을 메사 식각한다.
상기 제 2 식각 단계(S 240)는 제 1 P전극(81)을 형성할 영역을 확보하기 위한 것으로, 상기 제 1 P-GaN층의 상면의 일부가 드러나도록 상기 발광구조물을 메사 식각한다.
상기 제 3 식각 단계(S 260)는 제 2 N전극(72)을 형성할 영역을 확보하기 위한 것으로, 상기 제 1 N-GaN층의 상면의 일부가 드러나도록 상기 발광구조물을 메사 식각한다.
상기 제 4 식각 단계는(S 280) 제 2 P전극(82)을 형성할 영역을 확보하기 위한 것으로, 상기 제 2 P-GaN층의 상면의 일부가 드러나도록 상기 발광구조물을 메사 식각한다.
상기 전극 형성 단계(S 300)는 상기 제 3 N-GaN층, 상기 메사 식각된 제 1 및 2 N-GaN층 위에 제1 내지 3 N전극을 형성하고, 상기 메사 식각된 제 1 및 2 P-GaN층 위에 제 1 및 2 P전극을 형성한다. 상기 방법에 의하여 제조된 자외선 발광 다이오드는 제 2 N전극과 제 1 P전극을 연결하여 제 1 활성층을, 제 3 N전극과 제 1 P전극을 연결하여 제 2 활성층을, 제 1 N전극과 제 2 P전극을 연결하여 제 3 활성층을 각각 독립적으로 구동시킬 수 있다.
상기 본 발명에 따른 발광 다이오드의 제조방법은 도 8에 나타난 바와 같이, N-GaN 또는 N-SiC재질의 기판(61)을 사용할 경우, 기판이 N전극의 기능을 할 수 있으므로, 상기 제 3 N-GaN층에서 상기 제 1 N-GaN층까지의 일부 영역을 메사 식각하 는 단계가 생략되고, 전극 형성 단계에서 제 1 N전극(710), 제 2 N전극(720), 제 1 P전극(81), 제 2 P전극(82)을 형성한다.
상술한 바와 같은 방법으로 제조된 발광 다이오드의 광출력을 조절하는 방법에는 다음과 같은 여러가지 방법이 있다.
첫째, 각 활성층의 웰(Well) 수를 조절한다.
즉, 제 1 활성층의 휘도가 높거나 색조가 강할 경우, 제 1 활성층의 웰(Well) 수를 줄이고, 제 2 활성층의 웰(Well) 수를 증가시킨다.
이런 방법으로, 각 활성층의 웰(Well) 수를 조절하여 광출력을 맞출 수 있다.
둘째, 각 활성층에 각기 다른 전류를 주입시켜 광출력을 조절할 수 있다.
셋째, 상기의 두 가지 방법을 조합하여 광출력을 조절할 수 있다.
따라서, 본 발명의 발광 다이오드는 모든 가시광 영역의 파장을 구현할 수 있게 된다.
본 발명에 따른 발광 다이오드 및 그 제조방법에 의하면, 각 형광체의 최적 효율 파장의 자외선을 방출하는 다층활성층을 이용함으로써 우수한 광효율을 가지며, 다층활성층을 연속으로 적층할 경우, 광출력을 크게 증가시킬 수 있다.
다음으로 본 발명은 단일 다이오드 칩에 다층활성층을 구현함으로써 공간상 의 제약을 받지 않는다.
또, 본 발명은 각 활성층이 독립적으로 구동되도록 구성함으로써 광출력의 조절이 용이하며, 백색광의 색온도를 조절할 수 있다.

Claims (11)

  1. 기판 위에 형성된 N-GaN층;
    상기 N-GaN층 위에 파장이 각각 다른 자외선을 각각 방출하는 복수의 활성층을 포함하여 이루어진 다층활성층; 및
    상기 다층활성층위에 형성된 P-GaN층을 포함하는 발광 다이오드.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 다층활성층은 제 1 내지 제 3 활성층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 다층활성층이 둘 이상 연속으로 적층되어 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 다층활성층과 P-GaN층 사이에 P-AlGaN층이 더 형성되고,
    상기 N-GaN층과 다층활성층 사이에 N-AlGaN층이 더 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  5. 기판 위에 제 1 N-GaN층, 제 1 자외선을 방출할 수 있는 제 1 활성층, 제 1 P-GaN층, 제 2 자외선을 방출할 수 있는 제 2 활성층, 제 2 N-GaN층, 제 2 P-GaN층, 제 3 자외선을 방출할 수 있는 제 3 활성층 및 제 3 N-GaN층이 순차적으로 적층되어 이루어진 발광 다이오드.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 1 N-GaN층과 제 1 활성층 사이, 제 2 활성층과 제 2 N-GaN층 사이 및 제 3 활성층 및 제 3 N-GaN층 사이에 각각 N-AlGaN층이 더 형성되고,
    상기 제 1 활성층과 제 1 P-GaN층 사이, 제 1 P-GaN층과 제 2 활성층 사이 및 제 2 P-GaN층과 제 3 활성층 사이에 각각 P-AlGaN층을 더 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  7. 제 2 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 제 1 내지 3 활성층은 순차적으로 긴 파장부터 짧은 파장의 자외선을 방출하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  8. 삭제
  9. 기판 위에 제 1 N-GaN층, 제 1 활성층, 제 1 P-GaN층, 제 2 활성층, 제 2 N-GaN층, 제 2 P-GaN층, 제 3 활성층과 제 3 N-GaN층을 순차적으로 적층하여 발광구조물을 형성하는 적층 단계;
    상기 제 1 N-GaN의 상면의 일부가 드러나도록 상기 발광구조물을 메사 식각하는 제 1 식각 단계;
    상기 제 1 P-GaN층의 상면의 일부가 드러나도록 상기 발광구조물을 메사 식각하는 제 2 식각 단계;
    상기 제 2 N-GaN층의 상면의 일부가 드러나도록 상기 발광구조물을 메사 식각하는 제 3 식각 단계;
    상기 제 2 P-GaN층의 상면의 일부가 드러나도록 상기 발광구조물을 메사 식각하는 제 4 식각 단계;
    상기 제 3 N-GaN층, 상기 메사 식각된 제 1 및 2 N-GaN층 위에 제1 내지 3 N전극을 형성하고, 상기 메사 식각된 제 1 및 2 P-GaN층 위에 제 1 및 2 P전극을 형성하는 전극 형성 단계로 이루어진 발광 다이오드의 제조방법.
  10. 전도성 기판 위에 제 1 N-GaN층, 제 1 활성층, 제 1 P-GaN층, 제 2 활성층, 제 2 N-GaN층, 제 2 P-GaN층, 제 3 활성층과 제 3 N-GaN층을 순차적으로 적층하여 발광구조물을 형성하는 적층 단계;
    상기 제 1 P-GaN층의 상면의 일부가 드러나도록 상기 발광 구조물을 메사 식각하는 제 1 식각 단계;
    상기 제 2 N-GaN층의 상면의 일부가 드러나도록 상기 발광 구조물을 메사 식각하는 제 2 식각 단계;
    상기 제 2 P-GaN층의 상면의 일부가 드러나도록 상기 발광 구조물을 메사 식각하는 제 3 식각 단계;
    상기 제 3 N-GaN층 및 상기 메사 식각된 제 2 N-GaN층 위에 제 1 및 2 N전극을 형성하고, 상기 메사 식각된 제 1 및 2 P-GaN층 위에 제 1 및 2 P전극을 형성하는 전극 형성 단계로 이루어진 발광 다이오드의 제조방법.
  11. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 발광 구조물은 상기 제 1 N-GaN층과 제 1 활성층 사이, 제 2 활성층과 제 2 N-GaN층 사이 및 제 3 활성층 및 제 3 N-GaN층 사이에 각각 N-AlGaN층이 더 형성되고,
    상기 제 1 활성층과 제 1 P-GaN층 사이, 제 1 P-GaN층과 제 2 활성층 사이 및 제 2 P-GaN층과 제 3 활성층 사이에 각각 P-AlGaN층을 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법.
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