KR100678696B1 - 환형 플라즈마를 형성하기 위한 페라이트 코어 조립체를구비한 자기 강화된 플라즈마 소오스 - Google Patents

환형 플라즈마를 형성하기 위한 페라이트 코어 조립체를구비한 자기 강화된 플라즈마 소오스 Download PDF

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Abstract

환형 플라즈마를 형성하기 위한 페라이트 코어 조립체를 구비한 자기 강화된 플라즈마 소오스가 게시된다. 본 발명의 플라즈마 소오스는 플라즈마 반응 챔버의 내부에 환형 플라즈마를 형성하기 위한 페라이트 코어 조립체를 구비한다. 페라이트 코어 조립체에 의해 플라즈마 반응 챔버 내부에 환형 플라즈마를 형성함으로서 고밀도의 플라즈마를 보다 균일하게 발생 유지할 수 있으며, 환형 플라즈마를 얻기 위한 페라이트 코어 조립체의 구성이 간단하여 설치가 용이함으로서 플라즈마 처리 설비의 구성과 유지 보수 효율을 높일 수 있다.
환형 플라즈마, 페라이트 코어, 자기 강화

Description

환형 플라즈마를 형성하기 위한 페라이트 코어 조립체를 구비한 자기 강화된 플라즈마 소오스{MAGNETICALLY ENHANCED PLASMA SOURCE HAVING FERRITE CORE ASSEMBLY FOR FORMING TOROIDAL PLASMA}
본 발명의 상세한 설명에서 사용되는 도면을 보다 충분히 이해하기 위하여, 각 도면의 간단한 설명이 제공된다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마 반응 챔버의 외관을 보여주는 사시도이다.
도 2는 도 1의 플라즈마 반응 챔버의 단면도이다.
도 3은 플라즈마 반응 챔버의 내부에서 천정을 바라본 것으로 환형 플라즈마를 예시하는 도면이다.
도 4는 가스 입구를 증설한 예를 보여주는 플라즈마 반응 챔버의 부분 단면도이다.
도 5는 이중 바이어스 전원을 구비한 예를 보여주는 플라즈마 반응 챔버의 단면도이다.
도 6은 페라이트 코어 조립체를 매입 설치한 플라즈마 반응 챔버의 사시도이다.
도 7은 도 6의 플라즈마 반응 챔버의 단면도이다.
도 8은 가스 입구를 증설한 예를 보여주는 플라즈마 반응 챔버의 부분 단면도이다.
도 9는 가스 입구의 아래로 가스 분배판을 설치한 예를 보여주는 플라즈마 반응 챔버의 부분 단면도이다.
도 10은 세 개의 환형 페라이트 코어가 동심원 구조로 배열된 페라이트 코어 조립체가 설치된 플라즈마 반응 챔버의 평면도이다.
도 11 및 도 12는 도 10의 플라즈마 반응 챔버의 부분 단면도로서, 도 11에서는 자기장의 유도 방향을 동일하게 도 12에서는 자기장의 유도 방향을 서로 다르게 하는 경우를 각각 보여주는 도면이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
10: 플라즈마 반응 챔버 17: 서셉터
19: 진공 펌프 20: 페라이트 코어 조립체
30, 32, 36: 전원 공급원
본 발명은 반도체 기판 처리를 위한 플라즈마 소오스에 관한 것으로, 구체적으로는 페라이트 코어 조립체를 사용하여 프로세스 챔버 내부에 환형 프라즈마를 형성하도록 하여 플라즈마 밀도와 균일도를 강화시키는 자기 강화된 플라즈마 소오스에 관한 것이다.
반도체 소자의 초미세화와 그리고 기판 사이즈의 증가 그리고 새로운 처리 대상 물질 등장 등의 여러 요인으로 인하여 반도체 제조 공정에서는 더욱 향상된 기판 처리 기술이 요구되고 있다. 특히, 플라즈마를 이용한 반도체 제조 공정으로 건식 에칭 공정 분야나 물리적/화학적 기상 증착 분야에서는 이러한 기술적 요구에 대응하여 자기장을 이용하여 고밀도의 플라즈마를 균일하게 얻을 수 있는 플라즈마 소오스에 대한 기술 개발이 지속되고 있다.
일반적으로 플라즈마 반응관의 압력을 낮추면 이온의 평균자유거리가 늘어나 웨이퍼에 충돌하는 이온의 에너지가 증가하고 이온들의 간의 산란현상도 줄어들기 때문에 이방성 에칭에 유리한 것으로 알려져 있다. 그러나 압력이 낮아지면 전자들 역시 평균자유거리가 늘어나 중성원자들과의 충돌이 감소함으로 플라즈마 상태를 유지하기가 어려워진다. 그럼으로 낮은 압력에서도 플라즈마를 유지할 수 있도록 자기장을 이용하여 전자들의 이동 거리를 증가시켜 중성원자들과의 충돌 빈도를 높여 낮은 압력에서도 플라즈마가 유지될 수 있는 기술이 제안되고 있다.
또한, 기판 사이즈의 증가에 따라 기판이 처리되는 플라즈마 반응 챔버의 사이즈도 증가되는데 이러한 경우 플라즈마 반응 챔버의 내부에 균일하게 플라즈마가 분포하기 어렵다. 그럼으로 자기장을 이용하여 플라즈마 반응 챔버의 내부에서 균일한 플라즈마 밀도가 유지될 수 있도록 하는 기술들이 제안되고 있다.
플라즈마 반응 챔버의 내부에 균일한 플라즈마가 형성되도록 하기 위하여 영구 자석을 이용한 기술들이 제안되고 있다. 예를 들어, 영구 자석을 반응관 상부에 장착하거나, 상부에서 회전 시키는 등의 기술들이 제안되어 있다. 또는 기판을 회전 시켜서 비교적 균일한 기판 처리가 될 수 있도록 하고도 있다.
영구 자석을 이용한 경우에는 크기가 작고 장착이 간단하며 별도로 외부에서 전원을 공급하지 않아도 되기 때문에 비교적 간단히 균일도를 향상 시킬 수는 있다. 그러나 자기장의 균일도가 좋지 않으며 자기장의 세기도 제어가 불가능하다. 기판을 회전하거나 영구 자석을 회전하는 경우에는 회전 구조물을 구성하기 위한 부담이 있다.
따라서 본 발명은 플라즈마 반응 챔버 내부에 고밀도의 플라즈마를 보다 균일하게 발생 유지할 수 있도록 반응 챔버의 내부에 환형 플라즈마를 형성하기 위한 페라이트 코어 조립체를 구비한 자기 강화된 플라즈마 소오스를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일면은 자기 강화된 플라즈마 소오스에 관한 것이다. 본 발명의 자기 강화된 플라즈마 소오스는: 기판이 놓이는 서셉터가 내부에 구비된 중공형의 플라즈마 반응 챔버; 플라즈마 반응 챔버의 외측 천정에 배치되며, 플라즈마 반응 챔버의 내부에 환형 플라즈마를 형성하도록 구조화된 페라이트 코어 조립체를 포함하고, 상기 페라이트 코어 조립체는: 동심원 구조를 갖도록 평면 배치되는 서로 다른 크기의 둘 이상의 환형 페라이트 코어; 및 이웃하는 두 개의 환형 페라이트 코어에 양단이 연결되어 전체적으로는 방사형으로 배치되며 각기 유도 코일이 권선된 다수 개의 막대형 페라이트 코어; 유도 코일로 플라즈마 유도를 위한 제1 주파수의 교류 전원을 제공하는 제1 전원 공급원을 포함하여, 다수 개의 막대형 페라이트 코어에 집속되는 자기장은 이웃한 두 개의 환형 페라이트 코어를 통해서 플라즈마 반응 챔버의 내측으로 방사형으로 유도되고, 방사형으로 유도된 자기장 및 이에 의해 이차로 유도되는 전기장에 의해 플라즈마 반응 챔버 내부에 환형 플라즈마가 형성된다.
바람직하게, 상기 플라즈마 반응 챔버로 공정 가스를 주입하기 위한 하나 이상의 가스 입구, 가스 입구는 서로 이웃하는 환형 페라이트 코어의 사이 영역으로 배치된다.
바람직하게, 상기 제1 주파수는 10khz ~ 100MHz를 갖는다.
바람직하게, 상기 플라즈마 반응 챔버로 공정 가스를 주입하기 위한 가스 입구, 가스 입구는 서로 이웃하는 환형 페라이트 코어의 사이 영역으로 배치된 다수 개의 제1 가스 입구와 쳄버 천정 중심부에 배치된 제2 가스 입구를 포함한다.
바람직하게, 상기 제1 및 제2 가스 입구는 서로 다른 종류의 공정 가스가 분리되어 입력된다.
바람직하게, 상기 플라즈마 반응 챔버의 천정 구조는 이웃한 두 환형 페라이트 코어 사이가 높게 단차를 갖도록 구조화된다.
바람직하게, 상기 가스 입구의 하부로 가스 분배판이 설치된다.
바람직하게, 상기 다수 개의 유도 코일은 직렬, 병렬, 또는 직렬 및 병렬 혼합 방식 중 어느 하나의 방식으로 제1 전원 공급원에 연결된다.
바람직하게, 상기 서셉터로 제2 주파수를 제공하는 제2 전원 공급원을 포함 한다.
바람직하게, 상기 서셉터로 제2 주파수를 제공하는 제2 전원 공급원과 제2 주파수와 서로 다른 제3 주파수를 제공하는 제3 전원 공급원을 포함한다.
바람직하게, 상기 제2 주파수는 제2 주파수는 50khz ~ 2MHz, 전력은 500W ~ 5kW를 갖고, 상기 제3 주파수는 10khz ~ 60MHz, 전력은 500W ~ 5kW를 갖는다.
바람직하게, 상기 플라즈마 반응 챔버의 천정은 전기적 불연속성을 형성하는 하나 이상의 절연체 영역을 포함한다.
바람직하게, 상기 플라즈마 반응 챔버의 천정은 전도성 금속과 전기적 불연속성을 형성하는 하나 이상의 절연체 영역을 포함한다.
본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시예에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야 한다. 각 도면을 이해함에 있어서, 동일한 부재는 가능한 한 동일한 참조부호로 도시하고자 함에 유의하여야 한다. 그리고 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 기술은 생략된다.
(실시예)
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써, 본 발명의 환형 플라즈마를 형성하기 위한 페라이트 코어 조립체를 구비한 자기 강화된 플라즈마 소오스를 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마 반응 챔버의 외관을 보 여주는 사시도이고, 도 2는 도 1의 플라즈마 반응 챔버의 단면도이다. 도 3은 플라즈마 반응 챔버의 내부에서 천정을 바라본 것으로 환형 플라즈마를 예시하는 도면이다.
도 1 및 도 2를 참조하여, 플라즈마 반응 챔버(10)는 그 내부에 기판(8)이 놓이는 서셉터(17)가 구비되며, 진공 펌프(34)가 챔버(10)의 배기구(18)에 연결된다. 플라즈마 반응 챔버(10)의 외측 천정(12)에는 페라이트 코어 조립체(20)가 설치된다. 페라이트 코어 조립체(20)는 후술되는 바와 같이 플라즈마 반응 챔버(10)의 내부에 환형 플라즈마를 형성하도록 구조화되어 있다.
구체적으로, 페라이트 코어 조립체(20)는 동심원 구조를 갖도록 평면 배치되는 서로 다른 크기의 둘 이상의 환형 페라이트 코어(21, 22)를 구비한다. 그리고 이웃하는 두 개의 환형 페라이트 코어(21, 22)에 양단이 연결되어 전체적으로는 방사형으로 배치되며 각기 유도 코일(24)이 권선된 다수 개의 막대형 페라이트 코어(23)를 구비한다. 이 실시예에서는 두 개의 환형 페라이트 코어(21, 22)와 8개의 막대형 페라이트 코어(23)가 조립된 예를 설명한다. 그러나 후술되는 바와 같이 두 개 이상의 환형 페라이트 코어와 그리고 더 많은 수의 막대형 페라이트 코어를 사용하여 페라이트 코어 조립체(20)를 구성할 수 있음을 이 분야의 통상의 지식을 갖는 기술자들은 잘 알 수 있을 것이다.
다수 개의 막대형 페라이트 코어(23)에 각기 권선되는 유도 코일(23)은 제1 전원 공급원(30)에 연결되어 플라즈마 유도를 위한 교류 전원을 제공받는다. 다수 개의 유도 코일(23)은 직렬로 연결되어 있으나, 병렬 또는 직렬 및 병렬 혼합 방식 중 어느 하나의 방식으로 제1 전원 공급원(30)에 연결된다. 제1 전원 공급원(30)으로부터 제공되는 제1 주파수는 대략 10khz ~ 100MHz의 범위에서 선택될 수 있다. 그러나 이는 한정적인 사항은 아니며, 다른 범위의 주파수가 선택 될 수도 있을 것이다. 그리고 일반적인 기술적 사항으로 제1 전원 공급원(30)과 다수개의 유도 코일(23) 사이에는 임피던스 정합을 위한 정합기(미도시)가 연결된다.
이와 같이 구성된 페라이트 코어 조립체(20)가 플라즈마 반응 챔버(10)의 외측 천정(12)에 설치됨으로서, 다수 개의 막대형 페라이트 코어(23)에 집속되는 자기장(15)은 이웃한 두 개의 환형 페라이트 코어(21, 22)를 통해서 플라즈마 반응 챔버(10)의 내측으로 방사형(15)으로 유도된다. 도면에서 참조 번호 6a 및 6b는 자기장(15)에 의해 유도되는 이차 전기장의 방향을 예시한 것이다.
방사형으로 유도된 자기장(15)에 의해 그리고 이에 의해 유도되는 이차 전기장(6a, 6b)에 의해 도 3에 도시된 바와 같이, 플라즈마 반응 챔버(10) 내부에는 환형 플라즈마(2)가 형성되어 고밀도의 플라즈마가 보다 균일하게 발생하고 유지된다. 그럼으로 목적으로 하는 기판 가공을 보다 정밀하고 균일하게 미세 가공할 수 있다. 이러한 본 발명의 플라즈마 소오스는 예를 들어, 기상 증착 공정이나 에칭 공정등과 같은 반도체 기판 가공을 위한 다양한 플라즈마 처리 공정에 사용될 수 있다.
한편, 플라즈마 반응 챔버(10)로 공정 가스를 주입하기 위해 하나 이상의 가스 입구(16)가 공정 챔버(10)의 천정에 설치된다. 바람직하게, 가스 입구(16)는 두 개의 환형 페라이트 코어(21, 22)의 사이 영역(14)으로 배치된다. 그럼으로 플 라즈마 반응 챔버(10)의 내부로 분사되는 가스는 자기장(15)이 강하게 집속되는 부분으로 분사되기 때문에 플라즈마 발생이 더욱 활발히 이루어진다.
도 4는 가스 입구를 증설한 예를 보여주는 플라즈마 반응 챔버의 부분 단면도이다.
도 4를 참조하여, 플라즈마 반응 챔버(10)로 공정 가스를 주입하기 위해 제1 가스 입구(16)와 제2 가스 입구(19)가 구비될 수 있다. 제1 가스 입구(16)는 서로 이웃하는 환형 페라이트 코어(21, 22)의 사이 영역(14)으로 배치되며, 제2 가스 입구(19)는 쳄버 천정(12)의 중심부에 배치된다. 제1 및 제2 가스 입구(16, 19)는 각기 동일한 공정 가스가 입력될 수 있으나, 또는 서로 다른 종류의 공정 가스가 입력될 수 있다. 예를 들어, 제1 가스 입구(16)로는 캐리어 가스가 입력 될 수 있으며, 제2 가스 입구(19)로는 공정 가스가 입력될 수 있다.
다시, 도 2를 참조하여, 플라즈마 반응 챔버(10)의 내부에 설치된 서셉터(17)는 제2 주파수의 바이어스 전원을 제공하는 제2 전원 공급원(32)과 전기적으로 연결된다. 제2 전원 공급원(32)으로부터 제공되는 제2 주파수는 50khz ~ 2MHz, 전력은 500W ~ 5kW의 범위에서 선택될 수 있다. 이와 같이 서셉터(17)는 단일 바이어스 방식으로 구성될 수 있으나, 도 5에 예시된 바와 같이, 이중 바이어스 방식도 가능하다. 이중 바이어스 방식에서, 제3 주파수의 바이어스 전원을 제공하는 제3 전원 공급원(36)이 서셉터(17)에 전기적으로 연결된다. 여기서, 제3 주파수는 10khz ~ 60MHz, 전력은 500W ~ 5kW의 범위에서 선택될 수 있다.
플라즈마 반응 챔버(10)의 천정(12)은 전도성 금속과 전기적 불연속성을 형 성하는 하나 이상의 유전체 영역을 포함하도록 할 수도 있다. 전도성 금속의 영역은 접지로 연결된다. 절연체 영역은 페라이트 코어가 접하는 면으로 설치되거나, 또는 천정을 전체적으로 절연체로 구성하는 것도 가능하다.
도 6은 페라이트 코어 조립체를 매입 설치한 플라즈마 반응 챔버의 사시도이고, 도 7은 도 6의 플라즈마 반응 챔버의 단면도이다.
도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 플라즈마 반응 챔버(10)의 천정(12)은 이웃한 두 환형 페라이트 코어(21, 22) 사이가 높게 단차를 갖도록 구조화된다. 즉, 환형 페라이트 코어(21, 22)가 천정(12)에 매입되도록 환형의 매입 홈(40, 42)이 형성되고, 매입 홈(40, 42)의 사이 영역(14)은 천정(12)과 동일한 평면 높이를 갖도록 형성된다.
여기서, 가스 입구(16)는 매입 홈(40, 42)의 사이 영역(14)에 다수 개가 설치된다. 또는, 도 8에 도시된 바와 같이, 플라즈마 반응 챔버(10)로 공정 가스를 주입하기 위해 제1 가스 입구(16)와 제2 가스 입구(19)가 구비될 수 있다. 제1 가스 입구(16)는 매입 홈(40, 42) 사이 영역(14)으로 배치되며, 제2 가스 입구(19)는 쳄버 천정(12)의 중심부에 배치된다. 제1 및 제2 가스 입구(16, 19)는 각기 동일한 공정 가스가 입력될 수 있으나, 또는 서로 다른 종류의 공정 가스가 입력될 수 있다. 예를 들어, 제1 가스 입구(16)로는 캐리어 가스가 입력 될 수 있으며, 제2 가스 입구(19)로는 공정 가스가 입력될 수 있다. 그리고 가스의 보다 균일한 흐름을 얻기 위하여, 도 9에 도시된 바와 같이, 가스 입구(16, 19)의 하부로 가스 분배판(44, 46)이 설치될 수 있다.
이상과 같은 본 발명의 페라이트 코어 조립체(20)는 플라즈마 반응 챔버(10)의 내부에 환형 플라즈마를 형성하도록 한다. 이러한 기능의 페라이트 코어 조립체(20)는 기본적인 동심원 구조에서 환형 페라이트 코어의 수를 증가하여 그 크기를 더 확장할 수 있다.
도 10은 세 개의 환형 페라이트 코어가 동심원 구조로 배열된 페라이트 코어 조립체가 설치된 플라즈마 반응 챔버의 평면도이다.
도 10을 참조하여, 플라즈마 반응 챔버(50)의 천정(52)에는 페라이트 코어 조립체(60)가 설치된다. 페라이트 코어 조립체(60)는 동심원 구조를 갖도록 평면 배치되는 서로 다른 크기의 세 개의 환형 페라이트 코어(61, 62, 63)를 구비한다. 그리고 이웃하는 두 개의 환형 페라이트 코어(61, 62)(62, 63)에 양단이 연결되어 전체적으로는 방사형으로 배치되며 각기 유도 코일(66, 67)이 권선된 다수 개의 막대형 페라이트 코어(64, 65)를 구비한다. 여기서 외측에 배치되는 막대형 페라이트 코어(64)와 내측으로 배치되는 막대형 페라이트 코어(65)는 서로 엇갈리도록 배치되는 것이 바람직하다. 가스 입구(56)는 이웃한 두 개의 환형 페라이트 코어(61, 62)(62, 63)의 사이에 다수 개가 구성되며, 천정(52)의 중심부에도 추가적으로 구성할 수 있다.
도 11 및 도 12는 도 10의 플라즈마 반응 챔버의 부분 단면도로서, 도 11에서는 자기장의 유도 방향을 동일하게 도 12에서는 자기장의 유도 방향을 서로 다르게 하는 경우를 각각 보여주는 도면이다.
도 11 및 도 12를 참조하여, 외측 막대형 페라이트 코어(64)에 권선되는 유 도 코일(66)과 내측 막대형 페라이트 코어(65)에 권선되는 유도 코일(67)의 권선 방향 또는 전류 방향을 제어하여 외측 자기장(55a)의 방향과 내측 자기장의 방향(55b)의 방향을 제어함으로서 그에 따른 유도 전기장의 방향(6a, 6b)(6a', 6b')을 서로 동일하게 또는 서로 다르게 제어함으로서 플라즈마 밀도, 균일도 등을 제어할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속한 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 잘 알 수 있을 것이다. 그럼으로 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
상술한 바와 같은 본 발명의 환형 플라즈마를 형성하기 위한 페라이트 코어 조립체를 구비한 자기 강화된 플라즈마 소오스에 의하면, 플라즈마 반응 챔버 내부에 환형 플라즈마를 형성함으로서 고밀도의 플라즈마를 보다 균일하게 발생 유지할 수 있다. 또한, 환형 플라즈마를 얻기 위한 페라이트 코어 조립체의 구성이 간단하여 설치가 용이함으로서 플라즈마 처리 설비의 구성과 유지 보수 효율을 높일 수 있다.

Claims (13)

  1. 기판이 놓이는 서셉터가 내부에 구비된 중공형의 플라즈마 반응 챔버;
    플라즈마 반응 챔버의 외측 천정에 배치되며, 플라즈마 반응 챔버의 내부에 환형 플라즈마를 형성하도록 구조화된 페라이트 코어 조립체를 포함하고,
    상기 페라이트 코어 조립체는:
    동심원 구조를 갖도록 평면 배치되는 서로 다른 크기의 둘 이상의 환형 페라이트 코어; 및
    이웃하는 두 개의 환형 페라이트 코어에 양단이 연결되어 전체적으로는 방사형으로 배치되며 각기 유도 코일이 권선된 다수 개의 막대형 페라이트 코어;
    유도 코일로 플라즈마 유도를 위한 제1 주파수의 교류 전원을 제공하는 제1 전원 공급원을 포함하여,
    다수 개의 막대형 페라이트 코어에 집속되는 자기장은 이웃한 두 개의 환형 페라이트 코어를 통해서 플라즈마 반응 챔버의 내측으로 방사형으로 유도되고, 방사형으로 유도된 자기장 및 이에 의해 이차로 유도되는 전기장에 의해 플라즈마 반응 챔버 내부에 환형 플라즈마가 형성되는 자기 강화된 플라즈마 소오스.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 플라즈마 반응 챔버로 공정 가스를 주입하기 위한 하나 이상의 가스 입구, 가스 입구는 서로 이웃하는 환형 페라이트 코어의 사이 영역으로 배치되는 자기 강화된 플라즈마 소오스.
  3. 제1 항에 있어서, 상기 제1 주파수는 10khz ~ 100MHz를 갖는 자기 강화된 플라즈마 소오스.
  4. 제1 항에 있어서, 상기 플라즈마 반응 챔버로 공정 가스를 주입하기 위한 가스 입구, 가스 입구는 서로 이웃하는 환형 페라이트 코어의 사이 영역으로 배치된 다수 개의 제1 가스 입구와 쳄버 천정 중심부에 배치된 제2 가스 입구를 포함하는 자기 강화된 플라즈마 소오스.
  5. 제4 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 가스 입구는 서로 다른 종류의 공정 가스가 분리되어 입력되는 자기 강화된 플라즈마 소오스.
  6. 제2항 내지 제5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 플라즈마 반응 챔버의 천정 구조는 이웃한 두 환형 페라이트 코어 사이가 높게 단차를 갖도록 구조화된 자기 강화된 플라즈마 소오스.
  7. 제6 항에 있어서, 상기 가스 입구의 하부로 가스 분배판이 설치되는 자기 강화된 플라즈마 소오스.
  8. 제1 항에 있어서, 상기 다수 개의 유도 코일은 직렬, 병렬, 또는 직렬 및 병 렬 혼합 방식 중 어느 하나의 방식으로 제1 전원 공급원에 연결되는 자기 강화된 플라즈마 소오스.
  9. 제1 항에 있어서, 상기 서셉터로 제2 주파수를 제공하는 제2 전원 공급원을 포함하는 자기 강화된 플라즈마 소오스.
  10. 제1 항에 있어서, 상기 서셉터로 제2 주파수를 제공하는 제2 전원 공급원과 제2 주파수와 서로 다른 제3 주파수를 제공하는 제3 전원 공급원을 포함하는 자기 강화된 플라즈마 소오스.
  11. 제9 항 또는 제10 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2 주파수는 제2 주파수는 50khz ~ 2MHz, 전력은 500W ~ 5kW를 갖고, 상기 제3 주파수는 10khz ~ 60MHz, 전력은 500W ~ 5kW를 갖는 자기 강화된 플라즈마 소오스.
  12. 제1 항에 있어서, 상기 플라즈마 반응 챔버의 천정은 전기적 불연속성을 형성하는 하나 이상의 절연체 영역을 포함하는 자기 강화된 플라즈마 소오스.
  13. 제1 항에 있어서, 상기 플라즈마 반응 챔버의 천정은 전도성 금속과 전기적 불연속성을 형성하는 하나 이상의 절연체 영역을 포함하는 자기 강화된 플라즈마 소오스.
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