KR100675876B1 - Phase measurement system and method of phase shifting mask - Google Patents

Phase measurement system and method of phase shifting mask Download PDF

Info

Publication number
KR100675876B1
KR100675876B1 KR1020000037287A KR20000037287A KR100675876B1 KR 100675876 B1 KR100675876 B1 KR 100675876B1 KR 1020000037287 A KR1020000037287 A KR 1020000037287A KR 20000037287 A KR20000037287 A KR 20000037287A KR 100675876 B1 KR100675876 B1 KR 100675876B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
phase
laser beam
phase measurement
mask
measurement
Prior art date
Application number
KR1020000037287A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20020002920A (en
Inventor
임동규
이승혁
Original Assignee
주식회사 하이닉스반도체
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 하이닉스반도체 filed Critical 주식회사 하이닉스반도체
Priority to KR1020000037287A priority Critical patent/KR100675876B1/en
Publication of KR20020002920A publication Critical patent/KR20020002920A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100675876B1 publication Critical patent/KR100675876B1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70591—Testing optical components
    • G03F7/706—Aberration measurement

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

위상 반전 마스크의 제조 공정 진행중에 실시간으로 위상 측정이 이루어지도록 하여 공정을 단순화하는데 적당하도록한 위상 반전 마스크의 위상 측정 장치 및 방법에 관한 것으로, 그 구성은 패터닝되어진 레지스트를 마스크로 노출된 기판을 식각하는 단계에서 위상을 측정하는 위상 측정 검출부;위상 측정을 위한 레이저 빔을 출력하는 레이저 빔 번들;상기 레이저 빔 번들에서 출력되는 레이저 빔 및 측정시의 빔을 위상 측정 검출부로 전달하는 제 1,2 터닝 미러;기판 식각량을 제어하면서 상기 위상 측정 검출부로 부터의 위상 측정값에 의해 기판 식각량을 조절하는 건식 식각 제어부를 포함하여 구성된다.
The present invention relates to a phase measuring apparatus and a method of measuring a phase inversion mask in which a phase inversion mask is made in real time during the manufacturing process of the phase inversion mask so as to simplify the process. Phase measuring detector for measuring the phase in the step; Laser beam bundle for outputting a laser beam for phase measurement; First and second turning to deliver the laser beam and the beam at the time of measurement to the phase measurement detector for outputting the laser beam bundle And a dry etching control unit configured to adjust the substrate etching amount by the phase measurement value from the phase measurement detecting unit while controlling the substrate etching amount.

위상 반전 마스크,위상 측정Phase reversal mask, phase measurement

Description

위상 반전 마스크의 위상 측정 장치 및 방법{PHASE MEASUREMENT SYSTEM AND METHOD OF PHASE SHIFTING MASK } Phase measuring apparatus and method of phase inversion mask {PHASE MEASUREMENT SYSTEM AND METHOD OF PHASE SHIFTING MASK}             

도 1a내지 도 2a는 종래 기술의 위상 측정시의 1차 라이팅(writing) 단계를 나타낸 공정 순서도1A to 2A are process flow diagrams illustrating a primary writing step in prior art phase measurement.

도 2a내지 도 2b는 종래 기술의 위상 측정시의 2차 라이팅 단계를 나타낸 공정 순서도2a to 2b are process flowcharts showing the secondary writing step in the conventional phase measurement

도 3a내지 도 3c는 본 발명에 따른 위상 반전 마스크의 제조 및 위상 측정 시스템의 구성을 나타낸 공정 순서도
3A to 3C are process flowcharts illustrating the fabrication of a phase inversion mask and a configuration of a phase measurement system according to the present invention.

- 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 -   -Explanation of symbols for the main parts of the drawing-

31. 투광성 기판 32.차광층31. Transparent substrate 32. Light shielding layer

33. 레지스트 34. 건식 식각 제어부33. Resist 34. Dry Etch Control

35. 위상 측정 검출부 36. 레이저 빔 번들35. Phase measurement detector 36. Laser beam bundle

37. 제 1 터닝 미러 38. 제 2 터닝 미러37. First Turning Mirror 38. Second Turning Mirror

39. 제 1 투광 영역 40. 제 2 투광 영역
39. First flooded area 40. Second flooded area

본 발명은 위상 반전 마스크에 관한 것으로, 특히 위상 반전 마스크의 제조 공정 진행중에 실시간으로 위상 측정이 이루어지도록 하여 공정을 단순화하는데 적당하도록한 위상 반전 마스크의 위상 측정 장치 및 그를 이용한 측정 방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a phase reversal mask, and more particularly, to a phase measuring device of a phase reversal mask and a measuring method using the phase reversal mask, which are adapted to simplify the process by performing phase measurement in real time during the manufacturing process of the phase reversal mask.

일반적으로 반도체 소자 제조공정에서 많이 사용되는 포토리소그래피(Photolithography) 공정은 반도체 소자를 만들고자하는 모양으로 광을 투과시키는 부분과 광을 차단시키는 부분으로 나누어진 포토 마스크를 많이 사용하였다.In general, a photolithography process, which is widely used in a semiconductor device manufacturing process, uses a photomask that is divided into a part that transmits light and a part that blocks light in a shape to make a semiconductor device.

즉, 일반 포토 마스크는 차광패턴과 투광패턴으로 구성되어 선택적인 노광을 할 수 있도록 되어 있다.That is, the general photo mask is composed of a light shielding pattern and a light transmitting pattern to allow selective exposure.

그러나 패턴밀도의 증가에 따라 광의 회절현상(Diffraction Phenomenon)이 발생하여 해상도 향상에 제한이 있었다. 그러므로 위상반전 마스크(Phase Shifting Mask)를 이용하여 해상도를 증가시키는 공정이 다방면으로 연구되고 있다.However, as the pattern density increases, diffraction phenomena (light diffraction phenomenon) occurs and there is a limit in improving the resolution. Therefore, the process of increasing the resolution using a phase shifting mask has been studied in various fields.

위상반전 마스크를 이용하는 기술은 빛을 그대로 투과시키는 투광영역과 빛을 180°반전시켜 투과시키는 반전투광영역을 조합하여 사용하는 기술로써 차광패턴과 투광영역 사이에서 해상도가 감소하는 것을 방지한 것이다.The technique using a phase inversion mask is a technique that uses a combination of a light transmitting area that transmits light as it is and a reverse light transmitting area that transmits light by inverting 180 ° to prevent the resolution from being reduced between the light shielding pattern and the light transmitting area.

그리고 이와 같은 마스크들은 마스크 제조기술의 발달로 광의 위상차를 응용 한 변형 마스크들이 등장하여 광학 해상한계를 늘려 놓았다.In addition, such masks have been developed with the development of mask manufacturing technology, so that modified masks that apply the phase difference of light have appeared to increase the optical resolution limit.

위상반전 마스크는 레벤슨(Levenson)의 위상반전 마스크(Alternate Type Phase-shifting Mask)를 시작으로, 니타야마(Nitayama) 등이 콘택홀의 해상한계를 향상시키기 위해 제안한 림(RIM)형 위상반전 마스크가 출현하였다.The phase inversion mask starts with Levenson's Alternate Type Phase-shifting Mask, and a rim type phase inversion mask proposed by Nitayama et al. To improve the resolution limit of contact holes. Appeared.

이밖에 차광영역의 광투과율을 4 ∼ 30% 정도가 되도록 하고 위상반전도 가능한 하프-톤(half-tone) 위상반전 마스크도 있다.In addition, there is also a half-tone phase inversion mask which allows the light transmittance of the light shielding region to be about 4 to 30% and enables phase inversion.

이하, 첨부된 도면을 참고하여 종래 기술의 위상반전 마스크의 제조 공정 및 위상 측정 방법을 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a manufacturing process and a phase measuring method of a phase inversion mask of the prior art will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1a내지 도 2a는 종래 기술의 위상 측정시의 1차 라이팅(writing) 단계를 나타낸 공정 순서도이고, 도 2a내지 도 2b는 종래 기술의 위상 측정시의 2차 라이팅 단계를 나타낸 공정 순서도이다.1A to 2A are process flow charts showing the primary writing step in the prior art phase measurement, and FIGS. 2A to 2B are process flow charts showing the secondary writing steps in the prior art phase measurement.

먼저, 도 1a에서와 같이, 투광성 기판(1)상에 차광층(2)과 레지스트(3)를 차례로 형성하고 선택적으로 노광한다.First, as shown in FIG. 1A, a light shielding layer 2 and a resist 3 are sequentially formed on the transparent substrate 1 and selectively exposed.

이때, 상기 투광성 기판(1)은 유리 또는 석영으로 형성한다.At this time, the transparent substrate 1 is formed of glass or quartz.

그리고 상기 차광층(2)은 크롬을 사용하여 형성하며 투과되는 광에 대해 4 ∼ 30%정도의 광을 투과시키고, 동일광을 180도 위상반전시킬 정도의 두께로 형성한다.The light shielding layer 2 is formed of chromium, and transmits about 4 to 30% of the light transmitted therethrough, and is formed to a thickness such that the same light is phase-inverted by 180 degrees.

이어, 도 1b에서와 같이, 현상 공정으로 상기 레지스트(3)를 패터닝한다.Subsequently, as shown in FIG. 1B, the resist 3 is patterned by a developing process.

그리고 도 1c에서와 같이, 상기 패터닝되어진 레지스트(3)를 마스크로 하여 노출된 투광성 기판(1)을 일정 두께 식각한다. As shown in FIG. 1C, the exposed light-transmitting substrate 1 is etched by a predetermined thickness using the patterned resist 3 as a mask.                         

이어, 도 1d에서와 같이, 상기 레지스트(3)를 제거하여 제 1 투광 영역(4)과 제 2 투광 영역(5)을 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 1D, the resist 3 is removed to form the first light-transmitting region 4 and the second light-transmitting region 5.

그리고 도 1e에서와 같이, 위상 반전 영역과 그렇지 않은 영역에 빛을 트랜스미션하는 방법으로 1차 위상 측정을 진행한다.As shown in FIG. 1E, the first phase measurement is performed by transmitting light to a phase inversion region and a region that is not.

이와 같은 1차 위상 측정 결과에 따라 다시 식각 엔드 포인트를 결정하여 2차 라이팅을 진행한다.Based on the result of the first phase measurement, the etching end point is determined again, and the second writing is performed.

2차 라이팅 공정은 먼저, 도 2a에서와 같이, 투광성 기판(1)상에 차광층(2)과 레지스트(3)를 차례로 형성하고 선택적으로 노광한다.In the secondary writing process, first, as shown in FIG. 2A, the light shielding layer 2 and the resist 3 are sequentially formed on the transparent substrate 1 and selectively exposed.

이때, 상기 투광성 기판(1)은 유리 또는 석영으로 형성한다.At this time, the transparent substrate 1 is formed of glass or quartz.

그리고 상기 차광층(2)은 크롬을 사용하여 형성하며 투과되는 광에 대해 4 ∼ 30%정도의 광을 투과시키고, 동일광을 180도 위상반전시킬 정도의 두께로 형성한다.The light shielding layer 2 is formed of chromium, and transmits about 4 to 30% of the light transmitted therethrough, and is formed to a thickness such that the same light is phase-inverted by 180 degrees.

이어, 도 2b에서와 같이, 현상 공정으로 상기 레지스트(3)를 패터닝한다.Subsequently, as shown in FIG. 2B, the resist 3 is patterned by a developing process.

그리고 도 2c에서와 같이, 상기 패터닝되어진 레지스트(3)를 마스크로 하여 노출된 투명 기판(1)을 일정 두께 식각한다.As shown in FIG. 2C, the exposed transparent substrate 1 is etched by a predetermined thickness using the patterned resist 3 as a mask.

이어, 도 2d에서와 같이, 상기 레지스트(3)를 제거하여 제 1 투광 영역(4)과 제 2 투광 영역(5)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 2D, the resist 3 is removed to form the first light-transmitting region 4 and the second light-transmitting region 5.

그리고 도 2e에서와 같이, 위상 반전 영역과 그렇지 않은 영역에 빛을 트랜스미션하는 방법으로 2차 위상 측정을 진행한다.As shown in FIG. 2E, the second phase measurement is performed by transmitting light to a phase reversal region and a region that is not.

이상에서와 같이, 종래 기술의 위상 측정 시스템(phase measurement system) 의 경우는 위상 반전층(shifter)이 있는 영역과 없는 영역에 빛을 트랜스미션(transmission)하는 방법을 이용하여 투과형으로 위상을 읽어내어 적정한 식각 엔드 포인트를 결정하여 위상 반전 마스크의 위상을 최적화한다.As described above, in the case of a conventional phase measurement system, a phase is read out in a transmissive manner using a method of transmitting light to an area with and without a phase shifter. Determine the etch endpoint to optimize the phase of the phase reversal mask.

이와 같은 종래 기술의 위상 반전 마스크의 제조 공정 및 위상 측정에 있어서는 다음과 같은 문제가 있다.In the manufacturing process and phase measurement of such a conventional phase reversal mask, there exist the following problems.

위상 측정을 최소한 2회 이상 스텝별로 진행하여야 하므로 공정이 복잡하고 반복 측정 소요되는 시간으로 인하여 생산성이 저하된다.Since the phase measurement must be performed at least twice per step, the process is complicated and productivity is reduced due to the time required for repeated measurement.

또한, 위상 측정을 매뉴얼로 진행하여 측정 진행이 비효율적으로 이루어진다.
In addition, the measurement progress is made inefficiently by performing the phase measurement manually.

본 발명은 이와 같은 종래 기술의 문제를 해결하기 위한 것으로, 위상 반전 마스크의 제조 공정 진행중에 첫 번째 식각시에 실시간으로 위상 측정이 이루어지도록 하여 공정을 단순화하는데 적당하도록한 위상 반전 마스크의 위상 측정 장치 및 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
The present invention is to solve the problems of the prior art, the phase measurement apparatus of the phase reversal mask is suitable to simplify the process by performing a phase measurement in real time during the first etching during the manufacturing process of the phase reversal mask And to provide a method.

이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 위상 반전 마스크의 위상 측정 장치는 위상 반전 마스크의 제조 공정 중에 패터닝된 레지스트를 마스크로 기판을 식각해 위상 반전 영역을 정의하는 단계에서 실시간으로 위상을 측정하는 위상 측정 장치로서, 레이저 빔을 전달받아 위상을 측정하는 위상 측정 검출부; 위상 측정을 위한 레이저 빔을 출력하는 레이저 빔 번들; 상기 레이저 빔 번들에서 출력된 레이저 빔을 상기 위상 반전 마스크의 위상 반전 영역 및 나머지 영역에 각각 전달하고, 상기 위상 반전 영역 및 나머지 영역의 기판 후면으로부터 각각 반사되어 온 레이저 빔을 소정 경로로 전달하는 제 1 터닝 미러; 상기 제 1 터닝 미러로부터 소정 경로로 전달된 레이저 빔을 상기 위상 측정 검출부로 전달하는 제 2 터닝 미러; 상기 제 2 터닝 미러로부터 전달된 레이저 빔에 대해 상기 위상 측정 검출부가 측정한 위상 측정값을 기초로, 상기 기판의 식각량을 조절하는 건식 식각 제어부를 포함한다. The phase measurement apparatus of the phase reversal mask according to the present invention for achieving the above object is to measure the phase in real time in the step of defining a phase reversal area by etching the substrate with a mask patterned resist during the manufacturing process of the phase reversal mask A phase measurement apparatus, comprising: a phase measurement detector for measuring a phase by receiving a laser beam; A laser beam bundle for outputting a laser beam for phase measurement; The laser beam output from the laser beam bundle is transmitted to the phase inversion region and the remaining region of the phase inversion mask, respectively, and the laser beam reflected from the back surface of the substrate of the phase inversion region and the remaining region is transferred to a predetermined path. 1 turning mirror; A second turning mirror configured to transfer the laser beam transmitted from the first turning mirror to the phase measurement detector by a predetermined path; And a dry etching controller configured to adjust an etching amount of the substrate based on a phase measurement value measured by the phase measurement detector with respect to the laser beam transmitted from the second turning mirror.

이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명에 따른 위상 반전 마스크의 위상 측정 장치 및 방법에 관하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, an apparatus and method for measuring a phase of a phase inversion mask according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3a내지 도 3c는 본 발명에 따른 위상 반전 마스크의 제조 및 위상 측정 시스템의 구성을 나타낸 공정 순서도이다.3A to 3C are process flowcharts illustrating the fabrication of a phase inversion mask and a configuration of a phase measurement system according to the present invention.

먼저, 도 3a에서와 같이, 투광성 기판(31)상에 차광층(32)과 레지스트(33)를 차례로 형성하고 선택적으로 노광한다.First, as shown in FIG. 3A, the light shielding layer 32 and the resist 33 are sequentially formed on the transparent substrate 31 and selectively exposed.

이때, 상기 투광성 기판(31)은 유리 또는 석영으로 형성한다.In this case, the light transmissive substrate 31 is formed of glass or quartz.

그리고 상기 차광층(32)은 크롬을 사용하여 형성하며 투과되는 광에 대해 4 ∼ 30%정도의 광을 투과시키고, 동일광을 180도 위상반전시킬 정도의 두께로 형성한다.The light shielding layer 32 is formed using chromium, and transmits about 4 to 30% of the light transmitted therethrough, and is formed to a thickness such that the same light is phase-inverted by 180 degrees.

이어, 도 3b에서와 같이, 현상 공정으로 상기 레지스트(33)를 패터닝한다. Subsequently, as shown in FIG. 3B, the resist 33 is patterned by a developing process.                     

그리고 도 3c에서와 같이, 상기 패터닝되어진 레지스트(33)를 마스크로 하여 노출된 투광성 기판(31)을 일정 두께 식각하는 것과 동시에 위상 측정이 이루어지도록 하여 측정값에 따라 식각량을 조절한다.As shown in FIG. 3C, the patterned resist 33 is used as a mask to etch the exposed light-transmitting substrate 31 at a predetermined thickness and to perform phase measurement to adjust the etching amount according to the measured value.

이후, 상기 레지스트(33)를 제거하여 제 1 투광 영역(39)과 제 2 투광 영역(40)을 형성한다.Thereafter, the resist 33 is removed to form the first light transmissive region 39 and the second light transmissive region 40.

본 발명에 따른 위상 측정 방법은 첫 번째 기판 식각 단계(1st substrate etch step)에서 기판 후면(substrate back side)에서 위상을 실시간으로 측정하고 이 측정값을 이용하여 식각량을 조절하는 것이다.The phase measurement method according to the present invention is to measure the phase in real time on the substrate back side in the first substrate etch step and adjust the etching amount using the measured value.

즉, 기판 식각시에 마스크로 사용되는 레지스트를 제거하지 않은 상태에서 멀티 스텝으로 나누어 위상 측정을 하고 나머지 부분을 식각하는 것이다.In other words, the phase measurement is performed by dividing into multiple steps without removing the resist used as a mask when etching the substrate and etching the remaining portions.

이와 같은 위상 측정 방법에 사용되는 본 발명에 따른 위상 측정 장치의 구성은 다음과 같다.The configuration of the phase measurement device according to the present invention used in such a phase measurement method is as follows.

도 3c에서와 같이, 상기 위상 측정 장치는, 위상 반전 마스크의 제조 공정 중에 패터닝된 레지스트(33)를 마스크로 기판(31)을 식각해 위상 반전 영역을 정의하는 단계에서 실시간으로 위상을 측정하는 위상 측정 장치로서, 레이저 빔을 전달받아 위상을 측정하는 위상 측정 검출부(35)와, 위상 측정을 위한 레이저 빔을 출력하는 레이저 빔 번들(36)과, 상기 레이저 빔 번들(36)에서 출력된 레이저 빔을 상기 위상 반전 마스크의 위상 반전 영역 및 나머지 영역에 각각 전달하고, 상기 위상 반전 영역 및 나머지 영역의 기판(31) 후면으로부터 각각 반사되어 온 레이저 빔을 소정 경로로 전달하는 제 1 터닝 미러(38)와, 상기 제 1 터닝 미러(38)로부터 소정 경로로 전달된 레이저 빔을 상기 위상 측정 검출부(35)로 전달하는 제 2 터닝 미러(37)와, 상기 제 2 터닝 미러(37)로부터 전달된 레이저 빔에 대해 상기 위상 측정 검출부(35)가 측정한 위상 측정값을 기초로, 상기 기판(31)의 식각량을 조절하는 건식 식각 제어부(34)를 포함한다.
이러한 위상 측정 장치를 사용하게 되면, 상기 패터닝된 레지스트(33)를 마스크로 투광성 기판(31)을 일정 두께 식각하여 위상 반전 영역을 정의하는 공정에서, 다음과 같은 과정을 통해 실시간으로 위상 측정을 할 수 있고 이러한 위상 측정 값을 기초로 식각량을 조절할 수 있다.
먼저, 상기 레이저 빔 번들(36)에서 레이저 빔을 출력시켜 이를 제 1 터닝 미러(38)로 전달한다. 이러한 레이저 빔은 상기 제 1 터닝 미러(38)에서 반사되어 상기 위상 반전 마스크의 위상 반전 영역 및 나머지 영역에 각각 전달되며, 이렇게 전달된 빛은 상기 위상 반전 영역 및 나머지 영역의 기판 후면에서 각각 반사되어 다시 상기 제 1 터닝 미러(38)로 전달된다. 이와 같이 상기 제 1 터닝 미러(38)로 전달된 레이저 빔은 제 2 터닝 미러(37)로 전달되며, 제 2 터닝 미러(37)는 이러한 레이저 빔을 위상 측정 검출부(35)로 전달한다. 위상 측정 검출부(35)에서는 이렇게 제 2 터닝 미러(37)에서 전달된 레이저빔의 위상을 측정한다. 즉, 이와 같이, 상기 위상 반전 영역 및 나머지 영역의 기판 후면에서 레이저 빔을 반사시켜 이의 위상을 측정함으로서, 위상 반전 영역과 나머지 영역의 위상 및 이들 영역 간의 위상차를 측정할 수 있다. 또한, 이러한 위상 측정값을 기초로 건식 식각 제어부(34)에서 상기 기판(31)의 식각량을 조절하게 되므로, 결국, 상기 패터닝된 레지스트(33)를 마스크로 투광성 기판(31)을 식각하여 위상 반전 영역을 정의하는 공정에서, 실시간으로 위상 측정을 할 수 있고 이러한 위상 측정값을 기초로 식각량을 조절할 수 있다.
As shown in FIG. 3C, the phase measuring device measures a phase in real time in a step of defining a phase inversion region by etching the substrate 31 using a patterned resist 33 as a mask during a manufacturing process of the phase inversion mask. A measuring apparatus, comprising: a phase measurement detector 35 for measuring a phase by receiving a laser beam, a laser beam bundle 36 for outputting a laser beam for phase measurement, and a laser beam output from the laser beam bundle 36 Is transmitted to the phase inversion region and the remaining regions of the phase reversal mask, respectively, and the first turning mirror 38 which transmits the laser beams reflected from the rear surface of the substrate 31 in the phase inversion region and the remaining region to a predetermined path. And a second turning mirror 37 for transmitting the laser beam transmitted from the first turning mirror 38 to the phase measurement detector 35 through the predetermined path, and the second turning mirror 37. Based on the phase measurement detector 35 measures the phase measured values for the transmitted laser beam from, a dry etching control section 34 to control the etching rate of the substrate 31.
When the phase measuring device is used, in the process of defining a phase inversion region by etching a thickness of the light transmissive substrate 31 using the patterned resist 33 as a mask, phase measurement can be performed in real time through the following process. The etching amount can be adjusted based on the phase measurement value.
First, a laser beam is output from the laser beam bundle 36 and transferred to the first turning mirror 38. The laser beam is reflected by the first turning mirror 38 and transmitted to the phase inversion region and the remaining region of the phase inversion mask, respectively, and the transmitted light is reflected on the back surface of the substrate of the phase inversion region and the remaining region, respectively. It is transmitted to the first turning mirror 38 again. In this way, the laser beam transmitted to the first turning mirror 38 is transmitted to the second turning mirror 37, and the second turning mirror 37 transmits the laser beam to the phase measurement detector 35. The phase measurement detector 35 measures the phase of the laser beam transmitted from the second turning mirror 37. That is, as described above, the phase of the phase inversion region and the remaining region and the phase difference between the regions may be measured by reflecting a laser beam on the back surface of the substrate in the phase inversion region and the remaining region. In addition, since the etching amount of the substrate 31 is controlled by the dry etching controller 34 based on the phase measurement value, the phase of the light-transmissive substrate 31 is etched using the patterned resist 33 as a mask. In the process of defining the inversion region, phase measurements can be made in real time and the etching amount can be adjusted based on these phase measurements.

이와 같은 본 발명에 따른 위상 반전 마스크의 위상 측정 장치 및 방법은 다음과 같은 효과가 있다.Such a phase measurement apparatus and method of the phase inversion mask according to the present invention has the following effects.

첫째, 위상 측정을 한번의 스텝으로 진행하여 공정이 단순하고 위상 측정에 소요되는 시간을 단축하여 생산성을 높일 수 있다.First, the phase measurement is performed in one step, so that the process is simple and the time required for the phase measurement can be shortened to increase productivity.

또한, 위상 측정을 식각 공정과 동시에 실시간으로 자동 진행하여 측정 진행이 효율적으로 이루어진다.In addition, the phase measurement is automatically performed in real time at the same time as the etching process, the measurement proceeds efficiently.

Claims (3)

위상 반전 마스크의 제조 공정 중에 패터닝된 레지스트를 마스크로 기판을 식각해 위상 반전 영역을 정의하는 단계에서 실시간으로 위상을 측정하는 위상 측정 장치로서, A phase measuring apparatus for measuring a phase in real time in a step of defining a phase inversion region by etching a substrate using a patterned resist as a mask during a manufacturing process of a phase inversion mask, 레이저 빔을 전달받아 위상을 측정하는 위상 측정 검출부;A phase measurement detector configured to receive a laser beam and measure a phase; 위상 측정을 위한 레이저 빔을 출력하는 레이저 빔 번들;A laser beam bundle for outputting a laser beam for phase measurement; 상기 레이저 빔 번들에서 출력된 레이저 빔을 상기 위상 반전 마스크의 위상 반전 영역 및 나머지 영역에 각각 전달하고, 상기 위상 반전 영역 및 나머지 영역의 기판 후면으로부터 각각 반사되어 온 레이저 빔을 소정 경로로 전달하는 제 1 터닝 미러;The laser beam output from the laser beam bundle is transmitted to the phase inversion region and the remaining region of the phase inversion mask, respectively, and the laser beam reflected from the back surface of the substrate of the phase inversion region and the remaining region is transferred to a predetermined path. 1 turning mirror; 상기 제 1 터닝 미러로부터 소정 경로로 전달된 레이저 빔을 상기 위상 측정 검출부로 전달하는 제 2 터닝 미러;A second turning mirror configured to transfer the laser beam transmitted from the first turning mirror to the phase measurement detector by a predetermined path; 상기 제 2 터닝 미러로부터 전달된 레이저 빔에 대해 상기 위상 측정 검출부가 측정한 위상 측정값을 기초로, 상기 기판의 식각량을 조절하는 건식 식각 제어부를 포함하는 위상 반전 마스크의 위상 측정 장치.And a dry etching controller configured to adjust an etching amount of the substrate based on a phase measurement value measured by the phase measurement detector with respect to the laser beam transmitted from the second turning mirror. 위상 반전 마스크의 위상 측정에 있어서,In the phase measurement of the phase inversion mask, 투광성 기판상에 차광층과 레지스트를 차례로 형성하고 선택적으로 노광하는 단계;Sequentially forming a light shielding layer and a resist on the light transmissive substrate and selectively exposing the resist; 상기 레지스트를 패터닝하는 단계;Patterning the resist; 상기 패터닝되어진 레지스트를 마스크로 하여 노출된 투광성 기판을 일정 두께 식각하는 것과 동시에 위상 측정이 이루어지도록 하여 측정값에 따라 식각량을 조절하는 단계;Adjusting the etching amount according to the measured value by performing phase measurement while simultaneously etching the exposed translucent substrate using the patterned resist as a mask; 상기 레지스트를 제거하여 투광 영역을 형성하는 단계Removing the resist to form a transmissive region 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크의 위상 측정 방법.Phase measurement method of a phase reversal mask comprising a. 제 2 항에 있어서, 위상 측정시에 기판 후면에서 레이저를 반사시키는 방법으로 위상 측정을 하는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크의 위상 측정 방법.The phase measurement method of a phase inversion mask according to claim 2, wherein the phase measurement is performed by a method of reflecting a laser from the back surface of the substrate during phase measurement.
KR1020000037287A 2000-06-30 2000-06-30 Phase measurement system and method of phase shifting mask KR100675876B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020000037287A KR100675876B1 (en) 2000-06-30 2000-06-30 Phase measurement system and method of phase shifting mask

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020000037287A KR100675876B1 (en) 2000-06-30 2000-06-30 Phase measurement system and method of phase shifting mask

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20020002920A KR20020002920A (en) 2002-01-10
KR100675876B1 true KR100675876B1 (en) 2007-02-05

Family

ID=19675519

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020000037287A KR100675876B1 (en) 2000-06-30 2000-06-30 Phase measurement system and method of phase shifting mask

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100675876B1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101484937B1 (en) 2008-07-02 2015-01-21 삼성전자주식회사 Method of measuring a phase of a phase shift mask and apparatus for performing the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20020002920A (en) 2002-01-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20060019176A1 (en) Chromeless phase shift mask and method of fabricating the same
JPH0950116A (en) Photomask and its production as well as exposure method using the photomask
JP3359982B2 (en) Phase inversion mask and method of manufacturing the same
KR19990023707A (en) Phase transition mask
US5888677A (en) Exposure mask, method of fabricating same, and method of manufacturing semiconductor device
JPH1097052A (en) Production of phase inversion mask by controlling exposure light
US6933084B2 (en) Alternating aperture phase shift photomask having light absorption layer
KR100675876B1 (en) Phase measurement system and method of phase shifting mask
JP2005257962A (en) Phase shift mask and method for manufacturing phase shift mask
KR20030036124A (en) Methods of determining alignment in the forming of phase shift regions in the fabrication of a phase shift mask
JP2007165704A (en) Pattern forming method, and manufacturing method for levenson type mask
JPH08123008A (en) Phase shift mask and its production
JPH05289305A (en) Phase-shift photomask
JP3161348B2 (en) Method for manufacturing phase difference measurement pattern and phase shift mask
US6261725B1 (en) Phase angle modulation of PSM by chemical treatment method
JP2000010255A (en) Halftone type phase shift mask, blank for halftone type phase shift mask, and production of halftone type phase shift mask
JPH08248617A (en) Etching method, etching device, and manufacture of phase shift mask
KR20020001230A (en) A method for manufacturing phase shift mask of semiconductor device
KR100314743B1 (en) Method of preparing phase shift mask of semiconductor device
JP3065063B1 (en) Pattern forming method and phase shift mask
JPH063803A (en) Production of phase shift mask
KR100197771B1 (en) Mask for light exposure and process for production of the same
JP2681610B2 (en) Method for manufacturing lithographic mask
JP3241793B2 (en) Phase shift photomask
JPH07152146A (en) Production of phase shift mask

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20101224

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee